CN1856197A - 发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种诸如有机电致发光器件的发光显示器件及其制造方法。具体地说，本发明涉及降低扫描线与阴极电极层之间的电阻，以便不显著衰减扫描线信号。实现此的一种方式是利用材料形成扫描线的导电层和阴极电极层，以致导电层和阴极电极层的电导率尽可能相同。例如，如果利用诸如铝的相同材料形成导电层和阴极电极层，则可以显著降低电阻。此外，可以提供大接触面积。

Description

发光显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种诸如电致发光器件的发光显示器件及其制造方法。具体地说，本发明涉及一种可以将扫描线的连接层与阴极电极层之间的电阻最小化的发光显示器件。

背景技术

诸如有机电致发光器件的发光显示器件在被施加某个电压时发出预定波长的光。

图1a是示出现有技术的有机电致发光器件的平面图。如图所示，现有技术的有机电致发光器件包括：阳极电极层100、阴极电极层102以及扫描线101。

在位于阳极电极层100与阴极电极层102的交叉点上的发光区上形成多个像素104。扫描线101对应于阴极电极层102。

图1b是示出沿图1a中的线I-I’截取的现有技术的有机电致发光器件的剖视图。在图1b中，每个像素104分别包括：顺序层叠在衬底110上的阳极电极层100、有机层118以及阴极电极层102。

如图1b所示，扫描线101包括顺序层叠在衬底110上的扫描线电极层112和子电极层114。子电极层114由钼构成。子电极层114接触阴极电极层102。因此，通过扫描线电极层112和子电极层114，集成电路芯片(未示出)传送的扫描信号被传送到阴极电极层102。

现有技术的器件至少存在下面的问题。子电极层114的电阻值较高。此外，子电极层114与阴极电极层102之间的接触面积较小。因此，通过扫描线电极层112和子电极层114传送到阴极电极层102的扫描信号显著减小。

发明内容

本发明的一个目的是一种具有低电阻值的扫描线的诸如有机电致发光器件的发光显示器件。

本发明的另一目的是提供一种可以以大接触面积使具有类似电导率的扫描线的导电层和阴极电极层电连接的发光显示器件。

根据本发明实施例的具有利用阳极电极层和与该阳极电极层交叉的阴极电极层形成的发光区的发光显示器件包括与阳极电极层分开形成的扫描线，该扫描线具有至少一个形成在上表面上的通孔，该发光显示器件还包括由与阴极电极层具有基本上相同电导率的材料形成的导电层，其中导电层分别通过该至少一个通孔电连接到阴极电极层。优选利用诸如铝的相同材料形成导电层和阴极电极层。

扫描线优选具有顺序层叠的扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层，而且在第二子电极层上形成至少一个通孔，它延伸到导电层。此外，可以利用铝形成导电层和阴极电极层，而利用钼或者铬形成子电极层。

根据本发明的各实施例具有顺序层叠的阳极电极层、绝缘层、有机层以及阴极电极层的发光显示器件包括：扫描线，其与阳极电极层分开形成，具有利用具有与阴极电极层基本相同电导率的材料形成的导电层；以及支撑层，其形成在扫描线与阳极电极层之间，其中支撑层支撑阴极电极层，而且阴极电极层分别电连接到导电层。优选由诸如铝的相同材料形成导电层和阴极电极层。

扫描线优选具有顺序层叠的扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层。此外，可以由铝形成导电层和阴极电极层，而由钼或者铬形成子电极层。

支撑层的高度优选与扫描线电极层和第一子电极层的总高度相同。此外，支撑层由与绝缘层相同的物质构成。

根据本发明实施例具有由阳极电极层和与该阳极电极层交叉的阴极电极层形成的发光区的发光显示器件包括扫描线，该扫描线具有由其电导率与阴极电极层的电导率基本相同的材料形成的导电层，其中至少通过在扫描线的端部形成的切口部分露出导电层，而且该导电层电连接到填充在该切口部分内的阴极电极层。优选利用诸如铝的相同导电金属形成导电层和阴极电极层。

扫描线优选具有顺序层叠的扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层。此外，利用铝形成导电层和阴极电极层，而利用钼或者铬形成子电极层。

根据本发明实施例的具有由阳极电极层和与该阳极电极层交叉的阴极电极层形成的发光区的发光显示器件包括与阳极电极层分开形成的扫描线，该扫描线具有由其电导率与阴极电极层的电导率基本相同的材料形成的导电层，其中导电层和阴极电极层扩展到扫描线与阳极电极层之间的区域，而且分别连接。优选利用诸如铝的相同导电材料形成导电层和阴极电极层。

扫描线优选具有顺序层叠的扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层。此外，利用铝形成导电层和阴极电极层，而利用钼或者铬形成子电极层。

根据本发明的发光显示器件的制造方法包括步骤：在衬底上互相分开地形成阳极电极层和具有导电层的扫描线；在扫描线和阳极电极层上形成绝缘层；成形绝缘层，而且露出阳极电极层上的发光区和部分导电层；在发光区上形成有机层；以及在露出的导电层和有机层上形成阴极电极层，并使它们电连接。

优选通过顺序层叠扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层形成扫描线。此外，利用与导电层具有基本相同的导电性的材料形成阴极电极层。在此，利用铝形成导电层和阴极电极层。

根据本发明实施例的发光显示器件的制造方法包括步骤：在衬底上互相分开地形成阳极电极层和具有导电层的扫描线；在阳极电极层上形成绝缘层，和露出发光区；在阳极电极层与扫描线之间形成支撑层；在发光区上形成有机层；以及在该有机层上形成阴极电极层，其中阴极电极层由支撑层支撑，而且电连接导电层。优选同时形成绝缘层和支撑层。

优选通过顺序层叠扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层，形成扫描线。在此，支撑层的高度基本上与扫描线电极层和第一子电极层的总高度相同。此外，可以利用其电导率与导电层的电导率基本相同的材料形成阴极电极层。在此，可以利用铝，形成导电层和阴极电极层。

根据本发明实施例的发光显示器件的制造方法包括步骤：在衬底上互相分开地形成阳极电极层和具有导电层的扫描线；至少在扫描线的端部形成切口部分，且露出导电层；在阳极电极层上形成绝缘层，而且露出发光区；在发光区上形成有机层；以及在该有机层上形成阴极电极层，其中形成阴极电极层，以填充该切口部分，而且该阴极电极层电连接到导电层。

优选通过顺序层叠扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层形成扫描线。此外，利用与导电层具有基本相同的导电性的材料形成阴极电极层。在此，利用铝形成导电层和阴极电极层。

根据本发明实施例的发光显示器件的制造方法包括步骤：在衬底上互相分开地形成阳极电极层和具有导电层的扫描线，其中导电层延伸到阳极电极层与扫描线之间的区域；在阳极电极层上形成绝缘层，而且露出发光区；在该发光区上形成有机层；以及在该有机层上形成阴极电极层，其中该阴极电极层直接连接到伸出的导电层。

优选通过顺序层叠扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层形成扫描线。此外，利用与导电层具有基本相同的导电性的材料形成阴极电极层。在此，利用铝形成导电层和阴极电极层。

因为根据本发明实施例的发光显示器件的扫描线在扫描线电极层上具有多层结构的各层，所以显著减小了扫描线的电阻。

此外，因为扫描线的阴极电极层和导电层具有基本相同的电导率，而且以大接触面积电连接，所以显著减小了阴极电极层与导电层之间的接触电阻。

附图说明

根据结合下面的附图所做的详细说明，可以更清楚地理解本发明。

图1a是示出现有技术的有机电致发光器件的平面图。

图1b是沿图1a中的线I-I’截取的现有技术的有机电致发光器件的剖视图。

图2a是根据本发明第一实施例的发光显示器件的平面图。

图2b是沿线II-II’截取的图2a所示的发光显示器件的剖视图。

图3是示出根据本发明第二实施例的发光显示器件的平面图。

图4a至图4c是示出用于制造根据本发明实施例的发光显示器件的方法的剖视图。

图5是示出根据本发明第三实施例的发光显示器件的剖视图。

图6是示出根据本发明第四实施例的发光显示器件的平面图。

图7是沿线VII-VII’截取的图6所示的发光显示器件的剖视图。

图8是沿线VIII-VIII’截取的图6所示的发光显示器件的剖视图。

图9是示出根据本发明第五实施例的发光显示器件的剖视图。

具体实施方式

下面将参考附图更详细说明根据本发明的发光显示器件及其制造方法的实施例。

图2a是根据本发明第一实施例的发光显示器件的平面图。在图2a中，为了说明问题，示出了有机电致发光显示器。然而，本发明并不局限于有机电致发光显示器。

如图2a所示，本发明的有机电致发光显示器包括：阳极电极层200、阴极电极层202以及扫描线201。

在位于阳极电极层200与阴极电极层202的交叉点上的发光区上形成多个像素204。优选利用ITO层形成阳极电极层200，而优选利用金属层形成阴极电极层202。在相应阳极电极层200与阴极电极层202之间存在足够高压差时，像素204发光。例如，可以对阳极电极层200施加正电压，而对阴极电极层202施加负电压。请注意，扫描线201分别对应于阴极电极层202。

图2b是沿线II-II’截取的图2a所示的发光显示器件的剖视图。如图2b所示，每个像素204(还被称为像素区或者单元像素)分别包括：阳极电极层200、发光层222以及阴极电极层202。发光层222的例子是有机层。通常，将像素区看作由有机层222覆盖的衬底区域。有机层222可以包括：空穴迁移层(HTL)、发射层(EML)以及电子迁移层(ETL)。

此外，如图2b所示，每条扫描线201(还被称为扫描线区)分别包括：层叠在衬底210上的扫描线电极层212、第一子电极层214、导电层216以及第二子电极层218。可以以如图所示的顺序层叠各层212、214、216和218。通常，可以将扫描线区看作扫描线电极层212覆盖的衬底区域。

第一子电极层214防止因为扫描线电极层212与导电层216接触发生氧化，该导电层216可以是金属层。钼(Mo)或者铬材料可以用于形成第一子电极层214。

第二子电极层218防止导电层216发生氧化。而且，钼或者铬材料可以用于形成第二子电极层218。当在制造发光显示器件的过程中，湿气渗透导电层216时，第二子电极层218可以防止湿气渗透导电层216。

可以由诸如铝的金属材料形成导电层216。

如图2b所示，扫描线201包括位于扫描线电极层212上的多层结构，这与在扫描线电极层上具有单层结构的现有技术的有机电致发光器件不同。与现有技术的器件相比，多层结构显著降低电阻值。因此，与如图1b所示的现有技术器件相比，可以显著降低通过本发明的扫描线201和多层结构传送到阴极电极层202的扫描信号。

再参考图2b，在第二子电极层218上设置绝缘层220，而通过绝缘层220和第二子电极层218，在扫描线201上形成通孔208，以露出部分导电层216。在通孔208中沉积阴极电极层202。的确，通过通孔208，导电层216的上表面能够直接接触阴极电极层202。

图2b示出互相设置在“之上”的各层，即，互相之间物理接触的各层。例如，所示的第一子电极层214位于扫描线电极层212上，所示的导电层216位于第一子电极层214上等。

然而，这不是严格要求。各层可以设置在另一层的“上方”。所需要做的是，各层之间实现电连通，以致通过多层结构，扫描线电极层212输出的扫描信号可以被传送到阴极电极层202。

为了降低总电阻，优选地导电层216和阴极电极层202的电导率基本上互相相同。例如，如果利用诸如铝的相同材料形成导电层216和阴极电极层202，则这两层的电导率互相相同。

该多层结构降低了总电阻，因此，可以将扫描线电极层212输出的扫描线信号传送到阴极电极层202，而没有显著衰减。显然，第一子电极层214与导电层216之间的接触区大，从而减小了电阻。此外，即使导电层216与阴极电极层202之间的接触区较小，因为这些层的电导率基本相同，所以仍可以减小电阻。因此，与现有技术有机电致发光器件相比，本发明的发光显示器件可以降低功率消耗。

根据本发明第一实施例的发光显示器件的扫描线201的结构也可以应用于数据线。

图3是示出根据本发明第二实施例的发光显示器的平面图。此外，仅为了说明问题，示出了有机电致发光器件。如图所示，该有机电致发光器件包括：阳极电极层200、阴极电极层202以及扫描线201。其余元件与图2a所示的元件相同。因此，省略说明它们。

在图3中，分别在每条扫描线201上形成多个通孔308，而非形成单一通孔208(请参考图2a和2b)。因此，通过通孔308露出导电层216的总面积大于图2a所示第一实施例露出导电层216的面积，通过通孔308，阴极电极层202与导电层216实现电连通。第二实施例甚至允许导电层216与阴极电极层202之间的接触电阻值进一步降低。

图4a至图4c是示出用于制造发光显示器件的方法的示意图。

如图4a所示，在衬底400上沉积阳极电极层402和扫描线电极层404。例如，在衬底400上沉积ITO层，然后，成形该ITO层，以形成阳极电极层402和扫描线电极层404。

然后，在扫描线电极层404上顺序沉积第一子电极层406、导电层408以及第二子电极体410。在此，铝可以用于导电层408，而钼或者铬可以用于第一子电极层406和/或者第二子电极体410。然后，沉积绝缘体412，以覆盖阳极电极层402、第二子电极体410以及衬底400。

如图4b所示，蚀刻第二子电极体410和绝缘体412，以形成绝缘层414、第二子电极层416以及通孔418，从而在扫描线区中露出部分导电层408。此外，利用蚀刻处理，可以露出像素区中的部分阳极电极层402。

如图4c所示，在阳极电极层402上沉积有机层420。然后，在导电层408的露出区域、绝缘层414以及有机层420上沉积阴极电极层422，以电连接有机层420和导电层408。

图5是示出根据本发明第三实施例的发光显示器件的剖视图。第三实施例的器件包括阳极电极层502、阴极电极层524以及扫描线501。扫描线501之外的其他元件与图2a所示的第一实施例的各元件相同。因此，省略说明它们。

扫描线501包括层叠在衬底500上的扫描线电极层512、第一子电极层506、导电层508以及第二子电极层516。

在扫描线501与阳极电极层502之间，即，在扫描线区与像素区之间的空间上形成支撑层514。支撑层514具有这样的高度，以致支撑层514支撑阴极电极层524，以与导电层508的水平基本相同的水平从扫描线区开始水平延伸。例如，可以使支撑层514的高度与扫描线电极层512和第一子电极层506的总高度基本相同。通过延伸在阳极电极层502与有机层520之间形成的绝缘层，可以形成支撑层514。

通过导电层508的侧面部分，阴极电极层524与导电层508电连通。的确，阴极电极层524可以直接接触导电层508的侧面部分。

如上所述，导电层508和阴极电极层524的电导率基本相同。这可以利用相同金属(例如，铝)实现，以形成两层。因此，导电层508与阴极电极层524之间的接触电阻值小。反过来，这样与现有技术的有机电致发光器件相比又降低了功率消耗。

下面说明根据本发明第三实施例的有机电致发光器件的制造过程。在衬底500上，互相分开地形成阳极电极层502和扫描线501。通过顺序层叠扫描线电极层512、第一子电极层506、导电层508以及第二子电极层516形成扫描线501。在此，可以利用铝形成导电层508，而利用钼或者铬形成第一子电极层506和/或者第二子电极层516。

然后，在阳极电极层502上形成绝缘层。通过成形该绝缘层，在阳极电极层502上形成发光区。

通过利用绝缘层514填充扫描线501与阳极电极层502之间的空间形成支撑层514。所形成的支撑层514的高度与扫描线电极层512和第一子电极层506的总高度相同。

然后，在露出的发光区上形成有机层520。阴极电极层524形成在有机层520上，而且延伸到扫描线501，支撑层514支撑该阴极电极层524，而且例如，通过直接接触，阴极电极层524与导电层508电连通。

图6是示出根据本发明第四实施例的发光显示器件的平面图。图7是沿线VII-VII’截取的图6所示发光显示器件的剖视图。图8是沿线VIII-VIII’截取的图6所示发光显示器件的剖视图。

再参考图6，发光显示器件包括：阳极电极层702、阴极电极层722以及扫描线701。其余元件与图2a所示的第一实施例的元件相同。因此，省略说明它们。

如图7所示，扫描线701包括层叠在衬底700上的扫描线电极层704、第一子电极层706、导电层708以及第二子电极层716。阴极电极层722延伸，以覆盖扫描线701的端部。阴极电极层722和导电层708的电导率基本相同。此外，在扫描线701的端部，阴极电极层722和导电层708基本上互相电连通。

如图8所示，在扫描线701的端部形成至少一个切口部分712，以增加阴极电极层722与导电层708的接触面积。形成阴极电极层722，以填充切口部分712，从而增加和导电层708的接触面积。

可以由相同金属(例如，铝)形成导电层708和阴极电极层722。与现有技术的子电极层和阴极电极层之间的接触电阻值相比，这样可以显著减小导电层708与阴极电极层722之间的接触电阻。因此，与现有技术的器件相比，该实施例的发光显示器件可以显著减小功率消耗。

在图8中，形成切口部分712，以露出衬底700，以致阴极电极层722向下填充到接触衬底700。这样做的附加好处是，可以使扫描信号从扫描线电极层704传送到阴极电极层722，从而进一步降低接触电阻。

然而，不需要为了露出衬底700而形成切口部分712。仅需要形成足以露出导电层708的切口部分712，以使阴极电极层722与导电层708电连通。

下面说明根据本发明第四实施例的发光显示器件的制造方法。

在衬底700上，互相分开地形成阳极电极层702和扫描线701。通过顺序层叠扫描线电极层704、第一子电极层706、导电层708以及第二子电极层716形成扫描线701。在此，可以利用铝形成导电层708，而利用钼或者铬形成第一子电极层706和/或者第二子电极层716。然后，通过蚀刻扫描线701的端部的一部分以露出导电层708，形成切口部分712。

然后，在阳极电极层702上形成绝缘层714。通过成形绝缘层714，露出位于阳极电极层702上的发光区710(像素区)。然后，在露出的发光区710上形成有机层720。

形成阴极电极层722，以覆盖扫描线701的端部并填充切口部分712，使得可以与导电层708建立电连通。在图7和8中，通过直接接触建立电连通。然而，不严格要求这样做。

图9是示出根据本发明第五实施例的发光显示器件的剖视图。如图所示，发光显示器件包括：阳极电极层802、阴极电极层822以及扫描线801。其余元件与图2a所示第一实施例的元件相同。因此，省略说明它们。

扫描线801包括层叠在衬底800上的扫描线电极层804、第一子电极层806、导电层808以及第二子电极层816。导电层808延伸到在扫描线801与阳极电极层802之间，即，在扫描线区与像素区之间形成的空间。此外，阴极电极层822延伸到同一个空间，以与导电层808建立电连通。此外，直接物理接触是建立这种电连通的一种方式。

可以由相同金属(例如，铝)形成导电层808和阴极电极层822，以使这两层的电导率基本相同。因此，显著减小了导电层808与阴极电极层822之间的接触电阻，所以与现有技术的器件相比，该器件可以降低功率消耗。

下面说明根据本发明第五实施例的发光显示器件的制造过程。在衬底800上，互相分开地形成阳极电极层802和扫描线801。通过顺序层叠扫描线电极层804、第一子电极层806、导电层808以及第二子电极层816形成扫描线801。此外，可以利用铝形成导电层808，而利用铝或者铬形成第一子电极层806和/或者第二子电极层816。形成导电层808延伸到扫描线801与阳极电极层802之间形成的空间。

然后，在阳极电极层802上形成绝缘层。通过成形该绝缘层814，在阳极电极层802上露出发光区。然后，在露出的发光区上形成有机层820。

形成阴极电极层822也延伸到扫描线801与阳极电极层802之间形成的空间，以例如通过直接接触，与导电层808建立电连通。

根据本发明的优选实施例，请注意，根据上面讲述的内容，本技术领域内的技术人员可以设计各种修改例和变型。因此，应该明白，在所附权利要求限定的本发明实质范围内，可以对本发明的特定实施例进行各种修改。

Claims (46)

1.一种有机电致发光显示器件，其包括：

衬底；

扫描线电极层，其被设置在衬底的扫描线区中的衬底上；

第一子电极层，其被设置在扫描线区中扫描线电极层上，而且配置其以与扫描线电极层电连通；

导电层，其被设置在扫描线区中第一子电极层上，而且配置其以与第一子电极层电连通；

第二子电极层，其被设置在扫描线区中导电层上；

阳极电极层，其被设置在衬底的像素区中衬底上；

有机层，其被设置在像素区中阳极电极层上；

阴极电极层，其被设置在像素区中有机层上，

其中，扫描线区被定义为由扫描线电极层覆盖的衬底区域，而像素区被定义为由有机层覆盖的衬底区域，

其中，阴极电极层从像素区向扫描线区延伸，以与导电层电连通，以及

其中，导电层的电导率与阴极电极层的电导率基本上相同。

2.如权利要求1所述的器件，其中，该阴极电极层被设置以直接接触导电层。

3.如权利要求1所述的器件，其进一步包括：

绝缘层，其被设置在扫描线区中第二子电极层上，

其中，至少一个通孔形成在该绝缘层和第二子电极层中，以露出部分导电层，

其中，在至少一个通孔中而且在导电层上设置阴极电极层。

4.如权利要求3所述的器件，其中，该绝缘层也被设置在从扫描线区到像素区的衬底上，而且其中阴极电极层被设置在绝缘层上。

5.如权利要求1所述的器件，其中，该阴极电极层被设置以与导电层的侧面部分电连接。

6.如权利要求5所述的器件，其中，该阴极电极层在与导电层的水平位置基本上相同的水平位置，水平地从扫描线区延伸到像素区。

7.如权利要求6所述的器件，进一步包括支撑层，其被设置在从扫描线区到像素区的衬底上，以在与导电层的水平位置基本相同的水平位置支撑阴极电极层。

8.如权利要求5所述的器件，

其中，该扫描线电极层、第一子电极层、导电层以及第二子电极层被全部设置以露出扫描线区上至少一部分衬底，

其中，阴极电极层被设置以填充在扫描线区上至少一部分衬底中。

9.如权利要求1所述的器件，

其中，该导电层被设置以在扫描线区与像素区之间的部分中在衬底上从扫描线区延伸，以及

其中，该阴极电极层被设置以在扫描线区与像素区之间的部分中在衬底上从像素区延伸，以便在扫描线区与像素区之间的部分与导电层电连通。

10.如权利要求1所述的器件，

其中，该扫描线电极层被设置在衬底上，该第一子电极层被设置在扫描线电极层上，该导电层被设置在第一子电极层上，且该第二子电极层被设置在扫描线区中导电层上，

其中，该阳极电极层被设置在衬底上，该有机层被设置在阳极电极层上，且该阴极电极层被设置在像素区中有机层上。

11.如权利要求1所述的器件，其中，该阴极电极层和导电层由相同导电材料形成。

12.如权利要求11所述的器件，其中，该导电材料是铝。

13.如权利要求1所述的器件，其中，利用钼或者铬形成第一子电极层和第二子电极层之一或者它们二者。

14.一种向发光显示器提供显示信号的结构，其包括：

扫描线电极层，其被设置在衬底上；

导电层，其被设置在扫描线电极层上，而且配置其以与扫描线电极层电连通；以及

阴极电极层，其被设置在衬底上，以从发光显示器的像素区延伸，

其中，配置导电层和阴极电极层以互相电连通，以及

其中，该导电层的电导率与阴极电极层的电导率基本相同。

15.如权利要求14所述的结构，其中，该阴极电极层被设置以直接接触导电层。

16.如权利要求14所述的结构，其中，该阴极电极层和导电层由相同导电材料形成。

17.如权利要求16所述的结构，其中，该导电材料是铝。

18.如权利要求14所述的结构，进一步包括设置在导电层上的子电极层，其中由与导电层不同的材料形成子电极层。

19.如权利要求18所述的结构，其中，该子电极层由钼或者铬形成。

20.如权利要求18所述的结构，其中，该子电极层是第二子电极层，该结构进一步包括设置在扫描线电极层与导电层之间的第一子电极层，其中利用与导电层不同的材料形成第一子电极层。

21.如权利要求20所述的结构，其中，该第一子电极层由钼或者铬形成。

22.如权利要求18所述的结构，其中，在子电极层中形成至少一个通孔以露出部分导电层，使得该阴极电极层被设置在至少一个通孔内。

23.如权利要求22所述的结构，进一步包括设置在子电极层上的绝缘层，其中也在绝缘层中形成至少一个通孔。

24.如权利要求23所述的结构，其中，该绝缘层被设置在衬底上以延伸到发光显示器的像素区，使得该阴极电极层被设置在绝缘层上。

25.如权利要求14所述的结构，其中，该阴极电极层被设置以与导电层的侧面部分电连通。

26.如权利要求25所述的结构，其中，该阴极电极层被设置以在与导电层的水平位置基本相同的水平位置水平地延伸。

27.如权利要求26所述的结构，进一步包括支撑层，其被设置在衬底上，以在与导电层的水平位置基本相同的水平位置支撑阴极电极层。

28.如权利要求26所述的结构，其进一步包括：

第一子电极层，其被设置在扫描线电极层与导电层之间；以及

第二子电极层，其被设置在导电层上，

其中，由与导电层不同的材料形成第一和第二子电极层。

29.如权利要求25所述的结构，

其中，设置该扫描线电极层和导电层两者，以露出至少一部分衬底，以及

其中，该阴极电极层被设置以填充至少一部分衬底。

30.如权利要求29所述的结构，其进一步包括：

第一子电极层，其被设置在扫描线电极层与导电层之间，除了至少一部分衬底上之外；以及

第二子电极层，其被设置在导电层上，除了至少一部分衬底上之外，

其中，由与导电层不同的材料形成第一和第二子电极层。

31.如权利要求14所述的结构，

其中，该导电层被设置以在扫描线电极层未覆盖的衬底区域中在衬底上延伸，以及

其中，该阴极电极层被设置以在衬底上从像素区延伸，从而与扫描线电极层未覆盖的衬底区域的导电层电连通。

32.如权利要求31所述的结构，进一步包括：

第一子电极层，其被设置在扫描线电极层与导电层之间；以及

第二子电极层，其被设置在导电层上，

其中，由与导电层不同的材料形成第一和第二子电极层。

33.如权利要求14所述的结构，进一步包括：

阳极电极层，其被设置在衬底上，从发光显示器的像素区延伸；以及

发光层，其被设置在阳极电极层上，

其中，该阴极电极层被设置在发光层上。

34.如权利要求33所述的结构，其中，该发光层是有机层。

35.如权利要求14所述的结构，其中，该发光显示器件是有机电致发光器件。

36.如权利要求14所述的结构，其中，该扫描线电极层被设置在衬底上。

37.如权利要求36所述的结构，进一步包括：

第一子电极层，其被设置在扫描线电极层上，其中该导电层被设置在第一子电极层上；以及

第二子电极层，其被设置在导电层上，

其中，由与导电层不同的材料形成第一和第二子电极层。

38.一种用于形成向发光显示器件提供显示信号的结构的方法，其包括：

在衬底上形成扫描线电极层；

在扫描线电极层上形成导电层以与扫描线电极层电连通；以及

利用其电导率与导电层的电导率基本相同的材料，在衬底上形成阴极电极层，以从发光显示器的像素区延伸，从而使导电层和阴极电极层互相电连通。

39.如权利要求38所述的方法，其中，该阴极电极层被形成以直接接触导电层。

40.如权利要求38所述的方法，其中，该用于形成阴极电极层的材料与用于形成导电层的材料相同。

41.如权利要求38所述的方法，进一步包括：

利用与导电层不同的材料在导电层上形成子电极层。

42.如权利要求41所述的方法，其中，该子电极层是第二子电极层，该方法进一步包括：

利用与导电层不同的材料，在扫描线电极层与导电层之间形成第一子电极层。

43.如权利要求41所述的方法，进一步包括：

在子电极层上形成至少一个通孔以露出部分导电层，

其中，该形成阴极电极层的步骤包括在至少一个通孔内形成阴极电极层。

44.如权利要求38所述的方法，其中，该形成阴极电极层的步骤包括形成阴极电极层以与导电层的侧面部分电连通。

45.如权利要求44所述的方法，其中，该形成阴极电极层的步骤进一步包括形成阴极层以在与导电层的水平位置基本相同的水平位置水平地延伸。

46.如权利要求44所述的方法，其中，该形成阴极电极层以与导电层的侧面部分电连通的步骤包括：

形成露出至少一部分衬底的扫描线电极层和导电层；以及

形成阴极电极层以填充至少一部分衬底。

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