CN1770398A - 半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中半导体机器具有一溅射室，溅射室内设有一晶片载台用以承载晶片，其中晶片承载机构表面清洁方法包括有下列步骤：调整半导体机器至一清洁状态，此时可产生一等离子体，并利用等离子体去清除晶片载台上的氧化污染物，再调整半导体机器至一释放状态，使等离子体停止产生。而前述的清洁状态至少包括三个步骤：于溅射室通入一保护气体；将晶片载台的射频功率加至一适当范围；维持晶片载台的射频功率在适当范围一段时间。前述的释放状态至少包括二个步骤：将晶片载台的射频功率归零；泄去溅射室的保护气体。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体机器的清洁方法，特别是涉及一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法。
背景技术
随着全球科技的不断进步，电子产品已成为人人不可获缺的商品，而且要求愈来愈精密，竞争也日亦激烈，所有生产厂商亦全力投入工艺上的改革，以期望成品率的提升及生产效能的改进。
于物理气相沉积法(PVD)的工艺中，晶片载台上通常容易积存氧化污染物，而氧化污染物易造成晶片无法在晶片载台表面正确定位，甚至滑动而造成背向应力破裂(backside pressure fault)或破片。而现有的方式都是在工艺的成品率下降时，才会发现晶片载台上的氧化污染物过多，才去进行氧化污染物清除的动作，且习用的氧化污染物清除的动作，亦无法完全将氧化污染物清除干净，导致机器在生产时很快又会有氧化污染物的堆积，进而使晶片发生破片的机率上升，降低工艺的成品率。
综观以上所述，习用的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，至少存在以下缺点：
一、无法将晶片载台上的氧化污染物完全的清除干净，易导致晶片破片的发生或造成晶片滑动而引发晶片背向应力破裂。
二、其无法事先减少氧化污染物的沉积，必须等到工艺的成品率下降时，才会发现晶片载台上的氧化污染物过多，才进行氧化污染物清除的动作。
三、其工艺的成品率不佳，进而增加晶片破片发生的机率，因而增加生产成本，降低市场的竞争力。
四、其无法将清洁晶片载台的参数量化，使在线操作人员无法有效遵循，因而无法确保每次清洁的品质达到所需的要求。
发明内容
有鉴于现有技术的缺失，本发明的目的在于提供一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，可将晶片载台上的氧化污染物完全的清除干净，以避免晶片破片的发生或因晶片滑动而引发的晶片背向应力破裂。
本发明的另一目的在于提供一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，可有效减少氧化污染物的沉积，进而提升工艺的成品率，且可同时延长每次必须进行氧化污染物清除的间隔时间，降低维护机器所需的成本。
为达上述目的，本发明提供一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，半导体机器具有一溅射室，溅射室内设有一晶片载台用以承载晶片，其中晶片承载机构表面清洁方法包括有下列步骤：调整半导体机器至一清洁状态；此时可产生一等离子体，并利用等离子体去清除晶片载台上的氧化污染物；调整半导体机器至一释放状态，使等离子体停止产生。
其中，前述的清洁状态至少包括三个步骤：于溅射室通入一保护气体；将晶片载台的射频功率加至一适当范围；维持晶片载台的射频功率在适当范围一段时间。前述的释放状态至少包括二个步骤：将晶片载台的射频功率归零；泄去溅射室的保护气体。
本发明的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，可提升工艺的成品率，进而降低晶片破片发生的机率，降低生产成本，增加市场的竞争力，并将清洁晶片载台的设定模块化，使在线操作人员有规范可以遵循，进而确保每次清洁的品质达到所需的要求。
附图说明
图1为本发明的半导体机器的晶片承载机构优选实施例示意图。
图2为本发明的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法优选实施例示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员能对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，兹配合图式详细说明。
如图1所示，其为本发明的半导体机器的晶片承载机构示意图，其中半导体机器具有一溅射室10，溅射室10内设有一晶片载台(E-chuck)11，且溅射室10还连接有一进气口12及一出气口13，进气口12及出气口13分别设有一进气流量控制阀120及一出气流量控制阀130，晶片载台11连接到一射频功率产生器14。其中，在物理气相沉积法的工艺中，晶片载台11用以承载晶片进行后续工艺，但由于晶片背面容易积存氧化污染物，故晶片载台11上通常容易残留氧化污染物，而造成晶片无法在晶片载台11表面正确定位，甚至滑动而造成背向应力破裂或直接破片。进气口12，顾名思义乃指气体的入口，通常都是通保护气体，并由进气流量控制阀120来控制气体的流量；同理，出气口13乃指气体的出口，亦是由出气流量控制阀130来控制气体的流量；射频功率产生器14可以提供晶片载台11所需的射频功率。
如图2所示，其为本发明的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法优选实施例示意图，其包括有下列的步骤：
将溅射室通入一保护气体20，本发明通入氩气作为保护气体，且将氩气通入的流量控制在约5sccm至28sccm之间，而氩气的作用在于提供等离子体产生时所需撞击的气体分子，使等离子体可顺利产生。
将晶片载台的射频功率加至约95W至100W 21，将晶片载台的射频功率加至一适当范围，在本实施例中将射频功率加至约95W至100W之间，使氩气气体分子受到外加电场的作用，产生离子化进而激发生成等离子体，并利用所生成的等离子体作为后续清洁之用，通常我们将可以产生等离子体所需外加的射频功率大小，称之为操作功率，且于本实施例中操作功率最佳为100W。
维持操作功率十分钟至二十分钟，以产生等离子体清除氧化污染物22，本实施例中将晶片载台的射频功率维持在95W以上一段时间，其至少必须要维持十分钟，最佳的时间是维持二十分钟，此时内部电场会加速带电粒子，去撞击氩气分子，使氩气分子游离形成等离子体，等离子体可以使晶片载台上的氧化污染物分解，以达清除的目的。
当然可以把以上的设定参数模块化，将晶片载台的射频功率设定在约95W至100W之间，保护气体流量设定在约5sccm至28sccm之间，维持操作功率的时间设定为约十分钟至二十分钟之间，使得操作人员只要选择一清洁状态便可以进行清除氧化污染物的动作，无须再用人工校调的方式，以标准化生产流程，提升生产效能。
将晶片载台的射频功率归零23，当清洁的过程完成后，先将晶片载台的射频功率归零，此时半导体机器内的等离子体便会停止产生。
泄去溅射室的保护气体24，再泄去溅射室内的保护气体-氩气，以回复半导体机器到未操作前的状态，完成整个清洁的流程，亦将晶片载台的射频功率归零及泄去保护气体的动作模块化，定为一释放状态，可使等离子体停止产生，并使半导体机器回复到未操作的状态。
综上所述，本发明的一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，可将晶片载台上的氧化污染物清除干净，避免晶片破片的发生或因晶片滑动而引发的晶片背向应力破裂，进而提升工艺的成品率，并将清洁晶片载台的设定模块化，以利操作人员操作；以上所述仅为本发明的优选实施例，当不能以的限制本发明的范围，容易联想得到，诸如：通入不同的保护气体、调整不同的晶片载台射频功率和维持晶片载台清洁时间较长或较短等等，本领域技术人员于领悟本发明的精神后，皆可想到变化实施之，即大凡依本发明权利要求所做的均等变化及修饰，仍将不失本发明的要义所在，亦不脱离本发明的精神和范围，故都应视为本发明的进一步实施状况。
Claims (14)
1.一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，该半导体机器具有一溅射室，该溅射室内设有一晶片载台用以承载晶片，其中该晶片承载机构表面清洁方法包括：
将该溅射室通入一保护气体；
将该晶片载台的射频功率加至一操作功率；以及
保持该晶片载台的射频功率在该操作功率至少十分钟。
2.如权利要求1所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中于保持该晶片载台的射频功率在该操作功率至少十分钟的步骤后还包括：
将该晶片载台的射频功率归零；以及
泄去该保护气体。
3.如权利要求1所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的保护气体为氩气。
4.如权利要求3所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中所述的氩气流量介于5sccm至28sccm之间。
5.如权利要求1所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的操作功率介于95W至100W之间。
6.如权利要求5所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中该操作功率为100W。
7.如权利要求1所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的保持该晶片载台的射频功率在该操作功率为二十分钟。
8.一种半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，该半导体机器具有一溅射室，该溅射室内设有一晶片载台用以承载晶片，其中该晶片承载机构表面清洁方法包括有下列步骤：
调整该半导体机器至一清洁状态，其中该清洁状态可产生一等离子体，并利用该等离子体清除该晶片载台上的氧化污染物；
调整该半导体机器至一释放状态，使该等离子体停止产生。
9.如权利要求8所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的清洁状态至少包括：
于该溅射室通入一保护气体；
将该晶片载台的射频功率加至一适当范围；
维持该晶片载台的射频功率在该适当范围一段时间。
10.如权利要9所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的保护气体为氩气。
11.如权利要求10所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中所述的氩气流量介于5sccm至28sccm之间。
12.如权利要求9所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的操作功率介于95W至100W之间。
13.如权利要求9所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中上述的维持该晶片载台的射频功率在该适当范围一段时间介于十分钟至二十分钟之间。
14.如权利要求8所述的半导体机器的晶片承载机构表面清洁方法，其中该释放状态至少包括：
将该晶片载台的射频功率归零；
泄去该溅射室的保护气体。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN100576092C (zh) * | 2006-12-13 | 2009-12-30 | 中国科学院半导体研究所 | 等离子去胶台可调式载片体 |
| CN101573664B (zh) * | 2006-11-29 | 2011-07-20 | 格罗方德半导体公司 | 用于在半导体制造期间探测不希望的粒子的存在的方法及系统 |
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2004
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| CN100576092C (zh) * | 2006-12-13 | 2009-12-30 | 中国科学院半导体研究所 | 等离子去胶台可调式载片体 |
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