CN1721958A - 垂直取向型液晶显示元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供垂直取向型液晶显示元件。在一对基板之间封入具有负的介电各向异性的液晶，在一个基板上具有对置电极，在另一个基板上具有像素电极和形成在像素电极(12)周围的辅助电极。像素电极是由ITO膜构成的透明电极，从像素中心部向像素周边部形成，形成有用于将像素区域划分为多个子像素区域的缝隙。辅助电极形成在像素电极的下层的与缝隙对应的位置。在像素电极和对置电极之间施加电压时，各子像素区域的液晶分子取向以使得倒向子像素区域中心。

Description

垂直取向型液晶显示元件
技术领域
本发明涉及垂直取向型液晶显示元件。
背景技术
现有的TFT液晶面板由TFT(Thin Film Transistor)基板、CF(Color Filter)基板和夹在这些基板之间的液晶层构成。被封入TFT基板和CF基板之间的液晶材料使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列型)显示器中表现出正介电各向异性的材料。使用表现出负介电各向异性的材料的液晶显示元件，提出了垂直取向型TFT液晶显示元件，其将液晶的指向矢(director)(分子长轴方向)，在无电场的状态下朝向垂直于基板的方向。
垂直取向型TFT液晶显示元件通过在相对布置的一对基板之间封入显示出负的介电各向异性的液晶来构成液晶单元。
在一对基板的一个基板上，对每个像素形成像素电极，在另一个基板上形成与多个上述像素电极相对置的公共(对置)电极，由这些各像素电极、公共电极的对置部分及它们之间的液晶形成一个像素。在各个基板上，形成覆盖像素电极和公共电极的垂直取向膜，该垂直取向膜被实施了在对上述像素电极和公共电极之间施加了电压时用于决定液晶倒向的方向的摩擦(rubbing)处理。
在上述像素电极和公共电极之间没有施加电压时，公共电极和像素电极的电位相同，所以在像素电极和公共电极之间没有形成电场，利用其负的介电各向异性和垂直取向膜的作用，液晶分子相对于基板垂直取向。
若在像素电极和公共电极之间施加电压，则液晶分子利用形成在像素电极和公共电极之间的电场而倾斜动作，在像素电极和公共电极之间施加足够高的电压时，液晶分子相对于基板实质上水平取向。
此时，在像素电极和公共电极之间施加了电场的情况下，利用形成在像素电极和公共电极之间的电场，液晶分子在一个方向上取向，所以对比度的视野角依赖性大，视野角特性差。
由此，提出了在垂直取向型液晶显示装置中，为了得到广的视野角特性，对各个像素的每一个形成多方向取向的多个象限(domain)。例如，如日本专利第2565639号说明书所记载的那样，提出了一种液晶显示装置，在公共电极上形成X字形状的开口，在相对置的两个电极之间施加电压时，在一个像素中使液晶分子向上述X字形开口的中央倒向四个方向的方式来取向.
在该液晶显示装置中，将公共电极形成得大于像素电极，在像素电极和公共电极之间施加电压时，像素区域的像素电极和公共电极相对置的部分产生纵电场，在像素电极的周边部分产生斜的电场，在公共电极的形成了开口(缝隙)的部分形成电场不连续的部分，从而液晶分子排列为按各像素的每一个倒向上述X字形开口的中央。也就是说，在该液晶显示装置中，液晶分子以对每个像素，对每个由X字形开口划分的区域向4个方向倾斜的方式来取向。
但是，上述液晶显示装置中，由形成在各像素之中的X字开口形成取向方向不同的区域，所以为了杜绝各区域之间的相互作用，X字开口需要形成得足够宽。为此，存在如下问题：在各像素上，不能由电场控制的开口(缝隙)的面积变大，公共电极的面积变小，开口率降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种液晶显示元件，广视野角，高透射率和高对比度。
为实现上述目的，本发明的第一方案的液晶显示元件，其特征在于包括：
一个基板；
另一个基板，与上述一个基板设置预定的间隙而相对布置；
至少一个第一电极，形成在上述一个基板和另一个基板相互对置的面之中的一个面；
多个第二电极，形成在上述相互对置的面之中的另一个面，由与上述第一电极相对置的区域形成多个作为显示最小单位区域的一个像素，具有用于将各个像素划分为多个子像素区域的开口部；
垂直取向膜，分别形成在形成有上述第一、第二电极的一个基板和另一个基板的相互对置的内面；
液晶层，被封入在上述基板之间，具有负的介电各向异性；以及
辅助电极，形成在至少包围上述第二电极的周边区域。
如上所述的第1方案的液晶显示元件，具备设置在第二电极上且将各像素的每一个划分为多个子像素区域的开口部、以及形成在至少包围上述第二电极的周边区域的辅助电极，从而液晶分子在各子像素区域从其周边向中央在各子像素区域内排列为连续的放射状，所以能使放射状取向的中央的位置稳定，所以能稳定各像素每个的取向，不发生显示不均匀。
在该液晶显示元件中，优选上述辅助电极形成为包围由上述开口部划分的多个子像素区域的各区域，还优选上述辅助电极对应于上述第二电极的周边部和上述开口部设置。
优选上述开口部由对每个上述第二电极从其中央向外周边缘延伸、并在上述像素电极的中央部相互连结的多个缝隙构成，该开口部形成在连接有有源元件的第二电极上。
此时，优选上述辅助电极形成在上述另一个基板面上，上述第二电极形成在覆盖上述另一基板的上述辅助电极之上的绝缘膜上。
另外，优选在上述辅助电极上，施加被施加在形成于一个基板上的第一电极上的电压。
这样一来，通过将辅助电极与上述开口部相对应设置，还在上述辅助电极上施加被施加在第一电极上的电压，能使与开口部对应的区域无电场，所以形成于第二电极的开口部的作用变大，能使上述开口部的宽度变窄。其结果，各像素的第二电极的面积变大，不能由各像素内的电场控制的部分变少，像素的开口率变大，开口率变高。
本发明的第2方案的液晶显示元件，其特征在于包括：
一个基板；
另一个基板，与上述一个基板设置预定的间隙而相对布置；
至少一个第一电极，形成在上述一个基板的与另一个基板相互对置的面；
多个第二电极，形成在上述另一个基板的与上述一个基板相对置的面上，形成多个由与上述第一电极相对置的区域定义的一个像素，具有用于将各个像素划分为多个子像素区域的缝隙；
垂直取向膜，分别形成在上述一个基板上的形成有上述第一电极的面和上述另一个基板上的形成有上述第二电极的面上；
液晶层，被封入在上述基板之间，具有负的介电各向异性；
第一辅助电极，形成在上述另一个基板的设置有上述第二电极的面的、至少包围上述第二电极的周边区域，通过施加在与上述第二电极之间的电场，使上述液晶层的位于上述像素周边的液晶分子排列为其分子长轴从周边倒向中央；以及
第二辅助电极，形成在上述另一个基板的设置有上述第二电极的面的与上述缝隙对应的区域，通过施加在与上述第二电极之间的电场，对上述多个子像素区域的每一个，使上述液晶层的位于上述子像素区域周边的液晶分子排列为其分子长轴从周边倒向中央。
根据上述第2方案构成的液晶显示元件，各像素的液晶分子从各子像素区域的周边向上述开口部的中央，在各子像素区域内连续放射状排列，能使该放射状取向的中央的位置稳定，所以可以使各像素的取向稳定，不发生显示不均匀。
在该液晶显示元件中，优选上述缝隙包括从上述各像素的中央向外周边缘延伸、并在上述像素区域的中央部相互连结的方式而形成在上述第二电极上的多个欠缺部分，还优选上述缝隙形成在连接了有源元件的第二电极上。
优选上述第一、第二辅助电极形成在上述另一个基板面上，上述第二电极形成在覆盖上述另一基板的上述第一、第二辅助电极之上，还优选上述第一辅助电极和第二辅助电极在上述另一个基板面上相互连接而一体形成。
另外，优选上述第一、第二辅助电极被设定为低于上述第二电极的电位，具体而言，优选上述第一、第二辅助电极被设定为和与上述第二电极相对置的第一电极的电位相同的电位。
而且，优选上述第一辅助电极包括补偿电容电极，该补偿电容电极与上述第二电极的周边部分重合，且用于在与上述第二电极之间形成补偿电容，另外优选上述第二辅助电极的宽度被形成为比上述第二电极的缝隙的宽度还宽，上述第二辅助电极的与上述第二电极重合的区域形成与上述第二电极之间的补偿电容，还优选上述第一、第二辅助电极由透明导电膜构成。
本发明第3方案的液晶显示元件，其特征在于包括：
一个基板；
另一个基板，与上述一个基板设置预定的间隙而相对布置；
至少一个第一电极，形成在上述一个基板和另一个基板相互对置的面之中的一个面；
多个第二电极，形成在上述相互对置的面之中的另一个面，由与上述第一电极相对置的区域形成多个作为显示最小单位区域的一个像素；
垂直取向膜，分别形成在形成有上述第一、第二电极的一个基板和另一个基板的相互对置的内面；
液晶层，被封入在上述基板之间，具有负的介电各向异性；
划分构件，设置在上述第二电极上，将各像素划分为多个子像素区域；
排列构件，设置在上述另一个基板上，对上述多个子像素区域的每一个，将上述液晶层的位于上述子像素区域周边的液晶分子排列为其分子长轴从周边倒向中央。
根据上述第3方案构成的液晶显示元件，各像素的液晶分子从各子像素区域的周边向上述开口部的中央，在各子像素区域内连续放射状排列，能使该放射状取向的中央的位置稳定，所以可以使各像素的取向稳定，不发生显示不均匀。
在该液晶显示元件中，优选上述划分构件包括形成在上述第二电极上的缝隙，还优选上述排列构件包括形成于如下区域的辅助电极，即，上述另一个基板的设置有上述第二电极的面的、至少包围上述第二电极的周边区域和与用于将上述像素划分为子像素区域的构件相对应的区域。
附图说明
图1是表示本发明实施方式1涉及的液晶显示装置的构造的剖面图。
图2A～C表示本发明实施方式1涉及的液晶显示装置的对应于一个像素的部分的构造，图2A是俯视图，图2B是由2B-2B线将图2A切断的剖面图，图2C是由2C-2C线将图2A切断的剖面图。
图3A～B示意性地示出图1的液晶显示元件的液晶层上产生的电场和液晶分子的取向，图3A是等电位线图，图3B是表示液晶分子的排列状态的图。
图4是表示图1的液晶显示元件的各电极上施加的驱动电压的波形的驱动电压波形图。
图5A～B分别表示各像素的液晶分子的取向状态，图5A是表示位于各子像素区域周边部的液晶分子的取向状态，图5B是平面地表示各子像素区域的液晶分子的取向状态的示意图。
图6A～C分别表示本发明实施方式2涉及的液晶显示元件的一个像素对应的部分的构造，图6A是俯视图，图6B是由6B-6B线切断图6A示出的剖面图。图6C是由6C-6C线切断图6A示出的剖面图。
具体实施方式
参照以下附图，说明本发明实施方式涉及的液晶显示元件。
图1是表示本发明实施方式1涉及的垂直取向型液晶显示装置的构造的剖面图，图2A是表示该液晶显示元件的一个像素构造的俯视图。
如图1和图2A所示，液晶面板100包括：一对基板10、20；形成在各基板的相互对置的内面上的像素电极30和对置电极40；形成于这些电极表面的取向膜50、50；用于接合上述一对基板10、20的密封件90；以及被封入上述一对基板之间的液晶层60。液晶显示元件由液晶面板100和一对偏振片70、80构成。该偏振片70、80在该液晶面板100的上述一对基板10、20各自的外侧夹着这些基板而布置。
在上述一对基板10、20之中一个基板10的内面，形成了上述对置电极40和图未示出的滤色片。
在另一个基板20的内面形成有：像素电极30；TFT元件31，被连接在上述像素电极30上，在上述像素电极30上施加从外部提供的图像信号；在该TFT元件31上提供图像信号的漏极布线32；辅助电极33，用于控制各像素的液晶分子的取向且使其稳定，并且在与上述像素电极30之间形成补偿电容(CS)；栅极布线34，将用于控制TFT元件31动作的栅极信号提供给上述TFT元件31；栅极绝缘膜35，覆盖上述TFT元件31的栅电极；覆盖上述漏极布线32的绝缘膜36；以及覆盖这些膜表面的垂直取向膜50。
虽然没有详细图示，上述TFT元件31是形成在基板上的逆交错(stagger)型薄膜晶体管(Thin Film Transistor)。
像素电极30由以氧化铟为主成分的ITO(Indium Tin Oxide)膜等构成的基本上为四边形的透明电极形成。另外，像素电极30由与对置电极40相对置的区域划定为用于形成像素的最小单位即一个像素的区域。在该像素电极30上形成宽度窄的开口部，该开口部用于将每个像素划分为多个子像素区域。该开口部由从像素电极30的中央向外周边缘延伸、并在上述像素电极30的中央部相互连结的多个缝隙30a构成。在该实施方式中，在像素电极30上形成缝隙30a，缝隙30a在该像素电极30的中央部的纵向和横向延伸而将上述像素电极30切开，上述一个像素被该缝隙30a划分为4个子像素区域。
漏极布线32按照各像素列由形成为在列方向延伸的铝布线等构成。漏极布线32连接在同一像素列的TFT元件31的漏电极上，将来自列驱动器的图像信号经导通的TFT元件31提供给像素电极30。
辅助电极33由铝等构成，形成为在像素电极30的周围，其一部分在其与像素电极30的外周边缘部分之间隔着栅极绝缘膜35重合。再有，辅助电极33与缝隙30a相对应地在像素电极30的下层形成为，比缝隙30a的宽度宽，一部分与该外周边缘部分重合。该辅助电极33维持在比像素电极30还低的预定电位，更好的是，设定成与对置电极40相同的电位，在辅助电极33与上述像素电极30之间，形成与像素电容并联的补偿电容(CS)，其中，像素电容由各像素电极30、对置电极40和液晶60形成。
栅极布线34由被形成为按照各像素行在行方向上延伸的铝布线等构成，通过栅极绝缘膜35与其他电极绝缘。该栅极布线34连接在对应的像素行的TFT元件31的栅电极上，将扫描信号提供给TFT元件31，控制TFT元件31的导通和关断(ON/OFF)。
栅极绝缘膜35是形成在形成有TFT元件31的栅电极、栅极布线34和辅助电极33的基板20上的绝缘膜，例如由氮化硅膜构成。另外，栅极绝缘膜35将TFT元件30的图未示出的栅电极和与该栅电极对置的半导体层以及源/漏电极电分离。另外，该TFT元件31的源电极被连接在对应的像素电极30上，漏电极被连接在对应的漏极布线32上。
绝缘膜36是覆盖漏极布线32、且形成在像素电极30和邻接的像素的像素电极30之间的绝缘膜，例如由氮化硅膜构成。
垂直取向膜50例如由利用CVD(Chemical Vapor Deposition)形成的六甲基二硅氧烷(ヘキサメチルジシロキサン)聚合膜等构成。垂直取向膜50被形成为，分别覆盖形成在基板10上的像素电极30和形成在基板20上的对置电极40。另外，在对置的垂直取向膜50之间，封入液晶60。而且，在垂直取向膜50上不形成摩擦(rubbing)，利用其取向限制力，在无电场时，使表面附近的液晶分子垂直取向。
接着，对上述构成的液晶显示元件的制造方法进行说明。
在玻璃基板20上形成铝膜，对该铝膜进行构图从而形成TFT元件31的栅电极、栅布线34和辅助电极33(包括与辅助电极33相连接的布线)。接着，使用CVD形成栅极绝缘膜35。接着，在栅极绝缘膜35上形成TFT元件31的半导体层、源电极和漏电极。
接着，通过溅射在栅极绝缘膜35上形成ITO膜。残留所形成的ITO膜的构成像素区域的部分来腐蚀ITO膜而进行构图(图形化)，从而得到像素电极30，该像素电极30形成有从像素中心部朝像素区域的周边部延伸的宽度窄的缝隙30a。
离开像素电极30的外周边缘在栅极绝缘膜35上形成漏极布线32，连接在TFT元件31的漏区上。在栅极绝缘膜35上形成绝缘膜36，以便覆盖形成在像素电极30周围非像素区域上的漏极布线32。
接着，在整个面上通过CVD、涂敷等形成垂直取向膜50。
将如上形成的TFT基板20、形成有对置电极和滤色片等的对置基板10夹着图未示出的间隔件而相对布置，用密封件90密封周围而形成液晶单元。接着，在该液晶单元中注入液晶60，密封图未示出的注入口。还在基板20和基板10的外面布置偏振片70、80来制造液晶显示元件。
接着，说明具有上述构造的像素内的液晶的运动。
由一个像素电极30和对置电极40相互对置的区域定义的一个像素，由形成在像素电极30上的多个缝隙30a划分为4个子像素区域。各子像素区域的周围被辅助电极33包围，在像素电极30和辅助电极33之间施加电压时，在各子像素的四边产生横向电场。
图3A、图3B示意地示出图2B所示的剖面构造的上述缝隙30a附近部分的电场和液晶分子的取向。如图4所示，用16.6ms的脉冲频率，在像素电极30上施加3.0到9.0V的驱动电压VD，在辅助电极33和对置电极40上施加-2.0到04.0V的驱动电压VC。在像素电极30和对置电极40、辅助电极33之间产生5.0V的电位差，由该电位差在像素电极30的缝隙30a的边缘部分产生横向的电场，还在像素电极30周围的边缘部分和辅助电极33之间产生横电场。随着从像素电极30的边缘部分向像素电极30的内侧，上述横电场变成斜的电场，充分离开上述电极的边缘的位置变成纵电场。在图3A中用等电位线表示出了该状态。
像素电极30的由上述缝隙30a分割的子像素区域的周边部的液晶分子60a，其长轴方向(指向矢)沿着图3A所示的等位线如图3B所示倾斜取向，以便相对于外周边缘的横电场及其内侧倾斜的电场的方向垂直。另外，如示意性示出各子像素区域的液晶分子60a的动作的图5A所示，各子像素区域的周边部分的液晶分子60a倒向各像素区域内侧来动作。另外，由于周边部分的液晶分子排列成倒向中心，所以各子像素区域的中心部分的液晶分子60a从周围均等接受分子间力相对于基板面垂直取向。在各子像素区域从其剖面方向观察该状态时，如图3B所示，液晶分子60a如下排列：在像素电极30的外周边缘的外侧和像素电极30的缝隙30a，其指向矢基本垂直朝向基板面。另外，液晶分子60a如下排列：使指向矢随着从像素的外周边缘和缝隙30a的边缘向内侧而倾斜，还在足够内侧基本平行于基板面。然后，在各象限的中心部，液晶分子60a向垂直于基板的方向取向该指向矢。
另外，如示意地示出各子像素区域的液晶分子60a的取向状态的图5B所示，在像素电极30的平面方向看各子像素区域时，液晶分子60a如下排列：使其指向矢，按用缝隙30a分别分割了像素电极30的各像素区域的每个区域，从上述各子像素区域的大致中心的垂直排列的液晶分子向周边放射状地排列。
如以上说明，在像素电极30上形成从像素中心朝向像素周边的缝隙30a，将像素划分为多个子像素区域。然后，对被划分的每个子像素区域，在其周边部分，利用根据施加在像素电极30和辅助电极33之间的电压而生成的电场，在被划分的各子像素区域，将液晶分子排列成从它的外周边缘朝向中心。其结果，在上述被分割的每个子像素区域形成液晶取向不连续象限。另外，在上述缝隙30a所对应的部分布置辅助电极33，所以象限周边部分的液晶的取向稳定，其结果在上述被分割的每个子像素区域形成的液晶分子的取向的象限形成稳定。因此，可以消除显示上的粗糙和不均。另外，液晶分子在各象限朝向象限中心取向，所以视野角特性也提高。
另外，在用于将像素分成多个各子像素区域的缝隙30a的基板侧，形成作为辅助电极的辅助电极33，该辅助电极33的电位低于像素电极30的电位，等于对置电极40的电位更好。这样一来，基于上述缝隙30a的像素电极30外周边缘的电场的变化明确，所以能减小缝隙30a的宽度，其结果，能通过一个像素之中的电场来控制液晶分子动作的面积增大，能提高了开口率。
本发明不限于上述实施方式，其应用和变化是任意的。
例如在上述实施方式1中，用金属膜形成了辅助电极33，但该辅助电极33也可以由铝等金属膜形成像素电极30的周边部所对应的部分，用透明导电膜形成在像素电极30内侧的缝隙30a对应的部分形成的辅助电极33。
这样一来，由像素的周边部分的金属膜和内侧的透明导电膜形成辅助电极33，从而不会出现由辅助电极33遮断透射像素电极30内侧的光的情况，所以各像素的透射率提高，能得到明亮的显示。
(实施方式2)
在上述实施方式1中，说明了由铝等形成辅助电极33，但辅助电极33也可以由透明导电膜构成的透明电极形成。此时，液晶显示元件构成为具有如图6A～6B所示的剖面构成。与上述实施方式一样的构成要素，附带相同参照符号并省略说明。
在该实施方式中，在基板20上形成象限布线32，覆盖该象限布线32形成由氮化硅膜构成的绝缘膜38。在绝缘膜38上，与实施方式1一样形成TFT元件31、辅助电极37和栅极布线34，用栅极绝缘膜35在其上，在其上形成透明的像素电极30。
辅助电极37由以氧化铟为主成分的ITO膜等形成的透明电极构成，被连接在设置在像素电极30附近的铝等形成的金属布线37a上。
上述象限布线32通过设置在绝缘膜38和栅极绝缘膜35上的通孔38a连接在上述栅极绝缘膜35上的连接布线32a上，该连接布线32a连接在TFT元件31的象限电极上。
说明上述构成的液晶显示元件的制造方法。
在基板20上离开像素的区域形成象限布线32。接着，在基板20上形成绝缘膜38a。接着，在绝缘膜38上形成铝膜，通过对它进行构图来形成TFT元件31的栅电极和栅极布线34。
接着，利用溅射在绝缘膜38上形成ITO膜。腐蚀ITO膜进行构图，从而形成辅助电极37。
然后，利用CVD形成栅极绝缘膜35。接着，在栅极绝缘膜35上形成TFT元件31的半导体层，并形成漏电极和源电极。
接着，利用溅射在栅极绝缘膜35上形成ITO膜。残留所形成的ITO膜的构成像素区域的部分，腐蚀ITO膜来进行构图，从而得到像素电极30，该像素电极30形成了从像素中心部分向像素的周边部分延伸的宽度窄的缝隙30a。形成由金属构成的连接布线32a以便通过设置在绝缘膜38和绝缘膜35上的通孔38a连接，在连接到TFT元件31的象限电极上之后，在像素区域以外的部分形成绝缘膜36。接着，在整个面上，利用CVD和溅射形成取向膜50。
如以上说明，在实施方式2中，与上述实施方式1一样，在像素电极30上形成从像素中心向像素周边的缝隙30a，将像素划分为多个子像素区域，而且在对应于缝隙30a的部分还布置辅助电极37，所以象限周边部分的液晶的取向稳定，其结果，在上述被分割的各子像素区域每个区域形成液晶分子的排列的象限形成稳定。因此，可以消除显示上的粗糙和不均。另外，在各象限中，液晶分子向象限中心取向，所以视野角特性也提高。
另外，将在用于将像素分成多个各子像素区域的缝隙30a的基板侧形成的作为辅助电极的辅助电极37的电位设定得低于像素电极30的电位，优选辅助电极37的电位等于对置电极40的电位。这样一来，像素电极30的外周边缘的电场的变化变得明确，所以能使缝隙30a的宽度变窄，其结果，在一个像素中能由电场控制液晶分子的动作的面积增大，能提高开口率。
再有，由于由透明导电膜形成辅助电极37，所以光能从与像素电极30重合的区域透射，上述像素电极30的整个面积变成能控制光的透射的区域，像素的透射率提高，能得到明亮的显示。
本发明不限于上述实施方式，其应用和变化等是任意的。
例如在上述各个实施方式中，从像素电极30的中心部分向周边部沿着纵向和横向形成缝隙30a，但该缝隙30a可以布置为将像素电极30划分为大致相同的形状，例如也可以在像素电极30的对角线上从像素中心部向四角形成。还有，由缝隙划分的子像素区域的数量不限于4，可以是大于等于2的任意整数。

Claims (20)

1.一种液晶显示元件，其特征在于包括：
一个基板；
另一个基板，与上述一个基板设置预定的间隙而相对布置；
至少一个第一电极，形成在上述一个基板和另一个基板相互对置的面之中的一个面；
多个第二电极，形成在上述相互对置的面之中的另一个面，由与上述第一电极相对置的区域形成多个作为显示最小单位区域的一个像素，具有用于将各个像素划分为多个子像素区域的开口部；
垂直取向膜，分别形成在形成有上述第一、第二电极的一个基板和另一个基板的相互对置的内面；
液晶层，被封入在上述基板之间，具有负的介电各向异性；以及
辅助电极，形成在至少包围上述第二电极的周边区域。
2.如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，上述辅助电极形成为包围由上述开口部划分的多个子像素区域的各区域。
3.如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，上述辅助电极对应于上述第二电极的周边部和上述开口部设置。
4.如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，上述开口部对每个上述第二电极包括从其中央向外周边缘延伸、并在上述像素电极的中央部相互连结的多个缝隙。
5.如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，还包括有源元件，该有源元件形成于上述另一个基板，连接在上述第二电极上，用于在上述第二电极上施加由外部供应的图像信号；
上述开口部形成在与上述有源元件连接的第二电极上。
6.如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，上述辅助电极形成在上述另一个基板面上，上述第二电极形成在覆盖上述另一基板的上述辅助电极之上的绝缘膜上。
7.如权利要求1所述的液晶显示元件，其中，上述第一电极形成在上述一个基板上，上述辅助电极形成在另一个基板上，并被施加与上述第一电极相同的电压。
8.一种液晶显示元件，其特征在于包括：
一个基板；
另一个基板，与上述一个基板设置预定的间隙而相对布置；
至少一个第一电极，形成在上述一个基板的与上述另一个基板相互对置的面；
多个第二电极，形成在上述另一个基板的与上述一个基板相对置的面上，形成多个由与上述第一电极相对置的区域定义的一个像素，具有用于将各个像素划分为多个子像素区域的缝隙；
垂直取向膜，分别形成在上述一个基板上的形成有上述第一电极的面和上述另一个基板上的形成有上述第二电极的面上；
液晶层，被封入在上述基板之间，具有负的介电各向异性；
第一辅助电极，形成在上述另一个基板的设置有上述第二电极的面的、至少包围上述第二电极的周边区域，通过施加在与上述第二电极之间的电场，使上述液晶层的位于上述像素周边的液晶分子排列为其分子长轴从周边倒向中央；以及
第二辅助电极，形成在上述另一个基板的设置有上述第二电极的面的与上述缝隙对应的区域，通过施加在与上述第二电极之间的电场，对上述多个子像素区域的每一个，使上述液晶层的位于上述子像素区域周边的液晶分子排列为其分子长轴从周边倒向中央。
9.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述缝隙包括从上述各像素的中央向外周边缘延伸、并在上述像素区域的中央部相互连结的多个欠缺部分。
10.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，还包括有源元件，该有源元件形成于上述另一个基板，连接在上述第二电极上，用于在上述第二电极上施加由外部供应的图像信号；
上述缝隙形成在与上述有源元件连接的第二电极上。
11.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第一、第二辅助电极形成在上述另一个基板面上，上述第二电极形成在覆盖上述另一基板的上述第一、第二辅助电极之上。
12.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第一辅助电极和第二辅助电极被形成为在上述另一个基板面上相互连接。
13.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第一、第二辅助电极被设定为低于上述第二电极的电位。
14.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第一、第二辅助电极被设定为和与上述第二电极相对置的第一电极的电位相同的电位。
15.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第一辅助电极包括补偿电容电极，该补偿电容电极与上述第二电极的周边部分重合，且用于在与上述第二电极之间形成补偿电容。
16.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第二辅助电极的宽度被形成为比上述第二电极的缝隙的宽度还宽，
上述第二辅助电极的与上述第二电极重合的区域形成与上述第二电极之间的补偿电容。
17.如权利要求8所述的液晶显示元件，其中，上述第一、第二辅助电极由透明导电膜构成。
18.一种液晶显示元件，其特征在于包括：
一个基板；
另一个基板，与上述一个基板设置预定的间隙而相对布置；
至少一个第一电极，形成在上述一个基板和另一个基板相互对置的面之中的一个面；
多个第二电极，形成在上述相互对置的面之中的另一个面，由与上述第一电极相对置的区域形成多个作为显示最小单位区域的一个像素；
垂直取向膜，分别形成在形成有上述第一、第二电极的一个基板和另一个基板的相互对置的内面；
液晶层，被封入在上述基板之间，具有负的介电各向异性；
划分构件，设置在上述第二电极上，将各像素划分为多个子像素区域；
排列构件，设置在上述另一个基板上，对上述多个子像素区域的每一个，将上述液晶层的位于上述子像素区域周边的液晶分子排列为其分子长轴从周边倒向中央。
19.如权利要求18所述的液晶显示元件，其中，上述划分构件包括形成在上述第二电极上的缝隙。
20.如权利要求18所述的液晶显示元件，其中，上述排列构件包括形成于如下区域的辅助电极，即，上述另一个基板的设置有上述第二电极的面的、至少包围上述第二电极的周边区域和与用于将上述像素划分为子像素区域的构件相对应的区域。
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