CN1689093A - 用于改进的域崩溃的域扩展读出 - Google Patents

Abstract

一种用于控制从磁光记录介质的读出操作的方法和设备，该磁光记录介质包括一个存储层和一个读出层，其中域是通过在受到有一定辐射功率的辐射束加热时并在外部磁场的帮助下从所述存储层将标记区域复制到读出层而在所述读出层中被扩展的。在至少所述外部磁场的崩溃周期的部分期间将辐射功率增大到第一水平，第一水平高于在所述外部磁场的扩展周期中应用的第二水平。由此，由于提高了域崩溃速度并降低了由外部磁场较慢的崩溃和不理想的波形导致的延迟而提高了读出期间的数据速率。

Description

用于改进的域崩溃的域扩展读出

本发明涉及控制从磁光记录介质(比如MAMMOS磁盘——磁放大磁光系统磁盘)读出的方法和设备，磁光记录介质包括记录或存储层和扩展或读出层。

在磁光存储系统中，所记录的标记的最小宽度是由衍射极限决定的，即由聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光波长决定。标记宽度的减小通常基于更短波长的激光和更高数值孔径的聚焦光学器件。在磁光记录过程中，通过使用激光脉冲磁场调制(LP-MFM)，最小位长能被减小到低于光学衍射极限。在LP-MFM中，由磁场切换决定位转移，温度梯度由激光转换诱发。为了读出以这种方式记录的小新月状标记，已经提出了电磁超析象能力法(MSR)和域扩展法(DomEx)。这些技术基于具有几个静磁或交换耦合的RE-TM层的记录介质。依照MSR法，在读出期间调整磁光盘的读出层以屏蔽相邻位，但是依照域扩展法，要扩展光点中心的域。域扩展技术相对MSR技术的优势使得能够用大小可与衍射受限光点相比的位相似的信噪比检测那些位长小于衍射极限的位。MAMMOS是基于静磁耦合的存储器和读出层的域扩展方法，其中磁场调制用于读出层中扩展的域的扩展和崩溃。

在上述域扩展技术，比如MAMMOS中，来自存储层的写入的标记通过激光加热和外部磁场的帮助被复制到读出层。由于这个读出层的低矫顽性，复制的标记将扩展到充满该光点，并且能被独立于标记大小的饱和信号幅度检测到。外部磁场的翻转使得扩展后的域崩溃。另一方面，存储层中的空格将不会被复制，并且没有扩展发生。因此，这种情况下将检测不到信号。

在该读出过程中使用的激光功率要足够高以启动复制。另一方面，较高的激光功率也会增大温度感应的矫顽磁性剖面和位模式的杂散场剖面之间的重叠。当温度升高时矫顽磁性H_c减小和杂散场增大。当它们之间的重叠过大时，由于相邻标记产生的错误信号，就不能再正确地读出空格。最大和最小激光功率的差决定了功率储备量，该界限随着位长的减小也大幅减小。

在MAMMOS读出过程中，调制外部磁场可以用来控制在聚焦的激光束位置上的读出层中的磁畴的扩展和崩溃。通常，以对应于具有与用于扩展和崩溃相同场幅的位时钟的恒定频率上调制磁场，但是符号相反。激励外部磁场的可选方法是数据相关场切换(ddfsw)。在这种方法中，在扩展方向上保持磁场恒定直到检测到MAMMOS信号为止。从那时起，只要在扩展期间观测到MAMMOS信号就如同在普通读出过程中一样调制磁场。如果没有观测到峰值，磁场再次保持在扩展方向直到下一个MAMMOS峰值。这样，磁场容易与磁盘上的数据同步。这个方法还能够提高存储密度。

对扩展和崩溃速度的最新测量示出崩溃过程比扩展过程大约慢四分之三，因此它对于是最终的数据速率是最重要的限制因素。为了提高崩溃速度，可以增大外部磁崩溃场，但是这样极大增加了能耗并且需要更复杂的线圈驱动器。此外，由于需要更高的场强并因而产生更多的热量，对线圈设计上的要求会更加严格。

理想情况下，外部磁场应该非常迅速地切换，然后在一个预定的正值上保持不变直到磁场被迅速地反转。接着，它应该在某个预定的负值上(例如矩形波)保持不变，比如一个方波形。但是，磁头的线圈和驱动器决不是理想的并且可能可能造成磁场反应，在磁场反应中磁场在切换后缓慢达到它的最终值。

图2示出了标示了0和最高电平的测出的MAMMOS信号的波形(上面的波形)，以及标示了扩展方向和崩溃方向的对应的产生的外部磁场(下面的波形)。如图2所示，在域崩溃中产生了延迟，因而在MANMOS信号中也产生了延迟。因此，只有在磁场切换到崩溃方向并且已经达到一个特定的最小值一段时间后MAMMOS信号才开始消失。尽管这个值仍然低于要求的扩展磁场，但它已经高于必要值。这是因为通过缓慢增强扩展磁场，允许磁畴壁向热点的相对低温和高矫顽磁性的区域扩展。因此，需要附加的力量从局部阻塞点解冻磁畴壁。显然，上述延迟对可达到的数据速率有负作用。

对于ddfsw方法，产生的磁场的这种非理想化行为导致了严重的问题，如同从图3A和图3B所示测得的波形可以收集到的那样。特别地，图3A从上到下示出了MAMMOS信号的波形、生成的外部磁场、位时钟、MAMMOS信号的限幅版本。图3B从上到下示出了当前流经用于生成外部磁场的线圈的场电流的波形、提供给线圈驱动器的数字输入信号、以及对应获得的MAMMOS信号。依照图3B，很容易地，场电流或扩展场的最终值可以轻易地比崩溃域的最大值大16％。这阻止了扩展后的域的完全崩溃，并引起了大量假的MAMMOS信号。某种程度上，通过使用永久磁铁产生的直流偏磁场能够抑制这些假峰值，类似于使用H_collapse＞H_exp ansion的不对称的外部磁场。两种解决方案都不可行。因此，当前的读出方法在不理想的波形下不能发挥出它们的最强功能。

从EP-A-0951462获知，在读出期间以20％到70％之间的脉冲占空因数启动或关闭激光可以用来提高读出性能。比如，已知在复制期间或者扩展期间短暂地增大激光功率能显著增强RF-MAMMOS技术的功率储备量和分辨率。这不仅因为热剖面宽度的减小，还主要归因于读出层中所存储的位模式的杂散场和矫顽磁场轮剖面之间(时间)重叠的减小。

本发明的一个目的是提供一种即使在使用ddfsw方法的情况下最大数据速率也有所提高的域扩展读出控制的方法和设备。

这个目的是通过权利要求1中所主张的方法和权利要求17中所主张的设备实现的。

因此，即使用非理想的磁头线圈或驱动器，也能提高读出过程的最大数据速率，并且(或者)激活数据相关的场切换。温度的短暂升高减小了读出层的矫顽磁性，从阻塞点解冻磁畴壁，并且增加磁畴壁移动性。这样，由于崩溃过程的开始要容易得多、进行得更快、并且已经位于较低的崩溃场上，所以能够显著提高最大数据速率。矫顽磁性对温度的试验以及数值模拟表明，激光功率的少许增加就能够补偿16％的磁场缺失。这表明，可以使用相对简单地、对称的线圈驱动器，而且特定的线圈系统能够提供更好的读出性能，例如更高的数据速率。与不对称磁场激励相比，该方法能耗也要低得多，即相同的扩展场，但所需崩溃场要小得多。实现方法直截了当，只需要与场调制(已示出)同步的周期(位时钟)性小激光脉冲。由于适当地升高温度就足够了，所以可以使用有限峰值功率的短激光脉冲，这样对于激光和其驱动器没有附加要求。

增大步骤可以通过在崩溃周期的至少部分期间添加附加的高电平激光脉冲完成。这个有利的进一步改进很容易实现，因为只需要周期性的微小的附加辐射脉冲，可以由现有系统中已经存在的辐射源和各自的驱动电路产生。

此外，增大步骤也可以通过在较低辐射功率水平的扩展激光脉冲之后立即增加附加的辐射脉冲来实现。然后，可相对于紧跟该附加的辐射脉冲之后的预定时间段的扩展级而降低辐射功率级，以提高冷却速率并因而为该记录介质的一种特定栈的设计提高可能的数据速率。

另外，在域扩展之后可以降低外部磁场到稳定级。稳定级可能低于扩展阈值，但是对于稳定扩展的域是足够高的。

该附加脉冲的占空因数可以选的尽可能得大，最好大于70％，比如大约100％。

在扩展周期内可以应用较短的复制辐射脉冲，同时在崩溃周期内可以使用较长的崩溃辐射脉冲。

可以选择第二个或较高辐射级别的时序，以使来自预定崩溃温度的热衰减恰好在外部磁场的扩展周期的开始之前开始。

此外，在较高和较低级别辐射功率的应用期间可以选择不同的光点尺寸。特别地，可以用较小的辐射光点尺寸以诱发复制过程，并在崩溃周期内使用较大的辐射光点尺寸。较小的光点尺寸的应用可以紧接着大光点尺寸的应用之后开始。

当与外部磁场的切换有关的附加脉冲的时序对应于一个对称切换的时候，一个不对称的占空因数切换可以用于施加外部磁场。

或者，数据相关的切换用于施加外部磁场，且仅在标记检测之后施加附加脉冲。在崩溃和扩展周期中可以使用不同的光点尺寸。

读取设备可以是MAMMOS磁盘的磁盘播放器。

从属权利要求中规定了其它有利的进一步改进。

下面将参考附图基于优选实施方案的基础上描述本发明，其中：

图1示出了依照优选实施方案的磁光盘播放器的示意图，

图2示出了测出的MAMMOS信号波形和对应的外部磁场，

图3A和图3B示出了测出的表明数据相关场切换中产生的外部磁场的非理想行为的波形，和

图4A到4K示出了依照优选实施方案的读出方案的波形图。

现在将基于图1中所示的MAMMOS磁盘播放器描述优选实施方案。

图1对称地示出了依照优选实施方案的磁盘播放器的结构。该磁盘播放器包括光学读取单元30，它包含一个激光辐射部分，用于使用在记录期间已经被以和代码数据同步的周期切换成脉冲的光对磁光存储介质或记录载体10(比如磁光磁盘)进行辐射，和一个磁场施加部分，它包括一个在记录和回放时以受控模式向磁光盘10施加磁场的磁头12。在光学读取单元30中，激光同激光激励电路连接，激光激励电路从记录/读出脉冲调节单元32接收到记录和读出脉冲，以便在记录和读出操作期间控制光学读取单元30的激光的脉冲幅度和时序。记录/读出脉冲调节电路32从时钟发生器26接收时钟信号，该时钟发生器可包含PLL(锁相环路)电路。

注意到在图1中为简便起见，磁头12和光学读取元件30被示出在磁盘10的相反两面。但是，依照优选实施方案，它们应该被放置在磁盘10的同一面。

磁头12同磁头驱动单元14相连，并在记录时通过相位调整电路18从调制器24接收代码转换后的数据。调制器24将输入的记录数据转化为规定的代码。

在播放时，磁头驱动器14通过播放调整电路20从时序电路34接收时序信号，所述播放调整电路20产生同步信号，用于调节施加给磁头12的脉冲的时序和幅度。如下所述，时序电路34可以从数据读出操作获得它的时序信号。这样就能实现ddfsw方案。提供了记录/播放开关16，用于在记录和播放时转换或选择提供给磁头驱动器14的相应信号。

此外，光学读取单元30包括一个检测器，用于检测从磁盘10反射的激光并且生成应用到译码器28的对应的读信号，该译码器28用于译码用以生成输出数据的读信号。此外，由该光学读取元单元30产生的读信号被提供给时钟发生器26，在时钟发生器中提取出从磁盘10的印纹时钟标记中获取的时钟信号，时钟发生器出于同步目的还向记录脉冲调整电路32和调制器24提供时钟信号。特别地，时钟发生器26的PLL电路可能产生数据通道时钟。注意从时钟发生器26获取的时钟信号也可以被提供给播放调整电路20，以便提供参考或回撤同步，它可以支持由时序电路34控制的数据相关切换或同步。

在数据记录的情况下，用对应于数据通道时钟周期的固定频率调制光学读取单元30的激光，并且旋转的磁盘10上的数据记录区域或光点被等距离局部加热。另外，由时钟发生器26输出的数据通道时钟控制调制器24用标准时钟周期产生数据信号。记录数据由调制器24进行调制和编码变换，以获得与记录数据信息对应的二进制运行长度信息。

磁光记录介质10的结构可对应于JP-A-20000260079中描述的结构。

在图1的磁盘播放器设备中提供了时序电路34，用于向播放调整电路20提供数据相关时序信号。作为选择，可以通过为磁头驱动器14提供时序信号将同样获得外部磁场的数据相关转换，以便调节外部磁场的时序和相位。播放调整电路20或磁头驱动器14适合提供通常处在扩展方向上的外部磁场。当时序电路34在与光学读取单元30的输出相连的输入线上观测到MAMMOS峰值的上升信号缘的时候，时序信号被提供给播放调整电路20，这样就控制了磁头驱动器14在，崩溃读出层中扩展后的域的很短时间后，并且很快重置磁场到扩展方向之后不久翻转磁场。时序电路34设置峰值检测和磁场重置之间的全部时间，以对应于磁盘10的一个通道位长(数倍线性磁盘速度)。

上述的数据相关磁场切换方法在读出期间不再要求同步，因为切换时间是直接从数据中导出的。另外，导出的切换时间可以被更有利的用作时钟发生器26的PLL电路的输入以提供精确的数据时钟。由此可以获得基于时间延迟内的空间运行长度信息的更精确的数据恢复。

图4A到4K(从下到上)示出了外部磁场、激光输出和读出层上产生的结果温度的时间相关波形图案。

依照优选实施方案，在所述外部磁场的崩溃周期的至少部分期间激光功率被增加到一个比外部磁场的扩展周期中应用的较低水平要高的水平。这样做的好处是扩展域的磁畴壁将会短暂地经历矫顽磁性的减小，并因此将开始更加容易并以更快速度地移动。这样导致减小的延迟，更快得崩溃时间。

在这种情况下，至少在崩溃周期的部分期间里，可以脉动激光以增加温度至少到复制阈值温度或者扩展温度，而不管哪个最高。优选地，温度的增高不应该在扩展磁场幅度已经被充分降低之前开始，以避免读出层当前域的进一步扩展，甚至不应该在磁场已被翻转之前开始。另一方面，温度的增加可以在到达上述磁场条件之后尽快开始；从而使崩溃延迟最小并实现最大的数据速率。优选地，应该尽可能长久地维持温度的增加以保持矫顽磁性尽可能低，保持磁畴壁速度和相关的最大数据速率尽可能的高。

下面将参考图4A到图4K描述本发明的十一个实施方案，这些图示出了可以用在播放调整电路20中控制外部磁场应用的相应波形图案和可以用在记录脉冲调整电路32中以控制激光或者任何其它适当辐射源的辐射功率的相应波形图案，以及产生的读出层上温度的时间相关行为。另外，可以提供一个温度传感器(图1中没有示出)用于检测读出层的温度，以便获得要提供给播放调整电路20和/或记录脉冲调整电路32的反馈信息。在图4A到图4K的图表中，下面的波形图案对应外部磁场H_ext，中间的波形图案对应激光功率P_laser，上面的波形图案对应最后得到的读出层温度T的行为。

图4A示出了第一优选实施方案的波形模式。为了阻止分辨率或功率储备量的减小，在扩展磁场开始之前，读出层的温度应该返回到稳定状态温度T_exp。这样，就相应地选择了崩溃辐射脉冲的持续时间和辐射功率。这样也能防止下一个复制域扩展得太远。

图4B示出了第二优选实施方案的波形模式。这里，在扩展周期期间短暂地应用小于扩展阈值的稳定的外部磁场。对应的控制功能可以在播放调整电路20中实现。选择足够大的稳定磁场的强度和/或持续时间以维持扩展域的稳定。

图4C示出了第三优选实施方案的波形模式。为了提高给定的磁盘堆栈设计的冷却速度并因此提高最大数据速率，紧接着激光的崩溃脉冲之后，激光速率在预定时间周期内被短暂地缩减了预定的量。

如果磁盘的热反应是有限的，可以用第二和第三个实施方案的不同变形/版本可以提高数据速率，即利用在充分缩减的磁场上的脉冲来更早地启动(第二个实施方案)，或者在脉冲之后立刻减小激光功率以增加冷却速度(第三个实施方案)。

图4D示出了与第一个优选实施方案类似的第四优选实施方案的波形图案，在下一个扩展周期开始之前，即在磁场已经被翻转到扩展方向之前，复制温度T_copy总是被减回到稳定状态温度T_exp(T_copy＝T_exp)。但是，这里崩溃脉冲可以选择尽可能得长，比如相对于崩溃周期的占空因数大约为100％。稳定状态温度必须至少略高于复制阈值温度T_threshold，以启动复制/扩展读出过程。但是，过高的值会将复制窗口扩大到一个无法接受的大小，并将导致分辨率降低。如果是那样的话，也可能域扩展得太远，到了读出层的较冷的高矫顽磁性的区域，因此抵消了所提出的改进的崩溃过程。这个情况可以用于传统的磁场切换，包括其它措施比如减小扩展域占空因数和稳定磁场。

在扩展周期将它和已知脉动的读出合并会更加有利。复制阈值温度T_threshold(T_copy＞T_threshold)决定了复制窗口的大小。崩溃温度T_collapse由附加的崩溃脉冲(T_copy＝T_exp＜T_collapse)增加，高的崩溃温度T_collapse的长持续时间产生了最高的崩溃速度和最高的数据速率。分辨率或功率储备量保持不变。

图4E示出了第五个优选实施方案的波形图案。在此，施加了扩展周期内的短复制脉冲和崩溃周期内的长脉冲的直接的组合，得到了额外的好处。对于改进的崩溃，崩溃温度T_collapse应该至少高于复制阈值温度T_threshold，在这种情况下，T_threshold必须高于扩展温度T_exp，优选地应该选择崩溃温度高于或等于复制温度(T_collapse≥T_copy)，甚至更优选地选择崩溃温度高于复制温度(T_collapse＞T_copy)。

图4F示出了第六个优选实施方案的波形图案。为了获得提高的分辨度，要求扩展温度低于复制阈值温度T_threshold(T_exp＜T_threshold＜T_copy)，同时为了改进的崩溃，崩溃温度应该高于或等于复制温度(T_exp≤T_copy≤T_collapse)。使用简单得多的(不需要非常短的脉冲的)激光波形，也能够满足这些条件。来自崩溃温度T_collapse的热衰变应该恰好在磁场翻转到扩展方向之前开始，这样在扩展周期开始的时候达到复制温度T_copy。进一步冷却到扩展温度T_exp＜T_threshold不仅保证了改进的崩溃，同时还保证了第五优选方案中同样的分辨率提高。额外的好处是简单得多的波形、更简单/更便宜的激光和驱动器、简单的实现、以及更高的可能数据速率。

图4G示出了第七个优选实施方案的波形图案。这个实施方案涉及到采用两种不同激光光点大小实现第五优选实施方案。改进的崩溃主要取决于扩展域边缘附近的温度，所以使用激光光束的最大光点以如上所述方式改进崩溃周期是有利的。这个光点还优选地用于信号检测，并且优选地在扩展周期内保持其功率尽可能恒定，这有利于简单的读出。为了增强分辨率，光点中心的温度分布是必须的，所以最好使用最小光点诱导复制过程(激光功率波形的虚线)并用于跟踪以提供最高磁道密度。同现有技术相比其新颖之处在于崩溃在崩溃周期用较大光点提高激光脉动。

图4H示出了第八个优选实施方案的波形图案。这个实施方案对应于具有不同时序的第七个实施方案的一种变体，并其波形的简单性类似于第六个实施方案。在这里，具有小光点尺寸的激光脉冲(激光功率的虚线)可以开始得比驱动更早，以获得具有较短脉冲的相同的热反应。

图4I示出了第九个优选实施方案的波形图案。依照第九个优选实施方案，采用具有较短扩展周期的已知不对称占空因数磁场切换来切换外部磁场。这也可以用于用减弱的稳定磁场切换。相对于外部磁场的切换，在崩溃周期内提高激光脉动的崩溃的时序基本同上面的对称场切换一样。但是，因为更长的扩展周期，现在可以使崩溃脉冲更长。

图4J示出了第十个优选实施方案的波形图案，其中采用了数据相关磁场切来换切换外部磁场。在这种磁场切换方法中，外部磁场被保持在扩展方向直到检测到标记为止。为了避免分辨度降低或假的峰值，在这个期间应避免崩溃激光脉冲。这样，应该只在磁场被切换到崩溃方向的时候，也就是在标记检测之后并且不是象前面例子中那样在每个位周期的时候，才应用提高崩溃激光脉动的崩溃。

图4K示出了第十一种优选实施方案的波形图案。这个实施方案和第十个类似，但采用了两种不同的激光束光点大小以额外提高分辨率。这种情况下，应该在每个位周期应用分辨率提高复制脉动(激光功率波形中的虚线)，而只在外部磁场已经被切换到崩溃方向时才应用崩溃促进脉冲(激光功率波形中的实线)。

本发明可以应用在域扩展磁光磁盘存储系统的任何读出系统中。另外，可以通过任何合适的特征的组合而更改以上优选实施方案。可以实现外部磁场和辐射功率的任何波形图案，以至少实现在外部磁场崩溃周期中辐射功率的暂时增加。这样，优选实施方案可以在所附权利要求的范围内变化。

Claims (24)

1.一种控制从磁光记录介质(10)的读出操作的方法，所述存储介质包括存储层和读出层，其中域是通过在受到有一定放射辐射功率的放射辐射束加热时并在外部磁场的帮助下从所上述存储层将复制标记区域复制到所述读出层而在所述读出层中被扩展的，所述方法包括如下步骤：调制所述外部磁场，以控制所述域在扩展周期内期间的扩展并控制所述域其在缩灭崩溃周期内期间的缩灭崩溃；和至少将在至少所述外部磁场的所述缩灭崩溃周期的部分期间将时段增大所述放射辐射功率增大到第一量级水平，所述第一量级水平高于在所述外部磁场的所述扩展周期期间中应用的第二量级水平。

2.依照权利要求1的方法，其中所述放射辐射功率的所述增长是通过在所述缩灭崩溃周期的所述部分时段期间添加附加的放射辐射脉冲而实现的。

3.依照权利要求2的方法，其中所述放射辐射功率的所述增长是通过在所述第二量级水平的扩展放射辐射脉冲之后立即添加所述附加的放射辐射脉冲而实现的。

4.依照权利要求2的方法，其中所述附加脉冲的占空因数大于70％。

5.依照权利要求4的方法，其中所述较高量级水平的占空因数大约是100％。

6.依照权利要求2，3，4或5的方法，其中在所述述附加放射辐射脉冲之后所述放射辐射功率被立刻降低到相对于所述第二量级水平而被立刻降低，并持续预定的时间长度。

7.依照权利要求1或2的方法，其中所述外部磁场在所述域的扩展之后被降低到一个稳定水平。

8.依照权利要求1或2的方法，其中在所述扩展周期期间施加第一个放射辐射脉冲，在所述缩灭崩溃周期期间施加第二个放射辐射脉冲，所述第一个放射辐射脉冲比所述第二个放射辐射脉冲短。

9.依照权利要求1或2的方法，其中选择应用所述第一量级水平的时序，以使从预定缩灭崩溃温度开始的热衰减恰好在所述外部磁场的所述扩展周期起始前开始。

10.依照权利要求1或2的方法，其中在所述第一量级水平的放射辐射功率的应用期间选择的放射辐射光点大小不同于在所述第二量级水平的放射功率的应用期间选择的放射辐射光点大小。

11.依照权利要求10的方法，其中较小的光点大小用来诱导复制过程，较大的光点大小用在所述缩灭崩溃周期中。

12.依照权利要求11的方法，其中所述较小光点大小的应用紧接着所述较大光点大小的应用开始。

13.依照权利要求2的方法，其中使用不对称的占空因数切换用于施加所述外部磁场，但与所述外部磁场的切换相关的所述附加脉冲的时序对应于对称转换。

14.依照权利要求2的方法，其中使用数据相关的切换用于施加外部磁场，且其中所述附加脉冲仅仅在标记检测后应用。

15.依照权利要求14的方法，其中在所述述缩灭崩溃周期内期间使用的放射辐射光点大小不同于在所述扩展周期内期间使用的放射辐射光点大小。

16.依照权利要求1或2的方法，其中进行所述放射辐射功率的所述增加，以使在所述缩灭崩溃周期内期间所述读出层的温度高于或者等于在所述扩展周期期间内所述读出层的温度。

17.一种用于控制从磁光存储介质(10)的读出操作的一种读设备，所述磁光存储介质包括存储层和读出层，其中域是通过外部磁场的帮助下在受到有一定放射辐射功率的放射束加热时并在外部磁场的帮助下从上述存储层将复制标记区域复制到读出层而在所述读出层中被扩展的，所述设备包括：

a)调制装置(20)，用于调制所述外部磁场，以控制所述域在扩展周期内期间的扩展并控制所述域其在缩灭崩溃周期期间内的缩灭崩溃；和

b)功率控制装置(32)，用于至少在至少所述外部磁场的所述缩灭崩溃周期的部分时段期间将增大所述放射辐射功率增大到第一量级水平，所述第一量级水平高于在所述外部磁场的所述扩展周期中应用的第二量级水平。

18.依照权利要求17的设备，其中所述读设备是MAMMOS磁盘的磁盘读取器。

19.依照权利要求17的设备，其中所述功率控制装置(32)适用于通过在所述缩灭崩溃周期的所述部分时段期间添加附加的放射辐射脉冲而增加所述放射辐射功率。

20.依照权利要求17的设备，其中所述调制装置(20)适合在所述域的扩展之后减弱将所述外部磁场降低到一个稳定量级水平。

21.依照权利要求17的设备，其中所述功率控制装置(32)适合在所述扩展周期期间施加第一个放射辐射脉冲，在所述缩灭崩溃周期期间施加第二个放射辐射脉冲，所述第一个放射辐射脉冲比所述第二个放射辐射脉冲短。

22.依照权利要求17的设备，其中所述功率控制装置(32)适合选择所述第二量级水平的应用时序，以使从预定缩灭崩溃温度开始的温度衰减恰好在所述外部磁场的所述扩展周期起始前开始。

23.依照权利要求17的设备，其中所述设备适合在所述第一量级的放射辐射功率的第一水平的应用期间选择放射辐射光点大小，其不同于在所述第二量级的放射辐射功率的第二水平的应用期间选择的放射辐射光点大小。

24.依照权利要求17的设备，其中所述功率控制装置(32)适合增加所述放射辐射功率，以使所述缩灭崩溃周期期间内所述读出层的温度高于或者等于所述扩展周期期间内所述读出层的温度。

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