CN1678512A - 热移动传感器 - Google Patents
热移动传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1678512A CN1678512A CNA03819970XA CN03819970A CN1678512A CN 1678512 A CN1678512 A CN 1678512A CN A03819970X A CNA03819970X A CN A03819970XA CN 03819970 A CN03819970 A CN 03819970A CN 1678512 A CN1678512 A CN 1678512A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensor
- well heater
- plane
- border
- moves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/58—SThM [Scanning Thermal Microscopy] or apparatus therefor, e.g. SThM probes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
一种用于检测物体移动的传感器,该物体被设置成在一个平面中移动,该传感器包括:加热器,面对物体的移动平面,并且具有依赖于温度的电阻;和定义在该物体中的边界,位于具有不同导热率的区域之间;其中,随着该物体的移动,该边界相对于加热器移动,产生加热器热损耗中的相应变化以及加热器电阻中的相应变化。
Description
技术领域
本发明一般涉及用于检测物体移动的传感器(transducer),并且特别涉及微机电系统(Micro-Electro-Mechanical-System,MEMS)设备中用于检测物体移动的传感器。
背景技术
P.Vettiger等人描述的局部探针存储(local probe storage)设备是一个典型MEMS设备的示例,参见Vettiger等人在2000年5月的IBM Journal ofResearch and Development的第44卷第3期中的“The Millipede”-More thanone thousand tips for future AFM data storage。这种设备一般包括存储表面,具有置于其上的局部可变形的薄膜;和微机械探针传感器阵列,每一个微机械探针传感器都具有面向涂层的原子尺寸的探针尖端(probe tip)。在操作中,在数据写操作期间,使该尖端接近于存储表面。一般采用加热形式,将能量选择性地施加到每一个尖端上。施加到该尖端上的能量被传递到存储表面。这种能量传递在位于每一个被提供给能量的尖端附近的存储表面上产生局部变形。使该尖端的阵列在连续写操作之间,在相对于存储表面的扫描运动中移动,以便为写入存储表面上的新位置进行准备。在读操作期间,促使该尖端阵列远离存储表面。同时,再次使该尖端在相对于存储表面的扫描运动中移动。在上述写操作期间产生的存储表面的局部变形,会在探针扫过表面时在这些探针中产生偏斜。这种偏斜能够通过热学或光学的方法检测到。由尖端引起的存储表面中局部变形的存在或不存在能够被检测为存储的“1”或存储的“0”。该存储表面被安装在X-Y扫描器上,以便有利于与上述读和写操作相关联的扫描运动。
在操作中,存储表面中编码的位置误差信号(PES)便利于感测该存储表面相对于尖端的位置和速度。然而,在一些情形下,例如在初始启动该设备时或者在设备从机械振动中进行恢复期间,不可能获得PES数据。为了获得PES数据,扫描器首先移动到特定位置,接着开始以特定速度进行扫描。然而,为了简化这种获取,需要提供一种传感器,用于在不能获得编码的PES数据的情形下,独立于PES数据而进行移动感测。
发明内容
根据本发明,现在提供一种用于检测物体移动的传感器,该物体被设置成在一个平面中移动,该传感器包括:加热器,面对该物体的运动平面,并且具有依赖于温度的电阻;和在该物体中定义的边界,位于具有不同导热率的区域之间;其中,随着该物体的移动,该边界相对于加热器移动,产生加热器的热损耗中的相应变化以及加热器的电阻中的相应变化。
该物体可以被设置成在平面中进行平移移动。可替换地,该物体可以被设置成在平面中进行旋转移动。然而,首先考虑平移情形,边界最好位于该物体的平面表面中。在本发明的特定优选实施方式中,该边界是直线的。在本发明的特定优选实施方式中,加热器最好包括一个延伸体(elongate body),与该平面表面平行地重叠和延伸,并且与该边界垂直。这就有利地提供了对物体位移的令人惊讶的线性响应。而且,在即将简要描述的本发明的MEMS实施例中,该响应非常迅速,从而允许将较高的带宽反馈用于一定范围的伺服控制应用中。该延伸体最好包括硅悬臂,其中形成有掺杂电阻区域(dopedresistive region)。因此,本发明的传感器技术便利地与其他MEMS制造技术兼容。该边界可以位于平面表面的外围。可替换地,该边界可以被形成为平面表面中的台阶。
本发明还延伸到用于检测物体移动的移动检测系统,该物体被设置成在一个平面中移动,该系统包括:如本文前面所述的第一和第二传感器,用于在该平面中沿物体公共移动轴的相对方向上操作。最好是,第一和第二传感器各自面对该表面的第一和第二平行边界。
本发明还延伸到用于检测物体移动的移动检测系统,该物体被设置成在一个平面中移动,该系统包括:如本文前面所述的第一和第二传感器,用于在该平面中物体移动的正交方向上操作。最好是,在该实例中,第一和第二传感器各自面对该表面的第一和第二正交边界。该装置有利地便利于独立地测量两个正交方向上的位移,而不会传感器之间产生串扰(cross talk)。
在本发明的另一个实施例中,该表面被设置成与加热器平行地围绕旋转轴进行旋转移动。该边界可以具有槽(slot)的一侧的形式,该槽在表面中形成并且从旋转轴起作径向延伸。可替换地,该表面可以包括从旋转轴起作径向延伸的辐条(spoke),并且该边界可以包括该辐条的一侧。
从另一个角度来考察本发明,提供一种用于检测物体移动的方法,该物体被设置成在一个平面中移动,该方法包括:放置一个具有依赖于温度的电阻的加热器,使其面对该物体的运动平面;在具有不同导热率的区域之间,定义该物体中的边界;并且,在该物体在该平面中移动期间,随着该边界相对于加热器移动,与加热器的热损耗中的变化相对应地检测加热器的电阻中的变化。
从另一个角度来考察本发明,提供一种局部探针存储设备,包括:存储表面,局部探针存储阵列具有面对该存储表面的多个尖端;扫描器,用于使该存储表面在与该阵列平行的平面中相对于该阵列移动;和移动检测系统,如本文前面所述,用于检测该存储表面相对于该阵列的移动。
这有利地便利于不灵活的扫描器组件,而无需牺牲灵敏度。好于存储表面上的数据道(data track)间距(pitch)的灵敏度,允许在缩减的存取时间中对特定数据道进行启动和寻址操作。
附图说明
现在将借助附图、仅仅通过示例来描述本发明的优选实施例,其中:
图1是体现本发明的传感器示例的平面图;
图2是体现本发明的另一个传感器示例的平面图;
图3是图2所示的传感器的加热器电阻值相对于时间的曲线图;
图4是体现本发明的另一个传感器示例的平面图;
图5是图4所示的传感器的侧视图;
图6是图4所示的传感器的另一个侧视图;
图7是图4所示的传感器的另一个侧视图;
图8是平面图中体现本发明的优选传感器示例的扫描电子显微镜(SEM)显微图;
图9是图8所示的SEM显微图的放大;
图10是体现本发明的传感器示例的传感器电压相对于时间的变化的曲线图;
图11是体现本发明的传感器示例的传感器电压相对于时间的变化的另一个曲线图;
图12是用于从体现本发明的传感器中获取位移、速度和加速度测量值的电路的方框图;
图13是用于从体现本发明的传感器中获取位移、速度和加速度测量值的电路的简化电路图;
图14是体现本发明的另一个传感器示例的平面图;
图15是图14所示的传感器的侧视图;
图16是图14所示的传感器的另一个侧视图;
图17是体现本发明的另一个传感器的平面图;
图18是体现本发明的传感器的另一个侧视图;
图19是体现本发明的另一个传感器的平面图;
图20是体现本发明的另一个传感器的平面图;
图21是体现本发明的另一个传感器示例的平面图;
图22是图21所示的传感器的加热器电阻相对于时间的曲线图;
图23是体现本发明的另一个传感器示例的平面图;
图24是图23所示的传感器的加热器电阻相对于时间的曲线图;
图25是图23所示的传感器的加热器电阻相对于时间的另一个曲线图;
图26是图23所示的传感器的加热器电阻相对于时间的另一个曲线图;和
图27是体现本发明的局部探针存储设备的侧视图。
具体实施方式
首先参照图1,在本发明的优选实施例中,提供传感器3,用于检测物体1的移动,物体1被设置成在平面中、沿移动轴9、在相对于基准2的任何方向上进行平移移动。传感器3包括面对物体1的移动平面的加热器4。加热器4具有依赖于温度的电阻。物体1包括具有第一区域7和第二区域8的表面6。第一区域7的导热率与第二区域8的导热率不同。边界5将第一区域7和第二区域8分离开来。于是,边界5充当具有较大和较小导热率的区域之间的分界线。在操作中,随着物体1沿移动轴9移动,边界5相对于加热器4移动,产生加热器4的热损耗中的相应变化以及加热器4的电阻中的相应变化。
现在参照图2,在本发明的另一个实施例中,提供传感器3,用于检测物体1的移动,物体1被设置成在平面中、围绕旋转轴、在任何方向上进行旋转移动。物体1具有可旋转的盘、轴(shaft)或棒(spindle)的形式。传感器3仍然包括面对物体1的旋转平面的加热器4。加热器4仍然具有依赖于温度的电阻。物体1包括具有第一区域7和第二区域8的表面6。第一区域7的导热率与第二区域8的导热率不同。边界5仍然将第一区域12和第二区域14分离开来。于是,边界5充当具有较大和较小导热率的区域之间的分界线。在操作中,随着物体1旋转,边界5相对于加热器4移动,产生加热器4的热损耗中的相应变化以及加热器4的电阻中的相应变化。参照图3,随着物体1旋转,加热器4的电阻遵循脉冲波形而变化,每一个脉冲与例如经过加热器4的第二区域8相对应。
第一区域7与第二区域8之间的导热率的不同可以通过很多方式来实现。例如,第二区域8可以通过用其热特性与形成第一区域7的材料的热特性不同的材料进行涂覆或者通过其他方式来形成。可替换地或可附加地,可以对第一和第二区域之一打孔,使其具有微孔(pore)或小孔(aperture),从而局部修改大块材料的热特性。在本发明的特定优选实施例中,第二区域8由气隙构成。这种气隙可以通过在表面6中引入凹槽来构成,而边界5具有台阶的形式。可替换地,在即将简要描述的本发明的特定优选实施例中,该气隙可以通过在表面6的外围以自由空间来提供,而边界5是表面6的外围边界。
导热率的不同特别是对于本发明优选实施例的微米或毫微米量级具有重要意义。例如,参见图4,在本发明的优选实施例中,提供如上参照图1所述的传感器3,用于测量物体1的毫微米量级线性运动。传感器3是用硅形成的。然而,应当理解,在本发明的其他实施例中,可以采用不同的材料来代替硅。传感器3位于接近于物体1的表面6的外围边界5但与其分隔开的位置,使得第一区域7由表面6的大块材料来形成,而第二区域8由围绕物体1的空气或气体形成。传感器3包括从基准2在垂直于表面6的边界5且平行于表面6的方向上延伸出来的延伸体。传感器3的该延伸体承载用于携带电流的导电路径。该导电路径可以通过用适当的电荷施主或接收者掺杂传感器3的硅体来形成。对于本领域技术人员来说,引入导电路径的其他技术是显而易见的。传感器3的该延伸体包括一对肢状物,这对肢状物终止于远离基准的互连处。然而,应当理解,传感器3的该延伸体其他设计同样是可能的。热隔离的电阻性加热元件4置于导电路径中的该延伸体上。加热器4仍然可以通过用适当的施主或接收者掺杂硅体来形成。对于本领域技术人员来说,引入加热器4的其他技术是显然的。加热器4位于传感器3的延伸体上,使得沿加热器4的长度设置表面6的边界5。加热器4至少与物体1的所需位移范围同样长,并且排列加热器4使其纵轴平行于将要感测的运动方向。
在操作中,电流经过加热器4。该电流在加热器4中引起热发生。加热器4的电阻依赖于加热器4的温度。加热器4的温度依赖于加热器4与表面6之间的距离。因此,加热器4的温度依赖于加热器4相对于表面6的位置。更具体地说,加热器4的温度依赖于加热器4与表面6之间的重叠程度。加热器4的温度与表面6之间的关系源自于热能通过介入间隙从加热器4到表面6的传导。
这种传导的效率依赖于加热器4与表面6之间的距离。当在与传感器3的纵轴平行的方向上移动表面6时,通过形成在表面6上的边界5来增加或减少加热器4到表面6的平均距离。该距离的增加或减少使加热器4的冷却效率产生相应变化。冷却效率的变化使加热器4的电阻产生相应变化。在本发明的特定优选实施例中,与加热器4相邻的表面6的边界5是平滑的并且与将要感测的运动方向垂直,使得该垂直方向上的任何运动不产生冷却效率上的变化,因此没有信号。类似地,在本发明的特定优选实施例中,加热器4的平面与表面6的平面平行,以便提供输出信号,该输出信号作为物体1的位移的线性函数而变化。传感器3的灵敏度依赖于加热器4与表面6之间的间距。
参照图5、6和7,应当理解,加热器4和表面6重叠或者换句话说彼此相对的区域,随着物体1相对于基准2的移动而变化。例如,在图5中,大约一半的加热器面对表面6,对应于传感器3接近于其范围的中间位置。在图6中,传感器3位于其范围的一个末端,使得加热器4的最小区域面对表面6。表面6向该末端的运动导致加热器4的冷却降低。因此,加热器4的温度升高。将温度的升高作为加热器4的电阻变化来测量。相反,在图7中,传感器3位于其范围的另一个末端,使得几乎加热器4的全部区域面对表面6。表面6向该末端的运动导致加热器4的冷却增加。因此,加热器4的温度降低。再次将温度的降低作为加热器4的电阻变化来测量。
仍然参照图5、6和7,在本发明的特定优选实施例中,该间距由置于覆盖表面6的传感器3的一端的至少一个尖端10来定义。该尖端10或每一个尖端10与表面6滑动接触。在操作中,在保持加热器4相对于表面6的热隔离的同时,该尖端10或每一个尖端10便利于明确确定传感器3相对于表面6的间距。组合地参照图7和8,在本发明的特定优选实施例中,前述的传感器3是由硅基片制造的,采用从基准2延伸大约150微米的悬臂弹簧的形式。该悬臂弹簧包括一对在远离基准2的末端互连的肢状物。导电路径经过一个肢状物,通过该末端,然后经过另一个肢状物。加热器4位于一个肢状物中。在承载加热器4的肢状物中,在加热器4的每一端形成小孔11。小孔11在加热器4和传感器3的其余部分之间的传热路径中引起收缩(constriction),从而热隔离加热器4。在该例中采用主肢状物的掺杂剂注入来形成加热器4。然而,在本发明的其他实施例中可以采用其他技术来产生加热器4。
在本发明的特定优选实施例中,为了使传感器3的扭曲最小化,通过该尖端10或每一个尖端10与表面6之间的摩擦来使传感器3能够抵抗扭力。这种扭曲可能不利地影响传感器3的线性度。参照图8和9描述的传感器3的一对肢状物设计有助于提供抗扭阻力。注意,在图8和9所示的优选实施例中,一对上述尖端10位于传感器3的该末端的相对角附近。通过以此方式来放置这样一对尖端10,可以获得传感器3的附加稳定性和降低的对扭曲运动的灵敏度。
图10和11示出前面参照图8和9描述的传感器3的灵敏度和线性度的测量。该测量是在与前面参照图4至7描述的装置类似的装置中,通过传感器3的尖端10与硅的采样表面相接触来执行的。由于利用遵循三角波形的周期线性运动来设置采样表,该测量是通过对串联10k欧姆电阻器的传感器3施加直流(DC)电压,并且监视传感器3的电压变化来获得的。电压变化是通过经由增益为100且带宽为100kHz的DC耦合放大器观测到的。图7的图示出了从表面6的40nm位移产生的检测信号。图10中清楚地示出小于40nm的传感器3的灵敏度,其中带宽为100kHz,信噪比接近于1。图11的图示出了传感器3对三角波形的37微米周期线性位移的响应。具体地说,图11的图描述了传感器3具有超过25微米范围的线性响应。在传感器3对位移的响应基本为线性的区域中,能够通过获得电压信号的一阶导数和二阶导数来计算表面6的速度和加速度。在y轴上-0.5V以下观测到的线性偏差,由传感器3相对于表面6的平面之间的角度未对准而产生。测量出尖端10与表面6接触的本发明该特定示例的热时间常数处于50微秒范围内。本发明的其他实施例可以呈现不同的热时间常数。
如前所示,能够通过获得传感器3的电压信号的一阶导数和二阶导数来计算表面6的速度和加速度。现在参照图12,在本发明的优选实施例中,传感器3的电压信号的一阶导数和二阶导数是通过将一阶和二阶微分电路12和13串联连接到传感器3的输出来获得的。在操作中,传感器3的输出产生指示感测位移d的信号,一阶微分电路12的输出产生指示感测速度v的信号,而二阶微分电路13的输出产生指示感测加速度a的信号。参照图13,一阶微分电路12可以通过电容器C1、电阻器R1和虚接地放大器A1来形成,放大器A1具有包含R1的负反馈回路。类似地,二阶微分电路13可以通过电容器C2、电阻器R2和虚接地放大器A2来形成,放大器A2具有包含R2的负反馈回路。应当理解,也可以采用其他微分电路设计。
在一些实施例中,环境温度等的变化可能在从具有前述形式的传感器3获得的测量中产生不期望的DC漂移。这就变得不适合于某些应用。然而,现在参照图14,在本发明的特定优选实施例中,通过采用一对前述的传感器3和3′来最小化对DC漂移的灵敏度。具体地说,将传感器3和3′放置在与表面6的相对边界5和5′邻近的位置上。然后,测量来自传感器3和3′的输出电压之差。在图1 5中,表面6位于接近于传感器3和3′的范围中点的位置。因此,表面6面对传感器3和3′的几乎相等的区域。然而,在图16中,沿传感器3和3′的检测轴,将表面6放置到传感器3和3′的范围的一端。因此,几乎全部的一个传感器3面对表面6,而另一个传感器3′几乎一点也不面对表面6。
在前述的本发明优选实施例中,提供传感器3以便测量物体沿单一运动轴的位移。然而,本发明同样适用于测量物体1沿超过一个运动轴的线性运动。例如,现在参照图17,在本发明的另一个优选实施例中,提供了两个前面参照图1至10所述的传感器3和3″,每一个传感器测量物体1在两个正交方向中相应一个方向上的位移。具体地说,一个传感器3位于表面6的第一边界5的附近。另一个传感器3″位于表面6的与第一边界5正交的第二边界5″的附近。于是,每一个传感器3和3″沿表面6的两个正交运动轴中的不同运动轴,提供与表面6的线性运动相对应的运动测量。两个传感器3和3″的独立操作防止在两个测量之间产生串扰。
在前述的一些本发明优选实施例中,表面6的边界5由该表面的外围提供。然而,参照图18,在本发明的其他实施例中,如前所述,边界5可以通过在表面6中形成的台阶来提供。边界5的其他形式也是可能的,例如表面6中的槽等。
如前所述,参照图2,本发明同样适用于旋转运动的检测。参照图19,在图2所示的本发明实施例的修改方案中,第二区域8由在盘6中形成的径向槽9构成。将前面参照图1到10描述的传感器3放置在与盘6平行的平面中与盘6相邻,使得槽9随着盘6旋转而经过加热器4。每次槽9经过加热器4时,都会干扰加热器4和盘6之间的热传导。如前所述,这些干扰能够用电学方法从加热器4中检测到。于是,能够产生指示轴1的旋转速度的脉冲信号。应当理解,本发明的该实施例在转速计应用中特别地但不是排他地有用。在图18所示的优选实施例的另一种修改方案中,在盘6中形成多个等距离的彼此隔开的径向槽9。槽9便利于测量轴1的旋转位移。应当理解,在本发明的其他实施例中,槽9可以由在盘6中形成的凹槽(recess)来代替。参照图20,在前面参照图19所述的本发明的另一种修改方案中,表面6具有从轴1径向延伸的辐条的形式。每次辐条6经过加热器4时,都会干扰加热器4的热传导。然后,仍然能够用电学方法从加热器4中产生指示轴1的旋转速度的脉冲信号。应当理解,可以将多个径向辐条6连接到轴1上,从而便利于轴1的旋转位移的测量。
现在参照图21,在本发明的测量轴1旋转的另一个实施例中,通过附着到轴1上的逗号形状的表面来提供第一区域7,而通过围绕该表面的空气来提供第二区域8。通过该表面的外围来提供第一区域7与第二区域8之间的边界5。该表面是如此成形的,即,使得旋转轴与该表面的外围之间的径向距离沿该表面的外围、从最小值到最大值增加。传感器3被放置在与参照图19所述的表面相邻的位置上。参照图22,随着该轴旋转,加热器4的电阻遵循刈痕(swath)波形而变化。
参照图23,在本发明的测量轴旋转的另一个实施例中,通过附着到轴1上的盘状表面来提供第一区域7,而通过围绕该表面的空气来提供第二区域8。通过该盘的外围来提供第一区域7与第二区域8之间的边界。一对前述的传感器3和3′面对该盘的相对边界。轴1的旋转轴相对于该盘的中心偏移。在操作中,参照图24,随着该轴旋转,运行中的电阻,即一个传感器3上的加热器4的电阻遵循三角波形而变化。类似地,参照图25,随着该轴旋转,另一个传感器3′上的加热器4′的电阻遵循三角波形而变化。然而,与加热器4′的电阻相关联的三角波形和与加热器4的电阻相关联的三角波形相位相差90度。参照图26,通过从加热器4和4′之一的输出中减去另一个的输出,能够建立来自传感器3和3′的合成输出,其中消除了检测信号中的任何DC偏移量。
参照图27,前面参照图8和9所述的体现本发明的传感器3和3′,对于测量物体1相对于基准2的移动特别有用,例如在前述Vettiger等人的文献中描述的局部探针存储设备18中存储表面15相对于局部探针阵列14的移动。如前所述,在局部探针存储设备18中,一般地,存储表面15经由微机电扫描器子系统16、在平行于阵列14的平面内的正交方向上移动。扫描器子系统1 6可以通过压电器件来实现。然而,可以采用其他扫描机制。控制器17连接到扫描器16和传感器3。提供了两对协同操作的传感器3,每一个传感器都与前面参照图13所述的一样。一对传感器3检测在运行的正交方向中的一个方向上的移动。另一对传感器3检测在运行的另一个方向上的移动。特别是在还需要获取或者再获取前述PES信号的情形中,传感器3的输出被反馈到控制器17,以便形成用于控制阵列14相对于存储表面15的移动的负反馈控制回路。控制器可以通过硬连线电路、计算机程序代码或者硬连线电路和计算机程序代码的组合来实现。应当理解,本发明在很多其他应用中同样有用。这种应用的示例包含自动控制系统的位移传感器、速度传感器和加速度计,以及传动装置和工厂控制系统。其他很多应用应当是显然的。
Claims (17)
1.一种用于检测物体移动的传感器,所述物体被设置成在一个平面中移动,所述传感器包括:加热器,面对所述物体的运动平面,并且具有依赖于温度的电阻;和在所述物体中定义的边界,位于具有不同导热率的区域之间;其中,随着所述物体的移动,所述边界相对于所述加热器移动,产生所述加热器的热损耗中的相应变化以及所述加热器的电阻中的相应变化。
2.如权利要求1所述的传感器,其中,所述物体被设置成在所述平面中进行平移移动。
3.如权利要求2所述的传感器,其中,所述边界位于所述物体的平面表面中。
4.如权利要求3所述的传感器,其中,所述边界是直线的。
5.如权利要求4所述的传感器,其中,所述加热器包括一个延伸体,与所述平面表面平行地重叠和延伸,并且与所述边界垂直。
6.如权利要求5所述的传感器,其中,所述延伸体包括硅悬臂,其中形成有掺杂电阻区域。
7.如权利要求5或权利要求6所述的传感器,其中,所述边界位于所述平面表面的外围。
8.如权利要求5或权利要求6所述的传感器,其中,所述边界被形成为所述平面表面中的台阶。
9.一种用于检测物体移动的移动检测系统,所述物体被设置成在一个平面中移动,所述系统包括:如权利要求5到8中的任何一项所述的第一和第二传感器,用于在所述平面中沿所述物体的公共移动轴的相对方向上操作。
10.如权利要求9所述的移动检测系统,其中,所述第一和第二传感器各自面对所述表面的第一和第二平行边界。
11.一种用于检测物体移动的移动检测系统,所述物体被设置成在一个平面中移动,所述系统包括:如权利要求5到8中的任何一项所述的第一和第二传感器,用于在所述平面中所述物体移动的正交方向上操作。
12.如权利要求11所述的移动检测系统,其中,所述第一和第二传感器各自面对所述表面的第一和第二正交边界。
13.一种局部探针存储设备,包括:存储表面,局部探针存储阵列具有面对所述存储表面的多个尖端;扫描器,用于使所述存储表面在与所述阵列平行的平面中相对于所述阵列移动;和如权利要求9到12中的任何一项所述的移动检测系统,用于检测所述存储表面相对于所述阵列的移动。
14.如权利要求1所述的传感器,其中,所述表面被设置成与所述加热器平行地围绕旋转轴进行旋转移动。
15.如权利要求14所述的传感器,其中,所述该边界具有槽的一侧的形式,所述槽在所述表面中形成并且从所述旋转轴起作径向延伸。
16..如权利要求14所述的传感器,其中,所述表面包括从所述旋转轴起作径向延伸的辐条,并且所述边界包括所述辐条的一侧。
17.一种用于检测物体移动的方法,所述物体被设置成在一个平面中移动,所述方法包括:放置一个具有依赖于温度的电阻的加热器,使其面对所述物体的运动平面;在具有不同导热率的区域之间,定义所述物体中的边界;并且,在所述物体在所述平面中移动期间,随着所述边界相对于加热器移动,与所述加热器的热损耗中的变化相对应地检测所述加热器的电阻中的变化。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02019322 | 2002-08-29 | ||
EP02019322.3 | 2002-08-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1678512A true CN1678512A (zh) | 2005-10-05 |
CN100526206C CN100526206C (zh) | 2009-08-12 |
Family
ID=31970269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB03819970XA Expired - Fee Related CN100526206C (zh) | 2002-08-29 | 2003-08-22 | 热移动传感器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7186019B2 (zh) |
EP (1) | EP1532069B1 (zh) |
CN (1) | CN100526206C (zh) |
AU (1) | AU2003253213A1 (zh) |
DE (1) | DE60325864D1 (zh) |
WO (1) | WO2004020328A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1959392B (zh) * | 2005-11-04 | 2010-11-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 测量导热片随温度变化其结构变化状况的装置及方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7502193B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-03-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Positioning of a magnetic head in a magnetic data recording device using a multiple sensor array |
US20060291271A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Nanochip, Inc. | High density data storage devices having servo indicia formed in a patterned media |
US20070291623A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Nanochip, Inc. | Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip |
US20070121477A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-05-31 | Nanochip, Inc. | Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip |
US20070290282A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Nanochip, Inc. | Bonded chip assembly with a micro-mover for microelectromechanical systems |
US20080074792A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Nanochip, Inc. | Control scheme for a memory device |
US20080074984A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Nanochip, Inc. | Architecture for a Memory Device |
US20090129246A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Nanochip, Inc. | Environmental management of a probe storage device |
US7397754B1 (en) | 2008-01-22 | 2008-07-08 | International Business Machines Corporation | Micro-electromechanical system based data storage system |
US20100039729A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Nanochip, Inc. | Package with integrated magnets for electromagnetically-actuated probe-storage device |
US20100116038A1 (en) * | 2008-11-12 | 2010-05-13 | International Business Machines Corporation | Feedback- enhanced thermo-electric topography sensing |
JP7219276B2 (ja) | 2017-11-15 | 2023-02-07 | カプレス・アクティーゼルスカブ | 供試標本の電気特性を試験するためのプローブ及び関連する近接度検出器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4468136A (en) * | 1982-02-12 | 1984-08-28 | The Johns Hopkins University | Optical beam deflection thermal imaging |
US4747698A (en) * | 1986-04-30 | 1988-05-31 | International Business Machines Corp. | Scanning thermal profiler |
US5527110A (en) * | 1993-04-30 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting asperities on magnetic disks using thermal proximity imaging |
US5806978A (en) * | 1996-11-21 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Calibration apparatus and methods for a thermal proximity sensor |
US6647766B2 (en) * | 1999-12-31 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Device for contacting and/or modifying a surface having a cantilever and a method for production of said cantilever |
NO318170B1 (no) * | 2002-12-23 | 2005-02-14 | Vetco Aibel As | Fremgangsmate og anordning for a detektere oppsamling av fast materiale |
-
2003
- 2003-08-22 CN CNB03819970XA patent/CN100526206C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-22 DE DE60325864T patent/DE60325864D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-22 AU AU2003253213A patent/AU2003253213A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-22 EP EP03791130A patent/EP1532069B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-22 US US10/526,052 patent/US7186019B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-22 WO PCT/IB2003/003749 patent/WO2004020328A1/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1959392B (zh) * | 2005-11-04 | 2010-11-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 测量导热片随温度变化其结构变化状况的装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004020328A1 (en) | 2004-03-11 |
CN100526206C (zh) | 2009-08-12 |
EP1532069B1 (en) | 2009-01-14 |
AU2003253213A1 (en) | 2004-03-19 |
US7186019B2 (en) | 2007-03-06 |
EP1532069A1 (en) | 2005-05-25 |
US20060039442A1 (en) | 2006-02-23 |
DE60325864D1 (de) | 2009-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1678512A (zh) | 热移动传感器 | |
CN1138980C (zh) | 用于静电力显微镜的带悬臂梁静电力检测器及其检测方法 | |
EP2257821B1 (en) | Capacitive sensor having cyclic and absolute electrode sets | |
US5948972A (en) | Dual stage instrument for scanning a specimen | |
JP6144704B2 (ja) | 加速度センサー構造体およびその用途 | |
JP2625333B2 (ja) | 直線測定装置 | |
CN100425943C (zh) | 基于电容的位置传感器 | |
CN103791927A (zh) | 自驱动位移和速度传感方法、传感器和传感器的制作方法 | |
CN1457422A (zh) | 电容型位移传感器 | |
US6072764A (en) | Information processing apparatus having face regulating system | |
KR100407202B1 (ko) | 원자표면또는다른파상표면을주사하는스캐닝터널링현미경의센서또는기타센서의나노미터단위의실시간위치측정방법및장치 | |
RU2224978C2 (ru) | Измерения с использованием туннельного тока между удлиненными проводниками | |
JPH08233836A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡、並びにその高さ方向較正用基準器および較正方法 | |
Xu et al. | A metrological scanning force microscope | |
CN1809728A (zh) | 量子隧道效应传感装置 | |
CN110286307B (zh) | 探针检测系统及用于检测半导体元件的方法 | |
EP0887794A1 (en) | Recording apparatus | |
CN220709182U (zh) | 一种加速度传感器敏感组件及加速度传感器芯片结构 | |
Xu et al. | A new micro/nano-touch-trigger probe using an optoelectronic sensor with a wedge prism | |
JPH01195301A (ja) | 表面機械特性測定装置 | |
CN117192153A (zh) | 一种加速度传感器敏感组件及加速度传感器芯片结构 | |
US8081005B2 (en) | Capacitive sensors for nano-positioning and methods of using the same | |
US20210278436A1 (en) | Probe chip, scan head, scanning probe microscopy device and use of a probe chip | |
CN100371673C (zh) | 用于扫描隧道显微镜的步进电机 | |
Liu et al. | Super Large Optical Mirror Surface Form Nano-positioning Technology Based on Displacement Sensor Detection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090812 Termination date: 20200822 |