CN1588625A - 半导体二极管电极的制造方法 - Google Patents
半导体二极管电极的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1588625A CN1588625A CN 200410064919 CN200410064919A CN1588625A CN 1588625 A CN1588625 A CN 1588625A CN 200410064919 CN200410064919 CN 200410064919 CN 200410064919 A CN200410064919 A CN 200410064919A CN 1588625 A CN1588625 A CN 1588625A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- metal
- electrode
- semiconductor diode
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：(1)在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；(2)然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；(3)对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；(4)对带上述金属层的硅片加温进行合金化片理。本发明由于在镀镍时可避免有原区与电镀液直接接触，因此有原区表面带来的污染从理论上为零，从而改善了半导体器件电极的欧姆接触，降低了电力消耗，提高了工作可靠性以及降低成本，对提高半导体二极管的市场竞争力以及电子产品小型化、便携式以及低电力损耗具有重要意义。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件电极的制造方法，具体涉及半导体二极管金属电极的制造方法。
背景技术
众所周知，当今随着半导体技术的发展，电子产品越来越趋向于小型化和便携式，这客观上要求半导体器件的制作也要向小型化、低电力消耗以及高可靠性方向发展。
二极管作为一种典型的半导体器件应用面广量大，其小型化程度以及低电力消耗和高可靠性等性能直接影响着电子产品的小型化和便携式水平。然而，在二极管的设计和制作过程中，电极对产品低电力消耗以及可靠性等性能的影响是不容忽视的。
图1表示了以往二极管第一种典型电极构造示意图，其电极的构成是在形成半导体器件硅片A的正反两面直接电镀或化学镀金属镍B形成。这种方法的特点是硅片A正反两面同时电镀，工艺非常简单，尤其对低价二极管器件非常适用，因此一直延用至今。但是，这种方法也存在下列问题：
1、由于这种方法在工艺上要经过电镀(Ni)、烧结(合金化处理)、腐蚀(光刻)等工序。众所周知，镍是非常容易氧化的金属。为了避免或减少氧化，在烧结工序中，加熱和冷却時圆片的周围气氛很难控制；腐蚀工序要求也非常严格，因此，在批量生产时管理和控制难度很大，容易产生电接触阻值的偏差。
2、为了避免氧化，有时在烧结工序中使用含有氢气的保护气体，这种气体中的氢气又会使金属镍发生脆化现象而容易剥落。另外也会使硅与镍的合金变得非常硬，如果在频繁开关条件下合金面难免被剥落导致损坏，这也是此工序致命的缺陷。
3、在硅(Si)面上直接做镍电镀时，需要对硅表面进行喷砂处理来粗化表面，这种处理对位于表面很浅P-N结来说，将会导致P-N结损坏，因此这种电极制做方法不能应用于P-N结浅的器件中。
4、由于电镀镍是直接在硅表面进行的，硅表面直接与电镀液中的化学品接触，化学品会给硅半导体带来化学污染，这种污染会导致二极管的反向漏电流增加，工作可靠性下降。尤其是次亚磷酸钠特别有害。
图2表示了以往二极管第二种典型电极构造示意图，这种电极构造与图1的不同之处在于：在电镀金属镍层的一面上还堆积有铬(Cr)或镍等金属薄膜层C，或将铬、镍替换下来，使用钛(Ti)或钒(V)等金属薄膜层C。显而易见，图1表示的第一种典型电极构造所存在的缺陷，在图2表示的第二种典型电极构造中同样存在。另外，从图2中可以看出，如果金属薄膜层C是采用蒸发或溅射形成的，还需要配备价格昂贵的蒸发设备或溅射设备，如果还需要连续形成多层金属薄膜则还要更高级的设备。
图3表示了以往除单个二极管而外的其它半导体器件典型电极构造示意图，这种电极构造的一面与图2中堆积铬或镍的金属薄膜C相同，而另一面形成金属铝(Al)层D，并通过光刻形成图形，从而制成半导体器件。显而易见，图2中堆积铬或镍金属薄膜C的电极所存在的缺陷，在图3反面的电极中同样存在。而另一面为IC中常见的结构，主要是实施铝(Al)或金(Au)丝键合的方法，所以采用焊锡组装的方式是行不通的，即无法应用于焊锡组装上，这也是一个致命的缺点。
总而言之，采用现有电极制作技术来生产半导体器件，尤其是二极管，由于存在上述缺点，已无法满足目前的市场需求，换句话说，电子产品小型化、低损耗、高可靠性、低成本对半导体器件的技术要求。
发明内容
本发明提出了一种半导体二极管电极的制造方法，其目的是从半导体器件电极的角度降低电力消耗，提高工作可靠性以及降低成本，进一步提高半导体二极管的市场竞争力。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种半导体二极管电极的制造方法，依次包括以下步骤：
(1)、在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；
(2)、然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；
(3)、对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；
(4)、对带上述金属层的硅片加温进行合金化处理。
上述技术方案中的有关内容和变化解释如下：
为了进一步提高效果，在第一步堆积金属铝层后，再在金属铝表面形成锌或铂金属薄膜层，然后接着进行第二步电镀金属镍层。所述锌或铂金属薄膜层可以采用电镀方法在金属铝表面形成。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：
1、本发明可以降低二极管的反向漏电流和正向电压降，从而直接降低二极管的电力损耗，对于电子产品小型化、便携式发展具有重要意义。
2、本发明由两面相同的简单金属层构成，两面金属层可以在同一工序中采用低价格的电镀工艺同时形成，因此可省去工序数量，降低成本，提高产品的市场竞争力。
3、由于本发明电镀中使用的溶液不直接与硅(Si)基片及其表面的氧化膜等接触，所以該电镀溶液给器件的表面带来的汚染从理论上为零，由此获得高可靠及長寿命的器件。
4、由于本发明芯片背面与焊锡接触之前，通过导电性好的Al金属使电流分散，所以理论上具有热斑难以发生之有利之处。
附图说明
附图1为以往二极管第一种典型电极构造示意图；
附图2为以往二极管第二种典型电极构造示意图；
附图3为以往半导体器件典型电极构造示意图；
附图4为本发明二极管第一种典型电极构造示意图；
附图5为本发明二极管第二种典型电极构造示意图；
附图6为本发明实施例肖特基二极管电极形成示意图(一)；
附图7为本发明实施例肖特基二极管电极形成示意图(二)；
附图8为本发明实施例肖特基二极管电极形成示意图(三)。
以上附图中：A、半导体硅片；B、金属镍层：C、金属铬或镍层；D、金属铝层；E、金属锌或铂层；M、金属钼、铝层；S、二氧化硅层；W、外延层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例一：一种肖特基二极管的制造方法(其中包括肖特基二极管的电极制造方法)，在含有1×1022/cm3以上的原子密度的高浓度砷(As)的硅(Si)片表面上，将四氯化硅(SiCl4)在氢气气流中，1200℃温度下，一边添加磷化氢(PH3)掺杂气体的同时做7分钟的处理，以此在硅片上实施外延工艺。此时，生成硅(Si)外延层W的平均厚度为7μM，平均电阻率为0.5Ω·cm(Ohms-cm)。将此圆片(硅片)在水蒸气气氛中，1000℃下，加热3小时，从而获得0.8μM的二氧化硅(SiO2)层S(氧化处理)。
在该圆片的表面涂布光刻胶，并120℃下加热，之后利用水银灯曝光、显影，结果获得边长约0.8mm的正方形环。接下来用光刻胶作掩蔽，然后在含有氢氟酸(HF)的溶液中去除氧化膜层，并去除残留的光刻胶。
接下来，将含有三氯化硼(BCl3)5000ppm(百万分之一)的氮气，通入加热到1100℃的扩散炉中，预先在该扩散炉中设置好在硅片中做硼扩散，扩散时间为30分钟，表面方块电阻为4～5Ω，硅片上形成硼硅玻璃，在HF∶H2O＝1∶5中腐蚀30秒去除，进而在1100℃下再分布40分钟(N2+O2＝20分钟，湿氧20分钟)，然后刻出肖特基二极管窗口，接着，在其上面做钼金属(Mo)及钼铝金属(Mo-Al)的溅射，即堆积金属钼、铝层M，形成肖特基势垒，获得二极管的特性。
接下来进行肖特基二极管的电极制作：见图6所示，在背面做7μM厚度的铝金属(Al)的蒸发，然后把它投入到含有5％磷化学镀镍槽中浸泡，如此两面同时形成2μM厚度的镍(Ni)金属层，见图7所示。
然后，肖特基势垒的图形外的金属，即把镀镍(Ni)的铝(Al)、钼(Mo)金属层，以光刻胶作为掩蔽予以腐蚀去除，电镀过镍的铝层的腐蚀：H3PO4(磷酸)∶CH3COOH(乙醇)∶HNO3(硝酸)＝12Kg∶810CC∶120CC，温度65℃，15秒钟，加超声波。钼的腐蚀：H2SO4(硫酸)∶HNO3(硝酸)∶H2O＝1∶1∶1(体积)室温，30秒钟，见图8。最后加温进行合金化。
由以上电极制造方法可知，由于在实施两面镍电镀之前，进行过铝蒸发工序，这样镍(Ni)电镀液与铝(Al)金属膜下的半导体有原区部分不直接接触，因此有效的避免了电镀液化学品的污染。实验结构证明，此时，当附加40V电压时，肖特基二极管的反向漏电流为5μA。如果利用上述图1所示的现有技术来制作肖特基二极管时，同样条件下的反向漏电流大约为50μA，也就是本发明实施例的约10倍之大，事实证明了本发明的有效性。
由于硅片背面也堆积了铝(Al)金属层，紧邻芯片下面的电流通过时被平均化，因此正方向的电压降相应降低，即Vf由过去工程的0.55V，下降到0.48V，整流效率大大提高，随之可望电池的工作时间也得以延长。
实施例二：一种肖特基二极管的制造方法(其中包括肖特基二极管的电极制造方法)，一直到正背面铝(Al)金属蒸发工序为止，与上述实施例1相同。
之后，为了防止实际使用时，频繁的ON/OFF电周期带来金属剥离，所以在镍(Ni)电镀之前(在图6后)实施锌(Zn)的0.1μM厚度的电镀，然后再进行镍(Ni)电镀。这时，也可以不使用锌(Zn)，取而代之使用铂(Pt)也可获得同样的效果。
接下来后面的工序，与实施例1相同制作成肖特基二极管，同样的条件下测定反向漏电流，结果与上面完全相同。但这时，将P-N结温度设置在与环境温度相差120℃的条件下，开关电信号加给肖特基二极管，重复ON/OFF周期5万次，结果热阻基本上没有变化。可是同時进行试验的过去技术之样品，在进行到约1万次时，热阻就增加约10％，到平均3万次时金属层就被剥离。
从上述实施例的结果中可以了解到，本发明的内容虽然简单，但它的效果显著，即从降低成本、提高特性、降低电力损耗、延長电池工作時間以及小型化等很多方面带来明显效果。特别是给移动通讯，便携式电器等领域带来很大影响，所以本发明具有重要意义。
Claims (3)
1、一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：
(1)、在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；
(2)、然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；
(3)、对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；
(4)、对带上述金属层的硅片加温进行合金化处理。
2、根据权利要求1所述的半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：在第一步堆积金属铝层后，再在金属铝表面形成锌或铂金属薄膜层，然后接着进行第二步电镀金属镍层。
3、根据权利要求2所述的半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：所述锌或铂金属薄膜层采用电镀方法在金属铝表面形成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200410064919 CN1291457C (zh) | 2004-10-09 | 2004-10-09 | 半导体二极管电极的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200410064919 CN1291457C (zh) | 2004-10-09 | 2004-10-09 | 半导体二极管电极的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1588625A true CN1588625A (zh) | 2005-03-02 |
| CN1291457C CN1291457C (zh) | 2006-12-20 |
Family
ID=34603911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200410064919 Expired - Fee Related CN1291457C (zh) | 2004-10-09 | 2004-10-09 | 半导体二极管电极的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1291457C (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101101871B (zh) * | 2006-07-05 | 2010-09-15 | 永贺工业股份有限公司 | 制造二极管金属层的方法 |
| CN105040049A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-11-11 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺 |
-
2004
- 2004-10-09 CN CN 200410064919 patent/CN1291457C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101101871B (zh) * | 2006-07-05 | 2010-09-15 | 永贺工业股份有限公司 | 制造二极管金属层的方法 |
| CN105040049A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-11-11 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺 |
| CN105040049B (zh) * | 2015-09-11 | 2018-01-19 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 一种高压二极管硅叠表面电镀金工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1291457C (zh) | 2006-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5449849B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| CN102077359B (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法 | |
| US9385247B2 (en) | Passivation scheme for solar cells | |
| EP2211388A1 (en) | Solar battery cell | |
| US20090075483A1 (en) | Ultra lightweight photovoltaic device and method for its manufacture | |
| EP2020687A1 (en) | Method for manufacturing electrodes of solar cell and electrochemical depositing apparatus | |
| US7816167B2 (en) | Method of fabricating a differential doped solar cell | |
| JP2004531074A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TWI753124B (zh) | 太陽電池及太陽電池之製造方法 | |
| CN102365751A (zh) | 具有金属触点的硅太阳能电池 | |
| Hatt et al. | Native oxide barrier layer for selective electroplated metallization of silicon heterojunction solar cells | |
| TWI591840B (zh) | 太陽能電池之觸點與互連金屬化 | |
| CN110233189A (zh) | 一种背面局域重掺杂的太阳能电池及其制备方法 | |
| CN1291457C (zh) | 半导体二极管电极的制造方法 | |
| CN101814539B (zh) | 太阳能电池及其制作方法 | |
| EP4358162A3 (en) | Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module | |
| Mondon et al. | Advanced front side metallization for crystalline silicon solar cells based on a nickel-silicon contact | |
| WO2016193409A1 (en) | Methods for forming metal electrodes on silicon surfaces of opposite polarity | |
| CN115602721A (zh) | 一种降低接触电阻的方法及组件 | |
| CN112993135B (zh) | 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 | |
| CN112002770B (zh) | 一种电极预置焊料的光导开关及制作方法 | |
| WO2013143350A1 (zh) | 一种太阳电池、组件及太阳电池电极的制造方法 | |
| CN106571402B (zh) | 一种快恢复功率二极管及其制造方法 | |
| CN101038876A (zh) | 一种利用界面氧化层制备NiSi/Si肖特基二极管的方法 | |
| CN109686666A (zh) | 一种快恢复芯片制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20061220 Termination date: 20161009 |