CN1574170A - 阴极射线管 - Google Patents

Abstract

一种阴极射线管，包括：一个外表面基本上是平面的面板；一个荫罩板，荫罩板被安装成与面板的内表面有一定间隔，具有多个让电子束通过的孔，并形成为枕形，其中，荫罩板的长边和短边向着里面凹入；和用于固定和支撑荫罩板的荫罩板构架，其中，荫罩板构架的长边和短边从端部向着中央倾斜，这是为了与荫罩板的长边和短边保持一个预定的间隔。由此，荫罩板的强度被增加，并且磁场的影响被减少，因此获得优良的性能。

Description

阴极射线管

技术领域

本发明涉及到阴极射线管，尤其涉及到能够提高性能的阴极射线管，这是通过优化荫罩板和荫罩板构架的形状来实现的。

背景技术

阴极射线管是一种转换电信号为电子束并发射电子束到荧光屏而生成图象的设备。由于在可负担得起的价格基础上能够获得良好的显示质量，阴极射线管在常规技术中被广泛使用。

现在，参考附图将解释阴极射线管。图1是说明常规技术的阴极射线管实例的示意图。如图1中所示，阴极射线管包括：一个由前面玻璃构成的面板201；一个用于形成真空空间的由与面板201啮合的后面玻璃构成的漏斗形装置202；一个荧光屏213，它被放置在面板201的内表面上并用于发出荧光；一个用于发射电子束205的电子枪206，电子束205使得荧光屏213发光；一个偏转线圈207，它被安装在漏斗形装置202的外周表面上并与之有一个预定的间隔，用于把电子束205偏转到荧光屏213上；一个荫罩板208，它被安装在与荧光屏213有一个固定的间隔处；一个荫罩板构架209，用于固定和支撑荫罩板208；和一个内屏蔽210，内屏蔽210从面板201延伸到漏斗形装置202，用于屏蔽外部的地磁场的影响，因此，防止由于磁场的影响而使得色纯度变坏。

而且，如图2中所示，荫罩板208包括一个具有多个孔208a的穿孔部分208b，电子束205通过这些孔208a，和一个裙部208c，它在阴极射线管的轴(Z-轴)的方向的穿孔部分208b的外周延伸，用于固定到荫罩板构架209。

如图3中所示，荫罩板构架209包括一个侧壁部分209c，侧壁部分209c垂直形成在阴极射线管的轴(Z-轴)的方向，并与裙部208c接触用于固定和支撑裙部，侧壁部分209c由长边209a和短边209b组成，长边209a和短边209b分别具有预定长度L和S。

荫罩板构架209不仅固定和支撑阴极射线管里边的荫罩板208，而且也吸收和分散电子束205撞击在荫罩板208上时生成的热，以防止荫罩板208由热膨胀引起的凸起现象并因此胀圆。而且，荫罩板构架209吸收和分散外来的撞击，防止荫罩板208鸣叫。

在通常的阴极射线管中，从电子枪206射出的电子束205被偏转线圈207偏转，通过荫罩板208的多个孔208a，并落在安置在面板201的内表面上的荧光屏213上。于是，偏转的电子束205使得形成在荧光屏213上的荧光粉发光，由此获得图象。

按照近来的趋势，面板201变大，并且外表面变平，面板201的尺寸变大，并且荫罩板208的面积和尺寸也变大。因此，荫罩板208的结构强度被降低。因此，为了提高荫罩板208的强度，荫罩板208的曲率能够被制成大于面板的内表面的曲率。然而，在这种情况下，荫罩板208的抗撞击性能和抗鸣叫特性不能够被根本改善。

发明内容

因此，本发明的一个目的是要提供一种阴极射线管，这种阴极射线管能够增加荫罩板的强度，并通过减少磁场的影响，获得优质的屏幕，其中，荫罩板的长边和短边从端部向着中央倾斜，而荫罩板构架的长边和短边从端部向着中央倾斜，这是为了在荫罩板和荫罩板构架之间保持一个预定的间隔。

本发明的另一个目的是要提供一种能够减少荫罩板的凸起现象的阴极射线管的荫罩板构架，这是通过优化荫罩板构架的形状并因此快速传送和分散由从荫罩板到荫罩板构架的电子束的撞击而生成的热来实现的。

本发明的另一个目的是要提供一种阴极射线管的荫罩板构架，这种阴极射线管能够改善荫罩板的鸣叫特性，这是通过优化荫罩板构架的形状并因此分散施加到荫罩板和荫罩板构架的外部撞击来实现的。

为了获得这些和其他优点以及按照本发明的目的，如在这里被具体化和广泛描述的一样，这里提供的阴极射线管包括：一个外表面基本上是平面的面板；一个荫罩板，荫罩板被安装成与面板的内表面有一定间隔，并且具有多个让电子束通过的孔，并形成为枕形，其中，荫罩板的长边和短边向着里面凹入；和用于固定和支撑荫罩板的荫罩板构架，其中，荫罩板构架的长边和短边从端部向着中央倾斜，这是为了与荫罩板的长边和短边保持一个预定的间隔。

本发明的前述的和其它的目的、特征、实施例和优点，通过与伴随的附图一起的本发明的随后的详细说明，将会变得更明白。

附图说明

附图提供对本发明的进一步理解，加入说明书中并构成说明书的一部分。附图用于说明本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是说明按照常规技术的阴极射线管的示意图；

图2是说明按照常规技术的阴极射线管荫罩板的透视图；

图3是说明按照常规技术的阴极射线管的荫罩板构架的透视图；

图4是说明按照本发明的阴极射线管的示意图；

图5是说明枕形的荫罩板和矩形的荫罩板构架被相互组装在一起的状态的平面示意图；

图6是说明按照图5的短轴(Y-轴)的截面图；

图7是说明按照图5的长轴(X-轴)的截面图；

图8是说明：在枕形的荫罩板和矩形的荫罩板被使用的情况中，从荫罩板构架的对角线外围到长边和短边的中央的荫罩板和荫罩板构架之间的间隔变化的图；

图9A是说明磁场沿着闭曲面通过的现象的示意图；

图9B是说明磁场沿着不是闭曲面通过的现象的示意图；

图10A是说明从阴极射线管的右边到左边施加的磁场流向的示意图；

图10B是说明从阴极射线管的前边到后边施加的磁场流向的示意图；

图11是说明枕形的荫罩板和枕形的荫罩板构架被相互组装在一起的状态的平面示意图；

图12是说明按照荫罩板和荫罩板构架的形状从荫罩板构架的对角线外围到长边和短边的中央的荫罩板和荫罩板构架之间的间隔变化的图；

图13是说明用于测量由于磁场的方向变换而引起的电子束位移的测量点的平面图；

图14是说明按照本发明的阴极射线管的每一个点处的荫罩板构架的形状在左和右方向上的电子束位移的图；

图15是说明按照本发明的阴极射线管的每一个点处的荫罩板构架的形状在前面和后面方向上的电子束位移的图；

图16是说明按照本发明的阴极射线管中的枕形被应用在每一个长边和短边的中央附近的枕形荫罩板和荫罩板构架被相互组装在一起的形状的平面示意图；

图17是说明按照本发明的阴极射线管中的枕形被应用在每一个长边和短边的端部附近的枕形荫罩板和荫罩板构架被相互组装在一起的形状的平面示意图；和

图18是说明按照本发明的阴极射线管中的枕形被应用在每一个长边和短边的端部附近的枕形荫罩板和荫罩板构架被相互组装在一起的形状的平面示意图。

具体实施方式

现在，将详细说明按照本发明的优选实施例，并且，在伴随的附图中说明实例。

如在图4中所示，阴极射线管(CRT)包括：一个外表面基本上是平面而内表面具有预定曲率的由前面玻璃构成的面板10；一个与面板10啮合的由后面玻璃构成的漏斗形装置20，用于形成真空空间；一个被放置在面板10的内表面上的荧光屏130，并用于发出荧光；一个用于发射电子束50的电子枪60，电子束50使得荧光屏130发光；一个安装在漏斗形装置20的外围表面上并与之具有预定间隔的偏转线圈70，用于把电子束50偏转到荧光屏130上；一个安装在与荧光屏130有固定间隔的荫罩板80；一个用于固定和支撑荫罩板80的荫罩板构架90；以及一个内屏蔽100，它从面板10延伸到漏斗形装置20，用于屏蔽外面的地磁场，并因此防止由磁场引起的色纯度的降低。阴极射线管也包括：一个安装在面板10的里边的柱螺栓销140；一个与柱螺栓销140连接的固定器110，用于弹性地支撑荫罩板构架90到面板10；以及一个安置在面板10的外围的加强带120，用于分布由面板10和漏斗形装置20生成的应力。

如在图5中所示，荫罩板80包括穿孔部分80b，穿孔部分80b具有多个让电子束50通过的孔，并且，在平面投射时，荫罩板80是呈枕形，其中，荫罩板80的长边和短边的中央向着荫罩板80的里面是凹入的。于是，防止了由于面板10变大和面板10的内表面的曲率的减少而引起的荫罩板80的结构强度的降低。

如在图6和7中所示，当荫罩板80被制成枕形时，在荫罩板80的长边和短边与在荫罩板构架90的长边和短边之间的预定间隔DL和DL被生成。如在图8中所示，从荫罩板构架90的长边和短边的每一个端部向着荫罩板构架90的长边和短边的每一个中央，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL和DS变大。而且，在荫罩板80和荫罩板构架90的长边和短边的各自的中央，间隔DL和DS具有最大的值。

然而，由于间隔DL和DS，传送由荫罩板80生成的热的荫罩板构架90的热传送区域被减少，使得热不能被完全地散发到荫罩板构架90。于是，降低荫罩板80的温度的时间被延迟，因此，由于荫罩板80的热膨胀引起的凸起的量被增加。又，由于在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL和DS，当外部撞击被施加到荫罩板80时，撞击不能够被完全地分散到荫罩板构架90。于是，鸣叫特性、荫罩板80震动现象被恶化。

即：如在下面的表1中所示，在荫罩板80从矩形变成枕形的情况中，在自由落下的试验时的荫罩板80不变形的极限重力的值，从16G增加到19G，因此增加了强度。然而，如前面所述，由于荫罩板80和荫罩板构架90的间隔DS和DL，荫罩板80的凸起现象和鸣叫特性被恶化。

[表1]

荫罩板的长边和短边的类型	阴极射线管(CRT)的对角线尺寸(cm)	自由落下特性(G)	凸起现象	鸣叫特性
					矩形	81	16	好	好
枕形	81	19	坏	坏

又，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DS和DL增加地磁场和外面磁场对电子束50的影响，因此增加易受磁场影响的电子束50的位移，由此使得屏幕的色纯度恶化。

即：在电子束50经由偏转线圈70的偏转磁场通过漏斗形装置20的情况中，内屏蔽110屏蔽地磁场和外面磁场，因此防止电子束50被移动。然而，在电子束50经过荫罩板80通过面板10的情况中，由于在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DS和DL，电子束50受到地磁场和外面磁场的影响，因此，它的路径被改变。

改变电子束50的路径的力被定义为洛伦兹(Lorentz)力，并且被表示为下列公式：

F＝qV×B                        (1)

这里，F表示洛伦兹(Lorentz)力，q表示微粒的带电量，V表示带电微粒的速度，而B表示磁通密度。

通常，能够改变在外部磁场例如地磁场中的磁畴的磁性物质被放置在外部磁场中时，按照与外部磁场相反的方向形成磁场，因此使得阴极射线管的里面变得没有磁性。又，如在图9A中所示的磁场沿着闭曲面流出的现象以及如在图9B中所示的磁场直接通过一个非闭曲面的物体的现象同时发生。然而，阴极射线管的里面不是由完整球形的闭曲面组成的材料，并且，元件也按照地磁场的方向变成有磁性，使得电子束的路径的变形不可避免。因此，如在图10A和10B中所示，因为通过在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL和DS，电子束50被暴露于磁场中，所以电子束50的位移被大大增加。

下面的表2和3表示在荫罩板80是矩形和枕形的情况中的受地磁场影响的电子束50的位移。这里，DL表示在荫罩板80的长边的中央和荫罩板构架90的长边的中央之间的间隔，而DS表示荫罩板80的短边的中央和荫罩板构架90的短边的中央之间的间隔。

[表2]

阴极射线管(CRT)的对角线尺寸(cm)	荫罩板的长边和短边的类型	DS(mm)	DL(mm)
				51	矩形	1.1	1.1
58	矩形	3.1	3.7
				66	矩形	2.6	2.6
68	矩形	3.5	4
				76	矩形	2.6	2.6
81	枕形	7.7	10

如在表2中所示，在荫罩板80被形成为枕形的情况时，间隔DS和DL比在矩形时的变大大约2-3倍。

如在表3中所示，在三种情况下：阴极射线管的对角线尺寸是76cm和荫罩板是矩形的情况，阴极射线管的对角线尺寸是81cm和荫罩板是矩形的情况，以及阴极射线管的对角线尺寸是81cm和荫罩板是枕形的情况，垂直磁场被设置为0.35高斯而水平磁场被设置为0.3高斯，因此，按照垂直和水平磁场的方向转换，测量阴极射线管的角落部分的电子束位移。结果，在应用荫罩板和荫罩板构架之间具有大的间隔的枕形荫罩板的阴极射线管中与在应用矩形荫罩板的阴极射线管中相比较，由于水平磁场的方向转换而引起的电子束的位移大约增加30％，而由于垂直磁场的方向转换而引起的电子束的位移大约增加27％。

[表3]

阴极射线管(CRT)的对角线尺寸(cm)	荫罩板的长边和短边的类型	DS(mm)	DL(mm)	按照地磁场的方向转换的电子束的位移(μm)
						左右	前后
				76	矩形			2.6	2.6	40	80

81	矩形	2.6	2.6	80	75
						81	枕形	7.7	10	105	95

于是，如前面所述，在枕形荫罩板的情况中，由于在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL和DS，荫罩板的鸣叫特性和凸起特性变坏，而由于在磁场的方向转换时的电子束50的增加了的位移，屏幕的色纯度变坏。

在荫罩板80被形成为枕形的情况中，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL和DS变大。于是，当电子束50通过面板10时，荫罩板构架90被容易地暴露于磁场中，使得在磁场的方向转换时，电子束50的位移被增加，因此，阴极射线管的色纯度变坏。由此，为了减少在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL和DS，荫罩板构架90的长边和短边分别被形成为枕形，对应于荫罩板80的长边和短边的曲面向着荫罩板构架90的里面凹入。

即：为了保持在荫罩板80和荫罩板构架90之间的预定的间隔，至少荫罩板构架90的一边的一部分是向里面凹入的。

荫罩板构架90的长边和短边能够被倾斜地形成，向着荫罩板构架90的里面具有一个预定的角度，或者，能够被形成为具有预定曲率的弯曲表面。这时，荫罩板构架90的长边和短边的曲率被形成为小于荫罩板80的曲率。因此，形成的荫罩板构架90的长边的曲率半径R1和短边曲率半径R2大于荫罩板80的长边的曲率半径R3和短边曲率半径R4。而且，形成的荫罩板80的长边的曲率半径R3大于荫罩板80的短边的曲率半径R4。

如在图11和12中所示，在荫罩板80和荫罩板构架90被形成为枕形的情况中，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DS和DL变得比在荫罩板80被形成为枕形而荫罩板构架90被形成为矩形的情况中的小。而且，在荫罩板80和荫罩板构架90被形成为枕形的情况中，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DS和DL变得比在荫罩板80被形成为矩形而荫罩板构架90被形成为矩形的情况中的小。

下面的表4说明在荫罩板80为枕形的阴极射线管中的受地磁场影响的电子束50的位移。这里，DSc表示在荫罩板80的短边的中央和荫罩板构架90的短边的中央之间的间隔，而DLc表示在荫罩板80的长边的中央和荫罩板构架90的长边的中央之间的间隔。

[表4]

阴极射线管(CRT)的对角线尺寸(cm)	荫罩板的长边和短边的类型	DSc(mm)	DLc(mm)	按照地磁场的方向转换的电子束的位移μm)
						左右	前后
				81	枕形			7.7	10	105	95
81	枕形	3.1	7			100	95
				81	枕形			7	3.1	105	90

如在表4中所示，在对角线的尺寸是81cm和荫罩板80是枕形的阴极射线管中，当在荫罩板80的短边的中央和荫罩板构架90的短边的中央之间的间隔DSc从7和7.7mm减少到3.1mm时，受水平磁场的方向转换影响的电子束50的位移从105μm减少到100μm。又，当在荫罩板80的长边的中央和荫罩板构架90的长边的中央之间的间隔DLc从7和10mm减少到3.1mm时，受垂直磁场的方向转换影响的电子束50的位移从95μm减少到90μm。于是，当在荫罩板80的长边和短边和荫罩板构架90的长边和短边之间的间隔DS和DL被减少时，受磁场影响的电子束的位移能够被减少。

在下文中，在荫罩板80是枕形的阴极射线管中，按照荫罩板构架90的形状，在阴极射线管的每一个点测量的受磁场的方向转换影响的电子束的位移，将参考图13到17进行解释。

图13表示测量由于受磁场的影响的电子束位移的阴极射线管的每一个点。这里，L1和S1表示靠近荫罩板构架90的长边和短边的端部之间的位置，和L2和S2表示对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部与长边和短边的中央之间的长度L/2和S/2的大约30-40％的位置，L3和S3表示对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部与长边和短边的中央之间的长度L/2和S/2的大约70％的位置，而Lc和Sc表示靠近荫罩板构架90的长边和短边的中央的位置。

图14是说明按照在阴极射线管的每一个位置处的荫罩板构架90的形状的在左和右方向上的电子束位移的图，其中，荫罩板80是枕形，而图15是说明按照在阴极射线管的每一个位置处的荫罩板构架90的形状的在前面和后面方向上的电子束位移的图，其中，荫罩板80是枕形。这里，A是荫罩板构架为矩形的情况，B是枕形被应用在如图16中所示的荫罩板构架90的长边和短边的中央附近的情况，C是枕形被应用在如图17中所示的荫罩板构架90的长边和短边的端部附近的情况，和D是如图11中所示的从荫罩板构架90的长边和短边的端部到中央位置的枕形被应用的情况。

如在图14中所示，在磁场的方向转换时，阴极射线管的左和右方向上的电子束位移从A型向着D型被减少，其中，D型与A和B型有大的电子束位移的差别，但是，与C型有小的差别。

又，如在图15中所示，在磁场的方向转换时，前面和后面方向的电子束位移从A型向着D型被减少，其中，D型与A和B型有大的电子束位移差别，但是，与C型有小的差别。

即：在长边和短边的端部处，即在荫罩板构架90的外周，与长边和短边的中央相比，由于磁场引起的电子束位移是大的。而且，由于在荫罩板80和荫罩板构架90之间的增加的间隔而生成的磁场影响引起的增加的电子束位移主要是在荫罩板构架90的外周部分。

于是，枕形被应用在荫罩板构架90的外周附近的即图17的荫罩板构架90的长边和短边的端部的C型的电子束位移的减少的影响，相似于枕形被应用到图11的荫罩板构架90的整个长边和短边的D型的电子束位移的减少的影响。又，枕形被应用在C型荫罩板构架90的位置优选的是：在长边情况中的从位置L1到位置L3的位置，和在短边情况中的从位置S1到位置S3的位置。即：从荫罩板构架90的长边和短边的端部向着中央，朝里面倾斜的枕形，优选地被最高地应用到对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部和中央之间的长度L/2和S/2的大约70％的位置。

而且，如在图18中所示，在从荫罩板构架90的长边和短边的端部向着中央有倾斜角的宽度Ld和Sd具有在荫罩板构架90的长边和短边的端部和中央之间的距离L/2和S/2的70％的尺寸的荫罩板构架90中，从荫罩板构架90的长边和短边的端部到中央的倾斜角小于约15°，更优选地，倾斜角大约小于10°。

下面的表5说明当荫罩板80为枕形时受磁场影响的电子束的位移。这里，DS3表示在对应于从荫罩板构架90的短边的端部到短边的中央的距离S/2的70％的位置处的荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔，而DL3是在对应于从荫罩板构架90的长边的端部到长边的中央的距离L/2的70％的位置处的荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔。又，应用于荫罩板80的凸起和鸣叫特性被划分成三种类型：极好的、好的、和坏的。

[表5]

阴极射线管(CRT)的对角线尺寸(cm)	DSc(mm)	DLc(mm)	DS3(mm)	DL3(mm)	按照地磁场的方向转换的电子束的位移(μm)		凸起特性	鸣叫特性
									左右	前后
					81	7.7					10	5.5	8.0	105	95	×	×
81	7.7	10	5.5	3.0			105	70	△	×
					81	7.7					10	2.6	8.0	65	93	×	△
81	7.7	3.1	5.5	3.0			105	68	△	×
					81	7.7					3.1	2.6	8.0	65	90	×	△
81	3.1	10	2.6	8.0			63	95	×	△
					81	3.1					10	5.5	3.0	100	70	△	×
81	7.7	10	2.6	3.0			64	69	◎	◎
					81	3.1					3.1	5.5	8.0	100	90	×	×
81	3.1	3.1	2.6	3.0			62	67	◎	◎

◎：极好的、  △：好的、×：坏的

如由表5的第一行所示，在对角线的尺寸是81cm和荫罩板80是枕形的阴极射线管中，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔不被减少的情况中，即：在荫罩板80的长边和短边的中央和荫罩板构架90的长边和短边的中央之间的间隔DLc和DSc分别是10mm和7.7mm，以及在对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部和中央之间的距离L/2和S/2的70％的位置处的荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL3和DS3分别是8mm和5.5mm的情况中，在水平磁场转换时的电子束的位移是105μm，在垂直磁场转换时的电子束的位移是95μm，并且，凸起特性和鸣叫特性是坏的。

相反地，如由表5的最下面一行所示，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔被构成荫罩板构架90为枕形(D形)而减少的情况中，即：在荫罩板80的长边和短边的中央和荫罩板构架90的长边和短边的中央之间的间隔DLc和DSc分别是3.1mm，以及在对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部和中央之间的距离L/2和S/2的70％的位置处的荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL3和DS3分别是3.0mm和2.6mm的情况中，在水平磁场转换时的电子束的位移是62μm，在垂直磁场转换时的电子束的位移是67μm，并且，凸起特性和鸣叫特性是极好的。

即：在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔被构成荫罩板构架90为枕形而减少的情况中，由于水平磁场的方向转换引起的电子束的位移被大约减少40％，从105μm减少到62μm，并且，由于在垂直磁场的方向转换引起的电子束的位移被大约减少30％，从95μm减少到67μm。

又，如由表5的倒数第三行所示，在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔仅被对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部与中央之间的距离L/2和S/2的大约70％的宽度Ld和Sd(C型)的位置减少的情况中，即：在荫罩板80的长边和短边的中央和荫罩板构架90的长边和短边的中央之间的间隔DLc和DSc分别是10mm和7.7mm，以及在对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部和中央之间的距离L/2和S/2的70％的位置处的荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL3和DS3分别是3.0mm和2.6mm的情况中，由于水平磁场转换引起的电子束的位移是64μm，而由于垂直磁场引起的电子束的位移是69μm，这说明对通过形成荫罩板构架90的整个的长边和短边为枕形而减少荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔的D型荫罩板，效果是相似的。

于是，能够看到：电子束位移、鸣叫特性、和凸起现象被减少，即使是在仅通过形成荫罩板构架90的长边和短边为枕形而减少荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔，仅仅直到对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部和中央之间的距离L/2和S/2的70％的位置的情况中。

即，这是优选的：从荫罩板构架的长边的端部向着中央倾斜的长边的倾斜部分的宽度等于或者大于从荫罩板构架的长边的端部向着中央的宽度的70％，而从荫罩板构架的短边的端部向着中央倾斜的短边的倾斜部分的宽度等于或者大于从荫罩板构架的短边的端部向着中央的宽度的70％。

同时，为了获得本发明的效果，优选地，在荫罩板80的长边的中央和荫罩板构架90的长边的中央之间的间隔DLc，和在荫罩板80的短边的中央和荫罩板构架90的短边的中央之间的间隔DSc，必须小于常规技术的大约50％。即：在本发明的阴极射线管中，这是优选的：在荫罩板80的长边和短边的中央和荫罩板构架90的长边和短边的中央之间的间隔DLc和DSc必须小于在荫罩板80的长边和短边的中央和连接荫罩板构架90的长边和短边的每一个端部的虚构的连线的中央之间的间隔DLi和DSi的大约50％(在荫罩板的长边和短边的中央和在常规的阴极射线管中的荫罩板构架的长边和短边的中央之间的间隔)。又，如在表5中所示，考虑到在插入荫罩板到荫罩板构架时的可使用性，荫罩板和荫罩板构架之间的间隔至少被保持在2.6mm。优选地，荫罩板和荫罩板构架之间的间隔被构成为等于或者大于2.6mm。这能够被表示为下面的公式。

0.3≤DLc/DLi≤0.5                     (2)

0.3≤DSc/DSi≤0.5                     (3)

这里，DLi和DSi是连接荫罩板构架90的长边和短边的每一个端部和荫罩板80的长边和短边的中央的虚构的连线的中央之间的间隔。

又，即使在荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔仅被减少直到对应于在荫罩板构架90的长边和短边的端部到中央的距离的70％的位置(类似于C型)的情况，在对应于从荫罩板构架90的长边和短边的端部到中央的距离的70％的位置处的荫罩板80和荫罩板构架90之间的间隔DL3和DS3，优选地，大约小于DLi和DSi的50％，DLi和DSi是连接荫罩板构架90的长边和短边的每一个端部和荫罩板80的长边和短边的中央的虚构的连线的中央之间的间隔。这能够被表示为下面的公式。

0.3≤DL3/DLi≤0.5                     (4)

0.3≤DS3/DSi≤0.5                     (5)

在按照本发明的阴极射线管中，荫罩板的长边和短边向着里面凹入为枕形。因此，荫罩板的结构强度能够被改善。又，荫罩板构架的长边和短边向着里面凹入为枕形，这是为了对应于枕形荫罩板的曲面，使得在荫罩板和荫罩板构架之间的间隔被减少，并保持一个预定的间隔。于是，由磁场引起的电子束位移被减少，因此防止屏幕的色纯度被变坏，并防止荫罩板的凸起和鸣叫特性被变坏。

可以以几种形式使用本发明而不会背离其精神或者基本特征，应该明白：除非另外指明，前面描述的任何细节不限制上述的实施例，相反地，在其权利要求定义的精神和范围中应该被广泛地解释，因此，落入权利要求界限和范围内的或者等价的界限和范围内的所有的变化和修改都应该由所附的权利要求所包含。

Claims (20)

1、一种阴极射线管，包括：

一个外表面基本上是平面的面板；

一个荫罩板，荫罩板被安装成与面板的内表面有一定间隔，具有多个让电子束通过的孔，并形成为枕形，其中，荫罩板的长边和短边向着里面凹入；和

用于固定和支撑荫罩板的荫罩板构架，其中，荫罩板构架的长边和短边从端部向着中央倾斜，这是为了与荫罩板的长边和短边保持一个预定的间隔。

2、如在权利要求1中所述的阴极射线管，其中，荫罩板构架的长边和短边被形成为弯曲形，从端部到中央具有预定的曲率。

3、如在权利要求1中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

R1＞R3，R2＞R4，

这里，R1表示荫罩板构架的长边的曲率半径，R2表示荫罩板构架的短边的曲率半径，R3表示荫罩板的长边的曲率半径，R4表示荫罩板的短边的曲率半径。

4、如在权利要求3中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

R3＞R4。

5、如在权利要求1中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0.3≤DLc/DLi≤0.5，0.3≤DSc/DSi≤0.5，

这里，DLc表示在荫罩板的长边的中央和荫罩板构架的长边的中央之间的间隔，DSc表示在荫罩板的短边的中央和荫罩板构架的短边的中央之间的间隔，Dli表示在荫罩板的长边的中央和连接荫罩板构架的长边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔，和Dsi表示在荫罩板的短边的中央和连接荫罩板构架的短边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔。

6、如在权利要求1中所述的阴极射线管，其中，从荫罩板构架的长边的端部向着中央倾斜的长边的倾斜部分的宽度等于或者大于从荫罩板构架的长边的端部向着中央的宽度的70％，而从荫罩板构架的短边的端部向着中央倾斜的短边的倾斜部分的宽度等于或者大于从荫罩板构架的短边的端部向着中央的宽度的70％。

7、如在权利要求6中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0.3≤DL3/DLi≤0.5，0.3≤DS3/DSi≤0.5，

这里，DL3是在对应于从荫罩板构架的长边的端部向着中央的距离的70％的位置处的荫罩板构架和荫罩板之间的间隔，DS3表示在对应于从荫罩板构架的短边的端部向着中央的距离的70％的位置处的荫罩板构架和荫罩板之间的间隔，DLi表示在荫罩板的长边的中央和连接荫罩板构架的长边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔，和DSi表示在荫罩板的短边的中央和连接荫罩板构架的短边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔。

8、如在权利要求1中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0°≤Lcor≤15°  或0°≤Scor≤15°

这里，Lcor表示从荫罩板构架的长边的端部向着中央的倾斜角，而Scor表示从荫罩板构架的短边的端部向着中央的倾斜角。

9、如在权利要求8中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0°＜Lcor≤Scor≤10°。

10、如在权利要求1中所述的阴极射线管，其中，在荫罩板和荫罩板构架之间的间隔等于或者大于2.6mm。

11、一种阴极射线管，包括：

一个外表面基本上是平面的面板；

一个荫罩板，荫罩板被安装成与面板的内表面有一定间隔并具有多个让电子束通过的孔；和

用于固定和支撑荫罩板的荫罩板构架，其中，至少荫罩板构架的长边和短边中的一个边是向着荫罩板构架的里面凹入的并凹入里面。

12、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，至少荫罩板构架的长边和短边中的一个边被形成为弯曲的表面，弯曲的表面具有从端部向着中央的预定的曲率。

13、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

R1＞R3，R2＞R4，

这里，R1表示荫罩板构架的长边的曲率半径，R2表示荫罩板构架的短边的曲率半径，R3表示荫罩板的长边的曲率半径，R4表示荫罩板的短边的曲率半径。

14、如在权利要求13中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

R3＞R4。

15、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0.3≤DLc/DLi≤0.5，0.3≤DSc/DSi≤0.5，

这里，DLc表示在荫罩板的长边的中央和荫罩板构架的长边的中央之间的间隔，DSc表示在荫罩板的短边的中央和荫罩板构架的短边的中央之间的间隔，DLi表示在荫罩板的长边的中央和连接荫罩板构架的长边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔，和DSi表示在荫罩板的短边的中央和连接荫罩板构架的短边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔。

16、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，从荫罩板构架的长边的凸出部分的宽度等于或者大于从荫罩板构架的长边的端部向着中央的宽度的70％，而从荫罩板构架的短边的凸出部分的宽度等于或者大于从荫罩板构架的短边的端部向着中央的宽度的70％。

17、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0.3≤DL3/DLi≤0.5，0.3≤DS3/DSi≤0.5，

这里，DL3是在对应于从荫罩板构架的长边的端部向着中央的距离的70％的位置处的荫罩板构架和荫罩板之间的间隔，DS3表示在对应于从荫罩板构架的短边的端部向着中央的距离的70％的位置处的荫罩板构架和荫罩板之间的间隔，DLi表示在荫罩板的长边的中央和连接荫罩板构架的长边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔，和DSi表示在荫罩板的短边的中央和连接荫罩板构架的短边的二个端部的虚构的连线的中央之间的间隔。

18、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0°≤Lcor≤15°或0°≤Scor≤15°

这里，Lcor表示从荫罩板构架的长边的端部向着中央的倾斜角，而Scor表示从荫罩板构架的短边的端部向着中央的倾斜角。

19、如在权利要求18中所述的阴极射线管，其中，满足下面的条件：

0°＜Lcor≤Scor≤10°。

20、如在权利要求11中所述的阴极射线管，其中，在荫罩板和荫罩板构架之间的间隔等于或者大于2.6mm。

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