CN1518063A - 半导体晶片的处理装置 - Google Patents
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Abstract
照相制版处理装置设有：向对晶片(1500)进行处理的加热室内提供空气的供气管线(1200)；设在供气管线(1200)上的温湿调节器(1100)；探测加热室内的温度和湿度的温湿度监控传感器(1300)；与温湿度监控传感器(1300)和温湿调节器(1100)连接的控制器(1000)，该控制器控制温湿调节器(1100)，使具有与被温湿度监控传感器(1300)探测的加热室内空气的温度和湿度相同的温度和湿度的空气，经由供气管线(1200)提供给加热室内。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片的制造技术，尤其涉及在照相制版工序中的半导体晶片的制造技术。
背景技术
作为半导体晶片的晶片处理工序，包括成膜工序、照相制版工序以及刻蚀工序等各种工序。而在这些工序中，多数必须严格控制温度。
在日本专利申请特开平5-251456号公报，公开了改善加热炉内的半导体晶片的面内和晶片之间的温度均匀性的单片式半导体晶片的热处理装置。该热处理装置是对在加热炉中每次装入一片的半导体晶片进行热处理的装置，而且，在与加热炉连接的处理气体导入管线上设置气体温度调节器。
依据该热处理装置，通过调节导入加热炉中的处理气体的温度使加热炉内的温度稳定，由此改善半导体晶片的面内和基片之间的处理温度的均匀性。另外，由于能够减小或消除处理气体和半导体基片之间的温度差，因此，不会使半导体晶片面内的处理温度的均匀性变差，同时通过消除供给处理气体的温度变化，能够消除每个要处理的半导体晶片的处理温度偏差。
另外，在日本专利申请特开平6-177056号公报，公开了一种能够使晶片上的处理状态均匀地进行加热的气体处理装置。该气体处理装置包括：设有供被处理物出入的出入口的处理室；与处理室连接并供给处理气体的气体供给管线；设在处理室内的保持被处理物的受热台；设在受热台的被处理物的反对侧，并加热受热台的各不同区域的多个分隔加热器；以及从对处理室中被处理的被处理物的处理状态进行测定的处理状态测定装置接收测定数据、并对应于该测定数据各自控制分隔加热器的控制器。
依据该气体处理装置，需要基于被测定的处理状态的分布数据求得一种温度分布，使整个被处理物中这种状态分布均匀化。为了实现该温度分布，通过分别控制各自负责各区域加热的分隔加热器的加热输出，能够实现使被处理物的处理状态在整个被处理物中均匀分布的温度分布。结果，能够使被处理物内的处理状态稳定，并提高制造成品率。
但是，在日本专利申请特开平5-251456号公报中所公开的热处理装置，只不过是通过调节导入加热炉中的处理气体的温度来稳定加热炉内的温度。由于没有考虑处理气体的其它条件对半导体晶片品质的影响，因此，基于其它条件的半导体晶片的品质就不稳定。
另外，在日本专利申请特开平6-177056号公报中所公开的气体处理装置，作为关于在处理室被处理的被处理物的处理状态，测定形成在晶片上的处理膜的膜厚，并控制等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相淀积)处理装置的多个分隔加热器的温度。由于根据处理膜的膜厚控制加热器的温度，因此，不适用于进行薄膜形成处理的CVD处理装置等以外的半导体处理装置。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够使被处理物即半导体晶片的品质均匀化的半导体晶片的处理装置。
本发明的另一目的在于，提供一种能够使在照相制版处理工序中的被处理物即半导体晶片的品质均匀化的半导体晶片的处理装置。
本发明的又一目的在于，提供一种能够容易地使被处理物即半导体晶片的品质均匀化的半导体晶片的处理装置。
本发明的又一目的在于，提供一种能够在避免大幅度的成本上升的条件下，使被处理物即半导体晶片的品质均匀化的半导体晶片的处理装置。
在本发明一方面的半导体晶片处理装置中，晶片放置在设有提供流体的供气口和排出流体的排气口的加热室内。处理装置设有探测加热室内湿度的探测部和基于探测部探测的湿度来控制湿度调节装置的控制部。
在加热室内放置晶片进行处理时，基于被探测的加热室内的湿度进行控制，例如向加热室提供与加热室内的湿度相同的空气。由此，使加热室内空气的湿度均匀，从而在晶片上涂的抗蚀剂尤其是缩醛系正性抗蚀剂中，使以湿度变化为主因的反应速度均匀。结果，能够使化学增强型抗蚀剂的反应速度均匀，从而能够对涂在晶片上的抗蚀剂均匀地处理。
在本发明另一方面的半导体晶片处理装置中，晶片放置在设有提供流体的供气口和排出流体的排气口的加热室内。处理装置设有探测加热室内温度和湿度的探测部和基于探测部探测的温度和湿度控制温湿度调节装置的控制部。
在加热室内放置晶片进行处理时，基于被探测的温度与湿度对加热室内的温度和湿度进行控制，例如向加热室提供与加热室内的温度和湿度相同温度和湿度的空气。由此，使加热室内空气的温度和湿度均匀，从而，在晶片上涂的抗蚀剂尤其是缩醛系正性抗蚀剂中，使以温度和湿度变化为主因的反应速度均匀。结果，能够使化学增强型抗蚀剂的反应速度均匀，从而能够对涂在晶片上的抗蚀剂均匀地处理。
在本发明又一方面的半导体晶片的处理装置中，晶片放置在加热室内，在处理装置中设有能够对晶片的放置面的每多个区进行温度控制的多个加热器。处理装置设有：与区相对应地，对在处理装置进行处理后的晶片的图案尺寸进行测量的测量部；探测各加热器附近温度的探测部；基于被测量部测量的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的加热器的温度指令值的算出部；对每个区的加热器进行控制，以使被探测的温度成为被算出的温度指令值的控制部。
在本发明中，控制被设在处理装置的加热器，使在测量部被测量的图案尺寸和目标尺寸之间的差消除。结果，通过对加热器的温度进行控制，使由温度的不均匀而引起的图案尺寸的不均匀性在随后的晶片处理时消除。因此，能够消除图案尺寸的不均匀。
在本发明又一方面的半导体晶片处理装置中，晶片放置在加热室内，在与晶片相对的位置上设有能够对每多个区进行曝光量控制的曝光装置。处理装置设有：与区相对应地，对在处理装置进行处理后的晶片的图案尺寸进行测量的测量部；基于被测量部测量的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的曝光量指令值的算出部；对每个区进行曝光量控制，以使由曝光装置产生的曝光量成为被算出的曝光量指令值的控制部。
在本发明中，设定由被设在处理装置的曝光装置所产生的曝光量，从而使在测量部被测量的图案尺寸和目标尺寸之差消除。结果，通过对曝光量进行控制，使由曝光程度的不均匀而引起的图案尺寸的不均匀性在随后的晶片处理时消除。因此，能够消除图案尺寸的不均匀。
至于本发明的上述目的和其它目的，特征，形态与优点，通过如下的应参照附图进行理解的有关本发明的详细说明，能够得到进一步的明确。
附图说明
图1是本发明第一实施例的照相制版处理装置的框图。
图2是表示由图1中的控制器执行的程序的控制结构的流程图。
图3是本发明第二实施例的照相制版处理装置的框图。
图4是表示加热器和温度传感器的配置的图。
图5是表示存储在图3的计算机中的温度表的图。
图6是表示由图3中的控制器执行的程序的控制结构的流程图。
图7-图8是本发明第二实施例的照相制版处理装置的动作例的示图。
图9是本发明第三实施例的照相制版处理装置的框图。
图10是表示曝光量控制区的配置的图。
图11是表示存储在图9的计算机中的曝光量表的图。
图12是表示由图9中的控制器执行的程序的控制结构的流程图。
图13是本发明第三实施例的照相制版处理装置的动作例的示图。
具体实施方式
以下，参照附图，就本发明的实施例进行说明。在以下的说明和附图中，相同的部件用相同的符号表示。而且，这些部件的名称和功能也相同。因此，不再重复对这些部件的详细说明。
第一实施例
以下，就本发明第一实施例的照相制版处理装置进行说明。如图1所示，该照相制版处理装置设有：控制该照相制版处理装置的控制器1000，调节提供给加热室中的空气的温湿度的温湿调节器1100，从温湿调节器1100向加热室提供空气的供气管线1200，设在加热室内的温湿度监控传感器1300，以及从加热室排出空气的排出管线1400。另外，在加热室内设有放置晶片1500的放置台1700和设在放置台1700与晶片1500之间的加热板1600。
该照相制版工序中：在晶片1500上涂化学增强型抗蚀剂，并通过遮挡光线的掩模图案进行光的照射，由此，使部分抗蚀剂产生化学反应，使抗蚀剂残留在晶片1500上与加有掩模的位置对应的部分。
涂在晶片1500的化学增强型抗蚀剂，通过曝光从光酸产生剂产生酸，而且，通过热处理使产生的酸分解与树脂结合的保护基。由此，被脱除保护的树脂能够被显影液溶解，并能够进行预定的处理。该化学增强型抗蚀剂包括负性抗蚀剂、缩醛系正性抗蚀剂以及热处理系抗蚀剂。缩醛系正性抗蚀剂的反应速度，不仅受反应时的温度影响也受反应时的湿度影响。
从设在加热室内的监控加热室内空气的温湿度的温湿度监控传感器1300，向控制器1000输入表示加热室内空气的温度和湿度的信号。控制器1000将从温湿度监控传感器1300输入的温度和湿度作为反馈控制的目标值，发送给温湿调节器1100。然后，温湿调节器1100调节提供给供气管线1200的空气的温度和湿度，以达到从控制器1000接收的目标值。再有，也可以特别地只调节湿度。
参照图2，就由图1所示的控制器1000执行的程序的控制结构进行说明。
在步骤(以下，将步骤略写成S。)1000中，控制器1000判断是否到了采样时间。如到了采样时间(在S1000中为“是”)，处理就转移到S1100。如还没有到采样时间(在S1000中为“否”)，处理就返回至S1000，一直等到采样时间到来。
在S1100中，表示设在加热室内的温湿度监控传感器1300所探测的温度和湿度的信号被输入到控制器1000。
在S1200中，控制器1000将在S1100输入的温度和湿度作为指令值(反馈控制的目标值)发送给温湿调节器1100。然后，处理返回至S1000。也就是说，每次采样时间(例如100msec)都重复进行这样的S1000～S1200的处理。
下面，就基于如上所述的结构和流程图，对本实施例的照相制版处理装置的动作进行说明。在照相制版处理装置的加热室内放置晶片1500，并开始照相制版处理。预先由温湿调节器1100调节了温度和湿度的空气，通过供气管线1200提供给加热室内。设在加热室内的温湿度监控传感器1300，探测提供给加热室内的空气的温度和湿度并将其结果发送给控制器1000。
控制器1000基于从温湿度监控传感器1300接收到的表示加热室内的温度和湿度的信号，将控制信号即指令值(反馈控制的目标值)发送给温湿调节器1100，以达到与加热室内空气的温度和湿度相同的温度和湿度。温湿调节器1100基于从控制器1000接收的指令值，进行以该指令值作为目标值的反馈控制，控制提供给加热室的空气的温度和湿度，使之与加热室内空气的温度和湿度相同。
如上所述，依据本实施例的照相制版处理装置，在加热室内放置晶片并进行照相制版处理时，向加热室提供具有与加热室内的温度和湿度均相同的温度和湿度的空气。由此加热室内空气的温度和湿度变得均匀。如以这样的状态进行照相制版处理，由于涂在晶片上的抗蚀剂，尤其是缩醛系正性抗蚀剂的湿度均匀，因此反应速度均匀。结果，能够使化学增强型抗蚀剂的反应速度均匀，从而能够使涂在晶片上的抗蚀剂均匀溶解。
第二实施例
以下，就本发明第二实施例的照相制版处理装置进行说明。另外，在以下所说明的本实施例的照相制版处理装置的硬件结构中，不再重复与前述的第一实施例的照相制版处理装置相同的硬件结构的详细说明。
参照图3，就本实施例的照相制版处理装置的控制框图进行说明。如图3所示，本实施例的照相制版处理装置，在前述的第一实施例的照相制版处理装置的硬件结构以外，还设有使放置台1700水平方向旋转的旋转机构1800。而且，加热板1600设有多个加热器和探测该加热器附近温度的温度传感器。另外，在与温湿调节器1100和温湿度监控传感器1300连接的控制器1000以外，还设有与计算机2000和加热板1600连接的控制器2100。另外，计算机2000与检查工序计算机2200连接。
检查工序计算机2200测定在该照相制版处理装置中被处理的晶片1500的图案尺寸。图3中所示的图案尺寸，是指涂在晶片1500上的未被溶解处理的抗蚀剂残留部分的尺寸。
图3中所示的图案尺寸大，就表示残留抗蚀剂过多，化学增强型抗蚀剂的反应不够充分。作为反应不够充分的理由，有可能是因为加热板1600的温度低，所以只要提高其温度或者如后述的那样增加曝光量即可。
图3所示的图案尺寸小，就表示抗蚀剂过多地被溶解，化学增强型抗蚀剂的反应过度。作为反应过度的理由，有可能是因为加热板1600的温度高，所以只要降低其温度或减少后述的曝光量即可。
计算机2000从检查工序计算机2200接收图案尺寸，并基于该图案尺寸算出加热器温度指令值，将算出的加热器温度指令值发送给控制器2100。控制器2100基于从计算机2000接收的加热器温度指令值，对加热板1700的加热器进行反馈控制。在控制器2100，从探测设置在加热板1600的多个加热器的温度的温度传感器输入表示加热器温度的信号，同时从控制器2100向加热板1600发送加热器控制信号。
参照图4，图中表示了在加热板1600上的加热器1610和温度传感器1620之间的配置。图4所示的加热器1610和温度传感器1620的配置，与检查工序计算机2200的图案尺寸的测定区域对应设定。也就是说，检查工序计算机2200将晶片1500分割成多个区域(例如，对直径为200毫米的晶片分割成20毫米×20毫米的区域)，并将该区域内的图案尺寸的平均值作为该区域的图案尺寸的代表值算出。
另一方面，如图4所示，与该区域对应地配置加热器1610和温度传感器1620。还有，不一定必须将检查工序计算机2200的测定区域与加热板1600上的加热器1610和温度传感器1620的分隔区域一一对应。
而且，检查工序计算机2200将图案尺寸发送给计算机2000，但不一定都是这样。例如，如果设定成由检查工序计算机2200算出基于图案尺寸的加热器温度指令值，那么也可以由检查工序计算机2200算出加热器温度指令值，并发送给控制器2100。
参照图5，就存储在计算机2000的固定盘或存储器中的温度表进行说明。如图5所示，该温度表在半导体存储器的每个品种名、工序名下，存储每单位温度的尺寸变化量。例如，在品种名为“DRAM”工序名为“1F”的场合，加热器的温度每变化1度图案尺寸只变化5nm。对每个品种和每个工序，存储这样的每单位温度的尺寸变化量。
在从检查工序计算机2200接收的图案尺寸小于目标图案尺寸时，计算机2000判断为化学增强型抗蚀剂反应过度，并算出温度指令值以使温度下降。在从检查工序计算机2200接收的图案尺寸大于目标图案尺寸时，计算机2000判断为化学增强型抗蚀剂反应不够充分，并算出温度指令值以使温度上升。此时，参照图5中所示的温度表，算出加热器的温度指令值。
参照图6，就由计算机2000执行的程序的控制结构进行说明。
在S2000中，计算机2000判断是否从检查工序计算机2200接收到图案尺寸数据。如果从检查工序计算机2200接收到图案尺寸数据(在S2000中为“是”)，处理就转移到S2100。如果没有接收到(在S2000中为“否”)，处理就返回至S2000，一直等到从检查工序计算机2200接收到图案尺寸数据为止。
在S2100中，计算机2000对每个区算出晶片1500内的图案尺寸和目标图案尺寸之间的尺寸差。在S2200中，参照温度表(图5)，计算机2000对每个区算出用以消除尺寸差的加热器温度。
在S2300中，计算机2000将每个区的加热器温度作为反馈控制的目标温度值发送给控制器2100。控制器2100将从计算机2000接收的加热器温度指令值作为反馈信号的目标值控制加热器1610。此时，在多个加热器中的每个加热器1610上分别进行反馈控制。
基于如上所述的结构和流程图，就本实施例的照相制版处理装置的动作进行说明。
在该照相制版处理装置中，进行晶片1500的照相制版处理，并转移到检查工序。在检查工序中，测定图案尺寸。经测定的图案尺寸被输入到检查工序计算机2200。检查工序计算机2200将输入的图案尺寸发送给计算机2000(在S2000中为“是”)。接收到图案尺寸的计算机2000，对每个在检查工序计算机中图案尺寸的测定区域即区，算出晶片内的图案尺寸和目标图案尺寸之间的尺寸差(S2100)。此时，获得图7所示的图案尺寸的测定结果。如图7所示，晶片1500被分割成72个区(区域)。在每个区域，分别测定图案尺寸数据。
参照温度表(图5)，由计算机2000对每个区算出用以消除尺寸差的加热器温度(S2200)。此时，如图8所示，假设晶片1500内的图案尺寸不均匀。在图案尺寸的目标值为0.260μm时，算出图7中所示的每个区的图案尺寸值和目标图案尺寸值之间的差，如果图案尺寸大于图案尺寸目标值，就算出使当前温度提高的加热器温度，如果图案尺寸小于目标图案尺寸，就算出使当前温度降低的加热器温度。此时，参照图5中所示的温度表，对应于要变动的尺寸量算出要改变加热器多少温度。通过这样的处理，算出用以消除尺寸差(图案尺寸和目标图案尺寸之间的差)的加热器温度。
加热器温度指令值作为反馈控制的目标温度值，由计算机2000发送给控制器2100。在控制器2100中，控制通过加热器1610的电力的电流值，以使由加热板1600的温度传感器1620探测的温度达到反馈控制的目标值。
在本实施例中，如图7所示，对于在检查工序计算机2200中将图案尺寸分割成72个区测定，如图4所示，在加热板1600分开配置9组加热器1610和温度传感器1620。因此，将72个测定区变换成9个温度控制区，进行加热板1600的温度控制。
另外，如图3所示，在本实施例的照相制版处理装置中，设有第一实施例的照相制版处理装置的控制器1000、温湿调节器1100及温湿度监控传感器1300。因此，为了使加热室内空气的温度和湿度均匀，将被调节为与由温湿度监控传感器1300探测的温度和湿度相同的温度和湿度的空气提供给加热室。而且，通过旋转机构1800在水平方向上旋转放置晶片1500的放置台1700。因此，能够进一步消除温度和湿度的不均匀。
如上所述，依据本实施例的照相制版处理装置，为了消除在检查工序中被测量的图案尺寸和图案目标尺寸之差，分别控制设置在加热板上的多个加热器。结果，控制加热器的温度，使得在下一晶片处理时，因加热板温度的不均匀而引起的图案尺寸的不均匀性被消除，因此，能够取消图案尺寸的不均匀。
第三实施例
以下，就本发明第三实施例的照相制版处理装置进行说明。参照图9，就本实施例的照相制版处理装置的控制框图进行说明。另外，在图9所示的控制框图中，对于与前述的图3中所示的控制框图相同的结构用相同的参照符号表示，而且，它们的功能也相同。因此，这里就不重复对这些的详细说明。
如图9所示，本实施例的照相制版处理装置，与前述的第二实施例的照相制版处理装置的结构的不同之处在于，设有曝光装置3000及曝光装置3000的控制器3100。另外，计算机2000基于从检查工序计算机2200接收的图案尺寸，将由后述的曝光量表算出的曝光量指令值发送给控制器3100。控制器3100基于从计算机2000接收的曝光量指令值，控制曝光装置3000。
参照图10，图中表示了在曝光装置3000的控制区。在图10中所示的曝光装置3000的控制区，并不与前述的图7中所示的检查工序计算机2200的图案尺寸的测定区在数量上一一对应。这样，在不一一对应的场合，与前述的第二实施例相同地，需要进行使在检查工序计算机2200中被测定的图案尺寸的区和曝光装置3000的区对应的处理。还有，也可以使图7中所示的图案尺寸的测定区域和图10中所示的曝光装置3000的曝光量控制区一一对应。
参照图11，就存储在计算机2000的固定盘或存储器的曝光量进行说明。如图11所示，曝光量表在每个品种名与工序名下存储每单位曝光量的尺寸变化量。例如表中存有：在品种名为“FLASH”、工序名为“1F”时，如使曝光时间变化1msec，图案尺寸就变化3nm。如曝光时间更长，化学增强型抗蚀剂就反应过量，如曝光时间较短，化学增强型抗蚀剂就反应不足。因此，如果由于进行较少的反应而图案尺寸大于目标图案尺寸，那么为了进一步反应将曝光时间计算得较长，如果由于进行过多的反应而图案尺寸小于目标图案尺寸，那么为了抑制反应将曝光时间计算得较短。此时，曝光时间的变化量参照图11中所示的曝光量表被算出。
参照图12，就由计算机2000执行的程序的控制结构进行说明。
在图12所示的流程图中，对于与前述的图6中所示的流程图相同的处理用相同的步骤号码表示，而且这些处理都是相同的。因此，这里就不重复对它们的详细说明。
在S3000中，参照曝光量表(图11)，计算机2000对每个区算出用以消除尺寸差的曝光量。此时，以曝光时间作为曝光量算出。
在S3100中，计算机2000向控制器3100发送每个区的曝光量。从计算机2000作为曝光量指令值接收了每个区的曝光量(曝光时间)的控制器3100，在每个曝光控制区控制曝光装置3000，以达到其曝光时间。
基于上述的结构和流程图，就本实施例的照相制版处理装置的动作进行说明。在该照相制版处理装置中处理的晶片1500被转移到检查工序，在检查工序中测量图案尺寸，而且经测量的图案尺寸被输入到检查工序计算机2200。输入到检查工序计算机2200的图案尺寸，被发送给计算机2000(S2000)。在计算机2000中，对每个区算出晶片的图案尺寸和目标图案尺寸之间的尺寸差(S2100)。
通过参照曝光量表(图11)，计算机2000对每个区算出用以消除尺寸差的曝光量(曝光时间)(S3000)。计算机2000将算出的曝光量(曝光时间)发送给控制器3100。控制器3100基于从计算机2000接收的曝光量指令值(曝光时间)控制曝光装置3100。此时，例如，曝光时间如图13中所示被确定。
如上所述，依据本实施例的照相制版处理装置，测量在该照相制版处理装置被进行处理的晶片的图案尺寸，并设定曝光时间以消除该图案尺寸和目标图案尺寸之差。用如此设定的曝光时间，对下一次的晶片进行处理，消除晶片上的图案尺寸的不均匀。
以上对本发明进行了详细的说明，但这只是例示，并不对本发明构成限定，而本发明的精神和范围应当只由权利要求书来限定。
Claims (15)
1.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在设有提供流体的供气口和排出所述流体的排气口的加热室内，所述处理装置设有：
探测所述加热室内湿度的探测部；以及
基于所述探测部探测的湿度控制湿度调节装置的控制部。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：所述控制部将所述被探测的湿度作为对所述湿度调节装置的指令值算出，并基于所述指令值控制所述湿度调节装置。
3.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述探测部探测所述加热室内的温度和湿度；
所述控制部基于所述探测部探测的温度和湿度控制温湿度调节装置。
4.如权利要求3所述的处理装置，其特征在于：
所述控制部将所述被探测的温度和湿度作为对所述温湿度调节装置的指令值算出，并基于所述指令值控制所述温湿度调节装置。
5.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在加热室内，在所述处理装置设有可对所述晶片的放置面的每多个区进行温度控制的多个加热器，所述处理装置设有：
与所述区相对应地测量在所述处理装置中进行处理后的晶片的图案尺寸的测量部；
探测各所述加热器附近温度的探测部；
基于由所述测量部测量的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的加热器的温度指令值的算出部；以及
对所述每个区的加热器进行控制，以使所述被探测的温度成为所述被算出的温度指令值的控制部。
6.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于：
所述处理装置还设有，预先存储表示加热器的每单位温度的图案尺寸变化量的温度表的存储部；
所述算出部算出使所述被测量的图案尺寸成为所述图案尺寸的目标值的变化量，并基于所述被算出的变化量和所述被存储的温度表算出所述温度指令值。
7.如权利要求6所述的处理装置，其特征在于：所述存储部对每种晶片的种类和处理装置的特性，预先存储表示加热器的每单位温度的图案尺寸的变化量的温度表。
8.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在加热室内，在所述处理装置设有可对所述晶片的放置面的每多个区进行温度控制的多个加热器，所述处理装置设有：
与测量装置连接，并从所述测量装置接收由所述测量装置测量的与在所述处理装置中进行处理后的晶片的所述区相对应的图案尺寸的接收部；
基于所述接收部接收的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的加热器的温度指令值的算出部；以及
向为使所述加热器附近的温度成为所述被算出的温度指令值而进行控制的温度处理装置，发送所述温度指令值的发送部。
9.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在加热室内，在与所述晶片相对的位置设有可对每多个区进行曝光量控制的曝光装置，所述处理装置设有：
与所述区相对应地测量在所述处理装置中进行处理后的晶片的图案尺寸的测量部；
基于由所述测量部测量的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的曝光量指令值的算出部；以及
对所述每个区进行曝光量控制，以使所述曝光装置的曝光量成为所述被算出的曝光量指令值的控制部。
10.如权利要求9所述的处理装置，其特征在于：
所述处理装置还设有，预先存储表示所述曝光装置的每单位曝光量的图案尺寸的变化量的曝光量表的存储部；
所述算出部算出使所述被测量的图案尺寸成为所述图案尺寸的目标值的变化量，并基于所述被算出的变化量和所述被存储的曝光量表算出所述曝光量指令值。
11.如权利要求10所述的处理装置，其特征在于：所述存储部对每个晶片的种类和处理装置的特性，预先存储表示曝光装置的每单位曝光量的图案尺寸的变化量的曝光量表。
12.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在加热室内，在与所述晶片相对的位置设有可对每多个区进行曝光量控制的曝光装置，所述处理装置设有：
与测量装置连接，并从所述测量装置接收由所述测量装置测量的与在所述处理装置中进行处理后的晶片的所述区相对应的图案尺寸的接收部；
基于由所述接收部接收的、与区相对应的图案尺寸，算出每个区的曝光量指令值的算出部；
向为使所述曝光量成为所述被算出的曝光量指令值而进行控制的曝光处理装置，发送所述曝光量指令值的发送部。
13.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在设有提供流体的供气口和排出所述流体的排气口的加热室内，在所述处理装置设有可对所述晶片的放置面的每多个区进行温度控制的多个加热器，所述处理装置设有：
探测所述加热室内的温度和湿度的第一探测部；
基于由所述第一探测部探测的温度和湿度，控制温湿度调节装置的第一控制部；
与所述区相对应地测量在所述处理装置中进行处理后的晶片的图案尺寸的测量部；
探测各所述加热器附近温度的第二探测部；
基于由所述测量部测量的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的加热器的温度指令值的算出部；以及
对所述每个区的加热器进行控制，以使所述被探测的温度成为所述被算出的温度指令值的第二控制部。
14.一种半导体晶片的处理装置，所述晶片放置在设有提供流体的供气口和排出所述流体的排气口的加热室内，在与所述晶片相对的位置设有可对每多个区进行曝光量控制的曝光装置，所述处理装置设有：
探测所述加热室内的温度和湿度的探测部；
基于所述探测部探测的温度和湿度，控制温湿度调节装置的第一控制部；
与所述区相对应地测量在所述处理装置中进行处理后的晶片的图案尺寸的测量部；
基于由所述测量部测量的与区相对应的图案尺寸，算出每个区的曝光量指令值的算出部；以及
对所述每个区进行曝光量控制，以使所述曝光装置的曝光量成为所述被算出的曝光量指令值的第二控制部。
15.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于：所述晶片处理装置是使用化学增强型抗蚀剂的照相制版处理装置。
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