CN1363925A - 磁复录方法和磁复录装置 - Google Patents

Abstract

一种磁复录方法,是利用磁复录,从磁复录用主载体向从属介质复录商品位的复录图形,与磁图形的位置无关。以夹持着从属介质,同极彼此相对,磁极轴垂直从属介质的方式,配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁,沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁,通过大致沿从属介质面的磁道方向施加磁场,预先大致沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化后,将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触,沿磁道方向施加和从属介质紧密接触,沿磁道方向施加和从属介质面初期直流磁化方向相反的复录用磁场,进行磁复录。

Description

磁复录方法和磁复录装置

本发明是关于在磁复录介质上一次复录很多情报的方法，特别是关于向大容量、高复录密度的磁复录介质上复录情报的方法。

在数字图像应用的进展中，以可变电容器等处理情报的数量飞速地增加着，随着情报量的增加，则要求一种能以大容量并廉价地复录情报，而且复录和读取时间极短的磁复录介质。

在硬盘等高密度复录介质和以ZLP(Iomega)  为代表的高密度软盘型的磁复录介质中，其构成是与一般的软盘比较，以狭窄的磁道构成情报复录区域，为了能使磁头准确地扫描狭窄磁道的宽度，和以较高的S/N比进行信号的记录和再生，需要使用跟踪伺服技术进行准确的扫描。

因此，在像硬盘、可在移动的磁复录介质一类的大容量磁复录介质中，在盘中以1周的间隔复录着跟踪用的伺服信号、地址情报信号和再生时钟信号等，所谓形成予格式化。

磁头在读取予格式化的信号时，可修正自己的位置，准确地在磁道上移动。

现在的予格式化是使用专门的伺服复录装置，在盘上进行制作，每1张、每1个磁道地进行复录，从而产生的问题是，伺服复录装置昂贵，由于予格式化制作需要很长时间，所以制造需要很长时间，并对制造费用产生影响。

因此，也提出了用磁复录方式，每1个磁道地进行予格式化的方案。例如，特开昭63-183623号公报，特开平10-40544号公报，和特开平10-269566号公报中介绍的复录技术，然而，在该磁复录方法中，主要是着重于复录时施加磁场的条件和产生磁场的具体装置，但实际上该提案并没有执行。

作为解决这种老问题的复录方法，在特开昭63-183623号公报和特开平10-40544号公报中提出了一种方法，即，在基板表面上形成与情报信号相对应的凹凸形状，凹凸形状中，至少在凸部表面上形成强磁性薄膜，将这样的磁复录用主载体的表面与形成强磁性薄膜或强磁性粉涂布层的片状或盘状磁复录介质的表面接触，或者进一步施加交流偏置磁场或直流磁场，将构成凸部表面的强磁性材料进行激磁，将与凹凸形状相对应的磁化图形复录在磁复录介质上。

该方法的特征是将磁复录用主载体的凸部表面与予格式化的整个磁复录介质，即从属介质紧密接触，同时对构成凸部的强磁性材料进行激磁，通过复录在从属介质上形成规定格式的方法，不使磁复录用主载体和从属介质的相对位置发生变化，而是在静止下进行复录，可准确地进行予格式化复录，而且还有复录所用时间极短的特征，即，在上述用磁头进行复录的方法中，通常需要数分钟到数十分钟，而且存在复录所用时间复录容量成比例地增加的问题，而这种磁复录方法，具有的特征，可以说是与复录和复录密度没有任何关系，仅在1秒以内就可完成复录。

参照图1对复录磁复录用主载体中予格式化用图形进行说明，图1(A)是对磁复录用主载体的磁性层面进行模式说明的平面图，图1(B)是说明复录过程的断面图。

在磁复录用主载体1的磁道规定区域内形成予格式化区域2和数据区域3，在予格式化区域2中形成有全部复录跟踪用的伺服信号和地址信号的图形，通过将磁复录用主载体1和从属介质4紧密接触，沿磁道方向5施加复录用外部磁场6，由于能将予格式化情报作为复录情报7复录在从属介质一侧上，所以可高效地制造从属介质。

而且，在利用这种方法进行复录时，会产生情报信号品位低劣的现象，也有时产生伺服工作不准确的现象，但对这种情况还不明确。

本发明的目的是提供一种稳定的复录方法和装置，即将磁复录用主载体和从属介质紧密接触，施加外部磁场，通过复录予格式化图形制作成从属介质，从而可防止伺服工作不准确的现象。

本发明的磁复录方法，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，将以磁极轴对称形成磁化的单一永久磁铁，以夹持着从属介质，同极彼此相对，磁极轴垂直从属介质的方式进行配置，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿磁道方向施加和从属介质面初期直流磁化方向相反的复录用磁场，进行磁复录。

本发明的磁复录方法，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，以夹持着从属介质，同极彼此相对的方法，配置以磁极轴对称形成磁化的单一永久磁铁，在磁道方向上，使该永久磁铁一端间的距离与另一端的距离不同，倾斜配置，在磁道方向上形成非对称化的磁场强度分布，沿磁道方向旋转如此配置的磁铁或从属介质，通过大致沿从属介质面的磁道方向施加磁场，沿磁道方向，予先将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿磁道方向施加与从属介质面初期直流磁化方向相反向的复录用磁场，进行磁复录。

本发明的磁复录方法，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，沿从从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述直流磁化的从属介质紧密接触，以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且，在磁道方向上使该永久磁铁一端间距离与另一端的距离不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，沿磁道方向旋转如此配置的磁铁，或者旋转磁复录用主载体和从属介质紧密接触的紧密接触体，施加和初期直流磁化方向相反向磁道方向的复录用磁场，进行磁复录。

上述的磁复录方法中，以磁极轴垂直于从属介质面，夹持着从属介质，同极彼此相对的方式，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

上述的磁复录方法中，以夹持着从属介质，同极彼此相对的方式，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的距离不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，此时产生的磁场，沿磁道方向的磁场强度分布，在磁道方向位置上仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，相反方向的磁场强度都低于从属介质的保磁力Hcs。

上述的磁复录方法中，以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的距离不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布中，在任何一个磁道方向位置上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，而在一个磁道方向上至少存在1处以上的形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，与其相反的磁道方向上的磁场强度都低于最适宜复录磁场强度范围的最小值。

上述的磁复录方法中，相对于从属介质的保磁力Hcs，最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

本发明的一种磁复录装置，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的磁复录介质从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括：以磁极轴垂直于从属介质面，并夹持着从属介质，同极彼此相对，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，沿磁道方向旋转紧密接触体或永久磁铁，沿磁道方向施加和从属介质面初期直流磁化方向相反的复录用磁场的复录磁场施加装置。

本发明的磁复录装置是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的磁复录介质从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括：以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上，该永久磁铁一端的间距和另一端的距离不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，通过沿磁道方向旋转永久磁铁或从属介质，沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，对该紧密接触体，沿磁道方向施加和从属介质面初期直流磁化方向相反的复录用磁场的复录磁场施加装置。

本发明的磁复录装置，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的磁复录介质从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括：将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，以夹持着该紧密接触体，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的距离不同，由如此配置的永久磁铁构成的复录磁场施加装置，旋转紧密接触体或复录磁场施加装置中任何一个的旋转装置。

上述磁复录装置中，初期直流磁化装置是以磁极轴垂直于从属介质面，并夹持着从属介质，同极彼此相对，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，此时产生的磁场，在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质的保磁力Hcs的磁场强度部分。

上述磁复录装置中，初期直流磁化装置是以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的距离不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，由如此配置的永久磁铁沿磁道方向形成的磁场强度分布，在磁道方向位置上仅在一个方向上具有高于从属介质的保磁力Hcs的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，相反向的磁场强度都低于从属介质的保磁力Hcs。

上述磁复录装置中，复录磁场施加装置是以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上永久磁铁一端的间距和另一端的距离不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度，由如此配置的永久磁铁，产生磁场在磁道方向上的磁场强度分布中，在任何一个磁道方向位置上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，而在一个磁道方向上至少存在一处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，与其相反的磁道方向上的磁场强度，在任何一个磁道方向位置上都低于最适宜复录磁场强度范围的最小值。

上述磁复录装置中，最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

在将磁复录用主载体和从属介质紧密接触，由外部放置复录用磁场时，由于复录不稳定，产生信号品位降低的部分，本发明者们发现了原因，是由于复录时施加磁场不当造成信号品位降低，并由此想到了本发明。

一般认为在从磁复录用主载体向从属载体进行磁复录中，当施加高于从属介质保持力Hcs的外部磁场时，在施加方向上整个从属介质形成磁化状态下，因此，不能复录原本应该复录的整个图形，例如在特开平10-40544号公报0064号段落中记载的，最好与磁复录介质保持力同等程度以下。

因此，根据本发明者们的研究可知，本方式中的磁复录原理，如图1所示，磁复录用主载体1与从属介质4实际接触的凸状磁性层部分，复录用外部磁场6向该凸状部分吸收的磁场为6a，在接触的从属介质4的磁性层上不能形成可复录的磁场强度，但在与磁复录用主载体1与从属介质4没有接触的凹状部分相对应的从属介质4的磁性层上，形成可复录的磁场强度，如图1中7所示，沿复录用外部磁场6的方向进行磁化，可将磁复录用主载体1的予格式化用的图形作为复录情报7，向从属介质4上进行复录。

因而，在从磁复录用主载体向从属介质复录时，与从属介质接触部分，由于大量的磁场进行磁复录用主载体的图形部分内，在从属介质上施加了高于保磁力Hcs的复录磁场，而不会颠倒，和从属介质的保磁力Hcs比较，通过使用具有特定关系强度的复录用磁场，从而可得到信号品位很高的从属介质。

为了对任何图形实现明了的复录，首先在一个方向上用足够的磁场，高于保磁力Hcs，最好用1∶2倍以上Hcs的磁场对从属介质进行初期直流磁化，再放加特定强度的复录用磁场，即最适宜复录磁场强度范围内的磁场，最好的复录用磁场为0.6×Hcs≤复录用磁场≤1.3×Hcs，施加方向为与初期直流磁化的方向相反。

复录用磁场更好为0.8～1.2Hcs，尤其好为1～1.1Hcs。

伺服用进行予格式化的磁复录介质是圆盘状的复录介质，沿着从旋转中心开始描绘成同心圆状的磁道复录情报，在这样的圆盘状磁复录介质上施加复录放射状图形的磁场，其方法是在从属介质面的磁道方向，即任意的磁道方向位置上，以圆弧切线的方向施加磁场，沿磁道方向，予先将从属介质形成初期直流磁化。

接着，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。予先在从属介质上沿磁道方向施加磁场，初期直流磁化的方向和为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上必须是反向。

为了在整个圆盘状介质面上施加上述施加磁场条件的磁场，在磁道方向的一部分上产生像在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质的保磁力Hcs的磁场强度部分那样的磁场强度分布的磁场，通过将从属介质或磁场沿磁道方向放置1周，可实现初期直流磁化。

在磁道方向位置上，仅在一个方向上具有高于从属介质的保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生像在任何磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质的保磁力Hcs那样的磁场强度分布的磁场，通过沿磁道方向将从属介质或磁场旋转1周，可施加沿磁道方向予先将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

在任何一个磁道方向位置上不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在一处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生像在任何磁道方向位置上与其相反磁道方向的磁场强度低于最适宜复录磁场强度范围最小值那样的磁场强度分布的磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属载体紧密接触的状态下，通过沿磁道方向旋转，或者通过沿磁道方向旋转磁场，可实现沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

在本发明的方法中，将永久磁铁的磁极轴斜对从属介质面，以倾斜状附与复录磁场，这时磁极轴倾斜的最适宜值，虽然根据磁铁的形状变化，但在长方体的永久磁铁时，磁极轴垂直面和从属介质面形成的夹角角度θ，最好为5°～70°，更好为20°～55°。

初期直流磁化和磁复录中用的永久磁铁，大小最好和从从属介质一端的磁道到另一端磁道的距离同等大小，或者大于该距离。当为圆盘状从属介质时，最好和从从属介质最外周磁道到最内圆磁道的半径方向距离同等大小，或大于该距离的磁铁，通过使用这样大小的磁铁，将从属介质，从属介质和磁复录用主载体的紧密接触体，和永久磁铁中的任何一个，在磁道总长中沿一个方向移动或仅旋转1周，就可以在从属介质面上附与均匀的磁场。

使用永久磁铁施加的磁场强度，要求在整个磁道位置上是均匀的，它的偏差大小，在整个磁道位置上最好在±5％以内，更好在±2.5％以内。

以下参照附图对复录方法和复录装置进行说明。

图2是使用相对的2个永久磁铁施加磁场方法的说明图

图2(A)为一示例，即在从属介质4的上面和下面，在同种磁极相对的状态下，配置与磁极轴形成对称磁化的永久磁铁8a、8b，并旋转从属介质。

如图2(B)所示，从从属介质4的上面和下面设置的单一永久磁铁8a和8b，对从属介质4的面，附与磁场9。

图2(C)是附与从属介质的磁场强度示意图。在附与从属介质的磁场中存在超过从属介质的保磁力Hcs的峰值10，通过旋转从属介质或旋转磁场，可将从属介质形成初期直流药化。

图3是另一施加磁场方法的说明图。

图3(A)是施加非对称磁场方法的说明图，图3(B)是通过施加图3(A)的磁场，所附与磁场强度的说明图。

以夹持着从属介质4，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁8c和8d，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距11a与另一端的间距11b不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度，对从属介质4的表面附与非对称磁场12，通过相对于从属介质1的中心轴沿磁道方向旋转从属介质4，或倾斜的永久磁铁8c和8d，在从属介质的整个面上附与非对称磁场，进行初期直流磁化。

非对称磁场中，一方强度小的峰值13对从属介质的初期直流磁化不产生任何影响，只强度大的峰值14对初期直流磁化产生作用。

图4是另一个施加磁场方法的说明图

图4(A)是对从属介质和磁复录用主载体的紧密接触体施加非对称磁场的说明图，图4(B)是通过施加图4(A)的磁场，所附与磁场强度的说明图。

将初期直流磁化的从属介质4和磁复录用主载体1紧密接触，对紧密接触15的表面。

以夹持着紧密接触体15，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁8c和8d，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距11a和该永久磁铁另一端的间距11b不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，通过对从属介质4的表面附与非对称磁场12，相对于紧密接触体15的中心轴沿磁道方向旋转紧密接触体15，或倾斜的永久磁铁8c和8d中的任何一个，在紧密接触体15的整个面上附与初期直流磁化方向相反向的磁场。

非对称磁场中，强度小的峰值13对从磁复录主载体向从属介质复录图形时不会产生任何影响，只在强度大的峰值14才能进行磁复录。

强度大的峰值14附与最适宜复录磁场强度范围的磁场，可从磁复录用主载体向从属介质形成良好的图形，与图形的形状无关。

在图2-图4所示磁复录方法使用的装置中，设有可任意调整从属介质面与永久磁铁之间距离的机构，通过调整从属介质和永久磁铁之间的距离，在从属介质面上可得到所要求的磁场强度。

在图3和图4所示装置中，除了设有距离调整机构外，还设有可任意调整永久磁铁倾斜角度的机构，可将初期直流磁化和磁复录用相反磁场的磁场强度调整到所要求的磁场强度。

图3和图4所示方法，仅仅是一个使用2个永久磁铁在磁道方向位置上形成非对称化磁场分布的实例，也可通过变更永久磁铁在从属介质面侧的形状，或将数个小永久磁铁组合成一个块状，或使永久磁铁中使用的磁性材料非均匀化等方法，同样也能形成非对称化的磁场分布，和图3、图4所示例一样，也能形成非对称强度分布的磁场图形。

对本发明磁复录中使用的磁复录用主载体的制造方法进行说明。

作为磁复录用主载体的基板是硅、石英板、玻璃、铝等非磁性金属或合金、陶瓷、合成树脂等表面光滑的板状体，可以使用在腐蚀，成膜工序中对温度等处理环境具有耐性的板材。

在光滑表面的基板上涂布光致抗蚀膜，根据予格式化的图形，使用光掩膜进行曝光、显像，或在光致抗蚀膜上直接画线等方法，根据予格式化的情报在光致抗蚀膜上形成图形。

接着，在腐蚀工序中，利用反应性腐蚀，使用氩等离子体的物理腐蚀，使用液体腐蚀等根据基板的腐蚀方法，根据图形对基板进行腐蚀。

利用腐蚀形成穴的深度，相当于作为复录情报部分形成的磁性层厚度，该深度最好为20nm～1000nm。过厚时，磁场幅度宽阔很大，不理想。

形成的穴，最好在底面与基板表面平行的平面上，形成深度均等的穴。

穴的形状最好是与面垂直的磁道方向的断面为长方形形状。

接着，将磁性材料，利用喷溅法、离子敷镀法等真空成膜装置，形成与利用电镀法形成穴相对应的厚度的确性材料膜，直达基板表面。复录情报部分的磁特性，抗磁力(Hc)为199kA/m(2500 Oe)以下，最好为0.4～119kA/m(5～1500Oe)，作为饱和磁束密度(Bs)在0.3T(特斯拉)以上，最好0.5T以上。

接着，用飞除法将光致抗蚀膜除去，研磨表面，若存在毛刺时，除去，形成光滑的表面。

在以上说明中，对在基板上形成穴，在形成穴上形成磁性材料膜的方法作了讲述，但也可以利用光制造法、平版照相法，在基板上规定部位形成磁性材料膜，在形成复录情报部分的凸状部分后，在凸状部之间形成非磁性材料膜或进行填充，使复录情报的复录部分和非磁性材料部分的表面形成同一的平面。

作为磁性层中可使用的磁性材料，可使用磁束密度大的钴、铁或它们的合金，具体可举出有CO、CoPtCr、CoCr、CoPtCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi Fe、FeCo、FePt等。

作为磁性层的厚度为20～1000nm，最好为30～500nm，厚度太厚，复录分解能力降低。

为了进行明了的复录，最好使用磁束密度大的和从属介质同方向，例如面内复录时，面内方面，垂直复录时，垂直方向，具有磁异向性的材料。磁性材料，从可形成锐利边缘考虑，最好具有细微磁粒子或非晶型的结构。

为了在磁材料上形成磁异向性，最好设置非磁性底层，必须使用结晶结构和晶格常数与磁性层相同的材料，具体讲，作为这种底层可利用喷溅法，将Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru等成膜。

也可在磁性层设置金刚石状碳膜等保护膜，也可设置润滑剂作为保护膜，最好存在5～30nm的金刚石状碳膜和润滑剂，在其上必须设置润滑剂的理由是，在修正与从属介质接触过程中产生偏离时，产生磨擦，若没有润滑剂层，耐久性会不足。

本发明的磁复录用主载体，不仅可以向硬盘、大容量リム一バル型磁复录介质等盘型磁复录介质复录磁复录情报，而且也可以用来向磁卡型磁复录介质，磁带型磁复录介质复录磁复录情报。

以下示出实施例，说明本发明。

实施例1和比较例1

(磁复录用主载体的制作)

在真空成膜装置中，室温下减压到1.33×10^-5Pa(10^-7托)，通入氩气，在形成0.4Pa(3×10^-3托)的条件下，在硅基板上形成200nm厚的FeCo膜，制成磁复录用主载体。

保磁力Hc为8kA/m(100Oe)、磁束密度Ms为28.9T(23000 Gauss)。

从圆盘中心到半径28mm～40mm的位置，以10μm宽的等间隔，形成放射状的圆盘状图形，线间隔在半径20mm的最内周位置为10μm间隔。

(从属介质的制作)

在真空成膜装置中，室温下，减压到1.33×10^-5Pa(10^-7托)后、通入氩气，在形成0.4Pa(3×10^-3托)的条件下，将玻璃加到200℃，制作成CoCrPt25nm，Ms：5.7T(4500 Gauss)，保磁力Hcs：199kA/m(2500Oe)的3.5型圆盘状磁复录介质。

(初期直流磁化方法)

如图2所示配置永久磁铁，在从属介质表面上，以峰值磁场强度为2倍从属介质保磁力Hcs的388kA/m(5000Oe)磁场，对从属介质进行初期直流磁化。

(磁复录试验方法)

将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体进行紧密接触，使用图4所示具有倾斜永久磁铁的装置，施加和从属介质磁化相反方向的磁场，进行磁复录。永久磁铁的倾斜角，在图4中以θ表示的和从属介质的角度为35°，磁复录用主载体和从属介质的紧密接触是用橡胶板夹住，从铝板上加压。

(电磁变换特性评价方法)

利用电磁变换特性测定装置(协同电子制SS-60)进行从属介质的复录信号评价，对于磁头，使用再生磁头间隙：0.3μm，再生磁道宽：2.7μm、复录磁头间隙：0.45μm、复录磁道宽：3.3μm的MR磁头。

使用光谱分析仪对读取信号进行频率分解，测定1次信号的峰值强度(C)和外推介质噪音(N)的差值(C/N)。各磁场强度的C/N中，将最大值取为0dB，以相对值(ΔC/N)进行评价，示于表1，C/N值在-20dB以下时，由于磁复录的信号品位没有实用水平，以^*号表示。

表1

从属介质的Hcs为199kA/m

复录用磁场的

峰值强度kA/m  和Hcs的比    ΔC/N(dB)

   59.7          0.3           *

   99.5          0.5           -12.3

   119           0.6           -4.2

   159           0.8           -1.3

   179           0.9           -0.4

   199           1.0           -0.0

   219           1.1           -0.3

   239           1.2           -0.8

   259           1.3           -4.9

   279           1.4           -9.6

   298           1.5           -16.9

   318           1.6           *

   398           2.0           *

实施例2和比较例2

对保磁力Hcs为199kΔ/m(2500Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为239kA/m(3000Oe)，即1.2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，对从属介质进行初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，除此之外，和实施例1一样进行磁复录后，和实施例1一样，进行磁复录图形显像，测定结果示于表2。

表2

从属介质的Hcs为199kA/m。

复录用磁场的

峰值强度kA/m  和Hcs的比      ΔC/N(dB)

    59.7        0.3              *

    99.5        0.5              -12.3

    119         0.6              -2.8

    159         0.8              -0.2

    179         0.9              0.0

    199         1.0              -0.1

    219         1.1              -1.6

    239         1.2              -1.1

    259         1.3              -4.8

    279         1.4              -9.6

    298         1.5              -15.9

    318         1.6              *

    398         2.0              *

比较例3

对和实施例1一样制作的保磁力Hcs为199kA/m(2500Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为159kA/m(2000Oe)，即0.8倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，对从属介质进行初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，除此之外，和实施例1一样进行磁复录后，和实施例1一样，进行磁复录图形显像，测定，结果示于表3。

表3

从属介质的Hcs为199kA/m。

复录用磁场的

峰值强度kA/m  和Hcs的比     ΔC/N(dB)

    59.7        0.3             *

    99.5        0.5             *

    119         0.6             *

    159         0.8             *

    179         0.9             *

    199         1.0             *

    219         1.1             *

    239         1.2             *

    259         1.3             *

    279         1.4             *

    298         1.5             *

    318         1.6             *

    398         2.0             *

实施例3和比较例4

对保磁力Hcs为199kA/m(2500Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为399kA/m(5000Oe)、239kA/m(3000Oe)和159kA/m(2000Oe)，使用图3所示永久磁铁对从属介质进行初期直流磁化，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示永久磁铁施加磁场，进行磁复录。

结果是得到和具有图2所示永久磁铁的装置同样的结果。

实施例4和比较例5

对和实施例1一样制作的保磁力Hcs为159kA/m(2000Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为318kA/m(4000Oe)，即2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，对从属介质进行初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示装置进行磁复录，除此之外，和实施例1一样，进行磁复录后，进行磁复录图形显像，测定，结果示于表4。

表4

从属介质的Hcs为159kA/m

复录用磁场的

峰值强度kA/m  和Hcs的比    ΔC/N(dB)

   47.7          0.3           *

   79.6          0.5           -12.8

   95.5          0.6           -3.4

   127           0.8           -0.6

   143           0.9           -0.3

   159           1.0           0.0

   175           1.1           -0.6

   191           1.2           -2.8

   207           1.3           -3.4

   223           1.4           -9.6

   239           1.5           -17.6

   255           1.6           *

   318           2.0           *

实施例4和比较例5

对保磁力Hcs为2000Oe的从属介质，以峰值磁场强度为(2400Oe)，即1.2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，对从属介质进行初期直流磁化，除此之外，和实施例5一样，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，现样进行所得磁复录图形的显像，测定，结果示于表5。

表5

从属介质的Hcs为159kA/m

复录用磁场的

峰值强度kA/m  和Hcs的比    ΔC/N(dB)

   47.7          0.3           *

   79.6          0.5           -12.4

   95.5          0.6           -4.8

   127           0.8           -0.6

   143           0.9           -0.5

   159           1.0           0.0

   175           1.1           -0.3

   191           1.2           -1.8

   207           1.3           -2.4

   223           1.4           -9.3

   239           1.5           -16.9

   255           1.6           *

   318           2.0           *

比较例6

对和实施例1一样制作的保磁力Hcs为159kA/m(2000Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为217kA/m(1600Oe)，即0.8倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，对从属介质进行初期直流磁化，将接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示装置，进行磁复录，除此之外，和实施例1一样进行磁复录后，进行磁复录图形显像，测定，结果示于表6。

表6

从属介质的Hcs为159kA/m

复录用磁场的

峰值强度kA/m  和Hcs的比    ΔC/N(dB)

    47.7         0.3           *

    79.6         0.5           *

    95.5         0.6           *

    127          0.8           *

    143          0.9           *

    159          1.0           *

    175          1.1           *

    191          1.2           *

    207          1.3           *

    223          1.4           *

    239          1.5           *

    255          1.6           *

    318          2.0           *

在从磁复录用主载体向从属介质进行磁复录中，相对于从属介质的Hcs，附与特定强度的复录用磁场，不管图形位置如何，都可得到具有高品位复录图形的从属介质。

图1是对磁复录用主载体中予格式化图形进行复录的说明图

图2是利用相对的2个永久磁铁施加磁场方法的说明图

图3是另一施加磁场方法的说明图

图4是另一施加磁场方法的说明图

Claims (14)

1、一种磁复录方法，其特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用的磁场的磁复录方法中，包括以夹持着从属介质，同极彼此相对，磁极轴垂直从属介质的方式，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿磁道方向施加和从属介质面初期直流磁化方向相反的复录用磁场，进行磁复录。

2、一种磁复录方法，其特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，包括以夹持着从属介质，同极彼此相对的方式，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，倾斜配置，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，沿磁道方向旋转如此配置的磁铁或从属介质，通过沿从属介质面的大致磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿磁道方向施加和从属介质面初期直流磁化方向相反向的复录用磁场，进行磁复录。

3、一种磁复录方法，其特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，沿磁道方向向上形成非对称化的磁场强度分布，沿磁道方向旋转如此配置的磁铁，或将磁复录用主载体和从属介质紧密接触的紧密接触体，沿磁道方向施加和初期直流磁化方向相反向的复录用磁场，进行磁复录。

4、根据权利要求1所述的磁复录方法，其特征是使磁极轴垂直于从属介质面，并夹持着从属介质，同极彼此相对，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，此时产生的磁场，在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

5、根据权利要求2所述的磁复录方法，其特征是以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上仅一个方向具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，反方向的磁场强度都低于从属介质保磁力Hcs。

6、根据权利要求3所述的磁复录方法，其特征是以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，在磁道方向上形成非对称化的磁场强度分布中，在任何一个磁道方向位置上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，但在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，与其相反的磁道方向上的磁场强度都低于最适宜复录磁场强度范围的最小值。

7、根据权利要求6所述的磁复录方法，其特征是相对于从属介质保磁力Hcs，最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

8、一种磁复录装置，特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的磁复录介质从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括使磁极轴垂直于从属介质面，以平持着从属介质，同极彼此相对，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿从属介质面的磁道方向施加磁场，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，沿磁道方向旋转该紧触体或永久磁铁，沿磁道方向施加与从属介质面初期直流磁化方向相反复录用磁场的复录磁场的复录磁场施加装置。

9、一种磁复录装置，特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的磁复录介质从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括以夹持着从属介质，同极彼相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，沿磁道方向旋转永久磁铁或从属介质，沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置、将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，对该紧密接触体，沿磁道方向施加与从属介质面初期直流磁化方向相反向复录用磁场的复录磁场施加装置。

10、一种磁复录装置，特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的磁复录介质从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，以夹持着该紧密接触体，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，形成永久磁铁的复录磁场施加装置、旋转紧密接触体或复录磁场施加装置中至少一个的旋转装置。

11、根据权利要求8所述的磁复录装置，其特征是初期直流磁化装置是以磁极轴垂直于从属介质面，并夹持着从属介质，同极彼此相对，配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，此时产生的磁场，在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

12、根据权利要求9所述的磁复录装置，其特征是初期直流磁化装置是以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，沿磁道方向形成相对称化的磁场强度分布，该永久磁铁沿磁道方向形成的磁场强度分布，在磁铁方向位置上仅在一个方向位置上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，反方向的磁场强度都低于从属介质的保磁力Hcs。

13、根据权利要求10所述的磁复录装置，其特征是复录磁场施加装置是以夹持着从属介质，同极彼此相对，倾斜配置与磁极轴形成对称磁化的单一永久磁铁，而且在磁道方向上该永久磁铁一端的间距和另一端的间距不同，沿磁道方向形成非对称化的磁场强度分布，在磁道方向上由该永久磁铁产生的磁场强度分布，在任何一个磁道方向位置上都不存在超过最适宜复磁场强度范围最大值的磁场强度，而在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上，与其相反向的磁道方向上的磁场强度都低于最适宜复录磁场强度范围的最小值。

14、根据权利要求13所述的磁复录装置，其特征是最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×HC。

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