CN1349099A - 输电系统 - Google Patents

输电系统 Download PDF

Info

Publication number
CN1349099A
CN1349099A CN01111951A CN01111951A CN1349099A CN 1349099 A CN1349099 A CN 1349099A CN 01111951 A CN01111951 A CN 01111951A CN 01111951 A CN01111951 A CN 01111951A CN 1349099 A CN1349099 A CN 1349099A
Authority
CN
China
Prior art keywords
frequency
equipment
correlation properties
output
electric power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN01111951A
Other languages
English (en)
Inventor
A·R·A·克尼
小D·F·沃纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MKS Instruments Inc
Original Assignee
Eni Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eni Technology Inc filed Critical Eni Technology Inc
Publication of CN1349099A publication Critical patent/CN1349099A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

公开了在多个频率下工业RF处理系统中输出的RF能量的特性测试方法和设备。用一个检测器测试RF能量的特性的方法和设备。

Description

输电系统
本发明涉及等离子室内的数据测试，更具体涉及等离子室内不同频率的多变量测试。
包括等离子发生的常规应用中，常常要监测从发电机进入等离子室的电压、电流和相位。而且，很多常规的等离子发生应用，包括用两个或两个以上的发电机，其中，发电机按不同频率发电。通常，这些常规发电机按2MHz和27MHz供电。
为了测试供给等离子室的电压、电流和相位，通常使用已知的设备，如射频(RF)探头。但是，由于RF探头的尺寸和价格问题，要求只用一个探头来测试不同频率的上述参数。
本发明的第1实施例中公开了工业RF处理系统中输出的RF能量的特性的测试设备。该设备包括多个发电机，发生多个频率的多个电能输出到单个输电线上。检测多个输出的相关特性的检测计，读出在第1频率产生的第1输出的相关特性，换到第2频率，读出在第2频率产生的第2输出的相关特性。
本发明的第2实施例中公开了工业RF处理系统输出的RF能量的特性的测试方法。该方法包括产生在第1频率的第1电功率输出到输电线，产生在第2频率的第2电功率输出到输电线，读出在第1频率的输电线上的相关特性，换到第2频率，并读出在第2频率的输电线上的相关特性。用公用的读出装置读出第1频率。
本发明第3实施例公开了工业RF处理系统输出的RF能量的特性测试设备。该设备包括：多个发电机，产生多个电功率输出到单根输电线上；多个调谐器，调谐到多个频率；和检测器，选择多个调谐器中的一个，并检测在所选的调谐装置的频率下的多个输出的相关特性。
本发明第4实施例公开了工业RF处理系统中输送的RF能量的特性测试方法。该方法包括：在第1频率产生第1电功率输出到输电线上；在第2频率产生第2电功率输出到输电线上；第1调谐器换到第1频率，第2调谐器换到第2频率，选择调谐器中的一个，并读出与所选择的调谐器相关的频率下的输电线上的相关特性。
图1是本发明的总方框图；
图2是本系统的流程图；
图3是本发明第1替换实施例的方框图；
图4是本发明第2替换实施例的方框图；
现在详细参见附图，首先看图1，图1画出了按本发明优选实施例的系统整体的总览图。本发明可用于测试工业RF处理系统中输出的RF能量的特性。优选实施例中，它可用在工业半导体处理系统中，如等离子室中。但是，实际上它也可用在需要测RF特性的任何地方。例如，本发明也可用在光盘制造中。
图1所示的整个结构中最好包括第1发电装置100，产生沿输出路径165的第1频率下的电功率输出；第2发电装置110，产生沿分开的输出路径160的第2频率下的电功率输出；组合装置120，组合从路径160和165来的两个输出功率，检测装置130，用于检测从发电装置输出的电功率在给定频率下的特性，如电压，电流和相位；储存装置180，和计算机190，用于接收和储存来自检测装置130的数据；和等离子室150。发电装置100和110，组合装置120，检测装置130，储存装置180，计算机190，等离子室150都可以是合适的常规市售元件。例如，发电装置100，110可以是合适的市售RF发电机，如OEM-12b型RF发电机，可从ENI购买。组合装置120可以是合适的市售的能把多个频率下的RF能量组合到单根功率线上的电子电路。例如，可用市售的高通/低通组合滤波器。储存装置180可以是能存储从检测装置130输出的数据的常规存储器中的磁存储器，光存储器(如DVD-随机存取存储器，或CDR)，半导体存储器或其它类型的存储器。同样，计算机190也可以是任何市售的能与检测装置130连接的计算机。而有，存储装置180和计算机装置190可以是单独的单元，如连接到计算机的磁盘阵列，或者，也可以是单个单元，如，能容纳存储媒体的计算机。检测装置也可以是V/I-探头，可从ENI购买。等离子室150也可以是任何合适的市售等离子室，如可从Lam Ressearch或AppliedMaterials购到的等离子室。输送装置170可以是任何合适的能传输从发电装置输出的电功率的装置，例如电源线或50Ω同轴电缆。
如上所述，尽管输送装置170上有多个频率，但要求只用一个RF探头检测供给等离子室的相位、电压和电流。
而且，图2所示的方法允许用图1所示的单个检测装置130测试1个以上频率下的电流、电压和相位。完成该测试的最好方法是，测试第1频率下的电压、电流和相位；该数据存入存储装置180中；公用检测装置130的频率换到第2频率；测第2频率下的电压、电流和相位；该数据存入存储装置180中。要求收集两个以上频率下的数据时，将对所有感兴趣的频率完全重复本发明的方法。
如图2所示，本发明的现有的优选方法包括几个步骤。首先，在步骤200，由检测装置130检测出在第1频率的数据。该数据可以是要供给等离子室150的与RF能量相关的任何数据。例如，这个数据包括提供的电压、电流和相位。接着，在步骤210，该数据从检测装置130输送给存储装置180。更具体地说，用V/I探头时，数据首先存入V/I探头的分析电子设备上的Ram(随机存取存储器)，之后，经串行连线输送到存储装置180。根据V/I探头中的Ram的大小，该数据可在获取的其它频率的过程中或以后出现。在步骤220，输送的数据存在连接到检测装置130的存储装置180中，被计算机190使用。
之后，在步骤230，检测装置130换到第2频率，再回到步骤200重复处理。在第2频率接收到的数据存入存储装置180处的第2存储器中，检测装置130再换回到第1频率。如上所述，要求收集两个以上的频率下的数据时，在返回到第1频率之前，在所有感兴趣的频率完全重复本方法。
存储的数据点可以画出来，也可以显示在计算机190上，或显示在常规连接到本发明系统的其它常规的计算机(没画)。该方法允许单个检测装置130有效地监测两个不同频率下的电流、电压和相位，而不必用于每个频率的分开的检测装置。
现在回到图3，它示出本发明的一个替换实施例。该实施例中，多个发电装置300，310和315馈送组合装置320。本实施例中，检测装置330测试在第1频率与RF能量有关的供给等离子室350的数据。该数据可包括供给的电压、电流和相位。该数据是储存的数据。检测装置330转到第2频率。重复该方法直到所有的频率都循环完为止，在全部频率测试后，检测装置330回到第1频率。
该方法也能用在要收集基本频率的不同谐波处的数据的情况下。而且，检测装置也能有效地检测比发电装置300，310，315产生的频率还要多的频率下的供给等离子室的RF能量的有关数据。例如，如果只产生两个基本频率，即，2MHz和27MHz，也可以要求检测所产生的频率的谐波下的数据，如4MHz，8MHz，54MHz，和81MHz的数据。
图4是本发明又一替换实施例。该实施例中，用多个调谐装置431、432和433与单个检测装置430连接。尽管图中画了3个调谐装置，但本实施例中可用任何数量的调谐装置。对每个存在的发生装置400、415、410，或者，对每个要收集数据的频率，调谐装置431，432和433都接到线470。这些调谐装置中的每一个都调谐到发生装置的工作频率，或要收集数据的频率。为检测具体频率下的数据，检测装置430转到要求的调谐装置。
同样，本发明的另一替换实施例中，可用任何数量的调谐装置与任何数量的发生装置连接。调谐装置然后转到任何所要求的频率。例如，调谐装置可换到发电装置产生的任何频率的谐波。例如，如果只产生了两个频率，即，2MHz和27MHz，也可以要求检测所产生的频率的谐波，如4MHz、8MHz、54MHz和81MHz下的数据。
已用本发明的上述实施例说明了发明，但应知道，发明不限于这些具体实施例。本行业的技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还会有很多改进和变化，这些改进和变化均在要求保护的范围内。

Claims (44)

1、工业RF处理系统中RF能量特性的测试设备，包括：
多个发电装置，用于产生多个电功率输出到单根输电装置，在多个频率，所述多个输出中的每个输出有相关的特性；和
公用检测装置，用于检测所述多个输出的所述相关特性，所述公用检测装置包括：读出装置，读出第1频率下产生的第1输出的所述有关特性，换到第2频率，读出在第2频率下产生的所述第2输出的所述相关特性。
2、按权利要求1的设备，其中，所述RF处理系统包括半导体处理系统。
3、按权利要求1的设备，其中，所述RF处理系统包括光盘处理系统。
4、按权利要求1的设备，其中，所述多个输出的所述相关特性包括：电流、电压和相位。
5、按权利要求1的设备，还包括组合装置，有效地连接到所述多个发电装置，组合所述的多个输出到单根输送装置上。
6、按权利要求1的设备，其中，所述多个发电装置包括两个发电装置；所述多个频率包括两个频率。
7、按权利要求1的设备，其中，所述多个频率是不同的频率。
8、按权利要求1的设备，其中，所述的多个频率之一包括2MHz。
9、按权利要求1的设备，其中，所述的多个频率之一包括27MHz。
10、按权利要求1的设备，其中，所述的多个频率包括第1和第2频率，所述第2频率是所述第1频率的谐波频率。
11、按权利要求1的设备，还包括存储装置，它有效连接到所述公用检测装置，用于存储由所述公用检测装置提供的数据，所述公用检测装置包括输送装置，把第1频率下产生的第1电功率输出的所述相关特性的读出值输送到所述存储装置，把所读出的值作为数据存储。
12、工业RF处理系统中输出的RF能量的特性测试方法，包括：
在第1频率产生第1电功率输出到输送装置上，所述第1电功率输出有相关特性；
在第2频率产生第2电功率输出到输送装置上，所述第2电功率输出有相关特性；
读出在所述第1频率下的所述输出装置上的所述相关特性；
换到所述第2频率；和
用读出所述第1频率的公用读出装置，读出所述第2频率下的所述输出装置上的所述相关特性。
13、按权利要求12的方法，其中，所述RF处理系统包括半导体处理系统。
14、按权利要求12的方法，其中，所述RF处理系统包括光盘处理系统。
15、按权利要求12的方法，其中，所述相关特性包括电压、电流和相位。
16、按权利要求12的方法，还包括组合步骤，组合所述第1和第2电功率输出到单个输送装置上。
17、按权利要求12的方法，还包括存储步骤，存储在所述第1频率产生的所述第1电功率输出的所述的读出的相关特性。
18、按权利要求12的方法，还包括存储步骤，存储在所述第2频率产生的所述第2电功率输出的所述的读出的相关特性。
19、按权利要求12的方法，其中，所述第1和第2频率是不同的。
20、按权利要求12的方法，其中，所述第1频率包括2MHz。
21、按权利要求12的方法，其中，所述第2频率包括27MHz。
22、按权利要求12的方法，其中，所述第2频率是所述第1频率的谐波频率。
23、工业RF处理系统中输出的RF能量的特性测试设备，包括：
多个发电装置，用于在多个频率下产生多个电功率输出到单个输送装置上，所述多个输出中的每个输出都有相关特性；
多个调谐装置，用于调谐到所述多个频率；
公用检测装置，选择所述多个调谐装置之一，并检测所选的调谐装置的第1频率下的所述多个输出的所述相关特性。
24、按权利要求23的设备，其中，所述RF处理系统包括半导体处理系统。
25、按权利要求23的设备，其中，所述RF处理系统包括光盘处理系统。
26、按权利要求23的设备，其中，所述多个输出的所述相关特性包括电压，电流和相位。
27、按权利要求23的设备，还包括组合装置，有效地连接到所述多个发电装置，组合所述多个输出到单个输送装置上。
28、按权利要求23的设备，其中，所述多个发电装置包括两个发电装置，所述多个频率包括两个频率。
29、按权利要求23的设备，其中，所述多个频率是不同的频率。
30、按权利要求23的设备，其中，所述多个频率之一包括2MHz。
31、按权利要求23的设备，其中，所述多个频率之一包括27MHz。
32、按权利要求23的设备，其中，所述多个调谐装置之一调谐到所述多个频率之一的谐波频率。
33、按权利要求23的设备，还包括存储装置，有效地连接到所述公用检测装置，存储由所述公用检测装置提供的数据，所述公用检测装置包括输送装置，把在第1频率产生的第1电功率输出的相关特性读出值输送到所述存储装置，把所读出的值作为数据存储。
34、工业RF处理系统中输出的RF能量的特性测试方法，包括：
在第1频率产生第1电功率输出到输送装置，所述第1电功率输出有相关特性；
在第2频率产生第2电功率输出到输送装置；所述第2电功率输出有相关特性；
第1调谐装置转到所述第1频率；
第2调谐装置转到所述第2频率；
读出与所选的调谐装置相关的频率下所述输送装置上的所述相关特性。
35、按权利要求34的方法，其中，所述RF处理系统包括半导体处理系统。
36、按权利要求34的方法，其中，RF处理系统包括光盘处理系统。
37、按权利要求34的方法，其中，所述相关特性包括电压、电流和相位。
38、按权利要求34的方法，还包括组合步骤，组合多个功率输出到单个输送装置。
39、按权利要求34的方法，还包括存储步骤，存储读出的在第1频率产生的所述第1电功率输出的相关特性。
40、按权利要求34的方法，还包括存储步骤，存储读出的在第2频率下产生的所述第2电功率输出的相关特性。
41、按权利要求34的方法，其中，所述第1和第2频率不同。
42、按权利要求34的方法，其中，所述第1频率包括2MHz。
43、按权利要求34的方法，其中，所述第2频率包括27MHz。
44、按权利要求34的方法，其中，所述第2频率是所述第1频率的谐波频率。
CN01111951A 2000-01-31 2001-01-31 输电系统 Pending CN1349099A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/494,589 2000-01-31
US09/494,589 US6970700B1 (en) 2000-01-31 2000-01-31 Power delivery system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1349099A true CN1349099A (zh) 2002-05-15

Family

ID=23965091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN01111951A Pending CN1349099A (zh) 2000-01-31 2001-01-31 输电系统

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6970700B1 (zh)
EP (1) EP1122762A2 (zh)
JP (1) JP5021121B2 (zh)
KR (1) KR20010078171A (zh)
CN (1) CN1349099A (zh)
TW (1) TW494435B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105823920A (zh) * 2016-05-16 2016-08-03 Tcl移动通信科技（宁波）有限公司 一种充电电压的检测方法及检测系统

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7970562B2 (en) * 2008-05-07 2011-06-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for monitoring power
US7825719B2 (en) * 2008-12-29 2010-11-02 Advanced Energy Industries, Inc. System and method for wideband phase-adjustable common excitation
US8773019B2 (en) 2012-02-23 2014-07-08 Mks Instruments, Inc. Feedback control and coherency of multiple power supplies in radio frequency power delivery systems for pulsed mode schemes in thin film processing
CN110658376B (zh) * 2019-10-09 2022-09-23 国网江苏省电力有限公司 基于边缘计算的配网线路合环运行的测量分析方法和系统

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617079A (en) * 1985-04-12 1986-10-14 The Perkin Elmer Corporation Plasma etching system
US4846920A (en) * 1987-12-09 1989-07-11 International Business Machine Corporation Plasma amplified photoelectron process endpoint detection apparatus
US4954212A (en) * 1989-09-26 1990-09-04 Vlsi Technology, Inc. Endpoint detection system and method for plasma etching
US5556501A (en) * 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
US5831550A (en) * 1992-06-01 1998-11-03 Centro De Pesquisas De Energia Eletrica - Cepel System and process for the measurement of the electric energy consumption of a plurality of consumers
US5273610A (en) * 1992-06-23 1993-12-28 Association Institutions For Material Sciences, Inc. Apparatus and method for determining power in plasma processing
US5401350A (en) * 1993-03-08 1995-03-28 Lsi Logic Corporation Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems
US5467013A (en) * 1993-12-07 1995-11-14 Sematech, Inc. Radio frequency monitor for semiconductor process control
US5576629A (en) * 1994-10-24 1996-11-19 Fourth State Technology, Inc. Plasma monitoring and control method and system
US6049219A (en) * 1996-05-13 2000-04-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Signal probing of microwave integrated circuit internal nodes
US5770922A (en) * 1996-07-22 1998-06-23 Eni Technologies, Inc. Baseband V-I probe
US6046594A (en) * 1997-02-11 2000-04-04 Advanced Energy Voorhees, Inc. Method and apparatus for monitoring parameters of an RF powered load in the presence of harmonics
US6222718B1 (en) * 1998-11-12 2001-04-24 Lam Research Corporation Integrated power modules for plasma processing systems
US6449726B1 (en) * 1999-07-21 2002-09-10 Spotware Technologies, Inc. Method, system, software, and signal for estimating battery life in a remote control device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105823920A (zh) * 2016-05-16 2016-08-03 Tcl移动通信科技（宁波）有限公司 一种充电电压的检测方法及检测系统
CN105823920B (zh) * 2016-05-16 2020-03-06 Tcl移动通信科技（宁波）有限公司 一种充电电压的检测方法及检测系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP5021121B2 (ja) 2012-09-05
KR20010078171A (ko) 2001-08-20
US6970700B1 (en) 2005-11-29
EP1122762A2 (en) 2001-08-08
TW494435B (en) 2002-07-11
JP2001326218A (ja) 2001-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hao et al. Discrimination of multiple PD sources using wavelet decomposition and principal component analysis
CN102630337B (zh) 检测晶圆、基底表面的等离子体处理期间的电弧事件的方法及设备
US4897607A (en) Method and device for detecting and localizing faults in electrical installations
Cavenago et al. First experiments with the negative ion source NIO1
CN103278751B (zh) 高压电力设备局部放电综合巡检仪
US9689909B2 (en) System for analyzing and locating partial discharges
CN101432848B (zh) 使用光学以及非反射功率方法的低功率rf调谐
US8816712B2 (en) Inspection device
Bonofiglo et al. Improvements to the faraday cup fast ion loss detector and magnetohydrodynamic induced fast ion loss measurements in joint european torus plasmas
Wu Design of partial discharge real-time capture system
Rosenthal et al. A 1D Lyman-alpha profile camera for plasma edge neutral studies on the DIII-D tokamak
CN1349099A (zh) 输电系统
CN108919069A (zh) 一种多源信息融合的开关柜局部放电检测方法
Kremeyer et al. Wisconsin In Situ Penning (WISP) gauge: A versatile neutral pressure gauge to measure partial pressures in strong magnetic fields
Karkari et al. Direct measurement of spatial electron density oscillations in a dual frequency capacitive plasma
US20050183821A1 (en) Method and apparatus for non-invasive measurement and analysis of semiconductor process parameters
US6636824B1 (en) Method of and apparatus for inspecting semiconductor device
CN2932403Y (zh) 高压组合电器局放检测仪
Sharma et al. A spatially resolved retarding field energy analyzer design suitable for uniformity analysis across the surface of a semiconductor wafer
Abada-Simon et al. High sensitivity dynamic spectral search for flare star radio
US11320449B2 (en) Visualization device and observation method for flow field
CN103823168A (zh) 对气体绝缘封闭式组合电器局部放电的检测电路及装置
US20050145334A1 (en) Method and apparatus for non-invasive measurement and analysis of semiconductor process parameters
Du et al. Effects of external circuit on current and voltage waveforms in atmospheric pressure RF symmetrical alpha-mode discharges
US2768302A (en) Apparatus for mass spectral analysis

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication