CN1314986C - 微机电结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种微机电结构及其制造方法，适用于光干涉式显示单元结构之上。此一光干涉式显示单元结构包括第一电极、第二电极及支撑物，其中，第二电极包括一包覆材质层的导体层，并与该第一电极约成平行排列，且支撑物位于第一电极与第二电极间并形成一腔室。在光干涉式显示单元制造过程中，当以一结构释放蚀刻制程以移除位于第一电极与第二电极间的一牺牲层以形成腔室时，材质层可保护导体层不受蚀刻剂的侵蚀。材质层并可保护导体层不受空气中氧气及水气的侵蚀。
Description
(1)技术领域
本发明有关一种光干涉式显示单元结构及其制造方法，且特别是有关一种适用于光干涉式显示单元可动电极的结构及其制造方法。
(2)背景技术
在微机电结构系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)中，为了能制造悬浮微结构，如悬臂梁(cantilever)、横梁(beam)、薄板(membrane)、微流道(channel)、孔穴(cavity)、微接头(joint or hinge)、连杆(link)、曲柄(crank)、齿轮(gear)、齿条(rack)等等，牺牲层技术的发展成为一个重要的关键，其中，移除牺牲层的制程是采用一结构释放蚀刻制程，因此，微机电结构系统中的结构释放结构对于移除牺牲层的制程有关键性的影响。
现以一干涉式平面显示结构为例，先来介绍习知的结构释放蚀刻制程。光干涉式显示单元是为一微机电系统，而光干涉式显示单元的作用，是在能制造出一平面显示器。平面显示器由于具有体积小、重量轻的特性，在可携式显示设备，以及小空间应用的显示器市场中极具优势。现今的平面显示器除液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激发光显示器(Organic Electro-Luminescent Display，OLED)和等离子体显示器(Plasma Display Panel，PDP)等等之外，光干涉式的平面显示模式则提供使用者另一种选择。
请参见美国第USP5835255号专利，该专利揭示了一可见光的显示单元阵列(Array of Modulat)氧化铟(INDIUM OXIDE，IO)n)，可用来作为平面显示器的用。请参见图1，图1是习知显示单元的剖面示意图。每一个光干涉式显示单元100包括两道墙(Wall)102及104，两道墙102、104间是由支撑物106所支撑而形成一腔室(Cavity)108。两道墙102、104间的距离，也就是腔室108的长度为D。墙102、104其中之一是为一具有光吸收率可吸收部分可见光的部分穿透部分反射层，另一则是为一以电压驱动可以产生型变的反射层。当入射光穿过墙102或104而进入腔室108中时，入射光所有的可见光频谱的波长(Wave Length，以λ表示)中，仅有符合公式1.1的波长(λ1)可以产生建设性干涉而输出。其中N为自然数。换句话说，
2D＝Nλ (1.1)
当腔室108长度D满足入射光半个波长的整数倍时，则可产生建设性干涉而输出陡峭的光波。此时，观察者的眼睛顺着入射光入射的方向观察，可以看到波长为λ1的反射光，因此，对光干涉显示单元100而言是处于″开″的状态。
图2是习知显示单元加上电压后的剖面示意图。请参照图2，在电压的驱动下，墙104因为静电吸引力而产生型变，向墙102的方向塌下。此时，两道墙极102、104间的距离，也就是腔室108的长度并不为零，而是为d，d可以等于零。此时，公式1.1中的D将以d置换，入射光所有的可见光频谱的波长λ中，仅有符合公式1.1的可见光波长(λ2)可以产生建设性干涉，经由电极104的反射穿透墙102而输出。墙102对波长为λ2的光具有较高的光吸收，此时，入射光所有的可见光频谱均被滤除，对顺着入射光入射墙102的方向观察的观察者而言，将不会看到任何可见光频谱内的反射光，因此，对光干涉显示单元100而言是处于″关″的状态。
图3A至图3B是习知显示单元的制造方法。请参照图3A，在一透明基材109上先依序形成第一电极110及牺牲层111，再于电极110及牺牲层111中形成开口112以适用于形成支撑物于其内。接着，在开口112内形成支撑物106。然后，形成电极114于牺牲层111及支撑物106之上。最后，请参照图3B，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除图3A所示的牺牲层111而形成腔室116(牺牲层111的位置)，腔室116的长度D即为牺牲层111的厚度。
在微机电制程中，是以牺牲层的观念来制作微悬浮结构。制作悬浮可动的微结构，是利用元件结构层与牺牲层材料之间的选择性蚀刻(selective etching)，将牺牲层去除而留下结构层，此过程则称之为结构释放蚀刻。不同于IC制程之处，选择性蚀刻方式必须为等向性蚀刻(isotropic etching)，这样才可在结构层处造成底切或侧蚀(undercut or underetching)现象，顺利地使结构层与基底(substrate)分离。
不论采用湿式结构释放制程或是干式结构释放制程，在牺牲层和微悬浮结构材质的选择上必须受到限制，也就是两者所使用的材质在所面对的蚀刻制程中，必须要有高蚀刻选择比，否则无法达成移除牺牲层而且不损伤到微悬浮结构的目的。因此，牺牲层和微悬浮结构采用相同的材质在目前的制程中是不可行的。
在光干涉式显示单元的制程中，有一些材质非常适合用来形成牺牲层，也非常适合用来形成可动电极，例如钼金属。但在习知的光干涉式显示单元的结构和制程中无法同时采用钼金属作为形成牺牲层和可动电极的材料，这使得在材料的选择上受到了极大的限制。
再者，上述的可动电极一般是为一薄膜层(Membrane)，其材质一般为金属材料。此可动电极的厚度非常薄，极易因为和空气或水气接触后发生氧化作用而劣化金属薄膜的品质，而影响到光干涉式显示单元。因此，如何提供一种新的光干涉式显示单元结构及其制造方法可以使制程材料的选择性更为宽广及提供可动电极保护而使之不受空气或水气的氧化劣质反应的影响成为一个相当重要的课题。
(3)发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是提供一种微机电结构，可适用于光干涉式显示单元结构之上，牺牲层及悬浮可动微结构不需局限于选择具有高蚀刻比的材料。
本发明的另一目的是在提供一种微机电结构，可适用于光干涉式显示单元结构之上，是在牺牲层及悬浮可动微结构间加上一层保护层，形成保护层的材质与形成牺牲层的材质具有高蚀刻选择比。
本发明的又一目的是在提供一种微机电结构，可适用于光干涉式显示单元结构之上，牺牲层及悬浮可动微结构可采用相同的材质。
本发明的再一目的是在提供一种微机电结构，可适用于光干涉式显示单元结构之上，牺牲层及悬浮可动微结构可采用蚀刻选择比不高的材质。
本发明的另又一目的是在提供一种微机电结构，可适用于光干涉式显示单元结构之上，是以一保护层包覆悬浮可动微结构，形成保护层的材质与形成牺牲层的材质具有高蚀刻选择比且可保护悬浮可动微结构避免空气或水气的侵害。
本发明的再又一目的是在提供一种微机电结构的制造方法，可适用于光干涉式显示单元结构的制程之上，适用于制造前述的具保护层的微机电结构。
为实现本发明的上述目的，本发明的一方面提供一种光干涉式显示单元结构，用于微机电结构系统之上。该光干涉式显示单元结构，具有第一电极及第二电极，两电极间具有支撑物及牺牲层，其中第二电极是为一可动电极。在第二电极与牺牲层之间，具有一保护层。牺牲层和保护层所使用的材质具有高的蚀刻选择比。牺牲层和第二电极所使用的材质则无特别的限制但形成第二电极的材质需为导体材质。
在以结构释放蚀刻移除牺牲层的制程中，因为蚀刻等离子体对牺牲层及保护层具有高的蚀刻选择比，因此，仅有牺牲层会被移除。因此，牺牲层和第二电极所选用的材质将不受习知需为高蚀刻选择比材质的限制。
为实现本发明的上述目的，本发明另一方面提供一种光干涉式显示单元，是以一保护层包覆悬浮可动微结构(可动电极)，形成保护层的材质与形成牺牲层的材质具有高蚀刻选择比且可保护悬浮可动微结构避免空气或水气的侵害。该光干涉式显示单元结构，具有第一电极及第二电极，两电极间具有支撑物及牺牲层，其中第二电极是为一可动电极。第二电极为一保护层所包覆。牺牲层和保护层所使用的材质具有高的蚀刻选择比。牺牲层和第二电极所使用的材质则无特别的限制但形成第二电极的材质需为导体材质。
在以结构释放蚀刻移除牺牲层的制程中，因为蚀刻等离子体对牺牲层及保护层具有高的蚀刻选择比，因此，仅有牺牲层会被移除。因此，牺牲层和第二电极所选用的材质将不受习知需为高蚀刻选择比材质的限制。另外，保护层覆盖第二电极而使第二电极不至暴露于空气的中，而避免第二电极受到空气中氧气或水气的侵害。
根据本发明所揭示的光干涉式显示单元结构及其制造方法，位于第二电极与牺牲层间的保护层确实可以不需局限于选择具有高蚀刻比的材料，而覆盖或包覆第二电极的保护层可更进一步保护第二电极以避免第二电极受到空气中氧气或水气的侵害。
为进一步说明本发明之上述目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本发明进行详细的描述。
(4)附图说明
图1是习知显示单元的剖面示意图；
图2是习知显示单元加上电压后的剖面示意图；
图3A至图3B是习知显示单元的制造方法的示意图；
图4A至图4C是本发明第一较佳实施例的一种光干涉式显示单元结构的制造方法的示意图；
图5A至图5D是本发明第二较佳实施例的一种光干涉式显示单元结构的制造方法的示意图；以及
图6A至图6D是本发明第三较佳实施例的一种光干涉式显示单元结构的制造方法的示意图。
(5)具体实施方式
为了让本发明所提供的微机电结构及其制造方法更加清楚起见，现在于本发明数较佳实施例中以一种光干涉式显示单元结构及其制造方法为例，来详细说明如何运用本发明所揭示的结构释放结构及其制造方法，并进一步由实施例的揭示来解释本发明的优点。
实施例1
图4A至图4C示出本发明较佳实施例的一种光干涉式显示单元的制造方法。请先参照图4A，在一透明基材401上先依序形成第一电极402及牺牲层406，其中，牺牲层406可以采用透明的材质，例如介电材质，或是不透明材质，例如金属材质。以一微影蚀刻制程于第一电极402及牺牲层406中形成开口408，开口408是适用于形成支撑物于其内。
接着，在牺牲层406形成一材质层410并填满开口408。材质层410是适用于形成支撑物之用，一般可以使用感光材质，例如光阻，或是非感光的聚合物材质，例如聚酯或聚酰等等。若是使用非感光材质形成材质层，则需一微影蚀刻制程在材质层410上限定出支撑物。在本实施例中是以感光材质来形成材质层410，故仅需以一微影制程图案化材质层410。在本实施例中适用于作为形成材质层410的材料包括正光阻、负光阻、各种聚合物，例如，亚克力(Acrylic)树酯、环氧树酯等等。
请参照图4B，经由一微影制程图案化材质层410而限定出支撑物412，接着，再形成一材质层414于支撑物412及牺牲层406之上。接着，在材质层414上方形成一导体层404。材质层414所选用的材质是和牺牲层406所选用的材质具有高蚀刻选择比，当牺牲层406选用金属材质时，材质层414则可选用介电材质，例如氧化硅、氮化硅，透明导电材质，例如铟锡氧化物(INDIUMTIN OXIDE，ITO)、铟锌氧化物(INDIUM ZINC OXIDE，IZO)、氧化铟(INDIUMOXIDE，IO)或高分子聚合物；当牺牲层406选用硅材质，例如多晶硅或非晶硅时，材质层414则可选用金属氧化硅或高分子聚合物。
请参照图4C，以一微影蚀刻制程蚀刻未为光阻层(未绘示于图上)所覆盖的导体层404及材质层414而限定出每一光干涉式显示单元的第二电极405，第二电极405是为一可动电极。最后，以结构释放蚀刻(Release EtchProcess)移除牺牲层而形成腔室416。材质层414是为一保护层，当材质层414的材质为导体材质时，也可作为第二电极405的导电部份。
经上述制程所制造的光干涉式显示单元如图4C所示。一光干涉式显示单元400，可以作为一可变色像素单元，至少包含一第一电极402、一第二电极405，其中，第一电极402与第二电极405平行排列。第一电极402及一第二电极405是选自于窄波带(Narrowband)镜面、宽波带(Broadband)镜面、非金属镜及金属镜或其组合。
第一电极402与第二电极405间是由支撑物412所支撑而形成一腔室416。第二电极405包括导体层404及材质层414。在习知光干涉式显示单元结构中的腔室的长度即为牺牲层的厚度，并藉由一结构释放蚀刻移除牺牲层而形成腔室416。在本实施例中，第二电极405中的材质层414可以在结构释放蚀刻制程中保护导体层404不受蚀刻剂的伤害，因此，在选择形成牺牲层与第二电极的材质时，不需受限于一定要使用高蚀刻选择比的材质，因此，在材料的选用上更为宽广。
实施例2
图5A至图5D示出本发明另一较佳实施例的一种光干涉式显示单元的制造方法。请先参照图5A，在一透明基材501上先依序形成第一电极502及牺牲层506，其中，牺牲层506可以采用透明的材质，例如介电材质，或是不透明材质，例如金属材质。以一微影蚀刻制程于第一电极502及牺牲层506中形成开口508，开口508是适用于形成支撑物于其内。
接着，在牺牲层506形成一材质层510并填满开口508。材质层510是适用于形成支撑物之用，一般可以使用感光材质，例如光阻，或是非感光的聚合物材质，例如聚酯或聚酰等等。若是使用非感光材质形成材质层，则需一微影蚀刻制程在材质层510上限定出支撑物。在本实施例中是以感光材质来形成材质层510，故仅需以一微影制程图案化材质层510。在本实施例中适用于作为形成材质层510的材料包括正光阻、负光阻、各种聚合物，例如，亚克力(Acrylic)树酯、环氧树酯等等。
请参照图5B，经由一微影制程图案化材质层510而限定出支撑物512，接着，再形成一材质层514于支撑物512及牺牲层506之上。接着，在材质层514上方形成一导体层504。材质层514所选用的材质是和牺牲层506所选用的材质具有高蚀刻选择比，当牺牲层506选用金属材质时，材质层514则可选用介电材质，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，透明导电材质，例如铟锡氧化物(INDIUM TIN OXIDE，ITO)、铟锌氧化物(INDIUM ZINC OXIDE，IZO)、氧化铟(INDIUM OXIDE，IO)或高分子聚合物，例如石蜡(Paraffin)或可运用蒸气涂布的高分子材质；当牺牲层506选用硅材质，例如多晶硅或非晶硅时，材质层514则可选用金属氧化物或高分子聚合物。
请参照图5C，以一微影蚀刻制程蚀刻未为光阻层(图中未示出)所覆盖的导体层504及材质层514而限定出每一光干涉式显示单元的第二电极505，第二电极505是为一可动电极。接着，形成一材质层518覆盖第二电极504。形成材质层518的材质是选自于硅材质、介电材质、透明导电材质、高分子聚合物或金属氧化物，其中硅材质可以为多晶硅或非晶硅，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，透明导电材质可以为铟锡氧化物(INDIUM TIN OXIDE，ITO)、铟锌氧化物(INDIUM ZINC OXIDE，IZO)或氧化铟(INDIUM OXIDE，IO)，高分子聚合物可以为石蜡或可运用蒸气涂布的高分子材质。材质层514及518是为一保护层，当材质层514及518的材质为导体材质时，也可作为第二电极505的导电部份。
请参照图5D，以一微影蚀刻制程图案化材质层518，移除位于支撑物512上的部分材质层518，其目的在于后续结构释放蚀刻制程时，蚀刻剂可藉由这些开口对如图5C所示的牺牲层506进行侧向蚀刻。最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层而形成腔室516。
经上述制程所制造的光干涉式显示单元如图5D所示。一光干涉式显示单元500，可以作为一可变色像素单元，至少包含一第一电极502、一第二电极505，其中，第一电极502与第二电极505平行排列。第一电极502及一第二电极505是选自于窄波带(Narrowband)镜面、宽波带(Broadband)镜面、非金属镜及金属镜或其组合所组成的族群。
第一电极502与第二电极504间是由支撑物512所支撑而形成一腔室516。第二电极505包括导体层504、材质层514及材质层518，其中导体层504为材质层514及材质层518所包覆。在习知光干涉式显示单元结构中的腔室的长度即为牺牲层的厚度，并藉由一结构释放蚀刻移除牺牲层而形成枪是516。在本实施例中，第二电极505中的导体层504上、下方的材质层518及514可以在结构释放蚀刻制程中保护导体层504不受蚀刻剂的伤害，因此，在选择形成牺牲层与第二电极的材质时，不需受限于一定要使用高蚀刻选择比的材质，因此，在材料的选用上更为宽广。除此之外，材质层514及518更可保护导体层504不受到空气中氧气和水气氧化侵蚀。
实施例3
图6A至图6D示出本发明另一较佳实施例的一种光干涉式显示单元的制造方法。请先参照图6A，在一透明基材601上先依序形成第一电极602及牺牲层606，其中，牺牲层606可以采用透明的材质，例如介电材质，或是不透明材质，例如金属材质。以一微影蚀刻制程于第一电极602及牺牲层606中形成开口608，开口608是适用于形成支撑物于其内。
接着，在牺牲层606形成一材质层610并填满开口608。材质层610是适用于形成支撑物之用，一般可以使用感光材质，例如光阻，或是非感光的聚合物材质，例如聚酯或聚酰等等。若是使用非感光材质形成材质层，则需一微影蚀刻制程在材质层610上限定出支撑物。在本实施例中是以感光材质来形成材质层610，故仅需以一微影制程图案化材质层610。在本实施例中适用于作为形成材质层610的材料包括正光阻、负光阻、各种聚合物，例如，亚克力(Acrylic)树酯、环氧树酯等等。
请参照图6B，经由一微影制程图案化材质层610而限定出支撑物612，接着，再形成一材质层614于支撑物612及牺牲层606之上。接着，在材质层614上方依序形成一导体层604及材质层616。材质层614及材质层616所选用的材质是和牺牲层606所选用的材质具有高蚀刻选择比，当牺牲层606选用金属材质时，材质层614及材质层616则可选用介电材质，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，透明导电材质，例如铟锡氧化物(INDIUM TIN OXIDE，ITO)、铟锌氧化物(INDIUM ZINC OXIDE，IZO)、氧化铟(INDIUM OXIDE，IO)或高分子聚合物，例如石蜡(Paraffin)或可运用蒸气涂布的高分子材质；当牺牲层606选用硅材质，例如多晶硅或非晶硅时，材质层614及材质层616则可选用金属氧化物或高分子聚合物。
请参照图6C，以一微影蚀刻制程蚀刻未为光阻层(图中未示出)所覆盖的材质层616、导体层604及材质层614而限定出每一光干涉式显示单元的第二电极605，第二电极605是为一可动电极。接着，形成一材质层618覆盖材质层614、616及导体层604。形成材质层618的材质是选自于硅材质、介电材质、透明导电材质、高分子聚合物或金属氧化物，其中硅材质可以为多晶硅或非晶硅，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，透明导电材质可以为铟锡氧化物(INDIUM TIN OXIDE，ITO)、铟锌氧化物(INDIUM ZINC OXIDE，IZO)或氧化铟(INDIUM OXIDE，IO)，高分子聚合物可以为石蜡或可运用蒸气涂布的高分子材质。
请参照图6D，以一自动对准蚀刻制程蚀刻材质层618，而在第二电极604的侧壁上形成间隙壁618a并暴露出位于材质层614下方的牺牲层606。最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层而形成腔室620。材质层614、材质层616及间隙壁618a是为一保护层，当材质层614、材质层616及间隙壁618a的材质为导体材质时，也可作为第二电极605的导电部份。
经上述制程所制造的光干涉式显示单元如图6D所示。一光干涉式显示单元600，可以作为一可变色像素单元，至少包含一第一电极602、一第二电极605，其中，第一电极602与第二电极605成平行排列。第一电极602及一第二电极605是选自于窄波带(Narrowband)镜面、宽波带(Broadband)镜面、非金属镜及金属镜或其组合。
第一电极602与第二电极605间是由支撑物612所支撑而形成一腔室620。第二电极605包括导体层604、材质层614、材质层616及间隙壁618a，其中导体层604为材质层614、材质层616及间隙壁618a所包覆。在习知光干涉式显示单元结构中的腔室的长度即为牺牲层的厚度，并藉由一结构释放蚀刻移除牺牲层而形成腔室606。在本实施例中，导体层极604上、下方及侧壁的材质层618及614及间隙壁618a可以在结构释放蚀刻制程中保护第二电极605的导体层604不受蚀刻剂的伤害，因此，在选择形成牺牲层与第二电极的材质时，不需受限于一定要使用高蚀刻选择比的材质，因此，在材料的选用上更为宽广。除此之外，材质层614及618及间隙壁618a更可保护导体层604不受到空气中氧气和水气氧化侵蚀。
实施例三中所揭示的光干涉式显示单元的制造方法具有另一优点，也即仅需要一道光罩即可完成第二电极的制程，节省一道光罩制程不紧可以增加产出速度而且可以降低成本。
本发明所揭示用于保护悬浮可动微结构的材质层的厚度当视需求而定，并无一定的限制。在两实施例中用于保护悬浮可动电极的材质层的厚度也无限制，需视光干涉式显示单元的大小而定。一般而言，在本发明实施例中所运用的材质层的厚度介于数埃至2000埃之间，较佳是介于200埃至1000埃之间。
虽然本发明已以光干涉式显示单元为例，以两较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，本发明所揭示的微机电结构及其制造方法当可应用于各种微机电结构系统之上，任何熟悉本技术的人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作出各种的等效更动与替换，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所所界定的为准。
Claims (28)
1.一种微机电结构，适用于光干涉式显示单元之上，该结构至少包含：
一第一电极；
一第二电极，该第二电极包括：
一第一材质层；以及
一导体层，位于该第一材质层之上，并与该第一电极成平行排列；以及
一支撑物，位于该第一电极与该第一材质层间，以在其间形成一腔室；
其中，当以一结构释放蚀刻制程以移除位于该第一电极与该第一材质层间的一牺牲层以形成该腔室时，该第一材质层可保护该第二电极免于蚀刻剂的侵蚀。
2.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于该牺牲层的材质为介电材质、金属材质或硅材质。
3.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于还包括一第二材质层覆盖该第二电极。
4.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于还包括：
一第二材质层位于该第二电极之上；以及
一间隙壁位于该第二电极的侧壁。
5.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于该第一材质层的材质是选自于硅材质、介电材质、透明导电材质、高分子聚合物及金属氧化物。
6.如权利要求3所述的微机电结构，其特征在于该第二材质层的材质是选自于硅材质、介电材质、透明导电材质、高分子聚合物及金属氧化物。
7.如权利要求5或6所述的微机电结构，其特征在于该硅材质为多晶硅或非晶硅。
8.如权利要求5或6所述的微机电结构，其特征在于该介电材质为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
9.如权利要求5或6所述的微机电结构，其特征在于该透明导电材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铟。
10.如权利要求5或6所述的微机电结构，其特征在于该高分子聚合物为石蜡或可运用蒸气涂布的高分子材质。
11.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于该第一材质层的厚度介于数埃至2000埃之间。
12.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于该第一材质层的厚度介于200埃至1000埃之间。
13.如权利要求3所述的微机电结构，其特征在于该第二材质层的厚度介于数埃至2000埃之间。
14.如权利要求3所述的微机电结构，其特征在于该第二材质层的厚度介于200埃至1000埃之间。
15.如权利要求1所述的微机电结构，其特征在于形成该导体层的材质为金属。
16.如权利要求1至4之任一项所述的微机电结构，其特征在于该第二电极是一可动电极。
17.一种光干涉式显示单元的制造方法，适用于一基材之上，该方法至少包含：
形成一第一电极于该基材之上；
形成一牺牲层于该第一电极之上；
形成至少二开口于牺牲层及该第一电极之内并限定出该光干涉式显示单元的位置；
形成一支撑物于每一开口之内；
形成一第一材质层于该牺牲层及该支撑物之上；
形成一导体层于该第一材质层上；
限定该导体层及该第一材质层以形成一第二电极；
形成一第二材质层覆盖该第二电极；
移除部分该第二材质层以暴露出位于其下方的牺牲层；以及
以一结构释放蚀刻制程移除该牺牲层。
18.一种光干涉式显示单元的制造方法，适用于一基材之上，该方法至少包含：
形成一第一电极于该基材之上；
形成一牺牲层于该第一电极之上；
形成至少二开口于牺牲层及该第一电极之内并限定出该光干涉式显示单元的位置；
形成一支撑物于每一开口之内；
形成一第一材质层于该牺牲层及该支撑物之上；
形成一导体层于该第一材质层上；
形成一第二材质层于该导体层之上；
限定该第二材质、该导体层及该第一材质层以形成一第二电极；
形成一第三材质层覆盖该第二电极；
以一自动对准蚀刻制程蚀刻该第三材质层而于该第二电极的侧壁形成一间隙壁；以及
以一结构释放蚀刻制程移除该牺牲层。
19.如权利要求17或18所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于形成该牺牲层的材质为介电材质、金属材质或硅材质。
20.如权利要求17或18所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于形成该第一材质层及该第二材质层的材质是选自硅材质、介电材质、透明导电材质、高分子聚合物、金属氧化物及其任意组合。
21.如权利要求18所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于形成该第三材质层的材质是选自硅材质、介电材质、透明导电材质、高分子聚合物、金属氧化物及其任意组合。
22.如权利要求20所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该硅材质为多晶硅或非晶硅。
23.如权利要求20所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该介电材质为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
24.如权利要求20所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该透明导电材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铟。
25.如权利要求20所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该高分子聚合物为石蜡或可运用蒸气涂布的高分子材质。
26.如权利要求17或18所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该第一该材质层及该第二材质层的厚度介于数埃至2000埃之间。
27.如权利要求17或18所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该第一材质层的厚度介于200埃至1000埃之间。
28.如权利要求17或18所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于该第二电极是一可动电极。
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