CN1285320C - 多电极阵列及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 4
- 229910000806 Latten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 210000005013 brain tissue Anatomy 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 description 1
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 208000037816 tissue injury Diseases 0.000 description 1
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- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
本发明涉及多电极阵列技术,特别是一种多电极阵列制造方法。本发明的一种多电极阵列,由微孔阵列、单电极和固定树脂组成,其单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部较头部长,水平延伸,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的部分水平尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂。本发明使用金属丝做电极,电极可以制造得很细,电极间距也可以很小。使用有一定深度的微孔阵列限定电极的位置、角度、长度,易于实现。直接使用电极丝的尾端做引线,省去了难度较高的焊线工艺,可靠性和机械强度也很高。
Description
技术领域
本发明涉及多电极阵列技术,特别是一种多电极阵列制造方法。
背景技术
多电极阵列是在一块基片集成多个微电极形成阵列,植入脑皮层的多电极阵列,可以读取脑中神经元群体活动的细节信息。在神经科学基础研究方面,多电极阵列开始成为一种重要的神经信息探测手段,在医学应用方面,多电极阵列成为神经科学面向医学应用的接口。
1981年,美国科学家Kruger等人在间距250微米的网格上,用陶瓷材料固定多个微电极成为多电极阵列,这种方法效率低,电极长度及平行度不易控制。以后出现了多种改进多电极阵列制造方法,如尤他大学的电极阵列是在硅基片上用划片刀直接刻出多个电极尖,再经绝缘、焊线等工艺制成成品,这类方法问题在于电极尖的尺寸不可能做得太细,而太粗的电极对脑组织的损伤是较大的,同时也很难制造密度高的多电极阵列。另外还有采用光刻蚀、离子溅射等平面集成电路制造工艺制成片状的多电极,再叠合形成多电极阵列,如美国密歇根大学的电极阵列,但这类电极阵列在综合性能方面仍需改进,目前也还未产品化。
发明内容
本发明的目的是要提供一种电极直径很细、易于实现高密度的多电极阵列制造方法。
为达到上述目的,本发明的解决方案是提供一种多电极阵列的制造方法,该多电极阵列,由微孔阵列、单电极和固定树脂组成,其单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部较头部长,水平延伸,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的部分水平尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂;其包括下述步骤:
a)以光刻工艺在树脂基板上制成微孔阵列;
b)以金属丝制成直角形的单个电极,其头部呈尖锐状,尾部较长;
c)将金属丝制成的单个电极插入到微孔阵列的垂直孔中,电极的头部伸出垂直孔,尾部水平放置;
d)以固定树脂将单电极的部分水平尾部与微孔阵列的上表面封固在一起;
e)得成品。
所述的方法,其所述a)步或用下述方法进行:
1)在金属片上用激光打出阵列的微孔,得二片微孔阵列薄板;
2)将两片微孔阵列薄板水平分开固定;
3)将钢丝截成段后,插入两片微孔阵列薄板的微孔中,两端露出;
4)将树脂,注入两片微孔阵列薄板之间;
5)一段时间后,抽出钢丝、剥去两片微孔阵列薄板,修整外形即可得微孔阵列。
所述的方法,其所述金属片为0.04~0.10毫米厚度的黄铜片。
所述的方法,其所述微孔直径较单个电极外径大4~8微米。
所述的方法,其所述2)步中,两片微孔阵列薄板分开0.8~1.5毫米。
所述的方法,其所述4)步中的树脂,为义齿牙托树脂。
所述的方法,其所述5)步中的一段时间,为≥20分钟。
所述的方法,其所述固定树脂,为有机硅树脂。
本发明是将极细的电极丝制成的单个电极插入到微孔阵列中,形成多电极阵列。微孔阵列可以用光刻工艺在树脂基板上制成,其孔径略大于电极丝外径,电极插入后可以被固定在特定位置,微孔阵列有一定厚度,可以保证各电极的平行度。电极尾端细长,可以直接作为引线,不必在电极阵列背面焊接引线。
本发明使用金属丝做电极,电极可以制造得很细,电极间距也可以很小。使用有一定深度的微孔阵列限定电极的位置、角度、长度,易于实现。直接使用电极丝的尾端做引线,省去了难度较高的焊线工艺,可靠性和机械强度也很高。
附图说明
图1为本发明的多电极阵列及其制造方法示意图,其中:
图1(a)为微孔阵列薄片;
图1(b)为插入金属丝;
图1(c)注树脂;
图1(d)托模制成微孔阵列;
图1(e)插电极;
图1(f)背面滴树脂固定。
具体实施方式
本发明的多电极阵列,其结构如图1(f)所示,由微孔阵列4、单电极5和固定树脂6组成。以金属丝做成的单电极5为直角形,置于微孔阵列4的垂直孔中;单电极5的尾部较头部长,水平延伸一定距离,单电极5的头部呈尖状,伸出微孔阵列4的垂直孔;固定树脂6将单电极5的部分水平尾部与微孔阵列4的上表面封固在一起。
本发明的多电极阵列的制造方法如下:
a)以光刻工艺在树脂基板上制成微孔阵列4;
b)以金属丝制成直角形的单个电极5,其头部呈尖锐状,尾部较长;
c)将金属丝制成的单个电极5插入到微孔阵列4的垂直孔中,电极5的头部伸出垂直孔,尾部水平放置;
d)以固定树脂6将单电极5的部分水平尾部与微孔阵列4的上表面封固在一起;
e)得成品。
上述方法的a)步也可用下述方法进行:
1)在金属片上用激光打10×10阵列的微孔,得二片微孔阵列薄板1;将两片微孔阵列薄板1分开1毫米固定;
2)将钢丝2截成30毫米后,插入两片微孔阵列薄板1的微孔中,前端露出1毫米左右,后端露出适当长度;
3)将树脂3,注入两片微孔阵列薄板1之间;
4)20分钟后,抽出钢丝2、剥去两片微孔阵列薄板1,修整外形即可得微孔阵列4。
实施例:
见图1(a)~图1(f),,取厚度0.05毫米的黄铜片二片,激光打10×10阵列的微孔,孔径30微米,孔间距200微米,将两片微孔阵列薄板1水平分开1毫米固定。取直径为27微米左右的钢丝2,拉直后截成30毫米长的钢丝2一百根,用显微操作将钢丝2插入两片微孔阵列薄板1的微孔中,尖端露出1毫米左右,后端露出适当长度。将新调配好的义齿牙托树脂3,立即注入两片微孔阵列薄板1间,20分钟后树脂3凝固,抽出钢丝2、剥去两片微孔阵列薄板1,修整牙托胶块的外形即可得到孔径25微米左右、孔深1毫米、10×10的微孔阵列4。
备直径为20微米的单电极5一百根,将电极5尖端2.5毫米处弯成直角,用显微操作将单个电极5插入微孔阵列4各孔,全部电极5插入后,在微孔阵列4背面滴上固定树脂6,固定电极5,电极5的尾端输出信号。
Claims (8)
1、一种多电极阵列的制造方法,该多电极阵列,由微孔阵列、单电极和固定树脂组成,其单电极为直角形,置于微孔阵列的垂直孔中;单电极的尾部较头部长,水平延伸,单电极的头部呈尖状,伸出微孔阵列的垂直孔;在单电极的部分水平尾部与微孔阵列的上表面上方有固定树脂;其特征在于,包括下述步骤:
a)以光刻工艺在树脂基板上制成微孔阵列;
b)以金属丝制成直角形的单个电极,其头部呈尖锐状,尾部较长;
c)将金属丝制成的单个电极插入到微孔阵列的垂直孔中,电极的头部伸出垂直孔,尾部水平放置;
d)以固定树脂将单电极的部分水平尾部与微孔阵列的上表面封固在一起;
e)得成品。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述a)步或用下述方法进行:
1)在金属片上用激光打出阵列的微孔,得二片微孔阵列薄板;
2)将两片微孔阵列薄板水平分开固定;
3)将钢丝截成段后,插入两片微孔阵列薄板的微孔中,两端露出;
4)将树脂,注入两片微孔阵列薄板之间;
5)一段时间后,抽出钢丝、剥去两片微孔阵列薄板,修整外形即可得微孔阵列。
3、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属片为0.04~0.10毫米厚度的黄铜片。
4、如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述微孔直径较单个电极外径大4~8微米。
5、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述2)步中,两片微孔阵列薄板分开0.8~1.5毫米。
6、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述4)步中的树脂,为义齿牙托树脂。
7、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述5)步中的一段时间,为≥20分钟。
8、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述固定树脂,为有机硅树脂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 03159801 CN1285320C (zh) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 多电极阵列及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 03159801 CN1285320C (zh) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 多电极阵列及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1600264A CN1600264A (zh) | 2005-03-30 |
CN1285320C true CN1285320C (zh) | 2006-11-22 |
Family
ID=34660759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 03159801 Expired - Fee Related CN1285320C (zh) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 多电极阵列及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1285320C (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100371119C (zh) * | 2005-06-01 | 2008-02-27 | 清华大学 | 阵列微细型孔的电化学加工工艺 |
CN1973918B (zh) * | 2006-11-16 | 2010-04-07 | 上海交通大学 | 可植入人体神经系统的簇状刺激微电极阵列 |
CN101912665A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-12-15 | 重庆大学 | 一种柔性束状微电极阵列及其制备方法 |
CN115568858B (zh) * | 2022-09-07 | 2023-07-11 | 上海脑虎科技有限公司 | 神经电极装置及制备神经电极装置的方法 |
-
2003
- 2003-09-25 CN CN 03159801 patent/CN1285320C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1600264A (zh) | 2005-03-30 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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