CN118471309A - 一种存储芯片的测试方法及测试装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试装置,属于存储技术领域。所述存储芯片的测试方法包括以下步骤:对主机上电并开机,并向存储芯片发送初始化指令;存储芯片接收到初始化指令后,第一计时器开始计时,并对存储芯片进行初始化;存储芯片完成初始化后;当第一计时器的时间到达预设时间,向主机发送反馈信息;若主机接收到反馈信息的时间未超过上电时间,则主机正常开机,之后对主机下电;存储芯片依据主机的下电次数更新预设时间;重新对主机上电,直至主机接收到反馈信息的时间超过上电时间,并获取上个循环中的预设时间作为存储芯片的最大上电时间。通过本发明提供的存储芯片的测试方法及测试装置,可自动获取存储芯片的最大上电时间。

Description

一种存储芯片的测试方法及测试装置
技术领域
本发明属于存储技术领域,特别涉及一种存储芯片的测试方法及测试装置。
背景技术
固态存储器是一种新型的存储设备,使用固态存储器制成可以制成多种存储芯片,例如包括固态硬盘(Solid State Disk,SSD),嵌入式多媒体存储卡(embedded MultiMedia Card,eMMC),通用闪存存储(Universal Flash Storage,UFS),安全卡(SecureDigital,SD)、USB闪存盘(USB flash disk)等存储芯片。而这些存储芯片被应用在不同的主机产品上,例如电视机或显示器等。由于不同的存储芯片需要满足不同的传输协议,故不同的存储芯片具有不同的上电时间,而主机产品也有开机时间的需求。
但是主机的开机时间和存储芯片的上电时间有差异,若存储芯片上电时间过长,则主机产品无法开机。因而在存储芯片出厂前,需要设置一个最大上电时间。在获取存储芯片的最大上电时间时,将存储芯片放置在设备平台上重复进行重启测试,并验证是否通过测试,但这种测试方法需要大量的人力物力,且获得的最大上电时间无法覆盖所有应用场景。
发明内容
本发明的目的在于提供一种存储芯片的测试方法及测试装置,可解决无法自动获取存储芯片的最大上电时间的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试装置,且所述存储芯片的测试方法至少包括以下步骤:
对主机上电并开机,并通过所述主机向存储芯片发送初始化指令;
所述存储芯片接收到所述初始化指令后,启动第一计时器开始计时,并对所述存储芯片进行初始化;
所述存储芯片完成初始化后,监测所述第一计时器的时间是否到达预设时间;
当所述第一计时器的时间到达所述预设时间,向所述主机发送反馈信息;
若所述主机接收到所述反馈信息的时间未超过上电时间,则所述主机正常开机,并在所述主机开机时间到达设定时间时,对所述主机下电;
存储芯片依据所述主机的下电次数更新所述预设时间;
重新对所述主机上电,直至所述主机接收到所述反馈信息的时间超过上电时间,并获取上个循环中的所述预设时间作为存储芯片的最大上电时间。
在本发明一实施例中,所述存储芯片初始化的时间小于初始预设时间。
在本发明一实施例中,在测试时,依据所述存储芯片的容量和使用情况选取所述存储芯片,以降低所述存储芯片扫描闪存数据恢复丢失的映射关系的时间。
在本发明一实施例中,在测试之前,关闭所述存储芯片在上电时扫描闪存删除数据恢复丢失的映射关系的功能。
在本发明一实施例中,所述预设时间通过以下公式获取:
T=T1+A×N;
其中,T为所述预设时间,T1为设定的初始预设时间,A为步长,N为主机的下电次数。
在本发明一实施例中,在获取所述最大上电时间后,所述存储芯片的测试方法包括:
获取所述开机时间和所述最大上电时间的第一差值,并获取所述第一差值和所述反馈信息传递的时间的第二差值;以及
若所述第二差值超过预设范围,则减小步长,获取更精确的最大上电时间;若所述第二差值在所述预设范围内,则将当前所述最大上电时间作为最终的最大上电时间。
在本发明一实施例中,在获取所述最大上电时间的过程中,使用开机标识记录单元统计所述主机的开机次数。
在本发明一实施例中,所述测试方法还包括:使用所述开机标识记录单元统计的所述开机次数获取所述最大上电时间,对循环中获取的所述最大上电时间进行校验。
本发明还提供一种存储芯片的测试装置,所述测试装置包括:
主机,待测试的所述存储芯片设置在所述主机中;
继电器,设置有第一输出端和第二输出端,以对所述主机上电和开机;
存储器,存储有程序指令;以及
处理器,运行所述程序指令实现如权利要求上所述的储芯片的测试方法。
在本发明一实施例中,所述测试装置还包括开机标识记录单元,所述开机标识记录单元统计所述主机的开机次数。
综上所述,本发明提供的一种存储芯片的测试方法及测试装置,使用继电器控制主机的上电与开机,将预设时间的公式设置在存储芯片内部,且将预设时间与主机下电次数设置为正相关,随着下电次数的增加,使得预设时间逐渐增加,进而使得存储芯片的上电时间逐渐增加,直至主机无法启动,获取主机允许的存储芯片的最大上电时间。可实现自动获取存储芯片的最大上电时间,节约人力物力。且依据调整预设时间的公式中的步长,可以调整最大上电时间的精确度,可依据测试成本和最大上电时间的精度需求调整步长,使得获取的最大上电时间满足主机需求的同时,也符合经济效益。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例中存储芯片的测试装置的结构图。
图2是本申请一实施例中存储芯片的测试方法流程图。
图3是本申请一实施例中存储芯片的测试装置的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。“高”、“低”等指示的程度,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有高低,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
固态存储器具有数据存取速度快,防震抗摔等特点,被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等、导航设备等领域。当使用固态存储器制成的存储芯片被用在主机产品上时,存储芯片由于使用不同的传输协议,具有不同的最大上电时间。串行ATA固态硬盘(Serial Advanced Technology Attachment SolidState Disk,SATA SSD)的最大上电时间例如为30s,eMMC的最大上电时间例如为1s。而主机产品为满足客户需求,也需要设置开机时间。一些电视机的开机时间例如设置在950ms左右。若电视机内的存储芯片为eMMC,且eMMC的上电时间超过950ms,则电视机无法开机。故对于设置在电视机内的eMMC,需要将其最大上电时间设置在950ms以内。故在存储芯片出厂前,需要依照该存储芯片所应用的主机需求,设置一个主机允许的最大上电时间。
对于存储芯片的最大上电时间,本申请提供一种存储芯片的测试方法及测试装置,可以获取存储芯片的最大上电时间。
请参阅图1所示,在本发明一实施例中,所述存储芯片的测试装置包括继电器101和设备主机102。其中,设备主机102中设置有待测试的存储芯片103。继电器101电性连接于外部电源,且继电器101有两个输出端。其中,继电器101的第一输出端控制主机102的上电功能,继电器101的第二输出端控制主机102的开机功能。
需要注意的是,如图1所示,本申请中待测试的存储芯片103可以是固态硬盘,嵌入式多媒体存储卡,通用闪存存储,安全卡或USB闪存盘等任意一种存储芯片103。主机102可以是模拟电视机、显示器或其他任意一种存储芯片103适用的主机102。
请参阅图2所示,在本发明一实施例中,所述存储芯片的测试方法包括步骤S101~S111。
步骤S101、主机上电,并在上电稳定后导通主机的开机通路。
步骤S102、主机向存储芯片发送初始化指令。
步骤S103、存储芯片收到初始化指令后启动第一计时器开始计时,并对所述存储芯片进行初始化。
步骤S104、监测第一计时器的时间是否达到预设时间,若第一计时器的时间未达到预设时间,则执行步骤S105,若第一计时器的时间达到预设时间,则执行步骤S106。
步骤S105、第一计时器持续计时,并返回步骤S104。
步骤S106、存储芯片发送反馈信息至主机。
步骤S107、判断主机接收到反馈信息的时间是否超过开机时间,若主机接收到反馈信息的时间未超过开机时间,则依次执行步骤S108和步骤S109后返回步骤S101;若主机接收到反馈信息的时间超过开机时间,则执行步骤S110和步骤S111。
步骤S108、主机开机,并在主机开机通路的导通时间到达设定时间时,对主机下电。
步骤S109、存储芯片依据主机的下电次数更新预设时间。
步骤S110、主机不开机,并在主机开机通路的导通时间到达设定时间时,对主机下电。
步骤S111、获取上个循环中的预设时间作为存储芯片的最大上电时间。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,在使用本申请提供的测试装置获取存储芯片103的最大上电时间时,先执行步骤S101。在步骤S101中,可以先通过继电器101的第一输出端对主机102上电。当主机102的供电稳定后,再通过继电器101的第二输出端将主机102的开机通路导通。其中,当通过继电器101的第一输出端对主机102上电后,可以等待一定时间,待主机102的供电稳定。其中,待主机102供电稳定的时间可依据主机102性能设置,例如为50s、60s、70s或80s等。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,当主机102的开机通路导通后,主机102向存储芯片103发送初始化指令。当存储芯片103收到初始指令后,启动存储芯片103内的第一计时器。在启动第一计时器的同时,存储芯片103开始初始化。在存储芯片103初始化的过程中,第一计时器同步计时,并实时监测第一计时器的时间是否达到预设时间。
需要注意的是,如图1和图2所示,对存储芯片103初始化的过程即对存储芯片103进行上电的过程,此上电过程主要取决于固件设计逻辑。而对存储芯片103初始化的过程最长的耗时是在扫描存储芯片103内部闪存数据恢复丢失的映射关系,该过程要占到整个上电时长的80%左右。而在主机102开机后,为保证存储芯片103可以正常运行,在开机之前需要完成存储芯片103的初始化。在本申请中,为保证在初次循环时,主机102接收到反馈信息的时间不超过开机时间,需要降低存储芯片103初始化的时间,使得存储芯片103初始化的时间小于初始预设时间,而初始预设时间小于开机时间。
请参阅图1和图2所示,在本发明一些实施例中,为保证存储芯片103初始化的时间小于初始预设时间,在测试时,依据存储芯片103的容量和使用情况选取存储芯片103,即可选取大容量和/或较新的存储芯片103,降低存储芯片103扫描闪存数据恢复丢失的映射关系的时间,进而降低存储芯片103初始化的时间。在本发明另一些实施例中,在对存储芯片103进行测试之前,关闭存储芯片103在上电时删除扫描闪存数据恢复丢失的映射关系这一功能,将存储芯片103的上电时间大大降低。在关闭存储芯片103在上电时删除数据恢复丢失的映射关系这一功能后,存储芯片103的上电时间可以降低至例如100ms以内。虽然关闭存储芯片103在上电时删除数据恢复丢失的映射关系后,存储芯片103在上电时会丢失部分数据,但并不影响存储芯片103的上电以及主机102的开机,对于存储芯片103最大的上电时间测试没有影响。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,预设时间与主机102的下电次数相关。在本实施例中,预设时间与主机102的下电次数呈正相关,即主机102的下电次数越大,预设时间越大。具体的,预设时间通过以下公式获取:
T=T1+A×N;
其中,T为预设时间,T1为设定的初始预设时间,A为步长,N为主机的下电次数。
请参阅图1和图2所示,在预设时间的获取公式中,初始预设时间是依据主机102的开机时间和存储芯片103的上电时间设置的,初始预设时间大于存储芯片103的上电时间,且初始预设时间小于主机102的开机时间。在本实施例中,初始预设时间例如为500ms、600ms或700ms,也可以例如为550ms或650ms等。
请参阅图1和图2所示,在预设时间的获取公式中,步长可以依据最大上电时间的精确度调整。当需要精确的最大上电时间时,将步长调整较小。此时,将步长调整例如为7ms、5ms、3ms或1ms等。当需要粗略的最大上电时间时,将步长调整较大。此时,将步长调整例如为10ms、13ms、15ms或20ms等。
请参阅图1和图2所示,在预设时间的获取公式中,主机102的下电次数为主机102异常掉电次数。在本实施例中,在主机102首次上电时,主机102的下电此时为0。而在之后的每次循环中,控制继电器101对主机102下电一次,即视为主机102的一次异常掉电,主机102的下电次数加一。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,预设时间的公式存储在存储芯片103中,主机102每下电一次,存储芯片103内的预设时间更新一次,直至主机102开机通路的导通时间大于或等于设定时间。此时,可以实现对存储芯片103的最大上电时间的自动测试。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,当第一计时器的时间到达预设时间后,存储芯片103发送一个反馈信息给主机102,用于告知主机102存储芯片103已经完成上电。
请参阅图1和图2所示,需要注意的是,本申请中的反馈信息和初始化指令可以是本领域技术人员通过软件定义的任意代码,实现主机102和存储芯片103之间的通信即可。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,在主机102内设置有第二计时器,在主机102开机的同时,第二计时器从主机102开机通路导通时开始计时。当接收到存储芯片103的反馈信息时,第二计时器的时间即为主机102接收到反馈信息的时间。当主机102接收到反馈信息的时间小于或等于开机时间时,主机102可以顺利开机。而当主机102接收到反馈信息的时间大于开机时间时,主机102无法开机。其中,主机102的开机时间依据需求设定。当存储芯片103应用在电视机上时,则将开机时间设置为电视机允许的最大开机时间。当存储芯片103应用在显示器上时,则将开机时间设置为显示器允许的最大开机时间。当存储芯片103应用在其他主体上时,则将开机时间设置为其他主体的最大开机时间。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,当获取了主机102接收到反馈信息的时间后,无论主机102是否开机,第二计时器会继续计时。此时,第二计时器的时间即为主机102开机通路的导通时间。当主机102通路的导通时间到达设定时间时,通过控制继电器101的第二输出端,对主机102下电。其中,设定时间是依据需求设定的,设定时间大于主机102的开机时间。在主机102正常上电时,可以使主机102导通一段时间。在本实施例中,设定时间例如为60s、70s、80s或90s等。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,当主机102接收到反馈信息的时间小于或等于开机时间时,主机102顺利开机,并在主机102开机通路的导通时间到达设定时间时,对主机102下电后。之后,再次开机时,存储芯片103可依据主机102的下电次数更新预设时间。当主机102仍可以开机时,主机102不会重置主机102的下电次数。这样,在主机102开机通路的导通时间达到设定时间之前,随着主机102下电次数的逐渐增加,预设时间逐渐增加,直至主机102开机通路的导通时间等于或大于设定时间。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,当主机102开机通路的导通时间等于或大于设定时间后,即此时存储芯片103的上电时间过大,已经导致主机102无法开机。则获取上个循环中的预设时间作为最大上电时间。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,在获取了存储芯片103的最大上电时间之后,若存储芯片103的最大上电时间和开机时间相差过大。可以调整获取预设时间的公式中的步长,将步长调整得更小,可以获取更精确的最大上电时间。具体的,可以获取开机时间和最大上电时间的第一差值,并获取第一差值与反馈信息传递的时间的第二差值,若第二差值超出预设范围,则减小步长。再次执行步骤S101至步骤S111,获取更精确的最大上电时间。若第二差值在预设范围以内,则将当前获取的最大上电时间作为最终的最大上电时间。其中,预设范围为人为设定的时间范围,第二差值的预设范围设置的越小,则最终获取的最大上电时间越精确。在本实施例中,预设范围例如为1ms、1.5ms或2ms等。
请参阅图1和图2所示,在本发明一实施例中,存储芯片103的测试装置中还可以设置有开机标识记录单元104。开机标识记录单元104可以为设置在主机102中或与主机102输出端连接的一个可触发的记录单元。在本申请中,若主机102顺利开机,则会产生开机标识。同时,产生的开机标识触发开机标识记录单元104,开机标识记录单元104记录的开机标识次数加一,直至主机102无法开机。使用开机记录单元记录开机的次数,可以统计开机次数。将统计到的开机次数带入预设时间的公式,可以获取另一最大上电时间,进而实现对循环中获取最大上电时间的校验。
请参阅图3所示,本申请的实施例提供的一种存储芯片的测试装置中还包括存储器106、处理器105及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序,所述处理器执行实现上述存储芯片的测试方法。
请参阅图3所示,存储器106至少包括一种类型的可读存储介质,所述可读存储介质包括闪存、移动硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如:SD或DX存储器等)、磁性存储器、磁盘、光盘等。存储器在一些实施例中可以是电子设备的内部存储单元,例如该电子设备的移动硬盘。存储器在另一些实施例中也可以是电子设备的外部存储设备,例如电子设备上配备的插接式移动硬盘、智能存储卡(Smart Media Card, SMC)、安全数字(Secure Digital,SD)卡、闪存卡(Flash Card)等。进一步地,存储器还可以既包括电子设备的内部存储单元也包括外部存储设备。存储器不仅可以用于存储安装于电子设备的应用软件及各类数据,还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
请参阅图3所示,处理器105在一些实施例中可以由集成电路组成,例如可以由单个封装的集成电路所组成,也可以是由多个相同功能或不同功能封装的集成电路所组成,包括一个或者多个中央处理器(Central Processing unit,CPU)、微处理器、数字处理芯片、图形处理器及各种控制芯片的组合等。处理器是所述车载设备的控制核心(ControlUnit),利用各种接口和线路连接整个车载设备的各个部件,通过运行或执行存储在所述存储器内的程序或者模块,以及调用存储在所述存储器内的数据,以执行车载设备的各种功能和处理数据。
所述处理器执行所述车载设备的操作系统以及安装的各类应用程序。所述处理器执行所述应用程序以实现上述方法实施例中的步骤。
示例性的,所述程序可以被分割成一个或多个模块,所述一个或者多个模块被存储在所述存储器中,并由所述处理器执行,以完成本发明。所述一个或多个模块可以是能够完成特定功能的一系列程序指令段,该指令段用于描述所述程序在所述车载设备中的执行过程。
上述以软件功能模块的形式实现的集成的单元,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能模块存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机、计算机设备,或者网络设备等)或处理器(processor)执行本发明各个实施例锂电池虚焊检测方法的部分功能。
综上所述,一种存储芯片的测试方法及测试装置,该存储芯片的测试方法包括对主机上电并开机,并通过主机向存储芯片发送初始化指令。存储芯片接收到所述初始化指令后,启动第一计时器开始计时,并对存储芯片进行初始化。存储芯片完成初始化后,监测第一计时器的时间是否到达预设时间。当第一计时器的时间到达预设时间,向主机发送反馈信息。若主机接收到反馈信息的时间未超过上电时间,则主机正常开机,并在主机开机时间到达设定时间时,对主机下电。之后,记录主机的下电次数,并以下电次数更新所述预设时间。再重新对主机上电,直至主机接收到反馈信息的时间超过上电时间,并获取上个循环中的预设时间作为存储芯片的最大上电时间。
以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种存储芯片的测试方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
对主机上电并开机,并通过所述主机向存储芯片发送初始化指令;
所述存储芯片接收到所述初始化指令后,启动第一计时器开始计时,并对所述存储芯片进行初始化;
所述存储芯片完成初始化后,监测所述第一计时器的时间是否到达预设时间;
当所述第一计时器的时间到达所述预设时间,向所述主机发送反馈信息;
若所述主机接收到所述反馈信息的时间未超过上电时间,则所述主机正常开机,并在所述主机开机时间到达设定时间时,对所述主机下电;
存储芯片依据所述主机的下电次数更新所述预设时间;
重新对所述主机上电,直至所述主机接收到所述反馈信息的时间超过上电时间,并获取上个循环中的所述预设时间作为存储芯片的最大上电时间。
2.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,所述存储芯片初始化的时间小于初始预设时间。
3.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,在测试时,依据所述存储芯片的容量和使用情况选取所述存储芯片,以降低所述存储芯片扫描闪存数据恢复丢失的映射关系的时间。
4.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,在测试之前,关闭所述存储芯片在上电时删除扫描闪存数据恢复丢失的映射关系的功能。
5.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,所述预设时间通过以下公式获取:
T=T1+A×N;
其中,T为所述预设时间,T1为设定的初始预设时间,A为步长,N为主机的下电次数。
6.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,在获取所述最大上电时间后,所述存储芯片的测试方法包括:
获取所述开机时间和所述最大上电时间的第一差值,并获取所述第一差值和所述反馈信息传递的时间的第二差值;以及
若所述第二差值超过预设范围,则减小步长,获取更精确的最大上电时间;若所述第二差值在所述预设范围内,则将当前所述最大上电时间作为最终的最大上电时间。
7.根据权利要求1所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,在获取所述最大上电时间的过程中,使用开机标识记录单元统计所述主机的开机次数。
8.根据权利要求7所述的一种存储芯片的测试方法,其特征在于,所述测试方法还包括:使用所述开机标识记录单元统计的所述开机次数获取所述最大上电时间,对循环中获取的所述最大上电时间进行校验。
9.一种存储芯片的测试装置,其特征在于,所述测试装置包括:
主机,待测试的所述存储芯片设置在所述主机中;
继电器,设置有第一输出端和第二输出端,以对所述主机上电和开机;
存储器,存储有程序指令;以及
处理器,运行所述程序指令实现如权利要求1所述的储芯片的测试方法。
10.如权利要求9所述的一种存储芯片的测试装置,其特征在于,所述测试装置还包括开机标识记录单元,所述开机标识记录单元统计所述主机的开机次数。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050270881A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Etron Technology, Inc. Speeding up the power-up procedure for low power ram
US20090172429A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Ramana Rachakonda Power mode control method and circuitry
CN114005486A (zh) * 2021-10-13 2022-02-01 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 非易失性存储器辐射效应测试方法、装置和计算机设备
CN115273955A (zh) * 2022-06-21 2022-11-01 尧云科技(西安)有限公司 一种eMMC busy时间内掉电的数据测试方法及装置
CN117666972A (zh) * 2024-02-01 2024-03-08 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储装置及其数据处理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050270881A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Etron Technology, Inc. Speeding up the power-up procedure for low power ram
US20090172429A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Ramana Rachakonda Power mode control method and circuitry
CN114005486A (zh) * 2021-10-13 2022-02-01 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 非易失性存储器辐射效应测试方法、装置和计算机设备
CN115273955A (zh) * 2022-06-21 2022-11-01 尧云科技(西安)有限公司 一种eMMC busy时间内掉电的数据测试方法及装置
CN117666972A (zh) * 2024-02-01 2024-03-08 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储装置及其数据处理方法

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