CN118414061A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示装置包括基板上的多个像素，每一个像素包括多个子像素，每一个子像素包括发射区域，包括光提取图案的平坦化层，所述光提取图案位于多个子像素中的每一个子像素的发射区域处并且包括多个凹入部分和围绕多个凹入部分中的每一个凹入部分的凸出部分，在光提取图案上的发光器件层，以及相位光栅部分，该相位光栅部分在基板和光提取图案之间，以与多个子像素中的每一个子像素的发射区域重叠。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2023年1月30日提交的韩国专利申请No.10-2023-0012095的权益，该申请通过引用的方式结合于此，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种有机发光显示装置，其可以提高内部光提取效率并且可以降低外部光的反射率。
背景技术
有机发光显示装置具有高响应速度和低功耗。与液晶显示装置不同，有机发光显示装置是自发光显示装置，不需要单独的光源。因此，没有视角问题，由此有机发光显示装置成为下一代平板显示装置。
有机发光显示装置通过有机发光层的发光显示图像，该有机发光层包括插入两个电极之间的发射层。
然而，由于起因于有机发光层与电极之间的界面处的全反射等和/或基板与空气层之间的界面处的全反射，从有机发光层发射的一些光没有发射到外部，因此光提取效率降低。因此，在有机发光显示装置中，由于低的光提取效率而减少了针对改善亮度的研究，并且增加了功耗。
发明内容
因此，本公开旨在提供一种有机发光显示装置，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本公开的一方面是提供一种有机发光显示装置，其可以增强从发射层发射的光的光提取效率。
本公开的另一方面是提供一种有机发光显示装置，其中可以减少由外部光的反射引起的黑色可见度特性或黑色(或黑色上升)现象，并且可以最小化或减少彩虹不均匀(Mura)和圆环不均匀的发生。
本公开的目的不限于上述内容，但是本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解本文未描述的其他目的。
为了实现本公开的发明构思的这些和其他方面，如本文所体现和广泛描述的，在一个或多个方面，有机发光显示装置包括在基板上的多个像素，每一个像素包括多个子像素，每一个子像素包括发射区域，包括光提取图案的平坦化层，所述光提取图案位于多个子像素中的每一个子像素的发射区域处，并且包括多个凹入部分和设置在多个凹入部分中的每一个凹入部分周围的凸出部分，在光提取图案上的发光器件层，以及相位光栅部分，所述相位光栅部分在基板和光提取图案之间，以与多个子像素中的每一个子像素的发射区域重叠。
除了用于解决上述问题的手段之外，根据本说明书的各种示例的具体细节包括在下面的描述和附图中。
根据本公开的有机发光显示装置可以增强从有机发射层发射的光的光提取效率，因此可以实现高效率和高亮度以延长有机发射层的寿命，并且可以降低功耗，从而实现低功率。
此外，在根据本公开的有机发光显示装置中，可以减少由外部光的反射引起的黑色可见度特性或黑色(或黑色上升)现象，并且可以最小化或减少彩虹不均匀和圆环不均匀的发生，从而在非驱动或关闭状态下实现真黑色。
在研究以下附图和具体实施方式时，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或将变得显而易见。所有这样的附加系统、方法、特征和优点旨在包括在本说明书内，在本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。本节中的任何内容都不应被视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开各方面讨论其他方面和优点。
应当理解，本公开的前面的发明内容和下面的具体实施方式都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且将其并入并构成本公开的一部分，附图示出了本公开的方面和实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是用于描述根据本公开的实施例的有机发光显示装置的图。
图2是示出根据本公开的实施例的像素的平面图。
图3是示出根据本公开的实施例的一个子像素的截面结构的截面图。
图4是图2所示的区域“A”的放大图。
图5是示出根据本公开的实施例的相位光栅部分的图。
图6是示出图5所示的多个子像素中的每一个子像素的相位光栅部分的截面图。
图7是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。
图8是沿图7所示的线I-I'截取的截面图。
图9是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。
图10是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。
图11是图10所示的区域“B”的放大图。
图12是图10所示的区域“B”的另一放大图。
图13是图10所示的区域“B”的放大图。
图14是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。
图15是示出图14所示的子像素的放大的图。
图16是示出图14所示的子像素的放大的另一图。
图17是示出图14所示的子像素的放大的另一图。
图18是示出根据本公开的另一实施例的像素的平面图。
图19是图18所示的“C”区域的放大图。
图20A是示出图18所示的第一光提取图案的旋转结构的图。
图20B是示出图18所示的第二光提取图案的旋转结构的图。
图20C是示出图18所示的第三光提取图案的旋转结构的图。
图20D是示出图18所示的第四光提取图案的旋转结构的图。
具体实施方式
将通过参考附图描述的以下实施例来阐明本公开的优点和特征及其实施方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由所附权利要求的范围限定。
在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于所示的细节。相同的附图标记始终表示相同的元件。在以下描述中，当相关已知技术的详细描述被确定为不必要地使本公开的重点难以理解时，将省略详细描述。
在使用本公开中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅-”，否则可以添加另一部分。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时，该元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“下一个”时，一个或多个其他部分可以设置在两个部分之间，除非使用更多限制性的术语，例如“刚好”或“直接”。
空间相对术语，诸如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等，可以用于容易地描述如附图所示的一个或多个元件与另一个或多个元件的关系。
空间相对术语可以被理解为除了附图中所示的方向之外还包括使用或操作中的装置的不同方向的术语。例如，当附图中的装置被翻转时，被描述为在其他元件的“下方”或“下面”的元件可以被放置在其他元件的“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……下面”可以包括向下方向和向上方向。
应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开，并且可以不定义任何顺序。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开的元件时，可以使用术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等。这些术语旨在从其他元件标识出对应元件，并且对应元件的基础、顺序或数量不应受这些术语的限制。元件或层“连接”、“耦合”或“粘附”到另一元件或层的表述意味着元件或层不仅可以直接连接或粘附到另一元件或层，而且可以间接连接或粘附到另一元件或层，其中一个或多个中间元件或层“设置”或“插入”在元件或层之间，除非另有说明。
术语“至少一个”应当被理解为包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个以及第一项目、第二项目或第三项目提出的所有项目的组合。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此不同地相互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开的实施例可以彼此独立地进行，或者可以以相互依赖的关系一起进行。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。为了便于描述，附图中所示的每一个元件的比例与实际比例不同，因此不限于附图中所示的比例。
图1是用于描述根据本公开的实施例的有机发光显示装置的图。
参考图1，根据本公开的实施例的有机发光显示装置可以包括显示面板10，显示面板10包括彼此接合的基板100和对置基板300。
基板100包括薄膜晶体管，并且基板100可以是透明玻璃基板或透明塑料基板。基板100可以包括显示区域AA和非显示区域IA。
显示区域AA是用于显示图像的区域。显示区域AA可以是像素阵列区域、有源区域、像素阵列部分或屏幕。显示区域AA可以包括多个像素P。
多个像素P可以沿着第一方向X和与第一方向X交叉的第二方向Y设置。多个像素P可以各自被定义为实际发光的单位区域。多个像素P中的每一个可以包括多个相邻的子像素SP。例如，第一方向X可以是基板100的第一长度方向、长边长度方向、宽度方向或第一水平方向。第二方向Y可以是基板100的第二长度方向、短边长度方向、长度方向、第二水平方向或垂直方向。
非显示区域IA是不显示图像的区域。非显示区域IA可以是外围电路区域、信号供应区域、非有源区域或边框区域。非显示区域IA可以被配置为围绕显示区域AA。显示面板10或基板100可以进一步包括设置在非显示区域IA处的外围电路部分120。外围电路部分120可以包括与多个子像素SP连接的栅极驱动电路。
对置基板(或相对基板)300可以被配置为与显示区域AA重叠。对置基板300可以设置为通过粘合构件(或透明粘合剂)与基板100相对接合，或者可以设置为有机材料或无机材料堆叠在基板100上的类型。对置基板300可以是上基板、第二基板或封装基板并且可以对基板100进行封装。
图2是示出根据本公开的实施例的像素的平面图。图2示出了图1所示的像素的平面结构。
参考图1和2，在根据本公开的实施例的有机发光显示装置(或显示面板10)中，多个像素P中的每一个可以包括多个子像素SP，例如四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。
根据本公开的实施例的多个像素P中的每一个可以包括沿着第一方向X彼此相邻的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4。例如，多个像素P中的每一个可以包括红色的第一子像素SP1、白色的第二子像素SP2、蓝色的第三子像素SP3和绿色的第四子像素SP4，但是根据本公开的实施例不限于此。第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以被配置为具有彼此不同的尺寸(或面积)。
每一个子像素SP(例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素)可以包括发射区域EA和电路区域CA。发射区域EA可以设置在子像素区域的一侧(或上侧)。第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA可以具有彼此不同的尺寸(或面积)。例如，发射区域EA可以是开口区域或发光区域。
第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA可以具有沿着第一方向X彼此不同的尺寸(或面积)。根据本公开的实施例，第二子像素SP2的发射区域EA可以具有最大尺寸，第四子像素SP4的发射区域EA可以具有最小尺寸，第一子像素SP1的发射区域EA可以小于第二子像素SP2的发射区域EA，并且第一子像素SP1的发射区域EA可以大于第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个的发射区域EA。此外，第三子像素SP3的发射区域EA可以具有比第四子像素SP4的发射区域EA更大的尺寸。然而，根据本公开的实施例不限于此。
第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的电路区域CA可以在子像素区域SPA内与发射区域EA在空间上分离。例如，电路区域CA可以设置在子像素区域SPA的另一侧(或下侧)，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，电路区域CA的至少一部分可以在子像素区域SPA内与发射区域EA重叠。例如，电路区域CA可以在子像素区域SPA内与整个发射区域EA重叠，或者可以在子像素区域SPA内设置在发射区域EA下方(或下面)。例如，电路区域CA可以是非发射区域或非开口区域。
根据本公开的另一实施例的多个像素P中的每一个可以进一步包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA和电路区域CA中的至少一个周围的光透射部分(或透明部分)。例如，多个像素P中的每一个可以包括用于与多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素对应的子像素的发射区域，以及设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素周围的光透射部分，在这种情况下，由于光透射部分的光透射，有机发光显示装置可以实现透明发光显示装置。
根据本公开的实施例，沿着第二方向Y彼此平行延伸的两条数据线DL可以分别设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间以及第三子像素SP3与第四子像素SP4之间。沿着第一方向X延伸的栅极线GL可以设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素中的发射区域EA与电路区域CA之间。沿着第二方向Y延伸的像素电源线PL可以设置在第一子像素SP1或第四子像素SP4的一侧。沿着第二方向Y延伸的参考线RL可以设置在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间。参考线RL可以用作感测线，用于在像素P的感测驱动模式下外部感测设置在像素P的电路区域CA中的驱动薄膜晶体管的特性的变化和/或设置在电路区域CA处的发光器件层的特性的变化。
根据本公开的实施例的多个像素P中的每一个子像素SP(例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4)中的每一个子像素可以包括光提取图案140。
光提取图案140可设置于多个像素P中的每一个子像素SP(例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4)的发射区域EA处。光提取图案140可以形成或配置为具有弯曲(或凹凸)形状。光提取图案140可以朝向光输出表面照射从发射区域EA发射的光，并且因此可以提高从发射区域EA发射的光的光提取效率。
光提取图案140可以包括第一光提取图案140a至第四光提取图案140d。
第一光提取图案140a可以设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第一子像素SP1处。第二光提取图案140b可以设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第二子像素SP2处。第三光提取图案140c可以设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第三子像素SP3处。第四光提取图案140d可以设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第四子像素SP4处。
第一光提取图案140a至第四光提取图案140d中的每一个可以形成或配置为具有弯曲(或凹凸)形状。根据本公开的实施例，第一光提取图案140a至第四光提取图案140d可以被配置为具有相同的尺寸和相同的形状。根据本公开的另一实施例，第一光提取图案140a至第四光提取图案140d中的一个或多个可以被配置为具有不同的尺寸和/或不同的形状。
在有机发光显示装置或显示面板10的非驱动或关闭状态中，从外部输入到光提取图案140的外部光可以被光提取图案140双重反射，并且可以经由光输出表面输出到外部。由于基于衍射特性的光的色散特性，由于光提取图案140而发生的反射光可能导致径向形状的圆环不均匀(Mura)(或圆环模糊图案)和/或彩虹不均匀(或彩虹模糊图案)，其以径向形状扩散，同时具有彩虹颜色。由于由基于波长的折射角之间的差异引起的光的多重干涉和/或相长干涉，由于光提取图案140而发生的反射光可能导致径向形状的圆环不均匀性和/或彩虹不均匀性，其以径向形状扩散，导致有机发光显示装置或显示面板10的黑色可见度特性的降低。
根据本公开的实施例，当从多个像素P中的每一个像素的光提取图案140反射的反射光的规律性高时，反射光之间发生相长干涉(或光干涉)的发生概率可以相对较高。因此，由于反射光的相长干涉，可能出现衍射图案(或衍射图案分布)。另一方面，当从多个像素P中的每一个像素的光提取图案140反射的反射光的规律性低或不具有规律性时，由于反射光的不规律性，反射光之间发生的相长干涉的发生概率可能降低，或者相消干涉的发生概率可能增加，并且因此，可以防止或最小化由于反射光的相长干涉而以径向形状扩散的径向形状彩虹不均匀性和/或径向形状圆环不均匀性的发生。
根据本公开的实施例，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA可以包括相位光栅部分PGP，其改变从光提取图案140反射的反射光的光路以减小或最小化反射光的规律性。
相位光栅部分PGP可以被配置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处。例如，相位光栅部分PGP可以被配置在基板100和光提取图案140之间，以与多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA重叠。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或相位光栅部分PGP可以包括配置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的多个图案区域，诸如在图2所示的示例中的多个图案区域PR1和PR2。例如，多个像素P中的每一个像素的相位光栅部分PGP、或者第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括配置在光提取图案140和基板100之间的多个图案区域PR1和PR2。例如，配置在多个像素P中的每一个像素处的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的相位光栅部分PGP或发射区域EA可以包括配置在光提取图案140和基板100之间的多个图案区域PR1和PR2。例如，多个图案区域PR1和PR2可以沿着第一方向X、第二方向Y、以及第一方向X和第二方向Y之间的对角线方向中的一个方向，设置在对应的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域EA内。例如，多个图案区域PR1和PR2可以沿着第一方向X、第二方向Y、以及第一方向X与第二方向Y之间的对角线方向中的一个方向，交替地设置在对应的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域EA内。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或相位光栅部分PGP可以包括配置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。例如，配置在多个像素P中的每一个像素处的相位光栅部分PGP、或者第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括配置在光提取图案140和基板100之间的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。例如，配置在多个像素P中的每一个像素处的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的相位光栅部分PGP或发射区域EA可以包括配置在光提取图案140和基板100之间的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以在对应的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域EA内彼此分离或在空间上彼此分离。第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以沿着第一方向X、第二方向Y、以及第一方向X和第二方向Y之间的对角线方向中的一个方向，设置在对应的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域EA内。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以沿着第二方向Y设置。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以包括沿着第二方向Y在空间上分割的子像素的第一分割区域和第二分割区域。
根据本公开的实施例，相位光栅部分PGP可以是相位光栅部分、相位光栅、相位光栅图案、多域或子域。例如，第一图案区域PR1可以是相位延迟区域、相位延迟图案层、光路延迟区域、光路延迟图案层、光折射区域、光折射图案区域或绝缘膜图案层。例如，第二图案区域PR2可以是相位非延迟区域、光路非延迟区域、光非折射区域、相位非延迟层、光路非延迟层、光非折射层、狭缝、狭槽或凹槽。
根据本公开的实施例，多个图案区域PR1和PR2或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以被配置为基于折射率差和/或介电常数差来改变从光提取图案140反射的反射光的光路和/或相位。例如，多个图案区域PR1和PR2之间可具有折射率差。例如，多个图案区域PR1和PR2之间可具有0.1或更大的折射率差。以这种方式，多个图案区域PR1和PR2或第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以减小或最小化从光提取图案140反射的反射光的规律性，以增加反射光的随机性，并且因此可以降低反射光之间发生相长干涉(或光干涉)的发生概率，或者可以增加相消干涉的发生概率。
因此，从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性可以基于多个图案区域PR1和PR2或第一图案区域PR1和第二图案区域PR2而增加，并且因此，可以基于在显示区域AA处从光提取图案140反射的反射光的衍射特性来防止或最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。例如，在有机发光显示装置或显示面板10的非驱动或关闭状态下，可以减少由外部光的反射引起的黑色可见度特性或黑色(或黑色上升)现象，由此实现真实的黑色。
图3是示出根据本公开的实施例的一个子像素的截面结构的截面图。
参考图2和3，根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以包括基板100。
在基板100上形成有薄膜晶体管。基板100可以是第一基板、基底基板、下基板、透明玻璃基板、透明塑料基板或基础构件。
在基板100上可形成像素电路层110、平坦化层130和发光器件层160。像素电路层110可以包括缓冲层112和与多个像素P对应的像素电路。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以进一步包括设置于基板100和光提取图案140之间的绝缘层。例如，缓冲层112可以设置在基板100的第一表面(或前表面，以下也称为光提取表面)100a的整个相对表面处。缓冲层112可以是绝缘层、绝缘材料层或无机绝缘层。缓冲层112可以防止或至少减少包含在基板100中的材料在薄膜晶体管的制造中的高温工艺期间扩散到晶体管层，或者可以防止外部水或湿气渗透到发光器件层160中。
像素电路可以包括设置在多个像素P中的每一个子像素SP的电路区域CA处的驱动薄膜晶体管Tdr。驱动薄膜晶体管Tdr可以包括有源层113、栅极绝缘层114、栅极电极115、钝化层116、漏极电极117a和源极电极117b。
有源层113可以设置在缓冲层112上(或上方)。有源层113可以配置有基于非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的任何一种的半导体材料。有源层113可以包括沟道区域113c、漏极区域113d和源极区域113s。
栅极绝缘层114可以岛状形成在有源层113的沟道区域113c上(或上方)，或者可以形成在缓冲层112或包括有源层113的基板100的整个前表面上(或上方)。
栅极电极115可以设置在栅极绝缘层114上(或上方)，以与有源层113的沟道区域113c重叠。
钝化层116可以形成在栅极电极115、以及有源层113的漏极区域113d和源极区域113s上(或上方)。钝化层116可以形成在缓冲层112的整个前表面处。例如，钝化层116可以形成在缓冲层(绝缘层)112与光提取图案140之间。例如，钝化层116可以配置有无机材料。例如，钝化层116可以是层间绝缘层。
漏极电极117a可以设置在钝化层116上(或上方)以电连接到有源层113的漏极区域113d。源极电极117b可以设置在钝化层116上(或上方)以电连接到有源层113的源极区域113s。
像素电路可以进一步包括与驱动薄膜晶体管Tdr一起设置在电路区域CA处的至少一个电容器和至少一个开关薄膜晶体管。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置可以进一步包括设置在驱动薄膜晶体管Tdr的至少一个有源层113、第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管下方(或下面)的遮光层111。遮光层111可以被配置为减小或防止由外部光引起的薄膜晶体管的阈值电压的变化。
平坦化层130可以设置在像素电路层110上方。平坦化层130可以形成在整个显示区域AA处以及非显示区域IA的除焊盘区域之外的剩余部分处。例如，平坦化层130可以包括从显示区域AA延伸或扩展到非显示区域IA的除焊盘区域之外的剩余部分的延伸部分(或扩展部分)。因此，平坦化层130可以具有比显示区域AA相对大的尺寸。
根据本公开的实施例的平坦化层130可以形成为具有相对大的厚度，使得平坦化层130可以在像素电路层110上方提供平坦化表面130a。例如，平坦化层130可以由有机材料形成，诸如光致丙烯酸、苯并环丁烯、聚酰亚胺和氟树脂等中的一种。
平坦化层130可以包括设置在每一个子像素SP处的光提取图案140。光提取图案140可以形成在平坦化层130处，以与每一个子像素SP的发射区域EA重叠。
光提取图案140可以形成在平坦化层130处，以具有弯曲部分(或非平坦部分)。光提取图案140可以形成在平坦化层130处，以具有弯曲形状(或非均匀形状)。光提取图案140可以具有大于发射区域EA的尺寸。例如，光提取图案140可以是光提取图案、光提取图案部分、弯曲图案部分、非均匀图案部分、微透镜或光散射部分。
根据本公开的实施例的光提取图案140或第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d可以包括多个凹入部分141和设置在多个凹入部分141中的每一个凹入部分周围的凸出部分143。凸出部分143可以配置为围绕多个凹入部分141中的每一个凹入部分。
多个凹入部分141中的每一个凹入部分可以实现为从平坦化层130的上表面(或平坦表面)130a凹入。具体地说，多个凹入部分141中的每一个凹入部分可以实现为从平坦化层130的靠近发光器件层160一侧的上表面130a向像素电路层110一侧凹入。多个凹入部分141可以相对于平坦化层130的上表面130a具有相同的高度，但是多个凹入部分141中的一些凹入部分可以具有不同的深度。例如，多个凹入部分141中的每一个凹入部分的底表面可以定位于平坦化层130的上表面130a与基板100之间。
凸出部分143可以形成为在多个凹入部分141之间彼此连接。凸出部分143可以设置在平坦化层130处，其与发射区域EA重叠，以具有可以使基于发光器件层160的有效发射区域的从子像素SP生成的光的外部提取效率最大化的形状。凸出部分143可以改变从发光器件层160朝向光提取表面100a发射的光的传播路径，并且提取在发光器件层160内朝向光提取表面100a全反射的光，并且因此，可以防止或最小化由在发光器件层160内捕获的光引起的光提取效率的劣化。
根据本公开的实施例的凸出部分143的顶部部分可以与发光器件层160相邻，并且可以具有尖锐结构和凸弯曲形状，以便提高光提取效率。例如，凸出部分143的顶部部分可以包括具有凸形横截面形状的圆顶或钟形结构。
根据本公开的实施例的凸出部分143可以包括在底部部分和顶部部分(或尖峰部分)之间具有弯曲形状的倾斜部分。凸出部分143的倾斜部分可以形成或构造凹入部分141。例如，凸出部分143的倾斜部分可以是倾斜表面或弯曲部分。根据本公开的实施例的凸出部分143的倾斜部分可以具有呈高斯曲线的横截面结构。在这种情况下，凸出部分143的倾斜部分可以具有从底部部分到顶部部分逐渐增加然后逐渐减小的切线斜率。
发光器件层160可以设置在与每一个子像素SP的发射区域EA重叠的光提取图案140上(或上方)。例如，发光器件层160可以直接接触光提取图案140的表面。
根据本公开的实施例的发光器件层160可以包括第一电极E1、发射层EL和第二电极E2。例如，第一电极E1、发射层EL和第二电极E2可以被配置为根据底部发射类型朝向基板100发射光，但是根据本公开的实施例不限于此。
第一电极E1可以形成在平坦化层130上(或上方)，并且可以电连接到驱动薄膜晶体管Tdr的源极电极117b(或漏极电极117a)。第一电极E1的靠近电路区域CA的一端可以经由设置在平坦化层130和钝化层116处的电极接触孔CH电连接到驱动薄膜晶体管Tdr的源极电极117b(或漏极电极117a)。
第一电极E1直接接触光提取图案140，并且因此可以具有与光提取图案140的形状共形的形状。由于在平坦化层130上方形成(或沉积)第一电极E1以具有相对小的厚度，因此第一电极E1可以具有与包括凸出部分143和多个凹入部分141的光提取图案140的表面形态共形的表面形态。例如，通过透明导电材料的沉积工艺，基于光提取图案140的表面形状(形态)以共形形状形成第一电极E1，由此第一电极E1可以具有形状与光提取图案140相同的横截面结构。
发射层EL可以形成在第一电极E1上(或上方)，并且可以直接接触第一电极E1。由于发射层EL形成(或沉积)在第一电极E1上(或上方)以具有与第一电极E1相比相对大的厚度，因此发射层EL可以具有与多个凹入部分141中的每一个和凸出部分143中的表面形态或者第一电极E1的表面形态相同或不同的表面形态。根据本公开的实施例，基于第一电极E1的表面形状(形态)以共形形状形成发射层EL，在这种情况下，发射层EL可以具有形状与第一电极EL相同的横截面结构。根据本公开的另一实施例，发射层EL可以以与第一电极E1的表面形状(或形态)不共形的非共形形状形成，在这种情况下，发射层EL可以具有形状可以与第一电极EL不同的横截面结构。
根据本公开的实施例的发射层EL具有朝向凸出部分143或凹入部分141的底表面逐渐增加的厚度。例如，发射层EL可以在凸出部分143和凹入部分141之间的倾斜表面(或弯曲表面)处具有最薄的厚度，但是根据本公开的实施例不限于此。
根据本公开的实施例的发射层EL包括两个或更多个有机发光层以发射白光。作为示例，发射层EL可以包括第一有机发光层和第二有机发光层，以通过混合第一光和第二光来发射白光。
第二电极E2可以形成在发射层EL上(或上方)，并且可以直接接触发射层EL。第二电极E2可以形成(或沉积)在发射层EL上(或上方)以具有与发射层EL相比相对薄的厚度。第二电极E2可以形成(或沉积)在发射层EL上(或上方)以具有相对薄的厚度，并且因此可以具有与发射层EL的表面形态对应的表面形态。例如，第二电极E2可以具有形状可以与光提取图案140相同或不同的横截面结构。
根据本公开的实施例的第二电极E2可以包括具有高反射率的金属材料，以将从发射层EL发射的入射光朝向基板100反射。例如，第二电极E2可以包括选自铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中的任何一种材料或者选自铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中的两种或更多种材料的合金的单层结构或多层结构。第二电极E2可以是阴极电极。
从发射层EL产生的光的行进路径可以通过光提取图案140的凹入部分141和/或凸出部分143朝向光提取表面(或发光表面)100a改变，以由此提高从发射层EL发射的光的外部提取效率。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以进一步包括隔堤层170。隔堤层170可以设置在平坦化层130和第一电极E1的边缘部分上(或上方)。隔堤层170可以以透明材料或不透明材料构成。例如，隔堤层170可以是透明隔堤层或黑色隔堤层。例如，隔堤层170可以包括含有黑色颜料的光敏剂，在这种情况下，隔堤层170可以用作相邻子像素SP之间的光阻挡构件。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以进一步包括滤色器层150。
滤色器层150可以设置在基板100和光提取图案140之间。滤色器层150可以设置在基板100和光提取图案140之间以与至少一个发射区域EA重叠。根据本公开的一个实施例的滤色器层150可以设置在钝化层116和平坦化层130之间以与发射区域EA重叠。例如，滤色器层150可以设置在光提取图案140和相位光栅部分PGP之间。根据本公开的另一实施例的滤色器层150可以设置在基板100和钝化层116之间。
滤色器层150可以具有比发射区域EA更宽的尺寸。滤色器层150可以具有大于发射区域EA并且小于平坦化层130的光提取图案140的尺寸，但是根据本公开的实施例不必限于此，并且滤色器层150可以具有大于平坦化层130的光提取图案140的尺寸。例如，滤色器层150的边缘部分可以与隔堤层170重叠。例如，滤色器层150可以具有大于与每一个子像素SP的整个区域对应的尺寸的尺寸，由此减少相邻子像素SP之间的漏光。
滤色器层150可以被配置为仅使子像素SP中设定的颜色的波长透射。例如，当一个像素P配置有第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4时，滤色器层150可以包括设置在第一子像素SP1中的红色滤色器、设置在第三子像素SP3中的蓝色滤色器和设置在第四子像素SP4中的绿色滤色器。第二子像素SP2可以不包括滤色器层，或者可以包括透明材料以补偿相邻子像素之间的步长差，由此发射白光。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以进一步包括相位光栅部分PGP，其被配置在基板100和光提取图案140之间以与发射区域EA重叠。
相位光栅部分PGP可以设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素中，并且可以被配置在基板100和光提取图案140之间以与多个子像素SP中的每一个子像素的发射区域EA重叠。例如，相位光栅部分PGP可以设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素中，并且可以形成或配置在基板100和光提取图案140之间的像素电路层110处，以与发射区域EA重叠。例如，相位光栅部分PGP可以形成或配置在设置在像素电路层110中的绝缘层之中的一个或多个与基板100具有折射率差的绝缘层处。例如，相位光栅部分PGP可以形成或配置在设置在像素电路层110中的绝缘层之中的一个或多个与基板100具有0.1或更大的折射率差的绝缘层处。例如，相位光栅部分PGP可以设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素中，并且可以形成或配置在基板100和光提取图案140之间的缓冲层112处，以与发射区域EA重叠。
根据本公开的实施例的相位光栅部分PGP可以包括多个图案区域PR1和PR2、或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，其设置在基板100和光提取图案140之间以与发射区域EA重叠。第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以沿着第二方向Y设置。
第一图案区域PR1和第二图案区域PR2(或多个图案区域)可以形成或配置在基板100和光提取图案140之间的缓冲层112处，以与发射区域EA重叠。
第一图案区域PR1可以形成或配置为缓冲层112，并且第二图案区域PR2可以形成或配置为缓冲层112的一部分。
根据本公开的实施例的缓冲层112可以包括第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。例如，缓冲层112可以包括具有不同折射率和/或介电常数的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。例如，缓冲层112可以包括各自具有0.1或更大的折射率差的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。
第一缓冲层(或者第一绝缘层)112a可以设置在基板100的第一表面(或前表面)100a的整个相对表面上。例如，第一缓冲层112a可以设置为覆盖基板100的第一表面100a的相对表面。例如，第一缓冲层112a可以配置有具有第一折射率的绝缘材料。例如，第一缓冲层112a可以是第一绝缘层、下绝缘层、第一无机层、第一无机绝缘层或下无机层。例如，第一缓冲层112a可以被配置为硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiONx)和钛氧化物(TiOx)中的任何一种材料，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，第一缓冲层112a可以被配置为硅氮化物(SiNx)。
第二缓冲层(或者第二绝缘层)112b可以堆叠在第一缓冲层112a上。例如，第二缓冲层112b可以设置在基板100的第一表面100a的相对表面上(或上方)以覆盖第一缓冲层112a。第二缓冲层112b可以被钝化层116覆盖。第二缓冲层112b可以被配置为与第一缓冲层112a的材料不同的材料。例如，第一缓冲层112a和第二缓冲层112b可以被配置为具有不同的折射率和/或介电常数。例如，第二缓冲层112b可以被配置为具有不同于第一折射率的第二折射率的绝缘材料。例如，第二缓冲层112b可以是第二绝缘层、上绝缘层、第二无机层、第二无机绝缘层或上无机层。例如，第二缓冲层112b可以被配置为硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiONx)和钛氧化物(TiOx)中的任何一种材料，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，第二缓冲层112b可以被配置为硅氧化物(SiOx)。
第一图案区域PR1可以被配置为包括设置在光提取图案140和基板100之间以与光提取图案140重叠的全部的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。第一图案区域PR1可以是包括堆叠在光提取图案140和基板100之间的全部的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b的多层区域。例如，第一图案区域PR1可以是缓冲层112的多层区域。因此，从光提取图案140反射到第一图案区域PR1的第一反射光Lre1可以按第一缓冲层112a和基板100之间的折射率差被折射，或者可经由基于第一缓冲层112a和基板100之间的折射率差的光路输出到基板100的外部。
第二图案区域PR2可以被配置为仅包括第二缓冲层112b，第二缓冲层112b设置在光提取图案140和基板100之间以与光提取图案140重叠。例如，第二图案区域PR2可以是单层区域，该单层区域包括设置在与光提取图案140和基板100之间的发射区域EA重叠的区域中的已经从其中去除了第一缓冲层112a的区域(以下也称为去除区域)112r中的第二缓冲层112b。例如，第二图案区域PR2可以是缓冲层112的单层区域。例如，第二图案区域PR2可以是在与光提取图案140和基板100之间的发射区域EA重叠的区域处的位于第二缓冲层112b与基板100之间的接触区域或直接接触区域。例如，第二图案区域PR2可以是光提取图案140和基板100之间的已经从其中去除第一缓冲层112a的去除区域112r。因此，从光提取图案140反射到第二图案区域PR2的第二反射光Lre2可以按第二缓冲层112b和基板100之间的折射率差被折射，或者可以经由基于第二缓冲层112b和基板100之间的折射率差的光路输出到基板100的外部。
根据本公开的实施例，从光提取图案140反射到第一图案区域PR1的第一反射光Lre1和从光提取图案140反射到第二图案区域PR2的第二反射光Lre2可以在它们之间具有相位差和/或光路差，并且因此，从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性可以增加。例如，从光提取图案140反射并穿过第一图案区域PR1的第一缓冲层112a的第一反射光Lre1的相位和/或光路可以不同于从光提取图案140反射并穿过第二图案区域PR2而不穿过第一图案区域PR1的第一缓冲层112a的第二反射光Lre2的相位和/或光路，并且因此，可以通过第一图案区域PR1和第二图案区域PR2光学地分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光Lre1和Lre2，由此增加从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以进一步包括封装部分200。
封装部分200可以形成在基板100上(或上方)以围绕发光器件层160。封装部分200可以形成在第二电极E2上(或上方)。例如，封装部分200可以围绕显示区域AA。封装部分200可以保护薄膜晶体管和发射层EL等免受外部冲击，并防止氧气或/和水(或湿气)和颗粒渗透到发射层EL中。
根据本公开的实施例的封装部分200可以包括多个无机封装层。此外，封装部分200可以进一步包括插设在多个无机封装层之间的至少一个有机封装层。根据本公开的另一实施例的封装部分200可以改变为围绕(或完全围绕)整个显示区域AA的填料。在这种情况下，可以通过使用填料将对置基板300接合到基板100。填料可以包括吸收氧气或/和水(或湿气)等的吸气剂材料。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以进一步包括对置基板300。
对置基板300可以耦接到封装部分200。对置基板300可以由塑料材料、玻璃材料或金属材料制成。例如，当封装部分200包括多个无机封装层时，可以省略对置基板300。
可替换地，当封装部分200改变为填料时，对置基板300可以与填料组合，在这种情况下，对置基板300可以由塑料材料、玻璃材料或金属材料制成。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以进一步包括偏振构件400。
偏振构件400也可以被配置为阻挡由光提取图案140和像素电路等反射的外部光。例如，偏振构件400可以是圆形偏振构件或圆形偏振膜。偏振构件400可以通过使用耦接构件(或透明粘合构件)450设置于或耦接至基板100的光提取表面100a。例如，可以省略偏振构件400。
如上所述，根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10包括设置或配置在子像素SP的发射区域EA处的光提取图案140，由此通过由光提取图案140改变从发射层EL产生的光的路径来提高光提取效率。因此，可以实现高效率和高亮度，使得可以延长发光层的寿命，并且可以实现低功耗。
此外，根据本公开的实施例的有机发光显示装置或显示面板10可以包括设置或配置在子像素SP的发射区域EA处的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，并且因此，可以基于从显示区域AA的光提取图案140反射的反射光的衍射特性，防止或最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。例如，在有机发光显示装置或显示面板10的非驱动或关闭状态下，可以减少由外部光的反射引起的黑色可见度特性或黑色(或黑色上升)现象，从而实现真实的黑色。
图4是图2所示的区域“A”的放大图。图4是示出图2所示的光提取图案的一部分的平面图。
参考图2和图4，在根据本公开的实施例的光提取图案140中，多个凹入部分141中的每一个可以平行地设置为沿着第二方向Y具有预定间隔，并且可以沿着第一方向X设置为彼此交错。因此，光提取图案140每单位面积可以包括更多数量的凹入部分141，由此增加从发光器件层160发射的光的外部提取效率。
根据本公开的实施例，沿着第一方向X设置的多个凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以被定位在平行于第一方向X的第一直线SL1处或者与所述第一直线SL1对齐。另外，沿着第二方向Y设置的多个凹入部分141的每一个中心部分CP可以被定位在平行于第二方向Y的第二直线SL2处或者与所述第二直线SL2对齐。例如，第一直线SL1可以是水平线或第一水平线，并且第二直线SL2可以是垂直线或第二水平线。
根据本公开的另一实施例，多个凹入部分141以网格(或栅格)的形式设置，使得设置在平行于第一方向X的偶数水平线处的多个凹入部分141中的每一个可以设置在沿着第二方向Y设置在相邻的奇数水平线处的多个凹入部分141之间。沿着第二方向Y设置的多个凹入部分141可以被定位在沿着第一方向X(或第二方向Y)具有Z字形形状的Z字形线ZL处或者与所述Z字形线ZL对齐。
根据实施例，相邻的三个凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以对齐以形成三角形形状TS。另外，在一个凹入部分141周围或围绕一个凹入部分141设置的六个凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以以二维形式(或在平面图中)具有六角形状HS。例如，多个凹入部分141中的每一个可以以二维形式(或在平面图中)设置或布置成蜂窝结构、六边形结构或圆形结构。
根据本公开的实施例，当多个凹入部分141布置(或设置)成蜂窝结构时，穿过沿着第一方向X和第二方向Y之间的对角线方向DD1和DD2布置(或设置)的凹入部分的中心部分CP的对角中心线DCL1和DCL2可以分别从第一直线SL1和第二直线SL2倾斜。例如，对角中心线DCL1和DCL2与第一直线SL1之间的第一角度θ1可以是约30度，并且对角中心线DCL1和DCL2与第二直线SL2之间的第二角度θ2可以是约60度。
根据本公开的实施例，多个凹入部分141之间的间距(或距离)L1可以彼此相等或不同。多个凹入部分141之间的间距L1可以是两个相邻的凹入部分141的中心部分CP之间的距离(或间隔)。
凸出部分143可以被配置为单独地围绕多个凹入部分141中的每一个。因此，光提取图案140可以包括由凸出部分143围绕的多个凹入部分141。围绕一个凹入部分141的凸出部分143可以以二维形式(或在平面图中)具有六边形形状(或蜂窝形状)，但是根据本公开的实施例不限于此。
图5是示出根据本公开的实施例的相位光栅部分的图。图6是示出图5所示的多个子像素中的每一个子像素的相位光栅部分的截面图。
参考图5和图6，根据本公开的实施例(或第一实施例)的相位光栅部分PGP可以包括设置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4处的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
相对于第二方向Y，第一图案区域PR1可以是第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的上部区域(或顶部区域)，并且第二图案区域PR2可以是第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的下部区域(或底部区域)。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA可以具有由第一图案区域PR1和第二图案区域PR2构成的向上-向下的二分割结构(或垂直二分割结构)。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有相同的尺寸(或面积)，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2之间可以具有0.1或更大的折射率差，但是本公开的实施例不限于此。
根据本公开的实施例，相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以被配置在缓冲层112的第一缓冲层112a处。
第一图案区域PR1可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。
根据本公开的实施例，设置在第一子像素SP1至第四子像素SP2，SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以具有相同的厚度T1。例如，设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以被配置为具有第一厚度T1的第一缓冲层112a。例如，设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以被配置为具有100nm至150nm的厚度T1的第一缓冲层112a，但是本公开的实施例不限于此。
根据本公开的另一实施例，设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以具有不同的厚度T1、T2、T3和T4，但是本公开的实施例不限于此。例如，设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以被配置为具有不同厚度T1、T2、T3和T4的第一缓冲层112a。例如，设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以基于从对应的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素发射的光的主波长而被配置为具有不同厚度T1、T2、T3和T4的第一缓冲层112a。
设置在第一子像素SP1处的第一图案区域PR1可以被配置为具有第一厚度T1的第一缓冲层112a。设置在第二子像素SP2处的第一图案区域PR1可以被配置为具有第二厚度T2的第一缓冲层112a。设置在第三子像素SP3处的第一图案区域PR1可以被配置为具有第三厚度T3的第一缓冲层112a。设置在第四子像素SP4处的第一图案区域PR1可以被配置为具有第四厚度T4的第一缓冲层112a。例如，第一厚度T1可以比第二至第四厚度T2、T3和T4中的每一个厚，并且第三厚度T3可以比第二厚度T2和第四厚度T4薄。第二厚度T2和第四厚度T4可以在比第一厚度T1薄且比第三厚度T3厚的范围内具有相同的厚度或不同的厚度。
第二图案区域PR2可以包括缓冲层112中的已经去除了第一缓冲层112a的去除区域112r。第二图案区域PR2可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。
根据本公开的实施例，基于以下等式1，设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1可以被配置为具有厚度T1、T2、T3和T4的第一缓冲层112a，该厚度T1、T2、T3和T4对应于穿过第一图案区域PR1的第一反射光Lre1与穿过第二图案区域PR2的第二反射光Lre2之间的路径差ΔX的除了波长λ的整数倍之外的路径差ΔX。
[等式1]
0.1×λ<ΔX<9.9×λ
在等式1中，λ(lambda)可以表示波长，并且可以是450nm至700nm(纳米)。在等式1中，随着ΔX接近0.5(λ/2)，穿过第一图案区域PR1的第一反射光Lre1与穿过第二图案区域PR2的第二反射光Lre2之间的相消干涉可以增加。
根据本公开的实施例，穿过被配置为折射率为1.8且厚度为100nm的第一缓冲层112a的第一图案区域PR1的第一反射光Lre1与穿过仅被配置为折射率为1.5的第二缓冲层112b的第二图案区域PR2而不穿过第一缓冲层112a的第二反射光Lre2之间的路径差ΔX可以是70nm至100nm，但是根据本公开的实施例不限于此。
如上所述，根据本公开的实施例的相位光栅部分PGP可以包括第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，其具有不同的折射率或提供反射光Lre1和Lre2的不同光路，并且因此，可以光学地分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光Lre1和Lre2，以增加反射光Lre1和Lre2中的每一个的衍射图案的不规律性或随机性，并且因此，可以基于从光提取图案140反射的反射光的衍射特性来防止或最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。
图7是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。图8是沿图7所示的线I-I'截取的截面图。图8是示出图7所示的多个子像素中的每一个子像素的相位光栅部分的截面图。图7和图8示出了通过修改上面参考图1至图6描述的相位光栅部分而实现的实施例。
参考图7和图8，根据本公开的另一实施例(或第二实施例)的相位光栅部分PGP可以包括设置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4处的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
相对于第一方向X，第一图案区域PR1可以是第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的左侧区域，并且第二图案区域PR2可以是第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的右侧区域。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA可以具有由第一图案区域PR1和第二图案区域PR2构成的左右二分割结构(或水平二分割四边形结构)。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有相同的尺寸(或面积)，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2之间可以具有0.1或更大的折射率差，但是本公开的实施例不限于此。
根据本公开的实施例，相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以被配置在缓冲层112的第一缓冲层112a处。
第一图案区域PR1可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。第二图案区域PR2可以包括缓冲层112的已经从其中去除了第一缓冲层112a的去除区域112r。第二图案区域PR2可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。除了分别布置或设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的左侧区域和右侧区域中之外，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以与上面参考图5和图6描述的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图5和图6所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图7和图8所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述中。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以具有或提供与上面参考图5和图6描述的相位光栅部分PGP的效果相同的效果。
图9是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。图9示出了通过修改上面参考图1至图6描述的相位光栅部分而实现的实施例。
参考图9，根据本公开的另一实施例(或第三实施例)的相位光栅部分PGP可以包括多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2，其设置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4处。
多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以沿着第一方向X和第二方向Y地设置或配置。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以沿着第一方向X和第二方向Y沿着第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域交替地设置或配置。
多个第一图案区域PR1可以沿着第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域设置或配置，以沿着第一方向X和第二方向Y具有一定间隔。例如，多个第一图案区域PR1可以在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域处以光栅图案形状或棋盘格图案形状设置或配置。
多个第二图案区域PR2可以设置或配置在多个第一图案区域PR1之间，以沿着第一方向X和第二方向Y具有一定间隔。
多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2中的每一个可以被配置为具有四边形形状。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2中的每一个可以具有四边形图案。例如，多个第一图案区域PR1可以具有相同的尺寸(或面积)，或者可以具有不同的尺寸(或面积)。例如，多个第二图案区域PR2可以具有相同的尺寸(或面积)，或者可以具有不同的尺寸(或面积)。例如，多个第一图案区域PR1可以具有相同的折射率。例如，多个第二图案区域PR2可以具有相同的折射率。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以具有0.1或更大的折射率差，但是根据本公开的实施例不限于此。
多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2中的每一个可以与设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的光提取图案140的凸出部分或凹入部分交叠或重叠。因此，基于多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2，从光提取图案140的凸出部分或凹入部分反射的反射光可以具有不同的相位或光路。
因此，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2中的每一个可以光学地分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光，以更进一步增加反射光中的每一个的衍射图案的不规律性或随机性，并且因此，基于从光提取图案140反射的反射光中的每一个的衍射特性，可以更好地防止或更进一步最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。
根据本公开的实施例，相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以被配置在缓冲层112的第一缓冲层112a处。
多个第一图案区域PR1中的每一个可以包括缓冲层112的全部的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。多个第二图案区域PR2中的每一个可以包括缓冲层112的已经从其中去除了第一缓冲层112a的去除区域112r。多个第二图案区域PR2中的每一个可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。除了在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处分别以光栅图案形状设置或配置之外，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以与上面参考图5和图6描述的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，因此省略其重复描述。图5和图6所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图9所示的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2的描述中。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以具有或提供与上面参考图5和图6描述的相位光栅部分PGP的效果相同的效果。
图10是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。图11是图10所示的区域“B”的放大图。图10和图11示出了通过修改上面参考图1至图6描述的相位光栅部分而实现的实施例。
参考图10和图11，根据本公开的另一实施例(或第四实施例)的相位光栅部分PGP可以包括设置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4处的多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
多个第一图案区域PR1可以被设置为沿着第二方向Y具有一定间隔，并且可以被设置为沿着第一方向X交错。例如，多个第一图案区域PR1可以被设置为沿着第一方向X和第二方向Y之间的对角线方向具有一定间隔。例如，设置在平行于第一方向X的偶数水平线处的多个第一图案区域PR1中的每一个可以设置在沿着第二方向Y设置在相邻的奇数水平线处的多个第一图案区域PR1之间。因此，多个第一图案区域PR1沿着第一方向X以Z字形设置。
多个第一图案区域PR1中的每一个可以具有与设置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的光提取图案140中的多个凹入部分141中的每一个的形状相同的形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个可以具有与凹入部分141的形状相同的六边形形状，但不限于此，并且可以具有圆形形状、椭圆形形状、或者三角或更多角的多边形形状。
多个第一图案区域PR1中的每一个可以具有与多个凹入部分141中的每一个的尺寸相同或不同的尺寸。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个可以具有比凹入部分141小的六边形形状，但不限于此，并且可以具有比凹入部分141小的圆形形状、椭圆形形状、或者三角或更多角的多边形形状。
多个第一图案区域PR1中的每一个可以与多个凹入部分141中的对应一个凹入部分141的至少一部分重叠。多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分CP可以设置在多个凹入部分141中的对应凹入部分141的中心部分CP处或者与所述中心部分CP对齐。因此，多个第一图案区域PR1中的每一个可以以一对一的关系对应于设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域中的光提取图案140的多个凹入部分141中的每一个。例如，多个第一图案区域PR1可以以二维形式(或在平面图中)设置或布置成蜂窝结构、六边形结构或圆形结构。
多个第二图案区域PR2可以分别设置于多个第一图案区域PR2之间，并且包括多个第一图案区域PR1之间的区域。例如，第二图案区域PR2可以包括第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域中的除了多个第一图案区域PR1之外的另一区域。因此，多个第一图案区域PR1可以被第二图案区域PR2围绕。例如，第二图案区域PR2可以与光提取图案140的凸出部分143交叠或重叠。第二图案区域PR2可以与凸出部分143和光提取图案140的多个凹入部分141中的每一个凹入部分中的除了中心部分之外的其他部分交叠或重叠。
多个第一图案区域PR1可以具有相同的折射率。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以具有0.1或更大的折射率差，但是根据本公开的实施例不限于此。
根据本公开的实施例，从光提取图案140的凹入部分141反射的反射光可以穿过多个第一图案区域PR1中的每一个。从光提取图案140的凸出部分143反射的反射光可以穿过第二图案区域PR2。因此，基于多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，从光提取图案140的凸出部分143或凹入部分141反射的反射光可以具有不同的相位或光路。
因此，多个第一图案区域PR1中的每一个和第二图案区域PR2可以光学地多次分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光，以更进一步增加反射光中的每一个的衍射图案的不规律性或随机性，并且因此，基于从光提取图案140反射的反射光中的每一个的衍射特性，可以更好地防止或更进一步最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。
根据本公开的实施例，相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以被配置在缓冲层112的第一缓冲层112a处。
多个第一图案区域PR1可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。多个第二图案区域PR2可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a的去除区域112r。多个第二图案区域PR2可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。除了在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处分别以蜂窝结构设置或配置之外，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以与上面参考图5和图6描述的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图5和图6中所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图10和图11所示的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2的描述中。
在图10和图11中，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP被描述为包括多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，但是本公开的实施例不限于此。例如，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以包括第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2。例如，可以将上面参考图10和图11描述的多个第一图案区域PR1改变为多个第二图案区域PR2，并且可以将第二图案区域PR2改变为第一图案区域PR1。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以具有或提供与上面参考图5和图6描述的相位光栅部分PGP的效果相同的效果。
图12是图10所示的区域“B”的另一放大图。图12示出了通过改变上面参考图10和图11描述的相位光栅部分中的多个第一图案区域中的每一个的位置而实现的实施例。因此，在以下描述中，除了多个第一图案区域中的每一个的位置之外，其他元件的描述可以与图10和图11的描述相同，并且因此，可以省略或将简要地给出重复的描述。
参考图12，在根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP中，多个第一图案区域PR1中的每一个可以被设置或配置为与光提取图案140的凸出部分143交叠或重叠。
根据本公开的实施例，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的凸出部分143交叠或重叠。多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的三个相邻的凹入部分141之间的凸出部分143交叠或重叠。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的三个相邻的凹入部分141之间的凸出部分143的中心部分MCP交叠或重叠。
根据本公开的实施例，多个第一图案区域PR1中的每一个可以被设置或配置为与具有六边形形状的凹入部分141或者具有围绕一个凹入部分141的六边形形状的凸出部分143的拐角部分中的一个或多个拐角部分交叠或重叠。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与具有六边形形状的凹入部分141、或者凸出部分143的第一至第六拐角部分中的彼此间隔开的三个拐角部分的中心部分MCP交叠或重叠。
多个第二图案区域PR2可以分别位于多个第一图案区域PR1之间，并且包括多个第一图案区域PR1之间的区域。例如，第二图案区域PR2可以包括多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域的除了多个第一图案区域PR1之外的另一区域。因此，多个第一图案区域PR1中的每一个可以被第二图案区域PR2围绕。
可以将上面参考图12描述的多个第一图案区域PR1改变为多个第二图案区域PR2，并且可以将第二图案区域PR2改变为第一图案区域PR1。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以具有或提供与上面参考图5和图6描述的相位光栅部分PGP的效果相同的效果。
图13是图10所示的区域“B”的另一放大图。图13示出了通过改变上面参考图10和图11描述的相位光栅部分处的多个第一图案区域中的每一个的形状和位置而实现的实施例。因此，在以下描述中，除了多个第一图案区域中的每一个的形状和位置之外，其他元件的描述可以与图10和图11的描述相同，并且因此，可以省略或将简要给出重复描述。
参考图13，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以包括多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2。
多个第一图案区域PR1中的每一个可以具有三角形形状。
多个第一图案区域PR1可以被设置为沿着第二方向Y具有一定间隔，并且可以被设置为沿着第一方向X交错。例如，多个第一图案区域PR1可以被设置为沿着第一方向X和第二方向Y之间的对角线方向具有一定间隔。例如，设置在平行于第一方向X的偶数水平线处的多个第一图案区域PR1中的每一个可以设置在沿着第二方向Y设置在相邻的奇数水平线处的多个第一图案区域PR1之间。因此，多个第一图案区域PR1可沿着第一方向X以Z字形设置。
多个第一图案区域PR1中的每一个可以被设置或配置为与光提取图案140的凹入部分141的一部分和凸出部分143的一部分交叠或重叠。
根据本公开的实施例，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的凸出部分143交叠或重叠。多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的三个相邻的凹入部分141之间的凸出部分143交叠或重叠。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的三个相邻的凹入部分141之间的凸出部分143的中心部分MCP交叠或重叠。
根据本公开的实施例，多个第一图案区域PR1中的每一个可以被设置或配置为与具有六边形形状的凹入部分141或具有围绕一个凹入部分141的六边形形状的凸出部分143的拐角部分中的一个或多个拐角部分交叠或重叠。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与具有六边形形状的凹入部分141、或者凸出部分143的第一至第六拐角部分中的彼此间隔开的三个拐角部分的中心部分MCP交叠或重叠。例如，多个第一图案区域PR1中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与具有六边形形状的凹入部分141、或者凸出部分143的第一拐角部分、第三拐角部分和第五拐角部分的中心部分MCP交叠或重叠。
多个第二图案区域PR2中的每一个可以具有三角形形状。多个第二图案区域PR2可以包括多个第一图案区域PR1之间的区域。例如，第二图案区域PR2可以包括多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域的除了多个第一图案区域PR1之外的另一区域。因此，多个第二图案区域PR2中的每一个可以被三个第一图案区域PR1围绕。例如，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以沿着第一方向X、第二方向Y和对角线方向中的每一个交替地设置或配置。
多个第二图案区域PR2中的每一个可以被设置或配置为与光提取图案140的凸出部分143的与多个第一图案区域PR1不同的凸出部分143交叠或重叠。例如，多个第二图案区域PR2中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的三个相邻的凹入部分141之间的凸出部分143交叠或重叠。例如，多个第二图案区域PR2中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与光提取图案140的三个相邻的凹入部分141之间的凸出部分143的中心部分MCP交叠或重叠。例如，多个第二图案区域PR2中的每一个的中心部分可以被设置或配置为与具有六边形形状的凹入部分141、或者具有六边形形状的凸出部分143的第二拐角部分、第四拐角部分和第五拐角部分的中心部分MCP交叠或重叠。
根据本公开的实施例，具有三角形形状的多个第一图案区域PR1中的每一个的顶点部分可以被定位在三个相邻的凹入部分141中的每一个的中心部分CP处或者与该中心部分CP对齐。具有三角形形状的多个第二图案区域PR2中的每一个的顶点部分可以被定位在三个相邻的凹入部分141中的每一个的中心部分CP处或者与该中心部分CP对齐。因此，多个第一图案区域PR1中的三个相邻的第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2中的三个相邻的第二图案区域PR2可以具有六边形形状，并且三个相邻的第一图案区域PR1与三个相邻的第二图案区域PR2接触的顶点部分可以被定位在凹入部分141的中心部分CP处或者与该中心部分CP对齐。因此，可以通过三个第一图案区域PR1和三个第二图案区域PR2光学地多次分割(或分离)从一个凹入部分141反射的反射光。
可以将上面参考图13描述的多个第一图案区域PR1改变为多个第二图案区域PR2，并且可以将多个第二图案区域PR2改变为多个第一图案区域PR1。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以具有或提供与上面参考图5和图6描述的相位光栅部分PGP的效果相同的效果。
图14是示出根据本公开的另一实施例的相位光栅部分的图。图15是示出图14所示的子像素的放大的图。图14和图15示出了通过修改上面参考图1至图6描述的相位光栅部分而实现的实施例。
参考图14和图15，根据本公开的另一实施例(或第五实施例)的相位光栅部分PGP可以被设置或配置在设置在多个像素P中的每一个像素的第一子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4处的多个分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个分割区域处。例如，相位光栅部分PGP可以被设置或配置在设置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4处的第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个区域处。
根据本公开的实施例的多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括多个分割区域DR1、DR2、DR3和DR4。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域可以包括多个分割区域DR1、DR2、DR3和DR4。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域可以包括两个或更多个分割区域DR1、DR2、DR3和DR4。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域可以包括第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4。
第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域内彼此分离或在空间上分离。第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以沿第一方向X和第二方向Y平行设置在第二子像素SP2内。例如，第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个可以在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域内以网格图案形状设置。例如，第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以具有四边形形状，例如矩形形状)。例如，第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以具有沿第二方向Y延伸的矩形形状。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域可以具有由第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4构成的垂直-水平分割结构(或四分割网格图案结构或四分割四边形结构)。第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以具有相同的尺寸(或面积)，但是本公开的实施例不限于此。
第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个可以是第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的上部区域(或顶部区域)，并且第三分割区域DR3和第四分割区域DR4中的每一个可以是第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的下部区域(或底部区域)。
相对于第一方向X，第一分割区域DR1的第一图案区域PR1可以是第一分割区域DR1的左侧区域，并且第一分割区域DR1的第二图案区域PR2可以是第一分割区域DR1的右侧区域。
相对于第二方向Y，第二分割区域DR2的第一图案区域PR1可以是第二分割区域DR2的左侧区域，并且第二分割区域DR2的第二图案区域PR2可以是第二分割区域DR2的右侧区域。
相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有相同的尺寸(或面积)，或者可以具有不同的尺寸(或面积)。例如，在第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个中，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是本公开的实施例不限于此。例如，在第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个中，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2之间可以具有0.1或更大的折射率差，但是本公开的实施例不限于此。
设置在第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以被配置在缓冲层112的第一缓冲层112a处。
在第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个中，第一图案区域PR1可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b，并且第二图案区域PR2可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a的去除区域112r。第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个的第二图案区域PR2可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。除了第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2被设置或配置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个中之外，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以与上面参考图7和图8描述的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此，省略其重复描述。图7和图8所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图14和图15所示的第一分割区域DR1的第二图案区域PR2中的每一个处的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述中。
根据本公开的另一实施例，可以省略第一分割区域DR1的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2中的任何一个，并且可以省略第二分割区域DR2的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2中的任何一个。例如，可以省略第二图案区域PR2，并且第一分割区域DR1可以仅配置有第一图案区域PR1，并且因此，所有第一分割区域DR1可以仅配置有第一图案区域PR1。例如，可以省略第一图案区域PR1，并且第二分割区域DR2可以仅配置有第二图案区域PR2，并且因此，所有第二分割区域DR2可以仅配置有第二图案区域PR2。
相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第三分割区域DR3处的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2。
第三分割区域DR3处的多个第一图案区域PR1可以在第三分割区域DR3处被设置或配置为沿着第一方向X和第二方向Y具有一定间隔。例如，第三分割区域DR3处的多个第一图案区域PR1可以以光栅图案形状或棋盘格图案形状设置或配置。第三分割区域DR3处的多个第二图案区域PR2可以设置或配置在多个第一图案区域PR1之间，以沿着第一方向X和第二方向Y具有一定间隔。例如，在第三分割区域DR3中，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是本公开的实施例不限于此。例如，在第三分割区域DR3中，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2之间可以具有0.1或更大的折射率差，但是本公开的实施例不限于此。
在第三分割区域DR3中，多个第一图案区域PR1中的每一个可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。多个第二图案区域PR2可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a的去除区域112r。多个第二图案区域PR2可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。除了多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2被设置或配置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第三分割区域DR3处之外，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以与上面参考图9描述的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图9所示的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2的描述可以被包括在图14和图15所示的第三分割区域DR3处的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2的描述中。
相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第四分割区域DR4处的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2。
第四分割区域DR4处的多个第一图案区域PR1可以平行地设置为沿着第二方向Y具有一定间隔，并且可以设置为沿着第一方向X彼此交错。例如，多个第一图案区域PR1可以设置为沿着第一方向X和第二方向Y之间的对角线方向具有一定间隔。第四分割区域DR4处的第二图案区域PR2可以包括多个第一图案区域PR1之间的区域。例如，第二图案区域PR2可以包括第四分割区域DR4的除了多个第一图案区域PR1之外的另一区域。例如，在第四分割区域DR4中，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以具有不同的折射率，但是本公开的实施例不限于此。例如，在第四分割区域DR4中，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2之间可以具有0.1或更大的折射率差，但是本公开的实施例不限于此。
在第四分割区域DR4中，多个第一图案区域PR1中的每一个可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。第二图案区域PR2可以包括缓冲层112的第一缓冲层112a的去除区域112r。第二图案区域PR2可以仅包括缓冲层112的第二缓冲层112b。除了多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2被设置或配置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第四分割区域DR4处之外，多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以与上面参考图10和图11描述的多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图10和图11所示的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图14和图15所示的第四分割区域DR4处的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述中。
根据本公开的另一实施例，在第四分割区域DR4中，除了多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2被设置或配置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第四分割区域DR4处之外，多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以与上面参考图12或13描述的多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图12或13所示的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图14和图15所示的第四分割区域DR4处的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述中。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以包括配置在多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素(或多个子像素)SP1、SP2、SP3和SP4中的多个分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个分割区域处的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2，并且因此，可以在多个分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个分割区域处光学地分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光，以增加反射光的衍射图案的不规律性或随机性，因此，并且可以基于从光提取图案140反射的反射光中的每一个的衍射特性，更好地防止或更进一步最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。
图16是示出图14所示的子像素的放大的另一图。图16示出了通过修改上面参考图14和图15描述的分割区域而实现的实施例。因此，在下面的描述中，除了分割区域之外的其他元件的描述可以与图14和图15的描述相同，并且因此省略或将简要给出重复的描述。
参考图14和图15，根据本公开的另一实施例的第一至第四分割区域(或多个分割区域)DR1、DR2、DR3和DR4可以沿着第一方向X、与第一方向X相交的第二方向Y、以及第一方向X与第二方向Y之间的对角线方向中的一个或多个方向设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域内。例如，第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以沿着第二方向Y和对角线方向设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域内。
根据本公开的另一实施例，第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个可以具有三角形形状。例如，第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个可以具有相同的尺寸(或面积)或不同的尺寸(或面积)，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域可以具有由第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4构成的对角分割结构(或四分割三角形结构)。第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4可以具有相同的尺寸(或面积)或不同的尺寸(或面积)。
相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处的一个或多个第一图案区域PR1和一个或多个第二图案区域PR2。例如，相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2中的每一个可以具有三角形形状。第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以具有相同的尺寸(或面积)，或者可以具有不同的尺寸(或面积)。
除了第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2被设置或配置在具有三角形形状的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处之外，第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以与上面参考图15描述的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图15所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图16所示的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述中。
根据本公开的另一实施例，可以省略第一分割区域DR1的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2中的任何一个，并且可以省略第二分割区域DR2的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2中的任何一个。例如，可以省略第二图案区域PR2，并且第一分割区域DR1可以仅配置有第一图案区域PR1，并且因此，全部的第一分割区域DR1可以仅配置有第一图案区域PR1。例如，可以省略第一图案区域PR1，并且第二分割区域DR2可以仅配置有第二图案区域PR2，并且因此，全部的第二分割区域DR2可以仅配置有第二图案区域PR2。
相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第三分割区域DR3处的一个或多个第一图案区域PR1和一个或多个第二图案区域PR2。例如，相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第三分割区域DR3处的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2。
第三分割区域DR3处的多个第一图案区域PR1可以以光栅图案形状或棋盘格图案形状设置或配置。第三分割区域DR3处的多个第二图案区域PR2可以被设置或配置在多个第一图案区域PR1之间，以沿着第一方向X和第二方向Y具有一定间隔。
除了在第三分割区域DR3处的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2被设置或配置在具有三角形形状的第一分割区域DR1和第二分割区域DR2中的每一个处之外，多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2可以与上面参考图15描述的多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图15所示的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2的描述可以被包括在图16所示的第三分割区域DR3处的相位光栅部分PGP或者多个第一图案区域PR1和多个第二图案区域PR2的描述中。
相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第四分割区域DR4处的一个或多个第一图案区域PR1和一个或多个第二图案区域PR2。例如，相位光栅部分PGP可以包括设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的第四分割区域DR4处的多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
第四分割区域DR4处的多个第一图案区域PR1可以平行地设置为沿着第二方向Y具有一定间隔，并且可以设置为沿着第一方向X彼此交错。第四分割区域DR4处的第二图案区域PR2可以包括多个第一图案区域PR1之间的区域。
除了第四分割区域DR4处的多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2被设置或配置在具有三角形形状的第四分割区域DR4中的每一个处之外，多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以与上面参考图15描述的多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。图15所示的相位光栅部分PGP或者一个或多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述可以被包括在图16所示的第四分割区域DR4处的相位光栅部分PGP或者一个或多个第一图案区域PR1和第二图案区域PR2的描述中。例如，在设置在第一至第四分割区域DR1、DR2、DR3和DR4中的每一个分割区域处的一个或多个第一图案区域PR1和一个或多个第二图案区域PR2中，一个或多个第一图案区域PR1可包括全部的第一缓冲层(第一绝缘层)112a和第二缓冲层(第二绝缘层)112b，并且一个或多个第二图案区域PR2可以仅包括第二缓冲层112b，或者包括从其中去除了全部的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b的区域(去除区域112r)。
如上所述，根据本公开的另一实施例的相位光栅部分PGP可以具有或提供与上面参考图15描述的相位光栅部分PGP的效果相同的效果。
图17是示出根据本公开的另一实施例的一个子像素的截面结构的截面图。图17示出了通过修改上面参考图1至图6描述的有机发光显示装置或显示面板中的相位光栅部分而实现的实施例。因此，在以下描述中，除了相位光栅部分和相关元件之外的其他元件的描述可以与图1和6的描述相同，并且因此省略或将简要给出重复描述。
参考图17，根据本公开的另一实施例(或第六实施例)的相位光栅部分PGP可以包括设置在基板100和光提取图案140之间以与发射区域EA重叠的多个图案区域PR1和PR2或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2。
第一图案区域PR1和第二图案区域PR2(或者多个图案区域)可以形成或配置在基板100和光提取图案140之间的缓冲层112处，以与发射区域EA重叠。
第一图案区域PR1可以被配置为包括设置在光提取图案140和基板100之间以与光提取图案140重叠的全部的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b。第一图案区域PR1可以与上面参考图3至6描述的第一图案区域PR1相同或基本相同，并且因此省略其重复描述。
第二图案区域PR2可以是与发射区域EA重叠的区域中的已经去除了全部缓冲层112的去除区域112r。第二图案区域PR2可以是与发射区域EA重叠的区域的已经从其中去除了全部的第一缓冲层112a和第二缓冲层112b的去除区域112r。例如，第二图案区域PR2可以是在基板100和光提取图案140之间的作为与发射区域EA重叠的区域处的缓冲层112的非形成区域(或非设置区域)的去除区域112r。例如，钝化层116在第二图案区域PR2处接触基板100。例如，第二图案区域PR2可以是在光提取图案140和基板100之间的与发射区域EA重叠的区域处的位于钝化层116和基板100之间的接触区域或直接接触区域。因此，从光提取图案140反射到第二图案区域PR2的第二反射光Lre2可以按照钝化层116和基板100之间的折射率差被折射，或者可以经由基于钝化层116和基板100之间的折射率差的光路输出到基板100的外部。
根据本公开的实施例，从光提取图案140向第一图案区域PR1反射的第一反射光Lre1和从光提取图案140向第二图案区域PR2反射的第二反射光Lre2可以在它们之间具有相位差和/或光路差，并且因此，可以增加从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性。例如，从光提取图案140反射并穿过第一图案区域PR1的钝化层116的第一反射光Lre1的相位和/或光路可以不同于从光提取图案140反射并穿过第二图案区域PR2而不穿过第一图案区域PR1的钝化层116的第二反射光Lre2的相位和/或光路，并且因此，可以提高第一图案区域PR1和第二图案区域PR2光学地分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光，由此增加从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性。
根据本公开的实施例，在设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一图案区域PR1中，基于上述等式1，第一缓冲层112a可以被配置为具有与穿过第一图案区域PR1的第一反射光Lre1和穿过第二图案区域PR2的第二反射光Lre2之间的路径差ΔX的除了波长λ的整数倍之外的路径差ΔX对应的厚度T1、T2、T3和T4。
根据本公开的实施例，穿过被配置为折射率为1.5的第二缓冲层112b以及折射率为1.8且厚度为100nm的第一缓冲层112a的第一图案区域PR1的第一反射光Lre1与穿过仅被配置为折射率为1.5的第二缓冲层112b的第二图案区域PR2而不穿过第一缓冲层112a的第二反射光Lre2之间的路径差ΔX可以为70nm至100nm，但是根据本公开的实施例不限于此。
如上所述，根据本公开的实施例的相位光栅部分PGP可以包括第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，它们具有不同的折射率或提供反射光Lre1和Lre2的不同光路，并且因此，可以光学地分割(或分离)从光提取图案140反射的反射光Lre1和Lre2，以增加反射光Lre1和Lre2中的每一个的衍射图案的不规律性或随机性，并且因此，可以基于从光提取图案140反射的反射光的衍射特性，防止或最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。
上面参考图17描述的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2可以相同地应用于图7至16所示的相位光栅部分PGP或者第一图案区域PR1和第二图案区域PR2，并且因此省略其重复描述。例如，相位光栅部分PGP可包括以光栅图案形状设置的多个第一图案区域PR1以及位于多个第一图案区域PR1之间的多个第二图案区PR2。多个第二图案区域PR2中的每一个可以包括从其中去除了全部的第一缓冲层(第一绝缘层)112a和第二缓冲层(第二绝缘层)112b的区域(去除区域112r)。
图18是示出根据本公开的另一实施例的像素的平面图。图18示出了通过修改上面参考图1至17描述的光提取图案而实现的实施例。因此，在以下描述中，除了光提取图案和相关元件之外的其他元件的描述可以与图1至17的描述相同，并且因此省略或将简要给出重复描述。在图18中，子像素中所示的双向箭头表示光提取图案的旋转角度(或旋转方向)。
参考图18，根据本公开的另一实施例的多个像素P中的每一个像素的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括光提取图案140。
配置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的光提取图案140可以在对应的发射区域EA内相对于参考点旋转(或者水平旋转)或反向旋转(或者水平且反向旋转)。例如，参考点可以是发射区域EA的任意点或一个点。
配置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的光提取图案140中的一个或多个可以旋转或反向旋转不同的角度。例如，第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d可以旋转或反向旋转不同的角度。例如，配置在一个像素P处的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的光提取图案140可以彼此旋转不同的角度。例如，设置在相邻像素P处的光提取图案140的旋转角度可以彼此不同。
根据本公开的实施例，外部光可以被第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的经旋转的光提取图案140反射。经旋转的光提取图案140可以将入射光的衍射路径改变到垂直方向，并且可以产生在特定级而不是第0衍射级中具有最大强度的衍射图案(或衍射图案分布)，并且因此，由于从光提取图案140反射的反射光的相长干涉而出现的衍射图案(或衍射图案分布)可以偏移或最小化。衍射图案(或衍射图案分布)之间的相长干涉可以由于光提取图案140的旋转角度的不规律性或随机性而偏移。
光提取图案140可以包括第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d。
第一光提取图案140a可以被设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第一子像素SP1处。第二光提取图案140b可以被设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第二子像素SP2处。第三光提取图案140c可以被设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第三子像素SP3处。第四光提取图案140d可以被设置或配置在多个像素P中的每一个像素的第四子像素SP4处。
第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d中的每一个可以相对于对应发射区域EA内的参考点旋转或反向旋转。第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d中的一个或多个可以旋转或反向旋转不同的角度。例如，第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d可以旋转或反向旋转彼此不同的角度。例如，设置在一个像素P处的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素处的第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d可以旋转彼此不同的角度。例如，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的旋转角度可以以像素为单位彼此不同。例如，设置在相同的相邻子像素SP1、SP2、SP3和SP4处的光提取图案140a、140b、140c和140d的旋转角度可以彼此不同。例如，光提取图案140中的一些可以基于设置在显示区域处的像素P的数量而旋转相同的旋转角度。例如，已经旋转了相同的旋转角度的光提取图案140可以在显示区域处以与多个像素P相对应的间隔彼此分开。
根据本公开的另一实施例，从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性可以基于光提取图案140的旋转角度而增加，并且可以由于由相位光栅部分PGP的第一图案区域PR1和第二图案区域PR2引起的反射光之间的相位差和/或光路差而进一步增加。
上面参考图1至17描述的光提取图案140a、140b、140c和140d可以被改变为上面参考图18描述的旋转光提取图案140a、140b、140c和140d。
因此，根据本公开的另一实施例的有机发光显示装置或显示面板可以包括第一图案区域PR1和第二图案区域PR2以及相对于子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的任意参考点旋转的光提取图案140a、140b、140c和140d，并且因此，可以进一步增加从光提取图案140反射的反射光的衍射图案的不规律性或随机性。因此，基于从显示区域的光提取图案140反射的反射光的衍射特性，可以更好地防止或更进一步最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。例如，在有机发光显示装置或显示面板10的非驱动或关闭状态下，可以减少由外部光的反射引起的黑色可见度特性或黑色(或黑色上升)现象，从而实现真实的黑色。
图19是图18所示的“C”区域的放大图。图19是示出图18所示的光提取图案的旋转结构的图。因此，在以下描述中，除了光提取图案的旋转结构之外的其他元件的描述可以与图4的描述相同，并且因此省略或将简要给出重复描述。
参考图18和19，根据本公开的另一实施例的光提取图案140或第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d中的每一个可以被配置为相对于第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA(或子像素区域)内的任意参考点旋转(或者水平旋转)或反向旋转(或者水平且反向旋转)。例如，当凹入部分141或凸出部分143具有六边形形状(或蜂窝形状)的平面结构时，光提取图案140的旋转角度可以被设定在0度至60度的范围内。例如，任意参考点可以是像素P中的第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素的发射区域EA(或子像素区域)内的任意位置，或者可以是多个凹入部分141中的任何一个的中心部分CP。
根据本公开的实施例，当凹入部分141或凸出部分143具有六边形形状(或蜂窝形状)的平面结构时，光提取图案140相对于任意参考点旋转60度、120度、180度、240度、300度或360度的情况可以被配置为等于光提取图案140不相对于任意参考点旋转的情况。因此，当凹入部分141具有六边形形状(或蜂窝形状)的平面结构时，光提取图案140的旋转角度可以大于0度且小于60度。
根据光提取图案140的旋转结构(或旋转布置)，当沿着第一方向X设置的多个凹入部分141中的任意参考凹入部分141R的中心部分CP被定位在与第一方向X平行的第一直线SL1处或者与所述第一直线SL1对齐时，与参考凹入部分141R相邻的多个其他凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以不被定位在第一直线SL1处或者不与所述第一直线SL1对齐。
根据光提取图案140的旋转结构(或旋转布置)，当沿着第二方向Y设置的多个凹入部分141中的任意参考凹入部分141R的中心部分CP被定位在与第二方向Y平行的第二直线SL2处或者与所述第二直线SL2对齐时，与参考凹入部分141R相邻的多个其他凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以不被定位在第二直线SL2处或者不与所述第二直线SL2对齐。
根据本公开的实施例，设置在第一方向X上的多个凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以被定位或对齐在与第一直线SL1相交的第一倾斜线TL1处。此外，设置在第二方向Y上的多个凹入部分141中的每一个的中心部分CP可以被定位在与第二直线SL2相交的第二倾斜线TL2处或者与所述第二倾斜线TL2对齐。
第一倾斜线TL1可以从第一直线SL1倾斜第一角度θ1或者成第一角度θ1的坡度。例如，第一角度θ1可以多于0度且少于60度(0度≤θ1≤60度)或者大于0度且小于60度(0度≤θ1≤60度)。根据本公开的实施例的第一倾斜线TL1可以从第一直线SL1倾斜或成斜坡，并且可以穿过经旋转的凹入部分141的中心部分CP，并且因此，第一倾斜线TL1可以是第一中心连接线或第一中心延长线。根据本公开的另一实施例的第一倾斜线TL1可以从第一直线SL1倾斜或成斜坡，并且可以穿过经旋转的凹入部分141的端部，并且因此，第一倾斜线TL1可以是第一端部连接线或第一端部延长线。
根据本公开的实施例，当多个凹入部分141布置成蜂窝结构时，根据本公开的实施例的第一倾斜线TL1可以从第一直线SL1倾斜或成斜坡，并且可以穿过多个凹入部分141中的每一个处的彼此面对的两个顶点和中心部分CP。此外，根据本公开的另一实施例的第一倾斜线TL1可以从第一直线SL1倾斜或成斜坡，并且可以穿过多个凹入部分141中的每一个的第一边至第六边中的任何一个。例如，第一倾斜线TL1与多个凹入部分141中的每一个的第一边至第六边之中的与第一倾斜线TL1相交的一条边之间的角度可以是60度。
第二倾斜线TL2可以从第二直线SL2倾斜第二角度θ2或者成第二角度θ2的斜度。例如，第二角度θ2可以多于0度且少于60度(0度≤θ2≤60度)或者大于0度且小于60度(0度≤θ2≤60度)。例如，第二角度θ2可以等于第一角度θ1。根据本公开的实施例的第二倾斜线TL2可以从第二直线SL2倾斜或成斜坡，并且可以穿过经旋转的凹入部分141的中心部分CP，并且因此，第二倾斜线TL2可以是第二中心连接线或第二中心延长线。根据本公开的另一实施例的第二倾斜线TL2可以从第二直线SL2倾斜或成斜坡，并且可以穿过经旋转的凹入部分141的端部，并且因此，第二倾斜线TL2可以是第二端部连接线或第二端部延长线。
根据本公开的实施例，当多个凹入部分141布置成蜂窝结构时，根据本公开的实施例的第二倾斜线TL2可以从第二直线SL2倾斜或成斜坡，并且可以穿过多个凹入部分141中的每一个中的中心部分CP和彼此面对的两条边中的每一条边的中心。此外，根据本公开的另一实施例的第二倾斜线TL2可以从第二直线SL2倾斜或成斜坡，并且可以穿过多个凹入部分141中的每一个的第一顶点至第六顶点中的一个。例如，第二倾斜线TL2与多个凹入部分141中的每一个的第一边至第六边之中的与第二倾斜线TL2相交的一条侧之间的角度可以是30度或90度。
图20A是示出图18所示的第一光提取图案的旋转结构的图。图20B是示出图18所示的第二光提取图案的旋转结构的图。图20C是示出图18所示的第三光提取图案的旋转结构的图。图20D是示出图18所示的第四光提取图案的旋转结构的图。
参考图20A，第一子像素SP1处的第一光提取图案140a可相对于任意参考点RP旋转3度的旋转角度A1。例如，第一光提取图案140a的旋转角度A1可以是第二直线SL2和第二倾斜线TL2之间的角度。
参考图20B，第二子像素SP2处的第二光提取图案140b可相对于任意参考点RP旋转30度的旋转角度A2。例如，第二光提取图案140b的旋转角度A2可以是第二直线SL2和第二倾斜线TL2之间的角度。
参考图20C，第三子像素SP3处的第三光提取图案140c可相对于任意参考点RP旋转6度的旋转角度A3。例如，第三光提取图案140c的旋转角度A3可以是第二直线SL2和第二倾斜线TL2之间的角度。
参考图20D，第四子像素SP4处的第四光提取图案140d可相对于任意参考点RP旋转9度的旋转角度A4。例如，第四光提取图案140d的旋转角度A4可以是第二直线SL2和第二倾斜线TL2之间的角度。
如上所述，根据本公开的另一实施例，第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括以不同的旋转角度旋转的第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d，并且因此，由第一至第四光提取图案140a、140b、140c和140d反射的反射光的规律性可以更进一步减小或者反射光的随机性可以更进一步增加，从而更进一步防止或更进一步最小化反射光以径向形状扩散的彩虹不均匀和/或反射光以径向形状扩散的圆环不均匀的发生。因此，在非驱动或关闭状态下，可以更进一步减少由外部光的反射引起的黑色可见度特性或黑色(或黑色上升)现象。
下面将描述根据本公开的实施例的有机发光显示装置。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置可以包括：在基板上的多个像素，每一个像素包括多个子像素，每一个子像素具有发射区域，包括光提取图案的平坦化层，所述光提取图案在多个子像素中的每一个子像素的发射区域处，并且包括多个凹入部分和设置在多个凹入部分中的每一个凹入部分周围的凸出部分，在光提取图案上的发光器件层，以及相位光栅部分，所述相位光栅部分在所述基板和所述光提取图案之间，以与多个子像素中的每一个子像素的发射区域重叠。
根据本公开的一个或多个实施例，相位光栅部分可以包括多个图案区域，所述多个图案区域可以配置为基于折射率差或介电常数差来改变从所述光提取图案反射的反射光的光路和/或相位。
根据本公开的一个或多个实施例，所述多个图案区域之间可以具有折射率差。
根据本公开的一个或多个实施例，所述多个图案区域之间可以具有0.1或更大的折射率差。
根据本公开的一个或多个实施例，有机发光显示装置可以进一步包括在基板和光提取图案之间的绝缘层，相位光栅部分可以被配置在绝缘层处。
根据本公开的一个或多个实施例，绝缘层可以包括具有第一折射率的第一绝缘层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二绝缘层，第二绝缘层堆叠在第一绝缘层上。
根据本公开的一个或多个实施例，相位光栅部分可以包括第一图案区域和第二图案区域，第一图案区域可以包括全部的第一绝缘层和第二绝缘层，并且第二图案区域可以仅包括第一绝缘层和第二绝缘层中的第二绝缘层，或者可以包括已经从其中去除了全部的第一绝缘层和第二绝缘层的区域。
根据本公开的一个或多个实施例，分别在多个子像素处的第一图案区域的第一绝缘层可以具有不同的厚度。
根据本公开的一个或多个实施例，第二图案区域可以仅包括第二绝缘层，并且第二绝缘层可以在第二图案区域处接触基板。
根据本公开的一个或多个实施例，有机发光显示装置可以进一步包括在绝缘层与光提取图案之间的钝化层，第二图案区域可以包括已经从其中去除了全部的第一绝缘层和第二绝缘层的区域，并且钝化层可以在第二图案区域处接触基板。
根据本公开的一个或多个实施例，相位光栅部分可以包括以光栅图案形状设置的多个第一图案区域，以及分别在多个第一图案区域之间的多个第二图案区域，多个第一图案区域中的每一个可以包括全部的第一绝缘层和第二绝缘层，并且多个第二图案区域中的每一个可以仅包括第一绝缘层和第二绝缘层中的第二绝缘层，或者可以包括已经从其中去除了全部的第一绝缘层和第二绝缘层的区域。
根据本公开的一个或多个实施例，相位光栅部分可以包括多个第一图案区域，所述多个第一图案区域中的每一个与所述多个凹入部分中的对应一个凹入部分的至少一部分重叠，以及分别在多个第一图案区域之间的多个第二图案区域，多个第一图案区域中的每一个可以包括全部的第一绝缘层和第二绝缘层，并且多个第二图案区域中的每一个可以仅包括第一绝缘层和第二绝缘层中的第二绝缘层，或者可以包括已经从其中去除了全部的第一绝缘层和第二绝缘层的区域。
根据本公开的一个或多个实施例，第一图案区域可以包括圆形形状、椭圆形形状、三角或更多角的多边形形状或与凹入部分的形状相同的形状，或者第一图案区域可以具有与凹入部分的尺寸相同的尺寸，或者可以具有小于凹入部分的尺寸的尺寸。
根据本公开的一个或多个实施例，相位光栅部分可以包括多个第一图案区域，所述多个第一图案区域中的每一个与凸出部分重叠，以及在多个第一图案区域之间的第二图案区域。
根据本公开的一个或多个实施例，第一图案区域中的每一个可以被配置为与凸出部分的拐角部分中的一个或多个拐角部分重叠。
根据本公开的一个或多个实施例，多个子像素中的每一个子像素的发射区域可以包括多个分割区域，并且相位光栅部分可以被配置在多个分割区域中的每一个分割区域处。
根据本公开的一个或多个实施例，多个分割区域可以沿着第一方向、与第一方向相交的第二方向以及第一方向与第二方向之间的对角线方向中的一个或多个方向设置。
根据本公开的一个或多个实施例，多个分割区域中的每一个可以包括四边形形状或三角形形状。
根据本公开的一个或多个实施例，多个子像素中的每一个子像素的发射区域可以包括第一分割区域至第四分割区域，并且相位光栅部分可以包括被配置在第一分割区域至第四分割区域中的每一个分割区域处的一个或多个第一图案区域和一个或多个第二图案区域。
根据本公开的一个或多个实施例，多个子像素中的每一个子像素的发射区域可以包括第一分割区域和第二分割区域，并且第一分割区域可以仅配置有所述第一图案区域，或者所述第二分割区域可以仅配置有所述第二图案区域。
根据本公开的一个或多个实施例，一个或多个第一图案区域可以包括全部的第一绝缘层和第二绝缘层，并且一个或多个第二图案区域可以仅包括第一绝缘层和第二绝缘层中的第二绝缘层，或者包括已经从其中去除了全部的第一绝缘层和第二绝缘层的区域。
根据本公开的一个或多个实施例，多个子像素中的每一个子像素处的光提取图案可以具有在对应发射区域内围绕参考点旋转的结构，并且多个子像素中的每一个子像素处的光提取图案中的一个或多个光提取图案可以旋转不同的角度。
根据本公开的一个或多个实施例，多个子像素中的每一个子像素处的光提取图案的旋转角度可以以像素为单位彼此不同。
根据本公开的一个或多个实施例，多个凹入部分或凸出部分中的每一个可以具有带有六边形形状或蜂窝形状的平面结构；并且光提取图案的旋转角度可以大于0度且小于60度。
根据本公开的一个或多个实施例，有机发光显示装置可以进一步包括在光提取图案和相位光栅部分之间的滤色器层。
根据本公开的实施例的有机发光显示装置可以应用于各种电子设备。例如，根据本公开的实施例的有机发光显示装置可以应用于移动设备、视频电话、智能手表、手表电话、可穿戴设备、可折叠设备、可卷绕设备、可弯曲设备、柔性设备、弯曲设备、电子组织器、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、MP3播放器、移动医疗设备、台式个人计算机(PC)、膝上型PC、上网本计算机、工作站、导航设备、汽车导航设备、汽车显示装置、TV、壁纸显示装置、标牌装置、游戏机、笔记本计算机、监视器、相机、摄像机和家用电器等。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在覆盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同方案的范围内。

Claims (25)

1.一种有机发光显示装置，包括：
多个像素，所述多个像素在基板上，每一个像素包括多个子像素，每一个子像素具有发射区域；
平坦化层，所述平坦化层包括光提取图案，所述光提取图案在所述多个子像素中的每一个子像素的所述发射区域处，并且包括多个凹入部分和设置在所述多个凹入部分中的每一个凹入部分周围的凸出部分；
发光器件层，所述发光器件层在所述光提取图案上；以及
相位光栅部分，所述相位光栅部分在所述基板和所述光提取图案之间，以与所述多个子像素中的每一个子像素的所述发射区域重叠。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：
所述相位光栅部分包括多个图案区域，所述多个图案区域配置为基于折射率差或介电常数差来改变从所述光提取图案反射的反射光的光路和/或相位。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个图案区域之间具有折射率差。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个图案区域之间具有0.1或更大的折射率差。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述基板和所述光提取图案之间的绝缘层，
其中，所述相位光栅部分被配置在所述绝缘层处。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘层包括：
具有第一折射率的第一绝缘层；以及
具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二绝缘层，所述第二绝缘层堆叠在所述第一绝缘层上。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中：
所述相位光栅部分包括第一图案区域和第二图案区域，
所述第一图案区域包括全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以及
所述第二图案区域仅包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的所述第二绝缘层，或者包括已经从其中去除了全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的区域。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，分别在所述多个子像素处的第一图案区域的第一绝缘层具有不同的厚度。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中：
所述第二图案区域仅包括所述第二绝缘层，以及
所述第二绝缘层在所述第二图案区域处接触所述基板。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述绝缘层与所述光提取图案之间的钝化层，
其中，所述第二图案区域包括已经从其中去除了全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的区域，以及
其中，所述钝化层在所述第二图案区域处接触所述基板。
11.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述相位光栅部分包括：
多个第一图案区域，所述多个第一图案区域以光栅图案形状设置；以及
多个第二图案区域，所述多个第二图案区域分别在所述多个第一图案区域之间，
其中，所述多个第一图案区域中的每一个包括全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并且
其中，所述多个第二图案区域中的每一个仅包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的所述第二绝缘层，或者包括从其中去除了全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的区域。
多个图案区域PR1和PR2可以沿着第一方向X、第二方向Y、以及第一方向X与第二方向Y之间的对角线方向中的一个方向，交替地设置在对应的子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域EA内。
12.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述相位光栅部分包括：
多个第一图案区域，所述多个第一图案区域中的每一个与所述多个凹入部分中的对应一个凹入部分的至少一部分重叠；以及
多个第二图案区域，所述多个第二图案区域分别在所述多个第一图案区域之间，
其中，所述多个第一图案区域中的每一个包括全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以及
其中，多个第二图案区域中的每一个仅包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的所述第二绝缘层，或者包括已经从其中去除了全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的区域。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中：
所述第一图案区域包括圆形形状、椭圆形形状、三角或更多角的多边形形状、或者与所述凹入部分的形状相同的形状，或者
所述第一图案区域具有与所述凹入部分的尺寸相同的尺寸，或者具有小于所述凹入部分的尺寸的尺寸。
14.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述相位光栅部分包括：
多个第一图案区域，所述多个第一图案区域中的每一个与所述凸出部分重叠；以及
第二图案区域，所述第二图案区域在所述多个第一图案区域之间。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中：
所述第一图案区域中的每一个被配置为与所述凸出部分的拐角部分中的一个或多个拐角部分重叠。
16.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个子像素中的每一个子像素的所述发射区域包括多个分割区域，以及
所述相位光栅部分被配置在所述多个分割区域中的每一个分割区域处。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述多个分割区域沿着第一方向、与所述第一方向相交的第二方向、以及所述第一方向与所述第二方向之间的对角线方向中的一个或多个方向设置。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述多个分割区域中的每一个包括四边形形状或三角形形状。
19.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个子像素中的每一个子像素的发射区域包括第一分割区域至第四分割区域，以及
所述相位光栅部分包括被配置在所述第一分割区域至所述第四分割区域中的每一个分割区域处的一个或多个第一图案区域和一个或多个第二图案区域。
20.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个子像素中的每一个子像素的发射区域包括第一分割区域和第二分割区域，以及
其中，所述第一分割区域仅配置有所述第一图案区域，或者所述第二分割区域仅配置有所述第二图案区域。
21.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，其中：
所述一个或多个第一图案区域包括全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以及
所述一个或多个第二图案区域仅包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的所述第二绝缘层，或者包括已经从其中去除了全部的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的区域。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个子像素中的每一个子像素处的所述光提取图案具有在对应的发射区域内围绕参考点旋转的结构，以及
所述多个子像素中的每一个子像素处的所述光提取图案中的一个或多个光提取图案旋转了不同的角度。
23.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个子像素处的所述光提取图案的旋转角度以像素为单位彼此不同。
24.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个凹入部分或所述凸出部分中的每一个具有六边形形状或蜂窝形状的平面结构；以及
所述光提取图案的旋转角度大于0度且小于60度。
25.根据权利要求1至21中任一项所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述光提取图案和所述相位光栅部分之间的滤色器层。
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