CN118354632A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：像素电极，位于基底上；发光元件，位于像素电极上；平坦化层，位于像素电极上以填充发光元件之间的空间；以及共电极，位于平坦化层和发光元件上，其中，发光元件中的每个包括第一发光元件堆叠件和位于第一发光元件堆叠件上的第二发光元件堆叠件。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法

本申请要求于2023年1月16日在韩国知识产权局提交的第10-2023-0005937号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。

背景技术

随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前使用各种类型的显示装置(诸如有机发光显示装置和液晶显示(LCD)装置)。

显示装置包括用于显示图像的显示面板(诸如有机发光显示面板和液晶显示面板)。在显示面板之中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。

发明内容

本公开的方面和特征提供了一种可以在不更换或修复有缺陷的发光元件的情况下发射光的显示装置以及一种制造该显示装置的方法。

然而，本公开的实施例的方面和特征不限于在此阐述的方面和特征。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：像素电极，位于基底上；发光元件，位于像素电极上；平坦化层，位于像素电极上以填充发光元件之间的空间；以及共电极，位于平坦化层和发光元件上，其中，发光元件中的每个包括第一发光元件堆叠件和位于第一发光元件堆叠件上的第二发光元件堆叠件。

显示装置还包括位于第一发光元件堆叠件与第二发光元件堆叠件之间的接合层。

接合层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

第一发光元件堆叠件包括第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层，其中，第二发光元件堆叠件包括第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层、第二半导体层和第三半导体层。

第一发光元件堆叠件的第二半导体层与第二发光元件堆叠件的第一半导体层接触。

发光元件随机地布置在像素电极上。

显示装置还包括位于共电极上的波长转换部分，其中，波长转换部分包括：分隔壁，使发射区域和非发射区域分隔；波长转换层，位于分隔壁之间并且与发射区域叠置；光阻挡构件，位于分隔壁上；以及滤色器，位于波长转换层上。

显示装置还包括位于共电极与分隔壁之间的反射金属层，其中，反射金属层与非发射区域叠置。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：像素电极，位于基底上；发光元件，位于像素电极上；平坦化层，位于像素电极上以填充发光元件之间的空间；以及共电极，位于平坦化层和发光元件上，其中，发光元件具有其中堆叠有多个发光元件堆叠件的串联结构，并且其中，多个发光元件堆叠件中的每个包括第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。

显示装置还包括位于多个发光元件堆叠件之间的接合层。

接合层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

多个发光元件堆叠件之中的发光元件堆叠件的底部处的第二半导体层与另一发光元件堆叠件的顶部处的第一半导体层接触。

多个发光元件堆叠件之中的顶部发光元件堆叠件还包括第三半导体层。

根据一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：在基体基底上形成发光元件；通过将包括像素电极的基底接合到基体基底，将发光元件附着到像素电极上；通过将激光束照射到基体基底上，将基体基底与发光元件分离；在像素电极与发光元件之间形成平坦化层；以及在平坦化层上形成共电极，其中，发光元件包括第一发光元件堆叠件和位于第一发光元件堆叠件上的第二发光元件堆叠件。

在基体基底上形成发光元件包括以下步骤：在第一基体基底上形成多个半导体材料层；将第一基体基底附着到临时基底；通过将第一基体基底与多个半导体材料层分离来形成第一发光元件堆叠件；在第一发光元件堆叠件上形成第一接合层；通过在第二基体基底上形成多个半导体材料层来形成第二发光元件堆叠件；在第二发光元件堆叠件上形成第二接合层；将第一发光元件堆叠件堆叠在第二发光元件堆叠件上使得第一接合层与第二接合层彼此接触，并且将第一接合层与第二接合层彼此接合；将临时基底与第一发光元件堆叠件分离；以及通过使用光致抗蚀剂图案使堆叠在第二发光元件堆叠件上的第一发光元件堆叠件图案化来形成发光元件，在发光元件上形成连接电极。

所述方法还包括在发光元件上形成连接电极。

在第一基体基底上形成多个半导体材料层包括在第一基体基底上以此顺序形成第三半导体材料层、第二半导体材料层、超晶格材料层、活性材料层、电子阻挡材料层和第一半导体材料层。

通过将第一基体基底与多个半导体材料层分离来形成第一发光元件堆叠件包括以下步骤：用激光照射基体基底；将第一基体基底与多个半导体材料层分离；以及蚀刻第三半导体材料层以将其去除。

通过在第二基体基底上形成多个半导体材料层来形成第二发光元件堆叠件包括以下步骤：在第二基体基底上以此顺序形成第三半导体材料层、第二半导体材料层、超晶格材料层、活性材料层、电子阻挡材料层和第一半导体材料层。

将第一发光元件堆叠件堆叠在第二发光元件堆叠件上使得第一接合层与第二接合层彼此接触，并且将第一接合层与第二接合层彼此接合包括将第一接合层与第二接合层彼此氧化接合。

在基体基底上形成发光元件包括以下步骤：在基体基底上以此顺序形成第二发光元件堆叠件的第三半导体材料层、第二半导体材料层、超晶格材料层、活性材料层、电子阻挡材料层和第一半导体材料层；在第二发光元件堆叠件上形成第一发光元件堆叠件的第三半导体材料层、第二半导体材料层、超晶格材料层、活性材料层、电子阻挡材料层和第一半导体材料层；以及通过使用光致抗蚀剂图案使第二发光元件堆叠件和第一发光元件堆叠件图案化来形成发光元件。

根据本公开的一个或更多个实施例，在显示装置中以串联结构形成发光元件，因此即使在发光元件的顶部发光元件堆叠件和底部发光元件堆叠件中的一个中存在短路，发光元件仍然可以发射光。因此，不需要对其中产生短路的发光元件进行修复。

然而，本公开的效果不限于前述效果，并且各种其它效果包括在本说明书中。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它方面及特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图2是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的显示基底的电路布局的图。

图3是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的像素的等效电路图。

图4是示出根据一个或更多个实施例的显示面板的显示区域的子像素的布局图。

图5是示出沿着图4的线Q1-Q1'截取的显示面板的示例的剖视图。

图6是根据一个或更多个实施例的图5的区域B的放大图。

图7是根据一个或更多个实施例的图5的区域B的放大图。

图8是示意性地示出多个发射区域和多个滤色器的平面图。

图9是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的发射区域的变型的平面图。

图10是示出根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。

图11是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。

图12是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。

图13是示意性地示出根据一个或更多个实施例的多个发射区域和反射金属层的平面图。

图14是用于示出根据本公开的一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的流程图。

图15是用于更详细地示出图14的步骤S100的流程图。

图16至图36是用于示出根据本公开的一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的图。

图37是用于示出根据一个或更多个实施例的图14的步骤S100的图。

图38是示意性地示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的虚拟现实装置的示例图。

图39是示意性地示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的智能装置的示例图。

图40是示意性地示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的车辆的示例图。

图41是示意性地示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的透明显示装置的示例图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。

还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。

将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导和范围的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

本公开的各种实施例的特征中的每个可以部分地或全部地组合或彼此组合，并且在技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。

在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。

图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

参照图1，根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置10可以应用于智能电话、移动电话、平板PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视机、游戏机、手表型电子装置、头戴式显示器、个人计算机监视器、膝上型计算机、汽车导航系统、汽车仪表盘、数码相机、摄像机、室外广告牌、电子广告牌、各种医疗设备、各种家用电器(诸如冰箱和洗衣机)、物联网(IoT)装置等。在下面的描述中，描述电视(TV)作为显示装置的示例。TV可以具有高分辨率或超高分辨率(诸如HD、UHD、4K和8K)。

另外，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以通过显示图像的方式进行各种分类。显示装置10的分类的示例可以包括有机发光二极管(OLED)显示装置、无机发光显示装置(无机EL)、量子点发光二极管(QD-LED)显示装置(QED)、微LED显示装置(微LED)、纳米LED显示装置(纳米LED)、等离子体显示装置(PDP)、场发射显示(FED)装置、阴极射线管(CRT)显示装置、液晶显示(LCD)装置、电泳显示(EPD)装置等。在下面的描述中，将描述有机发光显示装置作为显示装置10的示例，并且除非需要将有机发光显示装置与其它装置区分开，否则有机发光显示装置将被简单地称为显示装置。然而，将理解的是，本公开的实施例不限于有机发光显示装置，并且在不脱离本公开的教导和范围的情况下，可以采用上面列出的显示装置中的一种或本领域公知的任何其它显示装置。

另外，在附图中，第一方向DR1指显示装置10的水平方向，第二方向DR2指显示装置10的竖直方向，并且第三方向DR3指显示装置10的厚度方向。如在此所使用的，术语“左”侧、“右”侧、“上”侧和“下”侧指当从上方观看显示装置10时的相对位置。例如，右侧指第一方向DR1上的一侧，左侧指第一方向DR1上的另一侧，上侧指第二方向DR2上的一侧，并且下侧指第二方向DR2上的另一侧。另外，上部指由第三方向DR3的箭头表示的一侧，而下部指第三方向DR3上的相对侧。

根据本公开的一个或更多个实施例，当从上方观看时，显示装置10可以具有方形形状(例如，正方形形状)。当显示装置10是电视时，它可以具有其中较长边位于水平方向上的矩形形状。然而，应当理解的是，本公开不限于此。较长边可以位于竖直方向上。可选地，显示装置10可以可旋转地安装使得较长边可变地位于水平方向或竖直方向上。另外，显示装置10可以具有圆形形状或椭圆形形状。

显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是显示图像的有效区域。当从上方观看时，显示区域DPA可以具有但不限于与显示装置10的一般形状相似的正方形形状。

非显示区域NDA可以沿着显示区域DPA的边缘或外围设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以整个地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有正方形形状，并且非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。

用于驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件可以设置在非显示区域NDA中。根据本公开的一个或更多个实施例，垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)区域可以在与显示装置10的第一侧(例如，图1中的下侧)相邻的非显示区域NDA中位于显示装置10的显示基底上，并且外部装置EXD可以安装在垫区域的垫电极上。外部装置EXD的示例可以包括连接膜、印刷电路板、驱动器芯片DIC、连接器、线连接膜等。直接形成在显示装置10的显示基底上的扫描驱动器SDR等可以设置在与显示装置10的第二侧(例如，图1中的左侧)相邻的非显示区域NDA中。

图2是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的显示基底的电路布局的图。

参照图2，多条线设置在第一基底上。多条线可以包括扫描线SCL、感测信号线SSL、数据线DTL、参考电压线RVL、第一电源电压线ELVDL等。

扫描线SCL和感测信号线SSL可以在第一方向DR1上延伸。扫描线SCL和感测信号线SSL可以连接到扫描驱动器SDR。扫描驱动器SDR可以包括驱动电路。扫描驱动器SDR可以在显示基底上设置在非显示区域NDA的一侧，但是本公开不限于此。扫描驱动器SDR可以设置在非显示区域NDA的两侧。扫描驱动器SDR可以连接到信号连接线CWL。信号连接线CWL的至少一端可以在非显示区域NDA中形成垫WPD_CW，并且可以连接到外部装置EXD(见图1)。

数据线DTL和参考电压线RVL可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。第一电源电压线ELVDL可以包括在第二方向DR2上延伸的一部分。第一电源电压线ELVDL还可以包括在第一方向DR1上延伸的一部分。第一电源电压线ELVDL可以具有(但不限于)网格结构。

布线垫WPD可以设置在数据线DTL、参考电压线RVL和第一电源电压线ELVDL的至少一端处。布线垫WPD可以设置在非显示区域NDA的垫区域PDA中。根据本公开的一个或更多个实施例，数据线DTL的布线垫WPD_DT(在下文中，称为数据垫)、参考电压线RVL的布线垫WPD_RV(在下文中，称为参考电压垫)和第一电源电压线ELVDL的布线垫WPD_ELVD(在下文中，称为第一电源电压垫)可以设置在非显示区域NDA的垫区域PDA中。作为另一示例，数据垫WPD_DT、参考电压垫WPD_RV和第一电源电压垫WPD_ELVD可以设置在不同的非显示区域NDA中。如上所述，外部装置EXD(见图1)可以安装在布线垫WPD上。外部装置EXD可以通过各向异性导电膜、超声接合等安装在布线垫WPD上。

显示基底上的像素中的每个包括像素驱动电路。上述线可以经过像素中的每个或其外围，以将驱动信号施加到像素驱动电路。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。每个像素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以以各种方式改变。在下面的描述中，将描述具有包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构的像素驱动电路作为示例。然而，将理解的是，本公开不限于此。可以采用各种修改的像素结构(诸如2T1C结构、7T1C结构和/或6T1C结构)。

图3是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的像素的等效电路图。

参照图3，除了多个发光元件LE1、LE2、LE3和LE4之外，根据一个或更多个实施例的显示装置的像素PX中的每个还包括驱动晶体管DTR、开关元件和电容器CST。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管STR1、STR2、STR3、STR4、STR5和STR6。

发光元件LE1、LE2、LE3和LE4的第一电极可以连接到第四晶体管STR4的第一电极和第六晶体管STR6的第二电极，而第二电极可以连接到第二电源电压线ELVSL。发光元件具有串联结构并且彼此串联和并联连接。稍后将参照图6和图7描述串联结构的发光元件。尽管在图3的示例中示出了四个发光元件LE1、LE2、LE3和LE4，但是这仅仅是说明性的。

驱动晶体管DTR包括栅电极、第一电极和第二电极。根据施加到栅电极的数据电压来控制驱动晶体管DTR的在第一电极与第二电极之间流动的漏-源电流(在下文中，称为“驱动电流”)。

电容器CST形成在驱动晶体管DTR的第一电极与第一电源电压线ELVDL之间。电容器CST的一个电极可以连接到驱动晶体管DTR的第一电极，而其另一电极可以连接到第一电源电压线ELVDL。

驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6可以实现为p型MOSFET(PMOS)，而第一晶体管STR1和第三晶体管STR3可以实现为n型MOSFET(NMOS)。

实现为p型MOSFET的驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6中的每个的有源层可以由多晶硅制成，并且实现为n型MOSFET的第一晶体管STR1和第三晶体管STR3的有源层可以由氧化物半导体制成。

第二晶体管STR2的栅电极和第四晶体管STR4的栅电极连接到写入扫描线GWL，并且第一晶体管STR1的栅电极连接到控制扫描线GCL。

因为第一晶体管STR1和第三晶体管STR3实现为n型MOSFET，所以栅极高电压的扫描信号可以被施加到控制扫描线GCL和初始化扫描线GIL。相比之下，因为第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6由p型MOSFET形成，所以栅极低电压的扫描信号可以被施加到写入扫描线GWL和发射线EL。

驱动晶体管DTR的第一电极可以连接到第五晶体管STR5的第二电极，并且驱动晶体管DTR的第二电极可以连接到第六晶体管STR6的第一电极。

第一晶体管STR1可以连接在驱动晶体管DTR的栅电极与第二电极之间，并且第一晶体管STR1的栅电极连接到控制扫描线GCL。

第二晶体管STR2连接在数据线DTL与驱动晶体管DTR的第一电极之间，并且第二晶体管STR2的栅电极可以连接到写入扫描线GWL。

第三晶体管STR3可以连接在驱动晶体管DTR的栅电极与初始化电压线VIL之间。第三晶体管STR3的栅电极可以连接到初始化扫描线GIL。

第四晶体管STR4可以结合在初始化电压线VIL与第六晶体管STR6的连接到发光元件LE1、LE2、LE3和LE4的第二电极之间。第四晶体管STR4的栅电极可以连接到写入扫描线GWL。

第五晶体管STR5可以连接在第一电源电压线ELVDL与驱动晶体管DTR的第一电极之间，并且第六晶体管STR6可以连接在驱动晶体管DTR的第二电极与发光元件LE1、LE2、LE3和LE4之间。第五晶体管STR5和第六晶体管STR6的栅电极可以连接到发射线EL。

应当注意的是，根据本公开的一个或更多个实施例的像素的等效电路图不限于图3中所示出的等效电路图。根据本公开的一个或更多个实施例的像素的等效电路图可以实现为本领域已知的除了图3中所示的实施例的电路结构之外的任何其它电路结构。

图4是示出根据一个或更多个实施例的显示面板的显示区域的子像素的布局图。图5是示出沿着图4的线Q1-Q1'截取的显示面板的示例的剖视图。

图6是根据一个或更多个实施例的图5的区域B的放大图。图7是根据一个或更多个实施例的图5的区域B的放大图。

参照图4至图6，显示区域DA可以包括多个像素。像素中的每个可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以对应于图3中示出的像素PX，并且可以具有相同或相似的像素结构。

在像素中的每个中，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以在第一方向DR1上布置。另外，第一子像素SPX1可以在第二方向DR2上布置，第二子像素SPX2可以在第二方向DR2上布置，并且第三子像素SPX3可以在第二方向DR2上布置。

子像素SPX1、SPX2和SPX3可以分别包括像素电极PE1、PE2和PE3以及一个或更多个发光元件LE。

尽管在附图中所示的示例中，当从上方观看时，像素电极PE1、PE2和PE3具有矩形形状，但是本公开不限于此。

发光元件LE可以随机地布置在像素电极PE1、PE2和PE3上。根据一个或更多个实施例，发光元件LE可以与在一个方向上延伸的线对准。例如，它们可以以倾斜矩阵布置，并且行与列之间的距离可以彼此相等地间隔开。另外，发光元件LE可以在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个上具有相同的布置。

参照图5，显示装置10可以包括显示基底100和设置在显示基底100上的波长转换部分200。

显示基底100可以包括第一基底110和设置在第一基底110上的发光元件部分LEP。第一基底110可以是绝缘基底。第一基底110可以包括透明材料。例如，第一基底110可以包括透明绝缘材料(诸如玻璃和/或石英)。第一基底110可以是刚性基底。然而，第一基底110不限于上述基底。第一基底110可以包括塑料(诸如聚酰亚胺)，或者可以是柔性的使得其可以被弯曲、弯折、折叠和/或卷曲。多个发射区域EA1、EA2和EA3以及非发射区域NEA可以限定在第一基底110中。

开关元件T1、T2和T3可以设置在第一基底110上。根据本公开的一个或更多个实施例，第一开关元件T1可以位于第一发射区域EA1中，第二开关元件T2可以位于第二发射区域EA2中，并且第三开关元件T3可以位于第三发射区域EA3中。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一个或更多个实施例中，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的至少一个可以位于非发射区域NEA中。

根据本公开的一个或更多个实施例，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的每个可以是包括非晶硅、多晶硅和/或氧化物半导体的薄膜晶体管。例如，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的每个可以对应于图3中示出的驱动晶体管DTR和/或开关元件。在一个或更多个实施例中，用于将信号传输到开关元件T1、T2和T3的多条信号线(例如，栅极线、数据线、电力线等)可以进一步设置在第一基底110上。

开关元件T1、T2和T3中的每个可以包括半导体层65、栅电极75、源电极85a和漏电极85b。具体地，缓冲层60可以设置在第一基底110上。缓冲层60可以设置为覆盖第一基底110的整个表面。缓冲层60可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等，并且可以由它们的单层或双层构成。

半导体层65可以设置在缓冲层60上。半导体层65可以形成开关元件T1、T2和T3中的每个的沟道。半导体层65可以包括非晶硅、多晶硅和/或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括例如包含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(AB_x)、三元化合物(AB_xC_y)和四元化合物(AB_xC_yD_z)。根据本公开的一个或更多个实施例，半导体层65可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。

栅极绝缘层70可以设置在半导体层65和缓冲层60上。栅极绝缘层70可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层70可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。根据本公开的一个或更多个实施例，栅极绝缘层70可以包括氧化硅。

栅电极75可以设置在栅极绝缘层70上。栅电极75可以设置为在第一基底110的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与半导体层65叠置。栅电极75可以包括导电材料。栅电极75可以包括金属氧化物(诸如ITO、IZO、ITZO和In₂O₃)或者金属(诸如铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、钙(Ca)、铬(Cr)、镁(Mg)和/或镍(Ni))。例如，栅电极75可以包括但不限于其中铜的上层堆叠在钛的下层上的Cu/Ti双层。

层间介电层80可以设置在栅电极75和栅极绝缘层70上。层间介电层80可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽和/或氧化锌)。

源电极85a和漏电极85b可以设置在层间介电层80上。源电极85a和漏电极85b可以通过穿透层间介电层80和栅极绝缘层70的相应的接触孔与半导体层65接触。源电极85a和漏电极85b可以包括金属氧化物(诸如ITO、IZO、ITZO和In₂O₃)或者金属(诸如铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、钙(Ca)、铬(Cr)、镁(Mg)和/或镍(Ni))。例如，源电极85a和漏电极85b可以包括但不限于其中铜的上层堆叠在钛的下层上的Cu/Ti双层。

绝缘层130可以遍及第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3设置。根据本公开的一个或更多个实施例，绝缘层130可以是平坦化层并且可以包括有机材料。例如，绝缘层130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、酯树脂等。根据本公开的一个或更多个实施例，绝缘层130可以包括正型光敏材料或负型光敏材料。

发光元件部分LEP可以设置在绝缘层130上。发光元件部分LEP可以包括多个像素电极PE1、PE2和PE3、多个发光元件LE以及共电极CE。

多个像素电极PE1、PE2和PE3可以包括第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以用作发光元件LE的第一电极，并且可以是阳电极或阴电极。第一像素电极PE1可以位于第一发射区域EA1中，第二像素电极PE2可以位于第二发射区域EA2中，并且第三像素电极PE3可以位于第三发射区域EA3中。根据本公开的一个或更多个实施例，第一像素电极PE1可以与第一发射区域EA1完全地叠置，第二像素电极PE2可以与第二发射区域EA2完全地叠置，并且第三像素电极PE3可以与第三发射区域EA3完全地叠置。第一像素电极PE1可以穿过绝缘层130连接到第一开关元件T1，第二像素电极PE2可以穿过绝缘层130连接到第二开关元件T2，并且第三像素电极PE3可以穿过绝缘层130连接到第三开关元件T3。

第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以包括金属。金属可以包括例如铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的混合物。另外，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以具有其中堆叠有两个或更多个的金属层的多层结构。例如，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以具有但不限于其中铜层堆叠在钛层上的两层结构。

参照图6，根据本实施例，第一像素电极PE1可以包括下电极层P1和上电极层P3。在下面的描述中，将描述第一像素电极PE1作为示例。将理解的是，第二像素电极PE2和第三像素电极PE3与其相似。

下电极层P1可以设置在第一像素电极PE1的底部处，并且可以与开关元件电连接。下电极层P1可以为第一像素电极PE1提供粘合性以结合到绝缘层130。下电极层P1可以包括金属(例如，钛)。

上电极层P3可以设置在下电极层P1上，并且可以与发光元件LE直接接触。上电极层P3可以设置在下电极层P1与发光元件LE之间，并且可以为第一像素电极PE1提供粘合性以结合到发光元件LE。上电极层P3可以包括金属(例如，铜)。

多个发光元件LE可以设置在第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上。

如图5和图6中所示，发光元件LE可以设置在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的每个中。发光元件LE中的每个可以是在第三方向DR3上延伸的竖直发光二极管。也就是说，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以大于在水平方向上的长度。水平长度指在第一方向DR1上的长度或在第二方向DR2上的长度。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以是大致1μm至5μm。

发光元件LE中的每个可以为微发光二极管。发光元件LE可以具有具备宽度长于高度的圆柱形状、圆盘形状或棒形状。然而，应当理解的是，本公开不限于此。发光元件LE可以具有棒、线、管等的形状、多边形柱(诸如立方体、长方体和/或六边形柱)的形状，或者可以具有在一方向上延伸且具有部分倾斜的外表面的形状。

发光元件LE在显示基底100的厚度方向上(即，在第三方向DR3上)包括连接电极150、第一发光元件堆叠件S1、接合层BL和第二发光元件堆叠件S2。连接电极150、第一发光元件堆叠件S1、接合层BL和第二发光元件堆叠件S2可以在第三方向DR3上以此顺序堆叠。

连接电极150可以设置在多个像素电极PE1、PE2和PE3中的每个上。在下文中，将描述设置在第一像素电极PE1上的发光元件LE作为示例，但是本公开不限于此。设置在第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上的发光元件LE可以具有相同的结构。

连接电极150可以包括反射层151和连接层153。反射层151可以反射从发光元件LE的活性层MQW(例如，MQW1、MQW2)发射的光。反射层151可以设置为与发光元件LE的活性层MQW(例如，MQW1、MQW2)相邻。反射层151可以包括具有高反光率同时具有导电性的金属材料。反射层151可以包括例如铝(Al)、银(Ag)和/或它们的合金。

连接层153可以将来自第一像素电极PE1的发射信号传输到发光元件LE。连接层153可以是欧姆连接电极。然而，将理解的是，本公开不限于此。连接层153可以是肖特基连接电极。连接层153可以设置在发光元件LE的底部处，并且可以设置为比反射层151远离活性层MQW(例如，MQW1、MQW2)。连接层153可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种。例如，连接层153可以包括金和锡的9:1合金、8:2合金和/或7:3合金以及/或者铜、银和锡的合金(SAC305)。

尽管在图6中所示的示例中发光元件LE的连接电极150具有一个反射层151和一个连接层153的双层结构，但是本公开不限于此。在一个或更多个实施例中，发光元件LE可以包括具有多于两层的连接电极150，或者可以从其中省去一些层。

第一发光元件堆叠件S1可以包括第一半导体层SEM11、电子阻挡层EBL1、活性层MQW1、超晶格层SLT1和第二半导体层SEM21。第一半导体层SEM11、电子阻挡层EBL1、活性层MQW1、超晶格层SLT1和第二半导体层SEM21可以在第三方向DR3上以此顺序彼此堆叠。

第一半导体层SEM11可以设置在连接电极150上。第一半导体层SEM11可以是p型半导体，并且可以包括具有以下化学式的半导体材料：Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)。例如，它可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层SEM11可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。例如，第一半导体层SEM11可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM11的厚度可以在但不限于30nm至200nm的范围内。

电子阻挡层EBL1可以设置在第一半导体层SEM11上。电子阻挡层EBL1可以抑制或防止太多电子流入活性层MQW1。例如，电子阻挡层EBL1可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL1的厚度可以在10nm至50nm的范围内，但是本公开不限于此。另外，可以省去电子阻挡层EBL1。

活性层MQW1可以设置在电子阻挡层EBL1上。响应于通过第一半导体层SEM11和第二半导体层SEM21施加的电信号，活性层MQW1可以在电子-空穴对在其中复合时发射光。活性层MQW1可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的第一光(即，蓝色波长范围内的光)。

活性层MQW1可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层MQW1包括具有多量子阱结构的材料时，阱层和势垒层可以在该结构中彼此交替地堆叠。阱层可以由InGaN制成，并且势垒层可以由GaN或AlGaN制成，但是本公开不限于此。阱层的厚度可以是大致1nm至4nm，并且势垒层的厚度可以是3nm至10nm。

可选地，活性层MQW1可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替地堆叠的结构，并且可以根据所发射的光的波长范围包括其它III族至V族半导体材料。由活性层MQW1发射的光不限于第一光。在一个或更多个实施例中，第二光(例如，绿色波长范围内的光)或第三光(例如，红色波长范围内的光)可以由活性层MQW1发射。根据本公开的一个或更多个实施例，当在包括在活性层MQW1中的半导体材料之中包括铟时，所发射的光的颜色可以根据铟的含量而变化。例如，随着铟的含量降低，输出光的波长范围可以移动到红色波长范围，并且随着铟的含量降低，输出光的波长范围可以移动到蓝色波长范围。

超晶格层SLT1可以设置在活性层MQW1上。超晶格层SLT1可以减轻第二半导体层SEM21与活性层MQW1之间的应力。例如，超晶格层SLT1可以由InGaN和/或GaN制成。超晶格层SLT1的厚度可以是大致50nm至200nm。可以省去超晶格层SLT1。

第二半导体层SEM21可以设置在超晶格层SLT1上。第二半导体层SEM21可以是n型半导体。第二半导体层SEM21可以包括具有以下化学式的半导体材料：Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，它可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层SEM21可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是Si、Ge、Se、Sn等。例如，第二半导体层SEM21可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM21的厚度可以在但不限于2μm至4μm的范围内。

接合层BL设置在第一发光元件堆叠件S1与第二发光元件堆叠件S2之间。接合层BL由透明且允许氧化接合的材料(例如，氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO))形成。

第二发光元件堆叠件S2的第一半导体层SEM12可以设置在接合层BL上。第一半导体层SEM12可以是p型半导体，并且可以包括具有以下化学式的半导体材料：Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)。例如，它可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层SEM12可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。例如，第一半导体层SEM12可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM12的厚度可以在但不限于30nm至200nm的范围内。

第二发光元件堆叠件S2的电子阻挡层EBL2可以设置在第一半导体层SEM12上。电子阻挡层EBL2可以抑制或防止太多的电子流入第二发光元件堆叠件S2的活性层MQW2。例如，电子阻挡层EBL2可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL2的厚度可以在10nm至50nm的范围内，但是本公开不限于此。另外，可以省去电子阻挡层EBL2。

第二发光元件堆叠件S2的活性层MQW2可以设置在电子阻挡层EBL2上。响应于通过第一半导体层SEM12和第二半导体层SEM22施加的电信号，活性层MQW2可以在电子-空穴对在其中复合时发射光。活性层MQW2可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的第一光(即，蓝色波长范围内的光)。

活性层MQW2可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层MQW2包括具有多量子阱结构的材料时，阱层和势垒层可以在该结构中彼此交替地堆叠。阱层可以由InGaN制成，并且势垒层可以由GaN或AlGaN制成，但是本公开不限于此。阱层的厚度可以是大致1nm至4nm，并且势垒层的厚度可以是3nm至10nm。

可选地，第二发光元件堆叠件S2的活性层MQW2可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替地堆叠的结构，并且可以根据所发射的光的波长范围包括其它III族至V族半导体材料。由活性层MQW2发射的光不限于第一光。在一个或更多个实施例中，第二光(例如，绿色波长范围内的光)或第三光(例如，红色波长范围内的光)可以由活性层MQW2发射。根据本公开的一个或更多个实施例，当在包括在活性层MQW2中的半导体材料之中包括铟时，所发射的光的颜色可以根据铟的含量而变化。例如，随着铟的含量降低，输出光的波长范围可以移动到红色波长范围，并且随着铟的含量降低，输出光的波长范围可以移动到蓝色波长范围。

第二发光元件堆叠件S2的超晶格层SLT2可以设置在活性层MQW2上。超晶格层SLT2可以减轻第二发光元件堆叠件S2的第二半导体层SEM22与活性层MQW2之间的应力。例如，超晶格层SLT2可以由InGaN和/或GaN制成。超晶格层SLT2的厚度可以是大致50nm至200nm。可以省去超晶格层SLT2。

第二发光元件堆叠件S2的第二半导体层SEM22可以设置在超晶格层SLT2上。第二半导体层SEM22可以是n型半导体。第二半导体层SEM22可以包含具有以下化学式的半导体材料：Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，它可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层SEM22可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是Si、Ge、Se、Sn等。例如，第二半导体层SEM22可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM22的厚度可以在但不限于2μm至4μm的范围内。

第二发光元件堆叠件S2的第三半导体层SEM32可以设置在第二半导体层SEM22上。第三半导体层SEM32可以设置在第二半导体层SEM22与共电极CE之间。第三半导体层SEM32可以是未掺杂的半导体。第三半导体层SEM32可以包括与第二半导体层SEM22相同的材料，但是可以不掺杂有n型或p型掺杂剂。在一个或更多个实施例中，第三半导体层SEM32可以是但不限于未掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。

在一个或更多个实施例中，平坦化层PLL可以设置在多个像素电极PE1、PE2和PE3以及绝缘层130上。平坦化层PLL可以提供平坦表面，使得可以形成将在稍后描述的共电极CE。平坦化层PLL可以形成为具有合适的高度(例如，预定高度)，使得多个发光元件LE的至少一部分(例如，上部)可以突出到平坦化层PLL之上。也就是说，平坦化层PLL距第一像素电极PE1的上表面的高度可以小于发光元件LE的高度。

平坦化层PLL可以包括有机材料以提供平坦表面。例如，平坦化层PLL可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)树脂等。

共电极CE可以设置在平坦化层PLL和多个发光元件LE上。具体地，共电极CE可以设置在第一基底110的其上形成有发光元件LE的一个表面上，并且可以整个地设置在显示区域DPA和非显示区域NDA中。共电极CE可以设置为在显示区域DPA中与发射区域EA1、EA2和EA3叠置，并且可以具有小的厚度以允许光出射。

共电极CE可以直接设置在多个发光元件LE的上表面和侧表面上。共电极CE可以与发光元件LE的侧表面之中的第二发光元件堆叠件S2的第二半导体层SEM22和第三半导体层SEM32直接接触。如图5中所示，共电极CE可以是覆盖多个发光元件LE并且将多个发光元件LE公共地彼此连接的公共层。因为导电的第二半导体层SEM22在发光元件LE中的每个中具有图案化结构，所以共电极CE可以与发光元件LE中的每个的第二发光元件堆叠件S2的第二半导体层SEM22和第三半导体层SEM32的侧表面直接接触，使得可以向发光元件LE中的每个施加共电压。

因为共电极CE整个地设置在第一基底110上以施加共电压，所以共电极CE可以包括具有低电阻的材料。另外，共电极CE可以形成为具有小的厚度以允许光出射。例如，共电极CE可以包括具有低电阻的材料(诸如铝(Al)、银(Ag)和/或铜(Cu))。共电极CE的厚度可以是但不限于大致至

上述发光元件LE可以从像素电极PE1、PE2和PE3接收像素电压或阳极电压，并且可以通过共电极CE接收共电压。发光元件LE可以发射具有根据像素电压与共电压之间的电压差的亮度(例如，预定亮度)的光。

根据当前的实施例，通过在像素电极PE1、PE2和PE3上设置多个发光元件LE(即，无机发光二极管)，能够使有机发光二极管不易受外部湿气或氧的影响，并且改善有机发光二极管的寿命和可靠性。

如图7中所示，根据一个或更多个实施例，可以省去接合层BL。当省去接合层BL时，第二发光元件堆叠件S2可以直接堆叠在第一发光元件堆叠件S1上。

第一发光元件堆叠件S1可以包括第一半导体层SEM11、电子阻挡层EBL1、活性层MQW1、超晶格层SLT1和第二半导体层SEM21。第一半导体层SEM11、电子阻挡层EBL1、活性层MQW1、超晶格层SLT1和第二半导体层SEM21可以在第三方向DR3上以此顺序彼此堆叠。

第二发光元件堆叠件S2可以包括第一半导体层SEM12、电子阻挡层EBL2、活性层MQW2、超晶格层SLT2、第二半导体层SEM22和第三半导体层SEM32。第一半导体层SEM12、电子阻挡层EBL2、活性层MQW2、超晶格层SLT2、第二半导体层SEM22和第三半导体层SEM32可以在第三方向DR3上以此顺序彼此堆叠。

第一发光元件堆叠件S1的第二半导体层SEM21可以与第二发光元件堆叠件S2的第一半导体层SEM12直接接触。

第一半导体层SEM12可以设置在第一发光元件堆叠件S1的第二半导体层SEM21上。上面已经参照图6描述了半导体层，因此，将省略冗余的描述。

显示装置中的电压可以粗略地划分为驱动电压和发光元件电压。驱动电压用于驱动电路，发光元件电压用于发光元件。因为驱动电压是恒定的，而不管发光元件的结构如何，所以串联结构的发光元件在相同的电流下呈现两倍的现有发光元件的亮度，但是电压不加倍。例如，现有的没有串联结构的发光元件可能需要大致3V的发光元件电压和大致6V的驱动电路电压。相比之下，根据本公开的一个或更多个实施例的具有串联结构的发光元件可以需要6V的发光元件电压。因此，现有的发光元件需要9V的总电压(即，3V的发光元件电压加上6V的驱动电路电压)，而根据一个或更多个实施例的具有串联结构的发光元件需要12V的总电压(即，6V的发光元件电压加上6V的驱动电路电压)。由于包括具有串联结构的发光元件的显示装置在相同的电流下提供两倍的亮度，因此可以看出的是，与包括现有发光元件的显示装置相比，效率改善约45％。

以这种方式，可以以低功耗驱动采用串联结构的发光元件的显示装置。

返回参照图5，波长转换部分200可以设置在发光元件部分LEP上。波长转换部分200可以包括分隔壁PW、波长转换层QDL、滤色器CF1、CF2和CF3、光阻挡构件BK以及保护层PTL。

分隔壁PW可以在显示区域DPA中设置在共电极CE上，并且可以使多个发射区域EA1、EA2和EA2分隔。分隔壁PW可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且可以在整个显示区域DPA中以格子图案形成。另外，分隔壁PW可以不与多个发射区域EA1、EA2和EA3叠置，并且可以与非发射区域NEA叠置。

分隔壁PW可以包括使其下面的共电极CE暴露的多个开口OP1、OP2和OP3。多个开口OP1、OP2和OP3可以包括与第一发射区域EA1叠置的第一开口OP1、与第二发射区域EA2叠置的第二开口OP2和与第三发射区域EA3叠置的第三开口OP3。多个开口OP1、OP2和OP3可以分别与多个发射区域EA1、EA2和EA3对应。换言之，第一开口OP1可以与第一发射区域EA1对应，第二开口OP2可以与第二发射区域EA2对应，并且第三开口OP3可以与第三发射区域EA3对应。

分隔壁PW可以提供可以形成有波长转换层QDL的空间。为此，分隔壁PW可以具有合适的厚度(例如，预定厚度)，例如，分隔壁PW的厚度可以在1μm至10μm的范围内。分隔壁PW可以包括有机绝缘材料以具有合适的厚度(例如，预定厚度)。有机绝缘材料可以包括例如环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂、酰亚胺类树脂等。

波长转换层QDL可以分别设置在多个开口OP1、OP2和OP3中。波长转换层QDL可以将一峰值波长的入射光转换或移位为另一峰值波长的光。波长转换层QDL可以将从发光元件LE发射的蓝色的第一光中的一些转换为黄色的第四光。在波长转换层QDL中，第一光和第四光可以混合以发射白色的第五光。第五光可以通过第一滤色器CF1转换为第一光，可以通过第二滤色器CF2转换为第二光，并且可以通过第三滤色器CF3转换为第三光。

波长转换层QDL可以分别设置在多个开口OP1、OP2和OP3中，并且可以彼此间隔开。也就是说，波长转换层QDL可以以彼此间隔开的点状岛的图案形成。例如，波长转换层QDL可以分别设置在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中，并且波长转换层QDL的数量可以等于开口的数量。另外，波长转换层QDL可以设置为与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的每个叠置。根据本公开的一个或更多个实施例，波长转换层QDL可以与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3完全地叠置。

波长转换层QDL可以包括第一基体树脂BRS1和第一波长转换颗粒WCP1。第一基体树脂BRS1可以包括透光有机材料。例如，第一基体树脂BRS1可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂、酰亚胺类树脂等。

第一波长转换颗粒WCP1可以将从发光元件LE入射的第一光转换为第四光。例如，第一波长转换颗粒WCP1可以将蓝色波长范围内的光转换为黄色波长范围内的光。第一波长转换颗粒WCP1可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料和/或磷光材料。例如，量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射一颜色的光的颗粒物质。

量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点根据其组成和尺寸而具有特定带隙，并且可以吸收光并发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或它们的组合。

II-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及它们的混合物组成的组；三元化合物，选自由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及它们的混合物组成的组。

III-V族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及它们的混合物组成的组；三元化合物，选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及它们的混合物组成的组。

IV-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及它们的混合物组成的组；三元化合物，选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及它们的混合物组成的组；以及四元化合物，选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及它们的混合物组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及它们的混合物组成的组的二元化合物。

二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度存在于相同的颗粒中。另外，它们可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。在核与壳之间的界面处，壳中的原子浓度的梯度可以朝向中心降低。

根据本公开的一个或更多个实施例，量子点可以具有包括包含纳米晶体的核和围绕核的壳的核-壳结构。量子点的壳可以用作通过防止核的化学变性来维持半导体性质的保护层和/或用作用于向量子点赋予电泳性质的荷电层。壳可以是单层或多层。量子点的壳的示例可以包括金属的氧化物或非金属的氧化物、半导体化合物、它们的组合等。

例如，金属氧化物或非金属氧化物的示例可以包括但不限于二元化合物(SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和NiO)或者三元化合物(诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄)。

另外，半导体化合物的示例可以包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。

波长转换层QDL还可以包括用于使发光元件LE的光在随机方向上散射的散射体。散射体可以具有与第一基体树脂BRS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基体树脂BRS1形成光学界面。例如，散射体可以是光散射颗粒。散射体的材料没有特别限制，只要它们可以散射透射光中的至少一些即可。例如，散射体可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯树脂等。散射体可以在基本上不转换光的波长的情况下在随机方向上散射光，而不管入射光的入射方向如何。

随着波长转换层QDL的厚度在第三方向DR3上增大，包含在波长转换层QDL中的第一波长转换颗粒WCP1的含量增大，使得波长转换层QDL的光转换效率可以增大。因此，期望基于波长转换层QDL的光转换效率来确定波长转换层QDL的厚度。

在上述波长转换部分200中，从发光元件LE发射的第一光中的一些可以在波长转换层QDL中转换为第四光。在波长转换层QDL中，第一光和第四光可以混合以发射白色的第五光。当从波长转换层QDL发射第五光时，仅第一光可以通过第一滤色器CF1透射，仅第二光可以通过第二滤色器CF2透射，并且仅第三光可以通过第三滤色器CF3透射。因此，从波长转换部分200发射的光可以是第一光的蓝光、第二光的绿光和第三光的红光，从而实现全色。

多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在分隔壁PW和波长转换层QDL上。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置为与多个开口OP1、OP2和OP3以及波长转换层QDL叠置。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。

第一滤色器CF1可以与第一发射区域EA1对应并且与非发射区域NEA部分地叠置。另外，第一滤色器CF1可以设置在分隔壁PW的第一开口OP1上以与第一开口OP1叠置，并且可以在分隔壁PW上与光阻挡构件BK部分地叠置。第一滤色器CF1可以使从发光元件LE发射的第一光透射，并且可以吸收或阻挡第二光和第三光。例如，第一滤色器CF1可以透射蓝色波长范围内的光，并且可以吸收或阻挡绿色和红色波长范围内的光。

第二滤色器CF2可以与第二发射区域EA2对应并且与非发射区域NEA部分地叠置。另外，第二滤色器CF2可以设置在分隔壁PW的第二开口OP2上以与第二开口OP2叠置，并且可以与光阻挡构件BK部分地叠置。第二滤色器CF2可以透射第二光并且可以吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器CF2可以透射绿色波长范围内的光，并且可以吸收或阻挡蓝色和红色波长范围内的光。

第三滤色器CF3可以与第三发射区域EA3对应并且与非发射区域NEA部分地叠置。另外，第三滤色器CF3可以设置在分隔壁PW的第三开口OP3上以与第三开口OP3叠置，并且可以与光阻挡构件BK部分地叠置。第三滤色器CF3可以透射第三光并且可以吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器CF3可以透射红色波长范围内的光，并且可以吸收或阻挡蓝色和绿色波长范围内的光。

光阻挡构件BK可以设置在分隔壁PW上。光阻挡构件BK可以与非发射区域NEA叠置以阻挡光的透射。与分隔壁PW相似，当从上方观看时，光阻挡构件BK可以以基本上格子形状设置。光阻挡构件BK可以与分隔壁PW叠置，但不与发射区域EA1、EA2和EA3叠置。

根据一个或更多个实施例，光阻挡构件BK可以包括有机光阻挡材料，并且可以经由涂覆有机光阻挡材料并将其曝光的工艺形成。光阻挡构件BK可以包括具有光阻挡性质的染料或颜料，并且可以是黑矩阵。光阻挡构件BK的至少一部分可以在第三方向DR3上与相邻的滤色器CF1、CF2和CF3叠置，并且滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在光阻挡构件BK的至少一部分上。

从显示装置10的外部入射的外部光可能导致波长转换部分200的色域失真的问题。根据本实施例，其中将光阻挡构件BK设置在波长转换部分200上，外部光的至少一部分被光阻挡构件BK吸收。通过这样做，能够减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。另外，光阻挡构件BK可以防止在相邻的发射区域之间光泄漏时发生颜色混合，从而进一步改善色域。

保护层PTL可以设置在多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK上。保护层PTL可以设置在显示装置10的顶部处，以保护多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK。保护层PTL的一个表面(例如，下表面)可以与多个滤色器CF1、CF2、CF3以及光阻挡构件BK的上表面接触。

保护层PTL可以包括无机绝缘材料，以保护多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK。例如，保护层PTL可以包括但不限于氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、氧化铝(Al_xO_y)、氮化铝(AlN)等。保护层PTL可以具有合适的厚度(例如，预定厚度)，例如，在0.01μm至1μm的范围内。然而，将理解的是，本公开不限于此。

在根据一个或更多个实施例的显示装置10中，像素电极PE1、PE2和PE3可以具有比发光器件的宽度宽的宽度。

尽管发光元件LE包括两层(即，上面参照图5至图7描述的显示装置10中的发光元件堆叠件S1和S2)，但是本公开不限于此。发光元件LE可以包括两个或更多个发光元件堆叠件。当显示装置10包括其中堆叠有两个或更多个发光元件堆叠件的发光元件LE时，发光元件堆叠件中的每个包括第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层，并且顶部发光元件堆叠件还可以包括第三半导体层。顶部发光元件堆叠件的第三半导体层可以与共电极CE接触。

另外，像图6中所示的发光元件LE一样，其中堆叠有两个或更多个发光元件堆叠件的发光元件LE可以在发光元件堆叠件之间还包括接合层BL。接合层BL由氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)制成。

在一个或更多个实施例中，像图7中所示的发光元件LE一样，发光元件堆叠件S1和S2可以彼此直接接触。在这种情况下，第一发光元件堆叠件S1的顶部处的第二半导体层SEM21可以与第二发光元件堆叠件S2的底部处的第一半导体层SEM12接触。

如上面参照图5至图7所描述的，由于以串联结构形成发光元件LE，因此即使在发光元件堆叠件中的一个中产生短路，发光元件LE仍然可以发射光，因此不需要修复。

图8是示意性地示出多个发射区域和多个滤色器的平面图。

如图8中所示，当从上方观看时，多个滤色器CF1、CF2和CF3的面积可以大于多个发射区域EA1、EA2和EA3的面积。例如，当从上方观看时，第一滤色器CF1可以具有比第一发射区域EA1大的面积。当从上方观看时，第二滤色器CF2可以具有比第二发射区域EA2大的面积。当从上方观看时，第三滤色器CF3可以具有比第三发射区域EA3大的面积。然而，应当理解的是，本公开不限于此。当从上方观看时，多个滤色器CF1、CF2和CF3的面积可以等于多个发射区域EA1、EA2和EA3的面积。

图9是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的发射区域的变型的平面图。

在图5至图8中所示的示例中，像素包括三个像素区域(即，发射第一颜色的光的第一发射区域EA1、发射第二颜色的光的第二发射区域EA2和发射第三颜色的光的第三发射区域EA3)。

另一方面，根据图9的实施例，像素可以包括发射第三颜色的光的两个第三发射区域EA3，并且因此像素可以包括四个发射区域EA1、EA2和两个EA3。

在一个或更多个实施例中，发射区域EA1、EA2和EA3可以以结构等布置。像素布置结构可以被称为RGBG矩阵结构(例如，矩阵结构或RGBG结构(例如，结构))。是韩国三星显示有限公司的注册商标。如图9中所示，多个第一发射区域EA1可以在第一方向DR1上在第一行中布置，多个第二发射区域EA2可以在第一方向上在第二行中布置，并且第一行和第二行可以在第二方向DR2上交替地布置。

根据一个或更多个实施例，第一发射区域EA1的尺寸、第二发射区域EA2的尺寸和第三发射区域EA3的尺寸可以基本上全部相等。然而，应当理解的是，本公开不限于此。例如，如图9中所示，第一发射区域EA1的尺寸可以等于第二发射区域EA2的尺寸，并且第三发射区域EA3的尺寸可以与第一发射区域EA1和第二发射区域EA2不同。另外，第一发射区域EA1的尺寸可以大于第二发射区域EA2的尺寸，或者第一发射区域EA1的尺寸可以小于第二发射区域EA2的尺寸。

另外，彼此相邻的第一发射区域EA1与第二发射区域EA2之间的距离、彼此相邻的第二发射区域EA2与第三发射区域EA3之间的距离以及彼此相邻的第一发射区域EA1与第三发射区域EA3之间的距离可以基本上全部相等，但是本公开不限于此。例如，彼此相邻的第一发射区域EA1与第二发射区域EA2之间的距离可以不同于彼此相邻的第二发射区域EA2与第三发射区域EA3之间的距离。彼此相邻的第一发射区域EA1与第三发射区域EA3之间的距离可以不同于彼此相邻的第二发射区域EA2与第三发射区域EA3之间的距离。

另外，第一发射区域EA1可以发射第一光，第二发射区域EA2可以发射第二光，并且第三发射区域EA3可以发射第三光。然而，应当理解的是，本公开不限于此。例如，第一发射区域EA1可以发射第一光，第二发射区域EA2可以发射第三光，并且第三发射区域EA3可以发射第二光。可选地，第一发射区域EA1可以发射第二光，第二发射区域EA2可以发射第一光，并且第三发射区域EA3可以发射第三光。可选地，第一发射区域EA1可以发射第三光，第二发射区域EA2可以发射第二光，并且第三发射区域EA3可以发射第一光。

另外，当从上方观看时，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以具有但不限于矩形形状。例如，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以具有多边形形状(诸如三角形、五边形、六边形或八边形)、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。

图10是示出根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。图11是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。图12是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。图13是示意性地示出多个发射区域和反射金属层的平面图。

图10至图13的实施例与图6至图9的上述实施例的不同之处在于：反射金属层RFL进一步设置在共电极CE与分隔壁PW之间。在下面的描述中，描述将集中于与以上实施例的差异，因此，将省略冗余的描述。

根据一个或更多个实施例，反射金属层RFL可以设置在共电极CE与分隔壁PW之间。反射金属层RFL可以不与发射区域EA1、EA2和EA3对应，而可以与非发射区域NEA叠置。反射金属层RFL可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且可以在整个显示区域DPA中以格子图案形成。反射金属层RFL可以与分隔壁PW整个地叠置，并且还可以与光阻挡构件BK叠置。

根据本公开的一个或更多个实施例，第一发射区域EA1的发光元件LE可以发射蓝色的第一光，第二发射区域EA2的发光元件LE可以发射红色的第二光，并且第三发射区域EA3的发光元件LE可以发射绿色的第三光。光阻挡构件BK用于防止发射区域EA1、EA2和EA3之间的光的颜色混合。

反射金属层RFL可以与光阻挡构件BK叠置地设置在非发射区域NEA中，以防止来自发射区域EA1、EA2和EA3的光的颜色混合。

需要说明的是，在图10中所示的示例中，第一发射区域EA1的发光元件LE可以发射蓝色的第一光，第二发射区域EA2的发光元件LE可以发射红色的第二光，并且第三发射区域EA3的发光元件LE可以发射绿色的第三光。在这种情况下，波长转换层QDL包括第一散射颗粒SCP1和第一基体树脂BRS1，以散射从发光元件LE发射的光，使得光通过滤色器CF1、CF2和CF3出射。

参照图11，根据一个或更多个实施例，设置在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的发光元件LE可以发射蓝色的第一光。在这种情况下，波长转换层QDL可以包括与第一发射区域EA1叠置的透光图案230、与第二发射区域EA2叠置的第一波长转换图案240和与第三发射区域EA3叠置的第二波长转换图案250。

透光图案230可以设置在第一开口OP1中，并且可以与第一发射区域EA1和第一滤色器CF1对应。透光图案230可以透射入射光。从设置在第一发射区域EA1中的发光元件LE发射的第一光可以是蓝光。作为蓝光的第一光可以穿过透光图案230并且出射到第一发射区域EA1。透光图案230可以包括第一基体树脂BRS1和分散在第一基体树脂BRS1中的第一散射颗粒SCP1。上面已经描述了第一基体树脂BRS1和散射颗粒，因此，将省略冗余的描述。

第一波长转换图案240可以设置在第二开口OP2中，并且可以与第二发射区域EA2和第二滤色器CF2对应。第一波长转换图案240可以将一峰值波长的入射光转换或移位为另一峰值波长的光并且发射该光。根据一个或更多个实施例，第一波长转换图案240将从第二发射区域EA2的发光元件LE发射的第一光转换为具有在大致610nm至650nm的范围内的单峰值波长的第二光(即，红光)以输出该光。

第一波长转换图案240可以包括第二基体树脂BRS2以及分散在第二基体树脂BRS2中的第二波长转换颗粒WCP2和第二散射颗粒SCP2。

第二基体树脂BRS2可以由具有高透光率的材料制成，并且可以由与上述第一基体树脂BRS1相同的材料制成。

第二波长转换颗粒WCP2可以将一峰值波长的入射光转换或移位为另一峰值波长的光。根据一个或更多个实施例，第二波长转换颗粒WCP2可以将第一颜色的光(其是从发光元件LE提供的蓝光)转换为第二光(其是具有在大致610nm至650nm的范围内的单峰值波长的红光)以输出它。第二波长转换颗粒WCP2的示例可以包括量子点、量子棒、磷光体等。第二波长转换颗粒WCP2与上述第一波长转换颗粒WCP1基本上相同，因此，将省略冗余的描述。

从发光元件LE发射的作为蓝光的第一光中的一些可以不被第二波长转换颗粒WCP2转换为作为红光的第二光，而是可以穿过第一波长转换图案240。然而，未转换为红光的光可以被第二滤色器CF2阻挡。另一方面，作为第一光的从发光元件LE发射并且由第一波长转换图案240转换的部分的红光穿过第二滤色器CF2以出射到外部。

第二波长转换图案250可以设置在第三开口OP3中，并且可以与第三发射区域EA3和第三滤色器CF3对应。第二波长转换图案250可以将一峰值波长的入射光转换或移位为另一峰值波长的光并且发射该光。根据一个或更多个实施例，第二波长转换图案250将从第三发射区域EA3的发光元件LE发射的第一光转换为具有在大致510nm至550nm的范围内的单峰值波长的第三光(即，绿光)以输出该光。

第二波长转换图案250可以包括第三基体树脂BRS3以及分散在第三基体树脂BRS3中的第三波长转换颗粒WCP3和第三散射颗粒SCP3。

第三基体树脂BRS3可以由具有高透光率的材料制成，并且可以由与第一基体树脂BRS1和第二基体树脂BRS2相同的材料制成，或者可以包括上述材料中的至少一种作为构成材料。

第三波长转换颗粒WCP3可以将一峰值波长的入射光转换或移位为另一峰值波长的光。根据一个或更多个实施例，第三波长转换颗粒WCP3可以将第一颜色的光(其是从发光元件LE提供的蓝光)转换为第三光(其是具有在大致510nm至550nm的范围内的峰值波长的绿光)以输出它。

第三波长转换颗粒WCP3的示例可以包括量子点、量子棒、磷光体等。第三波长转换颗粒WCP3与上述第一波长转换颗粒WCP1基本上相同，因此，将省略冗余的描述。

从发光元件LE发射的作为蓝光的第一光的一部分可以不被第三波长转换颗粒WCP3转换为作为绿光的第三光。然而，未转换为绿光的第一光可以被设置在其上的第三滤色器CF3阻挡。另一方面，由第二波长转换图案250转换的绿光穿过第三滤色器CF3并且出射到外部。

根据上述实施例的显示装置10形成包括透光图案230、第一波长转换图案240和第二波长转换图案250的波长转换层QDL，使得能够改善输出蓝光、绿光和红光的效率。

图12的实施例与图11的示例性实施例的不同之处在于：第一波长转换图案240和第二波长转换图案250中的每个包括第一波长转换颗粒WCP1。

第一波长转换图案240和第二波长转换图案250中的每个可以包括将蓝色的第一光转换为黄色的第四光的第一波长转换颗粒WCP1。因此，从设置在第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的发光元件LE发射的蓝色的第一光可以被转换为黄色的第四光。在第一波长转换图案240和第二波长转换图案250中的每个中，蓝色的第一光和黄色的第四光被混合，使得白色的第五光出射。第五光可以在第二滤色器CF2中被转换为第二光并且在第三滤色器CF3中被转换为第三光，使得第二光和第三光可以出射。

在下文中，将参照其它附图描述制造显示装置10的工艺步骤。

图14是用于示出根据本公开的一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的流程图。图15是用于更详细地示出根据一个或更多个实施例的图14的步骤S100的流程图。图16至图36是用于示出根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的图。图37是用于示出根据一个或更多个实施例的图14的步骤S100的图。

图16至图36是根据显示装置10的层的形成顺序示出显示装置10的层的结构的剖视图和平面图。图16至图36主要示出了制造发光元件部分LEP和波长转换部分200的工艺，其可以大体上与图5的剖视图对应。在下面的描述中，将主要示出显示装置10的第一发射区域EA1和第二发射区域EA2。在下文中，将结合图14和图15描述制造图16至图36中所示的显示装置的方法。

参照图16至图23，形成第一发光元件堆叠件S1和第二发光元件堆叠件S2使得形成具有串联结构的多个发光元件LE(图14的步骤S100)。

更具体地，参照图16，在第一基体基底BSUB1上形成多个半导体材料层SEM31L、SEM21L、SLT1L、MQW1L、EBL1L和SEM11L(图15的步骤S110)。

首先，准备第一基体基底BSUB1。第一基体基底BSUB1可以是蓝宝石基底Al₂O₃或包括硅的硅晶圆。然而，应当理解的是，本公开不限于此。根据一个或更多个实施例，第一基体基底BSUB1是蓝宝石基底。

在第一基体基底BSUB1上形成多个半导体材料层SEM31L、SEM21L、SLT1L、MQW1L、EBL1L和SEM11L。可以通过生长籽晶来形成通过外延方法生长的多个半导体材料层。形成半导体材料层的方法可以包括电子束沉积方法、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、双型热蒸发、溅射、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等。优选地，所述方法可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)来执行。然而，将理解的是，本公开不限于此。

用于形成多个半导体材料层SEM31L、SEM21L、SLT1L、MQW1L、EBL1L和SEM11L的前驱体材料没有特别限制，并且可以选择本领域公知的任何典型材料，只要其可以形成目标材料即可。例如，前驱体材料可以是包括烷基(诸如甲基或乙基)的金属前驱体。例如，前驱体材料可以是但不限于诸如三甲基镓(Ga(CH₃)₃)、三甲基铝(Al(CH₃)₃)和/或磷酸三乙酯((C₂H₅)₃PO₄)的化合物。

具体地，在第一基体基底BSUB1上形成第三半导体材料层SEM31L。尽管第三半导体材料层SEM31L在附图中是单层，但是本公开不限于此。第三半导体材料层SEM31L可以包括多层。第三半导体材料层SEM31L可以设置为减小第二半导体材料层SEM21L与第一基体基底BSUB1之间的晶格常数差。例如，第三半导体材料层SEM31L可以包括未掺杂的半导体，并且可以是未掺杂为n型或p型的材料。在一个或更多个实施例中，第三半导体材料层SEM31L可以是但不限于未掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。

使用上述方法在第三半导体材料层SEM31L上顺序地形成第二半导体材料层SEM21L、超晶格材料层SLT1L、活性材料层MQW1L、电子阻挡材料层EBL1L和第一半导体材料层SEM11L。

如上面参照图16至图23所描述的，在第一基体基底BSUB1上生长第一发光元件堆叠件S1，在第二基体基底BSUB2上生长第二发光元件堆叠件S2，并且将它们接合在一起。以这种方式，可以形成多个串联结构的发光元件LE。

参照图37，在第二基体基底BSUB2上顺序地形成第二发光元件堆叠件S2的第三半导体材料层SEM32L、第二半导体材料层SEM22L、超晶格材料层SLT2L、活性材料层MQW2L、电子阻挡材料层EBL2L和第一半导体材料层SEM12L。随后，可以在第二发光元件堆叠件S2上顺序地形成第一发光元件堆叠件S1的第二半导体材料层SEM21L、超晶格材料层SLT1L、活性材料层MQW1L、电子阻挡材料层EBL1L和第一半导体材料层SEM11L。

除了省去接合层BL之外，图37中所示的在第二基体基底BSUB2上顺序地形成第二发光元件堆叠件S2和第一发光元件堆叠件S1的示例与制造具有接合层BL的发光元件的方法基本上相同。

随后，参照图17，将第一基体基底BSUB1附着到临时基底TSUB(图15的步骤S120)。

具体地，在临时基底TSUB上形成临时接合层TBL，并且使第一基体基底BSUB1在临时接合层TBL上对准。在这样做时，使在第一基体基底BSUB1上形成的多个半导体材料层之中的第一半导体材料层SEM11L对准，使得其面对临时基底TSUB。临时基底TSUB可以由具有机械稳定性的材料制成，以支撑多个半导体材料层。

临时接合层TBL可以是粘合的或可分离的材料。粘合的或可分离的材料可以包括氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。粘合材料的粘合强度可以随着施加紫外(UV)光或热而变化。因此，临时接合层TBL允许第一半导体材料层SEM11L根据需要容易地与临时基底TSUB分离。

随后，使形成在第一基体基底BSUB1上的第一半导体材料层SEM11L与临时基底TSUB接触。在这样做时，第一半导体材料层SEM11L与临时基底TSUB上的临时接合层TBL接触。因此，临时基底TSUB和第一基体基底BSUB1通过临时接合层TBL临时附着在一起。

随后，参照图18，形成具有第一接合层B1L的第一发光元件堆叠件S1(图15的步骤S130)。

通过从设置在临时基底TSUB上的多个半导体材料层之中去除第一基体基底BSUB1和第三半导体材料层SEM31L来形成第一发光元件堆叠件S1。

可以通过使用激光剥离(LLO)技术来执行使第一基体基底BSUB1分离的工艺。激光剥离工艺使用激光器，并且可以使用KrF准分子激光器(波长为248nm)作为源。准分子激光器的能量密度在大致550mJ/cm²至950mJ/cm²的范围内照射，并且入射面积可以在50×50μm²至1×1cm²的范围内。然而，应当理解的是，本公开不限于此。当激光照射到第一基体基底BSUB1上时，第一基体基底BSUB1可以与第一发光元件堆叠件S1分离。

可以通过喷射蚀刻剂来蚀刻第三半导体材料层SEM31L。

在去除第三半导体材料层SEM31L之后，在第二半导体材料层SEM21L上沉积透明且允许氧化接合的材料，以形成第一接合层B1L。在此，透明且允许氧化结合的材料可以是ITO和/或IZO。

随后，参照图19，在第二基体基底BSUB2上形成具有第二接合层B2L的第二发光元件堆叠件S2(图15的步骤S140)。

首先，准备第二基体基底BSUB2。第二基体基底BSUB2可以是蓝宝石基底Al₂O₃或包括硅的硅晶圆。然而，应当理解的是，本公开不限于此。根据一个或更多个实施例，第二基体基底BSUB2是蓝宝石基底。

在第二基体基底BSUB2上形成多个半导体材料层SEM32L、SEM22L、SLT2L、MQW2L、EBL2L和SEM12L。可以通过生长籽晶来形成通过外延方法生长的多个半导体材料层。

用于形成多个半导体材料层SEM32L、SEM22L、SLT2L、MQW2L、EBL2L和SEM12L的前驱体材料没有特别限制，并且可以选择本领域公知的任何典型材料，只要其可以形成目标材料即可。例如，前驱体材料可以是包括烷基(诸如甲基或乙基)的金属前驱体。例如，前驱体材料可以是但不限于诸如三甲基镓(Ga(CH₃)₃)、三甲基铝(Al(CH₃)₃)或磷酸三乙酯((C₂H₅)₃PO₄)的化合物。用于形成半导体材料层SEM32L、SEM22L、SLT2L、MQW2L、EBL2L和SEM12L的前驱体材料可以与用于形成半导体材料层SEM31L、SEM21L、SLT1L、MQW1L、EBL1L和SEM11L的前驱体材料相同。然而，应当理解的是，本公开不限于此。

具体地，在第二基体基底BSUB2上形成第三半导体材料层SEM32L。尽管第三半导体材料层SEM32L在附图中是单层，但是本公开不限于此。第三半导体材料层SEM32L可以包括多层。第三半导体材料层SEM32L可以设置为减小第二半导体材料层SEM22L与第二基体基底BSUB2之间的晶格常数差。例如，第三半导体材料层SEM32L可以包括未掺杂的半导体，并且可以是未掺杂为n型或p型的材料。在一个或更多个实施例中，第三半导体材料层SEM32L可以是但不限于未掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。

使用上述方法在第三半导体材料层SEM32L上顺序地形成第二半导体材料层SEM22L、超晶格材料层SLT2L、活性材料层MQW2L、电子阻挡材料层EBL2L和第一半导体材料层SEM12L。在此，其中第三半导体材料层SEM32L、第二半导体材料层SEM22L、超晶格材料层SLT2L、活性材料层MQW2L、电子阻挡材料层EBL2L和第一半导体材料层SEM12L顺序地堆叠的结构可以被称为第二发光元件堆叠件S2。

在第二发光元件堆叠件S2的第一半导体材料层SEM12L上沉积透明且允许氧化接合的材料以形成第二接合层B2L。

在此，透明且允许氧化结合的材料可以是ITO和/或IZO。

随后，参照图20至图23，通过将第一接合层B1L接合到第二接合层B2L来形成发光元件LE(图15的步骤S150)。

具体地，使其上具有第一发光元件堆叠件S1的临时基底TSUB在第二基体基底BSUB2上对准。

使第二基体基底BSUB2上的第二接合层B2L与临时基底TSUB上的第一接合层B1L接触。第一发光元件堆叠件S1和第二发光元件堆叠件S2通过将第二接合层B2L与第一接合层B1L氧化接合而接合。第一接合层B1L和第二接合层B2L通过氧化接合而彼此接合，以形成接合层BL。

以这种方式，在第二基体基底BSUB2上形成其中第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1顺序地堆叠的结构。

通过蚀刻其中第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1顺序地堆叠的结构的多个半导体材料层来形成多个发光元件LE。

在其中第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1顺序地堆叠在第二基体基底BSUB2上的结构上方形成多个第一掩模图案MP1。第一掩模图案MP1可以是包括无机材料的硬掩模或包括有机材料的光致抗蚀剂掩模。第一掩模图案MP1防止其下面的第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1被蚀刻。随后，使用多个第一掩模图案MP1作为掩模来蚀刻第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1的部分(第一蚀刻)，从而形成多个发光元件LE。

如图22和图23中所示，在第二基体基底BSUB2上，蚀刻并去除第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1的不与第一掩模图案MP1叠置的部分，而不蚀刻它们的与第一掩模图案MP1叠置的部分，因此可以形成为多个发光元件LE。

可以通过本领域已知的技术蚀刻第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1。例如，蚀刻第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1的工艺可以包括干蚀刻、湿蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、深反应离子蚀刻(DRIE)、电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)等。干蚀刻允许各向异性蚀刻，因此它可以适用于竖直蚀刻。当使用上述蚀刻方法中的任何一种时，蚀刻剂可以是Cl₂或O₂。然而，将理解的是，这仅仅是说明性的。

第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1的与第一掩模图案MP1叠置的部分不被蚀刻并且形成为多个发光元件LE。因此，形成包括第二发光元件堆叠件S2、接合层BL和第一发光元件堆叠件S1的多个发光元件LE。可以形成包括第三半导体层SEM32、第二半导体层SEM22、超晶格层SLT2、活性层MQW2、电子阻挡层EBL2和第一半导体层SEM12的第二发光元件堆叠件S2。可以形成包括第二半导体层SEM21、超晶格层SLT1、活性层MQW1、电子阻挡层EBL1和第一半导体层SEM11的第一发光元件堆叠件S1。

随后，通过在第二基体基底BSUB2上堆叠连接电极材料层并且对它们进行蚀刻，在多个发光元件LE上形成连接电极150。例如，在第二基体基底BSUB2上顺序地堆叠反射层材料层和连接层材料层，并且将它们一起蚀刻，使得可以形成包括反射层(例如，图6和图7中的反射层151)和连接层(例如，图6和图7中的连接层153)的连接电极150。可以直接在发光元件LE的第一发光元件堆叠件S1的上表面上形成连接电极150。可以直接在第一发光元件堆叠件S1的第一半导体层SEM11的上表面上形成连接电极150。根据一个或更多个实施例，连接电极150的反射层151(例如，见图6)可以与第一发光元件堆叠件S1的第一半导体层SEM11的上表面直接接触。发光元件LE可以包括连接电极150。

随后，将第二基体基底BSUB2上的多个发光元件LE移动并且附着到转印膜LFL1，并且使转印膜LFL1伸长(图14的步骤S200)。

具体地，参照图24，支撑膜SPF1附着在第二基体基底BSUB2的多个发光元件LE上。

可以使支撑膜SPF1在多个发光元件LE上对准并且附着到多个发光元件LE的连接电极150。

支撑膜SPF1可以包括支撑层和设置在支撑层上的粘合层。支撑层可以由透明并且具有机械稳定性以允许光穿过其的材料制成。例如，支撑层可以包括透明聚合物(诸如聚酯、聚丙烯酸、聚环氧酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等)。粘合层可以包括用于接合发光元件LE的粘合材料。例如，粘合材料可以包括氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。粘合材料可以是其粘合强度随着施加紫外线(UV)光或热而改变的材料，并且因此粘合层可以容易地与发光元件LE分离。

随后，参照图25，通过用激光(第一激光)照射第二基体基底BSUB2来使第二基体基底BSUB2分离。第二基体基底BSUB2与多个发光元件LE的第三半导体层SEM32分离。使第二基体基底BSUB2分离的工艺与上述使第一基体基底BSUB1分离的工艺基本上相同，因此，将省略冗余的描述。

参照图26，在第二基体基底BSUB2已经分离之后，将转印膜LFL1附着到多个发光元件LE。

具体地，转印膜LFL1附着到多个发光元件LE中的每个的第三半导体层SEM32。转印膜LFL1可以在多个发光元件LE上对准，并且可以附着到多个发光元件LE的第三半导体层SEM32。

转印膜LFL1可以包括可拉伸材料。可拉伸材料的示例可以包括例如聚烯烃、聚氯乙烯(PVC)、弹性硅树脂、弹性聚氨酯、弹性聚异戊二烯等。像上述支撑膜SPF1一样，转印膜LFL1也可以包括支撑层和粘合层以粘合并支撑发光元件LE。

参照图27和图28，支撑膜SPF1与发光元件LE分离。通过向支撑膜SPF1施加紫外线或热以减小支撑膜SPF1的粘合层的粘合强度，支撑膜SPF1可以物理地或自然地与其分离。多个发光元件LE可以在转印膜LFL1上彼此间隔开第一距离D1，并且可以以点图案布置。

随后，参照图29，使转印膜LFL1伸长。转印膜LFL1可以是被二维(包括在第一方向DR1和第二方向DR2上)伸长的。当转印膜LFL1被伸长时，附着到转印膜LFL1的多个发光元件LE可以彼此间隔开第二距离D2。多个发光元件LE可以彼此均匀地间隔开大于第一距离D1的第二距离D2。

转印膜LFL1的拉伸强度(或伸展强度)可以根据发光元件LE的期望的第二距离D2(例如，约120gf/inch)来调节。然而，应当理解的是，本公开不限于此。拉伸强度(或伸展强度)可以根据第二距离D2来调节。

随后，参照图30和图31，将转印膜LFL1附着到第一基底110以将多个发光元件LE附着到第一基底110上，并且去除转印膜LFL1(图14中的步骤S300)。

具体地，使转印膜LFL1在第一基底110上对准。在这样做时，使布置在转印膜LFL1上的发光元件LE的连接电极150对准，使得它们朝向第一基底110定向。

具体地，第一基底110和转印膜LFL1附着在一起。具体地，使布置在转印膜LFL1上的发光元件LE的连接电极150与第一基底110的像素电极PE1和PE2的上电极层P3接触。此时，发光元件LE的连接电极150与上电极层P3接触。随后，通过将发光元件LE的连接电极150与上电极层P3熔融接合，将第一基底110和转印膜LFL1附着在一起。此时，将多个发光元件LE附着到上电极层P3的上表面。对于熔融接合，可以从转印膜LFL1上方将激光照射到上电极层P3上。在将激光照射到上电极层P3之后，激光的高热传导到上电极层P3，使得可以附着与发光元件LE的连接电极150的界面。具体地，因为上电极层P3由具有优异的热传导性的铜(Cu)制成，所以与发光元件LE的连接电极150的粘合性质可以是优异的。钇铝石榴石(YAG)激光器可以用作用于熔融结合的激光源。

随后，将转印膜LFL1与多个发光元件LE分离。通过向转印膜LFL1施加紫外线或热以减小转印膜LFL1的粘合层的粘合强度，转印膜LFL1可以与其物理地和/或自然地分离。

因此，可以在像素电极层PE1和PE2上随机地布置多个发光元件LE。

在绝缘层130以及像素电极PE1和PE2中的每个上形成平坦化层PLL，并且在平坦化层PLL上形成共电极CE(图14的步骤S400)。

参照图32，通过在第一基底110之上施加有机材料来形成平坦化层PLL。平坦化层PLL形成为具有小于发光元件LE的高度的厚度，使得发光元件LE的第二发光元件堆叠件S2的第三半导体层SEM32暴露。

随后，参照图33，通过在平坦化层PLL上沉积透明导电材料来形成共电极CE。共电极CE形成为覆盖发光元件LE和平坦化层PLL。共电极CE与从平坦化层PLL暴露的发光元件LE的第二发光元件堆叠件S2的第三半导体层SEM32接触。

随后，在共电极CE上形成包括多个开口OP1和OP2的分隔壁PW(图14的步骤S500)。

参照图34，将有机材料施用到包括共电极CE的第一基底110上并且被图案化，以形成分隔壁PW。多个开口，例如，第一开口OP1形成为与第一发射区域EA1对应，并且第二开口OP2形成为与第二发射区域EA2对应(例如，见图5)。在一个或更多个实施例中，其它开口可以分别形成为与其它发射区域对应。

随后，在多个开口OP1和OP2中分别形成波长转换层QDL(图14的步骤S600)。

参照图34和图35，可以分别用波长转换层QDL填充多个开口OP1和OP2。可以通过诸如喷墨印刷和压印的溶液工艺用其中第一波长转换颗粒WCP1在第一基体树脂BRS1中混合的溶液来形成波长转换层QDL，但是本公开不限于此。可以分别在多个开口OP1和OP2中形成波长转换层QDL，并且波长转换层QDL可以形成为与多个发射区域EA1和EA2叠置。

随后，在波长转换层QDL上形成滤色器CF1和CF2和光阻挡构件BK(图14的步骤S700)。

参照图35，在分隔壁PW上形成光阻挡构件BK。通过施用光阻挡材料并且使其图案化来形成光阻挡构件BK。光阻挡构件BK可以与非发射区域NEA叠置，但不与发射区域EA1和EA2叠置。

随后，在由光阻挡构件BK分隔的波长转换层QDL上形成滤色器CF1和CF2。可以经由光刻工艺形成滤色器CF1和CF2。滤色器CF1和CF2可以具有但不限于1μm或更小的厚度。

具体地，将第一滤色器材料层施加到分隔壁PW和波长转换层QDL上并且经由光刻工艺图案化，以形成与第一开口OP1叠置的第一滤色器CF1。同样地，其它滤色器也形成为经由图案化工艺与开口叠置。

随后，在光阻挡构件BK以及滤色器CF1和CF2上形成保护层PTL，使得制造根据一个或更多个实施例的显示装置10。

如上面参照图16至图37所描述的，根据一个或更多个实施例的显示装置10包括发光元件LE，发光元件LE均具有其中第一发光元件堆叠件S1和第二发光元件堆叠件S2在第三方向上堆叠的串联结构。因此，即使在发光元件的第二发光元件堆叠件S2和第一发光元件堆叠件S1中的一个中存在短路，发光元件LE仍然可以发射光。因此，不需要对其中产生短路的发光元件进行修复。

图38是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的虚拟现实装置的示例图。图38示出了其中使用根据实施例的显示装置10的虚拟现实装置1。

参照图38，根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1可以是呈眼镜形式的装置。根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1可以包括显示装置10、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支撑框架20、左镜腿30a和右镜腿30b、反射构件40和显示装置壳体50。

图38示出了包括两个镜腿30a和30b的虚拟现实装置1。然而，本公开不限于此。根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1可以用于头戴式显示器，所述头戴式显示器包括可以安装在头部上的头戴式带代替镜腿30a和30b。例如，根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1可以不限于图38中所示的示例，并且可以以各种形式应用并且应用于各种电子装置中。

显示装置壳体50可以容纳显示装置10和反射构件40。在显示装置10上显示的图像可以从反射构件40反射并且通过右眼透镜10b提供到用户的右眼。因此，用户可以经由右眼观看在显示装置10上显示的虚拟现实图像。

图38示出了显示装置壳体50设置在支撑框架20的右端处。然而，本公开不限于此。例如，显示装置壳体50可以设置在支撑框架20的左端处。在这种情况下，在显示装置10上显示的图像可以从反射构件40反射并且经由左眼透镜10a提供到用户的左眼。因此，用户可以经由左眼观看在显示装置10上显示的虚拟现实图像。作为另一示例，显示装置壳体50可以设置在支撑框架20的左端和右端中的每个处。在这种情况下，用户可以经由左眼和右眼两者观看在显示装置10上显示的虚拟现实图像。

图39是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的智能装置的示例图。

参照图39，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以应用于作为智能装置中的一种的智能手表2。

图40是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的车辆的示例图。图40示出了其中使用根据一个或更多个实施例的显示装置的车辆。

参照图40，根据一个或更多个实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表板、应用于车辆的中央仪表盘或者应用于设置在车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)。此外，根据一个或更多个实施例的显示装置10_d和10_e中的每个可以应用于代替车辆的侧视镜中的每个的每个车内镜显示器。

图41是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的透明显示装置的示例图。

参照图41，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在其上显示图像IM的同时通过其透射光。因此，位于透明显示装置前面的用户不仅可以观看在显示装置10上显示的图像IM，而且可以观看位于透明显示装置后面的对象RS或背景。在显示装置10应用于透明显示装置的情况下，图5中所示的显示装置10的第一基底110可以包括可以通过其透射光的透光部分，或者可以由可以通过其透射光的材料制成。

在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本公开的原理和范围的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，本公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

像素电极，位于基底上；

发光元件，位于所述像素电极上；

平坦化层，位于所述像素电极上以填充所述发光元件之间的空间；以及

共电极，位于所述平坦化层和所述发光元件上，

其中，所述发光元件中的每个包括第一发光元件堆叠件和位于所述第一发光元件堆叠件上的第二发光元件堆叠件。

2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

接合层，位于所述第一发光元件堆叠件与所述第二发光元件堆叠件之间。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述接合层包括氧化铟锡或氧化铟锌。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件堆叠件包括第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层，并且

其中，所述第二发光元件堆叠件包括第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层、第二半导体层和第三半导体层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一发光元件堆叠件的所述第二半导体层与所述第二发光元件堆叠件的所述第一半导体层接触。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件随机地布置在所述像素电极上。

7.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：

波长转换部分，位于所述共电极上，

其中，所述波长转换部分包括：分隔壁，使发射区域和非发射区域分隔；波长转换层，位于所述分隔壁之间并且与所述发射区域叠置；光阻挡构件，位于所述分隔壁上；以及滤色器，位于所述波长转换层上。

8.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基体基底上形成发光元件；

通过将包括像素电极的基底接合到所述基体基底，将所述发光元件附着到所述像素电极上；

通过将激光束照射到所述基体基底上，将所述基体基底与所述发光元件分离；

在所述像素电极与所述发光元件之间形成平坦化层；以及

在所述平坦化层上形成共电极，

其中，所述发光元件包括第一发光元件堆叠件和位于所述第一发光元件堆叠件上的第二发光元件堆叠件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述基体基底上形成所述发光元件包括以下步骤：

在第一基体基底上形成多个半导体材料层；

将所述第一基体基底附着到临时基底；

通过将所述第一基体基底与所述多个半导体材料层分离来形成所述第一发光元件堆叠件；

在所述第一发光元件堆叠件上形成第一接合层；

通过在第二基体基底上形成多个半导体材料层来形成所述第二发光元件堆叠件；

在所述第二发光元件堆叠件上形成第二接合层；

将所述第一发光元件堆叠件堆叠在所述第二发光元件堆叠件上使得所述第一接合层与所述第二接合层彼此接触，并且将所述第一接合层与所述第二接合层彼此接合；

将所述临时基底与所述第一发光元件堆叠件分离；以及

通过使用光致抗蚀剂图案使堆叠在所述第二发光元件堆叠件上的所述第一发光元件堆叠件图案化来形成所述发光元件，

在所述发光元件上形成连接电极。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述基体基底上形成所述发光元件包括以下步骤：

在所述基体基底上以此顺序形成所述第二发光元件堆叠件的第三半导体材料层、第二半导体材料层、超晶格材料层、活性材料层、电子阻挡材料层和第一半导体材料层；

在所述第二发光元件堆叠件上形成所述第一发光元件堆叠件的第三半导体材料层、第二半导体材料层、超晶格材料层、活性材料层、电子阻挡材料层和第一半导体材料层；以及

通过使用光致抗蚀剂图案使所述第二发光元件堆叠件和所述第一发光元件堆叠件图案化来形成所述发光元件。