CN118201453A - 基于胺的化合物、发光装置、电子设备及电子装备 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及由式1表示的基于胺的化合物、包含所述基于胺的化合物的发光装置、以及各自包括所述发光装置的电子设备和电子装备。所述发光装置包含第一电极、在所述第一电极上的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含所述基于胺的化合物的中间层。所述由式1表示的基于胺的化合物如说明书中解释：式1

Description

基于胺的化合物、发光装置、电子设备及电子装备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月12日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0173064号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的内容通过援引整体并入本文。
技术领域
本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及包含基于胺的化合物的发光装置、包含所述发光装置的电子设备、包含所述发光装置的电子装备以及所述基于胺的化合物。
背景技术
在发光装置中，诸如有机发光装置的自发射装置具有相对广的视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的或适合的特性。
在发光装置中，第一电极设置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次设置在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁并且弛豫至基态，从而产生光。
发明内容
本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及包含基于胺的化合物的发光装置、包含所述发光装置的电子设备和电子装备以及所述基于胺的化合物。
其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案，发光装置包括：
第一电极，
面对所述第一电极的第二电极，
在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含发射层的中间层，以及
由式1表示的基于胺的化合物：
式1
在式1中，
n可以是0至5的整数，
L1至L3可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
a1至a3可以各自独立地是0至3的整数，
当a1是0时，*-(L1)a1-*′可以是单键，
当a2是0时，*-(L2)a2-*′可以是单键，
当a3是0时，*-(L3)a3-*′可以是单键，
Ar1和Ar2可以各自独立地包含由式1-1表示的基团、由式1-2表示的基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
其中，在式1-1和式1-2中，
Z1可以是O、S、P(R3)、C(R3)(R4)、C(R3)H、CH2、Si(R3)(R4)、Si(R3)H或SiH2，
Z2可以是P、C(R3)、CH、Si(R3)或SiH，
CY1和CY2可以各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，b1和b2可以各自独立地是0至5的整数，
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
T1、R1、R2、R3、R4和R10a可以各自独立地是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：
氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
n10a可以是0至10的整数。
根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案，电子设备包括根据一个或多于一个的实施方案的所述发光装置。
根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案，电子装备包括根据一个或多于一个的实施方案的所述发光装置。
根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案，提供了由式1表示的基于胺的化合物。
附图说明
包括附图以提供对本公开内容的进一步理解以及将附图并入本公开内容中并且构成本公开内容的一部分。附图例示出本公开内容的实施方案，并且连同描述一起用于解释本公开内容的原理。根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光装置的示意图；
图2是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的电子设备的示意图；
图3是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的电子设备的示意图；
图4是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的电子装备的示意图；以及
图5和图6A至图6C各自是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的电子装备的示意图。
具体实施方式
现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的附图标记遍及本公开内容是指相同的元件，并且为了简明可以不提供其重复的描述。在这点上，本公开内容的实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，通过参考附图仅描述本公开内容的实施方案，以解释本公开内容的方面。如本文使用，术语“和/或”或“或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个本公开内容中，诸如“......中的至少一个(种)”、“......中的一个(种)”和“选自”的表述当在一列要素之前时，修饰整列的要素并且不修饰该列的单个要素。例如，“a、b和c中的至少一个”、“选自a、b和c中的至少一个”、“选自a至c中的至少一个”等可以表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，所有的a、b和c，或其变体。本文使用的“/”可以根据情况被解释为“和”或“或”。
在本公开内容的一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以包含：
第一电极；
面对第一电极的第二电极；
在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及
由式1表示的基于胺的化合物：
式1
其中，在式1中，
n可以是0至5的整数(例如，0、1、2、3、4、5)，
L1至L3可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
a1至a3可以各自独立地是0至3的整数(例如，0、1、2、3)，
当a1是0时，*-(L1)a1-*′可以是单键，
当a2是0时，*-(L2)a2-*′可以是单键，
当a3是0时，*-(L3)a3-*′可以是单键，
Ar1和Ar2可以各自独立地包含由式1-1表示的基团、由式1-2表示的基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
其中，在式1-1和式1-2中，
Z1可以是O、S、P(R3)、C(R3)(R4)、C(R3)H、CH2、Si(R3)(R4)、Si(R3)H或SiH2，
Z2可以是P、C(R3)、CH、Si(R3)或SiH，
CY1和CY2可以各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
b1和b2可以各自独立地是0至5的整数(例如，0、1、2、3、4、5)，
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
T1、R1、R2、R3、R4和R10a可以各自独立地是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：
氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
n10a可以是0至10的整数。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，中间层可以包含由式1表示的基于胺的化合物。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
第一电极可以是阳极，
第二电极可以是阴极，
中间层可以进一步包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极之间的电子传输区，
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，以及
电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
所述空穴传输区可以包含至少一种由式1表示的基于胺的化合物。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
所述空穴传输层可以包含至少一种由式1表示的基于胺的化合物。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
所述空穴传输层可以与发射层直接接触。
所述根据一个或多于一个的实施方案的发光装置可以进一步包括：
第一覆盖层、第二覆盖层、或第一覆盖层和第二覆盖层，其中
所述第一覆盖层可以在第一电极的表面上，以及
所述第二覆盖层可以在第二电极的表面上。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以包含由式1表示的基于胺的化合物。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
发射层可以包含荧光掺杂剂或磷光掺杂剂。
在根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中，
发射层可以发射蓝色光。
在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以包括根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光装置。
根据一个或多于一个的实施方案的电子设备可以进一步包括:
薄膜晶体管；以及
滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。
在一个或多于一个的实施方案中，薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及
发光装置的第一电极可以电连接至薄膜晶体管的源电极或漏电极。
在一个或多于一个的实施方案中，电子装备可以包含根据一个或多于一个的实施方案的发光装置中的任一个。
所述电子装备可以是选自平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内照明设备、户外照明设备、信号灯、平视显示器、全透明透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、移动电话、平板电脑、平板电话、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、交通工具、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕、体育场屏幕、光疗装置和标志牌中的至少一种。
在本公开内容的一个或多于一个的实施方案中，基于胺的化合物可以由式1表示:
式1
其中，在式1中，
n可以是0至5的整数(例如，0、1、2、3、4、5)，
L1至L3可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
a1至a3可以各自独立地是0至3的整数(例如，0、1、2、3)，
当a1是0时，*-(L1)a1-*′可以是单键，
当a2是0时，*-(L2)a2-*′可以是单键，
当a3是0时，*-(L3)a3-*′可以是单键，
Ar1和Ar2可以各自独立地包含由式1-1表示的基团、由式1-2表示的基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
其中，在式1-1和式1-2中，
Z1可以是O、S、P(R3)、C(R3)(R4)、C(R3)H、CH2、Si(R3)(R4)、Si(R3)H或SiH2，
Z2可以是P、C(R3)、CH、Si(R3)或SiH，
CY1和CY2可以各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
b1和b2可以各自独立地是0至5的整数(例如，0、1、2、3、4、5)，
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
T1、R1、R2、R3、R4和R10a可以各自独立地是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：
氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
n10a可以是0至10的整数。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，n可以是0至2的整数。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，n可以是1。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，
式1中由表示的部分的A值可以等于或小于T1的A值。如本文使用的术语“部分的A值”可以是指用于测定环状构象中的部分的最稳定取向的数值。在脂环族环上的部分优选存在于相对于轴的平伏位置。较高能量构象(轴向取代)与较低能量构象(平伏取代)之间的吉布斯自由能差是所述部分的A值。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，a1、a2和a3的总和可以是1或大于1。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，a1、a2和a3的总和可以是3或大于3。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，a1可以是1或大于1。因此，式1中的由表示的部分的A值可以甚至更多地降低。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，选自L1、L2和L3中的至少一个可以是未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、未取代的或被至少一个R10a取代的萘基团、未取代的或被至少一个R10a取代的芴基团、未取代的或被至少一个R10a取代的二苯并呋喃基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的二苯并噻吩基团的二价基团。R10a与本文描述的相同。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，选自L1、L2和L3中的至少一个可以是由选自式1-6-1至式1-6-3中的一个表示的基团：
其中，在式1-6-1至式1-6-3中，
R10a可以与关于式1中的R10a描述的相同，
n10b可以是0至4的整数，以及
*和*′可以是与相邻原子的结合位点。
根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物可以满足条件i)和条件ii)中的一个：
i)选自Ar1和Ar2中的至少一个包含由式1-1表示的基团或由式1-2表示的基团；
ii)Ar1和Ar2各自不包含由式1-1表示的基团和由式1-2表示的基团。
当根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物满足条件i)并且包含由式1-1表示的基团时，由表示的部分可以是选自式1-1-1至式1-1-4中的一种：
其中，在式1-1-1至式1-1-4中，
Z1和CY2可以各自分别与关于式1的Z1和式1-1的CY2描述的相同，以及
*表示与相邻原子的结合位点。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，Ar1和Ar2可以各自独立地包含环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、双环庚烷基团、金刚烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团、茚并蒽基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，Ar1和Ar2可以各自独立地包含环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、双环庚烷基团、金刚烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，T1和L3可以包含彼此相同的相同基团。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，T1和L3可以包含苯基团。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，T1和L3可以包含彼此不同的不同基团。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，T1可以包含异丙基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、双环庚烷基团、金刚烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，式1中的n10a可以是0。
在根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物中，由式1表示的化合物可以选自化合物1至化合物384中的一种：
根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物可以包含本文描述的核部分。因为n是0或大于0的整数，所以核部分可以是5元或多于5元的饱和非芳香族环(例如，饱和脂环族环)。在一个或多于一个的实施方案中，核部分可以键合到至少第一取代基和第二取代基，并且第一取代基和第二取代基可以各自键合到核部分的相同碳原子：
核部分
在核部分中，*表示与包含在第一取代基中的原子的结合位点，并且*′表示与包含在第二取代基中的原子的结合位点。在一个或多于一个的实施方案中，在式1中，第一取代基由T1表示，并且第二取代基由表示。
在一个或多于一个的实施方案中，第一取代基的A值可以大于第二取代基的A值。例如，第一取代基优选平伏位置而不是轴向位置，并且第二取代基优选轴向位置而不是平伏位置。
因此，可以增加根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物的空穴传输性(例如，空穴迁移率)，并且同时，可以降低包括在第二取代基中的胺基团的化学反应性。此外，可以抑制由于激基复合物的形成而引起的基于胺的化合物的内部分解，并且可以增加包含基于胺的化合物的发光装置的使用寿命。
在一个或多于一个的实施方案中，由式1表示的基于胺的化合物可以包含由Ar1和Ar2表示的取代基。因此，根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物可以具有甚至更大的分子结构并且可以保持最佳的或适合的分子间密度。此外，Ar1和Ar2可以具有彼此不同的电化学环境。因此，可以精细地调节基于胺的化合物的诸如最高占据分子轨道(HOMO)能级、最低未占据分子轨道(LUMO)能级、第一三重态能级(T1)、第一单重态能级(S1)等的能级，空穴迁移率和折射率。
因此，包含本发明内容的基于胺的化合物的电子装置，例如包含所述基于胺的化合物的有机发光装置可以具有低驱动电压、高发光效率和长使用寿命。
如本文使用的措辞“(中间层和/或覆盖层)包含基于胺的化合物”可以理解为“(中间层和/或覆盖层)可以包含由式1表示的一个种类或类型的基于胺的化合物或各自由式1表示的两个不同种类或类型的基于胺的化合物”。
在一些实施方案中，中间层和/或覆盖层可以仅包含化合物1作为基于胺的化合物。在这点上，化合物1可以存在于发光装置的发射层中。在一些实施方案中，中间层可以包含化合物1和化合物2作为基于胺的化合物。在这点上，化合物1和化合物2可以基本上存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2可以全部存在于发射层中)，或者可以存在于不同的层中(例如，化合物1可以存在于发射层中，并且化合物2可以存在于电子传输区中)。
如本文使用的术语“中间层”是指发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。
本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。例如，在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，其中发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。电子设备的更多细节可以参考本文提供的描述。
图1的描述
图1是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
在下文，将参考图1描述根据一个或多于一个的实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
第一电极110
在图1中，在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以额外地提供和布置在第一电极110下和/或第二电极150上。在一些实施方案中，作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在一些实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的或适合的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其组合。
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其组合。
第一电极110可以具有包括单个层(例如由单个层组成)的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，在一些实施方案中，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
中间层130
中间层130可以布置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以进一步包括布置在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和布置在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
在一个或多于一个的实施方案中，除了一种或多于一种的适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的材料(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)两个或多于两个的发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括两个或多于两个的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
中间层130中的空穴传输区
空穴传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含彼此不同的多种材料(例如，由彼此不同的多种材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含彼此不同的多种材料的多个层。
所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合。
例如，在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区可以具有多层结构，包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每种结构的构成层按各自规定的顺序依次堆叠在第一电极110上。
在一个或多于一个的实施方案中，所述空穴传输区可以包含至少一种由式1表示的基于胺的化合物。在一些实施方案中，空穴传输区可以进一步包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
L205可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
xa5可以是1至10的整数，
R201至R204和Q201可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R201和R202可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16等)，
R203和R204可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基基团彼此键合以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团，以及
na1可以是1至4的整数。R10a与本文描述的相同。
例如，在一些实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：
在式CY201至式CY217中，R10b和R10c可以各自与关于R10a描述的相同，环CY201至环CY204可以各自独立地是C3-C20碳环基团或C1-C20杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以被如本文描述的R10a取代。
在一个或多于一个的实施方案中，在式CY201至式CY217中，环CY201至环CY204可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。
在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R201可以是选自由式CY201至式CY203表示的基团中的一种，xa2可以是0，并且R202可以是选自由式CY204至式CY207表示的基团中的一种。
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY203表示的基团。
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY203表示的基团，并且可以包含选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY217表示的基团。
例如，在一些实施方案中，空穴传输区可以包含选自化合物HT1至化合物HT46、4,4',4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺(2-TNATA)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB(NPD))、β-NPB、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的至少一种，和/或其组合：
空穴传输区的厚度可以是约至约例如，约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
p-掺杂剂
在一个或多于一个的实施方案中，除了这些前述材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
例如，在一些实施方案中，p-掺杂剂可以具有小于或等于约-3.5eV的最低未占据分子轨道(LUMO)能级。
在一个或多于一个的实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其组合。
醌衍生物的非限制性实例是四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)等。
含氰基基团的化合物的非限制性实例可以是二吡嗪并[2,3-f:2′,3′-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)、由式221表示的化合物等：
式221
在式221中，
R221至R223可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，R10a与本文描述的相同，以及
选自R221至R223中的至少一个可以各自独立地是：各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其组合取代的C1-C20烷基基团；或者其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。
金属的非限制性实例可以是碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)；等。
准金属的非限制性实例可以是硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)等。
非金属的非限制性实例可以是氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)等。
包含元素EL1和元素EL2的化合物的非限制性实例可以是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其组合。
金属氧化物的非限制性实例可以是钨氧化物(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、钒氧化物(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)、铼氧化物(例如，ReO3等)等。
金属卤化物的非限制性实例可以是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。
碱金属卤化物的非限制性实例可以是LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI等。
碱土金属卤化物的非限制性实例可以是BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2等。
过渡金属卤化物的非限制性实例可以是钛卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、铁卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)等。
后过渡金属卤化物的非限制性实例可以是锌卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟卤化物(例如，InI3等)、锡卤化物(例如，SnI2等)等。
镧系金属卤化物的非限制性实例可以是YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3、SmI3等。
准金属卤化物的非限制性实例可以是锑卤化物(例如，SbCl5等)等。
金属碲化物的非限制性实例可以是碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)等。
中间层130中的发射层
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光(例如，组合的白色光)。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光(组合的白色光)。
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含量子点。
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体和/或掺杂剂。
发射层的厚度可以是约至约例如，约至约当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的或适合的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
主体
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21，
其中，在式301中，
Ar301可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，L301可以是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
xb11可以是1、2或3，
xb1可以是0至5的整数，
R301可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，R10a与本文描述的相同，
xb21可以是1至5的整数，以及
Q301至Q303可以各自与关于Q1描述的相同。
例如，在一些实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar301可以经由单键彼此连接。
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其组合：
式301-1
式301-2
其中，在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
X301可以是O、S、N[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
L301、xb1和R301可以各自与本文描述的相同，
L302至L304可以各自独立地与关于L301描述的相同，
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
R302至R305和R311至R314可以各自与关于R301描述的相同。
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其组合。
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括：选自化合物H1至化合物H128；9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)；2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)；9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)；4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)；1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)；1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的至少一种；和/或其组合：
磷光掺杂剂
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其组合。
在一些实施方案中，磷光掺杂剂可以是电中性的。
例如，在一个或多于一个的实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2
式402
在式401和式402中，
M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可以是由式402表示的配体，并且xc1是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L401可以彼此相同或不同，
L402可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L402可以彼此相同或不同，
X401和X402可以各自独立地是N或C，
环A401和环A402可以各自独立地是C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
T401可以是单键、*-O-*′、*-S-*′、*-C(＝O)-*′、*-N(Q411)-*′、*-C(Q411)(Q412)-*′、*-C(Q411)＝C(Q412)-*′、*-C(Q411)＝*′或*＝C＝*′，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
X403和X404可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414可以各自与关于Q1描述的相同，
R401和R402可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，R10a与本文描述的相同，
Q401至Q403可以各自与关于Q1描述的相同，
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
式402中的*和*′可以各自表示与式401中的M的结合位点。
例如，在一个或多于一个的实施方案中，在式402中，i)X401可以是氮，并且X402可以是碳，或者ii)X401和X402中的每一个可以是氮。
在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，在两个或多于两个的L401中，两个环A401可以任选地经由作为连接基团的T402彼此连接，和/或两个环A402可以任选地经由作为连接基团的T403彼此连接。T402和T403可以各自与关于T401描述的相同。
在式401中，L402可以是有机配体。例如，在一个或多于一个的实施方案中，L402可以包括卤素、二酮基团(例如，乙酰基丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷的基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其组合。
在一个或多于一个的实施方案中，磷光掺杂剂可以包括，例如，选自化合物PD1至化合物PD39中的至少一种和/或其组合：
荧光掺杂剂
在一个或多于一个的实施方案中，荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其组合。
例如，在一个或多于一个的实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
式501
在式501中，
Ar501、R501和R502可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，L501至L503可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，R10a与本文描述的相同，
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
在一个或多于一个的实施方案中，式501中的Ar501可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。
在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。
在一个或多于一个的实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：选自化合物FD1至化合物FD37；4,4′-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)；4,4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)中的至少一种；和/或其组合：
延迟荧光材料
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。
在本公开内容中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
根据包含在发射层中的其它材料的类型或种类，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
在一个或多于一个的实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV并且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足在以上范围内时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此发光装置10可以具有改善的发光效率。
例如，在一些实施方案中，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C3-C60环状基团等，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团、缺π电子的含氮C1-C60环状基团等)的材料，ii)包含包括彼此稠合同时共用硼(B)的至少两个环状基团的C8-C60多环基团的材料等。
延迟荧光材料的非限制性实例可以包括选自化合物DF1至化合物DF14中的至少一种：
量子点
在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含量子点。
如本文使用的术语“量子点”可以是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射一种或多于一种的适合的发射波长的光的任何材料。
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))成本更低且更容易的工艺来控制或选择。
量子点可以包括：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者其组合。
II-VI族半导体化合物的非限制性实例可以是：二元化合物，例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等；和/或其组合。
III-V族半导体化合物的非限制性实例可以是：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；和/或其组合。在一个或多于一个的实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的非限制性实例可以是InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的非限制性实例可以是：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3、InTe等；三元化合物，例如InGaS3、InGaSe3等；和/或其组合。
I-III-VI族半导体化合物的非限制性实例可以是：三元化合物，例如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2等；和/或者其组合。
IV-VI族半导体化合物的非限制性实例可以是：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；和/或其组合。
IV族元素或化合物的非限制性实例可以是：单一元素材料，例如Si、Ge等；二元化合物，例如SiC、SiGe等；和/或其组合。
包含在多元素化合物中(例如在二元化合物、三元化合物和四元化合物中)的每种元素可以以基本上均匀的浓度或基本上非均匀的浓度存在于颗粒中。
在一个或多于一个的实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中量子点中的每种元素的浓度是基本上均匀的，或者可以具有核-壳双重结构。例如，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以充当防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层的或多层的。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心降低。
量子点的壳的非限制性实例可以是金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物或其组合。金属、准金属或非金属的氧化物的非限制性实例可以是：二元化合物，例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等；三元化合物，例如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等；和/或其组合。半导体化合物的非限制性实例可以是：如本文描述的II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；和/或其组合。半导体化合物的非限制性实例可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其组合。
量子点可以具有小于或等于约45nm，小于或等于约40nm，或例如小于或等于约30nm的发射光谱的半峰全宽(FWHM)。当量子点的发射光谱的FWHM在这些范围内时，量子点可以具有改善的颜色纯度或改善的颜色再现性。在一些实施方案中，因为由量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善广视角。
在一些实施方案中，量子点可以是基本上球形、角锥形、多臂或立方体的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维和/或纳米板的形式。
因为能带间隙可以通过控制或选择量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有一种或多于一种的适合的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射一种或多于一种的适合的波长的光的发光装置。在一个或多于一个的实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。在一些实施方案中，可以将量子点的尺寸配置成通过一种或多于一种的适合的颜色的光的组合来发射白色光。
中间层130中的电子传输区
电子传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其组合。
例如，在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的构成层按各自规定的顺序从发射层依次堆叠。
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C1-C60环状基团的不含金属的化合物。
例如，在一些实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，L601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
xe11可以是1、2或3，
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
R601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，Q601至Q603可以各自与关于Q1描述的相同，
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
可以满足选自以下条件中的至少一个：Ar601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的缺π电子的含氮C1-C60环状基团；R601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的缺π电子的含氮C1-C60环状基团；以及L601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的二价缺π电子的含氮C1-C60环状基团。R10a与本文描述的相同。
在一个或多于一个的实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar601可以经由单键彼此连接。
在一些实施方案中，式601中的Ar601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的蒽基团。
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
式601-1
在式601-1中，
X614可以是N或C(R614)，X615可以是N或C(R615)，X616可以是N或C(R616)，并且选自X614至X616中的至少一个可以是N，
L611至L613可以各自与关于L601描述的相同，
xe611至xe613可以各自与关于xe1描述的相同，
R611至R613可以各自与关于R601描述的相同，以及
R614至R616可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团。R10a与本文描述的相同。
例如，在一些实施方案中，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包含选自化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq3)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1′-联苯基-4-根合)铝(BAlq)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)中的至少一种，和/或其组合：
电子传输区的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的和/或适合的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
在一个或多于一个的实施方案中，除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其组合。
例如，在一些实施方案中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：
在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
电子注入层可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其组合。
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)或碲化物，或者其组合。
含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，例如Li2O、Cs2O、K2O等；碱金属卤化物，例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI等；或者其组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(其中x是满足0<x<1的实数)、BaxCa1-xO(其中x是满足0<x<1的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其组合。在一个或多于一个的实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的非限制性实例可以是LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3、Lu2Te3等。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以分别包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其组合。
在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以包含(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其组合。例如，在一些实施方案中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合可以基本上均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
电子注入层的厚度可以是约至约例如，约至约当电子注入层的厚度在以上范围内时，可以获得令人满意的和/或适合的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
第二电极150
第二电极150可以布置在具有如以上描述的结构的中间层130上。在一个或多于一个的实施方案中，第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其组合作为用于形成第二电极150的材料。
第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。
覆盖层
第一覆盖层可以布置在第一电极110外部和/或第二覆盖层可以布置在第二电极150外部。在一个或多于一个的实施方案中，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构。
在一些实施方案中，发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出。在一些实施方案中，发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。
第一覆盖层和/或第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可各自包含具有大于或等于1.6(例如，在589nm处)的折射率的材料。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。在一些实施方案中，碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以任选地被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其组合的取代基取代。在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合。
在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含至少一种由式1表示的基于胺的化合物。
在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含：选自化合物HT28至化合物HT33中的至少一种；选自化合物CP1至化合物CP6中的至少一种；β-NPB；和/或其组合：
膜
由式1表示的基于胺的化合物可以包含在一种或多于一种的适合的膜中。因此，在一个或多于一个的实施方案中，膜可以包含由式1表示的基于胺的化合物。膜可以是，例如，光学构件(或光控制元件)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率增强层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、光吸收层等)和/或保护构件(例如，绝缘层、介电层等)。
电子设备
发光装置可以被包括在一种或多于一种的适合的电子设备中。例如，在一些实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
在一个或多于一个的实施方案中，除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，在一个或多于一个的实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光(例如，组合的白色光)。关于发光装置的细节可以参考本文提供的描述。在一个或多于一个的实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是，例如，如本文描述的量子点。
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。
像素限定层可以布置在子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。
滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和布置在滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和布置在颜色转换区域之间的遮光图案。
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，在一些实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，在一个或多于一个的实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。在一些实施方案中，第一区域可以包含红色量子点以发射红色光，第二区域可以包含绿色量子点以发射绿色光，并且第三区域可以不包含(例如，可以排除)量子点。关于量子点的细节可以参考本文提供的描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。
例如，在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以旨在发射第一光，第一区域可以旨在吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以旨在吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以旨在吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在此，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。
在一个或多于一个的实施方案中，除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中选自源电极和漏电极中的一个可以电连接至发光装置的第一电极或第二电极。
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。
在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，以及并行地(例如，同时地)防止和/或减少环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，一种或多于一种的功能层可以额外地布置在密封部上。功能层的非限制性实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
电子设备可以应用于一种或多于一种的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一种或多于一种的适合的测量仪器、仪表(例如，用于交通工具、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
图2和图3的描述
图2是示出根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的电子设备的横截面视图；
图2的电子设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以在衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
TFT可以在缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅电极240可以在栅绝缘膜230上。
层间绝缘膜250可以在栅电极240上。层间绝缘膜250可以在栅电极240与源电极260之间以及在栅电极240与漏电极270之间以使彼此绝缘。
源电极260和漏电极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以分别接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
TFT可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280可以布置成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以布置成连接至漏电极270的暴露部分。
包含绝缘材料的像素限定层290可以在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是基于聚酰亚胺的有机膜或基于聚丙烯酸的有机膜。在一些实施方案中，中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以布置成公共层的形式。
第二电极150可以在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
封装部300可以在覆盖层170上。封装部300可以在发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气的影响。封装部300可以包括:无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或其组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图3示出了显示根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的电子设备的横截面视图。
图3的电子设备可以与图2的电子设备基本上相同，但遮光图案500和功能区400额外地布置在封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多于一个的实施方案中，包括在图3的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。
图4的描述
图4是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的包含发光装置的电子装备1的示意性透视图。电子装备1可以是作为显示移动图像或静止图像的装置设备的便携式电子装备，例如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子日志、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航或超移动PC(UMPC)，以及一种或多于一种的适合的产品，例如电视、膝上型电脑、监视器、标志牌或物联网(IoT)装置。电子装备1可以是此类以上的产品或其部件。在一些实施方案中，电子装备1可以是可穿戴装置，例如智能手表、手表电话、眼镜型或类显示器或头戴式显示器(HMD)，或可穿戴装置的部件。然而，本公开内容的实施方案不限于此。例如，在一些实施方案中，电子装备1可以包括交通工具的仪表板、交通工具的中央面板、布置在交通工具的仪表板上的中央信息显示器、交通工具的代替侧视镜的室内镜显示器、用于交通工具后座的娱乐显示器、或布置在前座背面上的显示器、或安装在交通工具的前面或投影在前窗玻璃上的平视显示器(HUD)、计算机生成的全息增强现实平视显示器(CGH AR HUD)。为了便于解释，图4例示出其中电子装备1是智能电话的实施方案。
电子装备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。电子装备1的显示装置可以通过二维布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来实现图像。
非显示区域NDA是不显示图像的区域，并且可以完全围绕显示区域DA。在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中)，可以布置用于向布置在显示区域DA处的显示装置提供电信号或电力的驱动器。在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中)，可以布置焊盘，所述焊盘是电子元件或印刷电路板可以电连接至其的区域。
在电子装备1中，x轴方向上的长度和y轴方向上的长度可以彼此不同。在一个或多于一个的实施方案中，如图4中显示，x轴方向上的长度可以比y轴方向上的长度更短。在一个或多于一个的实施方案中，x轴方向上的长度可以与y轴方向上的长度相同。在一个或多于一个的实施方案中，x轴方向上的长度可以比y轴方向上的长度更长。
图5和图6A至图6C的描述
图5是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的作为包括发光装置的电子装备的交通工具1000的外部的示意图。图6A至图6C各自是示意性地例示出根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的交通工具1000的内部的视图。
参考图5、图6A、图6B和图6C，交通工具1000可以是指将诸如人、物体或动物的待运输对象从出发点移动到目的地点的一种或多于一种的适合的设备。交通工具1000可以包括在道路或轨道上行驶的交通工具、在海上或河流上移动的船、以及利用空气的作用在空中飞行的飞机等。
交通工具1000可以在道路或轨道上行驶。交通工具1000可以根据至少一个车轮的旋转在设定或预定方向上移动。例如，交通工具1000可以包括三轮或四轮交通工具、建筑机械、两轮交通工具、原动机装置、自行车或在轨道上行驶的火车。
交通工具1000可以包括具有内部和外部的主体，以及其中安装有作为除主体之外的其余部件的驾驶所必须的机械设备的底盘。主体的外部可以包括前板、阀盖、顶板、后板、行李箱和提供在门之间的边界处的填充物等。交通工具1000的底盘可以包括发电装置、动力传输装置、驱动装置、转向装置、制动装置、悬挂装置、传动装置、燃油装置、前后轮、左右轮等。
交通工具1000可以包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、集群件1400、中央面板1500、乘客座位仪表板1600和显示装置2。
侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可以由布置在侧窗玻璃1100与前窗玻璃1200之间的立柱分隔。
侧窗玻璃1100可以安装在交通工具1000的侧面上。在一些实施方案中，侧窗玻璃1100可以安装在交通工具1000的门上。多个侧窗玻璃1100可以提供并且可以彼此面对。在一些实施方案中，侧窗玻璃1100可以包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在一些实施方案中，第一侧窗玻璃1110可以被布置成与集群件1400相邻。第二侧窗玻璃1120可以被布置成与乘客座位仪表板1600相邻。
在一些实施方案中，侧窗玻璃1100可以在x方向或-x方向上彼此间隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可以在x方向或在-x方向上彼此间隔开。换而言之，连接侧窗玻璃1100的虚拟直线L可以在x方向或-x方向上延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120彼此连接的虚拟直线L可以在x方向或在-x方向上延伸。
前窗玻璃1200可以安装在交通工具1000的前面。前窗玻璃1200可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。
侧视镜1300可以提供交通工具1000的后视图。侧视镜1300可以安装在交通工具主体的外部。在一个实施方案中，可以提供多个侧视镜1300。多个侧视镜1300中的任一个可以布置在第一侧窗玻璃1110的外部。多个侧视镜1300中的另一个可以布置在第二侧窗玻璃1120的外部。
集群件1400可以布置在方向盘的前面。集群件1400可以包括转速计、速度计、冷却剂温度计、燃料计、转向指示器、远光指示器、警示灯、安全带警示灯、里程计、自动变速器选择杆指示灯、开门警示灯、机油警示灯和/或低燃料警示灯。
中央面板1500可以包括控制面板，在所述控制面板上设置有用于调节音频装置、空调装置和/或座位加热器的多个按钮。中央面板1500可以布置在集群件1400的一侧上。
乘客座位仪表板1600可以与集群件1400间隔开，在它们之间布置有中央面板1500。在一个实施方案中，集群件1400可以布置成对应于驾驶员座位，并且乘客座位仪表板1600可以设置成对应于乘客座位。在一个实施方案中，集群件1400可以与第一侧窗玻璃1110相邻，并且乘客座位仪表板1600可以与第二侧窗玻璃1120相邻。
在一个或多于一个的实施方案中，显示装置2可以包括显示面板3，并且显示面板3可以显示图像。显示装置2可以布置在交通工具1000的内部。在一个实施方案中，显示装置2可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。显示装置2可以布置在选自集群件1400、中央面板1500和乘客座位仪表板1600中的至少一个上。
显示装置2可以包括有机发光显示装置、无机EL显示装置、量子点显示装置等。在下文，作为根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的显示装置2，将描述包括根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光装置的有机发光显示装置作为实例，但在本公开内容的实施方案中可以使用如以上描述的一种或多于一种的适合的类型(种类)的显示装置。
参考图6A，显示装置2可以布置在中央面板1500上。在一个实施方案中，显示装置2可以显示导航信息。在一个实施方案中，显示装置2可以显示关于音频、视频和/或交通工具设置的信息。
参考图6B，显示装置2可以被布置在集群件1400上。当显示装置2布置在集群件1400上时，集群件1400可以通过显示装置2显示驾驶信息等。例如，集群件1400可以数字地实现。集群件1400可以将交通工具信息和驾驶信息显示为图像。例如，在一些实施方案中，转速计的针和量规以及一种或多于一种的适合的警示灯图标可以通过数字信号显示。
参考图6C，显示装置2可以布置在乘客座位仪表板1600上。显示装置2可以嵌入在乘客座位仪表板1600中或者布置在乘客座位仪表板1600上。在一些实施方案中，布置在乘客座位仪表板1600上的显示装置2可以显示与显示在集群件1400上的信息和/或显示在中央面板1500上的信息相关的图像。在一个或多于一个的实施方案中，布置在乘客座位仪表板1600上的显示装置2可以显示与显示在集群件1400上的信息和/或显示在中央面板1500上的信息不同的信息。
制造方法
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷/激光诱导热成像等中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
当通过真空沉积形成包括在空穴传输区的各层、发射层和包括在电子传输区的各层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度进行沉积。
术语的定义
如本文使用的术语“C3-C60碳环基团”是指仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如，3个至30个、3个至20个、3个至15个、或3个至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C1-C60杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。C3-C60碳环基团和C1-C60杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，C1-C60杂环基团的成环原子数可以是3至61(例如，3至30、3至20、3至15、或3至10)。
如本文使用的“环状基团”可以包括C3-C60碳环基团和C1-C60杂环基团二者(例如，同时)。
如本文使用的术语“富π电子的C3-C60环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如，3个至30个、3个至20个、3个至15个、或3个至10个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C1-C60环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。
例如，
C3-C60碳环基团可以是i)T1基团或者ii)其中两个或多于两个的T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
C1-C60杂环基团可以是i)T2基团，ii)其中至少两个的T2基团彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
富π电子的C3-C60环状基团可以是i)T1基团，ii)其中至少两个T1基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)T3基团，iv)其中至少两个T3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，C3-C60碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)。
缺π电子的含氮C1-C60环状基团可以是i)T4基团，ii)其中至少两个T4基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
T1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
T2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
T3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
T4基团可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
如本文使用的术语“环状基团”、“C3-C60碳环基团”、“C1-C60杂环基团”、“富π电子的C3-C60环状基团”或“缺π电子的含氮C1-C60环状基团”可以是指根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
取决于上下文，在本公开内容中，根据例如与使用的术语相关的式的结构，二价基团可以是指或是例如多价基团(例如，三价、四价等，而不仅是二价)。
单价C3-C60碳环基团和单价C1-C60杂环基团的非限制性实例是C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价C3-C60碳环基团和二价C1-C60杂环基团的非限制性实例是C3-C10亚环烷基基团、C1-C10亚杂环烷基基团、C3-C10亚环烯基基团、C1-C10亚杂环烯基基团、C6-C60亚芳基基团、C1-C60亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其非限制性实例可以是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基基团”是指具有与C1-C60烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基基团”是指在C2-C60烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实非限制性例可以是乙烯基基团、丙烯基基团、丁烯基基团等。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基基团”是指具有与C2-C60烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基基团”是指在C2-C60烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其非限制性实例可以是乙炔基基团、丙炔基基团等。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基基团”是指具有与C2-C60炔基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基基团”是指由-OA101(其中A101是C1-C60烷基基团)表示的单价基团，并且其非限制性实例可以是甲氧基基团、乙氧基基团、异丙氧基基团等。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其非限制性实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团、双环[2.2.2]辛基基团等。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基基团”是指具有与C3-C10环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其非限制性实例可以是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团、四氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基基团”是指具有与C1-C10杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基基团”是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其非限制性实例可以是环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基基团”是指具有与C3-C10环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基基团”是指在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。C1-C10杂环烯基基团的非限制性实例可以是4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团、2,3-二氢噻吩基基团等。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烯基基团”是指具有与C1-C10杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6个至30个、6个至20个、6个至15个、或6个至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C6-C60亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6个至30个、6个至20个、6个至15个、或6个至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C6-C60芳基基团的非限制性实例可以是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团等。当C6-C60芳基基团和C6-C60亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。C1-C60杂芳基基团的非限制性实例可以是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C1-C60杂芳基基团和C1-C60亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如，8个至30个、8个至20个、8个至15个、或8个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在作为整体的其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的非限制性实例可以是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、茚并蒽基基团等。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且在作为整体的其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的非限制性实例可以是吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基基团”表示-OA102(其中A102是C6-C60芳基基团)，并且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基基团”表示-SA103(其中A103是C6-C60芳基基团)。
如本文使用的术语“C7-C60芳基烷基基团”是指-A104A105(其中A104是C1-C54亚烷基基团，并且A105是C6-C59芳基基团)，并且如本文使用的术语“C2-C60杂芳基烷基基团”是指-A106A107(其中A106是C1-C59亚烷基基团，并且A107是C1-C59杂芳基基团)。
如本文使用的术语“R10a”可以是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、C2-C60杂芳基烷基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、C2-C60杂芳基烷基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、或者C2-C60杂芳基烷基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)。
在本公开内容中，Q1、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团；C7-C60芳基烷基基团；或者C2-C60杂芳基烷基基团。
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子，并且杂原子的数量可以是1至10，例如1、2、3、4或5。杂原子的非限制性实例可以是O、S、N、P、Si、B、Ge、Se和/或其组合。
在本公开内容中，过渡金属可以包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。
在本公开内容中，“Ph”是指苯基基团，“Me”是指甲基基团，“Et”是指乙基基团，“tert-Bu”或“t-But”是指叔丁基基团，并且“OMe”是指甲氧基基团。
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”可以是具有C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”可以是具有被C6-C60芳基基团取代的C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
除非另外定义，如本文使用的*和*′各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
在本公开内容中，x轴、y轴和z轴不局限于正交坐标系中的三个轴，并且可以以包括这些轴的广泛含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以是指彼此正交的那些，或者可以是指在彼此不正交的不同方向上的那些。
在下文，将参考以下合成例和实施例更详细地描述根据一个或多于一个的实施方案的化合物和根据一个或多于一个的实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用B代替A”是指使用等摩尔当量的B代替A。
实施例
根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物可以例如如以下合成。然而，根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物的合成方法不限于此。
合成例1.化合物2的合成
反应方案1
1-1.中间体2a的合成
将环己酮(1.0当量)溶解在300mL的四氢呋喃中，并且在氮气气氛中在0℃下将3M的苯基溴化镁(1.2当量)添加至其中以制备反应溶液。然后，将反应溶液在室温下搅拌1小时，并且在70℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物用氯化铵和水缓慢洗涤，并且用二乙醚洗涤三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得9.27g的中间体2a。(产率:67％)
1-2.中间体2b的合成
在微波(Mutiwave 7000,Anton-Paar Korea Co.,Ltd.)中制备包含中间体2a(1.0当量)、苯胺(10.0当量)和甲磺酸(MsOH)(9.0当量)的反应溶液。将反应溶液在200℃下在63巴的压力下搅拌30分钟。在反应完成后，将反应产物用氢氧化钠和水缓慢洗涤，并且用二乙醚洗涤三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.7g的中间体2b。(产率：31％)
1-3.中间体2c的合成
将中间体2b(1.0当量)、1-溴-4-环己基苯(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50ml甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.0g的中间体2c。(产率：46％)
1-4.化合物2的合成
将中间体2c(1.0当量)、4-溴-1,1′-联苯(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50ml甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.8g的化合物2。(产率：84％)
合成例2.化合物23的合成
反应方案2
2-1.中间体23a的合成
将中间体2b(1.0当量)、4-溴-1,1′-联苯(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.2g的中间体23a。(产率：51％)
2-2.化合物23的合成
将中间体23a(1.0当量)、2-溴-9,9-二甲基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中并且然后在氮气气氛中在80℃下搅拌1小时。在反应完成后，将通过用水和二乙醚洗涤三次获得的有机层用MgSO4干燥，并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.9g的化合物23。(产率：82％)
合成例3.化合物28的合成
反应方案3
3-1.化合物28的合成
将中间体2c(1.0当量)、2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.8g的化合物28。(产率：81％)
合成例4.化合物37的合成
反应方案4
4-1.中间体37a的合成
将中间体2b(1.0当量)、(3r,5r,7r)-1-(4-溴苯基)金刚烷(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50ml甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.4g的中间体37a。(产率：55％)
4-2.化合物37的合成
将中间体37a(1.0当量)、3-溴-9,9-二甲基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.9g的化合物37。(产率：83％)
合成例5.化合物78的合成
反应方案5
5-1.中间体78a的合成
将中间体2b(1.0当量)、2-溴萘(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.2g的中间体78a。(产率：57％)
5-2.化合物78的合成
将中间体78a(1.0当量)、8-溴-1-苯基二苯并[b,d]呋喃(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.0g的化合物78。(产率：78％)
合成例6.化合物121的合成
反应方案6
6-1.中间体121a的合成
将中间体2b(1.0当量)、3-溴二苯并[b,d]呋喃(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.0g的中间体121a。(产率：55％)
6-2.化合物121的合成
将中间体121a(1.0当量)、3-溴-9,9-二甲基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.8g的化合物121。(产率：71％)
合成例7.化合物129的合成
反应方案7
7-1.中间体129a的合成
将环庚酮(1.0当量)溶解在300mL的四氢呋喃中，并且在氮气气氛中在0℃下将3M的苯基溴化镁(1.2当量)添加至其中以制备反应溶液。然后，将反应溶液在室温下搅拌1小时，并且在70℃下搅拌2小时。在反应完成后，将洗涤反应产物用氯化铵和水缓慢，并且用二乙醚洗涤三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得8.5g的中间体129a。(产率：61％)
7-2.中间体129b的合成
在微波(Mutiwave 7000,Anton-Paar Korea Co.,Ltd.)中制备包含中间体129a(1.0当量)、苯胺(10.0当量)和MsOH(9.0当量)的反应溶液。将反应溶液在200℃下在63巴的压力下搅拌30分钟。在反应完成后，将反应产物用氢氧化钠和水缓慢洗涤，并且用二乙醚洗涤三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.8g的中间体129b。(产率：35％)
7-3.化合物129的合成
将中间体129b(1.0当量)、4-溴-1,1′-联苯(2.2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)和叔丁醇钠(3.0当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.1g的化合物129。(产率：61％)
合成例8.化合物184的合成
反应方案8
8-1.中间体184a的合成
将中间体129b(1.0当量)、3-溴-9,9-二甲基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.8g的中间体184a。(产率：43％)
8-2.化合物184的合成
将中间体184a(1.0当量)、2-溴-9,9-二甲基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.7g的化合物184。(产率：79％)
合成例9.化合物290的合成
反应方案9
9-1.中间体290a的合成
将环辛酮(1.0当量)溶解在300mL的四氢呋喃中，并且在氮气气氛中在0℃下将3M的苯基溴化镁(1.2当量)添加至其中以制备反应溶液。然后，将反应溶液在室温下搅拌1小时，并且在70℃下搅拌2小时。在反应完成后，将反应产物用氯化铵和水缓慢洗涤，并且用二乙醚洗涤三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得7.8g的中间体290a。(产率：58％)
9-2.中间体290b的合成
在微波(Mutiwave 7000,Anton-Paar Korea Co.,Ltd.)中制备包含中间体290a(1.0当量)、苯胺(10.0当量)和MsOH(9.0当量)的反应溶液。将反应溶液在200℃下在63巴的压力下搅拌30分钟。在反应完成后，将反应产物用氢氧化钠和水缓慢洗涤，并且用二乙醚洗涤三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.5g的中间体290b。(产率：31％)
9-3.中间体290c的合成
将中间体290b(1.0当量)、2-(4-溴苯基)双环[2.2.1]庚烷(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.0g的中间体290c。(产率：52％)
9-4.化合物290的合成
将中间体290c(1.0当量)、3-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。在氮气气氛中，将反应溶液在80℃下搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.8g的化合物290。(产率：63％)
合成例10.化合物374的合成
反应方案10
10-1.中间体374a的合成
将中间体290b(1.0当量)、2-溴二苯并[b,d]噻吩(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得2.0g的中间体374a。(产率：49％)
10-2.化合物374的合成
将中间体374a(1.0当量)、3-溴二苯并[b,d]噻吩(1.0当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)和叔丁醇钠(1.5当量)溶解在50mL甲苯中以制备反应溶液。将反应溶液在80℃下在氮气气氛中搅拌1小时。在反应完成后，用水和二乙醚洗涤反应产物三次以获得有机层。将有机层用MgSO4干燥并且然后在减压下干燥。将所得物经历柱色谱法以获得1.8g的化合物374。(产率：81％)
根据合成例合成的化合物的1H NMR(核磁共振)和MS/FAB(质谱/快原子轰击)显示在表1中。
表1
实施例1
作为阳极，将其上具有15Ω/cm2 ITO玻璃的衬底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水中各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。将所得ITO玻璃衬底装载到真空沉积设备上。
将2-TNATA真空沉积在ITO玻璃衬底上以形成具有的厚度的空穴注入层，并且然后将化合物2真空沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层。
将作为主体的9,10-二(萘-2-基)蒽(DNA)和作为掺杂剂的4,4′-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi)以98:2的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射层。
随后，将Alq3沉积在发射层上以形成具有的厚度的电子传输层，并且将作为卤代碱金属的LiF沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且在其上真空沉积Al以形成具有的厚度的LiF/Al电极，从而完成发光装置的制造。
实施例2至实施例10以及比较例1至比较例6
以与实施例1基本上相同的方式制备实施例2至实施例10以及比较例1至比较例6，但在各自的空穴传输层中使用如表2中的不同组成。
施加电压使得每个发光装置的电流密度变为50mA/cm2。通过使用吉时利(Keithley)SMU 236和亮度计PR650各自测量驱动电压(V)、电流密度(mA/cm2)、亮度(cd/m2)、发光效率(cd/A)、发射颜色和半使用寿命(小时(hr)@100mA/cm2)，并且其结果示于表2中。
表2
化合物A
化合物B
化合物C
化合物D
化合物E
从表2中发现，与比较例1至比较例6的发光装置相比，各自包含根据一个或多于一个的实施方案的基于胺的化合物的发光装置具有优异的或适合的驱动电压(V)、发光效率(cd/A)、亮度(cd/m2)和半使用寿命(hr@100mA/cm2)。例如，与比较例1至比较例6的发光装置相比，发现实施例1至实施例10的发光装置具有改善的使用寿命。
根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案，本公开内容的基于胺的化合物的使用可以能够制造具有高发光效率和长使用寿命的发光装置以及包含发光装置的高品质电子设备。
在本公开内容中，单数的表述可以包括复数的表述，除非上下文另外明确指出。应进一步理解，术语“包括(comprise(s))”、“包含(include(s))”或“具有(have/has)”当用于本公开内容时，指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。本文使用的“/”可以根据情况被解释为“和”或“或”。
遍及本公开内容，当提及将诸如层、膜、区或板的组件“置于”另一组件上时，应理解，其可以直接置于另一组件上，或者可以将另一组件插置在其间。在一些实施方案中，“直接在......上”可以是指在层、膜、区、板等与其它部分之间没有额外的层、膜、区、板等。例如，“直接在......上”可以是指设置两个层或两个构件，而在其间没有使用额外的构件，例如粘合构件。
在本公开内容中，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述一个或多于一个的元件、组件、区和/或层，但这些元件、组件、区和/或层不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个组件与另一个组件。
如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”、“一(one)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外，“可以”的使用当描述本公开内容的实施方案时是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”。
在本公开内容中，当颗粒是球形时，“直径”表示颗粒直径或平均颗粒直径，并且当颗粒是非球形时，“直径”表示长轴长度或平均长轴长度。可以使用扫描电子显微镜或粒度分析仪测量颗粒的直径(或尺寸)。作为粒度分析仪，可以使用例如HORIBA、LA-950激光粒度分析仪。当使用粒度分析仪测量颗粒的尺寸时，平均颗粒直径(或尺寸)被称为D50。D50是指其累积体积对应于颗粒尺寸分布(例如，累积分布)中的50体积％的颗粒的平均直径(或尺寸)，并且是指在以最小颗粒尺寸至最大颗粒尺寸的顺序累积的分布曲线中当颗粒的总数是100％时，对应于距最小颗粒50％的颗粒尺寸的值。
如本文使用，术语“基本上”、“约”或类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文使用的“约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限度)确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本说明书中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。
可以使用任何适合的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文描述的本公开内容的实施方案的发光装置、显示装置、电子设备、电子装备或任何其它相关的装置或组件。例如，装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带式封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或多于一个的计算装置中的一个或多于一个的处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文描述的各种功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应认识，在不背离本公开内容的实施方案的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多于一个的其它计算装置分布。
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由所附权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的一种或多于一种的适合的改变。

Claims (19)

1.发光装置，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；
在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及
由式1表示的基于胺的化合物：
式1
其中，在式1中，
n是0至5的整数，
L1至L3各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
a1至a3各自独立地是0至3的整数，
当a1是0时，*-(L1)a1-*′是单键，
当a2是0时，*-(L2)a2-*′是单键，
当a3是0时，*-(L3)a3-*′是单键，
Ar1和Ar2各自独立地包括由式1-1表示的基团、由式1-2表示的基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
其中，在式1-1和式1-2中，
Z1是O、S、P(R3)、C(R3)(R4)、C(R3)H、CH2、Si(R3)(R4)、Si(R3)H或SiH2，
Z2是P、C(R3)、CH、Si(R3)或SiH，
CY1和CY2各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
b1和b2各自独立地是0至5的整数，
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
T1、R1、R2、R3、R4和R10a各自独立地是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，以及
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地是：
氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
n10a是0至10的整数。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层包括所述由式1表示的基于胺的化合物。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，
所述中间层进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，
所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，以及
所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。
4.如权利要求3所述的发光装置，其中所述空穴传输区包含所述由式1表示的基于胺的化合物。
5.如权利要求3所述的发光装置，其中所述空穴传输层包含所述由式1表示的基于胺的化合物。
6.如权利要求3所述的发光装置，进一步包括
第一覆盖层、第二覆盖层、或所述第一覆盖层和所述第二覆盖层，其中
所述第一覆盖层在所述第一电极的表面上，和/或
所述第二覆盖层在所述第二电极的表面上。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层旨在发射蓝色光。
8.电子设备，包括根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置。
9.电子装备，包括权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其中所述电子装备是选自平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内照明设备、户外照明设备、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、移动电话、平板电脑、平板电话、个人数字助理、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、交通工具、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕、体育场屏幕、光疗装置和标志牌中的至少一种。
10.由式1表示的基于胺的化合物：
式1
其中，在式1中，
n是0至5的整数，
L1至L3各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
a1至a3各自独立地是0至3的整数，
当a1是0时，*-(L1)a1-*′是单键，
当a2是0时，*-(L2)a2-*′是单键，
当a3是0时，*-(L3)a3-*′是单键，
Ar1和Ar2各自独立地包括由式1-1表示的基团、由式1-2表示的基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
其中，在式1-1和式1-2中，
Z1是O、S、P(R3)、C(R3)(R4)、C(R3)H、CH2、Si(R3)(R4)、Si(R3)H或SiH2，
Z2是P、C(R3)、CH、Si(R3)或SiH，
CY1和CY2各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
b1和b2各自独立地是0至5的整数，
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，
T1、R1、R2、R3、R4和R10a各自独立地是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，以及
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地是：
氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
n10a是0至10的整数。
11.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中n是0至2的整数。
12.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中，
在式1中，由表示的部分的A值等于或小于T1的A值，
其中A值是较高能量构象与较低能量构象之间的吉布斯自由能差。
13.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中a1、a2和a3的总和是1或大于1。
14.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中选自L1、L2和L3中的至少一个是未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、未取代的或被至少一个R10a取代的萘基团、未取代的或被至少一个R10a取代的芴基团、未取代的或被至少一个R10a取代的二苯并呋喃基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的二苯并噻吩基团的二价基团，R10a与式1中定义的相同。
15.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中选自L1、L2和L3中的至少一个是由式1-6-1至式1-6-3表示的基团：
以及
其中，在式1-6-1至式1-6-3中，
R10a与式1中定义的相同，
n10b是0至4的整数，以及
*和*′各自是与相邻原子的结合位点。
16.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中
所述基于胺的化合物满足条件i)和条件ii)中的一个：
i)选自Ar1和Ar2中的至少一个包括所述由式1-1表示的基团或所述由式1-2表示的基团；
ii)Ar1和Ar2各自不包含所述由式1-1表示的基团和所述由式1-2表示的基团。
17.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地包括环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、双环庚烷基团、金刚烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团、茚并蒽基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团。
18.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中T1和L3包括相同的基团。
19.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中T1包括异丙基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、双环庚烷基团、金刚烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团。
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