CN118194612B - Emi滤波器自动生成方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供EMI滤波器自动生成方法及装置,其中所述EMI滤波器自动生成方法包括:S101采集被试设备的电磁特征信息;S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。实现自动化的EMI滤波器的设计,且通过EMI滤波器信息表,使用户可以基于自身需求进行EMI滤波器选择,便于工程使用的灵活度。
Description
技术领域
本申请涉及电磁兼容技术领域,特别涉及一种EMI滤波器自动生成方法。本申请同时涉及一种EMI滤波器自动生成装置、一种计算设备,以及一种计算机可读存储介质。
背景技术
EMI滤波器是用于抑制电子设备,特别是开关电源电磁发射的滤波器。如果只考虑功能设计,随着开关器件的大量应用,电子设备特别是开关电源几乎必然会导致电磁传导发射超标问题。因此,一种常用的方法是在被试设备(以下简称EUT)电路端口增加EMI滤波器,既不影响其正常功能性能指标,又可以有效的降低其电磁传导发射的影响。
EMI滤波器的主要性能指标是插入损耗,参考GB/T 7343《无源EMC滤波器件抑制特性的测量方法》规定,而为了选用或设计合适的EMI滤波器,主要是为了插入损耗满足要求。现有技术中提出,可以在EUT设计时,根据其电路情况针对性的确定滤波器的电路参数和布局。虽然这种方法理论上较为理想,但是实际中很难实施。一方面由于EUT设计时,设计师更关注功能性能指标而忽略其电磁传导发射的设计;另一方面,由于EMI滤波器的使用效果与EUT的端口源阻抗紧密相关,但在电路设计时,很难确定EUT端口的噪声源阻抗,因此一般只能使用固定数值的阻抗进行设计,导致部分滤波器设计的偏差很大,其电磁传导发射抑制效果受到较大的影响;同时,很多EUT或EUT中的关键电路模块是直接采购的货架产品,并不能获得详细的电路参数,无法直接进行针对性的EMI滤波器设计。
除上述方法外,可以在EUT完成设计后,根据其电磁传导发射测试情况,选用或针对性设计满足要求的EMI滤波器。这种方法可以采用试错法开展,主要是各EMI滤波器厂商,按照相应标准规定,给出EMI滤波器的功能性能指标,并提供滤波器给设备厂商或试验方,在发现EUT电磁传导发射超标时依次选用,测试滤波器的衰减系数是否满足要求;同时,部分设备厂商或试验方,可能也具备使用电阻、电容、电感等分立器件进行现场试验,选择可用的器件组合,改变不同的滤波器参数,形成EMI滤波器设计方案。虽然试错法的原理较为简单,但是可能耗费大量的时间,且选择的滤波器存在导致过设计的弊端,进而使得资源浪费。
除了试错法外,在EUT完成设计后,根据其电磁传导发射测试情况,选用或针对性设计满足要求的EMI滤波器,也可以采用电磁仿真的方式开展。但现有的方法使用的主要是元器件的理论值或理想值,并未基于器件的寄生参数做到精细化设计,也未考虑其成本、体积、重量等情况,设计得到的滤波器可能满足电磁传导发射抑制要求,但未考虑是否满足成本、体积、重量等要求。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供了一种EMI滤波器自动生成方法,以解决现有技术中存在的技术缺陷。本申请实施例同时提供了一种EMI滤波器自动生成装置,一种计算设备,以及一种计算机可读存储介质。
根据本申请实施例的第一方面,提供了一种EMI滤波器自动生成方法,包括:
S101采集被试设备的电磁特征信息;
S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;
S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;
S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;
S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。
可选地,所述根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值包括:
确定所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、所述被试设备的标准限值,以及预设的设计裕度值;
计算所述电磁发射频谱数据与所述标准限值的差值,并将计算结果与所述设计裕度值相加,得到所述插入损耗需求值,其中,当所述插入损耗需求值小于0,将所述插入损耗需求值赋值为0。
可选地,所述根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑包括:
当所述插入损耗需求值不为0,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择所述目标电路拓扑;
当所述插入损耗需求值为0,将预设的空集信息写入所述EMI滤波器信息表,并执行步骤S105。
可选地,所述根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑包括:
根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值;
根据所述差模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标差模电路拓扑,并根据所述共模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标共模电路拓扑,其中,所述目标差模电路拓扑与所述目标共模电路拓扑组成所述目标电路拓扑。
可选地,所述基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合包括:
基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到预选电路组合;
确定所述电磁特征信息中包含的,所述被试设备的额定电气数据;
选择包含的电路器件的额定电气数据,大于所述被试设备的额定电气数据的所述预选电路组合,作为所述备选电路组合。
可选地,所述计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合包括:
根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值;
当所述插入损耗值大于所述插入损耗需求值,将所述备选电路组合作为所述目标电路组合。
可选地,所述根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值包括:
根据所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,通过ABCD网络级联的公式,计算所述备选电路组合的ABCD参数矩阵值;
根据所述ABCD参数矩阵值、所述电磁发射频谱数据、所述端口阻抗频率数据以及所述线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,通过射频微波的网络分析法,计算所述插入损耗值。
根据本申请实施例的第二方面,提供了一种EMI滤波器自动生成装置,包括:
采集模块,被配置为采集被试设备的电磁特征信息;
结构选择模块,被配置为根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;
组合选择模块,被配置为基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;
写入模块,被配置为计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;
反馈模块,被配置为反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。
根据本申请实施例的第三方面,提供了一种计算设备,包括:
存储器和处理器;
所述存储器用于存储计算机可执行指令,所述处理器执行所述计算机可执行指令时实现所述EMI滤波器自动生成方法的步骤。
根据本申请实施例的第四方面,提供了一种计算机可读存储介质,其存储有计算机可执行指令,该指令被处理器执行时实现所述EMI滤波器自动生成方法的步骤。
根据本申请实施例的第五方面,提供了一种芯片,其存储有计算机程序,该计算机程序被芯片执行时实现所述EMI滤波器自动生成方法的步骤。
本申请提供的EMI滤波器自动生成方法,通过S101采集被试设备的电磁特征信息;S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。实现更加准确的插入损耗计算,自动化的设计EMI滤波器,并获得EMI滤波器的成本、体积、重量等更多的设计信息,使用户可以基于自身需求进行EMI滤波器选择,便于工程使用的灵活度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图做简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
图1是本申请一实施例提供的一种EMI滤波器自动生成方法的流程图;
图2是本申请一实施例提供的一种EMI滤波器自动生成方法的差模EMI滤波器可用的拓扑形式示意图;
图3是本申请一实施例提供的一种EMI滤波器自动生成方法的共模EMI滤波器可用的拓扑形式示意图;
图4是本申请一实施例提供的一种EMI滤波器自动生成装置的结构示意图;
图5是本申请一实施例提供的一种计算设备的结构框图。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广,因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
在本申请一个或多个实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请一个或多个实施例。在本申请一个或多个实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本申请一个或多个实施例中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解,尽管在本申请一个或多个实施例中可能采用术语第一、第二等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本申请一个或多个实施例范围的情况下,第一也可以被称为第二,类似地,第二也可以被称为第一。
首先,对本发明一个或多个实施例涉及的名词术语进行解释。
EMI滤波器:由串联电抗器和并联电容器组成的低通滤波电路,其作用是允许设备正常工作时的频率信号进入设备,而对高频的干扰信号有较大的阻碍作用。
电磁传导发射:开关电源的开关频率、谐波、整流谐波等,以及在开关转换中固有的高速电流和电压瞬变,均可产生干扰发射。电源本身产生的噪声也可通过传导方式直接影响用电设备,噪声返回电网,对公用电源的其他电子产品造成影响。同时由于电场或磁场耦合,如果电源线深入机箱过长,干扰也会沿电源线向外传导。
插入损耗:某些器件或分支电路(滤波器、阻抗匹配器等)加进某一电路时,能量或增益的损耗。
源阻抗:也称为输出阻抗,是指信号源或电源内部对下级负载(输入阻抗)呈现的信号提供能力。
衰减系数:在带通滤波器的无穷远截止频率(即通带带限的两端对应的频率)附近,滤波器对频率的信号进行的抑制程度。简单来说,衰减系数越大,滤波器对信号的抑制就越强。
LISN:线路阻抗稳定网络。LISN是电磁兼容测试中的一项重要辅助设备。它可以隔离来自外界的电磁传导发射干扰,提供稳定的测试阻抗。
设计裕度:是指设计中留有一定余地的程度,允许有一定的设计误差。
在本申请中,提供了一种EMI滤波器自动生成方法。本申请同时涉及一种EMI滤波器自动生成装置、一种计算设备,以及一种计算机可读存储介质,在下面的实施例中逐一进行详细说明。
图1示出了根据本申请一实施例提供的一种EMI滤波器自动生成方法的流程图,具体包括以下步骤:
S101采集被试设备的电磁特征信息;
S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;
S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;
S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;
S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。
其中,被试设备为受到电磁传导发射影响的设备,需要增添EMI滤波器以保障设备的正常运行,又以EUT作为简称。电磁特征信息包括,EUT的差模和共模电磁传导发射频谱数据,EUT的差模和共模端口阻抗频率数据,LISN的差模和共模端口阻抗频率数据,EUT的额定电压、额定电流、标准限值,以及EMI滤波器的设计裕度等其他信息,电磁特征信息包含具体的信息类型由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
此外,插入损耗需求值为被试设备所需的插入损耗值,即满足正常运行情况下,所要满足的插入损耗限制。EMI滤波器电路拓扑集被存储在相关数据库中,其中包含的EMI滤波器电路结构,又被分为差模与共模两个方面,其中差模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,如图2提供的一种EMI滤波器自动生成方法的差模EMI滤波器可用的拓扑形式示意图所示,共模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,如图3提供的一种EMI滤波器自动生成方法的共模EMI滤波器可用的拓扑形式示意图所示,需要说明的是,图2与图3中提供的电路结构的拓扑形式仅为部分示例,EMI滤波器电路结构的拓扑形式应由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
基于此,采集被试设备的电磁特征信息的过程,可以由用户导入被试设备的电磁特征信息完成,具体的电磁特征信息,用户可参考相应标准、专利文件、论文、试验测试结果等确定,具体的电磁特征信息确定过程由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
之后,通过电磁特征信息计算被试设备的插入损耗需求值,其中插入损耗需求值包含差模的插入损耗需求值与共模的插入损耗需求值,之后根据差模的插入损耗需求值与共模的插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑,具体的,若根据差模的插入损耗需求值得知,被试设备需要设置差模的EMI滤波器,则从预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择差模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,作为目标电路拓扑,同样的,若根据共模的插入损耗需求值得知,被试设备需要设置共模的EMI滤波器,则从预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择共模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,作为目标电路拓扑。需要说明的是,差模和共模的EMI滤波器设置并不冲突,存在被试设备即需要设置差模的EMI滤波器,又需要共模的EMI滤波器的情况。
之后根据目标电路拓扑中存在的电路器件,如电容、电感、电阻等,在预设的电路器件集中,选择与目标电路拓扑中包含的电路器件类型一致的的电路器件,需要说明的是目标电路拓扑中包含的具体的电路器件类型由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。此外,EMI滤波器电路拓扑集与电路器件集中的包含的相关数据存储在相关数据库中,二者可以存储在相同的数据库,也可以分别存储在不同的数据库,具体的存储形式由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
在确定了备选电路组合后,计算备选电路组合的插入损耗值,将计算结果中满足EMI滤波器设计需求的备选电路组合作为目标电路组合,并将目标电路组合的电路信息,如总体价格成本、重量、体积等写入EMI滤波器信息表,需要说明的是,电路信息中包含的具体信息类型由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。在全部的目标电路组合确定后,将EMI滤波器信息表反馈,供用户基于自身需求进行选择。
综上,通过S101采集被试设备的电磁特征信息;S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。实现更加准确的插入损耗计算,自动化的设计EMI滤波器,并获得EMI滤波器的成本、体积、重量等更多的设计信息,使用户可以基于自身需求进行EMI滤波器选择,便于工程使用的灵活度。
进一步的,计算被试设备的插入损耗需求值的过程,在本实施中,具体实现方式如下:
确定所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、所述被试设备的标准限值,以及预设的设计裕度值;计算所述电磁发射频谱数据与所述标准限值的差值,并将计算结果与所述设计裕度值相加,得到所述插入损耗需求值,其中,当所述插入损耗需求值小于0,将所述插入损耗需求值赋值为0。
其中,电磁发射频谱数据分为差模电磁发射频谱数据与共模电磁发射频谱数据。
基于此,计算插入损耗需求值的过程也分为计算差模插入损耗需求值,和计算共模插入损耗需求值。若差模电磁发射频谱数据为CEDM(f),共模电磁发射频谱数据为CECM(f),标准限值为CESTD(f),设计裕度值为Dmargin,那么差模插入损耗需求值ILDM(f)和共模插入损耗需求值ILCM(f)的计算公式如下:
ILDM(f)=max{CEDM(f)-CESTD(f)+Dmargin,0};
ILCM(f)=max{CECM(f)-CESTD(f)+Dmargin,0}。
需要说明的是,标准限值可以为用户基于自身需求进行设定,也可以是参考现有的标准,如GJB 151B-2013《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量》中CE102的标准等进行设定的,具体的标准限制确定方法由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。此外,设计裕度值由用户基于自身的需求设定,单位为分贝(dB),其具体数值由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
进一步的,选择目标电路拓扑的过程,在本实施例中,具体实现方式如下:
当所述插入损耗需求值不为0,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择所述目标电路拓扑;当所述插入损耗需求值为0,将预设的空集信息写入所述EMI滤波器信息表,并执行步骤S105。
其中,判断插入损耗需求值为0,可以分为判断差模插入损耗需求值的有频点为0,和共模插入损耗需求值的有频点为0,当差模插入损耗需求值的有频点与共模插入损耗需求值的有频点均为0的情况下,则表明被试设备无需装配EMI滤波器。
基于此,若被试设备无需设置EMI滤波器,则将预设的空集信息写入EMI滤波器信息表,之后将该EMI滤波器信息表反馈,用户即可得知当前的被试设备无需装配EMI滤波器。
进一步的,在确定差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值后,需要根据差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值分别确定对应的目标电路拓扑,在本实施例中,具体实现方式如下:
根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值;根据所述差模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标差模电路拓扑,并根据所述共模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标共模电路拓扑,其中,所述目标差模电路拓扑与所述目标共模电路拓扑组成所述目标电路拓扑。
其中,目标差模电路拓扑为,EMI滤波器电路拓扑集中差模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,如图2提供的一种EMI滤波器自动生成方法的差模EMI滤波器可用的拓扑形式示意图所示,目标共模电路拓扑为,EMI滤波器电路拓扑集中共模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,如图3提供的一种EMI滤波器自动生成方法的共模EMI滤波器可用的拓扑形式示意图所示,需要说明的是,图2与图3中提供的电路结构的拓扑形式仅为部分示例,目标差模电路拓扑与目标共模电路拓扑实际包含的拓扑形式由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
基于此,计算得到差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值之后,通过分别判断差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值的有频点是否为0,当差模插入损耗需求值的有频点为0时,自EMI滤波器电路拓扑集中选择差模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,作为目标差模电路拓扑,同样的,当共模插入损耗需求值的有频点为0时,自EMI滤波器电路拓扑集中选择共模的EMI滤波器电路结构的拓扑形式,作为目标共模电路拓扑,需要说明的是,存在差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值的有频点只有一个不为0的情况,这种情况下对应的目标差模电路拓扑或目标共模电路拓扑作为目标电路拓扑,还存在差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值的有频点都不为0的情况,这种情况下,将目标差模电路拓扑和目标共模电路拓扑都作为目标电路拓扑,最后,存在差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值的有频点都为0的情况,这种情况在上述的实施例中已经说明,本实施例不再赘述。
进一步的,根据目标电路拓扑选取相应的电路器件,得到备选电路组合的过程,在本实施例中,具体实现方式如下:
基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到预选电路组合;确定所述电磁特征信息中包含的,所述被试设备的额定电气数据;选择包含的电路器件的额定电气数据,大于所述被试设备的额定电气数据的所述预选电路组合,作为所述备选电路组合。
其中,电路器件集中包含了各种不同参数的相应的电路器件,如不同的电阻值的电阻,不同额定功率的电阻,不同重量的电阻,不同电容值的电容等,具体的带匹配电路器件种类由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
基于此,目标电路拓扑中包含的EMI滤波器电路结构的拓扑形式不止一种,此时将各个EMI滤波器电路结构的拓扑形式,依次进行相应的电路器件的选取,在对一个确定的EMI滤波器电路结构的拓扑形式进行相应的电路器件选取的过程中,需要依次将电路器件集中,与EMI滤波器电路结构的拓扑形式中包含的电路器件类型一致的电路器件进行选取,如EMI滤波器电路结构的拓扑形式中包含一个电阻R,此时将电路器件集中的全部电阻R1、R2、……Rn依次选取。
此外,在得到预选电路组合后,确定被试设备的额定电气数据,其中额定电气数据包括额定电压、额定电流、额定功率等,其中额定电气数据中包含的数据类型不唯一,具体的数据类型由实际使用场景决定,本实施例不进行限定。
随后将被试设备的额定电气数据,与预选电路组合中包含的电路器件的额定电气数据进行对比,根据对比结果判断该预选电路组合是否为备选电路组合,具体的,若额定电气数据中只包含额定电压、额定电流,那么判断预选电路组合中包含的相应的电路器件的额定电压,是否都大于被试设备的额定电压,并判断预选电路组合中包含的相应的电路器件的额定电流,是否都大于被试设备的额定电流,在都大于的情况下,即可确定该预选电路组合为备选电路组合,反之由任意一项小于,则将该预选电路组合舍弃。
综上,通过预选电路组合中包含的电路器件的额定电气数据,与被试设备的额定电气数据进行对比,确定满足基本基本电气要求的预选电路组合,实现了初步的筛选。
进一步的,选择目标电路组合的过程,在本实施例中,具体实现方式如下:
根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值;当所述插入损耗值大于所述插入损耗需求值,将所述备选电路组合作为所述目标电路组合。
其中,备选电路组合的插入损耗值也同样分为差模插入损耗值和共模插入损耗值,当备选电阻组合对应目标差模电路拓扑的情况下,备选电路的插入损耗值为差模插入损耗值,当备选电阻组合对应目标共模电路拓扑的情况下,备选电路的插入损耗值为共模插入损耗值。
基于此,通过备选电路组合对应的目标电路拓扑类型,确定插入损耗值为差模插入损耗值或共模插入损耗值,若对应目标差模电路拓扑,则备选电路组合的插入损耗值为差模插入损耗值,则将该差模插入损耗值与被试设备的差模插入损耗需求值进行对比,若差模插入损耗值大于差模插入损耗需求值,则该备选电路组合作为目标电路组合,反之若小于,则将该备选电路组合舍弃,继续判断下一备选电路组合,直至全部备选电路组合判断完成。
同样的,若备选电路组合对应目标共模电路拓扑,则备选电路组合的插入损耗值为共模插入损耗值,则将该共模插入损耗值与被试设备的共模插入损耗需求值进行对比,若共模插入损耗值大于共模插入损耗需求值,则该备选电路组合作为目标电路组合,反之若小于,则将该备选电路组合舍弃,继续判断下一备选电路组合,直至全部备选电路组合判断完成。
进一步的,计算备选电路组合的插入损耗值的过程,在本实施例中,具体实现方式如下:
根据所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,通过ABCD网络级联的公式,计算所述备选电路组合的ABCD参数矩阵值;根据所述ABCD参数矩阵值、所述电磁发射频谱数据、所述端口阻抗频率数据以及所述线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,通过射频微波的网络分析法,计算所述插入损耗值。
其中,根据备选电路组合的阻抗频率特性曲线,以及备选电路组合的拓扑结构,通过ABCD网络级联的公式,计算出备选电路组合的ABCD参数矩阵值、、以及。
基于此,备选电路组合对应目标差模电路拓扑的情况下,则计算备选电路组合的差模插入损耗值,其中若电路组合的阻抗频率特性曲线为Zc(f),被试设备的差模电磁发射频谱数据为CEDM(f),被试设备的差模端口阻抗频率数据为Zsdm(f),被试设备的差模线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据为Zldm(f),那么备选电路组合的差模插入损耗值ILDM_D(f)计算公式如下:
,
同样的,备选电路组合对应目标共模电路拓扑的情况下,则计算备选电路组合的共模插入损耗值,其中若电路组合的阻抗频率特性曲线为Zc(f),被试设备的共模电磁发射频谱数据为CECM(f),被试设备的共模端口阻抗频率数据为Zscm(f),被试设备的共模线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据为Zlcm(f),那么备选电路组合的共模插入损耗值ILDM_C(f)的计算公式如下:
。
在计算出备选电路组合的插入损耗值后,与被试设备的插入损耗需求值进行对比,根据对比结果,确定目标电路组合,将目标电路组合的电路信息,即目标电路组合中包含的相应的电路器件的价格成本、重量、体积等信息写入EMI滤波器信息表,此外还可以将目标电路组合中包含的相应的电路器件的价格成本,基于自定义的加权求和公式进行求和,得到总价格成本,同样的计算总重量、总体积等信息,并将总价格成本、总重量、总体积等信息写入EMI滤波器信息表。
与上述方法实施例相对应,本申请还提供了EMI滤波器自动生成装置实施例,图4示出了本申请一实施例提供的一种EMI滤波器自动生成装置的结构示意图。如图4所示,该装置包括:
采集模块402,被配置为采集被试设备的电磁特征信息;
结构选择模块404,被配置为根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;
组合选择模块406,被配置为基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;
写入模块408,被配置为计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;
反馈模块410,被配置为反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。
一个可选的实施例中,所述结构选择模块404进一步被配置为:
确定所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、所述被试设备的标准限值,以及预设的设计裕度值;计算所述电磁发射频谱数据与所述标准限值的差值,并将计算结果与所述设计裕度值相加,得到所述插入损耗需求值,其中,当所述插入损耗需求值小于0,将所述插入损耗需求值赋值为0。
一个可选的实施例中,所述结构选择模块404进一步被配置为:
当所述插入损耗需求值不为0,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择所述目标电路拓扑;当所述插入损耗需求值为0,将预设的空集信息写入所述EMI滤波器信息表,并反馈模块410。
一个可选的实施例中,所述结构选择模块404进一步被配置为:
根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值;根据所述差模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标差模电路拓扑,并根据所述共模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标共模电路拓扑,其中,所述目标差模电路拓扑与所述目标共模电路拓扑组成所述目标电路拓扑。
一个可选的实施例中,所述组合选择模块406进一步被配置为:
基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到预选电路组合;确定所述电磁特征信息中包含的,所述被试设备的额定电气数据;选择包含的电路器件的额定电气数据,大于所述被试设备的额定电气数据的所述预选电路组合,作为所述备选电路组合。
一个可选的实施例中,所述写入模块408进一步被配置为:
根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值;当所述插入损耗值大于所述插入损耗需求值,将所述备选电路组合作为所述目标电路组合。
一个可选的实施例中,所述写入模块408进一步被配置为:
根据所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,通过ABCD网络级联的公式,计算所述备选电路组合的ABCD参数矩阵值;根据所述ABCD参数矩阵值、所述电磁发射频谱数据、所述端口阻抗频率数据以及所述线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,通过射频微波的网络分析法,计算所述插入损耗值。
本申请提供的EMI滤波器自动生成装置,通过S101采集被试设备的电磁特征信息;S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑;S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合;S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备。实现更加准确的插入损耗计算,自动化的设计EMI滤波器,并获得EMI滤波器的成本、体积、重量等更多的设计信息,使用户可以基于自身需求进行EMI滤波器选择,便于工程使用的灵活度。
上述为本实施例的一种EMI滤波器自动生成装置的示意性方案。需要说明的是,该EMI滤波器自动生成装置的技术方案与上述的EMI滤波器自动生成方法的技术方案属于同一构思,EMI滤波器自动生成装置的技术方案未详细描述的细节内容,均可以参见上述EMI滤波器自动生成方法的技术方案的描述。此外,装置实施例中的各组成部分应当理解为实现该程序流程各步骤或该方法各步骤所必须建立的功能模块,各个功能模块并非实际的功能分割或者分离限定。由这样一组功能模块限定的装置权利要求应当理解为主要通过说明书记载的计算机程序实现该解决方案的功能模块构架,而不应当理解为主要通过硬件方式实现该解决方案的实体装置。
图5示出了根据本申请一实施例提供的一种计算设备500的结构框图。该计算设备500的部件包括但不限于存储器510和处理器520。处理器520与存储器510通过总线530相连接,数据库550用于保存数据。
计算设备500还包括接入设备540,接入设备540使得计算设备500能够经由一个或多个网络560通信。这些网络的示例包括公用交换电话网(PSTN)、局域网(LAN)、广域网(WAN)、个域网(PAN)或诸如因特网的通信网络的组合。接入设备540可以包括有线或无线的任何类型的网络接口(例如,网络接口卡(NIC))中的一个或多个,诸如IEEE802.11无线局域网(WLAN)无线接口、全球微波互联接入(Wi-MAX)接口、以太网接口、通用串行总线(USB)接口、蜂窝网络接口、蓝牙接口、近场通信(NFC)接口,等等。
在本申请的一个实施例中,计算设备500的上述部件以及图5中未示出的其他部件也可以彼此相连接,例如通过总线。应当理解,图5所示的计算设备结构框图仅仅是出于示例的目的,而不是对本申请范围的限制。本领域技术人员可以根据需要,增添或替换其他部件。
计算设备500可以是任何类型的静止或移动计算设备,包括移动计算机或移动计算设备(例如,平板计算机、个人数字助理、膝上型计算机、笔记本计算机、上网本等)、移动电话(例如,智能手机)、可佩戴的计算设备(例如,智能手表、智能眼镜等)或其他类型的移动设备,或者诸如台式计算机或PC的静止计算设备。计算设备500还可以是移动式或静止式的服务器。
其中,处理器520用于执行所述EMI滤波器自动生成方法任意步骤的计算机可执行指令。
上述为本实施例的一种计算设备的示意性方案。需要说明的是,该计算设备的技术方案与上述的EMI滤波器自动生成方法的技术方案属于同一构思,计算设备的技术方案未详细描述的细节内容,均可以参见上述EMI滤波器自动生成方法的技术方案的描述。
本申请一实施例还提供一种计算机可读存储介质,其存储有计算机指令,该指令被处理器执行时以用于实现EMI滤波器自动生成方法的步骤。
上述为本实施例的一种计算机可读存储介质的示意性方案。需要说明的是,该存储介质的技术方案与上述的实现EMI滤波器自动生成方法的技术方案属于同一构思,存储介质的技术方案未详细描述的细节内容,均可以参见上述实现EMI滤波器自动生成方法的技术方案的描述。
本申请一实施例还提供一种芯片,其存储有计算机程序,该计算机程序被芯片执行时实现所述实现EMI滤波器自动生成方法的步骤。
上述对本申请特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的 范围内。在一些情况下,在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外,在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中,多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
所述计算机指令包括计算机程序代码,所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括:能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是,所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减,例如在某些司法管辖区,根据立法和专利实践,计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简便描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请,某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定都是本申请所必须的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
以上公开的本申请优选实施例只是用于帮助阐述本申请。可选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本申请的内容,可作很多的修改和变化。本申请选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本申请的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本申请。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (5)
1.一种EMI滤波器自动生成方法,其特征在于,包括:
S101采集被试设备的电磁特征信息;
S102根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑,具体的,确定所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、所述被试设备的标准限值,以及预设的设计裕度值;计算所述电磁发射频谱数据与所述标准限值的差值,并将计算结果与所述设计裕度值相加,得到所述插入损耗需求值,其中,当所述插入损耗需求值小于0,将所述插入损耗需求值赋值为0;当所述插入损耗需求值不为0,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择所述目标电路拓扑;当所述插入损耗需求值为0,将预设的空集信息写入所述EMI滤波器信息表,并执行步骤S105,其中,目标电路拓扑的数量不唯一,所述插入损耗需求值分为差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值,根据所述插入损耗需求值的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑的过程为,根据所述差模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标差模电路拓扑,并根据所述共模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标共模电路拓扑,所述目标差模电路拓扑与所述目标共模电路拓扑组成所述目标电路拓扑;
S103基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合,具体的,基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到预选电路组合;确定所述电磁特征信息中包含的,所述被试设备的额定电气数据;选择包含的电路器件的额定电气数据,大于所述被试设备的额定电气数据的所述预选电路组合,作为所述备选电路组合;
S104计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,具体的,根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值;当所述插入损耗值大于所述插入损耗需求值,将所述备选电路组合作为所述目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;
S105反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备,其中,所述电路信息包括总体价格成本、重量、体积,所述目标电路组合的数量不唯一。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值,包括:
根据所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,通过ABCD网络级联的公式,计算所述备选电路组合的ABCD参数矩阵值;
根据所述ABCD参数矩阵值、所述电磁发射频谱数据、所述端口阻抗频率数据以及所述线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,通过射频微波的网络分析法,计算所述插入损耗值。
3.一种EMI滤波器自动生成装置,其特征在于,包括:
采集模块,被配置为采集被试设备的电磁特征信息;
结构选择模块,被配置为根据所述电磁特征信息,计算所述被试设备的插入损耗需求值,并根据所述插入损耗需求值,在预设的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑,具体的,确定所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、所述被试设备的标准限值,以及预设的设计裕度值;计算所述电磁发射频谱数据与所述标准限值的差值,并将计算结果与所述设计裕度值相加,得到所述插入损耗需求值,其中,当所述插入损耗需求值小于0,将所述插入损耗需求值赋值为0;当所述插入损耗需求值不为0,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择所述目标电路拓扑;当所述插入损耗需求值为0,将预设的空集信息写入所述EMI滤波器信息表,并执行步骤S105,其中,目标电路拓扑的数量不唯一,所述插入损耗需求值分为差模插入损耗需求值和共模插入损耗需求值,根据所述插入损耗需求值的EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标电路拓扑的过程为,根据所述差模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标差模电路拓扑,并根据所述共模插入损耗需求值,在所述EMI滤波器电路拓扑集中,选择目标共模电路拓扑,所述目标差模电路拓扑与所述目标共模电路拓扑组成所述目标电路拓扑;
组合选择模块,被配置为基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到备选电路组合,具体的,基于所述目标电路拓扑,在预设的电路器件集中,依次选择相应的电路器件,得到预选电路组合;确定所述电磁特征信息中包含的,所述被试设备的额定电气数据;选择包含的电路器件的额定电气数据,大于所述被试设备的额定电气数据的所述预选电路组合,作为所述备选电路组合;
写入模块,被配置为计算所述备选电路组合的插入损耗值,并根据计算结果确定目标电路组合,具体的,根据所述电磁特征信息中包含的电磁发射频谱数据、端口阻抗频率数据以及线路阻抗稳定网络端口阻抗频率数据,结合所述备选电路组合的阻抗频率特性曲线,计算所述备选电路组合的插入损耗值;当所述插入损耗值大于所述插入损耗需求值,将所述备选电路组合作为所述目标电路组合,并将所述目标电路组合的电路信息写入预设的EMI滤波器信息表;
反馈模块,被配置为反馈所述EMI滤波器信息表至预设显示设备,其中,所述电路信息包括总体价格成本、重量、体积,所述目标电路组合的数量不唯一。
4.一种计算设备,其特征在于,包括:
存储器和处理器;
所述存储器用于存储计算机可执行指令,所述处理器用于执行所述计算机可执行指令实现权利要求1至2任意一项所述EMI滤波器自动生成方法的步骤。
5.一种计算机可读存储介质,其存储有计算机指令,其特征在于,该指令被处理器执行时实现权利要求1至2任意一项所述EMI滤波器自动生成方法的步骤。
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基于插入损耗的噪声源阻抗修正计算方法;张佳佳 等;电工技术学报;20150215;第30卷(第04期);第80-87页 * |
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