CN118160413A - 具有射束位态调整装置的euv光源 - Google Patents

具有射束位态调整装置的euv光源 Download PDF

Info

Publication number
CN118160413A
CN118160413A CN202180103729.XA CN202180103729A CN118160413A CN 118160413 A CN118160413 A CN 118160413A CN 202180103729 A CN202180103729 A CN 202180103729A CN 118160413 A CN118160413 A CN 118160413A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pulsed laser
mirrors
laser beam
mirror
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180103729.XA
Other languages
English (en)
Inventor
M·兰贝特
B·雷加阿尔德
T·埃尔金
O·施洛瑟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH
Original Assignee
Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH filed Critical Trumpf Laser und Systemtechnik GmbH
Publication of CN118160413A publication Critical patent/CN118160413A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/10Scanning systems
    • G02B26/101Scanning systems with both horizontal and vertical deflecting means, e.g. raster or XY scanners
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

本发明涉及一种EUV光源(1),该EUV光源包括用于提供靶材(4)的提供装置(3)、用于发射至少一个脉冲激光射束(9,10)的至少一个脉冲激光源(5,6)、射束引导装置(7),该射束引导装置用于将所述至少一个脉冲激光射束(9,10)从所述至少一个脉冲激光源(5,6)导引到辐射产生室(2)中并且用于借助所述至少一个脉冲激光射束(9,10)在该辐射产生室(2)内聚焦地照射该靶材(4),其中,该靶材(4)构造为用于由于所述照射而发射EUV辐射(11)。所述射束引导装置(7)具有至少一个射束位态调整装置(14,15)以调整所述至少一个脉冲激光射束(9,10)的空间位态,所述至少一个射束位态调整装置包括呈两个镜对形式的四个镜,其中,所述四个镜可分别围绕恰好一个旋转轴线旋转,并且第一镜对的两个镜的旋转轴线沿第一空间方向定向,第二镜对的两个镜的旋转轴线沿第二空间方向定向。

Description

具有射束位态调整装置的EUV光源
技术领域
本发明涉及一种EUV光源,该EUV光源包括用于提供靶材的提供装置、用于发射至少一个脉冲激光射束的至少一个脉冲激光源、射束引导装置,该射束引导装置用于将所述至少一个脉冲激光射束从所述至少一个脉冲激光源导引到辐射产生室中并且用于在该辐射产生室内借助所述至少一个脉冲激光射束来聚焦地照射该靶材,其中,该靶材构造为用于由于所述照射而发射EUV辐射。
背景技术
EUV光源为用于发射EUV辐射的辐射源。EUV辐射是波长在大约5nm与大约30nm之间的电磁辐射。EUV辐射尤其应用于半导体工业。与目前广泛存在的以UV波长范围内的波长运行的光刻设备相比,将EUV辐射用于微光刻生产使得能够可靠地制造具有显著更小的结构尺寸的部件,并且因此导致相应的性能提高。
开篇提及的EUV光源适合于借助LPP(“Laser Produced Plasma,激光等离子体”)工艺来产生EUV辐射。靶材典型地为金属、尤其是锡,该靶材借助提供装置优选以微滴形式提供。对应的微滴则在辐射产生室、例如真空室内被所述至少一个激光射束的一个或多个激光脉冲照射。在多个激光脉冲的情况下,这些激光脉冲包括例如一个、两个或必要时多于两个的所谓预脉冲和一个所谓主脉冲。该预脉冲或者这些预脉冲用于使微滴为用主脉冲照射做准备,尤其是用于对微滴进行加热、使微滴膨胀、汽化和/或产生等离子体。随后分别借助一个主脉冲对对应的微滴进行的照射用于使靶材转变成等离子体状态,由此导致EUV辐射的发射。
相应地,所述至少一个脉冲激光射束例如可以为至少一个预脉冲激光射束或者主脉冲激光射束。所述至少一个脉冲激光源则例如为至少一个预脉冲激光源或者主脉冲激光源。CO2激光器例如可以用作预脉冲激光源,固体激光器例如可以用作主脉冲激光源。
射束引导装置用于将所述至少一个脉冲激光射束从所述至少一个脉冲激光源导引到辐射产生室中。为此目的,射束引导装置典型地包括多个光学元件、尤其是多个反射光学元件。如果是多个脉冲激光射束,则其射束路径可以彼此独立地延伸或者至少区段地重合。在使用多个预脉冲激光射束的情况下,这些预脉冲激光射束可以至少部分地共线地延伸;但并非必须是这种情况。为聚焦地照射该靶材,射束引导装置还包括至少一个光学元件,借助所述至少一个光学元件来聚焦所述至少一个脉冲激光射束。
从WO 2015/036025 A1已知一种用于EUV辐射产生设备的射束引导装置。在该文献中,利用抛物面镜(Paraboloid-Spiegel)以叠加两个激光射束,这两个激光射束入射到抛物面镜的第一面区域和第二面区域上。在第二激光射束的射束路径中布置有具有两个透镜的望远镜装置,所述两个透镜的距离可调整以改变第二激光射束在垂直于靶材的运动方向的方向上的焦点位置。为改变第二激光射束沿靶材的运动方向的焦点位置,可以使用可倾斜的偏转镜。
发明内容
本发明的任务在于,提供一种开篇提及的类型的EUV光源,该类型的EUV光源允许将经聚焦的至少一个脉冲激光射束准确地定位在靶材上并且调整入射角,并且在此,其特点优选在于在高调整分辨率的同时具有高动态。
发明主题
该任务通过一种开篇提及的类型的EUV光源解决,在该类型的EUV光源的情况下,所述射束引导装置具有至少一个射束位态调整装置以调整所述至少一个脉冲激光射束的空间位态,所述至少一个射束位态调整装置包括呈两个镜对形式的四个镜,其中,所述四个镜可分别围绕恰好一个旋转轴线旋转,并且,第一镜对的两个镜的旋转轴线沿第一空间方向定向,第二镜对的两个镜的旋转轴线沿第二空间方向定向。
在本申请的意义上,激光射束的空间位态理解为激光射束的位置与射束方向的组合。如果假定激光射束与预给定的平面相交,则激光射束的位置可以通过与该平面的交点来描述。因此在总体上,对于该空间位态得出四个自由度:用于描述该激光射束与该平面的交点的两个位置坐标和用于描述射束方向的两个角度。
这四个镜因此可以这样构造,使得可以实现完整的回转或仅在受限的角度范围内的可旋转性。为了镜的旋转,例如可以为每个镜设置单独的驱动装置。在本申请的意义上,镜对理解为由两个镜组成的整体。
借助所述至少一个射束位态调整装置可以有针对性地调整所述至少一个脉冲激光射束的空间位态。因此能够以高精度、典型地微米或更小的精度命中靶材、例如锡微滴,并且同时,以微弧度数量级的精度来调整入射角。这最终导致EUV光源的高效率。
如果借助多个脉冲激光射束照射靶材,则射束引导装置可以具有多个射束位态调整装置。在此,射束位态调整装置中的每个射束位态调整装置可以用于调整脉冲激光射束中的各一个脉冲激光射束的空间位态。也可以是,一个射束位态调整装置用于调整脉冲激光射束中的多个脉冲激光射束的空间位态。然而在后一情况下,不能彼此不相关地调整空间位态。
通过同时调节位置和射束方向,还可以将激光射束的旋转点置于脉冲激光射束的传播方向上的任意点上。换言之,通过调节镜可以使所述至少一个激光射束围绕(在脉冲激光射束的传播方向上的)任意点旋转。除EUV光源中的应用外,这原则上对于其他光学构造也有重要意义,以便例如确保良好的成像品质和光学元件上的更小的孔径。
射束位态调整装置的重要特征参量是以此实现的、脉冲激光射束的空间位态的调整分辨率。在此符合目的是,分开考察对于脉冲激光射束的射束方向和位置的调整分辨率。对于射束方向的调整分辨率通过角度分辨率、即镜旋转的分辨率来预给定并且因此与所使用的驱动装置相关。对于垂直于第一空间方向的脉冲激光射束的位置的调整分辨率由角度分辨率和第一镜对的两个镜之间的距离得出。对于垂直于第二空间方向的脉冲激光射束的位置的调整分辨率相应地由角度分辨率和第二镜对的两个镜之间的距离得出。
与为调整激光射束的射束位态而具有可围绕两个轴线旋转的、可机动地或手动地调节并且由于双轴结构方式仅允许具有在若干赫兹范围内的截止频率的缓慢校准过程的两个镜的设备相反,射束位态调整装置使得能够实现快若干数量级的校准和因此更高的动态。在镜仅仅可围绕一个旋转轴线旋转的情况下,典型地也可以实现较高的角度分辨率,这导致脉冲激光射束的空间位态的相应地更高的调整分辨率。
允许通过可围绕恰好一个旋转轴线旋转的镜对激光射束的射束角度进行调节的设备也被用于激光材料加工,例如在激光标记或远程激光焊接的情况下。在此,激光射束的倾斜在此通过借助适合的驱动装置使如下镜旋转来进行:在所述镜上——通常经准直的——激光射束被反射。为实现在两个轴线上的任意的倾斜运动,将这些镜中的两个相继地布置。在典型地是平的加工平面上的聚焦通过F-Theta透镜实现。为实现到加工平面上的恒定入射角,典型地使用远中心的F-Theta透镜。但这样的设备大多不允许调整激光射束的空间位态,而是通常限于两个(角度)自由度。
一个例外是DE 10 2015 109 984 A1,其中,描述一种用于借助用于调整激光射束位态的射束位态系统进行激光材料加工的扫描头,该射束位态系统在一种实施方式中包括可旋转的四个镜,所述四个镜构造为分别仅可围绕各自唯一的旋转轴线旋转。这四个镜中的两个镜沿第一空间方向定向,这四个镜中的第三镜沿第二空间方向定向,并且这四个镜中的第四镜沿第三空间方向定向,其中,所有三个空间方向相互垂直。在替代的实施方式中,用于调整激光射束位态的射束位态系统具有分别可围绕两个旋转轴线倾斜的两个双轴镜。
在一种实施方式中,第一空间方向和第二空间方向彼此垂直。为了调整空间位态,通过这种垂直布置实现两个镜对之间的解耦。
在另一实施方式中,第一镜对的两个镜在射束路径中直接地彼此跟随。由此,在第一镜对的镜的旋转分辨率给定的情况下,使垂直于第一空间方向的至少一个脉冲激光射束的位置调整分辨率最大化。
在该实施方式的一种扩展方案中,第一镜对的两个镜之间的距离小于150mm。
在另一实施方式中,第二镜对的两个镜在射束路径中直接地彼此相继。由此,在第二镜对的镜的旋转分辨率给定的情况下,使垂直于第二空间方向的至少一个脉冲激光射束的位置调整分辨率最大化。
在该实施方式的一种扩展方案中,第二镜对的两个镜之间的距离小于150mm。
在另一实施方式中,第二镜对的第一镜在射束路径中布置在第一镜对之前,并且第二镜对的第二镜在射束路径中布置在第一镜对之后。在这种情况下,射束路径中的第一镜、即第二镜对的第一镜和射束路径中的第二镜,其为第一镜对的镜中的一个镜,可以具有较小的孔径,这允许在调整角度中的更高的动态。射束路径中的第三镜,其为第一镜对中的另一镜,和射束路径中的第四镜、即第二镜对的第二镜需要较大的孔径。由于第二镜对的两个镜之间的较大的距离,所以对于垂直于第二空间方向的脉冲激光射束的位置调节需要镜的较小的旋转运动。虽然由此得出对于垂直于第二空间方向的脉冲激光射束的位置调整的较小分辨率,但也得出更大的调整动态,这在特定情况下可能是有利的。
原则上,这四个镜的旋转轴线的取向也可以与在此所描述的取向不同。例如,射束路径中的第一和第三镜的旋转轴线沿第一空间方向定向,并且射束路径中的第二和第四镜的旋转轴线沿垂直于第一空间方向的第二空间方向定向。然而,不同的取向部分地需要另外的镜,以便校正空间方向或者导致调整轴线之间的相关性。
在另一实施方式中,射束位态调整装置具有至少一个检流计驱动装置,用于使这四个镜中的各个镜围绕其各自的旋转轴线旋转。借助检流计驱动装置可以实现脉冲激光射束的空间位态的特别动态的调整,尤其是实现在大于1kHz的频率范围内的调整。检流计驱动装置也可以实现高角度分辨率、即镜的旋转的高分辨率。因此得到对于脉冲激光射束的空间位态的高调整分辨率,尤其是相应于小于1μrad的角度的射束方向分辨率以及相应于1μm或更小的空间距离的位置分辨率。
替代于检流计驱动装置,例如也可以将经调节的无刷电机,必要时具有电机与镜之间的传动装置,用于镜的旋转。也可以使用所谓的音圈驱动装置(Voicecoilantriebe)。然而后者典型地具有更小的调整范围,并且不能实现完整的回转。
在另一实施方式中,EUV光源包括:至少一个射束位态检测装置和至少一个调节装置,所述射束位态检测装置用于检测所述至少一个脉冲激光射束的空间位态,所述至少一个调节装置用于借助所述至少一个射束位态调整装置来调节所述至少一个脉冲激光射束的空间位态。射束位态检测装置例如可以包括至少一个位置敏感的传感器(例如象限传感器)和/或至少一个位置敏感的摄像机。通过将位置敏感传感器或位置敏感摄像机布置在脉冲激光射束的近场中能够检测位置,布置在远场中能够检测角度。借助调节装置能够将脉冲激光射束的空间位态调节到期望的应有值。例如,可以使脉冲激光射束在靶材上的入射角和位置保持恒定。高动态使得能够实现对振荡和其他动态干扰过程的校正。这尤其适用于使用检流计驱动装置的情况中,通过这些检流计驱动装置,对在开篇提及的EUV光源中规律地出现的高频干扰的校正才可以实现。这些要求借助双轴角度可调的镜或横向可位移的透镜无法被满足。
在另一实施方式中,脉冲激光射束在这四个镜中的至少一个镜处的偏转角度位于30°与90°之间、优选60°与90°之间的角度范围内。在激光射束在镜处反射的情况下,偏转角度是入射激光射束与所反射的激光射束之间的角度。该角度相当于两倍的入射角(“Angleof Incidence,入射角”)。脉冲激光射束在这四个镜处的偏转角度原则上是任意的。然而,偏转角度小于等于90°是有利的,以便将镜的尺寸保持得较小并且优化镜涂层的效率或者是偏振相关性。
在另一实施方式中,这四个镜中的至少一个镜的前侧具有针对脉冲激光射束的高反射涂层。前侧的高反射涂层导致更少的辐射损耗并且因此更高的EUV光源效率。为此,镜的经涂覆的前侧的反射率应尽可能地高,例如大于98%、优选大于99%。高反射涂层例如可以是在脉冲激光射束的波长的情况下具有最大反射的介电多层涂层。这样的高反射涂层的构造对于本领域技术人员是熟悉的。
在另一实施方式中,这四个镜中的至少一个镜的背侧具有针对所述至少一个脉冲激光射束的抗反射涂层。借助这样的抗反射涂层可以避免非期望的双重反射并且减少镜在EUV光源运行中的发热。该抗反射涂层同样可以是在脉冲激光射束的波长的情况下具有最小反射的介电多层涂层。
在另一实施方式中,这四个镜中的至少一个镜的基底对于所述至少一个脉冲激光射束具有少量的吸收。材料例如可以是硅酸盐玻璃、尤其是石英玻璃(“熔融石英”)。因此减少或者说避免这四个镜中的至少一个镜在EUV光源运行中发热。
在另一实施方式中,射束引导装置构造为用于将脉冲激光射束准直地或发散地导引向射束位态调整装置。在此,准直的导引通常是优选的。
本发明的另外的特征和优点从以下对本发明的实施例的详细说明中根据附图的示出对本发明而言关键的细节的示图,并且从权利要求中得出。在本发明的变型中,各个特征可以分别本身单独地或者多个成任意组合地实现。
附图说明
实施例在示意图中示出并在下文的描述中来阐述。示出:
图1具有射束引导装置的EUV光源的示意性图示,该射束引导装置包括用于调整第一脉冲激光射束的空间位态的第一射束位态调整装置和用于调整第二脉冲激光射束的空间位态的第二射束位态调整装置,
图2a、b、c图1中所示的EUV光源的具有呈两个镜对形式的四个镜的第一射束位态调整装置的示意性细节视图,以及
图3a、c、b图2a、2b、2c中所示的射束位态调整装置的变型的示意性细节视图。
具体实施方式
图1示出EUV光源1,该EUV光源具有辐射产生室2、用于提供靶材4的提供装置3、第一脉冲激光源5、第二脉冲激光源6和射束引导装置7。
靶材4为锡,该靶材以微滴4形式在辐射产生室2内由提供装置3提供。从提供装置3中逸出的微滴4在辐射产生室2内沿预给定的近似直线延伸的运动轨道8运动。但原则上,靶材4也可以是其他材料,例如是其他金属。借助提供装置3进行的提供也不是必须以微滴形式进行。
第一脉冲激光源5发射第一脉冲激光射束9;第二脉冲激光源6发射第二脉冲激光射束10。第一脉冲激光射束9或第二脉冲激光射束10的激光脉冲例如可以是预脉冲或者主脉冲。脉冲激光源5、6在此示例性地、但并不必须是CO2激光器。
借助射束引导装置7将第一脉冲激光射束9和第二脉冲激光射束10导引到辐射产生室2中。此外,利用射束引导装置7以脉冲激光射束9、10聚焦地照射靶材4。为此目的,射束引导装置7可以具有在此没有示出的多个透射的和/或反射的光学元件。
由于借助第一脉冲激光射束9的一个或多个激光脉冲和第二脉冲激光射束10的一个或多个激光脉冲的照射,使靶材4转变成等离子体状态并且导致EUV辐射11的发射,该EUV辐射借助布置在辐射产生室2中的收集器镜12来收集。收集器镜12在此具有开口13,脉冲激光射束9、10穿行通过该开口。
此外,射束引导装置7具有用于调整第一脉冲激光射束9的空间位态的第一射束位态调整装置14以及用于调整第二脉冲激光射束10的空间位态的第二射束位态调整装置15。这两个射束位态调整装置14、15可以相同地或不同地构造。
最后,EUV光源1附加地包括射束位态检测装置16和调节装置17,所述射束位态检测装置用于检测第一脉冲激光射束9的空间位态,所述调节装置用于通过第一射束位态调整装置14来调节第一脉冲激光射束9的空间位态。在所示出的示例中,射束位态检测装置16是射束引导装置7的部件。但并不必须是这种情况。射束位态检测装置16示例性地、但并非必须包括在此没有示出的两个位置敏感传感器、例如象限传感器和/或至少一个位置敏感摄像机。调节装置17可以是传统的调节器,例如PID调节器。
不同于所示出的示例,EUV光源也可以包括仅一个脉冲激光源或多于两个的脉冲激光源。也可以仅以一个脉冲激光射束或以多于两个的脉冲激光射束来照射靶材4。此外,射束引导装置7还可以具有仅一个或多于两个的射束位态调整装置。在使用两个或多于两个的脉冲激光射束的情况下,可以为所有的脉冲激光射束或者仅为脉冲激光射束中的若干或一个脉冲激光射束设置射束位态调整装置。通过一个射束位态调整装置也可以调整多于一个的脉冲激光射束的空间位态。射束引导装置也不必对于脉冲激光射束中的每个脉冲激光射束都具有射束位态调整装置。最后,可以为所有的射束位态调整装置或仅为射束位态调整装置中的若干或仅一个射束位态调整装置设置有射束位态检测装置和相应的调节装置。
图2a、b、c示出图1中所示的EUV光源1的第一射束位态调整装置14的示意性细节视图,该第一射束位态调整装置用于调整第一脉冲激光射束9的空间位态并且包括呈两个镜对P1、P2形式的四个镜S1、S2、S3、S4。这四个镜S1、S2、S3、S4可分别围绕恰好一个旋转轴线A1、A2、A3、A4旋转。第一镜对P1的两个镜S1、S2的旋转轴线A1、A2沿第一空间方向n1定向。第二镜对P2的两个镜S3、S4的旋转轴线A3、A4沿第二空间方向n2定向。为使这四个镜S1、S2、S3、S4旋转,为这四个镜S1、S2、S3、S4中的每个镜分别使用一个检流计驱动装置G1、G2、G3、G4。不同于此,可以将其他的驱动装置用于使这四个镜S1、S2、S3、S4中的至少一个镜旋转。
为简化描述,分别示出具有三个坐标轴x、y、z的直角坐标系。第一空间方向n1在此平行于x轴;第二空间方向n2平行于y轴。在所示出的示例中,第一空间方向n1和第二空间方向n2彼此垂直。然而,第一空间方向n1和第二空间方向n2不必一定彼此垂直。
在图2a、b、c中所示出的示例中,第一镜对P1的两个镜S1、S2在射束路径中直接地彼此跟随。此外,第二镜对P2的两个镜S3、S4在射束路径中直接地彼此跟随。第一镜对P1的第一镜S1或第二镜S2在此为第一脉冲激光射束9的射束路径中的第一镜或第二镜。第二镜对P2的第一镜S3或第二镜S4为第一脉冲激光射束9的射束路径中的第三镜或第四镜。
在图2a、b、c中,这四个镜S1、S2、S3、S4中一个镜分别被这四个镜S1、S2、S3、S4中的另一个镜遮挡:在图2a中,第二镜对P2的第二镜S4被第二镜对P2的第一镜S3遮挡。在图2b中,第一镜对P1的第二镜S2被第一镜对P1的第一镜S1遮挡。最后,在图2c中,第二镜对P2的第一镜S3被第一镜对P1的第二镜S2遮挡。
脉冲激光射束9也部分地被遮挡。如果脉冲激光射束9在镜S1、S2、S3、S4中的一个镜的直接后方延伸,则该脉冲激光射束9被用虚线示出。此外,这两个镜对P1、P2仅在图2a和图2b中被标出,因为这两个镜在图2c中所示的图示中部分地重叠。
在图2a中还画出第一镜对P1的两个镜S1、S2之间的距离L1,在图2b中画出第二镜对P2的两个镜S3、S4之间的距离L2。距离L1、L2在所示出的示例中为100mm。然而距离L1、L2也可以更大或更小并且可以彼此不同。然而,距离L1、L2优选小于150mm。
如从图2a看出的那样,第一镜对P1的第一镜S1的背侧18具有针对脉冲激光射束9的抗反射涂层19。此外,第一镜对P1的第一镜S1的基底20对脉冲激光射束9具有少量的吸收。在所示出的示例中,基底20的材料为石英玻璃,然而在此也可以是其他材料,例如是SiC,其中,然而SiC在1μm左右的波长的情况下是非透射的。如从图2a和图2c中此外看出的那样,第一镜对P1的第一镜S1的前侧21还具有针对脉冲激光射束9的反射涂层22。在所示出的示例中,其他三个镜S2、S3、S4在其各自的前侧也具有反射涂层并且在其各自的背侧具有针对脉冲激光射束9的抗反射涂层,简单起见,其图示在图2a、b、c中已被省去。在所示出的示例中,对于其他三个镜S2、S3、S4,各自的基底20的材料也具有少量的吸收。
在所示出的示例中,脉冲激光射束9在所有四个镜S1、S2、S3、S4处的偏转角度α为大约90°。在此,图2b中所画出的是第二镜对P2的第二镜S4处的偏转角度α。然而偏转角度α也可以大于或小于90°。优选地,偏转角度α在此位于30°与90°之间、特别优选60°与90°之间的角度范围内。
在图3a、b、c中,以三个细节视图示意性地示出图2a、b、c中所示的射束位态调整装置14的替代变型。不同于图2a、b、c,在此,第一空间方向n1平行于入射到射束位态调整装置14中的脉冲激光射束9的、相当于y轴的传播方向,并且第二空间方向n2平行于x轴。此外,在图3a、b、c中,第二镜对P2的第一镜S3在射束路径中布置在第一镜对P1之前,并且第二镜对P2的第二镜S4在射束路径中布置在第一镜对P1之后。
第一镜对P1的第一镜S1或第二镜S2在此为脉冲激光射束9的射束路径中的第二镜或第三镜。第二镜对P2的第一镜S3或第二镜S4为脉冲激光射束9的射束路径中的第一镜或第四镜。
在图3a中,第二镜对P2的第二镜S4部分地被第二镜对P2的第一镜S3遮挡,并且第一镜对P1的第二镜S2完全地被第一镜对P1的第一镜S1遮挡。在图3b中,第一镜对P1的这两个镜S1、S2完全地被第二镜对P2的两个镜S3、S4遮挡。此外,这两个镜对P1、P2仅在图3a和图3c中被标出,因为这两个镜在图3b所示的图示中重叠。

Claims (14)

1.一种EUV光源(1),所述EUV光源包括:
-用于提供靶材(4)的提供装置(3);
-至少一个脉冲激光源(5,6),所述至少一个脉冲激光源用于发射至少一个脉冲激光射束(9,10);
-射束引导装置(7),所述射束引导装置用于将所述至少一个脉冲激光射束(9,10)从所述至少一个脉冲激光源(5,6)导引到辐射产生室(2)中并且用于借助所述至少一个脉冲激光射束(9,10)在所述辐射产生室(2)内聚焦地照射所述靶材(4),
其中,所述靶材(4)构造为用于由于所述照射而发射EUV辐射(11),
其特征在于,
所述射束引导装置(7)具有至少一个射束位态调整装置(14,15)以调整所述至少一个脉冲激光射束(9,10)的空间位态,所述至少一个射束位态调整装置包括呈两个镜对(P1,P2)形式的四个镜(S1,S2,S3,S4),其中,所述四个镜(S1,S2,S3,S4)能够分别围绕恰好一个旋转轴线(A1,A2,A3,A4)旋转,并且第一镜对(P1)的两个镜(S1,S2)的旋转轴线(A1,A2)沿第一空间方向(n1)定向,第二镜对(P2)的两个镜(S3,S4)的旋转轴线(A3,A4)沿第二空间方向(n2)定向。
2.根据权利要求1所述的EUV光源(1),其特征在于,所述第一空间方向(n1)与所述第二空间方向(n2)彼此垂直。
3.根据权利要求1或2所述的EUV光源(1),其特征在于,所述第一镜对(P1)的两个镜(S1,S2)在射束路径中直接地彼此相继。
4.根据权利要求3所述的EUV光源(1),其特征在于,所述第一镜对(P1)的两个镜(S1,S2)之间的距离(L1)小于150mm cm。
5.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述第二镜对(P2)的两个镜(S3,S4)在所述射束路径中直接地彼此相继。
6.根据权利要求5所述的EUV光源(1),其特征在于,所述第二镜对(P2)的两个镜(S3,S4)之间的距离(L2)小于150mm。
7.根据权利要求3或4所述的EUV光源(1),其特征在于,所述第二镜对(P2)的第一镜(S3)在所述射束路径中布置在所述第一镜对(P1)之前,并且所述第二镜对(P2)的第二镜(S4)在所述射束路径中布置在所述第一镜对(P1)之后。
8.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述射束位态调整装置(14,15)具有至少一个检流计驱动装置(G1,G2,G3,G4),所述至少一个检流计驱动装置用于使所述四个镜(S1,S2,S3,S4)中的各个镜围绕其对应的旋转轴线(A1,A2,A3,A4)旋转。
9.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于:
-至少一个射束位态检测装置(16),所述至少一个射束位态检测装置用于检测所述至少一个脉冲激光射束(9,10)的空间位态,和
-至少一个调节装置(17),所述至少一个调节装置用于借助所述至少一个射束位态调整装置(14,15)来调节所述至少一个脉冲激光射束(9,10)的空间位态。
10.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述脉冲激光射束(9,10)在所述四个镜(S1,S2,S3,S4)中的至少一个镜处的偏转角度(α)位于30°与90°之间、优选60°与90°之间的角度范围内。
11.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述四个镜(S1,S2,S3,S4)中的至少一个镜的前侧(21)具有针对所述脉冲激光射束(9,10)的反射涂层(22)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述四个镜(S1,S2,S3,S4)中的至少一个镜的背侧(18)具有针对所述至少一个脉冲激光射束(9,10)的抗反射涂层(19)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述四个镜(S1,S2,S3,S4)中的至少一个镜的基底(20)对于所述至少一个脉冲激光射束(9,10)具有少量的吸收。
14.根据前述权利要求中任一项所述的EUV光源(1),其特征在于,所述射束引导装置(7)构造为用于向所述射束位态调整装置(14,15)准直地或发散地导引所述脉冲激光射束(9,10)。
CN202180103729.XA 2021-10-25 2021-10-25 具有射束位态调整装置的euv光源 Pending CN118160413A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2021/079514 WO2023072362A1 (de) 2021-10-25 2021-10-25 Euv-lichtquelle mit einer strahllagestelleinrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN118160413A true CN118160413A (zh) 2024-06-07

Family

ID=78414661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180103729.XA Pending CN118160413A (zh) 2021-10-25 2021-10-25 具有射束位态调整装置的euv光源

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20240093676A (zh)
CN (1) CN118160413A (zh)
TW (1) TWI818774B (zh)
WO (1) WO2023072362A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5368261B2 (ja) * 2008-11-06 2013-12-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法
JP2011192961A (ja) * 2010-02-19 2011-09-29 Komatsu Ltd レーザ装置、極端紫外光生成装置、およびメンテナンス方法
EP3045021B1 (de) 2013-09-12 2017-11-08 TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH Strahlführungseinrichtung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung mit einer überlagerungseinrichtung
DE102015109984A1 (de) 2015-06-22 2016-12-22 Scanlab Ag Scannerkopf mit integriertem Strahllagesensor sowie Justageanordnung zur Offline-Justage

Also Published As

Publication number Publication date
TWI818774B (zh) 2023-10-11
TW202321832A (zh) 2023-06-01
WO2023072362A1 (de) 2023-05-04
KR20240093676A (ko) 2024-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5791699B2 (ja) レーザビーム位置決めシステム
US9894743B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus
US9575324B2 (en) Beam guiding apparatus
TW201215245A (en) Alignment of light source focus
US9596743B2 (en) Beam guiding apparatus
KR20170091711A (ko) 투영 시스템
TWI766625B (zh) 控制極紫外光微影系統的方法、用於極紫外光微影的設備及非暫時性電腦可讀取媒體
US11374379B2 (en) Laser system, extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation method
US12007693B2 (en) Laser focussing module
CN118160413A (zh) 具有射束位态调整装置的euv光源
JP2009210726A (ja) マスクレス露光装置
KR20200028601A (ko) 레이저 시스템 및 레이저 경로 유지방법
US11828952B2 (en) Light source and extreme ultraviolet light source system using the same
KR20190122515A (ko) 레이저 스캐닝 장비의 자동 위치 보정 장치
US11924954B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method
US20200057376A1 (en) Lithography system and lithography method
US20240219699A1 (en) High-performance euv microscope device with free-form illumination system structure
TW202412558A (zh) 度量衡及控制系統
EP3997518A1 (en) A measurement system for use with a light amplification cavity

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication