CN118155585A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素电路，栅极线沿行方向设置，所述栅极线用于提供栅极电压；数据线沿列方向设置，所述数据线用于提供数据电压；所述驱动开关管的栅极电连接所述栅极线，所述驱动开关管的源极电连接所述数据线；所述液晶电容的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述液晶电容的另一端电连接公共电压；所述漏电器件的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述漏电器件的另一端连接所述公共电压，所述漏电器件至少用于使一帧内的显示阶段的液晶电压变化，一帧内的显示阶段内液晶分子连续偏转，多种方向的光线射出，实现广视角。

Description

显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

目前随着人民生活水平的提高，各种电子产品在办公、科研、医疗、车载及航天等各个领域越来越普及，其中笔记本电脑、显示器、电视器及平板等家用电子产品更是现代人们必不可少的生活用品。对于显示面板来说，显示面板视角是一个非常重要的参数，如何提高显示面板的广视角形成需要进一步解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种提高广视角的显示面板。

本申请提供的一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素电路，所述子像素电路包括：

栅极线，沿行方向设置，所述栅极线用于提供栅极电压；

数据线，沿列方向设置，所述数据线用于提供数据电压；

驱动开关管，所述驱动开关管的栅极电连接所述栅极线，所述驱动开关管的源极电连接所述数据线；

液晶电容，所述液晶电容的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述液晶电容的另一端电连接公共电压；及

漏电器件，所述漏电器件的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述漏电器件的另一端连接所述公共电压，所述漏电器件至少用于使一帧内的显示阶段的液晶电压变化。

在一种可选的实施方式中，所述漏电器件包括漏电电阻。

在一种可选的实施方式中，所述漏电器件包括TFT开关管，所述TFT开关管的栅极电连接所述栅极线，所述TFT开关管的源极电连接所述驱动开关管的漏极，所述TFT开关管的漏极电连接所述公共电压，所述TFT开关管的沟道电阻形成所述漏电器件的漏电电阻。

在一种可选的实施方式中，所述TFT开关管的沟道电阻随着所述数据线提供的数据电压变化而变化。

在一种可选的实施方式中，所述子像素电路还包括存储电容，所述存储电容的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述存储电容的另一端电连接公共电压。

在一种可选的实施方式中，设有所述存储电容的子像素电路中的所述漏电器件的漏电阻值大于预设漏电阻值，所述预设漏电阻值为未设置所述存储电容时的所述漏电器件的漏电阻值。

在一种可选的实施方式中，所述漏电器件使一帧时间的液晶电压变化至预设液晶电压，所述预设液晶电压大于0 v。

在一种可选的实施方式中，所述显示面板还包括液晶模组及背光模组，所述液晶模组位于所述阵列基板与所述背光模组之间，所述背光模组用于在一帧时间的第一时间段提供背光，在所述一帧时间的第二时间段关闭背光，所述第一时间段形成所述一帧时间的显示阶段，所述第二时间段形成所述一帧时间的插黑阶段。

在一种可选的实施方式中，所述漏电器件使一帧时间的液晶电压变化至0 v，所述一帧时间中液晶电压大于0 v的时间段为显示阶段，所述一帧时间中液晶电压为0 v的时间段为插黑阶段。

在一种可选的实施方式中，所述显示面板还包括液晶模组及背光模组，所述液晶模组位于所述阵列基板与所述背光模组之间，所述背光模组用于在所述显示阶段为所述液晶模组和所述阵列基板提供的背光，并在所述插黑阶段关闭背光。

本申请实施例提供的显示面板，通过设计显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素电路，所述子像素电路包括栅极线、数据线、驱动开关管、液晶电容、漏电器件；栅极线沿行方向设置，所述栅极线用于提供栅极电压；数据线沿列方向设置，所述数据线用于提供数据电压；所述驱动开关管的栅极电连接所述栅极线，所述驱动开关管的源极电连接所述数据线；所述液晶电容的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述液晶电容的另一端电连接公共电压；所述漏电器件的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述漏电器件的另一端连接所述公共电压，所述漏电器件至少用于使一帧内的显示阶段的液晶电压变化，进而实现一帧内的显示阶段内液晶分子连续偏转，显示面板在一帧内的显示阶段有多种方向的光线射出，进而增加视场角，实现广视角。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本申请实施例提供的一种显示面板的局部侧面结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种阵列基板的局部俯视电路示意图；

图3是本申请实施例提供的一种阵列基板的子像素电路的局部俯视电路示意图；

图4是本申请第一种实施例提供的子像素电路的局部俯视电路示意图；

图5是本申请第一种实施例提供的子像素电路包括存储电容的示意图；

图6是本申请实施例提供的一帧内包括显示阶段和插黑阶段的示意图；

图7是本申请实施例提供的一帧内全部为显示阶段的示意图；

图8是本申请第二种实施例提供的子像素电路的局部俯视电路示意图；

图9是本申请第二种实施例提供的子像素电路包括存储电容的示意图；

图10是本申请第三种实施例提供的子像素电路中漏电电阻与TFT开关管串联的局部俯视电路示意图；

图11是本申请第三种实施例提供的子像素电路中漏电电阻与TFT开关管并联的局部俯视电路示意图；

图12是本申请实施例提供的背光模组的背光亮度在插黑阶段关闭的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。此外，在本申请中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在描述一些实施例时，可能使用了“电连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“电连接”以表明两个或两个以上部件有物理接触或存在电信号通路，例如两个部件之间通过信号线导通，或者两个部件之间可以存在其他的电学元件或者电路，但两个部件通过其他电学元件之间存在信号通路。然而，术语“电连接”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

一般技术中，显示面板通过以下几种方法增大视场角。第一种是8域像素设计，将1个子像素做成主子像素与副子像素两部分，驱动时给主子像素与副子像素充到不同的电压准位，从而使主子像素与副子像素亮度不同，大视角观看时1个子像素内的主子像素与副子像素液晶旋转角度不是朝同一方向，人眼累积的效果较佳，解决色偏的问题效果较好，增大了视角。8 域像素设计虽然视角很好，但有穿透率低的缺陷，对比常规4域状态，8域设计穿透率大幅度牺牲。

第二种是常规4域像素设计，没有主子像素与副子像素之分，大视角观看时色偏较为严重。针对此缺陷，通过EVA IP算法，可做像素级EVA调整，使相邻像素有亮暗差异，模拟出8域的效果，同样在空间上把画面拆分为两张。此方法在提高面板穿透率的同时，大视角效果也能达到比较好的水平。但在显示文字边缘等细节处理上仍有处理不好的缺陷，画面亮暗颗粒感较强。目前广视角方案需要牺牲一定品味实现。

请参阅图1，本申请提供了一种提高广视角的显示面板100。

请参阅图1，显示面板100包括阵列基板10、液晶模组20及背光模组30。所述液晶模组20位于所述阵列基板10与所述背光模组30之间。所述背光模组30用于为所述液晶模组20和所述阵列基板10提供的背光。

请参阅图2，所述阵列基板10包括多个沿行方向D1设置且相互平行的多个栅极线G、多个沿列方向D2设置且相对平行的多个数据线S。Gn表示第n行的栅极线，Sn表示第n行的数据线。

请参阅图2，栅极线G与数据线S位于不同层，且并未交汇和电连接。在阵列基板10的俯视方向上，将相邻的两个栅极线G、相邻的两个数据线S之间包围的区域定义为一个子像素区域A。阵列基板10上形成多个呈行列阵列排布的多个子像素区域A。阵列基板10包括多个呈阵列排布的子像素电路11。每个子像素电路11位于一个子像素区域A中。以下对于一个子像素电路11进行具体说明。

请参阅图2及图3，每个所述子像素电路11包括一段栅极线G、一段数据线S、驱动开关管T1、液晶电容Clc、漏电器件12。栅极线G沿行方向D1设置，同一行的子像素电路11共用同一条栅极线G，所述栅极线G用于为同一行的子像素电路11提供栅极电压。数据线S沿列方向D2设置，同一列的子像素电路11共用同一条数据线S。所述数据线S用于为同一列的子像素电路11提供数据电压。

请参阅图2及图3，在一个子像素电路11中，所述驱动开关管T1的栅极电连接所述栅极线G。所述驱动开关管T1的源极电连接所述数据线S。所述驱动开关管T1的漏极电连接所述液晶电容Clc的一端。所述液晶电容Clc的另一端电连接公共电压Vcom。液晶电容Clc加载在该子像素区域A所对应的液晶模组20的两侧，以驱动该子像素区域A所对应的液晶分子偏转至预设的角度，以透过对应亮度的背光，进而使该子像素区域A呈现与液晶电容Clc对应的显示亮度（灰阶）。

所述漏电器件12的一端电连接所述驱动开关管T1的漏极。所述漏电器件12的另一端连接所述公共电压Vcom。该漏电器件12使一部分电流能够从所述驱动开关管T1的漏极流向公共电压Vcom，进而实现漏电。所述漏电器件12至少用于使一帧内的显示阶段t1（请参阅图6、图7）的液晶电压变化。其中，液晶电压对应于该子像素区域A的液晶分子两侧的电压。

当液晶电容Clc处于充电状态时，由于漏电器件12的漏电速度远远小于液晶电容Clc的充电速度，故漏电器件12基本不会影响液晶电容Clc的充电过程。在液晶电容Clc充满电时，即液晶电容Clc两侧的电压分别为数据电压和公共电压Vcom。在液晶电容Clc在充完电之后，一部分电流从所述驱动开关管T1的漏极经过漏电器件12流向公共电压Vcom，进入漏电状态，液晶电容Clc两侧的电压逐渐减少，加载在液晶分子两侧的电压逐渐减小，进而液晶分子会随着液晶电容Clc的电压减小逐渐发生偏转，背光模组30经液晶分子射出的光线的角度发生变化，以上皆处于一帧中的显示阶段t1（请参阅图6、图7），故在一帧中的显示阶段t1（请参阅图6、图7），背光模组30经液晶模组20射出的光线的角度发生变化，即动态显示，显示面板100前的用户在多个不同角度皆能够接收到光线，进而实现广视角显示。

本申请中，由于一个子像素区域A一帧内的显示亮度为动态亮度，故在一帧内显示亮度为该一帧内的平均积分亮度。

本申请实施例提供的显示面板100，通过设计显示面板100包括阵列基板10，所述阵列基板10包括多个呈阵列排布的子像素电路11，所述子像素电路11包括栅极线G、数据线S、驱动开关管T1、液晶电容Clc、漏电器件12，栅极线G沿行方向D1设置，所述栅极线G用于提供栅极电压，数据线S沿列方向D2设置，所述数据线S用于提供数据电压，所述驱动开关管T1的栅极电连接所述栅极线G，所述驱动开关管T1的源极电连接所述数据线S，所述液晶电容Clc的一端电连接所述驱动开关管T1的漏极，所述液晶电容Clc的另一端电连接公共电压Vcom，所述漏电器件12的一端电连接所述驱动开关管T1的漏极，所述漏电器件12的另一端连接所述公共电压Vcom，所述漏电器件12至少用于使一帧内的显示阶段t1的液晶电压变化，进而实现一帧内的显示阶段t1内液晶分子连续偏转，显示面板100在一帧内的显示阶段t1有多种方向的光线射出，进而增加视场角，实现广视角。

在第一种可选的实施方式中，请参阅图4，所述漏电器件12包括漏电电阻121。换言之，漏电器件12为电阻，本申请对于该漏电电阻121的阻值不做具体的限定。漏电电阻121的阻值与漏电速度相关。当漏电电阻121的阻值较小时，液晶电容Clc的漏电速度较快。当漏电电阻121的阻值较大时，液晶电容Clc的漏电速度较慢。液晶电容Clc上加载的数据电压的大小、漏电电阻121的阻值可影响液晶电容Clc的电压在一帧内是否漏完。

进一步地，请参阅图2及图5，所述子像素电路11还包括存储电容Cst。所述存储电容Cst的一端电连接所述驱动开关管T1的漏极。所述存储电容Cst的另一端电连接公共电压Vcom。其中，显示面板100的存储电容Cst用于维持子像素电压，防止漏电。对于硅晶介质等介质漏电性能相对较差的基底，通过进一步设置存储电容Cst，可更好的控制漏电速度，进而更好调控一帧内的显示阶段t1与插黑阶段t2的占比。

在前述的实施例中，对于介质漏电性能较好的材质，可不设置存储电容Cst，由于存储电容Cst的两个电极为金属电极，取消设置存储电容Cst，即减少了金属层的面积，进而增加了子像素区域A的开口率。

可选的，设有所述存储电容Cst的子像素电路11中的所述漏电器件12（漏电电阻121）的漏电阻值大于预设漏电阻值。所述预设漏电阻值为未设置所述存储电容Cst时的所述漏电器件12（漏电电阻121）的漏电阻值。在未设置存储电容Cst的子像素电路11中，相较于设有存储电容Cst的子像素电路11，减少了一个电容，所存储的电压减小，为了确保原本的显示阶段t1与插黑阶段t2的占比，可通过设置更大的阻值的漏电电阻121，减小漏电速度，补偿存储电压减少的问题。

可选的，请参阅图6，以数据电压为对应255灰阶的电压为例，漏电电阻121的阻值小于预设阻值，预设阻值为将255灰阶的电压刚好在一帧内漏电完成的阻值。漏电完成是指液晶电容Clc两侧的电压皆为工作电压。由于漏电电阻121的阻值小于预设阻值，故该子像素区域A中在一帧内分为两个阶段，第一个阶段为显示阶段t1，此时该子像素区域A的液晶分子随着液晶电容Clc的电压变化而变化，子像素区域A中动态显示亮度。第二个阶段为插黑阶段t2，此时液晶电容Clc两侧的电压漏电完成，液晶分子偏转至“关闭状态”，即液晶分子不透光，画面显示黑。

其中，一帧内的显示阶段t1为动态亮度显示，背光模组30经液晶模组20射出的光线的角度发生变化，即动态显示，显示面板100前的用户在多个不同角度皆能够接收到光线，进而实现广视角显示。一帧内的插黑阶段t2能够将上一帧的残留画面清零，减少用户眼部将相邻两帧画面重叠在一起，以黑画面抵消了当前帧的人眼的视觉残留，为眼睛下一帧接收画面做好‘清零’准备，可以提高动态显示清晰度。

本申请对于一帧时间内的显示阶段t1与插黑阶段t2之间的占比不做限定。插黑阶段t2的占比越大，越能够抵消当前帧的人眼的视觉残留，为眼睛下一帧接收画面做好‘清零’准备，以进一步地提高动态显示清晰度，也会带来一帧时间内的亮度相对较低的问题。此时可配合将背光的亮度增加，以补偿插黑阶段t2带来的亮度损失。

再可选的，请参阅图7，以数据电压为对应255灰阶的电压为例，漏电电阻121的阻值大于或等于预设阻值，预设阻值为将255灰阶的电压刚好在一帧内漏电完成的阻值。漏电完成是指液晶电容Clc两侧的电压皆为工作电压。由于漏电电阻121的阻值大于或等于预设阻值，故该子像素区域A中在一帧内全部为显示阶段t1，此时该子像素区域A的液晶分子在一帧内皆随着液晶电容Clc的电压变化而变化，子像素区域A中动态显示亮度，显示面板100前的用户在多个不同角度皆能够接收到光线，进而实现广视角显示。

在第二种可选的实施方式中，请参阅图8，所述漏电器件12包括TFT开关管122。所述TFT开关管122的栅极电连接所述栅极线G。所述TFT开关管122的源极电连接所述驱动开关管T1的漏极。所述TFT开关管122的漏极电连接所述公共电压Vcom。所述TFT开关管122的沟道电阻形成所述漏电器件12的漏电电阻121。

本实施方式中，所述TFT开关管122可与驱动开关管T1在同一制程中制得，所以即使增加漏电器件12，也可利用原本制程，无需额外增加新的制程，此外，所述TFT开关管122的栅极可直接电连接栅极线G，无需额外设置所述TFT开关管122的栅极控制线，也能够避免开口率的减小。

所述TFT开关管122的沟道电阻随着所述数据线S提供的数据电压变化而变化。可选的，在所述数据线S提供的数据电压处于负压状态，即驱动开关管T1处于关闭状态，液晶电压充电结束之间的阶段，此时数据线S提供的数据电压为负压。而所述TFT开关管122的沟道电阻随着所述数据线S提供的数据电压变化而变化。故数据线S提供的负压的数据电压确保可驱动开关管T1处于关闭状态且在一定范围内（例如在±1v范围）波动时，所述TFT开关管122的沟道电阻的阻值也会随着数据线S提供的数据电压波动而波动，如此，可通过对数据电压进行微调，以实现对所述TFT开关管122的沟道电阻的阻值的调控，进而调节子像素电路11（请参阅图2）的放电速度，进而调节一帧内的显示阶段t1与插黑阶段t2的占比。

举例而言，在显示面板100的调试阶段，一帧内的显示阶段t1、插黑阶段t2的占比与预设占比不同时，可通过对数据电压进行微调，不影响驱动开关管T1的关闭状态或打开状态的情况下，对所述TFT开关管122的沟道电阻的阻值的调控，进而调节子像素电路11的放电速度，进而调节一帧内的显示阶段t1与插黑阶段t2的占比为预设占比。

进一步地，请参阅图2及图9，所述子像素电路11还包括存储电容Cst。所述存储电容Cst的一端电连接所述驱动开关管T1的漏极。所述存储电容Cst的另一端电连接公共电压Vcom。其中，显示面板100的存储电容Cst用于维持子像素电压，防止漏电。对于硅晶介质等介质漏电性能相对较差的基底，通过进一步设置存储电容Cst，可更好的控制漏电速度，进而更好调控一帧内的显示阶段t1与插黑阶段t2的占比。

在前述的实施例中，对于介质漏电性能较好的材质，可不设置存储电容Cst，由于存储电容Cst的两个电极为金属电极，取消设置存储电容Cst，即减少了金属层的面积，进而增加了子像素区域A的开口率。

可选的，设有所述存储电容Cst的子像素电路11中的所述漏电器件12（TFT开关管122）的漏电阻值大于预设漏电阻值。所述预设漏电阻值为未设置所述存储电容Cst时的所述漏电器件12（TFT开关管122）的漏电阻值。在未设置存储电容Cst的子像素电路11中，相较于设有存储电容Cst的子像素电路11，减少了一个电容，所存储的电压减小，为了确保原本的显示阶段t1与插黑阶段t2的占比，可通过设置更大的阻值的漏电电阻121，减小漏电速度，补偿存储电压减少的问题。

在第三种可选的实施方式中，请参阅图10及图11，所述漏电器件12包括漏电电阻121和TFT开关管122，漏电电阻121和TFT开关管122可并联设置或串联设置，进而调节漏电电阻121的大小，同时由于TFT开关管122的存在，可实现漏电速度随着数据电压的变化可调。

例如，漏电电阻121和TFT开关管122串联，此时，子像素电路11中具有相对较大的漏电电阻121，可应用于漏电速度较慢的场景，且由于TFT开关管122的存在，可实现漏电速度随着数据电压的变化可调。由于存在漏电电阻121，所以漏电速度随着数据电压的变化而变化程度相对较少，应用于漏电速度微调的场景。

例如，漏电电阻121和TFT开关管122并联，此时，子像素电路11中具有相对较小的漏电电阻121，可适用于漏电速度较快的场景，且由于TFT开关管122的存在，可实现漏电速度随着数据电压的变化可调。由于存在漏电电阻121，所以漏电速度随着数据电压的变化而变化程度相对较少，应用于漏电速度微调的场景。

可选的，所述漏电器件12的漏电阻值对应于漏电速度。通过设计所述漏电器件12的漏电阻值大于或等于预设阻值，使一帧时间的液晶电压变化至预设液晶电压。所述预设液晶电压大于0，即该子像素区域A在一帧内漏电不完全，此时驱动开关管T1的漏极的电压大于公共电压Vcom，该子像素区域A显示较低灰阶，但未形成插黑阶段t2。该子像素区域A中在一帧内全部为显示阶段t1，此时该子像素区域A的液晶分子在一帧内皆随着液晶电容Clc的电压变化而变化，子像素区域A中动态显示亮度，显示面板100前的用户在多个不同角度皆能够接收到光线，进而实现广视角显示。

可选的，请参阅图12，所述背光模组30用于在一帧时间的第一时间段提供背光。在所述一帧时间的第二时间段关闭背光。所述第一时间段形成所述一帧时间的显示阶段t1。所述第二时间段形成所述一帧时间的插黑阶段t2。

本实施方式中，在一帧时间皆为显示阶段t1，液晶分子在一帧时间内皆可透光。可通过进一步设置背光模组30在一帧时间内的打开时间和关闭时间，以将一帧时间划分为发光时间与显示黑的时间，即可以改善广视角，还在液晶分子没有完全关闭的情况下背光关闭形成插黑，抵消了当前帧的人眼的视觉残留，改善了动态显示拖影问题。

可选的，所述漏电器件12使一帧时间的液晶电压（液晶电容Clc两端的压差）变化至0v。所述一帧时间中液晶电压大于0 v的时间段为显示阶段t1。所述一帧时间中液晶电压为0v的时间段为插黑阶段t2。此时说明该子像素电路11中的液晶电容Clc在一帧时间漏电完全，随后显示插黑，即液晶电压逐渐减小的阶段为一帧时间中的显示阶段t1，液晶电容Clc漏电结束之后的显示黑的阶段为一帧时间中的插黑阶段t2。本实施方式提供一种插黑的方法，把每一帧画面区分成两部分。一部分有亮度显示实际画面（即显示阶段t1）。另一部分时间子像素漏完电显示黑画面（即插黑阶段t2），进行插黑，以改善动态显示拖影问题。

可选的，请参阅图12，所述背光模组30用于在所述显示阶段t1为所述液晶模组20和所述阵列基板10提供的背光，并在所述插黑阶段t2关闭背光。换言之，背光模组30为可调背光模组30。可选的，背光模组30为交流背光模组30，以便于控制背光点亮和关闭。本实施方式中，通过设置在插黑阶段t2（液晶分子关闭的阶段）关闭背光，可有效地减少功耗。

在其他实施方式中，背光模组30还可以为直流背光模组，在显示阶段t1，直流背光模组的亮度可大于未设置漏电器件12的常规显示面板100中的显示阶段t1的亮度，以确保在设有漏电器件12的显示面板100中的显示阶段t1的亮度（平均积分亮度）为预设亮度。

可选的，一个子像素区域A中的显示亮度为一帧时间内的平均积分亮度，而不同的数据电压输入至液晶电容Clc，且配合确定的漏电速度，可实现一个子像素区域A中的显示亮度可有0-255的分级，以呈现0~255灰阶，实现8bit的亮度显示。

常规驱动架构中，通过将两帧的数据电压，通过处理数据，一帧在原始数据电压基础上升高一定灰阶，另一帧在原始数据电压基础上降低一定灰阶，两帧平均亮度与原始两帧亮度相同，缺陷是降低了刷新率。若显示面板100本身是60Hz，使用此方法时数据刷新仍是60Hz，但亮暗变化却是30Hz，会有较强烈的闪烁感。

本申请提供一种新的时域上画面拆分的广视角方法，即把每一帧画面时间拆分多部分，一帧内不同时间液晶亮度不同，而这一帧的亮度是这一帧的平均积分亮度。进一步地，本申请提供的插黑方法，把每一帧画面区分成两部分，一部分有亮度显示实际画面，另一部分时间子像素漏完电显示黑画面，进行插黑或低灰（具体在工艺上控制漏电电阻121的电阻值大小，一帧内子像素电荷放不完即显示低灰）。以FHD（全高清） 240Hz为例，一帧时间为4.17ms，在前面2.085ms内（即显示阶段t1）显示液晶逐渐变黑画面，后面2.085ms（即插黑阶段t2）已放电至黑，等下一帧再次充电，这样在不牺牲刷新率的情况下，一是会改善动态显示拖影问题，同时由于液晶分子在一帧内不停的旋转，光有不同出射角，就可大大提升显示视角。

本申请至少包括两种漏电结果。第一种漏电结果是在一帧内漏电不完全，放到低灰。实现液晶分子旋转、光的出射角度多种和广视角，减弱视觉残留。第二种漏电结果是完全放黑，实现插黑。上一帧在显示完之后还会具有视觉残留，下一帧会叠加在上一帧上，会形成画面混淆。插黑是在黑画面基础下显示下一帧，不会出现残影，插黑占比越高越好，眼睛的清零效果越好。

本申请对于漏电器件12的阻值不做具体的限定。放电时间的影响因素包括漏电器件12的阻值、存储电容Cst的容值，容值的大小决定存储电量的多少，漏电器件12的阻值的大小决定放电的快慢。存储电容Cst的容值越大，相同的漏电器件12的阻值放电时间越长，亮的时间越长，漏电器件12的阻值越小，放电越快，插黑阶段t2在一帧内的占比越大，改善动态显示拖影越好。

本申请提供的背光模组30包括但不限于为Mini LED背光模组30，该Mini LED背光模组30为交流可调背光，以便于对背光模组30进行调控，在插黑阶段t2关闭背光，或者关闭背光之后形成插黑阶段t2，以减少视觉残留。

可选的，漏电器件12为漏电电阻121。首先，第n行的栅极线G逐行打开驱动开关管T1给子像素的液晶电容Clc和储存电容充电，虽然同时液晶电容Clc电连接驱动开关管T1的一端从漏电电阻121漏电至公共电压Vcom。但相比充电来说，漏电小到可忽略不计。一行的时间充电结束，显示正常画面，一帧剩余的几千行时间，都将是漏电时间，漏到液晶电容Clc电连接驱动开关管T1的一端的电压等于公共电压Vcom时，漏电结束，等于公共电压Vcom时就是画面显示为黑的状态，直到下一帧又给这一行充电，循环往复。一帧液晶电压的连续变化使液晶分子在一帧内不停的旋转实现大视角显示，（灰阶亮度是一帧时间的平均积分效果），漏电至公共电压Vcom，完成插黑，以黑画面抵消了当前帧的人眼的视觉残留，为眼睛下一帧接收画面做好‘清零’准备，以提高动态显示清晰度。此子像素电路11不需要任何额外的第n行的栅极线G或数据线S走线，不牺牲开口率，不需要任何特殊驱动，不增加驱动成本，根据液晶电容Clc和储存电容大小，调整漏电电阻121的阻值可控制显示与插黑比例，甚至一帧只放一点点电（即只要实现在一帧中液晶分子有一点点偏转），即可实现广视角效果。

显示面板100的储存电容的存在是维持子像素电压，防止漏电的，一帧内是一种静态显示，当子像素区域A的亮度为动态显示时，可以去掉显示面板100的储存电容，配合更大阻值的漏电电阻121放电即可。当显示面板100中介质的防漏电性能较好，不用做储存电容，然后通过漏电电阻121控制漏电，因为储存的电荷更少了，所以漏电电阻121更大，漏电更慢，以确保相同的黑白显示占比。因为储存电容是由金属形成，减少储存电容的设置，可增加显示面板100开口率，从而增加显示面板100穿透率。

本申请进一步消除动态模糊、大幅提升动态清晰度、改善面板之动态响应特性，持续刷新LCD性能新记录，缩小LCD与OLED间之画质差距。

可选的，用TFT开关管122代替漏电电阻121，采用TFT开关管122的沟道阻值代替漏电电阻121的阻值，TFT开关管122的栅极电连接在第n行的栅极线G的位置，TFT开关管122的沟道阻值。第n行的栅极线G处于打开的状态（提供正压/高电平状态），TFT开关管122也打不开。第n行的栅极线G处于关闭的状态（提供负压/低电平状态）时，TFT开关管122也关不住。

通过调节加载在TFT开关管122上的电压调节TFT开关管122的沟通阻值，以调节放电速度。充电电流远大于放电电流，所以不会影响充电，但是第n行的栅极线G处于关闭状态时，第n行的栅极线G处于负压状态，若第n行的栅极线G在负压状态的一定范围内（±1v）调节，调整TFT开关管122的沟道阻值的大小，进而控制一帧中插黑阶段t2和显示阶段t1的占比。

本申请可大幅提升显示视角，只需在面内子像素设计做修改即可实现，相比与背光擦黑方案，具有低成本，可行性高的优势，相比与降频擦黑技术，不改变显示画面实际刷新率，不会出现闪烁问题，显示效果更优。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的子像素电路，所述子像素电路包括：

栅极线，沿行方向设置，所述栅极线用于提供栅极电压；

数据线，沿列方向设置，所述数据线用于提供数据电压；

驱动开关管，所述驱动开关管的栅极电连接所述栅极线，所述驱动开关管的源极电连接所述数据线；

液晶电容，所述液晶电容的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述液晶电容的另一端电连接公共电压；及

漏电器件，所述漏电器件的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述漏电器件的另一端连接所述公共电压，所述漏电器件至少用于使一帧内的显示阶段的液晶电压变化。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述漏电器件包括漏电电阻。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述漏电器件包括TFT开关管，所述TFT开关管的栅极电连接所述栅极线，所述TFT开关管的源极电连接所述驱动开关管的漏极，所述TFT开关管的漏极电连接所述公共电压，所述TFT开关管的沟道电阻形成所述漏电器件的漏电电阻。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述TFT开关管的沟道电阻随着所述数据线提供的数据电压变化而变化。

5.如权利要求1~2、4中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述子像素电路还包括存储电容，所述存储电容的一端电连接所述驱动开关管的漏极，所述存储电容的另一端电连接公共电压。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，设有所述存储电容的子像素电路中的所述漏电器件的漏电阻值大于预设漏电阻值，所述预设漏电阻值为未设置所述存储电容时的所述漏电器件的漏电阻值。

7.如权利要求1~2、4、6中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述漏电器件使一帧时间的液晶电压变化至预设液晶电压，所述预设液晶电压大于0v。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括液晶模组及背光模组，所述液晶模组位于所述阵列基板与所述背光模组之间，所述背光模组用于在一帧时间的第一时间段提供背光，在所述一帧时间的第二时间段关闭背光，所述第一时间段形成所述一帧时间的显示阶段，所述第二时间段形成所述一帧时间的插黑阶段。

9.如权利要求1~2、4、6中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述漏电器件使一帧时间的液晶电压变化至0v，所述一帧时间中液晶电压大于0 v的时间段为显示阶段，所述一帧时间中液晶电压为0 v的时间段为插黑阶段。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括液晶模组及背光模组，所述液晶模组位于所述阵列基板与所述背光模组之间，所述背光模组用于在所述显示阶段为所述液晶模组和所述阵列基板提供的背光，并在所述插黑阶段关闭背光。