CN118137131A - 一种Ku波段宽带低剖面天线 - Google Patents

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CN118137131A CN202410490022.4A CN202410490022A CN118137131A CN 118137131 A CN118137131 A CN 118137131A CN 202410490022 A CN202410490022 A CN 202410490022A CN 118137131 A CN118137131 A CN 118137131A
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于思睿
宋凌南
苏东林
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Beihang University
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Beihang University
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Abstract

本发明公开了一种Ku波段宽带低剖面天线,包括介质基板(1)和设置于介质基板(1)上表面的辐射层;所述辐射层包括金属辐射贴片(2),所述金属辐射贴片(2)中设置有两个一次开槽(4)和两个二次开槽(5);所述一次开槽(4)和二次开槽(5)均为U型开槽;其中,第一个一次开槽的开口向右且左侧与金属辐射贴片(2)的左侧重合,第二个一次开槽的开口向左且右侧与金属辐射贴片(2)的右侧重合;第一个二次开槽位于第一个一次开槽所围成的区域内,第二个二次开槽位于第二个一次开槽所围成的区域内。本发明能够在保证交底天线剖面的同时,使得天线具有足够的带宽。

Description

一种Ku波段宽带低剖面天线
技术领域
本发明涉及天线领域,特别是涉及一种Ku波段宽带低剖面天线。
背景技术
天线设计指标关注在增益,带宽等。这些指标的优势往往与材料厚度有很大的关系,天线的带宽和厚度成正相关,但过厚的天线不利于进一步的工业设计,目前想要实现Ku波段的2G带宽,常用设计的厚度在3到5mm;若是要降低天线的剖面厚度,则带宽也会相应减小,无法实现在降低天线剖面的同时保证足够的带宽。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种Ku波段宽带低剖面天线,能够在保证交底天线剖面的同时,使得天线具有足够的带宽。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种Ku波段宽带低剖面天线,包括介质基板和设置于介质基板上表面的辐射层;
所述辐射层包括金属辐射贴片,所述金属辐射贴片中设置有两个一次开槽和两个二次开槽;
其中,所述一次开槽和二次开槽均为U型开槽;
其中,第一个一次开槽的开口向右且左侧与金属辐射贴片的左侧重合,第二个一次开槽的开口向左且右侧与金属辐射贴片的右侧重合;
第一个二次开槽位于第一个一次开槽所围成的区域内,第二个二次开槽位于第二个一次开槽所围成的区域内。
本发明的有益效果是:本发明基于天线金属辐射贴片的开槽,并增加寄生贴片的方式,能够在保证交底天线剖面的同时,使得天线具有足够的带宽。
附图说明
图1为本发明的天线结构示意图;
图2为对电流最强处开槽示意图及其反射系数示意图;
图3为贴片天线原理图;
图4为开双U型槽示意图及其反射系数示意图;
图5为加载4片寄生贴片示意图及其反射系数;
其中,1-介质基板,2-金属辐射贴片,3-金属寄生贴片,4-一次开槽,5-二次开槽,6-通孔。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,一种Ku波段宽带低剖面天线,包括介质基板1和设置于介质基板1上表面的辐射层;
所述辐射层包括金属辐射贴片2,所述金属辐射贴片2中设置有两个一次开槽4和两个二次开槽5;
其中,所述一次开槽4和二次开槽5均为U型开槽;
其中,第一个一次开槽的开口向右且左侧与金属辐射贴片2的左侧重合,第二个一次开槽的开口向左且右侧与金属辐射贴片2的右侧重合;
第一个二次开槽位于第一个一次开槽所围成的区域内,第二个二次开槽位于第二个一次开槽所围成的区域内。
在本申请的实施例中,所述辐射层还包括四片金属寄生贴片3,其中两片金属寄生贴片3位于金属辐射贴片2左侧,另外两片金属寄生贴片3位于金属辐射贴片2右侧。所述金属辐射贴片2和金属寄生贴片3均为矩形金属贴片。所述两个一次开槽4关于金属辐射贴片2的中心轴线呈轴对称。所述两个二次开槽5关于金属辐射贴片2的中心轴线呈轴对称。所述第一个二次开槽开口向右,且左侧金属辐射贴片2的左侧平行;所述第二个二次开槽开口向左,且右侧金属辐射贴片2的右侧平行。所述金属辐射贴片2上还设置有两个通孔6,其中一个通孔位于第一个一次开槽的上方,第二个通孔位于第一个一次开槽的下方;该通孔连同基板一起贯穿,通孔可以用于后续进一步控制谐振,同时为后续天线固定预留出螺丝空间。
所述天线还包括同轴馈电点,所述同轴馈电点设置于任意一个二次开槽的中央,用于进行馈电,并利用同轴的感性抵消一部分槽的容性特征。
在本申请的实施例中,目前想要实现Ku波段的2G带宽,常用设计的厚度在3到5mm;普通的1mm厚度的贴片天线带宽不到1%,想要实现2G带宽,即12.5%的宽带化贴片天线,并且使厚度继续降低,对于设计要求非常高。选材采用适合于共形弯折的RO5880材料,考虑其常用基本厚度0.254mm,0.508mm,1.016mm作为基本厚度,由高到低依次降低厚度,尝试可行性。
首先对于1.016mm引入缝隙时,发现双U型可以同时激发多个模式,且不形成简并,将频点临近,加深谐振后,可以形成2G带宽。选择将厚度继续减小,进一步实现超薄,这里对0.508mm的天线设计进行详细描述。
对于2G带宽的设计,中心思想是利用开槽实现多谐振,多种设计手段使谐振点毗邻,并加深谐振深度,依靠连续的谐振模式使宽带形成。普通的0.508mm的贴片天线,带宽仅为0.5GHz。观察其表面电流,对电流最强处进行开槽处理,调整参数进行设计优化后,反射系数如图2所示。不难发现其并未形成新的谐振点:由于两个谐振的模式过于临近,形成了简并模式,直观来看,中心频点偏移,简并模式会使得谐振深度加深。对于贴片天线,其原理图如图3所示。
对于贴片天线的谐振,可以将缝隙视为能等效成(G+jB)的并联谐振,对于开槽引入新的谐振,可以看作是引入新的电容电感,低频谐振可视作:
如图4所示,将缝隙间进行二次截断处理,形成两个相邻的缝隙,可以抵抗简并模式,形成低频频点的有效向低偏移。箭头指向两个谐振点。
为抵消开槽的容性,可以将馈电同轴结构馈点选在二次开槽中央,相当于串联电感,进一步加深谐振,促进分离第一次产生的模式简并。如图5所示,为加深谐振,可以加载4片寄生贴片。进一步地,在圆孔加载后,主要谐振片保持之前缝隙所激发TM21模式与主模TM10,模式相临,形成稳定2G的宽带天线。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应该看作是对其他实施例的排除,而可用于其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:包括介质基板(1)和设置于介质基板(1)上表面的辐射层;
所述辐射层包括金属辐射贴片(2),所述金属辐射贴片(2)中设置有两个一次开槽(4)和两个二次开槽(5);
其中,所述一次开槽(4)和二次开槽(5)均为U型开槽;
其中,第一个一次开槽的开口向右且左侧与金属辐射贴片(2)的左侧重合,第二个一次开槽的开口向左且右侧与金属辐射贴片(2)的右侧重合;
第一个二次开槽位于第一个一次开槽所围成的区域内,第二个二次开槽位于第二个一次开槽所围成的区域内。
2.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述辐射层还包括四片金属寄生贴片(3),其中两片金属寄生贴片(3)位于金属辐射贴片(2)左侧,另外两片金属寄生贴片(3)位于金属辐射贴片(2)右侧。
3.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述金属辐射贴片(2)和金属寄生贴片(3)均为矩形金属贴片。
4.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述两个一次开槽(4)关于金属辐射贴片(2)的中心轴线呈轴对称。
5.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述两个二次开槽(5)关于金属辐射贴片(2)的中心轴线呈轴对称。
6.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述第一个二次开槽开口向右,且左侧金属辐射贴片(2)的左侧平行;所述第二个二次开槽开口向左,且右侧金属辐射贴片(2)的右侧平行。
7.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述金属辐射贴片(2)上还设置有两个通孔(6),其中一个通孔位于第一个一次开槽的上方,第二个通孔位于第一个一次开槽的下方。
8.根据权利要求1所述的Ku波段宽带低剖面天线,其特征在于:所述天线还包括同轴馈电点,所述同轴馈电点设置于任意一个二次开槽的中央。
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