CN118130977A - 一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法，涉及电抗器监测技术领域，通过在待监测空心电抗器的中心镂空区域内沿轴线依次布置多个磁感应强度测量组件，根据磁感应强度测量组件测量的磁感应强度以及出线母排的出线母排电流，即可判断该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处是否发生匝间击穿，当该位置处没有发生匝间击穿时，该位置对应的磁感应强度测量组件所测量的磁感应强度与出线母排电流的比值基本不变，当该位置处发生匝间击穿时，该位置对应的磁感应强度与出线母排电流的比值会发生大幅度变化，之后对变化数据进行分析处理进而可精确判断待监测空心电抗器发生匝间击穿的位置，提高空心电抗器以及电容器成套装置的可靠性。

Description

一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法

技术领域

本发明涉及电抗器监测技术领域，更具体地说，涉及一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法。

背景技术

干式空心串联电抗器结构简单、重量轻、成本较低，是电容器成套装置中的重要元器件，具有抑制电容器合闸涌流、支路调谐等核心功能。

由于空心电抗器长期工作于户外环境中，在辐射、电、热、机械等因素的联合作用下，常常会出现匝间绝缘故障。而由于技术原因空心电抗器工作于无保护状态，往往由于匝间击穿引发明火或导体熔化产生明显电路故障后才能被发现。据统计串联电抗器故障占电容器成套装置故障总数的70％。

那么，如何及时有效的发现空心电抗器是否存在匝间击穿的问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法，技术方案如下：

一种空心电抗器匝间击穿监测装置，所述空心电抗器匝间击穿监测装置包括：

待监测空心电抗器，所述待监测空心电抗器具有中心镂空区域，所述中心镂空区域的长度延伸方向与所述待监测空心电抗器的轴线平行；

位于所述中心镂空区域内的多个磁感应强度测量组件，多个所述磁感应强度测量组件在所述轴线的延伸方向上依次排布；

所述磁感应强度测量组件与所述待监测空心电抗器的出线母排连接；

其中，所述磁感应强度测量组件用于测量所述待监测空心电抗器上目标位置处的磁感应强度，所述目标位置为该磁感应强度测量组件在第一方向上对应的所述待监测空心电抗器上的位置，所述第一方向垂直于所述轴线的延伸方向。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测装置中，所述磁感应强度测量组件为磁场传感器。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测装置中，所述空心电抗器匝间击穿监测装置还包括：封装外壳；

多个所述磁感应强度测量组件封装在所述封装外壳内。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测装置中，所述封装外壳的材料为绝缘材料。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测装置中，所述待监测空心电阻抗在所述轴线的延伸方向上包括下端区域、中间区域和上端区域；

对应所述下端区域的磁感应强度测量组件的排布密度大于对应所述中间区域的磁感应强度测量组件的排布密度，且大于对应所述上端区域的磁感应强度测量组件的排布密度。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测装置中，所述空心电抗器匝间击穿监测装置还包括：

取能线圈，所述取能线圈安装在所述出线母排上，所述磁感应强度测量组件与所述取能线圈连接。

本申请还提供了一种空心电抗器匝间击穿监测方法，所述空心电抗器匝间击穿监测方法包括：

将多个磁感应强度测量组件从待监测空心电抗器的下端沿轴线依次进行编号；

获取出线母排电流以及多个磁感应强度测量组件所测量的实际磁感应强度数据，并以所述磁感应强度测量组件的编号为横坐标，所述实际磁感应强度数据与所述出线母排电流的比值为纵坐标，绘制实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线；

基于所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线与标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，所述标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线为所述待监测空心电抗器未发生匝间击穿时，以所述磁感应强度测量组件测量的标准磁感应强度数据与出线母排电流的比值为纵坐标，所述磁感应强度测量组件的编号为横坐标绘制的单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测方法中，所述基于所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线与标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，包括：

将所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线对应的数据减去所述标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线对应的数据，得到差值磁感应强度分布曲线；

基于所述差值磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测方法中，所述基于所述差值磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，包括：

判断所述差值磁感应强度分布曲线中所述磁感应强度测量组件对应的磁感应强度与出线母排电流的比值是否小于目标负值；

若是，确定该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处发生匝间击穿。

优选的，在上述空心电抗器匝间击穿监测方法中，若否，确定该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处未发生匝间击穿。

相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：

本发明提供了一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法，通过在待监测空心电抗器的中心镂空区域内沿轴线依次布置多个磁感应强度测量组件，根据磁感应强度测量组件测量的磁感应强度以及出线母排的出线母排电流，即可判断该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处是否发生匝间击穿，当该位置处没有发生匝间击穿时，该位置对应的磁感应强度测量组件所测量的磁感应强度与出线母排电流的比值基本不变，当该位置处发生匝间击穿时，该位置对应的磁感应强度测量组件所测量的磁感应强度与出线母排电流的比值会发生大幅度变化，之后对变化数据进行分析处理进而可精确判断待监测空心电抗器发生匝间击穿的位置，提高空心电抗器以及电容器成套装置的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种空心电抗器的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种多个磁感应强度测量组件的排布示意图；

图3为本发明实施例提供的一种空心电抗器匝间击穿监测装置的原理结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种空心电抗器没有发生匝间击穿的情况下空心电抗器轴线上的磁感应强度与出线母排电流的比值的分布曲线示意图；

图5为本发明实施例提供的一种空心电抗器发生匝间击穿时空心电抗器上叠加后的总磁感应强度与出线母排电流的比值的分布曲线示意图；

图6为本发明实施例提供的一种空心电抗器没有发生匝间击穿的情况下单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线示意图；

图7为本发明实施例提供的一种空心电抗器发生匝间击穿的情况下单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线示意图；

图8为本发明实施例提供的一种将图6所示曲线与图7所示曲线进行整合后的曲线示意图；

图9为本发明实施例提供的一种空心电抗器匝间击穿监测方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的发明创造过程中发现现有技术中是在电抗器的上端和下端分别套一个感应线圈，两个感应线圈的输出端采用差分接法进行连接，正常情况下，即电抗器没有发生匝间击穿时两个感应线圈的感应电压相等，差分输出为零；当电抗器发生匝间击穿时，由于电抗器的上端和下端的电路参数不再对称，此时差分输出不为零；并且通过差分值正负符号可以确定匝间击穿发生在电抗器的上半部分还是下半部分。

需要说明的是，电抗器的下端指的是靠近地面的一端，电抗器的上端与下端在电抗器的轴线上相对设置。

但是现有技术这一方案需要在电抗器外部套感应线圈，与电抗器本体有直接接触，安装后需要重新制作外绝缘，施工复杂且成本较高，并且还可能导致电抗器外绝缘发生闪络。

并且，现有技术这一方案只能确定匝间击穿发生于电抗器的上半部分还是下半部分，定位精度较低。并且由于感应线圈的尺寸很大，很容易受到外部磁场的干扰，进而影响最终监测结果的精确性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参考图1，图1为本发明实施例提供的一种空心电抗器的结构示意图，参考图2，图2为本发明实施例提供的一种多个磁感应强度测量组件的排布示意图，参考图3，图3为本发明实施例提供的一种空心电抗器匝间击穿监测装置的原理结构示意图，本发明实施例提供的空心电抗器匝间击穿监测装置包括：

待监测空心电抗器10，所述待监测空心电抗器10具有中心镂空区域11，所述中心镂空区域11的长度延伸方向与所述待监测空心电抗器10的轴线平行。

位于所述中心镂空区域11内的多个磁感应强度测量组件14，多个所述磁感应强度测量组件14在所述轴线的延伸方向上依次排布。

所述磁感应强度测量组件14与所述待监测空心电抗器10的出线母排15连接。

其中，所述磁感应强度测量组件14用于测量所述待监测空心电抗器10上目标位置处的磁感应强度，所述目标位置为该磁感应强度测量组件14在第一方向X上对应的所述待监测空心电抗器10上的位置，所述第一方向X垂直于所述轴线的延伸方向。

需要说明的是，为了更好的体现磁感应强度测量组件14与待监测空心电抗器10的连接关系，在图3中将二者进行分离体现，实际应用中是多个磁感应强度测量组件14在中心镂空区域11沿所述轴线的延伸方向上依次排布。

具体的，在本发明实施例中如图1所示，待监测空心电抗器10包括电抗器线圈12、星架臂13等组件。星架臂13的材料包括但不限于铝等导电材料，主要起到支撑和导电的作用。电抗器线圈12由单股的铝制导线或铜制导线等其它材料的导线绕制而成，导线上缠绕有绝缘层，在绕制过程中同步绕制环氧浸渍的玻璃纤维布，之后在固化炉中将电抗器外绝缘固化。

空心电抗器在运行过程中，若绝缘介质发生老化、损坏等问题时，相邻电抗线圈匝之间可能发生击穿，导致绝缘失效，两电抗线圈匝之间会形成电连接点。此时短路匝中流过与主电流方向相反的感应电流，空心电抗器轴线上的磁场由主电流和短路匝的反向电流在轴线产生的磁场叠加而成。

根据电磁场理论可知，正常情况下，即空心电抗器没有发生匝间击穿的情况下，空心电抗器轴线上的磁感应强度只有轴向分量，空心电抗器中心的值最大，两端较小，如图4所示，图4为本发明实施例提供的一种空心电抗器没有发生匝间击穿的情况下空心电抗器轴线上的磁感应强度与出线母排电流的比值的分布曲线示意图，纵坐标B/I表示磁感应强度与出线母排电流的比值，横坐标L表示磁感应强度测量组件14对应的待监测空心电抗器10的位置；其中以待监测空心电抗器10的下端及其对应的磁感应强度与出线母排电流的比值的数据作为原点数据。

当待监测空心电抗器10发生匝间击穿后，由于反向感应电流的影响，待监测空心电抗器10轴线上的磁场发生了畸变，在击穿点高度反向电流产生的磁场强度最大，和主磁通叠加后，在原始磁场分布的基础上叠加了反向磁场，反向磁场的峰值位置与击穿点位置相关，如图5所示，图5为本发明实施例提供的一种空心电抗器发生匝间击穿时空心电抗器上叠加后的总磁感应强度与出线母排电流的比值的分布曲线示意图，纵坐标B/I表示磁感应强度与出线母排电流的比值，横坐标L表示磁感应强度测量组件14对应的待监测空心电抗器10的位置；其中以待监测空心电抗器10的下端及其对应的磁感应强度与出线母排电流的比值的数据作为原点数据。

由此可知，根据轴线上磁感应强度与出线母排电流的比值的分布曲线的变化就可以确定待监测空心电抗器10上匝间击穿发生的位置，基于此在本发明实施例中通过在待监测空心电抗器10的中心镂空区域11内沿轴线依次布置多个磁感应强度测量组件14，根据磁感应强度测量组件14测量的磁感应强度与出线母排电流的比值，即可判断该磁感应强度测量组件14对应的待监测空心电抗器10的位置处是否发生匝间击穿，当该位置处没有发生匝间击穿时，该位置对应的磁感应强度测量组件14所测量的磁感应强度与出线母排电流的比值基本不变，当该位置处发生匝间击穿时，该位置对应的磁感应强度测量组件14所测量的磁感应强度与出线母排电流的比值会发生大幅度变化，之后对变化数据进行分析处理进而可精确判断待监测空心电抗器10发生匝间击穿的位置，提高待监测空心电抗器10以及电容器成套装置的可靠性。

可选的，在本发明另一实施例中，该磁感应强度测量组件14包括但不限定于磁场传感器，在本发明实施例中以磁感应强度测量组件14为磁场传感器为例进行说明。

也就是说，在本发明实施例中是在待监测空心电抗器10的中心镂空区域11内沿轴线依次布置多个磁场传感器，该磁场传感器具有很强的方向选择性，只能测量外部磁场中与磁场传感器极化方向相同的磁场分量。

可选的，在本发明另一实施例中，所述空心电抗器匝间击穿监测装置还包括：封装外壳；多个所述磁感应强度测量组件14封装在所述封装外壳内。所述封装外壳的材料为绝缘材料。

将多个磁感应强度测量组件14封装在所述封装外壳内，例如将多个磁场传感器封装在所述封装外壳内，多个磁感应强度测量组件的电源从待监测空心电抗器10的出线母排15上加装取能线圈16，并测量出线母排电流。也就是说，所述空心电抗器匝间击穿监测装置还包括：取能线圈16，所述取能线圈16安装在所述出线母排15上，所述磁感应强度测量组件14与所述取能线圈16连接。

需要说明的是，出线母排电流可以通过取能线圈16测量得到。

所述待监测空心电抗器10在所述轴线的延伸方向上包括下端区域、中间区域和上端区域，由于待监测空心电抗器10的下端区域很容易出现匝间击穿的问题，因此在本发明实施例中还可以使对应所述下端区域的磁感应强度测量组件14的排布密度大于对应所述中间区域的磁感应强度测量组件14的排布密度，且大于对应所述上端区域的磁感应强度测量组件14的排布密度。

多个磁场传感器构成的传感器阵列实时测量待监测空心电抗器10轴线上的磁感应强度，并基于出线母排电流的相位和大小，计算单位出线母排电流下磁感应强度的向量，将各磁场传感器的数据连成一条分布曲线。

参考图6，图6为本发明实施例提供的一种空心电抗器没有发生匝间击穿的情况下单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线示意图，纵坐标B/I表示磁感应强度与出线母排电流的比值，横坐标表示多个磁场传感器的阵列编号，例如将多个磁场传感器从待监测空心电抗器10的下端开始进行编号，磁场传感器1、磁场传感器2、…、磁场传感器N，N为磁场传感器的总个数，且N为正整数；其中以磁场传感器1所对应的数据作为原点数据，在本发明实施例中将图6所示的曲线定义为曲线C0，这一曲线也可以理解为所述待监测空心电抗器10未发生匝间击穿时，以所述磁感应强度测量组件14测量的标准单位出线母排电流下磁感应强度数据为纵坐标，所述磁感应强度测量组件14的编号为横坐标绘制的磁感应强度曲线。

参考图7，图7为本发明实施例提供的一种空心电抗器发生匝间击穿的情况下单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线示意图，纵坐标B/I表示磁感应强度与出线母排电流的比值，横坐标表示多个磁场传感器的阵列编号，例如将多个磁场传感器从待监测空心电抗器10的下端开始进行编号，磁场传感器1、磁场传感器2、…、磁场传感器N，N为磁场传感器的总个数，且N为正整数；其中以磁场传感器1所对应的数据作为原点数据，在本发明实施例中将图7所示的曲线定义为曲线Ct，这一曲线也可以理解为多个磁感应强度测量组件14所测量的实际磁感应强度与出线母排电流的比值的数据，并以所述磁感应强度测量组件14的编号为横坐标，所述实际单位出线母排电流下磁感应强度数据为纵坐标绘制的实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线。

参考图8，图8为本发明实施例提供的一种将图6所示曲线与图7所示曲线进行整合后的曲线示意图，纵坐标B/I表示磁感应强度与出线母排电流的比值，横坐标L表示磁场传感器对应的待监测空心电抗器10的位置，将图8所示的曲线定义为dC，计算差值，dC＝Ct-C0，当未发生匝间击穿时，dC曲线的值始终接近于零，当发生匝间击穿时，dC曲线的相应位置会出现较大负峰值，负峰值对应的磁场传感器的高度即为匝间击穿发生的高度，基于负峰值可确定对应的磁场传感器的编号，基于该编号即可确定待监测空心电抗器10发生匝间击穿的位置，实现精准判别，精确判断待监测空心电抗器10发生匝间击穿的位置，提高待监测空心电抗器10以及电容器成套装置的可靠性。

通过上述描述可知，本发明实施例提供的一种空心电抗器匝间击穿监测装置用一系列微型的磁场传感器测量空心电抗器轴线上的轴向磁感应强度，基于出线母排电流绘制磁感应强度与出线母排电流的比值随位置的变化曲线，用所测量的轴线单位出线母排电流下磁感应强度曲线与该空心电抗器的标准单位出线母排电流下磁感应强度曲线的差值作为判断依据，负峰值出现的高度即为匝间击穿发生的高度，进而可确定空心电抗器发生匝间击穿的位置，实现精准判别，精确判断空心电抗器发生匝间击穿的位置，提高空心电抗器以及电容器成套装置的可靠性。

并且，所采用的磁场传感器具有很强的方向性，可以天然的滤除其他方向的外磁场带来的干扰，磁场传感器与空心电抗器本体外绝缘无接触，不需要特殊的绝缘处理，安装施工量小。

需要说明的是，在一些可选实施例中可以采用小型线圈代替磁场传感器，还可以用匝间击穿瞬间产生的暂态磁场变化代替击穿后的稳态磁场变化作为判断依据。

基于本发明上述实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种空心电抗器匝间击穿监测方法，参考图9，图9为本发明实施例提供的一种空心电抗器匝间击穿监测方法的流程示意图，所述空心电抗器匝间击穿监测方法包括：

S101：将多个磁感应强度测量组件从待监测空心电抗器的下端沿轴线依次进行编号。

S102：获取出线母排电流以及多个磁感应强度测量组件所测量的实际磁感应强度数据，并以所述磁感应强度测量组件的编号为横坐标，所述实际磁感应强度数据与所述出线母排电流的比值为纵坐标，绘制实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线。

S103：基于所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线与标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，所述标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线为所述待监测空心电抗器未发生匝间击穿时，以所述磁感应强度测量组件测量的标准磁感应强度数据与出线母排电流的比值为纵坐标，所述磁感应强度测量组件的编号为横坐标绘制的标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线。

可选的，在本发明另一实施例中，所述基于所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线与标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，包括：

将所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线对应的数据减去所述标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线对应的数据，得到差值磁感应强度分布曲线。

基于所述差值磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测。

可选的，在本发明另一实施例中，所述基于所述差值磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，包括：

判断所述差值磁感应强度分布曲线中所述磁感应强度测量组件对应的磁感应强度与出线母排电流的比值是否小于目标负值。

若是，确定该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处发生匝间击穿。

可选的，在本发明另一实施例中，若否，确定该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处未发生匝间击穿。

以上对本发明所提供的一种空心电抗器匝间击穿监测装置及方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种空心电抗器匝间击穿监测装置，其特征在于，所述空心电抗器匝间击穿监测装置包括：

待监测空心电抗器，所述待监测空心电抗器具有中心镂空区域，所述中心镂空区域的长度延伸方向与所述待监测空心电抗器的轴线平行；

位于所述中心镂空区域内的多个磁感应强度测量组件，多个所述磁感应强度测量组件在所述轴线的延伸方向上依次排布；

所述磁感应强度测量组件与所述待监测空心电抗器的出线母排连接；

其中，所述磁感应强度测量组件用于测量所述待监测空心电抗器上目标位置处的磁感应强度，所述目标位置为该磁感应强度测量组件在第一方向上对应的所述待监测空心电抗器上的位置，所述第一方向垂直于所述轴线的延伸方向。

2.根据权利要求1所述的空心电抗器匝间击穿监测装置，其特征在于，所述磁感应强度测量组件为磁场传感器。

3.根据权利要求1所述的空心电抗器匝间击穿监测装置，其特征在于，所述空心电抗器匝间击穿监测装置还包括：封装外壳；

多个所述磁感应强度测量组件封装在所述封装外壳内。

4.根据权利要求3所述的空心电抗器匝间击穿监测装置，其特征在于，所述封装外壳的材料为绝缘材料。

5.根据权利要求1-4任一项所述的空心电抗器匝间击穿监测装置，其特征在于，所述待监测空心电阻抗在所述轴线的延伸方向上包括下端区域、中间区域和上端区域；

对应所述下端区域的磁感应强度测量组件的排布密度大于对应所述中间区域的磁感应强度测量组件的排布密度，且大于对应所述上端区域的磁感应强度测量组件的排布密度。

6.根据权利要求1所述的空心电抗器匝间击穿监测装置，其特征在于，所述空心电抗器匝间击穿监测装置还包括：

取能线圈，所述取能线圈安装在所述出线母排上，所述磁感应强度测量组件与所述取能线圈连接。

7.一种空心电抗器匝间击穿监测方法，其特征在于，所述空心电抗器匝间击穿监测方法包括：

将多个磁感应强度测量组件从待监测空心电抗器的下端沿轴线依次进行编号；

获取出线母排电流以及多个磁感应强度测量组件所测量的实际磁感应强度数据，并以所述磁感应强度测量组件的编号为横坐标，所述实际磁感应强度数据与所述出线母排电流的比值为纵坐标，绘制实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线；

基于所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线与标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，所述标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线为所述待监测空心电抗器未发生匝间击穿时，以所述磁感应强度测量组件测量的标准磁感应强度数据与出线母排电流的比值为纵坐标，所述磁感应强度测量组件的编号为横坐标绘制的标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线。

8.根据权利要求7所述的空心电抗器匝间击穿监测方法，其特征在于，所述基于所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线与标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，包括：

将所述实际单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线对应的数据减去所述标准单位出线母排电流下磁感应强度分布曲线对应的数据，得到差值磁感应强度分布曲线；

基于所述差值磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测。

9.根据权利要求8所述的空心电抗器匝间击穿监测方法，其特征在于，所述基于所述差值磁感应强度分布曲线，对所述待监测空心电抗器的匝间击穿位置进行监测，包括：

判断所述差值磁感应强度分布曲线中所述磁感应强度测量组件对应的磁感应强度与出线母排电流的比值是否小于目标负值；

若是，确定该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处发生匝间击穿。

10.根据权利要求9所述的空心电抗器匝间击穿监测方法，其特征在于，若否，确定该磁感应强度测量组件对应的待监测空心电抗器的位置处未发生匝间击穿。