CN118127468A - 金刚石粉末的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的金刚石粉末的处理方法，包括：清洗金刚石粉末；以及将所述金刚石粉末置于真空腔室内，并在所述真空腔室内采用磁控溅射工艺在所述金刚石粉末的表面上形成金属保护膜，其中所述金属保护膜为Cr或Ti金属。经处理后的金刚石粉末的表面形成金属保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，以使金刚石粉末在研磨中不会对产品造成损坏。
Description
技术领域
本发明涉及半导体研磨领域，尤其涉及一种金刚石粉末的处理方法。
背景技术
在半导体加工工艺中，研磨是其中重要的工艺。由于金刚石具有高硬度，耐腐蚀性能，因此常用作半导体的研磨粉。然而，在加工过程中，出现的问题是金刚石的结晶不够良好，颗粒大小不均匀，甚至出现破损，破损的金刚石颗粒在研磨过程中给半导体表面造成划痕，使得研磨效果不理想。而且，由于金刚石颗粒很小，破损的金刚石很难被筛选出来，因而难以改善该金刚石颗粒所带来的问题。
因此，有必要提供一种改进的金刚石粉末的处理方法以克服以上缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金刚石粉末的处理方法，经处理后的金刚石粉末的表面形成金属保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，以使金刚石粉末在研磨中不会对产品造成损坏。
为实现上述目的，本发明金刚石粉末的处理方法，包括以下步骤：
清洗金刚石粉末；以及
将所述金刚石粉末置于真空腔室内，并在所述真空腔室内采用磁控溅射工艺在所述金刚石粉末的表面上形成金属保护膜，其中所述金属保护膜为Cr或Ti金属。
与现有技术相比，本发明在真空腔室内采用磁控溅射工艺在金刚石粉末表面上形成保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，也就是说经处理后的金刚石粉末颗粒均匀，表面平整，防止金刚石粉末在研磨过程中对产品造成划痕或损坏；而且，该保护膜为Cr或Ti金属，这些金属成本低，均匀致密，且与金刚石粉末的结合力良好，层体性能优异。再且，磁控溅射工艺易于控制和实现，适于在工业上推广使用。
较佳地，所述磁控溅射工艺包括在氩气和氧气氛围下开启Cr靶或Ti靶，控制磁控溅射的功率为800-1000W，磁控溅射的电压为500-600V。
较佳地，所述磁控溅射工艺还包括控制所述真空腔室的温度为15-20℃。
较佳地，所述氩气的流量为600-800sccm，所述氧气的流量为30-40sccm。
较佳地，所述磁控溅射工艺中，溅射的时间为90-120min。
较佳地，所述磁控溅射工艺还包括控制所述真空腔室内的工作气压为2×10-4-5×10-3Pa。
较佳地，清洗金刚石粉末后干燥所述金刚石粉末。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的金刚石粉末的处理方法作进一步说明，但不因此限制本发明。本发明的方法旨在提供一种表金刚石粉末的处理方法，经处理后的金刚石粉末的表面形成金属保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，以使金刚石粉末在研磨中不会对产品造成损坏，而且该金属保护膜均匀致密，和金刚石粉末的结合力良好。
在本发明金刚石粉末的处理方法的一个实施例中，包括以下步骤：
清洗金刚石粉末；以及
将所述金刚石粉末置于真空腔室内，并在所述真空腔室内采用磁控溅射工艺在所述金刚石粉末的表面上形成金属保护膜，其中所述金属保护膜为Cr或Ti金属。
本发明中，在真空腔室内采用磁控溅射工艺在金刚石粉末表面上形成保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，也就是说经处理后的金刚石粉末颗粒均匀，表面平整，防止金刚石粉末在研磨过程中对产品造成划痕或损坏；而且，该保护膜为Cr或Ti金属，这些金属成本低，均匀致密，且与金刚石粉末的结合力良好，层体性能优异。再且，磁控溅射工艺易于控制和实现，适于在工业上推广使用。
具体地，清洗金刚石粉末的目的主要是清除表面的有机物，烘干后均匀地铺置于真空腔室内。磁控溅射工艺在真空腔室内进行。
优选地，在磁控溅射工艺中，采用氩气和氧气作为工作气体，例如氩气的流量为600-800sccm，氧气的流量为30-40sccm，通入一定的气体后，真空腔室内的工作气压被控制在2×10-4-5×10-3Pa。开启Cr靶或Ti靶，控制磁控溅射的功率为800-1000W，磁控溅射的电压为500-600V。这样的磁控溅射参数优化十分有利于金属保护膜的形成。更佳地，在溅射过程中，控制真空腔室的温度为15-20℃，保持合适的温度有助于溅射的效率。溅射的时间为90-120min，形成的金属保护膜厚度为20-30μm。该厚度的保护膜对磁控溅射工艺来说更容易控制和获得。
由此可见，本发明在真空腔室内采用磁控溅射工艺在金刚石粉末表面上形成保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，也就是说经处理后的金刚石粉末颗粒均匀，表面平整，防止金刚石粉末在研磨过程中对产品造成划痕或损坏；而且，该保护膜为Cr或Ti金属，这些金属成本低，均匀致密，且与金刚石粉末的结合力良好，层体性能优异。再且，磁控溅射工艺易于控制和实现，适于在工业上推广使用。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种金刚石粉末的处理方法，包括：
清洗金刚石粉末；以及
将所述金刚石粉末置于真空腔室内，并在所述真空腔室内采用磁控溅射工艺在所述金刚石粉末的表面上形成金属保护膜，其中所述金属保护膜为Cr或Ti金属。
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述磁控溅射工艺包括在氩气和氧气氛围下开启Cr靶或Ti靶，控制磁控溅射的功率为800-1000W，磁控溅射的电压为500-600V。
3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：所述磁控溅射工艺还包括控制所述真空腔室的温度为15-20℃。
4.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：所述氩气的流量为600-800sccm，所述氧气的流量为30-40sccm。
5.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述磁控溅射工艺中，溅射的时间为90-120min。
6.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：所述磁控溅射工艺还包括控制所述真空腔室内的工作气压为2×10-4-5×10-3Pa。
7.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于还包括：清洗金刚石粉末后干燥所述金刚石粉末。
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2022
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