CN118020140A - 改进的离子导向器带通过滤器 - Google Patents
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Abstract
在一方面，公开了一种用于在质谱仪中使用的离子过滤器，该离子过滤器包括布置成多极配置以提供离子能行进通过的通道的多个杆，所述多个杆被配置用于施加有RF电压以在通道内提供电磁场用于提供对离子的径向限制，并且还被配置用于施加有DC电压。至少两对辅助电极散布在多个杆之间，并且被配置用于向所述对中的一对施加具有一种极性的DC偏置电压以及向所述对中的另一对施加具有相反极性的DC偏置电压，以提供在辅助电极与多个杆之间的DC电势差。
Description
相关申请
本申请要求于2021年8月24日提交的题为改进的离子导向器带通过滤器的申请号为63/236,389的临时申请的优先权，该临时申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开总体上涉及用于在质谱系统中使用的离子质量过滤器。
背景技术
本教导总体上涉及用于在质谱系统中使用的离子质量过滤器，并且更具体地涉及可以补偿这种离子质量过滤器中的机械未对准和/或电学不平衡的方法和系统。
离子过滤器在各种各样的质谱仪中被采用以用于选择m/z比在关注范围内的离子。举例来说，题为“用于提高质谱仪稳健性的RF/DC过滤器”的美国专利第10,741,378号公开了一种离子质量过滤器，其包括布置成多极配置的被施加有RF电压的多个杆、以及插置在多极杆之间的被施加有DC电压的多个辅助电极，使得RF电压和DC电压的组合允许操纵离子通过离子质量过滤器的传输。
发明内容
在一方面，公开了一种用于在质谱仪中使用的离子质量过滤器，该离子质量过滤器包括多个杆，所述多个杆被布置成多极配置以提供离子能行进通过的通道，所述多个杆被配置用于施加有RF电压以在该通道内提供电磁场用于提供对离子的径向限制，并且还被配置用于施加有DC电压。至少两对辅助电极(每对在本文中也被称为极)散布在多个杆之间并且被配置用于施加有DC偏置电压。
施加至每对的辅助DC偏置电压包括DC过滤电压分量和DC校正电压分量。施加至一对辅助电极的DC过滤电压分量的极性与施加至另一对辅助电极的DC过滤电压分量的极性相反。此外，施加至所述两对辅助电极的电压的DC过滤分量被配置为对m/z比在目标范围内的离子提供稳定的轨迹以及对m/z比在该目标范围之外的离子提供不稳定的轨迹，以及DC校正分量被配置为对所述辅助电极和所述多个杆中的至少一者相对于所述辅助电极和所述多个杆中的至少另一者的未对准提供基本补偿。该未对准可以是轴向和/或径向的未对准，即，沿着离子过滤器的纵向轴线的未对准(轴向未对准)和/或沿着垂直于该纵向轴线的方向的未对准(径向未对准)。
当施加至辅助电极的一个极的DC过滤分量的极性与施加至辅助电极的另一极的DC过滤分量的极性相反时，施加至辅助电极的一个极的DC校正分量的极性可以与施加至辅助电极的另一极的DC校正分量的极性相同或相反。
DC校正分量可以被配置为最小化并且优选地防止在离子质量过滤器内对m/z比在目标范围内的离子的捕获。举例来说，在一些实施例中，每个DC校正分量可以在相应DC过滤分量的约-5％至约5％的范围内。
在一些实施例中，施加至多极杆的RF电压被配置(例如，它们的频率和/或幅度被选择)为过滤低质量离子，例如过滤m/z比小于第一阈值的离子。在一些这样的实施例中，施加至辅助电极的DC电压和施加至多个杆的DC电压被配置为在离子过滤器的离子通道内产生电场分布，该电场分布可以导致对m/z比高于第二阈值的离子的过滤，使得施加至多极杆的RF电压和施加至多极杆以及辅助电极的DC电压的组合可以提供带通离子质量过滤器，例如，将允许m/z比在所述第一阈值和所述第二阈值之间的离子通过的带通离子质量过滤器。
在一些实施例中，辅助电极可以包括多个T形电极。在一些这样的实施例中，T形电极可以包括背板(例如，方形背板)，柄可以从该背板朝向与多个多极杆相关联的纵向轴线而径向延伸。
在一些实施例中，多极杆包括布置成四极配置的四个杆。然而，本教导不限于布置成四极配置的多个杆，而是也可以采用其他多极配置，诸如八极配置。
在一些实施例中，辅助电极可以具有与多极杆基本上相同的长度，而在其他实施例中，多极杆与辅助电极的长度可以不同。例如，辅助电极可以比多极杆短。作为示例，但不作为限制，辅助电极的长度可以约为辅助电极的长度的1/3、1/4、或1/5。
在一些实施例中，所述至少两对辅助电极包括四个辅助电极，每个辅助电极插置在所述多个杆中的两个杆之间。
在一些实施例中，施加至多极杆的RF电压的频率可以在约0.1MHz至约5MHz的范围内，例如在约1MHz至约3MHz的范围内，或在约3MHz至约5MHz的范围内。在一些这样的实施例中，RF电压的幅度可以在约10伏至约5千伏(V0-p)的范围内，例如在约100至2000V0-p的范围内，或在约2000至5000V0-p的范围内。在一些实施例中，施加至辅助电极的DC偏置电压的幅度在约-8500伏至约+8500伏的范围内，例如在约-1000V至约+1000V的范围内、在约-3000V至+3000V的范围内、或在约-7000V至+7000V的范围内。
在相关方面，公开了一种质谱仪，该质谱仪包括离子过滤器，该离子过滤器具有多个杆，所述多个杆被布置成多极配置以提供离子能行进通过的通道，所述多个杆被配置用于施加有RF电压以在所述通道内提供电磁场用于提供对离子的径向限制，并且还被配置用于施加有DC电压。离子质量过滤器还可以包括至少两对辅助电极，其散布在所述多个杆之间并且被配置用于向辅助电极施加DC偏置电压以提供所述多个杆和辅助电极之间的电势差。
施加至辅助电极的每对(每个极)的DC偏置电压包括DC过滤分量和DC校正分量，其中施加至所述两对辅助电极的电压的DC过滤分量被配置为对m/z比在目标范围内的离子提供稳定的轨迹以及对m/z比在该目标范围之外的离子提供不稳定的轨迹，以及DC校正分量被配置为对辅助电极和所述多个杆中的至少一者相对于辅助电极和所述多个杆中的至少另一者的未对准提供基本补偿。
质谱仪还可以包括用于向多个多极杆施加(一个或多个)RF电压的至少一个RF电压源和用于向多个杆和辅助电极施加DC电压的至少一个DC电压源。在一些这样的实施例中，至少一个DC电压源可以包括两个独立的DC电压源，其中一个DC电压源被配置为将(一个或多个)DC电压施加至多极杆并且另一个DC电压源被配置为将DC电压施加至辅助电极。
如上所述，施加至一对辅助电极的DC电压的过滤分量的极性可以与施加至另一对辅助电极的DC电压的相应过滤分量的极性相反，从而在通道内产生期望的电场分布，离子通过该通道从离子过滤器的入口行进至离子过滤器的出口。
在相关方面，公开了一种用于调整并入在MS/MS质谱仪中的离子过滤器的方法，其中离子过滤器包括多个杆，所述多个杆被布置成多极配置以提供用于离子传输通过的通道并且被配置用于施加有RF电压。离子质量过滤器还包括至少两对辅助电极，其分散在杆之间并且被配置用于施加有DC偏置电压，从而在辅助电极与多极杆之间产生DC电势差。施加至一对辅助电极(即辅助电极的一个极)的DC偏置电压的极性与施加至另一对辅助电极(即辅助电极的另一极)的DC偏置电压的极性相反。在实施例中，可以调节施加至辅助电极的两个极的电压之间的电压差(例如，经由将校正电压施加至那些电极)从而基本上补偿机械未对准和/或DC电压不平衡。
该方法的一个示例可以包括以下步骤：(a)在没有向辅助电极施加DC偏置电压(施加在辅助电极上的电压与杆DC偏移相同)的情况下，使用MS/MS质谱仪来获取前体离子的MRM转变的第一测量，(b)在将DC电压施加至辅助电极以提供目标离子传输带宽的情况下，使用MS/MS质谱仪来获取前体离子的MRM转变的第二测量，(c)基于第二测量相对于第一测量的强度比率来估计与所述离子过滤器相关联的信号损失，以及(d)调节施加至所述辅助电极的所述DC偏移电压以减少所述信号损失，以及(e)迭代进行上述步骤(a)-(d)从而最小化信号损失，即从而优化质谱仪的性能。
在一些实施例中，在执行MRM转变的第二测量之后，终止向辅助电极施加DC电压并且执行MRM转变的另一(第三)测量。第三MRM测量的强度相对于第二MRM测量的强度的比率指示两个MRM测量之间的串扰。例如，当向辅助电极施加DC偏置电压并且电极或杆上的机械未对准导致捕获离子的至少一部分时，在关闭DC电压之后，捕获的离子的至少一部分可以从离子质量过滤器释放并可以被检测到，由此增加了检测到的MRM转变的强度。在实施例中，调整可以实现一个最佳的或一系列最佳的DC偏移电压以供施加至辅助电极以用于最小化串扰并因此补偿未对准的影响。
通过结合相关联的附图参考下面的详细描述，可以获得对本教导的各个方面的进一步理解，下面简要描述附图。
附图说明
图1A是离子过滤器沿其纵向轴线的截面图，其中离子过滤器包括布置成四极配置的四个杆和四个T形辅助电极，每个T形辅助电极插置在两个四极杆之间，
图1B是图1A所描绘的离子过滤器的另一示意图，
图2示出了在T形辅助电极(轴向)未对准的情况下和在T形辅助电极没有(轴向)未对准的情况下针对具有图1所示结构的离子过滤器获得的模拟DC电势迹线，
图3示意性地描绘了根据本教导的实施例的离子过滤器，
图4是图示根据本教导的用于调整离子过滤器的方法的实施例的各个步骤的流程图，
图5A示意性地描绘了其中并入有根据本教导的实施例的离子过滤器的质谱仪的示例，
图5B示意性地示出了在质谱仪的一些实施方式中，在该图中标示为DJet和QJet的两个离子导向器可以用在质谱仪中采用的质量过滤器的上游，
图6A、图6B和图6C描绘了根据本教导的实施例的离子过滤器中的模拟DC电势迹线，
图7A示出了在没有将DC偏置电压施加至T条辅助电极的情况下(信号1)、在将DC偏置电压(Tbar变化量(delta)＝-683V)施加至T条辅助电极的情况下(信号2)以及在此之后在不向T条电极施加DC偏置电压的情况下(信号3)使用根据本教导的离子过滤器的实施例的MRM转变(具有5ms的驻留时间)的三个测量的强度，
图7B示出了与图7A中呈现的MRM转变相同的MRM转变的强度，其中两对辅助电极被施加不平衡的DC偏移电压以最小化信号强度损失和串扰，
图8A示出了当施加至根据本教导的实施例的离子过滤器的辅助电极的B极的DC电压被固定并且施加至A极的DC电压被调整时MRM信号强度损失和串扰的变化，
图8B示出了当施加至离子过滤器的辅助电极的A极的DC电压被固定并且施加至B极的DC电压被调整时MRM信号强度损失和串扰的变化，
图8C示出了当T条偏移电压(即施加至T条极和杆的DC电压之间的电压差)被调节时MRM信号强度损失和串扰的变化，
图9A和图9C示出了在优化的T条偏移调整条件下，对应于利用应用在T条A极(9A)和T条B极(9C)中的离子过滤获得的6种离子的MRM转变强度，
图9B示出了在没有对B极应用T条DC偏移校正的情况下6种离子的相应MRM转变，以及
图10描绘了适合用于在根据本教导的各种实施例的实践中使用的控制器的实施方式的示例。
具体实施方式
将理解，为了清楚起见，以下讨论将阐述本公开的实施例的各个方面，同时在方便或适当的情况下省略某些具体细节。例如，可稍微简化对替代实施例中的相同或类似特征的讨论。为简洁起见，众所周知的想法或概念也可能不会被详细讨论。普通技术人员将认识到，本公开的一些实施例可以不用在每个实施方式中都需要某些具体描述的细节，本文中阐述这些细节仅是为了提供对实施例的透彻理解。类似地，将明白的是，所描述的实施例可以容易根据公知常识进行改变或变化，而不脱离本公开的范围。下面对实施例的详细描述不应被视为以任何方式限制申请人的教导的范围。
如本文所使用的，术语“约”和“基本上”和“基本上相等”是指例如通过以下情形而可能发生的数值量和/或完整状态或条件的变化：现实世界中的测量或处理过程；这些过程中的无意错误；组合物或试剂的制造、来源或纯度的差异；等等。通常，如本文所使用的术语“约”和“基本上”是指比所陈述的值或值范围或完整条件或状态大或小10％。例如，约30％或基本上等于30％的浓度值可以指27％与33％之间的浓度。这些术语还指本领域技术人员将认识到是等同的变型，只要这些变型不涵盖通过现有技术实践的已知值。基本上的上述定义表明，“基本补偿”是指与完整补偿的偏差(如果有的话)最多10％的补偿。
如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项中的一项或多项的任何和所有组合，并且可以缩写为“/”。
各种术语在本文中根据其在本领域中的普通含义来使用。例如，术语“质量离子过滤器”和“离子过滤器”在本文中可互换地使用，以指代可用于例如质谱仪中的用来将离子的传输限制到具有目标m/z比或目标范围内的m/z比的离子的传输的结构。术语“机械未对准”和“未对准”在本文中可互换地使用，以指代离子质量过滤器的一个或多个部件相对于其标称位置(即，相对于预期位置)的偏差。这种未对准可沿着离子质量过滤器的纵向方向和/或沿着质量过滤器的径向方向(即，垂直于纵向方向的方向)发生。
在下面的讨论中，施加至辅助电极的对的DC电压(即，施加至辅助电极的极的DC电压)可以包括DC电压偏移(在本文中也称为DC电势偏移)和DC偏置电压，该DC电压偏移等于施加至多极杆的DC电压偏移(例如，根据本教导的质量过滤器的多极杆与位于该质量过滤器上游的离子导向器的多极杆之间的DC电压差)。在辅助电极不提供任何带通过滤的关闭状态下，施加至两对辅助电极的DC电压偏移与施加至多极杆的DC电压偏移相同。施加至辅助电极的对的DC偏置电压进而可以被认为是由DC过滤电压分量和DC校正电压分量组成。施加至辅助电极的不同对的DC过滤分量对应于在不存在任何未对准的情况下将施加至辅助电极的这些对的偏置电压，以使得施加至辅助电极的不同极(例如，两个不同极)的偏置电压之间的差将导致对通过质量过滤器的离子进行期望的质量过滤。施加至一对或两对辅助电极的校正分量提供了对DC过滤分量的调节(例如，百分之几的量级)，以便基本上补偿辅助电极和/或多极杆中的任一者的未对准和/或向辅助电极提供DC电压的DC电源之间的DC电压不平衡。
先前的研究表明，在理想条件(包括离子质量过滤器的各个元件的精确对准(例如，当离子过滤器的多极杆组不存在未对准时))下，可以通过将偏置电压施加至离子过滤器的各种元件(例如，多极杆)来减少并潜在地最小化离子捕获。然而，发明人已经认识到，当存在机械未对准和/或电学不平衡时，例如具有布置成多极配置的多个杆和散布在这些杆之间的多个辅助电极的质量过滤器的辅助电极之间的轴向和/或径向未对准，仍然可能存在离子捕获。
图1A和图1B示意性地描绘了常规的离子质量过滤器10，其包括相对于彼此布置成四极配置的四个杆12a、12b、12c和12d(在本文中被统称为四极杆12)。四极杆12绕中心纵向轴线(LA)设置并且相对于彼此径向间隔开以在其间形成通道14，通道14从用于接收离子的入口15a延伸到出口15b，离子可通过出口15b离开通道。RF电压源16可以向四极杆施加RF电压，从而在通道内产生电磁场用于径向限制离子并在离子传递到下游质量分析器之前引起离子的碰撞冷却。
在该实施例中，施加至四极杆的RF电压的幅度基本相同，但是施加至一对四极杆(12a/12b)的RF电压的极性与施加至另一对四极杆(12c/12d)的RF电压的极性相反。
离子质量过滤器10还包括四个T形辅助电极11a、11b、11c和11d(在本文中被统称为T形辅助电极11)，每个T形辅助电极插置在两个四极杆之间。每个T形辅助电极包括背板，柄从该背板朝向通道的纵向轴线延伸(例如图示的背板13a和柄13b)。
DC电压源17b可操作地耦接到四极杆12以对其施加DC电压，并且另一个DC电压源17a可操作地耦接到T形辅助电极11以将DC偏置电压施加至辅助电极，其中施加至T形辅助电极的电压与施加至四极杆的DC电压不同，从而在四极杆与T形辅助电极之间产生电势差，以用于带通过滤器模式(开启状态)。操作还可以处于“透明模式”，其中不施加DC偏置电压(DC偏置电压＝0，或关闭状态)；在这种情况下，施加在辅助电极上的DC电势与四极杆上的DC电势相同。在这种条件下，杆/辅助电极用作常规的离子过滤器，而不会创建高质量截止。
如下文更详细讨论的，施加至辅助电极的DC偏置电压包括DC过滤分量和DC校正分量。如上所述，在不存在任何机械未对准和/或DC电压不平衡的情况下，不存在校正分量，并且施加至一对的DC电压的过滤分量相对于施加至多个杆的DC电压偏移之间的电压差(ΔV)为正，而施加至另一对的DC电压的过滤分量与多个杆之间的相应的电压差为负。这些电压差可以创建高质量截止(HMCO)。
在该实施例中，施加至辅助电极的对11a/11b的DC电压的过滤分量具有相对于施加至辅助电极的另一对11c/11d的DC电压的过滤分量相反的极性。在本公开中，施加有相同极性的电压的每对辅助电极被称为离子过滤器的极。施加至四极杆12的DC电压和施加至T形辅助电极11的DC偏置电压的组合产生八极DC场，该八极DC场使具有目标范围内的m/z比的某些离子的轨迹稳定，而m/z比在该目标范围之外的其他离子将经历不稳定的轨迹。
在一些实施例中，施加至四极杆12的RF电压可以过滤具有低于第一阈值的m/z比的低质量离子(例如，具有小于约100的m/z比的离子)，并且辅助电极之间的DC电压差在通道内产生电场分布从而过滤具有高于第二阈值的m/z比的高质量离子(例如，具有大于约900的m/z比的离子)。以这种方式，四极杆和辅助电极以及施加至其的RF电压和DC电压的组合可以提供带通离子过滤器，该带通离子过滤器允许具有在第一阈值和第二阈值之间的m/z比的离子通过。
施加至T形辅助电极的每一对(每个极)的DC偏置电压相对于多极杆可以是正的或负的。辅助电极的各极和多极杆之间的DC电压差的这种极性以及通过过滤器的离子的电荷的极性导致不稳定的离子(或其至少一部分)沉积在一个极上。
在一些情况下，施加至一对T形辅助电极的DC偏置电压可以接近施加至四极杆的DC电压，而施加至另一对T形辅助电极的DC电压则充分不同于施加至四极杆的DC电压，使得所得的DC场将提供期望的过滤功能。这种方法称为非对称方法。可替代地，施加至相对的辅助电极的对的DC偏置电势可以具有基本上相同的值但是具有相反的极性(其示例在图1A中示出)。众所周知，对称方法可以有效地消除离子捕获，而非对称方法会导致大量离子捕获。
尽管对称方法可以有效地消除离子捕获，但是这种离子捕获的消除可以在四极杆和T形辅助电极的精确机械对准以及DC偏移和偏置电势的精确水平的条件下实现。发明人已发现，T形辅助电极的位置在轴向和/或径向方向上的小的未对准可导致势垒和/或势阱，其可引起离子的至少一部分的捕获。
举例来说，如图2所示，当T形辅助电极之一轴向错位了100微米时，在质量过滤器的进口处形成0.34伏的势垒，并在质量过滤器的出口处形成势阱。当离子通过质量过滤器时，这样的势垒和势阱可能导致离子捕获。
发明人还通过进行大量实验观察而观察到，在T形辅助电极没有良好对准(有大约200μm移位)的质量过滤器中，在启用T形辅助电极(通过向其施加偏置电压，即，处于开启状态)以滤除较高m/z的离子(>709Da)时利血平(m/z 609)在5毫秒驻留时间(具有5ms暂停时间)的多反应监测(MRM)转变信号相对于在未启用T形辅助电极(偏置电压＝0，即处于关闭状态)的情况下获得的相应MRM转变信号存在大量信号损失。
此外，需要在MRM中延长(例如20-25ms)驻留时间或暂停时间，以在T形辅助电极的开启状态和关闭状态之间实现相当的信号。与模拟结果一致的是，T形辅助电极和/或四极杆的未对准会导致捕获至少一些离子，这反过来会导致信号损失，特别是在快速信号获取速率时(例如，在信号获取速率快于约2-4ms时)，以及导致串扰增加，如下文进一步讨论的。对于较高m/z的离子，这种捕获效应可能更加明显。
通过说明的方式，图2示出了在T形辅助电极之间存在和不存在未对准的情况下的模拟DC电势迹线。下面的表1总结了作为T形辅助电极之一的几个轴向未对准值的函数生成的模拟前势垒，表明随着未对准增加，前势垒也增加。
表1
| Δz(mm) | 前势垒(eV) |
| 0.0 | 0 |
| 0.1 | 0.34 |
| 0.2 | 0.62 |
| 0.4 | 1.26 |
用于最小化(并且优选地消除)T形辅助电极和/或四极杆的未对准的一种可能的方法是采用将导致T形辅助电极和/或四极杆精确对准的制造技术。然而，这种制造技术可能成本太高且难以商业化。
因此，需要一种用于最小化轻微未对准的影响的方法，轻微未对准例如为沿离子质量过滤器的辅助电极和/或多极杆的轴向维度的约5微米(μm)至约500μm的范围内的未对准和/或沿离子质量过滤器的辅助电极和/或多极杆的径向维度的约10μm至约500μm的范围内的未对准，由此改进离子质量过滤器的性能，而不需要移除离子过滤器组件和重新对准T形辅助电极和/或多极杆。这还可以提高T形辅助电极的稳健性并增加仪器的正常运行时间。
如下文更详细讨论的，在实施例中，可以以受控方式将校正DC偏置电压施加至T条辅助电极以补偿T条辅助电极和/或四极杆的未对准。换句话说，已经发现，在许多实施例中，施加至T条辅助电极的DC偏置电压的少量不平衡可以用作补偿T条辅助电极和/或四极杆的未对准的实践方法。
举例来说，图3示意性地描绘了根据本教导的实施例的离子质量过滤器300。类似于上述离子质量过滤器10，离子质量过滤器300包括相对于彼此布置成四极配置以在其间提供通道303的四个杆302a、302b、302c和302d(在本文中被统称为四极杆302)，其中通道从入口延伸至出口，离子可通过该入口进入通道，离子可通过该出口离开通道。
在控制器308的控制下操作的RF电压源306将RF电压施加至四极杆，从而在通道内产生四极电磁场，这能够在离子通过通道时促进对离子的径向限制。当离子通过通道时，离子也可以经历碰撞冷却，例如经由与背景气体的碰撞而经历碰撞冷却。施加至四极杆的RF电压还可以允许滤除低质量离子(例如，m/z比小于约100的离子)。
在该实施例中，施加至杆对(302a/302b)和(302c/302d)的RF电压具有基本相同的幅度但具有相反的极性。
质量过滤器300还包括多个T形辅助电极310a、310b、310c和310d(在本文中被统称为T形辅助电极310或T条电极310)，其中每个T条电极插置在两个四极电极302之间。辅助电极310a和310b形成辅助电极的一个极(在本文中被称为A极)，并且辅助电极310c和310d形成辅助电极的另一极(在本文中被称为B极)。
DC电压源312b向四极杆施加DC电压，以及另一个DC电压源312a向T条辅助电极的A极和B极施加DC电压。施加至四极杆和T条辅助电极的DC电压导致在通道内产生八极DC电场分布，该电场分布允许m/z比在目标范围内的离子的传输，同时抑制m/z比在该目标范围之外的离子的传输。具体地，辅助电极和多极杆之间的DC电压差可以产生DC场，该DC场可以使m/z比高于阈值的某些离子的轨迹不稳定并因此抑制它们传输通过质量过滤器。换言之，通道内产生的电场可导致某些离子经历稳定的轨迹并因此传输通过通道，而其他离子经历不稳定的轨迹并可沉积在T条电极和/或四极杆上。
如上所述，DC电场分布可以通过抑制m/z比高于阈值的离子的传输来提供低通质量过滤器。此外，如上所述，由于向四极杆施加RF电压而产生的RF场可以通过抑制低质量离子(例如，m/z比小于约100的离子)传输通过离子质量过滤器来产生高通质量过滤器。以这种方式，可以生成带通离子过滤器。
在一些实施例中，可以将施加至四极杆的DC电压选择为在四极杆与离子质量过滤器300所位于的质谱仪的上游和/或下游部件之间提供DC电势偏移。
为了校正T条辅助电极和/或四极杆的未对准，施加至T条辅助电极的DC电压可以偏离在没有任何未对准的情况下将施加至这些电极的标称值。可以选择DC电压与其标称值的这种偏离来补偿T条辅助电极和/或四极杆的(一个或多个)未对准，从而最小化并且优选地消除对通过离子过滤器的离子的捕获。
换句话说，施加至每对辅助电极的DC电压可以被看作具有两个分量，即DC过滤分量(在本文中也被称为初级分量)和DC校正分量(在本文中也被称为次级分量)。DC过滤分量主要负责提供电场分布，该电场分布可以创建高质量截止(HMCO)以用于抑制m/z比高于阈值的离子的传输。
产生高质量截止所需的DC电势与离子束的稳定性有关，离子束的稳定性取决于离子的径向幅度。例如，对于给定的传输窗口宽度，辅助电极上的DC偏置电压与杆上的RF幅度成线性比例。
DC校正分量进而可以通过最小化并且优选地消除在离子通过离子过滤器时对关注离子的捕获来帮助补偿T条辅助电极和/或四极杆中的任一者的轴向和/或径向未对准，否则这种捕获可能因这种未对准而发生。通过说明的方式，图3呈现了施加至T条辅助电极的A极的DC电压具有DC过滤分量(A)和DC校正分量(a)，该DC校正分量可以是该DC过滤分量的一部分。类似地，施加至T条辅助电极的B极的DC电压可以表示为具有DC过滤分量(B)和DC校正分量(b)，该DC校正分量是该DC过滤分量的一部分。
举例来说，每个校正DC电压分量可以在相应DC过滤分量的约-5％到约+5％的范围内。虽然在一些实施例中，每个校正分量是相应过滤分量的相同部分，但在其他实施例中，校正分量可以是它们相应过滤分量的不同部分。校正分量可以基于T条辅助电极和/或四极杆中的一者或多者的未对准的程度来确定。此外，如上所述，施加至辅助电极的A极和B极的校正分量可以具有相同或相反的极性。
可以使用各种不同的方法来实现对校正DC偏置电压的确定，诸如手动调整和/或自动调整。举例来说，在这样的调整方法中，可以将相对于施加至T条电极的标称电压(即，不存在校正分量时的电压，也即可以在不存在任何机械未对准的情况下施加的电压)的百分比变化设置为最小化(并且优选地消除)对离子质量过滤器内的离子的捕获的值。
举例来说，对校正DC偏置电压的确定可以通过观察一个或多个质量信号并测量在与标称DC电压的不同偏差下(例如，在a校正电压和b校正电压的不同值下)的信号损失或串扰和/或相对于其中并入有离子过滤器的质谱仪的上游或下游部件的不同T条和/或多极杆偏移来实现，从而对于与标称DC电压的偏差达到最佳值。
举例来说，参考图4的流程图，在一个实施例中，可以在三个实验中获取与相同前体离子相关联的三个连续的短(例如，5ms驻留时间)的MRM信号，并且可以基于MRM信号的相对强度来确定校正DC电压。例如，可以在不向T条辅助电极施加DC偏置电压的情况下获取与目标分析物相关联的前体离子的MRM信号(在本文中被称为第一MRM信号)。
随后，可以在向T条电极施加DC偏置电压从而创建高质量截止(HMCO)的情况下获取相同前体离子的另一MRM信号(在本文中被称为第二MRM信号)，其中质量截止比前体离子的质量高一定量(例如，50Da或100Da)。最后，可以在不向T条电极施加偏置电压的情况下获取另一MRM信号，即与第一MRM相同。与第二MRM信号相关联的信号强度相对于与第一MRM信号相关联的信号强度的比率可用于确定信号损失，而与第二MRM信号相关联的强度相对于与第三MRM信号相关联的强度的比率可用于确定串扰。在测量期间，可以调节施加至T条电极的DC偏置电压，从而最小化信号损失和/或串扰中的任一者。
参考图5A和图5B，根据本教导的实施例的质谱仪100包括离子源104，离子源104从样品源102接收样品以产生多个离子，该多个离子被引入室14中，室14经由端口15被抽空。离子的至少一部分通过孔口板30的孔口31进入室121，在室121中设置有离子导向器140(在本文中也被称为Qjet)。
室121可维持在例如约1托至约10托的范围内的压强处。QJet离子导向器包括四个杆(其中两个杆130在图中可见)，这些杆根据四极配置布置以在其间提供通道，离子可以通过该通道通过离子导向器。RF电压可以例如经由电容耦合到下面进一步讨论的下游离子导向器Q0或者经由独立的RF电压源施加至QJet离子导向器的杆，以用于径向限制和聚焦离子以传输到下游的室122，在室122中设置有根据本教导的实施例的离子过滤器108。施加有DC电压的离子透镜107将真空室122与真空室121分开，并且有助于将离开真空室106的离子聚焦到真空室108中。
室122可以维持在比室121所维持的压强低的压强处。举例来说，室122可在约3毫托至约15毫托的范围内的压强处操作。离子过滤器108包括离子导向器Q0，离子导向器Q0包括四个杆(其中两个杆Q0a和Q0b在图中可见)。RF电压源197将RF电压施加至Q0离子导向器的杆，以提供对通过其中的离子的径向限制。
离子过滤器108还包括多个T形辅助电极，诸如上面讨论的那些，其散布在Q0离子导向器的杆之间，以使得每个辅助电极例如以上文结合上面的图3讨论的方式插置在两个杆之间。
DC电压源193a向Q0离子导向器的杆施加DC电压，其中所施加的DC电压在Q0离子导向器和上游QJet离子导向器之间产生DC电压偏移，以使离开QJet离子导向器的离子加速进入Q0离子导向器。在该实施例中，另一个DC电压源193b以上述方式向辅助电极施加DC电压。
控制器300控制RF电压源197以及DC电压源193a和193b的操作。具体地，控制器300可以以本文讨论的方式控制施加至离子过滤器108的辅助电极的DC电压，以基本上补偿Q0离子导向器的辅助电极和/或四极杆中的至少一者的任何未对准。
质量分析器Q1 110经由离子透镜IQ1和一个粗短透镜ST1接收通过离子过滤器的离子。在该实施例中，质量分析器Q1 110包括布置成四极配置的四个杆，并且可以向这四个杆施加RF和/或DC电压以用于选择具有在目标范围内的m/z比的离子。传播通过质量分析器Q1 110的离子(在本文中被称为前体离子)通过离子透镜IQ2和一个粗短透镜ST2以到达碰撞室112(q2)。
前体离子的至少一部分在碰撞室112中碎裂以产生多个产物离子。产物离子通过离子透镜IQ3和粗短透镜ST3以到达另一个下游的质量分析器Q3 114。在该实施例中，质量分析器Q3 114包括布置成四极配置的四个杆，并且可以向这四个杆施加RF和/或DC电压以允许具有关注的m/z比的产物离子通过。通过质量分析器Q3 114的产物离子通过出口透镜115以被离子检测器118检测到。在一些实施例中，四极质量分析器Q3 114可以用飞行时间(ToF)质量分析器或任何其他合适的质量分析器代替。
在一些实施例中，控制器300可与离子检测器118通信以接收离子检测信号并采用接收到的离子检测信号中的一个或多个来评估质谱仪的性能。例如，在一些实施例中，可以按照预定义的时间表将一种或多种校准离子引入质谱仪中，并且可以测量其至少一个质量信号以评估质谱仪的性能。控制器可以评估质量信号并确定质谱仪的性能是否已经降低到可接受的水平以下(例如，通过监测质量信号的强度)。在这种情况下，控制器可以使DC电压源193a输送DC电势，从而调节施加至辅助电极的A极和/或B极的DC偏置电压，以改善并且优选地恢复质谱仪的性能。
如图5B示意性所示，在一些实施例中，真空室120位于孔口板和抽真空的室121之间。离子导向器400(在本文中也被称为DJetTM离子导向器)设置在抽真空的室120中。离子导向器DJetTM包括布置成多极配置的12个杆，并且可向这些杆施加RF电压以对经由孔口板的孔口接收的离子提供聚焦。抽真空的室120可以维持在比真空室121所维持的压强高的压强处。离子透镜IQ00将真空室120与下游的真空室121分开。
用于控制施加到离子过滤器的各种元件和/或其中并入了离子过滤器的质谱仪的其他元件的RF和/或DC电压并且特别地用于控制对施加到辅助电极的DC电压的调节的控制器可以使用如本教导所告知的已知技术以硬件、固件和/或软件来实现。
举例来说，图10示意性地描绘了这种控制器500的实施方式的示例，其包括处理器500a(例如，微处理器)、至少一个永久存储器模块500b(例如，ROM)、至少一个瞬态存储器模块(例如，RAM)500c和总线500d以及本领域公知的其他元件。
总线500d允许处理器和控制器的各种其他部件之间的通信。在该示例中，控制器500还可以包括被配置为允许发送和接收信号的通信模块500e。
用于由控制器500使用的指令，例如用于调节施加到辅助电极的DC偏置电压的指令，可以存储在永久存储器模块500b中，并且可以在运行时间期间转移到瞬态存储器模块500c中以供执行。控制器500还可以被配置为控制质谱仪的其他部件的操作，诸如离子导向器和质量分析器等。
尽管上面结合至少一个辅助电极和/或至少一个多极杆的机械未对准讨论了本教导的各个方面，但是本教导还可以应用于补偿施加DC电压至辅助电极和/或多极杆的电压源之间的电学不平衡。
例如，在一些实施例中，施加至离子质量过滤器的多极杆(例如，四极杆)和/或T条电极的DC电压可以偏离它们的标称值。施加至多极杆和/或T条电极的电压的这种偏离会导致至少一些离子被捕获在离子质量过滤器内。在一些这样的实施例中，可以调节施加至多极杆和/或T条电极的电压，从而减少并且优选地消除通过离子质量过滤器的离子的捕获。例如，可以监测与一种或多种校准离子相关联的质量信号，并且可以调节施加至四极杆和/或T条电极的DC电压，以确定“最佳点”来最小化信号损失且从而最大化质量信号。
提供以下示例是为了进一步阐明本教导的各个方面，但提供这些示例并不必然指示实践本教导的最佳方式和/或可以获得的最佳结果。
示例
示例1
图6A、图6B和图6C描绘了根据实施例的离子过滤器中的模拟DC电势迹线，该离子过滤器包括离子导向器，该离子导向器具有布置成四极配置的四个杆以及四个T形辅助电极，每个辅助电极插置在两个四极杆之间。两对T条电极之间的DC电势差被选择为500V(一对维持在+240V的DC电势，以及另一对维持在-260V)。施加至四极杆的DC偏移电压被选择为-10V。施加至辅助电极的DC电势在图6A、图6B和图6C所示的模拟之间移位1伏。
图6A对应于离子质量过滤器的理想实施方式，其中四极杆和T形辅助电极精确对准并且施加的电压未偏离于其标称值。图6B示出了施加至一对T形辅助电极的DC电压的与一伏的负电压差(-1V，从-260V到-261V)(这可以模拟T形辅助电极的未对准和/或所施加电压的实际偏差)对应的偏差导致在离子质量过滤器的进口处的深度约为-0.166伏的势阱。图6C示出施加至另一对辅助电极的DC电压的相对于理想情况(图6A)的与一伏的正电压差(+1V，从240V到241V)对应的偏差导致高度约为0.166伏的势垒。
示例2
与上面结合图5A和图5B描述的具有DJetTM和QJetTM离子导向器二者的质谱仪类似的质谱仪被用于获得在存在和不存在施加至T条辅助电极的DC偏置电压的情况下聚丙二醇(PPG)(m/z为1952)的MRM转变的多次测量。以下电压被施加以用于获取下面所示的数据(正ESI)：
孔口＝-10V
DJet＝IQ00＝QJet＝IQ0＝-10V
Q0杆偏移＝-10V
IQ1＝-10.5V
ST1＝-17.6V
Q1杆偏移＝-11V
IQ2＝-22.5V
ST2＝-20.0V
Q2杆偏移＝-20.0V(碰撞能量CE＝10)
IQ3＝-20.5V
ST3＝-40V
Q3杆偏移＝-21.5V
图7A示出了在没有向T条辅助电极施加DC偏置电压的情况下(信号1)、在两对辅助电极之间施加-683伏的DC电势差的情况下(信号2)、以及在此之后在不向T条电极施加DC偏置电压的情况下(信号3)MRM转变(驻留时间为5ms)的三次测量的强度。第二个MRM中施加的电压差(Tbar变化量)被选择以提供比前体离子质量(在本示例中，m/z为1952)高100Da的高质量截止(HMCO)。
信号2相对于信号1的比率指示信号强度的2X损失，例如是由于离子过滤器的辅助电极和/或四极杆的未对准引起的。鉴于HMCO被选择为相对于前体质量大100Da，该信号损失大于针对较低质量将观察到的信号损失，因为对于较高质量的离子，由于未对准而导致的信号损失更为明显。
在施加至辅助电极的DC偏置电压被关闭之后获取的信号3示出了在DC电压被施加至辅助电极的时间段期间离子过滤器中离子的显著捕获。具体地，信号3的强度的大量增加指示了在终止向辅助杆施加DC偏置电压之后被捕获离子的释放及其检测。这种效应在本文中被称为“串扰”，因为其涉及在一次MRM测量期间被捕获然后在后续的MRM测量期间被检测的离子。
随后，手动调节施加至辅助电极的DC电压并监测质谱仪的性能。通过对施加至辅助电极的DC电压进行这样的监测和调节，确定施加至辅助电极的A极和B极的电压的轻微不平衡(即，初步结果是对A+0.4％和对B-0.4％，对应于Delta(A-B)＝0.8％)可以优化质谱仪的性能，如与图7A中呈现的数据类似地获得的图7B中呈现的数据所证明的。施加至A极的DC电压可被定义为Tbar DC A＝Q0杆偏移+(1-A％)x(初始Tbar偏移+(初始Tbar变化量/2))，以及Tbar DC B＝Q0杆偏移+(1-B％)x(初始Tbar偏移+(初始Tbar变化量/2))，其中Tbar变化量是指施加在辅助电极的A极和B极之间的DC电压差。
特别地，图7B示出了在施加至辅助电极的DC电压不平衡的情况下的MRM转变的强度显著大于图7A中所示的MRM转变的相应强度，并且在终止向辅助电极施加DC偏置电压之后获取的MRM转变的强度低于图7A中呈现的相应MRM测量的强度。通过调节，第二MRM与第一MRM之间的强度比率或第二MRM与第三MRM之间的强度比率更接近1。信号损失和串扰的显著减少表明施加至辅助电极的DC电压的不平衡显著减少了离子过滤器中的离子的捕获。
示例3
执行标准MS调整方案的MRM转变的一系列测量，以使用m/z 1522的离子研究TbarDC调整。在初始条件下，将DC电压施加至辅助电极的A极和B极，从而在A极和B极之间产生-525V的电势差。施加至A极的DC电压＝-10V(对应于施加至四极杆的DC偏移电压)+(-525/2)＝272.5V)，以及施加至B极的DC电压＝-10V-(-525/2)＝252.5V。在这些条件下，观察到约2X的信号损失。
图8A示出了当施加至辅助电极的B极的DC电压被固定并且施加至A极的DC电压被调整时在MRM信号强度损失和串扰方面的调整结果。图8B示出了当施加至A极的DC电压被固定并且施加至B极的DC电压被调整时在MRM信号强度损失和串扰方面的调整结果。以及图8C示出了当相对于Q0的T条偏移电压被调整时在MRM信号强度损失和串扰方面的调整结果。
上述数据表明，当针对m/z 1522进行调整时，可以观察到相对较宽的调整“最佳点”。当用MS调整方案的6种离子针对MRM进行调整时，观察到优化点缩小至delta(A％-B％)＝0.9至1，相当于针对m/z 1522的T条偏移设置为相对于Q0的1.2至1.3V。这相当于在本测试中施加的Tbar变化量电压的-0.23％至-0.25％。
图9A和图9C示出了在每个极的优化调整条件下，通过在A极(图9A)和B极(图9C)中应用离子过滤而获得的6种离子的MRM转变的强度，即：A极，A％＝0，B％＝0；B极，A％＝0.9％，B％＝0，如表2和表4所列。相比之下，图9B示出了那些离子在没有对B极应用DC校正的情况下的相应MRM转变(参见表3)。在没有进行调整或校正的情况下，显示出大量的信号损失。
表2
| 化合物 | Q1质量 | Tbar变化量(V) | 对A的移位％ |
| 1 | 266.1 | 0 | 0 |
| 1 | 266.1 | 67 | 0 |
| 2 | 442.2 | 132 | 0 |
| 3 | 609.3 | 195 | 0 |
| 4 | 829.5 | 278 | 0 |
| 5 | 922.0 | 312 | 0 |
| 6 | 1522.0 | 537 | 0 |
| 6 | 1522.0 | 0 | 0 |
表3
| 化合物 | Q1质量 | Tbar变化量(V) | 对A的移位％ |
| 1 | 266.1 | 0 | 0 |
| 1 | 266.1 | -67 | 0 |
| 2 | 442.2 | -132 | 0 |
| 3 | 609.3 | -195 | 0 |
| 4 | 829.5 | -278 | 0 |
| 5 | 922.0 | -312 | 0 |
| 6 | 1522.0 | -537 | 0 |
| 6 | 1522.0 | 0 | 0 |
表4
| 化合物 | Q1质量 | Tbar变化量(V) | 对A的移位％ |
| 1 | 266.1 | 0 | 0.9 |
| 1 | 266.1 | -67 | 0.9 |
| 2 | 442.2 | -132 | 0.9 |
| 3 | 609.3 | -195 | 0.9 |
| 4 | 829.5 | -278 | 0.9 |
| 5 | 922.0 | -312 | 0.9 |
| 6 | 1522.0 | -537 | 0.9 |
| 6 | 1522.0 | 0 | 0.9 |
虽然上述数据是经由手动调整获得的，但在一些实施例中，对施加至A极、B极的DC电压的调整或对相对于杆的DC偏移电压的调整可以被自动化以获得这些DC电压的最佳值或值范围，例如，经由监测与一种或多种前体离子的一个或多个MRM转变相关联的信号强度损失和/或串扰来进行，以补偿任何可能的未对准。
尽管已经在系统和/或装置的上下文中描述了一些方面，但是显然这些方面也表示对应方法的描述，其中框或设备对应于方法步骤或方法步骤的特征。类似地，在方法步骤的上下文中描述的方面也表示对对应设备的对应框或项目或特征的描述。方法步骤的一些或全部可以通过(或使用)硬件装置来执行，例如处理器、微处理器、可编程计算机或电子电路。在一些实施例中，最重要的方法步骤中的某一个或多个可以由这样的装置执行。
取决于特定实现要求，本发明的实施例可以以硬件和/或软件来实现。该实现可以使用其上存储有电子可读控制信号的非暂时性存储介质来执行，诸如数字存储介质，例如软盘、DVD、蓝光、CD、ROM、PROM和EPROM、EEPROM或FLASH存储器，其与(或能够与)可编程计算机系统协作，使得相应的方法被执行。因此，数字存储介质可以是计算机可读的。
普通技术人员将理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对上述实施例进行各种改变。
Claims (20)
1.一种用于在质谱仪中使用的离子过滤器，包括：
多个杆，所述多个杆被布置成多极配置，以提供离子能行进通过的通道，所述多个杆被配置用于施加有RF电压以在所述通道内提供电磁场用于提供对离子的径向限制，并且还被配置用于施加有DC电压，
至少两对辅助电极，所述至少两对辅助电极散布在所述多个杆之间并且被配置用于向所述电极施加有DC偏置电压，
其中，施加至每对的DC偏置电压包括DC过滤分量和DC校正分量，其中，施加至一对辅助电极的DC过滤分量的极性与施加至另一对辅助电极的DC过滤分量的极性相反，以及其中，施加至所述两对辅助电极的电压的DC过滤分量被配置为对具有在目标范围内的m/z比的离子提供稳定的轨迹以及对具有在所述目标范围之外的m/z比的离子提供不稳定的轨迹，以及DC校正分量被配置为对所述辅助电极和所述多个杆中的至少一者相对于所述辅助电极和所述多个杆中的至少另一者的未对准提供基本补偿。
2.根据权利要求1所述的离子过滤器，其中，所述DC校正分量被配置为最小化所述通道内的具有在所述目标范围内的m/z比的离子的捕获。
3.根据前述权利要求中任一项所述的离子过滤器，其中，所述未对准包括轴向未对准和径向未对准中的任一者。
4.根据前述权利要求中任一项所述的离子过滤器，其中，所述DC校正分量中的每个DC校正分量在相应DC过滤分量的约-5％至约+5％的范围内。
5.根据前述权利要求中任一项所述的离子过滤器，其中，所述RF电压被配置为过滤具有小于第一m/z阈值的m/z比的离子。
6.根据权利要求5所述的离子过滤器，其中，施加至辅助电极的所述DC偏置电压和施加至所述多个杆的所述电压被配置为在所述通道内产生电场分布，所述电场分布被配置为导致对具有高于第二阈值的m/z比的离子的过滤，由此提供带通离子过滤器，从而允许具有在所述第一阈值和所述第二阈值之间的m/z比的离子通过。
7.根据前述权利要求中任一项所述的离子过滤器，其中，所述辅助电极包括多个T形电极。
8.根据权利要求7所述的离子过滤器，其中，所述T形电极包括背板和从所述背板径向延伸的柄。
9.根据前述权利要求中任一项所述的离子过滤器，其中，所述多个杆包括布置成四极配置的四个杆。
10.根据权利要求9所述的离子过滤器，其中，所述至少两对辅助电极包括四个辅助电极，每个辅助电极定位在所述多个杆中的两个杆之间。
11.根据前述权利要求中任一项所述的离子过滤器，其中，所述RF电压具有在约0.1MHz至约5MHz的范围内的频率。
12.根据权利要求11所述的离子过滤器，其中，所述RF电压具有在约10V至约5kV V0-p的范围内的幅度。
13.根据权利要求12所述的离子过滤器，其中，施加至所述辅助电极的所述DC偏置电压具有在约-8.5kV至约+8.5kV的范围内的幅度。
14.一种质谱仪，包括：
离子过滤器，包括：
多个杆，所述多个杆被布置成多极配置，以提供离子能行进通过的通道，所述多个杆被配置用于施加有RF电压以在所述通道内提供电磁场用于提供对离子的径向限制，并且还被配置用于施加有DC电压，
至少两对辅助电极，所述至少两对辅助电极散布在所述多个杆之间，并且被配置用于向所述对中的一对施加具有一种极性的DC偏置电压以及向所述对中的另一对施加具有相反极性的DC偏置电压，以提供所述辅助电极和所述多个杆之间的DC电压差，其中，施加至每对的DC偏置电压包括DC过滤分量和DC校正分量，其中，施加至所述两对辅助电极的电压的DC过滤分量被配置为对具有在目标范围内的m/z比的离子提供稳定的轨迹以及对具有在所述目标范围之外的m/z比的离子提供不稳定的轨迹，以及DC校正分量被配置为对所述辅助电极和所述多个杆中的至少一者相对于所述辅助电极和所述多个杆中的至少另一者的未对准提供基本补偿。
15.根据权利要求14所述的质谱仪，还包括至少一个RF电压源，所述至少一个RF电压源用于将所述RF电压施加至所述多个杆。
16.根据权利要求15所述的质谱仪，还包括至少一个DC电压源，所述至少一个DC电压源用于将所述DC电压施加至所述多个杆和所述辅助电极。
17.根据权利要求16所述的质谱仪，其中，所述至少一个DC电压源包括用于向所述多个杆施加所述DC电压的第一DC电压源和用于向所述辅助电极施加所述DC偏置电压的第二DC电压源。
18.一种用于调整并入在MS/MS质谱仪中的离子过滤器的方法，其中，所述离子过滤器包括：多个杆，所述多个杆被布置成多极配置以提供用于离子传输的通道并且被配置用于施加有RF电压；以及至少两对辅助电极，所述至少两对辅助电极分散在所述杆之间，并且被配置用于向辅助电极的所述对中的一对施加具有一种极性的DC偏置电压以及向辅助电极的所述对中的另一对施加具有相反极性的DC偏置电压，其中，所述DC和RF电压被选择为在所述通道内产生电磁场分布，所述电磁场分布被配置为允许具有在目标范围内的m/z比的离子通过并且抑制具有在所述目标范围之外的m/z比的离子通过，所述方法包括：
(a)在没有向所述辅助电极施加DC偏置电压的情况下，使用所述MS/MS质谱仪来获取前体离子的MRM转变的第一测量，
(b)在将DC电压施加至所述辅助电极以提供目标离子传输带宽的情况下，使用所述MS/MS质谱仪来获取所述前体离子的所述MRM转变的第二测量，
(c)基于所述第二测量相对于所述第一测量的比率，估计与所述离子过滤器相关联的信号损失，
(d)调节施加至所述辅助电极的所述DC电压以减少所述信号损失，以及
(e)迭代进行所述步骤(a)-(d)从而最小化所述信号损失。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括在所述第二测量之后执行所述MRM转变的第三测量。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括计算所述第三MRM转变测量的强度与所述第二MRM测量的强度的比率，以估计所述第二MRM测量和所述第三MRM测量之间的串扰。
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