CN117956379A - 一种发声部 - Google Patents

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CN117956379A CN202310339595.2A CN202310339595A CN117956379A CN 117956379 A CN117956379 A CN 117956379A CN 202310339595 A CN202310339595 A CN 202310339595A CN 117956379 A CN117956379 A CN 117956379A
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Abstract

本说明书实施例提供一种发声部，包括振膜、磁路组件、线圈和壳体。线圈与振膜连接并至少部分位于磁路组件形成的磁间隙中，线圈通电后带动振膜振动以产生声音。壳体的内侧面上开设有出声孔，用于将振膜前侧产生的声音导出所述壳体。振膜包括主体区域和环绕主体区域的折环区域，折环区域包括弧形段和与主体区域连接的连接段。出声孔的中心沿振膜振动方向在振膜上的投影位于弧形段内侧。如此设置，可以防止出声孔处空气的流通影响弧形段形变的均匀性，从而减小发声部的失真程度，提升发声部的声学输出性能。

Description

一种发声部
交叉引用
本申请要求2022年10月28日提交的申请号为202211336918.4的中国申请的优先权，于2022年12月1日提交的申请号为202223239628.6的中国申请的优先权，于2022年12月30日提交的申请号为PCT/CN2022/144339的国际申请的优先权，以及于2023年3月2日提交的申请号为PCT/CN2023/079410的国际申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请涉及声学技术领域，具体涉及一种发声部。
背景技术
随着声学输出技术的发展，声学装置(例如，耳机)已广泛地应用于人们的日常生活，其可以与手机、电脑等电子设备配合使用，以便于为用户提供听觉盛宴。发声部中振膜的结构和与振膜配合的支撑结构通常影响发声部的输出性能。
因此，有必要提出一种具有高输出性能的发声部。
发明内容
本申请实施例提供了一种发声部，包括振膜、磁路组件、线圈和壳体。所述线圈与所述振膜连接并至少部分位于所述磁路组件形成的磁间隙中，所述线圈通电后带动所述振膜振动以产生声音。所述壳体的内侧面上开设有出声孔，用于将所述振膜前侧产生的声音导出所述壳体。所述振膜包括主体区域和环绕主体区域的折环区域，所述折环区域包括弧形段和与所述主体区域连接的连接段，所述出声孔的中心沿振膜振动方向在所述振膜上的投影位于所述弧形段内侧。如此设置，可以防止出声孔处空气的流通影响弧形段形变的均匀性，从而减小发声部的失真程度，提升发声部的声学输出性能。
在一些实施例中，所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离范围为4.05mm～6.05mm。如此设置，可以使出声孔的中心在振膜上的投影位于弧形段内侧，从而减小出声孔对振膜振动的影响，进而减小发声部的失真程度。此外，还可以使具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道，从而提高听音位置的听音音量。
在一些实施例中，所述弧形段的跨度与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.1-0.3之间，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.5之间。如此设置，可以在保证具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道的同时，减小出声孔对振膜振动的影响，从而减小发声部的失真程度。
在一些实施例中，所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述弧形段的跨度之间的存在第一差值，所述第一差值在2.75mm-4.15mm之间。如此设置，可以使出声孔靠近耳道同时减小出声孔对振膜振动的影响，以减小发声部的失真程度。
在一些实施例中，所述第一差值与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.7之间，可以使出声孔在垂直于振膜振动方向上避开弧形段，且使振膜具有足够大的短轴尺寸。
在一些实施例中，所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离范围为8.15mm～12.25mm。如此设置，可以使出声孔的中心在振膜上的投影位于弧形段内侧，从而减小出声孔对振膜振动的影响，进而减小发声部的失真程度。此外，还可以使具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道，从而提高听音位置的听音音量。
在一些实施例中，所述弧形段的跨度与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.065-0.1之间，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.45-0.65之间。如此设置，可以在保证具有该发声部的耳机处于佩戴状态时出声孔靠近耳道的同时，减小出声孔对振膜振动的影响，从而减小发声部的失真程度。
在一些实施例中，所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述弧形段的跨度之间存在第二差值，所述第二差值在6.8mm-10.3mm之间。如此设置，可以使出声孔靠近耳道同时减小出声孔对振膜振动的影响，以减小发声部的失真程度。
在一些实施例中，所述第二差值与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.40-0.55之间，可以使出声孔在垂直于振膜振动方向上避开弧形段，且使振膜具有足够大的长轴尺寸。
在一些实施例中，所述振膜的长轴尺寸在13mm-25mm范围内，和/或所述振膜的短轴尺寸在4mm-13mm范围内。
在一些实施例中，所述弧形段的高度与所述弧形段的跨度的比值在0.35-0.4范围内，可以使发声部具有较好的输出与较低的失真。
在一些实施例中，在振膜振动方向上，所述出声孔的面积与所述振膜的投影面积的比值在0.08-0.32之间内，可以使前腔的谐振频率保持在较高的频率范围内(例如，大于3kHz)，从而使发声部的整体的频率响应曲线具有较宽的平坦区域。
在一些实施例中，在振膜振动方向上，所述振膜的投影面积在90mm2-560mm2范围内，和/或所述出声孔的面积在2.87mm2-46.10mm2范围内。
在一些实施例中，所述出声孔的面积与所述出声孔的深度的平方之比在0.31-512.2范围内。
在一些实施例中，所述出声孔和所述振膜前侧之间构成前腔，所述壳体的其他侧面上还设有泄压孔，所述泄压孔和所述振膜背面之间构成后腔，所述前腔的谐振频率不小于3kHz，和/或所述后腔的谐振频率不小于3.3kHz，可以使得发声部的整体的频率响应曲线具有较宽的平坦区域，提升发声部的出声效果。
在一些实施例中，所述后腔的谐振频率与所述前腔的谐振频率之差小于300Hz，可以使得由泄压孔形成的漏音与出声孔在远场形成的漏音更好地相互抵消。
在一些实施例中，发声部还包括环绕所述磁路组件设置的支架，所述支架与所述折环区域上远离所述主体区域的部位连接。所述支架上开设有多个透气孔，所述振膜背面的声音通过所述多个透气孔传输到所述泄压孔，所述多个透气孔的总面积与所述出声孔的面积的比值在0.25-1.60之间，可以维持振膜前后侧声压的均匀性，，提升发声部的输出性能。
在一些实施例中，所述多个透气孔的总面积在4.54mm2-12.96mm2范围内。
在一些实施例中，所述多个透气孔至少包括第一透气孔和第二透气孔，所述第一透气孔的中心距所述泄压孔的中心的距离大于所述第二透气孔的中心距所述泄压孔的中心的距离，且所述第一透气孔的面积大于所述第二透气孔的面积。如此设置，可以更好地平衡气流，使后腔内的气压平衡。
在一些实施例中，在振膜的振动方向上，所述线圈的底部与所述磁路组件的底面之间的距离在0.2mm-4mm范围内，和/或所述出声孔的中心距所述磁路组件的底面的距离范围为5.65mm～8.35mm，可以避免发声部的体积过大，同时避免线圈的碰撞，保证发声部的发声效率足够高、后腔谐振频率在合适频率范围内(例如，1000Hz-5000Hz)。
附图说明
本申请将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本申请的一些实施例所示的示例性耳部的示意图；
图2是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性结构图；
图3是根据本说明书一些实施例所示的两个点声源与听音位置的示意图；
图4是根据本说明书一些实施例所示的单点声源和双点声源在不同频率下的漏音指数对比图；
图5是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的两个声源之间设置挡板的示例性分布示意图；
图6是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的两个声源之间设置挡板和不设置挡板的漏音指数图；
图7是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性佩戴示意图；
图8是图7所示的开放式耳机朝向耳部一侧的结构示意图；
图9是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的其中一个声源周围设置腔体结构的示例性分布示意图；
图10A是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的听音原理示意图；
图10B是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的漏音原理示意图；
图11A是根据本说明书一些实施例所示的具有两个水平开口的腔体结构的示意图；
图11B是根据本说明书一些实施例所示的具有两个垂直开口的腔体结构的示意图；
图12是根据本说明书一些实施例所示的具有两个开口和一个开口的腔体结构的听音指数曲线对比图；
图13是根据本说明书另一些实施例所示的开放式耳机的示例性佩戴示意图；
图14是图13所示的开放式耳机朝向耳部一侧的结构示意图；
图15是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机处于佩戴状态时在矢状面的投影示意图；
图16是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性内部结构图；
图17A是根据本说明书一些实施例所示的换能器的示例性外形图；
图17B是根据本说明书一些实施例所示的换能器的示例性爆炸图；
图18是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性内部结构图；
图19是根据本说明书一些实施例所示的振膜的示例性结构图；
图20A是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性高频带宽示意图；
图20B是根据本说明书一些实施例所示的示例性碳纤维的编织结构示意图；
图21是根据本说明书一些实施例所示的不同驱动电压下发声部的振幅示意图；
图22是根据本说明书一些实施例所示的后腔的部分结构示例性结构图；
图23是根据本说明书一些实施例所示的不同第一部分112311的厚度对应的后腔的频率响应曲线图；
图24是根据本说明书一些实施例所示的发声部在不同驱动电压下的频率响应曲线图；
图25是根据本说明书一些实施例所示的支架与第一泄压孔、第二泄压孔的示例性位置示意图；
图26是根据本说明书一些实施例所示的不同透气孔总面积对应的后腔的频率响应曲线；
图27A是根据本说明书一些实施例所示的长宽比一定时不同截面积的出声孔对应的开放式耳机的频响曲线图；
图27B是根据本说明书一些实施例所示的不同截面积的出声孔对应的前腔的频率响应曲线图；
图28A是根据本说明书一些实施例所示的不同长宽比的出声孔对应的开放式耳机的频响曲线图；
图28B是根据本说明书一些实施例所示的不同深度的出声孔对应的前腔的频率响应曲线图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本申请应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模组”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本说明书的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等术语应做广义理解。例如，术语“连接”可以指固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本说明书中的具体含义。
图1是根据本申请的一些实施例所示的示例性耳部的示意图。参见图1，耳部100(也可以称为耳廓)可以包括外耳道101、耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105、耳舟106、耳轮107、耳垂108、耳屏109以及耳轮脚1071。在一些实施例中，可以借助耳部100的一个或多个部位对声学装置的支撑，实现声学装置佩戴的稳定。在一些实施例中，外耳道101、耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104等部位在三维空间中具有一定的深度及容积，可以用于实现声学装置的佩戴需求。例如，声学装置(例如，入耳式耳机)可以佩戴于外耳道101中。在一些实施例中，可以借助耳部100中除外耳道101外的其他部位，实现声学装置的佩戴。例如，可以借助耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105、耳舟106、耳轮107等部位或其组合实现声学装置的佩戴。在一些实施例中，为了改善声学装置在佩戴方面的舒适度及可靠性，也可以进一步借助用户的耳垂108等部位。通过借助耳部100中除外耳道101之外的其他部位，实现声学装置的佩戴和声音的传播，可以“解放”用户的外耳道101。当用户佩戴声学装置时，声学装置不会堵塞用户外耳道101(或耳道或耳道口)，用户既可以接收来自声学装置的声音又可以接收来自环境中的声音(例如，鸣笛声、车铃声、周围人声、交通指挥声等)，从而能够降低交通意外的发生概率。在本书明书中，当用户佩戴时，不会堵塞用户外耳道101(或耳道或耳道口)的声学装置可以称为开放式耳机。在一些实施例中，可以根据耳部100的构造，将声学装置设计成与耳部100适配的结构，以实现声学装置的发声部在耳部各个不同位置的佩戴。例如，声学装置为开放式耳机时，开放式耳机可以包括悬挂结构(例如，耳挂)和发声部，发声部与悬挂结构通过物理方式进行连接，悬挂结构可以与耳廓的形状相适配，以将发声部的整体或者部分结构置于耳屏109的前侧(例如，图1中虚线围成的区域M3)。又例如，在用户佩戴开放式耳机时，发声部的整体或者部分结构可以与外耳道101的上部(例如，耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105、耳舟106、耳轮107、耳轮脚1071等一个或多个部位所在的位置)接触。再例如，在用户佩戴开放式耳机时，发声部的整体或者部分结构可以位于耳部100的一个或多个部位(例如，耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104等)所形成的腔体内(例如，图1中虚线围成的至少包含耳甲艇103、三角窝104的区域M1和与至少包含耳甲腔102的区域M2)。
不同的用户可能存在个体差异，导致耳部存在不同的形状、大小等尺寸差异。为了便于描述和理解，如果没有特别说明，本说明书将主要以具有“标准”形状和尺寸的耳部模型作为参考，进一步描述不同实施例中的声学装置在该耳部模型上的佩戴方式。例如，可以以基于ANSI:S3.36,S3.25和IEC:60318-7标准制得一含头部及其(左、右)耳部的模拟器，例如GRAS 45BC KEMAR，作为佩戴声学装置的参照物，以此呈现出大多数用户正常佩戴声学装置的情景。仅仅作为示例，作为参考的耳部可以具有如下相关特征：耳廓在矢状面上的投影在垂直轴方向的尺寸可以在49.5mm-74.3mm的范围内，耳廓在矢状面上的投影在矢状轴方向的尺寸可以在36.6mm-55mm的范围内。因此，本申请中，诸如“用户佩戴”、“处于佩戴状态”及“在佩戴状态下”等描述可以指本申请所述的声学装置佩戴于前述模拟器的耳部。当然，考虑到不同的用户存在个体差异，耳部100中一个或多个部位的结构、形状、大小、厚度等可以具有一定区别，为了满足不同用户的需求，可以对声学装置进行差异化设计，这些差异化设计可以表现为声学装置中一个或多个部位(例如，下文中的发声部、耳挂等)的特征参数可以具有不同范围的数值，以此适应不同的耳部。
需要说明的是：在医学、解剖学等领域中，可以定义人体的矢状面(SagittalPlane)、冠状面(Coronal Plane)和水平面(Horizontal Plane)三个基本切面以及矢状轴(Sagittal Axis)、冠状轴(Coronal Axis)和垂直轴(Vertical Axis)三个基本轴。其中，矢状面是指沿身体前后方向所作的与地面垂直的切面，它将人体分为左右两部分；冠状面是指沿身体左右方向所作的与地面垂直的切面，它将人体分为前后两部分；水平面是指沿垂直于身体的上下方向所作的与地面平行的切面，它将人体分为上下两部分。相应地，矢状轴是指沿身体前后方向且垂直于冠状面的轴，冠状轴是指沿身体左右方向且垂直于矢状面的轴，垂直轴是指沿身体上下方向且垂直于水平面的轴。进一步地，本申请所述的“耳部的前侧”是一个相对于“耳部的后侧”的概念，前者指耳部背离头部的一侧，后者指耳部朝向头部的一侧。其中，沿人体冠状轴所在方向观察上述模拟器的耳部，可以得到图1所示的耳部的前侧轮廓示意图。
图2是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性结构图。
在一些实施例中，开放式耳机10可以包括但不限于气传导耳机及骨气导耳机等。在一些实施例中，开放式耳机10可以与眼镜、头戴式耳机、头戴式显示装置、AR/VR头盔等产品相结合。
如图2所示，开放式耳机10可以包括发声部11和耳挂12。
发声部11可以用于佩戴在用户的身体上，发声部11可以产生声音输入用户耳道。在一些实施例中，发声部11可以包括换能器(例如图16所示的换能器116)和用于容纳换能器的壳体111。壳体111可以与耳挂12连接。换能器用于将电信号转换为相应的机械振动从而产生声音。在一些实施例中，壳体朝向耳廓的侧面上开设有出声孔112，出声孔112用于将换能器产生的声音导出壳体111后传向耳道，以便于用户能够听到声音。在一些实施例中，出声孔112可以位于发声部壳体上朝向或靠近用户外耳道101的侧壁上，换能器可以通过出声孔112向用户外耳道101处输出声音。其中，换能器是一个可以接收电信号，并将其转换为声音信号进行输出的元件。在一些实施例中，按频率进行区分，换能器的类型可以包括低频(例如，30Hz-150Hz)扬声器、中低频(例如，150Hz-500Hz)扬声器、中高频(例如，500Hz-5kHz)扬声器、高频(例如，5kHz-16kHz)扬声器或全频(例如，30Hz-16kHz)扬声器，或其任意组合。这里所说的低频、高频等只表示频率的大致范围，在不同的应用场景中，可以具有不同的划分方式。例如，可以确定一个分频点，低频表示分频点以下的频率范围，高频表示分频点以上的频率。该分频点可以为人耳可听范围内的任意值，例如，500Hz，600Hz，700Hz，800Hz，1000Hz等。
在一些实施例中，换能器可以包括振膜(例如，振膜1121)。振膜可以将壳体111分隔形成耳机的前腔(例如图16所示的前腔114)和后腔(例如图16所示的后腔115)，出声孔112可以连通前腔，并将前腔产生的声音导出壳体111后传向耳道。在一些实施例中，经由出声孔112导出的声音，其一部分可以传播至耳道从而使用户听到声音，其另一部分可以与经耳道反射的声音一起经由发声部11与耳部之间的缝隙(例如耳甲腔未被发声部11覆盖的一部分)传播至开放式耳机10及耳部的外部，从而在远场形成第一漏音；与此同时，壳体111的其他侧面(例如，远离或背离用户耳道的侧面)上一般会开设有一个或多个泄压孔113(例如，第一泄压孔1131和第二泄压孔1132)。泄压孔113与后腔声学耦合，振膜振动的同时也会带动后腔的空气产生振动产生气导声音，后腔产生的气导声音可以通过泄压孔向外界传递。泄压孔113相较于出声孔112更远离耳道，泄压孔113传播出去的声音一般会在远场形成第二漏音，前述第一漏音的强度和前述第二漏音的强度相当，且前述第一漏音的相位和前述第二漏音的相位(接近)互为反相，使得两者能够在远场反相相消，有利于降低开放式耳机10在远场的漏音。更多关于发声部11的描述参见本说明书其他地方，例如图7、图13、图16、图18等及其描述。
在一些实施例中，耳挂12的一端可以与发声部11连接，其另一端沿用户耳部与头部的交界处延伸。在一些实施例中，耳挂12可以为与用户耳廓相适配的弧状结构，以使耳挂12可以悬挂于用户耳廓上。例如，耳挂12可以具有与用户头部与耳部交界处相适配的弧状结构，以使耳挂12可以挂设在用户耳廓和头部之间。在一些实施例中，耳挂12也可以为与用户耳廓相适配的夹持结构，以使耳挂12可以夹持于用户耳廓处。示例性地，耳挂12可以包括依次连接的钩状部(如图7所示的第一部分121)和连接部(如图7所示的第二部分122)。其中，连接部连接钩状部与发声部11，以使得开放式耳机10处于非佩戴状态(也即是自然状态)时在三维空间中呈弯曲状。换言之，在三维空间中，钩状部、连接部、发声部11不共面。如此设置，以在开放式耳机10处于佩戴状态时，钩状部可以主要是用于挂设在用户的耳部的后侧与头部之间，发声部11可以主要是用于接触用户的耳部的前侧，进而允许发声部11和钩状部配合以夹持耳部。作为示例性地，连接部可以从头部向头部的外侧延伸，进而与钩状部配合为发声部11提供对耳部的前侧的压紧力。其中，发声部11在压紧力的作用下具体可以抵压于耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105等部位所在的区域，以使得开放式耳机10处于佩戴状态时不遮挡耳部的外耳道101。
在一些实施例中，为了改善开放式耳机10在佩戴状态下的稳定性，开放式耳机10可以采用以下几种方式中的任何一种或其组合。其一，耳挂12的至少部分设置成与耳部100的后侧和头部中的至少一者贴合的仿形结构，以增加耳挂12与耳部100和/或头部的接触面积，从而增加开放式耳机10从耳部100上脱落的阻力。其二，耳挂12的至少部分设置成弹性结构，使之在佩戴状态下具有一定的形变量，以增加耳挂12对耳部和/或头部的正压力，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其三，耳挂12至少部分设置成在佩戴状态下抵靠在头部上，使之形成压持耳部的反作用力，以使得发声部11压持在耳部的前侧，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其四，发声部11和耳挂12设置成在佩戴状态下从耳部的前后两侧夹持对耳轮所在区域、耳甲腔所在区域等，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其五，发声部11或者与之连接的辅助结构设置成至少部分伸入耳甲腔、耳甲艇、三角窝及耳舟等腔体内，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。
在一些实施例中，耳挂12可以包括但不限于耳挂、弹性带等，使得开放式耳机10可以更好地佩戴在用户身上，防止用户在使用时发生掉落。在一些实施例中，开放式耳机10可以不包括耳挂12，发声部11可以采用悬挂或夹持的方式佩戴在用户的耳部100的附近。
在一些实施例中，发声部11可以为例如，圆环形、椭圆形、跑道形、多边形、U型、V型、半圆形等规则或不规则形状，以便发声部11可以直接挂靠在用户的耳部100处。在一些实施例中，发声部11可以具有垂直于厚度方向Z且彼此正交的长轴方向X和短轴方向Y。其中，长轴方向X可以定义为发声部11的二维投影面(例如，发声部11在其外侧面所在平面上的投影，或在矢状面上的投影)的形状中具有最大延伸尺寸的方向(例如，当投影形状为长方形或近似长方形时，长轴方向即长方形或近似长方形的长度方向)。短轴方向Y可以定义为发声部11在矢状面上投影的形状中垂直于长轴方向X的方向(例如，当投影形状为长方形或近似长方形时，短轴方向即长方形或近似长方形的宽度方向)。厚度方向Z可以定义为垂直于二维投影面的方向，例如，与冠状轴的方向一致，均指向身体左右的方向。
在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，发声部11可以佩戴于用户的外耳道101附近但不堵塞耳道的位置。在一些实施例中，在佩戴状态下，开放式耳机10在矢状面上的投影可以不覆盖用户的耳道。例如，发声部11在矢状面上的投影可以落在头部的左右两侧且在人体矢状轴上位于耳屏前侧的位置上(如，图2中实线框A所示的位置)。这时，发声部11位于用户的耳屏前侧，发声部11的长轴可以处于竖直或近似竖直状态，短轴方向Y在矢状面上的投影与矢状轴的方向一致，长轴方向X在矢状面上的投影与垂直轴方向一致，厚度方向Z垂直于矢状面。又例如，发声部11在矢状面上投影可以落在对耳轮105上(如，图2中的虚线框C所示的位置)。这时的发声部11至少部分位于对耳轮105处，发声部11的长轴处于水平或近似水平状态，发声部11的长轴方向X在矢状面上的投影与矢状轴的方向一致，短轴方向Y在矢状面上的投影与垂直轴方向一致，厚度方向Z垂直于矢状面。如此，既可以避免发声部11遮挡耳道，进而解放用户的双耳；还可以增加发声部11与耳部100之间的接触面积，进而改善开放式耳机10的佩戴舒适性。
在一些实施例中，在佩戴状态下，开放式耳机10在矢状面上的投影也可以覆盖或至少部分覆盖用户的耳道，例如，发声部11在矢状面上的投影可以落在耳甲腔102内(如，图2中虚线框B所示的位置)，并与耳轮脚1071和/或耳轮107接触。这时，发声部11至少部分位于耳甲腔102内，发声部11处于倾斜状态，发声部11的短轴方向Y在矢状面上的投影可与矢状轴的方向具有一定夹角，即短轴方向Y也相应倾斜设置，长轴方向X在矢状面上的投影可以与矢状轴的方向具有一定夹角，即长轴方向X也倾斜设置，厚度方向Z垂直于矢状面。此时，由于耳甲腔102具有一定的容积及深度，使得开放式耳机10的内侧面IS与耳甲腔之间具有一定的间距，耳道可以通过内侧面IS与耳甲腔之间的缝隙与外界连通，进而解放用户的双耳。同时，发声部11与耳甲腔可以配合形成与耳道连通的辅助腔体(例如，后文提及的腔体结构)。在一些实施例中，出声孔112可以至少部分位于前述辅助腔体中，出声孔112导出的声音会受到前述辅助腔体的限制，即前述辅助腔体能够聚拢声音，使得声音能够更多地传播至耳道内，从而提高用户在近场听到的声音的音量和质量，从而改善开放式耳机10的声学效果。
关于上述开放式耳机10的描述仅是出于阐述的目的，并不旨在限制本申请的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的描述，做出各种各样的变化和修改。例如，开放式耳机10还可以包括电池组件、蓝牙组件等或其组合。电池组件可用于给开放式耳机10供电。蓝牙组件可以用于将开放式耳机10无线连接至其他设备(例如，手机、电脑等)。这些变化和修改仍处于本申请的保护范围之内。
图3是根据本说明书一些实施例所示的两个点声源与听音位置的示意图。
在一些实施例中，结合图3，经出声孔112可以向开放式耳机10外部传输声音，其可以视作单极子声源(或点声源)A1，产生第一声音；经泄压孔113可以向开放式耳机10外部传输声音，其可以视作单极子声源(或点声源)A2，产生第二声音。第二声音与第一声音可以相位相反或近似相反，使之能够在远场反相相消，也即是形成“声偶极子”，以降漏音。在一些实施例中，在佩戴状态下，两个单极子声源的连线可以指向耳道(记作“听音位置”)，以便于用户听到足够大的声音。其中，听音位置处的声压大小(记作Pear)可以用来表征用户听到的声音强弱(即，近场听音声压)。进一步地，可以统计以用户听音位置为中心的球面上(或者以偶极子声源(如图3所示的A1和A2)中心为圆心、半径为r的球面上)的声压大小(记作Pfar)，可以用来表征开放式耳机10向远场辐射的漏音强弱(即，远场漏音声压)。其中，可以采用多种统计方式获得Pfar，例如取球面各点处声压的平均值，再例如，取球面各点声压分布进行面积分等。
需要知道的是，本说明书中测量漏音的方法仅作原理和效果的示例性说明，并不作限制，漏音的测量和计算方式也可以根据实际情况进行合理调整。例如，以偶极子声源中心为圆心，在远场处根据一定的空间角均匀地取两个或两个以上的点的声压幅值进行平均。在一些实施例中，听音的测量方式可以为选取点声源附近的一个位置点作为听音位置，以该听音位置测量得到的声压幅值作为听音的值。在一些实施例中，听音位置可以在两个点声源的连线上，也可以不在两个点声源的连线上。听音的测量和计算方式也可以根据实际情况进行合理调整，例如，取近场位置的其他点或一个以上的点的声压幅值进行平均。又例如，以某个点声源为圆心，在近场处根据一定的空间角均匀地取两个或两个以上的点的声压幅值进行平均。在一些实施例中，近场听音位置与点声源之间的距离远小于点声源与远场漏音测量球面的距离。
显然，开放式耳机10传递到用户耳部的声压Pear应该足够大，以增加听音效果；远场的声压Pfar应该足够小，以增加降漏音效果。因此，可以取漏音指数α作为评价开放式耳机10降漏音能力的指标：
通过公式(1)可知，漏音指数越小，开放式耳机的降漏音能力越强，在听音位置处近场听音音量相同的情况下，远场的漏音越小。
图4是根据本说明书一些实施例所示的单点声源和双点声源在不同频率下的漏音指数对比图。图4中的双点声源(也可称为偶极子声源)可以为典型双点声源，即间距固定，两点声源幅值相同，两点声源相位相反。应当理解的是，选用典型双点声源只作原理和效果说明，可以根据实际需要调整各点声源参数，使其与典型双点声源具有一定差异。如图4所示，在间距固定的情况下，双点声源产生的漏音随频率的增加而增加，降漏音能力随频率的增加而减弱。当频率大于某一频率值(例如，如图4所示8000Hz左右)时其产生的漏音会大于单点声源，此频率(例如，8000Hz)即为双点声源能够降漏音的上限频率。
在一些实施例中，为了提高开放式耳机的声学输出效果，即增大近场听音位置的声音强度，同时减小远场漏音的音量，可以在出声孔112和泄压孔113之间设置挡板。
图5是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的两个声源之间设置挡板的示例性分布示意图。如图5所示，当点声源A1和点声源A2之间设有挡板时，在近场，点声源A2的声波需要绕过挡板才能与点声源A1的声波在听音位置处产生干涉，相当于增加了点声源A2到听音位置的声程。因此，假设点声源A1和点声源A2具有相同的幅值，则相比于没有设置挡板的情况，点声源A1和点声源A2在听音位置的声波的幅值差增大，从而两路声音在听音位置进行相消的程度减少，使得听音位置的音量增大。在远场，由于点声源A1和点声源A2产生的声波在较大的空间范围内都不需要绕过挡板就可以发生干涉(类似于无挡板情形)，则相比于没有挡板的情况，远场的漏音不会明显增加。因此，在点声源A1和点声源A2的其中一个声源周围设置挡板结构，可以在远场漏音音量不显著增加的情况下，显著提升近场听音位置的音量。
图6是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的两个声源之间设置挡板和不设置挡板的漏音指数图。双点声源之间增加挡板以后，在近场相当于增加了两个点声源之间的距离，在近场听音位置的音量相当于由一个距离较大的双点声源产生，近场的听音音量相对于无挡板的情况明显增加；在远场，两个点声源的声场受挡板的影响很小，产生的漏音相当于是一个距离较小的双点声源产生。因此，如图6所示，增加挡板以后，漏音指数相比于不加挡板时小很多，即在相同听音音量下，远场的漏音比在无挡板的情况下小，降漏音能力明显增强。
图7是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性佩戴示意图。图8是图7所示的开放式耳机朝向耳部一侧的结构示意图。
如图7所示，耳挂12为与用户头部与耳部100的交界处相贴合的弧状结构。发声部11(或发声部11的壳体111)可以具有与耳挂12连接的连接端CE和不与耳挂12连接的自由端FE。其中，发声部11的自由端FE是指发声部11中与耳挂12连接的连接端CE相对设置的端部。发声部11可以为规则或不规则的结构体，这里为了进一步说明发声部11的自由端FE，进行示例性说明。例如，发声部11为长方体结构时，发声部11的端部壁面为平面，此时发声部11的自由端FE为发声部11中与耳挂12连接的连接端CE相对设置的端部侧壁。又例如，发声部11为球体、椭球体或不规则的结构体时，发声部11的自由端FE可以是指沿Y-Z平面(短轴方向Y和厚度方向Z形成的平面)对发声部11进行切割，获取的远离连接端CE的特定区域，该特定区域沿长轴方向X的尺寸与发声部沿长轴方向X的尺寸的比值可以为0.05-0.2。开放式耳机10处于佩戴状态时，耳挂12的第一部分121(例如，耳挂12的钩状部)挂设在用户耳廓(例如，耳轮107)和头部之间，耳挂12的第二部分122(例如，耳挂的连接部)向耳廓背离头部的一侧延伸并与发声部11的连接端CE连接，以将发声部11佩戴于耳道附近但不堵塞耳道的位置。
结合图7和图8所示，发声部11可以具有在佩戴状态下沿厚度方向Z朝向耳部的内侧面IS(也称为壳体111的内侧面)和背离耳部的外侧面OS(也称为壳体111的外侧面)，以及连接内侧面IS和外侧面OS的连接面。需要说明的是：在佩戴状态下，沿冠状轴所在方向(即厚度方向Z)观察，发声部11可以设置成圆形、椭圆形、圆角正方形、圆角矩形等形状。其中，当发声部11设置成圆形、椭圆形等形状时，上述连接面可以指发声部11的弧形侧面；而当发声部11设置成圆角正方形、圆角矩形等形状时，上述连接面可以包括后文中提及的下侧面LS(也称为壳体111的下侧面)、上侧面US(也称为壳体111的上侧面)和后侧面RS(也称为壳体111的后侧面)。其中，上侧面US和下侧面LS可以分别指在佩戴状态下发声部11沿短轴方向Y背离外耳道101的侧面和靠近外耳道101的侧面；后侧面RS可以指在佩戴状态下发声部11沿长度方向Y朝向脑后的侧面。为了便于描述，本实施例以发声部11设置成圆角矩形为例进行示例性的说明。其中，发声部11在长轴方向X上的长度可以大于发声部11在短轴方向Y上的宽度。在一些实施例中，为了提升耳机的美观度及佩戴舒适度，耳机的后侧面RS可以为弧面。
发声部11内可以设置有换能器，其可以将电信号转换为相应的机械振动从而产生声音。换能器(例如，振膜)可以将壳体111分隔形成耳机的前腔和后腔。前腔和后腔中产生的声音相位相反。内侧面IS上开设有与前腔连通的出声孔112，以将前腔产生的声音导出壳体111后传向耳道，以便于用户能够听到声音。壳体111的其他侧面上(例如，外侧面OS、上侧面US或下侧面LS等)可以开设有与后腔连通的一个或多个泄压孔113，以用于将后腔产生的声音导出壳体111后与出声孔112导出的声音在远场干涉相消。在一些实施例中，泄压孔113相较于出声孔112更远离耳道，以减弱经泄压孔113输出的声音与经出声孔112输出的声音之间在听音位置的反相相消。
在一些实施例中，如图7所示，当开放式耳机10处于佩戴状态时，发声部11的长轴方向X可以水平或近似水平设置(与图2所示的位置C类似)，此时发声部11至少部分地位于对耳轮105处，发声部11的自由端FE可以朝向脑后。发声部11处于水平或近似水平状态，发声部11的长轴方向X在矢状面上的投影可以与矢状轴的方向一致，短轴方向Y在矢状面上的投影可以与垂直轴方向一致，厚度方向Z垂直于矢状面。
在一些实施例中，为提高开放式耳机10与耳部100的贴合度，提高开放式耳机10佩戴的稳定性，壳体111的内侧面IS可以压接于耳部100(例如，对耳轮105)表面，以增加开放式耳机10从耳部100上脱落的阻力。
在一些实施例中，结合图7和图8，当开放式耳机10压接于耳部100时，为了使内侧面IS上的出声孔112不被耳部组织阻挡，出声孔112在矢状面的投影可以部分或全部与耳部的内凹结构(例如，耳甲艇103)在矢状面的投影重合。在一些实施例中，由于耳甲艇103与耳甲腔102连通，耳道位于耳甲腔102内，当出声孔112在矢状面上的至少部分投影位于耳甲艇103内时，出声孔112输出的声音可以无阻碍地到达耳道，从而使耳道接收的音量较高。在一些实施例中，发声部11的长轴尺寸不能过长，过长会使自由端FE在矢状面的投影超出耳部在矢状面的投影，影响发声部11与耳部的贴合效果。因此，发声部11的长轴尺寸可以设计得使得自由端FE在矢状面的投影不越过耳轮107在矢状面的投影。在一些实施例中，当自由端FE在矢状面的投影不越过耳轮107在矢状面的投影时，为了使出声孔112在矢状面的至少部分投影位于耳甲艇103内，即实际佩戴时出声孔112至少部分正对耳甲艇103，后侧面RS出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d1的范围为9.5mm～15.0mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d1的范围为10.5mm～14.0mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d1的范围为11.0mm～13.5mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d1的范围为11.5mm～13.0mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d1的范围为12.0mm～12.5mm。
需要知道的是，由于出声孔112和泄压孔113设置在壳体111上，壳体111的各个侧壁均具有一定厚度，因此，出声孔112和泄压孔113均为具有一定深度的孔洞。此时，出声孔112和泄压孔113可以均具有内开口和外开口。为便于描述，在本说明书中，上述及下述出声孔112的中心O可以指出声孔112的外开口的形心。在一些实施例中，为了提升耳机的美观度及佩戴舒适度，壳体111的一个或多个侧壁(例如，下侧面LS、后侧面RS、内侧面IS、外侧面OS等)可以为平面或曲面。当壳体111的某个侧壁为平面或曲面时，某位置(例如，出声孔112的中心O)到该侧壁(例如，后侧面RS)的距离可以通过下述示例性的方法进行确定。例如，可以确定该侧壁的平行于发声部11短轴方向Y或长轴方向X的切面，可以将该位置距该切面的最短距离确定为该位置到该侧壁的距离。示例性的，当后侧面RS为曲面时，可以确定后侧面RS的平行于Y-Z平面(短轴方向Y和厚度方向Z形成的平面)的切面，则出声孔112的中心O到后侧面RS的距离可以为出声孔112的中心O到所述切面的最短距离。又例如，当下侧面LS为曲面时，可以确定下侧面LS的平行于X-Z平面(长轴方向X和厚度方向Z形成的平面)的切面，则出声孔112的中心O到下侧面LS的距离可以为出声孔112的中心O到所述切面的最短距离。
在本说明书中，分别连通前腔和后腔的出声孔112和泄压孔113可以分别视为图5所示的点声源A1和点声源A2，耳道可以视为图5所示的听音位置。发声部11的至少部分壳体和/或至少部分耳廓可以视为图5所示的挡板，以增大出声孔112和泄压孔113到耳道的声程差，以增大耳道处的声音强度，同时维持远场降漏音的效果。当开放式耳机10采用图7所示的结构时，即壳体111的至少部分位于对耳轮105处时，就听音效果而言，出声孔112的声波可以直接到达耳道，此时，出声孔112可以设置在内侧面IS上靠近下侧面LS的位置，泄压孔113可以设置在远离出声孔112的位置，例如，泄压孔113可以设置在外侧面OS或上侧面US上远离出声孔112的位置。泄压孔113的声波需要绕过发声部11外侧才能与出声孔112的声波在耳道处产生干涉，此外，耳廓上上凸下凹的结构(例如，在其传播路径上的对耳轮)也会增加泄压孔113的声音传导至耳道的声程。因此，发声部11本身和/或耳廓相当于出声孔112与泄压孔113之间的挡板，挡板增加了泄压孔113到耳道的声程且减小了泄压孔113声波在耳道的强度，从而使出声孔112和泄压孔113发出的两路声音在耳道进行相消的程度减少，使得耳道的音量增大。就降漏音效果而言，由于出声孔112和泄压孔113产生的声波在较大的空间范围内都不需要绕过发声部11本身就可以发生干涉(类似于无挡板的情形)，漏音不会明显增加。因此，通过设置出声孔112和泄压孔113合适的位置，可以在漏音音量不显著增加的情况下，显著提升耳道的音量。
在一些实施例中，结合图8，为了提升出声孔112在耳道(即，听音位置)的声音强度，可以将出声孔112设置在距离耳道较近的位置，即出声孔112可以在Y方向上更加靠近发声部11的下侧面LS。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h1的范围为2.3mm～3.6mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h1的范围为2.5mm～3.4mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h1的范围为2.7mm～3.2mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h1的范围为2.8mm～3.1mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h1的范围为2.9mm～3.0mm。
在一些实施例中，参照图7，为了保证开放式耳机10佩戴时出声孔112在矢状面的投影能够部分或全部位于耳甲艇区域内，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为17.5mm～27.0mm，这里耳挂12的上顶点是指沿垂直轴方向耳挂12上最靠近头部的点。在一些实施例中，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为20.0mm～25.5mm。在一些实施例中，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为21.0mm～24.5mm。在一些实施例中，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为22.0mm～23.5mm。在一些实施例中，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为22.5mm～23.0mm。
在一些实施例中，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与内侧面IS的上下边界之间距离(即发声部11或壳体111上侧面US与下侧面LS之间的距离)的比值不能太大或太小。在一些实施例中，当上侧面US和/或下侧面LS为弧面时，上侧面US与下侧面LS之间的距离可以指上侧面US的距发声部中心最远且平行于发声部长轴的切面与下侧面LS的距发声部中心最远且平行于发声部长轴的切面之间的距离。在出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离一定的情况下，上述比值太小，则内侧面IS的宽度尺寸可能过大，此时可能导致发声部整体重量变大、壳体和耳挂之间的距离太小，使用户佩戴不舒适。上述比值太大时，则内侧面IS的宽度尺寸可能过小，导致发声部11的换能器能推动空气的面积太小，致使发声部的发声效率太低。因此，为了保证发声部的发声效率足够高并提高用户佩戴的舒适性，且使出声孔112在矢状面的投影至少部分能够位于耳甲艇区域内，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与内侧面IS的上下边界之间距离的比值在0.95～1.55之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的宽度尺寸的比值在1.05～1.45之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的宽度尺寸的比值在1.15～1.35之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的宽度尺寸的比值在1.20～1.30之间。
在图7的佩戴方式下，由于出声孔112在内侧面IS上距离耳道较近的位置，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值不能太大。此外，为了保证发声部11与耳挂12的上顶点M间具有足够的间隔(防止发声部11和耳挂12给耳部造成太大的压力)，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值也不能太小。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值在1.19～2.5之间。优选地，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值在1.5～1.8之间。
在图7的佩戴方式下，由于出声孔112在内侧面IS上距离耳道较近的位置，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离的比值不能太小。此外，为了保证出声孔具有足够的面积(防止出声孔面积太小而导致过大的声阻抗)，出声孔112的宽度不能太小，则出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离的比值也不能太大。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离h3的比值在6.03～9.05之间。优选地，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离的比值在7～8之间。
在一些实施例中，为了提高听音音量，特别是中低频的听音音量，同时仍然保留远场漏音相消的效果，可以在双点声源的其中一个声源周围构建一个腔体结构。图9是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的其中一个声源周围设置腔体结构的示例性分布示意图。
如图9所示，偶极子声源之间设有腔体结构41时，使得其中一个偶极子声源和听音位置在腔体结构41的内部，另外一个偶极子声源在腔体结构41的外部。腔体结构41的内部的偶极子声源导出的声音会受到腔体结构41的限制，即腔体结构41能够聚拢声音，使得声音能够更多地传播至听音位置内，从而提高听音位置的声音的音量和质量。本说明书中，“腔体结构”可以理解为由发声部11的侧壁与耳甲腔结构共同围成的半封闭结构，该半封闭结构使得内部与外部环境并非完全密闭隔绝，而是具有与外部环境声学联通的泄漏结构42(例如，开口、缝隙、管道等)。示例性的泄漏结构可以包括但不限于开口、缝隙、管道等，或其任意组合。
在一些实施例中，腔体结构41中可以包含听音位置和至少一个声源。这里的“包含”可以表示听音位置和声源至少有一者在腔体内部，也可以表示听音位置和声源至少有一者在腔体内部边缘处。在一些实施例中，听音位置可以是耳道入口，也可以是耳朵声学参考点。
图10A是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的听音原理示意图。图10B是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的漏音原理示意图。
对于近场听音来说，如图10A所示的其中一个声源周围构建有腔体结构的偶极子，由于其中一个声源A被腔体结构包裹，其辐射出来的声音大部分会通过直射或反射的方式到达听音位置。相对地，在没有腔体结构的情况，声源辐射出的声音大部分不会到达听音位置。因此，腔体结构的设置使得到达听音位置的声音音量得到显著提高。同时，腔体结构外的反相声源B辐射出来的反相声音只有较少的一部分会通过腔体结构的泄漏结构进入腔体结构。这相当于在泄漏结构处生成了一个次级声源B’，其强度显著小于声源B，亦显著小于声源A。次级声源B’产生的声音在腔体内对声源A产生反相相消的效果微弱，使听音位置的听音音量显著提高。
对于漏音来说，如图10B所示，声源A通过腔体的泄漏结构向外界辐射声音相当于在泄漏结构处生成了一个次级声源A’，由于声源A辐射的几乎所有声音均从泄漏结构输出，且腔体的结构尺度远小于评价漏音的空间尺度(相差至少一个数量级)，因此可认为次级声源A’的强度与声源A相当。对于外界空间来说，次级声源A’与声源B产生的声音相消效果与声源A与声源B产生的声音相消效果相当。即该腔体结构下，仍然保持了相当的降漏音效果。
在具体应用场景中，发声部11的壳体壁面通常为平面或曲面，而用户耳甲腔102的轮廓为凹凸不平的结构，通过将发声部11部分或整体结构伸入耳甲腔内，发声部11与耳甲腔的轮廓之间形成与外界连通的腔体结构，进一步地，将出声孔设置在发声部11的壳体朝向用户耳道口和靠近耳甲腔102边缘的位置，以及将泄压孔设置在发声部11背离或远离耳道口的位置就可以构造图9所示的声学模型，从而使得用户在佩戴开放式耳机10时能够提高用户在耳口处的听音位置，以及降低远场的漏音效果。
应当理解的是，上述一个开口的泄漏结构仅为示例，腔体结构的泄漏结构可以包含一个或一个以上的开口，其也能实现较优的听音指数，其中，听音指数可以指漏音指数α的倒数1/α。以设置两个开口结构为例，下面分别分析等开孔和等开孔率的情况。以只开一个孔的结构作为对比，这里的“等开孔”指设置两个尺寸与只开一个孔的结构相同的开口，“等开孔率”指设置的两个孔开口面积之和与只开一个孔的结构相同。等开孔相当于将只开一个孔的相对开口大小(即腔体结构上泄漏结构的开口面积S与腔体结构中受被包含的声源直接作用的面积S0的比值)扩大了一倍，由之前所述，其整体的听音指数会下降。在等开孔率的情况，即使S/S0与只开一个孔的结构相同，但两个开口至外部声源的距离不同，因而也会造成不同的听音指数。
图11A是根据本说明书一些实施例所示的具有两个水平开口的腔体结构的示意图。图11B是根据本说明书一些实施例所示的具有两个垂直开口的腔体结构的示意图。如图11A所示，当两个开口连线和两个声源连线平行(即为两个水平开口)时，两个开口到外部声源的距离分别取得最大和最小；如图11B所示，当两连线垂直(即为两个垂直开口)时，两开口到外部声源的距离相等并取得中间值。
图12是根据本说明书一些实施例所示的具有两个开口和一个开口的腔体结构的听音指数曲线对比图。如图12所示，等开孔的腔体结构较一个开口的腔体结构的整体听音指数会下降。对于等开孔率的腔体结构，由于两个开口至外部声源的距离不同，因而也会造成不同的听音指数。结合图11A、图11B和图12可以看出，无论水平开口还是垂直开口，等开孔率的泄漏结构的听音指数都高于等开孔的泄漏结构。这是因为相对于等开孔的泄漏结构，等开孔率的泄漏结构的相对开口大小S/S0相比于等开孔的泄漏结构缩小了一倍，因此听音指数更大。结合图11A、图11B和图12还可以看出，无论是等开孔的泄漏结构还是等开孔率的泄漏结构，水平开口的听音指数都更大。这是因为水平开口的泄漏结构中其中一个开口到外部声源的距离小于两个声源的距离，这样形成的次级声源与外部声源由于距离相对原来两个声源更近，因此听音指数更高，进而提高了降漏音效果。因此，为了提高降漏音效果，可以使至少一个开口到外部声源的距离小于两个声源之间的距离。
此外，如图12所示，采用了两个开口的腔体结构相对于一个开口的腔体结构能更好地提高腔体结构内气声的谐振频率，使得整个装置相对于只有一个开口的腔体结构在高频段(例如，频率接近10000Hz的声音)有更好的听音指数。高频段是人耳更敏感的频段，因此对降漏音的需求更大。因此，为了提高高频段的降漏音效果，可以选择开口数量大于1的腔体结构。
图13是根据本说明书另一些实施例所示的开放式耳机的示例性佩戴示意图。图14是图13所示的开放式耳机朝向耳部一侧的结构示意图。
图13所示的开放式耳机10与图7所示的开放式耳机10的结构类似，其主要区别在于：发声部11倾斜设置，发声部11的壳体111至少部分插入耳甲腔102，例如，发声部11的自由端FE可以伸入耳甲腔102内。如此结构的耳挂12和发声部11与用户耳部100适配度较好，能够增加开放式耳机10从耳部100上脱落的阻力，从而增加开放式耳机10的佩戴稳定性。
在一些实施例中，在佩戴状态下，沿厚度方向Z观察，发声部11的前端CE相较于自由端FE更靠近头顶，以便于自由端FE伸入耳甲腔内。基于此，长轴方向X与人体矢状轴所在方向之间的夹角可以介于15°～60°之间。其中，如果前述夹角太小，容易导致自由端FE无法伸入耳甲腔内，以及发声部11上的出声孔112与耳道相距太远；如果前述夹角太大，同样容易导致发声部11无法伸入耳甲腔内，以及耳道被发声部11堵住。换言之，如此设置，既允许发声部11伸入耳甲腔内，又使得发声部11上的出声孔112与耳道具有合适的距离，以在耳道不被堵住的情况下，用户能够更多地听到发声部11产生的声音。
在一些实施例中，发声部11和耳挂12可以从耳甲腔所对应的耳部区域的前后两侧共同夹持前述耳部区域，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力，进而改善开放式耳机10在佩戴状态下的稳定性。例如，发声部11的自由端FE在厚度方向Z上压持在耳甲腔内。再例如，自由端FE在长轴方向X和短轴方向Y上抵接在耳甲腔内(例如，与耳甲腔的相对自由端FE的内壁相抵接)。
在一些实施例中，由于耳挂自身具有弹性，发声部与耳挂的距离在佩戴状态和未佩戴状态可以发生一定的变化(未佩戴状态下的距离小于佩戴状态下的距离)。此外，由于耳部100的生理结构，在佩戴状态下，发声部11所在的平面应当与耳挂12所在的平面在冠状轴方向上有一定的间距，才能使发声部11对耳部100造成适当的压力。在一些实施例中，为了提升开放式耳机10的佩戴舒适度，以及使发声部11与耳挂12配合将发声部11压持在耳部上，在未被佩戴状态下，出声孔112的中心O距耳挂12所在的平面之间的距离在3mm～6mm之间。由于耳挂12是一个非规则的形状，例如，耳挂12可为弧形结构，耳挂12所在的平面(也称耳挂平面)可以视为：在未被佩戴状态下，将耳挂平置在一个平面上时，该平面与耳挂上至少三个点相切，构成耳挂平面。在一些实施例中，在佩戴状态时，耳挂可以近似视为与头部进行贴合，此时耳挂平面相对于矢状面的偏转可以忽略不计。在一些实施例中，在未被佩戴状态下，出声孔112的中心O距耳挂12所在的平面之间的距离在3.5mm～5.5mm之间。在一些实施例中，在未被佩戴状态下，出声孔112的中心O距耳挂12所在的平面之间的距离在4.0mm～5.0mm之间。在一些实施例中，在未被佩戴状态下，出声孔112的中心O距耳挂12所在的平面之间的距离在4.3mm～4.7mm之间。
如图13所示，当用户佩戴开放式耳机10时，通过将发声部11的壳体111设置为至少部分插入耳甲腔103，发声部11的内侧面IS与耳甲腔103共同围成的腔体可以视为如图9所示的腔体结构41，内侧面IS与耳甲腔之间形成的缝隙(例如，内侧面IS与耳甲腔之间形成的靠近头顶的第一泄露结构UC、内侧面IS与耳部之间形成的靠近耳道的第二泄露结构LC)可以视为如图9所示的泄漏结构42。设置在内侧面IS上的出声孔112可以视为如图9所示的腔体结构41内部的点声源，设置在发声部11其他侧面(例如，远离或背离用户耳道的侧面)的泄压孔113可以视为如图9所示的腔体结构41外部的点声源。由此根据图9-图12的相关描述，当开放式耳机10以至少部分插入耳甲腔的佩戴方式佩戴时，即以如图13所示的佩戴方式佩戴，就听音效果而言，出声孔112辐射出来的声音大部分可以通过直射或反射的方式到达耳道，可以使得到达耳道的声音音量得到显著提高，特别是中低频的听音音量。同时，泄压孔113辐射出来的反相声音只有较少的一部分会通过缝隙(第一泄露结构UC和第二泄露结构LC)进入耳甲腔，与出声孔112产生相消的效果微弱，使耳道的听音音量显著提高。就漏音效果而言，出声孔112可以通过缝隙向外界输出声音并与泄压孔113产生的声音在远场反相相消，以此保证降漏音效果。
在一些实施例中，结合图13和图14，为了使开放式耳机10佩戴时出声孔112在矢状面的投影能够部分或全部位于耳甲腔区域内，同时提升出声孔112在耳道(即，听音位置)的声音强度，可以将出声孔112尽可能设置在距离耳道较近的位置。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h2的范围为4.05mm～6.05mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h2的范围为4.50mm～5.85mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h2的范围为4.80mm～5.50mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Y方向距发声部11的下侧面LS的距离h2的范围为5.20mm～5.55mm。
在一些实施例中，为了使发声部11至少部分插入耳甲腔，发声部11的长轴尺寸不能太长。在保证发声部11至少部分插入耳甲腔的前提下，出声孔112中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离不能太近，否则可能导致出声孔的全部或部分面积由于自由端FE与耳甲腔壁面的抵接而被遮挡，使得出声孔的有效面积减小。因此，在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d2的范围为8.15mm～12.25mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d2的范围为8.50mm～12.00mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d2的范围为8.85mm～11.65mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d2的范围为9.25mm～11.15mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O沿X方向距发声部11的后侧面RS的距离d2的范围为9.60mm～10.80mm。
结合图13，在一些实施例中，在保证发声部11至少部分插入耳甲腔的前提下，为了使出声孔112在矢状面的投影能够部分或全部位于耳甲腔区域内，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为22.5mm～34.5mm。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为25mm～32mm。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为27.5mm～29.5mm。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M之间的距离的范围为28mm～29mm。在一些实施例中，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心在矢状面的投影与耳挂12的上顶点在矢状面的投影之间的距离的范围为18mm～30mm。在一些实施例中，当用户佩戴所述开放式耳机10时，出声孔112的中心在矢状面的投影与耳挂12的上顶点在矢状面的投影之间的距离的范围为20mm～25mm。需要说明的是，在本说明书，在佩戴状态下，出声孔112的中心O与某特定位置点(例如，耳挂上顶点M)之间的距离可以通过下述示例性的方法进行确定。可以在佩戴状态下，采用固定件或者胶水将开放式耳机10的多个部件(例如，发声部11、耳挂的第一部分121和耳挂的第二部122)固定在稳固件上，然后将人头模型及耳廓结构去除，此时，稳定在稳固件上的开放式耳机10展示为朝向耳部一侧，且其姿态与佩戴状态的姿态相同。此时，可以直接测得出声孔112的中心O与该特定位置点(例如，耳挂上顶点M)之间的距离。
在一些实施例中，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与内侧面IS的上下边界之间距离(即发声部11或壳体111的上侧面US与下侧面LS之间的距离)的比值不能太大或太小。在出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M之间的距离一定的情况下，上述比值太小，则内侧面IS的宽度尺寸可能过大，此时可能导致发声部整体重量变大、壳体和耳挂之间的距离太小，使用户佩戴不舒适。上述比值太大时，则内侧面IS的宽度尺寸可能过小，导致发声部11的换能器能推动空气的面积太小，致使发声部的发声效率太低。因此，为了保证发声部的发声效率足够高并提高用户佩戴的舒适性，且使出声孔112在矢状面的投影至少部分能够位于耳甲腔区域内，且尽可能距耳道较近，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的沿Y方向的宽度尺寸之间距离的比值在1.2～2.2之间。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的宽度尺寸的比值在1.4～2.0之间。在一些实施例中，在保证发声部至少部分插入耳甲腔的情况下，为了使出声孔112靠近耳道，并使发声部11整体尺寸较小便于携带，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的宽度尺寸的比值在1.5～1.8之间。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O与耳挂12的上顶点M的距离与壳体111的宽度尺寸的比值在1.6～1.7之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O与耳挂上顶点M之间的位置关系还可以通过出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳挂上顶点M在矢状面的投影点的距离表征。例如，在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳挂上顶点M在矢状面的投影点的距离与发声部11在矢状面上的投影的短轴尺寸的比值在1.7-2.6之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳挂上顶点M在矢状面的投影点的距离与发声部11在矢状面上的投影的短轴尺寸的比值在1.9-2.5之间。
在图13的佩戴方式下，由于出声孔112在内侧面IS上距离耳道较近的位置，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值不能太大。此外，为了保证发声部11与耳挂12的上顶点M间具有足够的间隔以伸入耳甲腔，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值也不能太小。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值在1.94～2.93之间。优选地，在保证发声部至少部分插入耳甲腔的情况下，为了使出声孔112靠近耳道，并使发声部11整体尺寸较小便于携带，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的上侧面US的距离的比值在2.2～2.6之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳挂上顶点M在矢状面的投影点的距离与出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距发声部11的上侧面US在矢状面的投影的距离的比值在2.8-4.3之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳挂上顶点M在矢状面的投影点的距离与出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距发声部11的上侧面US在矢状面的投影的距离的比值在3.2-3.8之间。
在图13的佩戴方式下，由于出声孔112在内侧面IS上距离耳道较近的位置，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离的比值不能太小。此外，为了保证出声孔具有足够的面积(防止出声孔面积太小而导致过大的声阻抗)，出声孔112的宽度不能太小，则出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离的比值也不能太大。在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，出声孔112的中心O距耳挂12的上顶点M的距离与出声孔112的中心O距发声部11的下侧面IS的距离的比值在4.50～6.76之间。
图15是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机处于佩戴状态时在矢状面的投影示意图。
在一些实施例中，结合图13和图15，为了使发声部11稳定地佩戴在用户耳部，且便于构造如图9所示的腔体结构，并使得腔体结构具有至少两个泄露结构，自由端FE可以在长轴方向X和短轴方向Y上抵接在耳甲腔内，此时，发声部11的内侧面IS相对于矢状面倾斜，并且此时发声部的内侧面IS与耳甲腔之间至少具有靠近头顶的第一泄露结构UC(即耳甲腔与内侧面IS上边界之间的缝隙)和靠近耳道的第二泄露结构LC(即耳甲腔与内侧面IS下边界之间的缝隙)。由此，可以提高听音音量，特别是中低频的听音音量，同时仍然保留远场漏音相消的效果，从而提升开放式耳机10的声学输出性能。
在一些实施例中，当开放式耳机10以图13所示的佩戴方式进行佩戴时，发声部的内侧面IS与耳甲腔之间形成的第一泄露结构UC和第二泄露结构LC在长轴方向X上和厚度方向Z上均具有一定的尺寸。在一些实施例中，为了便于理解第一泄露结构UC和第二泄露结构LC的位置，可以将开放式耳机10处于佩戴状态时内侧面IS的上/下边界分别与耳部(例如，耳甲腔的侧壁、耳轮脚)相交而形成的两点的中点作为第一泄露结构UC和第二泄露结构LC的位置参考点，以耳道的耳道口中心作为耳道的位置参考点。在一些实施例中，为了便于理解第一泄露结构UC和第二泄露结构LC的位置，可以在开放式耳机10处于佩戴状态时，将内侧面IS的上边界的中点作为第一泄露结构UC的位置参考点，以内侧面IS的下边界靠近自由端FE的三等分点(以下简称内侧面IS的下边界的1/3点)作为第二泄露结构LC的位置参考点。需要说明的是，发声部11的内侧面IS上边界的中点可以通过下述示例性的方法进行选取。可以确定发声部11沿厚度方向Z的投影轮廓；可以确定发声部11上沿长轴方向X距换能器的磁路组件(例如，下文描述的磁路组件1125)的短轴中心面的垂直距离最大且最靠近上侧面US的两个第一定位点；可以确定两个第一定位点之间的发声部11的投影轮廓为内侧面IS的上边界的投影线；可以确定发声部11上最靠近内侧面IS的且其投影与内侧面IS的上边界的投影线完全重合的线段作为内侧面IS的上边界。在一些替代的实施例中，当发声部11的一个或多个侧面(例如，内侧面IS、上侧面US和/或下侧面LS)为弧面时，可以确定内侧面IS的平行于Y-X平面(短轴方向Y和长轴方向X形成的平面)的切面与上侧面US的平行于Z-X平面(厚度方向Z和长轴方向X形成的平面)的切面之间的相交线为内侧面IS的上边界。内侧面IS的上边界的中点可以是内侧面IS的上边界与磁路组件的短轴中心面的相交点。磁路组件的短轴中心面可以指平行于发声部11的短轴方向Y和厚度方向Z且通过磁路组件的中心轴的平面。
类似地，发声部11的内侧面IS下边界的1/3点可以通过下述示例性的方法进行选取。可以确定发声部11沿厚度方向Z的投影轮廓；可以确定发声部11上沿长轴方向X距磁路组件的短轴中心面的垂直距离最大且最靠近下侧面LS的两个第二定位点；可以确定两个第二定位点之间的发声部11的投影轮廓为内侧面IS的下边界的投影线；可以确定发声部11上最靠近内侧面IS的且其投影与内侧面IS的下边界的投影线完全重合的线段作为内侧面IS的下边界。在一些替代的实施例中，当发声部11的一个或多个侧面(例如，内侧面IS、上侧面US和/或下侧面LS)为弧面时，可以确定内侧面IS的平行于Y-X平面(短轴方向Y和长轴方向X形成的平面)的切面与下侧面LS的平行于Z-X平面(厚度方向Z和长轴方向X形成的平面)的切面之间的相交线为内侧面IS的下边界。内侧面IS的下边界的1/3点可以是内侧面IS的下边界与磁路组件的靠近自由端FE的三等分面的相交点。磁路组件的靠近自由端FE的三等分面可以指平行于发声部11的短轴方向Y和厚度方向Z且通过磁路组件的长轴的靠近自由端FE的三等分点的平面。
仅作为示例，本说明书将以内侧面IS的上边界的中点以及下边界的1/3点分别作为第一泄露结构UC和第二泄露结构LC的位置参考点。需要知道的是，选定的内侧面IS的上边界的中点以及下边界的1/3点，只是作为示例性的参考点来描述第一泄露结构UC和第二泄露结构LC的位置。在一些实施例中，还可以选定其他参考点用以描述第一泄露结构UC和第二泄露结构LC的位置。例如，由于不同用户耳部的差异性，导致当开放式耳机10处于佩戴状态时所形成的第一泄露结构UC/第二泄露结构LC为一宽度渐变的缝隙，此时，第一泄露结构UC/第二泄露结构LC的参考位置可以为内侧面IS的上边界/下边界上靠近缝隙宽度最大的区域的位置。例如，可以以内侧面IS的上边界靠近自由端FE的1/3点作为第一泄露结构UC的位置，以内侧面IS的下边界的中点作为第二泄露结构LC的位置。
在一些实施例中，如图15所示，内侧面IS的上边界在矢状面的投影可以与上侧面US在矢状面的投影重合，内侧面IS的下边界在矢状面的投影可以与下侧面LS在矢状面的投影重合。第一泄露结构UC的位置参考点(例如，内侧面IS的上边界的中点)在矢状面的投影为点A，第二泄露结构LC的位置参考点(例如，内侧面IS的下边界的1/3点)在矢状面的投影为点C。需要说明的是，在本说明书中，出声孔112的中心O、耳挂上顶点M、第一泄露结构UC的位置参考点(例如，内侧面IS的上边界的中点)、第二泄露结构LC的位置参考点(例如，内侧面IS的下边界的1/3点)、耳道口的中心等之间的相对位置关系还可以通过出声孔112的中心O、耳挂上顶点M、第一泄露结构UC的位置参考点(例如，内侧面IS的上边界的中点)、第二泄露结构LC的位置参考点(例如，内侧面IS的下边界的1/3点)等在矢状面上的投影点以及耳道口在矢状面的投影的形心之间的位置关系进行表征。
如图15所示，在一些实施例中，在佩戴状态下，开放式耳机10的发声部11在矢状面上的投影可以至少部分覆盖用户的耳道，但耳道可以通过耳甲腔与外界连通，以实现解放用户的双耳。在一些实施例中，由于泄压孔113的声音可以通过泄露结构(例如，第一泄露结构UC或第二泄露结构LC)传入腔体结构与出声孔112的声音发生相消，因此，泄压孔113不能离泄露结构太近，而在发声部11至少部分地插入耳甲腔内的前提下，泄压孔113与出声孔112的距离受限于发声部11的尺寸，因此，为了使开放式耳机10在整个频段范围内都具有较高的听音指数，泄压孔113应尽可能位于距离出声孔112更远的位置，例如，泄压孔113设置于发声部11的上侧面US。此时，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A的距离与出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’与泄压孔113的中心在矢状面的投影点之间的距离的比值在0.7～1.3之间。
当出声孔112与泄压孔113的相对位置保持不变(即出声孔112与泄压孔113之间的距离保持不变)时，腔体结构的体积V越大，开放式耳机10整体(全频段范围内)的听音指数越小。这是因为受到腔体结构内气声谐振的影响，在腔体结构的谐振频率上，腔体结构内会产生气声谐振并向外辐射远大于泄压孔113的声音，造成了漏音的极大提高，进而使得听音指数在该谐振频率附近显著变小。
出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面投影点A的距离越大，腔体结构的体积V越大。因此，在一些实施例中，在发声部11至少部分地插入耳甲腔内的前提下，为了使出声孔112能够靠近耳道设置，且使腔体结构具有合适体积V，以使耳道的收音效果较好，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A的距离范围为10.0mm～15.2mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A的距离范围为11.0mm～14.2mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A的距离范围为12.0mm～14.7mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A的距离范围为12.5mm～14.2mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A的距离范围为13.0mm～13.7mm。需要说明的是，在本说明书，在佩戴状态下，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距某特定点(例如，内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A)之间的距离可以通过下述示例性的方法进行确定。可以在佩戴状态下，采用固定件或者胶水将开放式耳机10的多个部件(例如，发声部11、耳挂的第一部分121和耳挂的第二部122)固定在稳固件上，然后将人头模型及耳廓结构去除，此时，稳定在稳固件上的开放式耳机10展示为朝向耳部一侧，且其姿态与佩戴状态的姿态相同。此时，可以确定出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’的位置。进一步地，可以确定出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距该特定点之间的距离。
在一些实施例中，由于耳道口附近存在耳屏，出声孔112很容易被耳屏遮挡，此时，为了尽可能使出声孔112在离耳道较近的位置且不被遮挡，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为2.2mm～3.8mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为2.4mm～3.6mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为2.6mm～3.4mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为2.8mm～3.2mm。需要说明的是，耳道口在矢状面上的投影的形状可以近似视为椭圆形，相对应地，耳道口在矢状面的投影的形心可以为该椭圆形的几何中心。
在一些实施例中，为了保证发声部11伸入耳甲腔且内侧面IS的上边界与耳甲腔之间存在适当的缝隙(形成腔体结构的泄露结构)，内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为12mm～18mm。在一些实施例中，内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为13mm～17mm。在一些实施例中，内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为14mm～16mm。在一些实施例中，内侧面IS的上边界的中点在矢状面的投影点A距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为14.5mm～15.5mm。
在一些实施例中，为了保证发声部11伸入耳甲腔且内侧面IS的下边界与耳甲腔之间存在适当的缝隙(形成腔体结构的泄露结构)，内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为1.7mm～2.7mm。在一些实施例中，内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为1.8mm～2.6mm。在一些实施例中，内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为1.9mm～2.5mm，在一些实施例中，内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为2.0mm～2.4mm。在一些实施例中，内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C距耳道口在矢状面的投影的形心B的距离范围为2.1mm～2.3mm。
在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C的距离越大，腔体结构的体积V越大。因此，在发声部11至少部分地插入耳甲腔内的前提下，为了使出声孔112能够靠近耳道设置，且使腔体结构具有合适体积V，以使耳道的收音效果较好。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C的距离范围为3.5mm～5.6mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C的距离范围为3.9mm～5.2mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C的距离范围为4.3mm～4.8mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O在矢状面的投影点O’距内侧面IS的下边界的1/3点在矢状面的投影点C的距离范围为4.5mm～4.6mm。
图16是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性内部结构图。
如图16所示，发声部11可以包括设置在壳体111内的主控电路板13和设置在耳挂12远离发声部11一端的电池(未示出)，电池和换能器116分别与主控电路板13电性连接，以允许电池在主控电路板13的控制下为换能器116供电。当然，电池和换能器116也可以均设置在发声部11内，且电池可以更靠近连接端CE而换能器116则可以更靠近自由端FE。
在一些实施例中，开放式耳机10可以包括连接发声部11和耳挂12的调节机构，不同的用户在佩戴状态下能够通过调节机构调节发声部11在耳部上的相对位置，以使得发声部11位于一个合适的位置，从而使得发声部11与耳甲腔形成腔体结构。除此之外，由于调节机构的存在，用户也能够调节耳机10佩戴至更加稳定、舒适的位置。
由于耳甲腔具有一定的容积及深度，使得自由端FE伸入耳甲腔内之后，发声部11的内侧面IS与耳甲腔之间能够具有一定的间距。换言之，发声部11在佩戴状态下与耳甲腔可以配合形成与外耳道连通的腔体结构，出声孔112可以至少部分位于前述腔体结构内。如此，在佩戴状态下，由出声孔112传播而出的声波会受到前述腔体结构的限制，也即前述腔体结构能够聚拢声波，使得声波能够更好地传播至外耳道内，从而提高用户在近场听到的声音的音量和音质，这样有利于改善耳机10的声学效果。进一步地，由于发声部11可以设置成在佩戴状态下不堵住外耳道，使得前述腔体结构可以呈半开放式设置。如此，由出声孔112传播而出的声波，其一部分可以传播至耳道从而使用户听到声音，其另一部分可以与经耳道反射的声音一起经由发声部11与耳部之间的缝隙(例如耳甲腔未被发声部11覆盖的一部分)传播至耳机10及耳部的外部，从而在远场形成第一漏音；与此同时，经由发声部11上开设的泄压孔113传播出去的声波一般会在远场形成第二漏音，前述第一漏音的强度与前述第二漏音的强度相当，且前述第一漏音的相位和前述第二漏音的相位(接近)互为反相，使得两者能够在远场相消，这样有利于降低开放式耳机10在远场的漏音。
在一些实施例中，发声部11主要包括与耳挂12连接的壳体111和设置在壳体111内的换能器116。其中，壳体111在佩戴状态下朝向耳部的内侧面IS设置有出声孔112，换能器116产生的声波经由出声孔112传播而出，以便于传入外耳道101。值得注意的是：出声孔112也可以设置在壳体111的下侧面LS，还可以设置在前述内侧面IS与下侧面LS之间的拐角处。
在一些实施例中，换能器116可以包括振膜1121，振膜1121与壳体111之间可以形成位于振膜1121前侧的前腔114以及位于振膜1121后侧的后腔115。壳体111上设有与前腔114声学耦合的出声孔112以及与后腔115声学耦合的泄压孔(例如第一泄压孔1131与第二泄压孔1132)。壳体111内可以设置有连接架117。连接架117上设置有声学通道1151，用于连通第一泄压孔1131和后腔115，以便于后腔115与外界环境连通，也即空气能够自由地进出后腔115，从而有利于降低换能器116的振膜在振动过程中的阻力。
在一些实施例中，前腔114设置于换能器116的振膜1121与壳体111之间，为了保证振膜具有充足的振动空间，前腔114可以具有较大的深度尺寸(即换能器116的振膜与其正对的壳体111之间的距离尺寸)。在一些实施例中，如图16所示，出声孔112设置于厚度方向Z上的内侧面IS上，此时前腔114的深度可以是指前腔114在Z方向上的尺寸。但是，前腔114的深度过大，又会导致发声部11的尺寸增大，影响开放式耳机10的佩戴舒适性。在一些实施例中，前腔114的深度可以为0.55mm-1.00mm。在一些实施例中，前腔114的深度可以为0.66mm-0.99mm。在一些实施例中，前腔114的深度可以为0.76mm-0.99mm。在一些实施例中，前腔114的深度可以为0.96mm-0.99mm。在一些实施例中，前腔114的深度可以为0.97mm。
为了提升开放式耳机10的出声效果，前腔114与出声孔112构成的类似亥姆霍兹共振腔结构的谐振频率和/或后腔115与泄压孔113构成的类似亥姆霍兹共振腔结构的谐振频率要尽可能的高，以此使得发声部的整体的频率响应曲线具有较宽的平坦区域。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以不低于3kHz。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以不低于4kHz。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以不低于6kHz。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以不低于7kHz。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以不低于8kHz。在一些实施例中，为了增加频响曲线中平坦区的范围，提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于3.3kHz。在一些实施例中，为了进一步提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于3.5kHz。在一些实施例中，为了进一步提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于4kHz。在一些实施例中，为了进一步提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于6kHz。
在一些实施例中，前腔114与出声孔112可以近似看作一个亥姆霍兹共振腔模型，前腔114为亥姆霍兹共振腔模型的腔体，出声孔112为亥姆霍兹共振腔模型的颈部。此时亥姆霍兹共振腔模型的共振频率为前腔114的谐振频率f1。类似地，后腔115与泄压孔113(例如，第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132)也可以近似看作一个亥姆霍兹共振腔模型，后腔115为亥姆霍兹共振腔模型的腔体，泄压孔113为亥姆霍兹共振腔模型的颈部。此时亥姆霍兹共振腔模型的共振频率为后腔115的谐振频率f2。
在亥姆霍兹共振腔模型中，颈部(例如出声孔112或泄压孔113)的尺寸可以影响到腔体的谐振频率f，具体关系如公式(2)所示：
其中，c代表声速，S代表颈部(例如出声孔112或泄压孔113)的截面积，V代表腔体(例如前腔114或后腔115)的体积，L代表颈部(例如出声孔112或后腔115)的深度。
由公式(2)可知，当增加出声孔112的截面积S、减小出声孔112的深度L时，前腔114的谐振频率f1增大向高频移动。类似地，当泄压孔113(例如第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132)的截面积、泄压孔113的深度不变时，后腔115的体积增大，后腔115的谐振频率f2减小即向低频移动。
在一些实施例中，出声孔112处的总空气容积形成声质量，声质量可以与系统(例如亥姆霍兹共振腔)谐振以产生低频输出。因此声质量较小可能影响亥姆霍兹共振腔模型的低频输出。而出声孔112的尺寸也会对出声孔112的声质量Ma造成影响，具体关系如公式(3)所示：
其中，ρ代表空气密度，S代表出声孔112的截面积，L代表出声孔112的深度。
由公式(3)可知，出声孔112的截面积S增加、深度L减小，出声孔112的声质量Ma减小。
结合公式(2)与公式(3)可知，出声孔112的截面积S与深度L之比S/L的取值越大，前腔114的谐振频率f1越大，出声孔112的声质量Ma越小。因此，出声孔112的截面积S与深度L之比S/L需要处于适当的取值范围内，具体可以参见例如，图27A、图27B及图28B。
图17A是根据本说明书一些实施例所示的换能器的示例性外形图，图17B是根据本说明书一些实施例所示的换能器的示例性爆炸图。请参照图17A与图17B，在一些实施例中，发声部11可以包括振膜1121、线圈1122、支架1123、端子1124以及磁路组件1125。其中，支架1123提供安装固定平台，换能器116可以通过支架1123与壳体111相连，端子1124固定于支架1123，端子1124可以用于电路连接(例如连接引线等)。线圈1122与振膜1121连接且至少部分位于磁路组件1125形成的磁间隙中，磁路组件1125会对通电的线圈1122产生作用力，从而驱动振膜1121产生机械振动，进而经由空气等媒介的传播产生声音。磁路组件1125可以包括导磁板11251、磁体11252与容纳件11253。导磁板11251位于磁体11252和振膜1121之间并贴附在磁体11252的表面。
图18是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性内部结构图。图19是根据本说明书一些实施例所示的振膜的示例性结构图。
如图18所示，壳体111容纳有换能器116，换能器116包括振膜1121、线圈1122、支架1123以及磁路组件1125。其中，支架1123包围振膜1121、线圈1122及磁路组件1125设置，用于提供安装固定平台，换能器116可以通过支架1123与壳体111相连，振膜1121在Z方向上覆盖线圈1122和磁路组件1125，线圈1122伸入磁路组件1125且与振膜1121相连，线圈1122通电之后产生的磁场与磁路组件1125所形成的磁场相互作用，从而驱动振膜1121产生机械振动，进而经由空气等媒介的传播产生声音，声音通过出声孔112输出。
在一些实施例中，磁路组件1125包括导磁板11251、磁体11252与容纳件11253，导磁板11251与磁体11252相互连接，磁体11252远离导磁板11251的一侧安装于容纳件11253的底壁，且磁体11252的周侧与容纳件11253的周侧内侧壁之间具有间隙。在一些实施例中，容纳件11253的周侧外侧壁与支架1123连接固定。在一些实施例中，容纳件11253与导磁板11251均可以采用导磁材质(例如铁等)。在一些实施例中，振膜1121的周侧可以通过固定环1145连接至支架1123上。在一些实施例中，固定环1145的材质可以包括不锈钢材质或其他金属材质，以适应振膜1121的加工制造工艺。在一些实施例中，容纳件11253包括容纳件的底部11253a与周侧的侧壁11253b，容纳件的底部11253a与侧壁11253b围成容纳空间，导磁板11251与磁体11252容纳于该容纳空间内。导磁板11251与磁体11252相互连接，磁体11252远离导磁板11251的一侧安装于容纳件的底部11253a，且磁体11252的周侧与容纳件11253周侧的侧壁11253b之间具有间隙。在一些实施例中，线圈1122可以伸入磁体11252与侧壁11253b之间的间隙。
在一些实施例中，为了使得在振膜1121上下振动过程中时，至少部分线圈1122可以位于磁路组件1125内磁通量密度较高的区域，以提高磁路组件1125的磁场利用效率，在振膜1121的振动方向上，线圈1122的中心点J和导磁板11251的中心点K之间的距离dd小于0.3mm。例如，线圈1122的中心点J和导磁板11251的中心点K可以基本在同一水平线上，以使得磁路组件1125对线圈1122产生更大的作用力，以为振膜1121的振动提供动力。
请参照图18与图19，在一些实施例中，振膜1121可以包括主体区域11211与环绕主体区域11211设置的折环区域11212。在一些实施例中，主体区域11211包括第一倾斜段11211a以及与线圈1122连接的第一连接段11211b。如图18所示，第一连接段11211b用于连接线圈1122，所述第一连接段11211b平行于短轴方向Y设置，并垂直于振膜的振动方向。第一倾斜段11211a与折环区域11212的部分区域贴合。在一些实施例中，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b向背离线圈1122的方向倾斜。结合图18和图19所示，线圈1122位于第一连接段11211b的下侧，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b向上(即远离背离线圈1122的方向)倾斜。通过上述设置，可以避免线圈1122粘接至振膜1121时粘接用的胶水溢出至折环区域11212，导致胶水腐蚀折环区域11212，影响振膜1121的振动性能。
在一些实施例中，线圈1122可以伸入磁体11252与容纳件11253之间的间隙。线圈1122与容纳件11253的侧壁之间的距离太大会使得线圈并未处于磁路组件1125磁通量密度较大的区域，减弱磁路组件1125为振膜1121提供的动力；距离太小会使线圈1121有碰撞容纳件11253的风险。因此，为了避免线圈1121的碰撞以及保证磁场为振膜1121提供的动力，在一些实施例中，在上述的间隙中，线圈1122与磁体11252的侧壁之间的距离wt可以为0.1mm-0.25mm，线圈1122与容纳件11253的周侧内侧壁之间的距离ww可以为0.1mm-0.5mm。在一些实施例中，线圈1122与磁体11252的侧壁之间的距离wt可以为0.12mm-0.24mm，线圈1122与容纳件11253的周侧内侧壁之间的距离ww可以为0.15mm-0.3mm。在一些实施例中，在上述的间隙中，线圈1122与磁体11252的侧壁之间的距离wt可以为0.17mm-0.21mm，线圈1122与容纳件11253的周侧内侧壁之间的距离ww可以为0.19mm-0.23mm。在一些实施例中，线圈1122与磁体11252的侧壁之间的距离wt可以为0.2mm，线圈1122与容纳件11253的周侧内侧壁之间的距离ww可以为0.2mm。线圈1122与容纳件11253的底部11253a之间的距离h31太大会造成整个发声部11的体积变大，沿振膜1121的振动方向上，线圈1122与容纳件11253的底部11253a之间的距离h31太小则会使线圈1121有碰撞容纳件11253的风险。因此，为了避免发声部11的体积过大，同时避免线圈1121的碰撞，在一些实施例中，线圈1122与容纳件11253的底部11253a之间的距离h31(即线圈1122远离振膜1121的一端与容纳件11253的底壁之间的距离)可以为0.2mm-4mm。在一些实施例中，线圈1122与容纳件11253的底壁之间的距离h31可以为0.6mm-3mm。在一些实施例中，线圈1122与容纳件11253的底壁之间的距离h31可以为1mm-2mm。在一些实施例中，线圈1122与容纳件11253的底壁之间的距离h31可以为1.4mm-1.6mm。
在一些实施例中，通过对第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β进行设计，可以改变线圈1122与磁路组件1125的相对位置，从而使线圈1122受到的推力大体一致，进而调整发声部11的低频失真，使低频听感更加丰富。此外，通过设计第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β还可以避免线圈1122溢胶至折环区域11212，避免腐蚀折环区域11212，影响折环区域11212的振动。其中，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β是指，第一倾斜段11211a在远离第一连接段11211b的方向上，与第一连接段11211b所在直线的夹角，如图19所示。
在一些实施例中，为了减小发声部11的失真程度，避免腐蚀折环区域11212并影响折环区域11212的振动，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β可以在5°-30°范围内。在一些实施例中，为了进一步减小发声部11的失真程度，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β可以在10°-25°范围内。例如，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β可以为15°。又例如，第一倾斜段11211a相对于第一连接段11211b的倾斜角度β可以为22°。
在一些实施例中，线圈1122距离第一倾斜段11212a的最小距离不小于0.3mm，即第一倾斜段11212a与第一连接段11211b的连接点和线圈1122与第一连接段11211b的连接区域之间的距离不小于0.3mm，以使折环区域11212与线圈1122的安装位置保持安全距离，避免线圈1122安装的胶水溢出到折环区域11212。
在一些实施例中，折环区域11212包括第二倾斜段11212a，第二倾斜段11212a至少部分与第一倾斜段11211a贴合。主体区域11211与折环区域11212通过第一倾斜段11211a与第二倾斜段11212a实现连接。在一些实施例中，为了简化贴装工艺，第一倾斜段11211a与第二倾斜段11212a可以通过胶水连接。在一些实施例中，为了实现主体区域11211与折环区域11212的连接，第二倾斜段11212a可以设置于第一倾斜段11211a靠近线圈1122的一侧。在一些实施例中，为了实现主体区域11211与折环区域11212的连接，同时为了进一步减小线圈1122粘接时的胶水对折环区域11212的腐蚀程度，第二倾斜段11212a可以设置于第一倾斜段11211a背离线圈1122的一侧。
由于低频时振膜1121的振动幅度较大，若是折环区域11212采用平面结构，其形变能力较差，因此会影响振膜1121振动时的幅度。因此，为了使振膜1121的具有较好的形变能力，在一些实施例中，折环区域11212可以包括弧形段11212c。
在一些实施例中，弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值可以影响弧形段11212c的形变能力。弧形段11212c的高度指在振膜1121的振动方向上，弧形段11212c的最高点与弧形段的最低点之间的距离。如图19所示，弧形段11212c的高度记为h11。弧形段11212c的跨度指在弧形段11212c的上两点之间的最大距离。如图19所示，弧形段11212c的跨度记为w1。若是弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值过小，弧形段11212c的凸起程度过小，形状可能接近于平面结构，形变能力较差。若是弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值过大，弧形段11212c的凸起程度过大，振膜1121振动时受到的阻碍较大，对发声部11的输出造成影响。因此，在一些实施例中，为了使发声部11具有较好的输出与较低的失真，弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值可以在0.35-0.4范围内。在一些实施例中，为了进一步提升发声部11的输出，弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值可以在0.36-0.39范围内。在一些实施例中，为了进一步降低发声部11的失真，弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值可以为0.37-0.38。例如，弧形段11212c的高度h11与跨度w1的比值可以为0.38。
在一些实施例中，弧形段11212c的高度h11可以在0.5mm-0.7mm范围内。例如，弧形段11212c的高度h11可以在0.55mm-0.65mm范围内。在一些实施例中，弧形段11212c的高度h11可以为0.6mm。考虑到误差尺寸，在一些实施例中，弧形段11212c的高度h11可以为0.6mm±0.05mm。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的跨度(宽度)w2可以小于曲率半径r1的两倍。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的曲率半径r1可以为0.7mm-0.9mm。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的曲率半径r1可以为0.75mm-0.88mm。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的曲率半径r1可以为0.8mm-0.83mm。
在一些实施例中，振膜1121通过折环区域11212的弧形段11212c的形变可以上下振动。由于弧形段11212c的刚度较小，出声孔112处空气的流通可能影响弧形段11212c形变的均匀性。为了防止出声孔112处空气的流通影响弧形段11212c形变的均匀性，减小发声部11的失真程度，出声孔112与弧形段11212c在垂直于振膜振动方向上应尽可能地错开。例如，出声孔112的中心O沿振膜振动方向在振膜1121上的投影可以位于弧形段11212c内侧。需要知道的是，弧形段11212c内侧可以指振膜1121上相对于弧形段11212c上靠近主体区域11211的部位(例如，如图19所示的沿振膜短轴所作截面上，点N所在位置)更靠近主体区域1121几何中心的区域。
在一些实施例中，为了在佩戴开放式耳机10时使出声孔112靠近耳道，以此提高听音位置的听音音量，出声孔112的中心O距下侧面LS的距离可以在4.05mm-6.05mm之间，出声孔112的中心O距发声部11的后侧面RS的距离可以在8.15mm～12.25mm之间。进一步地，为了减小出声孔112对振膜振动的影响，以减小发声部11的失真程度，折环区域11212的跨度不宜过大，以避免或减少弧形段11212c在垂直于振膜振动方向上与出声孔112的交叠。例如，弧形段11212c的弧形段11212c的跨度w1可以为1.2mm-1.7mm，以使出声孔112的中心O在振膜1121上的投影可以位于弧形段11212c内侧。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的跨度w1可以为1.3mm-1.65mm。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的跨度w1可以为1.5mm-1.6mm。在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的曲率半径r1可以为0.82mm，折环区域11212的弧形段11212c的跨度w1可以为1.58mm。考虑到误差尺寸，在一些实施例中，折环区域11212的弧形段11212c的曲率半径r1可以为0.82mm±0.05mm，折环区域11212的弧形段11212c的跨度w1可以为1.58mm±0.1mm。
在一些实施例中，发声部11的尺寸可以与振膜1121的尺寸(例如，振膜1121在矢状面的投影的长轴尺寸与短轴尺寸)相关。振膜1121的尺寸越大，发声部11的尺寸可能越大。在一些实施例中，在保证开放式耳机10处于佩戴状态时出声孔112靠近耳道的同时，为了减小出声孔112对振膜振动的影响，以减小发声部11的失真程度，出声孔112的中心O距下侧面LS的距离与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.3-0.5之间。在一些实施例中，为了让出声孔112在垂直于振膜振动方向上更好地避开折环区域11212的弧形段11212c，出声孔112的中心O距下侧面LS的距离与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.33-0.47之间。在一些实施例中，为了保证出声孔112在垂直于振膜振动方向上避开弧形段11212c的情况下具有足够大的短轴尺寸，出声孔112的中心O距下侧面LS的距离与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.35-0.45之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O距下侧面LS的距离与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.38-0.42之间。
在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的短轴尺寸的比值不能太大或太小。该比值太大时，为了减小出声孔112对振膜振动的影响，容易使得开放式耳机10处于佩戴状态时出声孔112离耳道较远，导致听音位置的听音音量降低，而且该比值太大也会导致振膜1121的主体区域11211面积小，影响振膜1121能推动的空气量；该比值太小时，容易使得振膜振动的振幅较小，影响发声部11的发声效率。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.1-0.3之间。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.15-0.25之间。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.17-0.23之间。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的短轴尺寸的比值在0.19-0.21之间。
类似地，在一些实施例中，在保证开放式耳机10处于佩戴状态时出声孔112靠近耳道的同时，为了减小出声孔112对振膜振动的影响，以减小发声部11的失真程度，出声孔112的中心O距后侧面RS的距离与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.45-0.65之间。在一些实施例中，为了减小出声孔112对振膜振动的影响，以减小发声部11的失真程度，出声孔112的中心O距后侧面RS的距离与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.5-0.6之间。在一些实施例中，为了保证出声孔112在垂直于振膜振动方向上避开弧形段11212c的情况下具有足够大的长轴尺寸，出声孔112的中心O距后侧面RS的距离与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.52-0.58之间。在一些实施例中，出声孔112的中心O距后侧面RS的距离与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.54-0.56之间。
在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的长轴尺寸的比值不能太大或太小。该比值太大时，为了减小出声孔112对振膜振动的影响，容易使得开放式耳机10处于佩戴状态时出声孔112离耳道较远，导致听音位置的听音音量降低，而且该比值太大也会导致振膜1121的主体区域11211面积小，影响振膜1121能推动的空气量；该比值太小时，容易使得振膜振动的振幅较小，影响发声部11的发声效率。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.065-0.1之间。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.075-0.095之间。在一些实施例中，弧形段11212c的跨度w1与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.08-0.09之间。
在一些实施例中，为了使出声孔112靠近耳道同时减小出声孔112对振膜振动的影响，以减小发声部11的失真程度，出声孔112的中心O距下侧面LS的距离与弧形段11212c的跨度之间可以存在第一差值。在一些实施例中，第一差值可以在2.75mm-4.15mm之间。在一些实施例中，为了进一步减小出声孔112对振膜振动的影响，第一差值可以在2.9mm-4.0mm之间。在一些实施例中，第一差值可以在3.1mm-3.8mm之间。在一些实施例中，第一差值可以在3.3mm-3.6mm之间。在一些实施例中，为了使出声孔112在垂直于振膜振动方向上避开弧形段11212c，且使振膜具有足够大的短轴尺寸，第一差值与振膜1121的短轴尺寸的比值可以在0.3-0.7之间。在一些实施例中，为了进一步保证振膜具有足够大的短轴尺寸，且使出声孔112在垂直于振膜振动方向上能避开弧形段11212c，第一差值与振膜1121的短轴尺寸的比值可以在0.35-0.65之间。在一些实施例中，第一差值与振膜1121的短轴尺寸的比值可以在0.45-0.55之间。
在一些实施例中，为了使出声孔112靠近耳道同时减小出声孔112对振膜振动的影响，以减小发声部11的失真程度，出声孔112的中心O距后侧面RS的距离与弧形段11212c的跨度之间存在第二差值。在一些实施例中，第二差值可以在6.8mm-10.3mm之间。在一些实施例中，为了进一步减小出声孔112对振膜振动的影响，第二差值可以在7mm-10mm之间。在一些实施例中，第二差值可以在7.5mm-9.5mm之间。在一些实施例中，第二差值可以在8mm-9mm之间。在一些实施例中，为了使出声孔112在垂直于振膜振动方向上避开弧形段11212c，且使振膜具有足够大的长轴尺寸，第二差值与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.40-0.55之间。在一些实施例中，为了进一步保证振膜具有足够大的长轴尺寸，且使出声孔112在垂直于振膜振动方向上能避开弧形段11212c，第二差值与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.45-0.5之间。在一些实施例中，第二差值与振膜1121的长轴尺寸的比值在0.47-0.49之间。
在一些实施例中，折环区域11212也可以包括由多个弧形段11212c组成的波浪形结构，其中任意两个相邻的弧形段11212c的朝向相反。波浪形结构的设置，可以使得振膜1121在振动过程中向上振动、向下振动所受到阻碍程度尽量对称，减小发声部11的失真程度，提升发声部11的低频输出。在一些实施例中，多个弧形段11212c中每个弧形段11212c的高度与跨度的比值可以与上述单个弧形段11212c的高度与跨度的比值一致。在一些实施例中，多个弧形段11212c中每个弧形段11212c的高度与跨度的比值可以不同。例如，沿振膜1121的径向方向上，多个弧形段11212c中每个弧形段11212c的高度可以从振膜1121的中心到边缘逐渐降低，每个弧形段11212c的跨度相同。
为了对振膜1121在其大幅度振动时进行约束，避免线圈1122碰到磁路组件1125，在一些实施例中，主体区域11211可以包括位于第一连接段11211b远离第一倾斜段11211a的一端的拱形的球顶11211c，且拱形的球顶11211c与弧形段11212c的拱起方向相同，即拱形的球顶11211c朝向远离线圈1122的一侧凸起。拱形的球顶11211c可以避免振膜1121在大幅振动时晃动，保证线圈1122与磁力组件1125不会发生碰撞。同时，拱形的球顶11211c也具有较高的强度与刚度，在一定程度上抑制主体区域11211的分割振动，从而改善换能器116的高频振动特性。在没有前盖的情况下，球顶高宽比(即高度和跨度比)增加，高频频宽会增加，但是过高的球顶高宽比会造成不均匀度增加和整体尺寸的增加。
在一些实施例中，球顶11211c的高度h21与球顶11211c在拱形延伸方向的尺寸(即跨度尺寸w2)相关。球顶11211c的高度指在振膜1121的振动方向上，球顶11211c的最高点与球顶11211c的最低点(即与第一连接段11211b连接的端点)之间的距离。如图19所示，球顶11211c的高度为h21。球顶11211c的跨度指在球顶11211c的上两点之间的最大距离。如图19所示，球顶11211c的跨度为w2。球顶11211c的跨度尺寸w2越大，为了保持球顶11211c的拱形结构(例如，使得球顶11211c对应的弧度保持为预设弧度范围)，球顶11211c的高度h21就会越大，可能导致换能器116的整体厚度尺寸过大。综合考虑到换能器116的整体厚度以及结构设计，在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c对应的预设弧度范围可以为0.5263rad-3.1416rad。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c对应的预设弧度范围可以为0.7869rad-3.1416rad。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c对应的预设弧度范围可以为1.0526rad-3.1416rad。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c对应的预设弧度范围可以为1.5789rad-3.1416rad。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c对应的预设弧度范围可以为2.1053rad-3.1416rad。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c对应的预设弧度范围可以为2.6316rad-3.1416rad。在一些实施例中，主体区域11211的球顶11211c的宽度尺寸w2可以为2mm-8mm。在一些实施例中主体区域11211的球顶11211c的宽度尺寸w2可以为3mm-7mm。在一些实施例中主体区域11211的球顶11211c的宽度尺寸w2可以为4mm-6mm。在一些实施例中主体区域11211的球顶11211c的宽度尺寸w2可以为4.8mm。在一些实施例中，主体区域11211的球顶11211c的高度h21(即在振膜振动方向上，球顶11211c的最高点与最低点之间的距离)范围可以为0.7mm-1.2mm。在一些实施例中，主体区域11211的球顶11211c的高度h21可以为0.9mm-1.1mm。在一些实施例中，主体区域11211的球顶11211c的高度h21可以为1mm-1.05mm。在一些实施例中，主体区域11211的球顶11211c的高度h21可以为0.8mm。在一些实施例中，由于存在加工误差，主体区域11211的球顶11211c的高度h21可以为0.8mm±0.08mm。
在一些实施例中，球顶11211c的高度h21与跨度w2的比值可能影响发声部11的整体尺寸和振膜1121的振动。若是球顶11211c的高度h21与跨度w2的比值过小，球顶11211c的凸起程度过小，球顶11211c的形状接近平面结构，球顶11211c的强度与刚度较低，球顶11211c容易出现分割振动，导致高频区域出现较多的峰谷，影响换能器116的高频振动特性。若是球顶11211c的高度h21与跨度w2的比值过大，球顶11211c的凸起程度过大，换能器116的整体厚度尺寸可能过大，不均匀度和整体尺寸也会增加。因此，为了使发声部11整体具有适宜厚度尺寸，改善发声部11的高频振动特性，球顶11211c的高度h21与跨度w2的比值可以在0.1-0.6范围内。在一些实施例中，为了进一步改善换能器116的高频振动特性，球顶11211c的高度h21与跨度w2的比值可以在0.1-0.4范围内。在一些实施例中，为了进一步改善换能器116的高频振动特性，球顶11211c的高度h21与跨度w2的比值可以在0.1-0.3范围内。
在一些实施例中，综合考虑到结构强度、工艺实现难度以及发声部11的整体厚度限制，同时满足振膜1121的最大振幅，以使振膜1121在振动过程中不碰撞导磁板11251，在振膜的振动方向上，振膜1121的主体区域11211的球顶11211c的最低点到磁路组件1125中的导磁板11251顶部之间的距离(如图18所示的距离hd)可以大于0.8mm。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211球顶11211c的最低点到磁路系统1125中的导磁板11251顶部之间的间距hd可以为0.85mm-0.95mm，即0.9mm±0.05mm。其中，0.9mm为结构尺寸，0.05mm为误差范围尺寸。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211球顶11211c的最低点到磁路系统1125中的导磁板11251顶部之间的间距hd可以为0.86mm-0.93mm。在一些实施例中，振膜1121的主体区域11211球顶11211c的最低点到磁路系统1125中的导磁板11251顶部之间的间距hd可以为0.88mm-0.92mm。
继续参照图16和图18，在一些实施例中，为了提升发声部11的声学输出(尤其是低频输出)效果，提升振膜1121推动空气的能力，振膜1121沿Z方向的投影面积越大越好，但是振膜1121的面积过大会导致换能器116的尺寸过大，由此导致壳体111过大，从而容易导致壳体111与耳廓碰撞摩擦，影响发声部11的佩戴舒适度。因此需要对壳体111的尺寸进行设计。示例性地，耳甲腔沿Y方向的尺寸(例如17mm)可以确定壳体111在Y方向上的宽度尺寸，再根据佩戴舒适度选取适宜的长短比(即壳体111在Y方向尺寸与在X方向的尺寸之比)，从而确定壳体111在X方向的长度尺寸(例如21.49mm)，以与耳甲腔沿Y方向的尺寸相匹配。需要说明的是，发声部11(或壳体111)的长轴尺寸可以是指发声部11(或壳体111)在Y方向上的最大尺寸，发声部11(或壳体111)的短轴尺寸可以是指发声部11(或壳体111)在Z方向上的最大尺寸。
在一些实施例中，为了使大多数用户在佩戴开放式耳机10时发声部11能够至少部分插入到耳甲腔中，以形成较好的声学效果的腔体结构，例如，使得开放式耳机10在佩戴时与用户耳部之间形成第一泄露结构UC和第二泄露结构LC，以提高耳机的声学性能，壳体111的尺寸可以采用预设范围的取值。在一些实施例中，根据耳甲腔沿Y方向的宽度尺寸范围，壳体111沿Y方向上的宽度尺寸可以在11mm-16mm范围内。在一些实施例中，壳体111沿Y方向上的宽度尺寸可以为11mm-15mm。在一些实施例中，壳体111沿Y方向上的宽度尺寸可以为13mm-14mm。在一些实施例中，壳体111在X方向尺寸与在Y方向尺寸之比的取值可以为1.2-5。在一些实施例中，壳体111在X方向尺寸与在Y方向尺寸之比的取值可以为1.4-4。在一些实施例中，壳体111在X方向尺寸与在Y方向尺寸之比的取值可以为1.5-2。在一些实施例中，壳体111沿X方向的长度尺寸可以在15mm-30mm范围内。在一些实施例中，壳体111沿X方向的长度尺寸可以为16mm-28mm。在一些实施例中，壳体111沿X方向的长度尺寸可以为19mm-24mm。在一些实施例中，为了避免壳体111的体积过大影响开放式耳机10佩戴舒适度，壳体111沿Z方向的厚度尺寸可以在5mm-20mm范围内。在一些实施例中，壳体111沿Z方向的厚度尺寸可以为5.1mm-18mm。在一些实施例中，壳体111沿Z方向的厚度尺寸可以为6mm-15mm。在一些实施例中，壳体111沿Z方向的厚度尺寸可以为7mm-10mm。在一些实施例中，壳体111的内侧面IS面积(在内侧面IS为矩形的情况下等于壳体111的长度尺寸与宽度尺寸的乘积)可以为90mm2-560mm2。在一些实施例中，内侧面IS面积可以认为是近似于振膜1121沿Z方向的投影面积。例如，内侧面IS的面积与振膜1121沿Z方向的投影面积相差10％。在一些实施例中，内侧面IS的面积可以为150mm2-360mm2。在一些实施例中，内侧面IS的面积可以为160mm2-240mm2。在一些实施例中，内侧面IS的面积可以为180mm2-200mm2。基于图9-图12所述的原理，以如图13所示的方式进行佩戴，开放式耳机10的尺寸设计在满足佩戴舒适度的基础上，其声学性能是优于现有的开放式耳机，也就是说，在达到同等优良的声学性能的前提下，开放式耳机10的尺寸可以小于现有的开放式耳机。
参照图16和图18，在一些实施例中，出声孔112的中心O沿Z方向距磁路组件1125的底面的距离可以与振膜1121的振动范围、磁路组件1125的厚度相关。振膜1121的振动范围可以影响发声部11的换能器推动空气的量。振膜1121的振动范围越大，发声部11的换能器推动空气的量越多，发声部的发声效率越高。磁路组件1125的厚度越大，发声部11的总重量越大，从而影响用户佩戴的舒适性。此外，当发声部在Z方向的厚度一定时，出声孔112的中心O沿Z方向距磁路组件1125的底面的距离越小，后腔的体积可能越大，此时，根据前述公式(2)可知，后腔的谐振频率越小，后腔的谐振峰向低频移动，频率响应曲线的平坦区域的范围变小。为了保证发声部的发声效率足够高、后腔谐振频率在合适频率范围内(例如，1000Hz-5000Hz)以及用户佩戴足够舒适，在综合考虑到结构强度、工艺实现难度以及壳体111的整体厚度的情况下，出声孔112的中心O沿Z方向距磁路组件1125的底面(即容纳件11253沿Z方向远离出声孔112的侧面)的距离l1的范围为5.65mm～8.35mm。在一些实施例中，出声孔112的中心沿Z方向距磁路组件1125的底面的距离l1的范围为6.00mm～8.00mm。在一些实施例中，出声孔112的中心沿Z方向距磁路组件1125的底面的距离l1的范围为6.35mm～7.65mm。在一些实施例中，出声孔112的中心沿Z方向距磁路组件1125的底面的距离l1的范围为6.70mm～7.30mm。在一些实施例中，出声孔112的中心沿Z方向距磁路组件1125的底面的距离l1的范围为6.95mm～7.05mm。
在一些实施例中，出声孔112的中心O距离磁路组件1125的长轴中心面(例如，如图13所示的垂直于纸面向里的面NN’)的距离的范围为1.45mm～2.15mm。在本说明书中，磁路组件1125的长轴中心面是指平行于发声部11的下侧面LS且通过磁路组件1125的几何中心的平面。也就是说，磁路组件1125的长轴中心面可以沿着方向X将磁路组件1125分为相同的两部分。出声孔112的中心O与磁路组件1125的长轴中心面的距离也即是出声孔112的中心O沿短轴方向Y到长轴中心面的距离。在一些实施例中，出声孔112的中心O距长轴中心面的距离的范围为1.55mm～2.05mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O距长轴中心面的距离的范围为1.65mm～1.95mm。在一些实施例中，出声孔112的中心O距长轴中心面的距离的范围为1.75mm～1.85mm。需要说明的是，出声孔112的中心O距离磁路组件1125的长轴中心面的距离可以指出声孔112的中心O距离磁路组件1125的长轴中心面的最短距离(即垂直距离)。
图20A是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性高频带宽示意图。如图20A所示，在发声部11的频率响应曲线中，在低频区域具有第一个拐点f0，f0大致在300Hz左右。f0跟振膜1121的折环区域11212的软硬程度以及振动重量(主要为主体区域11211的重量)有关。第二个拐点fh是在25kHz左右，fh可以根据频响曲线的整体趋势确定。在fh＝25kHz后，曲线虽有局部小峰，但整体呈下降趋势。选取f0与fh之间(即300Hz-25kHz之间)的频段的峰值并取平均值，形成第一参考线Lm，如图20A中上方的直线，以此参考直线下降10dB，形成第二条直线Ln(图20A中下方直线)，即为选定的带宽100Hz-45kHz。
在一些实施例中，振膜1121的高频分割振动的频率正比于E/ρ。其中，E为振膜1121的杨氏模量，ρ为振膜1121的等效密度。因此E/ρ可以决定高频的带宽。当E一定时，振膜1121的质量越小，振膜1121的等效密度ρ越小，E/ρ越大，高频带宽越宽。当ρ一定时，振膜1121的杨氏模量E越大，E/ρ越大，振膜1121的高频分割振动频率越大，高频带宽越宽。
在一些实施例中，发声部11的高频分割振动的区域指频响曲线到达最高峰之后，频响会急剧下降并交替出现峰值和谷值的区域。如图20A所示，频响曲线到达最高峰(即fh对应的声压级)后，频响急剧下降并交替出现峰值和谷值的fh右侧的区域即为高频分割振动区域。相应的曲线到达最高峰的频率即为出现高频分割振动的频率(如图20A所示的fh)。在一些实施例中，为了避免主体区域11211内不同部分的振动出现较大差异，导致高频效果不好，可以对主体区域11211(球顶11211c)高频分割振动的频率进行设计，使振膜1121具有较宽的高频带宽的同时，减少带宽区域内的高频分割振动的出现。在一些实施例中，球顶11211c的高频分割振动的频率可以不低于20kHz。例如，球顶11211c的高频分割振动的频率可以不低于25kHz。在一些实施例中，为了保证主体区域11211在有效频段内的输出较高，主体区域11211的质量需要较小，以降低有效频段内主体区域11211的振动难度。因此主体区域11211的材质可以选用密度较小、强度较高的材料及结构。因此，球顶11211c的杨氏模量可以不小于6GPa。在一些实施例中，球顶11211c的杨氏模量可以在6GPa-7GPa范围内。例如，球顶11211c的杨氏模量可以为6.5GPa。球顶11211c的杨氏模量可以通过静态法或动态法(例如脉冲激振法、声频共振法、声速法等)测量获得。
在一些实施例中，主体区域11211可以选用碳纤维材料制成。图20B是根据本说明书一些实施例所示的示例性碳纤维的编织结构示意图。碳纤维材料的密度小、强度高，有利于减弱换能器116的高阶模态。在一些实施例中，为了进一步增大主体区域11211的强度、降低主体区域11211的等效密度，主体区域11211可以由碳纤维交错编制形成，至少部分碳纤维呈第一角度交错。在一些实施例中，所述第一角度在45°-90°范围内。例如，多根独立的碳纤维的编织可以以45°、60°、90°等任意角度经纬交错编织等。如图20B所示，多根碳纤维112111和多根112112可以以接近90°的角度交错编织。在一些实施例中，由于碳纤维很细，多根碳纤维112111和多根112112可以以接近90°的角度铺设，并通过胶接连接。在一些实施例中，主体区域11211可以包括多层(例如2层、3层等)的碳纤维的交错编织的结构。为了便于碳纤维的交错编织，在一些实施例中，单根碳纤维的长度不低于5mm。在一些实施例中，单根碳纤维的长度可以在5mm-10mm范围内。例如，单根碳纤维的长度可以为7mm。由于单根碳纤维过细，一根一根地编织的难度较大，不易实现。在一些实施例中，可以将多根碳纤维铺设连接在一起(例如通过胶接实现连接等)，以形成多组碳纤维，多组碳纤维之间呈经纬交错编织。
在一些实施例中，为了减小主体区域11211的重量，可以对采用超顺排碳纤维结构的主体区域11211的厚度进行设计，以获取选定的高频带宽。在一些实施例中，主体区域11211的厚度可以小于80μm。在一些实施例中，主体区域11211的厚度可以在10μm-60μm范围内。在一些实施例中，主体区域11211的厚度可以为25μm。
图21是根据本说明书一些实施例所示的不同驱动电压下发声部的振幅示意图。如图21所示，在相同电压下，换能器116的振膜1121朝两个相反方向(如图16所示的厚度方向Z的正负方向，即图21中纵坐标轴的正负方向)振动的振幅不同，这是由于振膜1121的不对称性造成的。其中，在图21中，单位Vrms表示正弦交流信号的有效电压值，例如0.7Vrms表示输入的正弦交流信号的有效电压值为0.7V。如图21所示，在输入电压在0.4V-0.7V范围内，振膜1121向下(向纵坐标轴的负方向)振动的振幅(0.8mm左右)大于向上(向纵坐标轴的正方向)振动的振幅(0.6mm左右)。其中，振膜1121向上振动是指振膜1121朝向前腔114振动，振膜1121向下振动是指振膜1121朝向后腔115(朝向磁路组件1125)振动。如图21所示，随着输入电压的继续增加(例如从0.7V增加至1V)，振膜1121的振幅变化幅度逐渐变小，且最终趋近于阈值，其中振膜1121向下振动的振幅趋近于第一阈值(0.9mm左右)，向上振动的振幅趋近于第二阈值(0.8mm左右)。由于振膜1121向下振动的振幅大于向上振动的振幅，因此本说明书中出现的振膜1121的振幅均指代振膜1121的较大的向下振动的振幅。在一些实施例中，为了避免振膜1121在振动时线圈1122与磁路组件1125发生碰撞，可以设计限制振膜1121的最大振幅不超过0.8mm，即振膜1121的振幅可以在0mm-0.8mm范围内。在一些实施例中，振膜1121的振幅可以在0mm-0.75mm范围内。在一些实施例中，振膜1121的振幅可以在0mm-0.7mm范围内。
在一些实施例中，在0mm-0.8mm的振幅范围内，振膜1121朝两个相反方向振动(即向上振动与向下振动)的振幅的差值可以小于0.05mm，以减小换能器116的失真程度。在一些实施例中，为了进一步减小换能器116的失真程度，振膜1121朝两个相反方向振动(即向上振动与向下振动)的振幅的差值可以小于0.04mm。在一些实施例中，为了进一步减小换能器116的失真程度，振膜1121朝两个相反方向振动(即向上振动与向下振动)的振幅的差值可以小于0.03mm。
请参照图17B与图18，在一些实施例中，支架1123环绕磁路组件1125设置。如图18所示，沿振膜的振动方向上，支架1123可以包括第一部分112311、第二部分11232和第三部分11233。第一部分112311指沿振膜1121的振动方向上，从支架1123与振膜1121连接的区域的最高点D到支架1123与容纳件11253连接区域的最高点之间的部分。第二部分11232指支架1123上开设透气孔的区域，如图18所示，第二部分11232指沿振膜1121的振动方向上，从支架1123与容纳件11253连接区域的最高点到支架1123上透气孔的底部所在侧壁(即朝向容纳件11253的底部11253a)之间的部分。第三部分11233指支架1123上透气孔的底部所在侧壁与支架1123靠近磁路组件1125的底部(即靠近容纳件11253的底部11253a)之间的部分。如图19所示，折环区域11212上远离主体区域11211的一端设有第二连接段11212b，用于连接支架1123。所述第二连接段11212b平行于短轴方向Y设置，并垂直于振膜的振动方向。在一些实施例中，支架1123的第一部分112311与折环区域11212的第二连接段11212b连接。在一些实施例中，折环区域11212的第二连接段11212b通过固定环1155与支架1123的第一部分112311连接，以实现振膜1121与支架1123的固定。
图22是根据本说明书一些实施例所示的后腔的部分结构示例性结构图。请参照图16与图22，在一些实施例中，壳体111内可以设置有连接架117，连接架117与换能器116的支架1123之间可以围设形成第二声学腔体，第二声学腔体可以作为后腔115。后腔115与壳体111内的其他结构(例如主控电路板等)隔开，这样有利于改善发声部11的声学表现力。其中，壳体111设置有泄压孔(例如第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132)，连接架117上设置有连通泄压孔和后腔115的声学通道1151，以便于后腔115与外界环境连通，也即空气能够自由地进出后腔115，从而有利于降低换能器116的振膜1121在振动过程中的阻力。
在一些实施例中，后腔115的截面可以由两个垂直的边和一个曲边构成，连接曲边的两个端点，可以将该截面(例如，截面A1B1C1)近似看作一个三角形。其中，斜边A1C1由连接架117上形成的曲面与支架1123的两条直边接触形成的两个端点的连线构成。在一些实施例中，支架1123的第一部分112311沿振膜1121的振动方向上的厚度h41可以影响后腔115的体积。第一部分112311的厚度h41增加，在整个发声部11的体积不变的情况下，后腔115的体积减小；相应地，第一部分112311的厚度h41减小，后腔115的体积增大。在一些实施例中，支架1123的第一部分112311的厚度可以影响后腔115的体积，从而影响后腔115的谐振频率。在一些实施例中，后腔115可以指振膜后侧所构成的腔体，此时，支架1123的第一部分112311的厚度h41增加，在整个发声部11的体积不变的情况下，后腔115的体积增大；相应地，第一部分112311的厚度h41减小，后腔115的体积减小。
图23是根据本说明书一些实施例所示的不同第一部分112311的厚度对应的后腔的频率响应曲线图。由图23可得，随着支架1123的第一部分112311的厚度h41从0.3mm逐渐增加至3mm，后腔115的体积逐渐增大，后腔115的谐振峰逐渐向低频移动，使得频率响应曲线的平坦范围减少，影响发声部11的输出性能。
若是第一部分112311的厚度h41过小，振膜1121的振幅会受到支架1123的限制，若是第一部分112311的厚度h41过大，会使得发声部11的整体的尺寸过大，且会使后腔115的谐振峰向低频移动，使得后腔115的频率响应曲线的平坦区范围减少，影响发声部11的音质。第一部分112311的厚度指在振膜1121的振动方向上，支架1123和折环区域11212的连接区域与直接和磁路组件1125相贴合的区域之间的最小距离。
在一些实施例中，为了使发声部11具有较高的低频输出，且使后腔115的频率响应曲线具有较大范围的平坦区域，支架1123的第一部分112311的厚度h41可以在0.3mm-3mm范围内。在一些实施例中，为了进一步提升换能器116的低频输出，第一部分112311的厚度h41可以在0.5mm-2mm范围内。在一些实施例中，为了进一步增大后腔115的频率响应曲线的平坦区域，第一部分112311的厚度h41可以在0.8mm-1mm范围内。在一些实施例中，第一部分112311的厚度h41可以为0.9mm，此时后腔115的谐振峰在6.1kHz附近，发声部11具有较好的低频输出，且后腔115的频率响应曲线具有较宽的平坦区域。
在一些实施例中，换能器116的重量主要与支架1123以及磁路组件1125相关，其中磁路组件1125的重量占比较大。在一些实施例中，支架1123的重量增加，在支架1123的材质不变的情况下，说明支架1123的尺寸增大，可以对应振膜1121的面积增加。在一些实施例中，磁路组件1125的重量增加，会使得线圈1122附近的磁感应强度增大，对线圈产生的驱动力增大，从而使得振膜1121的振动幅度更大，使换能器116具有更高的灵敏度与更好的低频效果。但是若是换能器116的重量过大，会使发声部11的重量过大，影响开放式耳机10的佩戴稳定性与舒适性。
综合上述图7所示的发声部11的至少部分覆盖对耳轮区域以及图13所示的发声部11的整体或部分伸入耳甲腔的两种佩戴情况，耳部100能听到的音量增大(相当于发声效率更高)，因此可以通过减小振膜1121的尺寸或磁路组件1125的重量等减小换能器116的重量，使换能器116具有较高的灵敏度与低频输出的同时，开放式耳机10具有较高的佩戴稳定性与舒适性。在一些实施例中，换能器116的重量可以在1.1g-3.3g范围内。在一些实施例中，为了进一步提升换能器116的灵敏度与低频输出，换能器116的重量可以在1.5g-3g范围内。在一些实施例中，为了进一步提升开放式耳机10的佩戴稳定性与舒适性，换能器116的重量可以在2g-2.5g范围内。在一些实施例中，换能器116的重量可以为2.2g。
图24是根据本说明书一些实施例所示的发声部在不同驱动电压下的频率响应曲线图。将换能器116的振膜面正对测试传声器，距离为4mm，向换能器116施加0.1V-0.7V范围内的电压，测试频率范围设置为20Hz-20000Hz可以得到换能器116在不同驱动电压下的频率响应曲线(如图24所示)。结合图21和图24，当输入电压为0.1V-0.7V范围内以及频率为20Hz-6.1kHz范围内下，振膜1121的振幅在0mm-0.8mm范围内。此时，为了防止线圈1122的振动接触容纳件的底部11253a，线圈1122的底部与容纳件的底部11253a的距离h31(如图18所示)可以大于0.8mm。在一些实施例中，为了使发声部11的尺寸较小，提高用户佩戴时的舒适度，线圈1122的底部与容纳件的底部11253a的距离h31(如图18所示)可以不超过0.9mm。因此，在0.1V-0.7V的输入电压下，在20Hz-6.1k Hz范围内，所述线圈1122的底部到容纳件底部11253a的距离h31(如图18所示)可以在0.8mm-0.9mm范围内。
如图24所示，随着输入电压从100mV逐渐增大至700mV，发声部11的输出逐渐增加，灵敏度逐渐增大，但谐振峰频率基本不变，位于6.1kHz附近。综合上述图7所示的发声部11的至少部分覆盖对耳轮区域以及图13所示的发声部11的整体或部分伸入耳甲腔的两种佩戴情况，通过将线圈1122的底部到容纳件底部11253a的距离h31(如图18所示)控制在0.8mm-0.9mm范围内时，发声部11的具有较高的灵敏度。如图24所示，当输入电压为100mV-700mV时，在1kHz的频率下，发声部11的声压级(SPL)在85dB-103dB范围内。
在一些实施例中，由前文可知，支架1123的第一部分112311的厚度h41在0.3mm-3mm范围内。当第一部分112311的厚度h41增大至3mm时，对应的后腔115的谐振频率f2减小到3.3kHz，使得平坦区范围减少，影响音质。在一些实施例中，为了增加平坦区的范围，提高发声部11的音质，第一部分112311的厚度h41可以小于3mm，后腔115的谐振频率f2可以不小于3.3kHz。在一些实施例中，为了进一步提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于3.5kHz。在一些实施例中，为了进一步提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于4kHz。在一些实施例中，为了进一步提高发声部11的音质，后腔115的谐振频率f2可以不小于6kHz。
在一些实施例中，为了使得由泄压孔113形成的第二漏音可以与出声孔112在远场形成的第一漏音更好地相互抵消，后腔的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1接近或相等。在一些实施例中，后腔的谐振频率与前腔的谐振频率之差小于300Hz。在一些实施例中，后腔的谐振频率与前腔的谐振频率之差小于200Hz。在一些实施例中，后腔的谐振频率与前腔的谐振频率之差小于100Hz。在一些实施例中，后腔的谐振频率与前腔的谐振频率之差小于80Hz。在一些实施例中，后腔的谐振频率与前腔的谐振频率之差小于40Hz。在一些实施例中，后腔的谐振频率与前腔的谐振频率之差小于20Hz。
在一些实施例中，根据公式(2)，后腔115的体积可以影响后腔115的谐振频率f2。且后腔115的体积受支架1123的第一部分112311的厚度的h41的影响。通过第一部分112311的厚度的h41的取值范围以及后腔115的谐振频率f2的取值范围，可以确定后腔115的体积的取值范围。在一些实施例中，后腔115的体积可以为60mm3-110mm3。
图25是根据本说明书一些实施例所示的支架与第一泄压孔、第二泄压孔的示例性位置示意图。如图25所示，在一些实施例中，支架1123上开设有多个透气孔11231。透气孔11231的设置，使得振膜1121背面的声音可以通过多个透气孔11231传输到后腔115以及泄压孔并传播至外界，在振膜1121的两侧提供良好的辐射声音的通道。
在一些实施例中，为了更好地平衡气流，使后腔115内的气压平衡，多个透气孔11231可以非对称设计。例如，以支架1123的短轴为中心，多个透气孔11231可以非对称设置。具体地，支架1123上开设有第一透气孔11231a和第二透气孔11231b。如图25所示，第一透气孔11231a的中心与第二泄压孔1132的中心的距离La大于第二透气孔11231b的中心与第二泄压孔1132的中心的距离Lb。在一些实施例中，距离第二泄压孔1132更远的位置，后腔115的气压比较高，因此，为了平衡后腔115内的气压，第一透气孔11231a的面积大于第二透气孔11231b的面积。也就是说，为了平衡后腔115内的气压，距离第二泄压孔1132(或第一泄压孔1131)越近的透气孔的面积越小，距离第二泄压孔1132(或第一泄压孔1131)越远的透气孔的面积越大。其中，透气孔11231与泄压孔的距离是指透气孔11231的中心与对应泄压孔的中心之间的距离。本说明书中透气孔或泄压孔的中心指孔状结构的几何中心。
在后腔115中，在距离第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132较远的位置，气压比较高，因此透气孔11231的面积可以设置的较大；在距离第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132较近的位置，气压较低，因此透气孔11231的面积可以设置的较小。若多个透气孔11231的面积一样大，则后腔115内远离第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132的位置，气压较高，由于此处的透气孔11231的面积较小，不能很好平衡后腔115的气压，会使得此处振膜1121振动时受到的空气阻力较大。同理，在后腔115内靠近第一泄压孔1131和/或第二泄压孔1132的位置，振膜1121振动时受到的阻力较小。从而导致振膜1121受力不均匀，使得振膜1121振动不稳定。因此，通过调节透气孔11231的面积大小可以使得发声部11的低频的振动更平稳。
在一些实施例中，由于透气孔11231可以平衡后腔115内的气压，影响振膜1121振动时受到的空气阻力的均匀性，因此透气孔11231的总面积可以影响到发声部11的输出性能。且多个透气孔11231的总面积与振膜1121沿着振动方向的投影面积的比值，可以影响振膜1121振动时的空气阻力。若是多个透气孔11231的总面积与振膜1121沿着振动方向的投影面积的比值过小，会导致后腔115内的气压较大，振膜1121振动时受到的空气阻力较大，影响振膜1121的低频输出性能。当多个透气孔11231的总面积与振膜1121沿着振动方向的投影面积的比值达到一定阈值之后，再增大该比值，后腔115内的空气对于振膜1121的振动的影响变化减弱，同时会影响支架的结构强度。因此，在一些实施例中，为了使振膜1121振动时受到均匀的、较小的空气阻力，保证发声部11的良好输出性能，多个透气孔11231的总面积与振膜1121沿着振动方向的投影面积的比值可以在0.008-0.3范围内。在一些实施例中，为了进一步降低振膜1121振动时受到的空气阻力，多个透气孔11231的总面积与振膜1121沿着振动方向的投影面积的比值可以在0.1-0.25范围内。在一些实施例中，为了进一步降低振膜1121振动时受到的空气阻力，多个透气孔11231的总面积与振膜1121沿着振动方向的投影面积的比值可以在0.11-0.23范围内。
图26是根据本说明书一些实施例所示的不同透气孔总面积对应的后腔的频率响应曲线。其中，透气孔11231的不同总面积，可以通过使用橡皮泥堵塞透气孔11231的操作实现。将换能器116的振膜面正对测试传声器，距离为4mm，向换能器116施加0.4V的电压，测试频率范围设置为20Hz-20000Hz可以得到换能器116在不同透气孔面积下的频率响应曲线(如图26所示)。其中，0mm2是指透气孔11231被完全堵塞，即支架上不开孔的情况。如图26所示，随着透气孔11231的总面积从0mm2逐渐增大至4.54mm2，后腔115的频率响应曲线在低频(例如100Hz-1000Hz)区域逐渐上移，即后腔115的低频响应逐渐增大。当透气孔11231的总面积从4.54mm2逐渐增大至12.96mm2的过程中，后腔115的低频响应变化不明显。这是因为当透气孔11231的总面积增加到一定的面积(例如4.54mm2)后，在低频振动下，后腔115内的空气对于振膜1121的振动的影响逐渐减弱，因此即使再增加透气孔11231的总面积，对于后腔115的低频区域的频响曲线的影响也不大。
如图26所示，随着透气孔11231的总面积从0mm2逐渐增大至12.96mm2，后腔115的谐振峰逐渐向高频移动，低频区域(例如100Hz-1000Hz)的频响曲线逐渐趋于平坦。在一些实施例中，为了使后腔115具有良好的低频响应，透声孔11231的总面积可以在4.54mm2-12.96mm2范围内。在一些实施例中，为了使后腔115具有良好的低频响应，透声孔11231的总面积可以在5mm2-11mm2范围内。在一些实施例中，为了使后腔115具有良好的低频响应，透声孔11231的总面积可以在7mm2-10mm2范围内。在一些实施例中，为了使后腔115具有良好的低频响应，透声孔11231的总面积可以在8mm2-10mm2范围内。
在一些实施例中，为了维持振膜前后侧声压的均匀性，多个透气孔11231的总面积与出声孔112的截面积的比值可以在0.25-1.60。在一些实施例中，多个透气孔11231的总面积与出声孔112的截面积的比值在0.38-1.48。在一些实施例中，多个透气孔11231的总面积与出声孔112的截面积的比值在0.58-1.28。在一些实施例中，多个透气孔11231的总面积与出声孔112的截面积的比值在0.78-0.98。
在一些实施例中，为了提高结构强度，支架1123上可以开设有多个透气孔11231，多个透气孔11231之间的连接部分形成加强筋。在一些实施例中，在满足透气孔11231的总面积的情况下，为了简化开孔工艺，透气孔11231的数量也可以设置为只有一个。
在一些实施例中，磁路组件1125的容纳件11253的容纳件的底部11253a或者侧壁11253b上也可以开设有多个透气孔。振膜1121背面的声音可以通过多个透气孔传输到后腔115以及泄压孔，透气孔在振膜1121的两侧提供良好的辐射声音的通道。
在一些实施例中，振膜1121在振动方向的投影面积会影响到振膜1121振动时推动的空气量，从而影响振膜1121振动产生声音的效率，影响发声部11的声学输出效果。若是振膜1121在振动方向的投影面积过小，会导致振膜1121振动推动的空气量少，发声部11的声学输出效果差。若是振膜1121在振动方向的投影面积过大，会导致支架1123的尺寸过大，从而导致支架1123的重量增加，使得发声部11的重量较大，对发声部11的结构与重量造成影响，影响佩戴舒适性与稳定性。结合图7所示的发声部11的至少部分覆盖对耳轮区域以及图13所示的发声部11的整体或部分伸入耳甲腔的两种佩戴情况，耳部100能听到的音量增大(相当于发声效率更高)，因此振膜1121的尺寸可以不需要过大。在一些实施例中，出声孔112设置于发声部11的壳体111靠近用户耳部的侧壁，而出声孔112设置于振膜1121前侧且与前腔114连通，振膜1121的振动方向即为或近似等同于发声部11的厚度方向Z，振膜1121在振动方向的投影面积即为或近似等于振膜1121在矢状面的投影面积，振膜1121在振动方向的投影面积可以影响到发声部11在用户矢状面上的投影面积。而发声部11在用户矢状面上的投影的面积与耳甲腔在矢状面上的投影面积的重叠比例可以影响发声部11伸入耳甲腔形成的类腔体结构，从而影响发声部11的声学输出效果。进一步地，振膜1121的长轴尺寸与短轴尺寸可以影响发声部11在矢状面的投影的长轴尺寸与短轴尺寸。
在一些实施例中，综合上述图7所示的发声部11的至少部分覆盖对耳轮区域以及图13所示的发声部11的整体或部分伸入耳甲腔两种情况考虑，为了使发声部11能够具有良好的声学输出，且发声部11在矢状面上的投影具有适宜的面积或发声部11具有适宜的厚度，振膜1121在振动方向的投影面积可以为90mm2-560mm2。优选的，振膜1121在振动方向的投影面积可以为120mm2-300mm2。较为优选的，振膜1121在振动方向的投影面积可以为150mm2-200mm2。
在一些实施例中，振膜1121在振动方向的投影面积越大，前腔114的体积可能越大。根据公式(2)可知，前腔的谐振频率f1与出声孔112的截面积正相关，前腔的谐振频率f1与前腔的体积的负相关。因此，在一些实施例中，为了使发声部的整体的频率响应曲线具有较宽的平坦区域，前腔的谐振频率f1需要在较高的频率范围内(例如，大于3kHz)，出声孔112的截面积与振膜1121在振动方向的投影面积的比值可以在0.08-0.32之间。在一些实施例中，出声孔112的截面积与振膜1121在振动方向的投影面积的比值可以在0.15-0.25之间。在一些实施例中，出声孔112的截面积与振膜1121在振动方向的投影面积的比值可以在0.17-0.22之间。
综合上述图7所示的发声部11的至少部分覆盖对耳轮区域以及图13所示的发声部11的整体或部分伸入耳甲腔两种情况考虑，为了在有限的发声部11的尺寸内，使振膜1121具有尽可能大的面积，从而增强发声部11的声学输出性能，在一些实施例中，当振膜1121的振动方向与发声部11的厚度方向Z平行时，振膜1121在振膜振动方向上的投影面积(即振膜1121在矢状面上的投影面积)与壳体111在振膜振动方向上的投影面积(即壳体111在矢状面上的投影面积)的比值可以不小于0.5。在一些实施例中，为了在有限的发声部11的尺寸内，使振膜1121具有尽可能大的面积，从而增强发声部11的声学输出性能，振膜1121在振膜振动方向上的投影面积与壳体111在振膜振动方向上的投影面积的比值可以不小于0.8。在一些实施例中，使振膜1121具有尽可能大的面积，从而增强发声部11的声学输出性能，振膜1121在振膜振动方向上的投影面积与壳体111在振膜振动方向上的投影面积的比值可以在0.8-0.95范围内。
在一些实施例中，结合上述图7所示的发声部11的至少部分覆盖对耳轮区域的佩戴方式，振膜1121的长轴尺寸可以在13mm-25mm范围内，振膜的短轴尺寸可以在4mm-13mm范围内。结合图13所示的发声部11的整体或部分伸入耳甲腔的佩戴方式，为了便于发声部11的整体或部分伸入耳甲腔形成有效的类腔体，振膜1121的短轴尺寸可以在4mm-13mm范围内。在上述短轴的尺寸基础上，基于振膜1121的投影面积(例如，振膜1121在振动方向的投影面积在52mm2-325mm2范围内)进一步确定振膜1121的长轴尺寸为13mm-25mm范围内。例如，振膜1121的长轴尺寸可以在15mm-20mm范围内，振膜的短轴尺寸可以在5mm-10mm范围内。再例如，振膜1121的长轴尺寸可以在17mm-18mm范围内，振膜的短轴尺寸可以在7mm-8mm范围内。
图27A是根据本说明书一些实施例所示的长宽比一定时不同截面积的出声孔对应的开放式耳机的频响曲线图。图27A示出了当其他结构(例如，泄压孔113、后腔体积等)固定且当出声孔长宽比一定时，出声孔截面积从0.44mm2至100.43mm2范围内的开放式耳机10对应的频响曲线。从图27A可以看出，在上述条件下，随着出声孔112的截面积S逐渐增大，开放式耳机10的频响曲线中前腔所对应的谐振频率f1(即虚线圈G中的谐振峰对应的频率)逐渐向高频移动，而后腔所对应的谐振频率一直保持在4.5kHz左右。具体地，随着出声孔112的截面积S的增大，前腔的谐振峰逐步向高频移动，当移动至4.5kHz左右时，前腔和后腔的谐振频率可以基本相等，在这过程中，谐振峰的峰值基本保持不变。当前腔的谐振峰移动至4.5kHz后，若继续增大出声孔112的截面积S，则前腔的谐振峰的峰值呈现出明显的逐渐降低的趋势。因此，在一些实施例中，为了使开放式耳机10的频响曲线具有较宽的平坦区域，可以使出声孔112的截面积S大于2.87mm2。优选地，为了使开放式耳机10的频响曲线在100Hz～2.3kHz范围较为平坦，可以使出声孔112的截面积S大于4.0mm2。优选地，为了使开放式耳机10的频响曲线在100Hz～3.3kHz范围较为平坦，可以使出声孔112的截面积S大于7.0mm2。
进一步地，在一定出声孔112的截面积S范围内，随着出声孔112的截面积S的增大，前腔的谐振峰在向高频移动的同时其峰值逐步降低。因此，在一些实施例中，为了提升开放式耳机10的音质，同时便于EQ的调整，开放式耳机10的频响在高频范围(例如，4.5kHz～9kHz)需要足够充足，可以使出声孔112的截面积S小于54mm2。优选地，为了使开放式耳机10的频响曲线在4.5kHz～8kHz范围内足够充足，可以使出声孔112的截面积S小于36.15mm2。更优选地，为了使开放式耳机10的频响曲线在4.5kHz～6.5kHz范围内足够充足，可以使出声孔112的截面积S小于21.87mm2。在本说明书中，为便于描述，出声孔112的截面积S可以指出声孔112的外开口的面积(即出声孔112在内侧面上的开口面积)。需要知道的是，在其他一些实施例中，出声孔112的截面积S也可以指出声孔112的内开口的面积，或者出声孔113的内开口面积和外开口面积的平均值。
图27B是根据本说明书一些实施例所示的不同截面积的出声孔对应的前腔的频率响应曲线图。如图27B所示，当出声孔112的截面积S从2.875mm2增大至46.10mm2时，出声孔112的声质量Ma从800kg/m4减小到50kg/m4，前腔的谐振频率f1从4kHz左右逐渐升高至8kHz左右。需要注意的是，图27B中所示的200kg/m4和800kg/m4等参数仅代表出声孔112的理论声质量，与出声孔112的实际声质量可能会存在误差。
为了提升开放式耳机10的声学输出效果，在提高前腔的谐振频率f1的同时，保证出声孔112的声质量Ma足够大，出声孔112的截面积S需要具有合适的取值范围内。此外，在实际的设计中，出声孔112的截面积过大，会对开放式耳机10的外观、结构强度、防水防尘等其他方面产生一定的影响。在一些实施例中，出声孔112的截面积S的取值范围可以为2.87mm2-46.10mm2。在一些实施例中，出声孔112的截面积S的取值范围可以为2.875mm2-46mm2。在一些实施例中，出声孔112的截面积S的取值范围可以为10mm2-30 mm2。在一些实施例中，出声孔112的截面积S的取值可以为25.29mm2。在一些实施例中，出声孔112的截面积S的取值范围可以为25mm2-26 mm2。
在一些实施例中，为了增加开放式耳机10的佩戴稳定性，需要满足发声部11的内侧面IS的面积与人体耳甲腔尺寸适配，此外，当发声部11以插入耳甲腔的方式进行佩戴时，由于内侧面IS与耳甲腔侧壁构成了腔体结构，相比于常规佩戴方式(例如，将发声部11置于耳屏前侧)，发声部11的发声效率高，此时出声部整体的尺寸可以设计得较小，因此，出声孔112与内侧面IS的面积比可以设计得较大。同时，出声孔面积也不宜过大，否则会影响出声孔处防水防尘结构和支撑结构的稳定性，内侧面IS的面积也不宜过小，否则会影响换能器推动空气的面积。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与内侧面IS的面积之比可以在0.015～0.25之间。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与内侧面IS的面积之比可以在0.02～0.2之间。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与内侧面IS的面积之比可以在0.06～0.16之间。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与内侧面IS的面积之比可以在0.1～0.12之间。
在一些实施例中，考虑到内侧面IS可能需要与耳部(例如，耳甲腔)接触，为了提高佩戴的舒适度，内侧面IS可能被设计为非平面结构，例如，内侧面IS的边缘区域相对于中心区域具有一定弯曲的弧度，或者内侧面IS上靠近自由端FE的区域设置有凸起结构以更好抵接耳部区域等。在这种情况下，为了更好地反映出声孔112的截面积对开放式耳机10的佩戴稳定性和发声效率的影响，可以将出声孔112的截面积S与内侧面IS的面积之比替换为出声孔112的截面积S与内侧面IS在振膜振动方向(即，图16中的Z方向)的投影面积之比。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与内侧面IS在振膜振动方向的投影面积之比可以在0.016～0.255之间。优选地，出声孔112的截面积S与内侧面IS在振膜振动方向的投影面积之比可以在0.022～0.21之间。
在一些实施例中，换能器的振膜在其振动方向上的投影面积可以等于或略小于内侧面IS在振膜振动方向的投影面积。在这种情况下，出声孔112的截面积S与振膜在其振动方向的投影面积之比可以在0.016～0.261之间。优选地，出声孔112的截面积S与内侧面IS在振膜振动方向的投影面积之比可以在0.023～0.23之间。
在一些实施例中，出声孔112的形状也会对出声孔112的声阻造成影响。出声孔112越狭长，出声孔112的声阻也较大，不利于前腔114的声学输出。因此，为了保证出声孔112具有合适的声阻，出声孔112的长轴尺寸与短轴尺寸之比(也称为出声孔112的长宽比)需要在预设的适当取值范围内。
在一些实施例中，出声孔112的形状可以包括但不限于圆形、椭圆形、跑道形等。为便于描述，以下将以出声孔112设置成跑道形为例进行示例性的说明。在一些实施例中，如图14所示，出声孔112可以采用跑道形，其中，跑道形的两端可以为劣弧形或半圆形。此时出声孔112的长轴尺寸可以是指出声孔112在X方向上的最大尺寸(如图14所示的长轴尺寸d)，出声孔112的短轴尺寸可以是指出声孔112在Y方向上的最大尺寸(如图14所示的短轴尺寸h)。
图28A是根据本说明书一些实施例所示的不同长宽比的出声孔对应的开放式耳机的频响曲线图。图28A示出当其他结构(例如，泄压孔113、后腔体积等)固定且出声孔面积一定时长宽比分别为1、3、5、8、10的出声孔所对应的开放式耳机的频响曲线。
从图28A可以看出，当出声孔112截面积一定时，随着出声孔112长宽比增大，前腔114的谐振峰的谐振频率f1逐渐向高频移动，谐振峰强度逐渐降低。因此，当出声孔112的截面积一定时，为了保证前腔的谐振峰的强度足够强，出声孔112的长轴尺寸与出声孔112的短轴尺寸的比值范围可以在1～10之间。在一些实施例中，出声孔112的长轴尺寸与出声孔112的短轴尺寸的比值范围可以在2～8之间。出声孔112的长轴尺寸与出声孔112的短轴尺寸的比值范围可以在2～4之间。在一些实施例中，出声孔112的长轴尺寸可以为7.67mm，出声孔112的短轴尺寸可以为3.62mm。
图28B是根据本说明书一些实施例所示的不同深度的出声孔对应的前腔的频率响应曲线图。如图28B所示，出声孔112的深度L从0.3mm增加至3mm时，出声孔112的声质量Ma从100kg/m4增加到1000kg/m4，前腔的谐振频率f1从7kHz左右降低至3.7kHz左右。
为了保证前腔具有足够大的谐振频率，根据公式(2)，出声孔112的深度L的取值越小越好。但是由于出声孔112设置于壳体111上，因此出声孔112的深度即为壳体111侧壁的厚度。壳体111的厚度过小时，可能会对开放式耳机10的结构强度造成影响，且相应的加工工艺难度较高。在一些实施例中，出声孔112的深度L的取值范围可以为0.3mm-3mm。在一些实施例中，出声孔112的深度L的取值范围可以为0.3mm-2mm。在一些实施例中，出声孔112的深度L的取值可以为0.3mm。在一些实施例中，出声孔112的深度L的取值也可以为0.6mm。
在一些实施例中，根据公式(2)，在前腔体积不容易改变的情况下，出声孔112的截面积S与深度L的平方之比S/L2越大，前腔的谐振频率越高，出声孔发出的声音在中低频范围内的效果越好。但由于出声孔112的截面积S不宜过大，深度L(壳体111的厚度)也不宜过小。因此，在一些实施例中，出声孔112的截面积S与深度L的平方之比S/L2的取值范围可以为0.31-512.2。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与深度L的平方之比S/L2的取值范围可以为1-400。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与深度L的平方之比S/L2的取值范围可以为3-300。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与深度L的平方之比S/L2的取值范围可以为5-200。在一些实施例中，出声孔112的截面积S与深度L的平方之比S/L2的取值范围可以为10-50。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
本申请记载的具体实施方式仅为示例性的，具体实施方式中的一个或者多个技术特征是可选的或者附加的，并非构成本申请发明构思的必要技术特征。换言之，本申请的保护范围涵盖并远大于具体实施方式。

Claims (20)

1.一种发声部，包括：
振膜；
磁路组件；
线圈，所述线圈与所述振膜连接并至少部分位于所述磁路组件形成的磁间隙中，所述线圈通电后带动所述振膜振动以产生声音；以及
壳体，所述壳体的内侧面上开设有出声孔，用于将所述振膜前侧产生的声音导出所述壳体，其中，
所述振膜包括主体区域和环绕主体区域的折环区域，所述折环区域包括弧形段和与所述主体区域连接的连接段，所述出声孔的中心沿振膜振动方向在所述振膜上的投影位于所述弧形段内侧。
2.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离范围为4.05mm～6.05mm。
3.根据权利要求1或2所述的发声部，其中，所述弧形段的跨度与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.1-0.3之间，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.5之间。
4.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述出声孔的中心距所述壳体的下侧面的距离与所述弧形段的跨度之间的存在第一差值，所述第一差值在2.75mm-4.15mm之间。
5.根据权利要求4所述的发声部，其中，所述第一差值与所述振膜的短轴尺寸的比值在0.3-0.7之间。
6.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述弧形段的跨度在1.2mm-1.7mm范围内，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离范围为8.15mm～12.25mm。
7.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述弧形段的跨度与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.065-0.1之间，和/或所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.45-0.65之间。
8.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述出声孔的中心距所述壳体的后侧面的距离与所述弧形段的跨度之间存在第二差值，所述第二差值在6.8mm-10.3mm之间。
9.根据权利要求8所述的发声部，其中，所述第二差值与所述振膜的长轴尺寸的比值在0.40-0.55之间。
10.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述振膜的长轴尺寸在13mm-25mm范围内，和/或所述振膜的短轴尺寸在4mm-13mm范围内。
11.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述弧形段的高度与所述弧形段的跨度的比值在0.35-0.4范围内。
12.根据权利要求1所述的发声部，其中，在振膜振动方向上，所述出声孔的截面积与所述振膜的投影面积的比值在0.08-0.32之间内。
13.根据权利要求1所述的发声部，其中，在振膜振动方向上，所述振膜的投影面积在90mm2-560mm2范围内，和/或所述出声孔的截面积在2.87mm2-46.10mm2范围内。
14.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述出声孔的截面积与所述出声孔的深度的平方之比在0.31-512.2范围内。
15.根据权利要求1所述的发声部，其中，所述出声孔和所述振膜前侧之间构成前腔，所述壳体的其他侧面上还设有泄压孔，所述泄压孔和所述振膜背面之间构成后腔，所述前腔的谐振频率不小于3kHz，和/或所述后腔的谐振频率不小于3.3kHz。
16.根据权利要求15所述的发声部，其中，所述后腔的谐振频率与所述前腔的谐振频率之差小于300Hz。
17.根据权利要求15或16所述的发声部，还包括：
环绕所述磁路组件设置的支架，所述支架与所述折环区域上远离所述主体区域的部位连接，其中，
所述支架上开设有多个透气孔，所述振膜背面的声音通过所述多个透气孔传输到所述泄压孔，所述多个透气孔的总面积与所述出声孔的截面积的比值在0.25-1.60之间。
18.根据权利要求17所述的发声部，其中，所述多个透气孔的总面积在4.54mm2-12.96mm2范围内。
19.根据权利要求17所述的发声部，其中，所述多个透气孔至少包括第一透气孔和第二透气孔，所述第一透气孔的中心距所述泄压孔的中心的距离大于所述第二透气孔的中心距所述泄压孔的中心的距离，且所述第一透气孔的面积大于所述第二透气孔的面积。
20.根据权利要求1所述的发声部，其中，在振膜的振动方向上，所述线圈的底部与所述磁路组件的底面之间的距离在0.2mm-4mm范围内，和/或所述出声孔的中心距所述磁路组件的底面的距离范围为5.65mm～8.35mm。
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