CN117912528A - 一种nand电压读取方法、装置、设备及介质 - Google Patents

一种nand电压读取方法、装置、设备及介质 Download PDF

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CN117912528A CN202410097358.4A CN202410097358A CN117912528A CN 117912528 A CN117912528 A CN 117912528A CN 202410097358 A CN202410097358 A CN 202410097358A CN 117912528 A CN117912528 A CN 117912528A
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张睦
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Abstract

本发明实施例公开了一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质。所述方法包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断目标拟合点是否有效，并从有效的目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到第二电压值处在预设电压范围内时读取第二电压值作为NAND电压，其中，在执行根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据第一电压或第二电压进行读重试。通过实施本发明实施例的方法可解决对所述NAND的电压读取不准确的问题。

Description

一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质
技术领域
本发明涉及闪存存储的技术领域，尤其涉及一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质。
背景技术
随着科技的发展，NAND flash(快闪记忆体)逐渐成为了当前的主流非易失存储介质，因此，其广泛应用于消费级电子产品以及企业级数据中心。但是随着内部介质的磨损，导致对介质内部数据的读取会产生偏差，而现有技术中通常使用离线表或者单次拟合等方法读取NAND flash的电压，但因读取电压时未与实际情况结合或者因固定偏移读的限制，导致对所述NAND的电压读取不够准确。
发明内容
本发明实施例提供了一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质，旨在解决对所述NAND的电压读取不准确的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种NAND电压读取方法，其包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。
第二方面，本发明实施例还提供了一种NAND电压读取装置，其包括：读重试单元，用于根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；处理单元，用于将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；拟合单元，用于将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；确定单元，用于根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；目标单元，用于重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。
第三方面，本发明实施例还提供了一种计算机设备，其包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。
第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时可实现上述方法。
本发明实施例提供了一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质。其中，所述方法包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。本发明实施例对NAND进行读重试，获取偏移读数据并使用偏移读数据得到拟合所需目标数据点以确定第一电压值以动态读取新数据点，并根据第一电压值再次进行拟合确定NAND电压值解决了固定偏移读对拟合效果所带来的限制，以获取有效且精准的NAND电压。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的子流程示意图；
图3为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的子流程示意图；
图4为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的子流程示意图；
图5为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的子流程示意图；
图6为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的子流程示意图；
图7为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的函数拟合示意图；
图8为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的子流程示意图；
图9为本发明实施例提供的NAND电压读取装置的示意性框图；
图10为本发明实施例提供的计算机设备的示意性框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的NAND电压读取方法的流程示意图。本实施例中的NAND电压读取方法可以应用于对固态硬盘的主流非易失存储介质的电压读取中，通过采用本方法可将NAND进行偏移读，并根据读取的数据将那些计算以及线性拟合可以获取最优电压值。
图1是本发明实施例提供的NAND电压读取方法的流程示意图。如图所示，该方法包括以下步骤S110-S150。
S110、根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据。
在本实施例中，所述读重试(readretry)是维护NAND Flash存储设备可靠性的重要手段，通过重新配置读电压读Nand Flash获取偏移读数据。根据不同电压进行预设次数的读重试，具体地，可设置预设次数读取阈值，进行读重试并记录次数，当所述读重试的此时达到所述预设次数读取阈值时，则停止进行读重试，并获取该过程中多产生的偏移读数据。通过获取所述偏移读数据可以根据所述偏移读数据确定最优的电压值。
S120、将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据。
在本实施例中，所述配对处理为将所述偏移读数据与读电压的配对值进行配对的处理，具体地，根据不同的读电压的配对值与所述偏移读数据进行匹配，例如，所述配对值为0和1，偏移读数据为12，则所述待拟合数据为01、02、11以及12。通过将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据，为后续的数据拟合提供了数据支持，便于读取最优电压。
在一实施例中，如图2所示，所述步骤S120包括步骤S121-S122。
S121、将所述偏移读数据进行按位累加处理获取累加数据；
S122、根据所述累加数据与读电压的配对值进行配对确定所述待拟合数据。
在本实施例中，所述按位累加是将数据根据位数进行累加的计算，因结构存储使用nbit(比特)，则可以支持2n-1笔数据的累加，例如，1+1+0＝2＝10，1+1+1＝3＝11，其中，所述10与所述11分别为2和3的二进制数据。例如，有一下三组数据：X0:111100000、X1:11001100、X2:10101010，将X0 X1 X2进行按位累加可获取：32212110的累加结果，将获取的累加结果转换为使用二进制的字节为：1110100110010100，则所述累加数据即为1110100110010100。所述读电压(readlevel)是由介质厂商定义的，例如一个TLC(Trinary-Level Cell，技术颗粒)的cell(存放数据最小单位)有3bit(比特)，对应的读电压个数则为23-1。所述配对值为区分读电压的数据，例如某厂家的TLC，一个WL(WordLine，字线，由介质厂商定义)的3个Page由7个读电压区分，读取一个page需要2个或者3个读电压，此时为了区分读电压(readlevel)，会读取配对值来指示是哪一个读电压。根据所述累加数据与读电压的配对值进行配对确定所述待拟合数据，例如，进行了4次读重试得到了0、1、2、3、4的五个累加数据，配对值为0和1，则一共可得到了10个待拟合数据，分别为00011011202130314041。通过将所述偏移读数据进行累加与配对处理确定待拟合数据，为后续的数据拟合提供了数据支持，便于读取最优电压。
S130、将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点。
在本实施例中，所述拟合数据点是指已知的数据点，用于构造样条曲线以逼近数据点。将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，具体地，可根据所述待拟合数据的统计值以及电压计算等方法确实所述拟合数据点，例如，可根据待拟合数据的统计值确定拟合数据点的纵坐标。确定所述拟合数据点后则可以根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点，具体地，可使用线性函数与二次函数进行拟合获取目标数据点，其中所述目标拟合点为确定所述电压值的数据点。通过获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点，便于根据所述目标拟合点确定所述NAND的电压值。
在一实施例中，如图3所示，所述步骤S130包括步骤S131-S132。
S131、根据所述待拟合数据的统计值确定所述拟合数据点的纵坐标；
S132、将所述待拟合数据进行偏移计算确定所述拟合数据点的横坐标。
在本实施例中，所述统计值为所述待拟合数据的统计值，所述偏移为电压偏移，是指网络的实际电压与额定电压的数值之差。根据所述待拟合数据的统计值确定所述拟合数据点的纵坐标，以及将所述待拟合数据进行偏移计算确定所述拟合数据点的横坐标，具体地，TLC Low Page有两个读电压，对其进行五次读，获取的读重试的电压偏移分别为-4-2024，通过偏移计算出来的横坐标值就是-3-113；累加后得到的待拟合数据为012345，配对值为01，需要分别统计配对值为0和1的点，并获取待拟合数据的数量，而后去掉最边缘两组的待拟合数据，此处去掉0和5，假设配对值为0的待拟合数据1、2、3、4的统计值p1 p2 p3 p4为配对值为0的待拟合数据计算出来的纵坐标。通过确定所述的纵坐标与横坐标可进行后续的函数拟合，以进行电压值的获取。
在一实施例中，如图4所示，所述步骤S130包括步骤S133-S134。
S133、根据线性函数与二次函数分别对所述拟合数据点进行拟合，获取拟合参数；
S134、根据所述拟合参数确定所述线性函数的所述函数零点以及所述二次函数的所述函数极值点。
在本实施例中，所述目标拟合点包括线性函数的函数零点以及二次函数的函数极值点。线性函数是指那些线性的函数，可表示为：y＝dx+e，所述二次函数是一种多项式函数，其未知数的最高次数为二次，函数图像是一条对称轴与y轴平行或重合于y轴的抛物线，可表示为：y＝ax2+bx+c，根据线性函数与二次函数分别对所述拟合数据点进行拟合，例如，可使用最小二乘法进行拟合，以得到拟合参数a,b,c,d,e的值，并根据所述拟合参数确定所述线性函数的所述函数零点以及所述二次函数的所述函数极值点，具体为：
其中，X0为线性函数的所述函数零点，X1为二次函数的函数极值点，a,b,d,e为所述拟合参数，所述函数零点为线性函数的为x轴与函数图像的交点的横坐标，其纵坐标为0。所述函数极值点为所述二次函数中最大值或者最小值的点。通过确定所述函数零点与所述函数极值点，可以获取所述电压的拟合值，便于根据所述拟合值确定准确的电压数据。
S140、根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值。
在本实施例中，所述根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，即根据预设条件判断所述数零点与所述函数极值点是否有效，例如，可设置预先有效电压，处于预设有效电压内的拟合点为有效的拟合点，并根据有效的所述目标拟合点中确定第一电压值，例如，所述函数极值点为有效拟合点，则所述第一电压值则为所述函数极值点中横坐标的值。若两者均有效则可从中选取一个作为第一电压值。通过确定所述第一电压值，以进行二次函数拟合，以获取更加准确的NAND电压值。
在一实施例中，如图5所示，所述步骤S140包括步骤S141-S142。
S141、判断所述拟合参数中的第一参数值是否大于预设参数值且所述函数极值点是否处于预设有效电压范围内，若均是则判定所述函数极值点有效；以及
S142、判断所述函数极值点是否处于所述预设有效电压范围内，若处于则判定所述函数零点有效。
在本实施例中，所述第一参数值为所述拟合参数中的参数值，具体地，所述第一参数值为二线函数值中决定所述函数走向的参数值，为参数a，判断所述第一参数值是否大于预设参数值，其中，所述预设参数值为0，即判断所述第一参数a是否大于0，若所述第一参数值是否大于预设参数值，则判断所述函数极值点是否处于预设有效电压范围内，其中，所述预设有效电压范围可根据实际需求进行设定，对此不进行限定，若均是则判定所述函数极值点有效，若仅大于所述预先参数值或者仅处于预设有效电压范围内则判定为失效。并判断所述函数极值点是否处于所述预设有效电压范围内，若处于则判定所述函数零点有效。通过判断所述函数零点与所述函数极值点是否有效，即可判断所求取的电压值是否有效，便于根据有效的电压值执行相应的操作。
在一实施例中，如图6所示，所述步骤S140包括步骤S143-S144。
S143、判断所述函数零点与所述函数极值点是否均有效，若仅一个有效，则根据有效拟合点的值确定所述第一电压值；
S144、若均有效则选择距离目标柱高最近且有效的拟合点确定所述第一电压值。
在本实施例中，所述第一电压值为进行函数拟合所确定的电压值，对所述函数零点与所述函数极值点进行有效性判断，判断是否均有效，若有一个有效则可直接根据有效的拟合点的值确定所述第一电压值，例如，所述函数极值点为有效拟合点，则所述第一电压值则为所述函数极值点中横坐标的值。若均有效则选择距离目标柱高最近且有效的拟合点确定所述第一电压值，其中，所述柱高是待拟合数据的统计值，统计的就是一个码字(4KB)中不同配对值的待拟合数据数量。如图7的函数拟合示意图所示，可以理解的是，弯曲的曲线为二次函数，直线为线性函数。其中距离最小柱高最近的点即为所述第一电压值。若所述函数零点与所述函数极值点均为无效数据则选择距离最小柱高最近且没有进行读重试的电压点作为所述第一电压值。通过确定所述第一电压值，以进行二次函数拟合，以获取更加准确的NAND电压值。
S150、重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。
在本实施例中，所述二次拟合是再次根据偏移读数据进行函数拟合的过程，所述预设电压范围是当前电压范围。重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，具体地，获取所述第一电压值后根据所述第一电压值进行预设次数的读重试，获取对应的偏移读数据以确定目标数据以及目标拟合点，判断所述目标拟合点是否处于预设电压范围内，若不处于则根据所述第二电压进行预设次数的读重试，再次获取电压值，若所述电压值仍不处于所述预设电压范围则根据所述电压值再次进行预设次数的读重试直至获取的电压值有效且处于所述预设电压范围内停止拟合，以获取所述NAND电压，其中，所述NAND电压值即为最优电压值。通过重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，为确保电压值的结果准确。
在一实施例中，如图8所示，所述步骤S150包括步骤S151-S152。
S151、判断所述第二电压值是否有效且处于所述预设电压范围，若处于则将所述第二电压值作为所述NAND电压；
S152、若不处于则将所述第二电压值作为第一电压值并在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压行读重试。
在本实施例中，所述第二电压值为根据所述目标拟合点所确定的电压值，其中，由上述内容可知，不管所述目标拟合点是否有效都会确定所述第一电压值，同理，所述第二电压值可能是根据所述无效的目标拟合点进行获取的，因此需要判断所述第二点压值是否有效，若无效则将所述第二电压值作为第一电压值并根据所述第一电压行读重试。若所述第二电压值为有效电压值则判断其是否处于预设电压范围内，若处于则可指将所述第二电压值作为所述NAND电压值，并且跳出拟合并结束获取所述NAND电压值的流程。若不处于则将所述第二电压值作为第一电压值并在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压行读重试至所述第二电压值有效且处于所述预设电压范围内，跳出拟合并结束流程。通过判断所述第二电压值是否有效且处于所述预设电压范围，以判断所述电压值是否为最优电压值，以得到最优电压值。
图9是本发明实施例提供的一种NAND电压读取装置200的示意性框图。如图9所示，对应于以上NAND电压读取，本发明还提供一种NAND电压读取装置。该NAND电压读取装置包括用于执行上述NAND电压读取方法的单元，该装置可以被配置于台式电脑、平板电脑、手提电脑、等终端中。具体地，请参阅图9，该NAND电压读取装置包括读重试单元210、处理单元220、拟合单元230、确定单元240以及重复单元250。
读重试单元210，用于根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据。
处理单元220，用于将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据。
在一实施例中，所述处理单元220包括累加单元与配对单元。
累加单元，用于将所述偏移读数据进行按位累加处理获取累加数据；
配对单元，用于根据所述累加数据与读电压的配对值进行配对确定所述待拟合数据。
拟合单元230，用于将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点。
在一实施例中，所述拟合单元230包括第一确定单元与第二确定单元。
第一确定单元，用于根据所述待拟合数据的统计值确定所述拟合数据点的纵坐标；
第二确定单元，用于将所述待拟合数据进行偏移计算确定所述拟合数据点的横坐标。
在一实施例中，所述拟合单元230包括拟合子单元与第三确定单元。
拟合子单元，用于根据线性函数与二次函数分别对所述拟合数据点进行拟合，获取拟合参数；
第三确定单元，用于根据所述拟合参数确定所述线性函数的所述函数零点以及所述二次函数的所述函数极值点。
确定单元240，用于根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值。
在一实施例中，所述确定单元240包括第一判断单元与第二判断单元。
第一判断单元，用于判断所述拟合参数中的第一参数值是否大于预设参数值且所述函数极值点是否处于预设有效电压范围内，若均是则判定所述函数极值点有效；以及
第二判断单元，用于判断所述函数极值点是否处于所述预设有效电压范围内，若处于则判定所述函数零点有效。
在一实施例中，所述确定单元240包括有效单元与选择单元。
有效单元，用于判断所述函数零点与所述函数极值点是否均有效，若仅一个有效，则根据有效拟合点的值确定所述第一电压值；
选择单元，用于若均有效则选择距离目标柱高最近且有效的拟合点确定所述第一电压值。
重复单元250，用于重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。
在一实施例中，所述重复单元250包括作为单元与重读单元。
作为单元，用于判断所述第二电压值是否有效且处于所述预设电压范围，若处于则将所述第二电压值作为所述NAND电压；
重读单元，用于若不处于则将所述第二电压值作为第一电压值并在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压行读重试。
需要说明的是，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，上述NAND电压读取装置200和各单元的具体实现过程，可以参考前述方法实施例中的相应描述，为了描述的方便和简洁，在此不再赘述。
上述NAND电压读取装置可以实现为一种计算机程序的形式，该计算机程序可以在如图10所示的计算机设备上运行。
请参阅图10，图10是本申请实施例提供的一种计算机设备的示意性框图。该计算机设备500可以是终端，也可以是服务器，其中，终端可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、个人数字助理和穿戴式设备等具有通信功能的电子设备。服务器可以是独立的服务器，也可以是多个服务器组成的服务器集群。
参阅图10，该计算机设备500包括通过系统总线501连接的处理器502、存储器和网络接口505，其中，存储器可以包括非易失性存储介质503和内存储器504。
该非易失性存储介质503可存储操作系统5031和计算机程序5032。该计算机程序5032包括程序指令，该程序指令被执行时，可使得处理器502执行一种NAND电压读取方法。
该处理器502用于提供计算和控制能力，以支撑整个计算机设备500的运行。
该内存储器504为非易失性存储介质503中的计算机程序5032的运行提供环境，该计算机程序5032被处理器502执行时，可使得处理器502执行一种NAND电压读取方法。
该网络接口505用于与其它设备进行网络通信。本领域技术人员可以理解，图10中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备500的限定，具体的计算机设备500可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
其中，所述处理器502用于运行存储在存储器中的计算机程序5032，以实现上述方法的步骤。
应当理解，在本申请实施例中，处理器502可以是中央处理单元(CentralProcessing Unit，CPU)，该处理器502还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable GateArray，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。其中，通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
本领域普通技术人员可以理解的是实现上述实施例的方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成。该计算机程序包括程序指令，计算机程序可存储于一存储介质中，该存储介质为计算机可读存储介质。该程序指令被该计算机系统中的至少一个处理器执行，以实现上述方法的实施例的流程步骤。
因此，本发明还提供一种存储介质。该存储介质可以为计算机可读存储介质。该存储介质存储有计算机程序，其中计算机程序包括程序指令。该程序指令被处理器执行时使处理器执行如上述方法的步骤。
所述存储介质可以是U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的计算机可读存储介质。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的。例如，各个单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
本发明实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。本发明实施例装置中的单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。
该集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，终端，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种NAND电压读取方法，其特征在于，包括：
根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；
将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；
将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；
根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；
重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据的步骤，包括：
将所述偏移读数据进行按位累加处理获取累加数据；
根据所述累加数据与读电压的配对值进行配对确定所述待拟合数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点的步骤，包括：
根据所述待拟合数据的统计值确定所述拟合数据点的纵坐标；
将所述待拟合数据进行偏移计算确定所述拟合数据点的横坐标。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标拟合点包括函数零点与函数极值点，所述根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点的步骤，包括：
根据线性函数与二次函数分别对所述拟合数据点进行拟合，获取拟合参数；
根据所述拟合参数确定所述线性函数的所述函数零点以及所述二次函数的所述函数极值点。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效的步骤，包括：
判断所述拟合参数中的第一参数值是否大于预设参数值且所述函数极值点是否处于预设有效电压范围内，若均是则判定所述函数极值点有效；以及
判断所述函数极值点是否处于所述预设有效电压范围内，若处于则判定所述函数零点有效。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值的步骤，包括：
判断所述函数零点与所述函数极值点是否均有效，若仅一个有效，则根据有效拟合点的值确定所述第一电压值；
若均有效则选择距离目标柱高最近且有效的拟合点确定所述第一电压值。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述读取所述第二电压值作为NAND电压的步骤，包括：
判断所述第二电压值是否有效且处于所述预设电压范围，若处于则将所述第二电压值作为所述NAND电压；
若不处于则将所述第二电压值作为第一电压值并在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压行读重试。
8.一种NAND电压读取装置，其特征在于，包括：
读重试单元，用于根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；
处理单元，用于将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；
拟合单元，用于将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；
确定单元，用于根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；
重复单元，用于重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为NAND电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。
9.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时可实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
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