CN117867463A - 镀膜设备及镀膜方法 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 206
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 64
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 36
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 38
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 10
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种镀膜设备及镀膜方法，属于镀膜设备及镀膜方法领域，镀膜设备包括设备本体和输送机构，设备本体内设置有相连通的进出料腔、第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔、第四镀膜腔和第五镀膜腔，第一镀膜腔内可以进行蒸镀镀膜，第二镀膜腔内可以进行RF溅射镀膜，第三镀膜腔内可以进行RPD镀膜，第四镀膜腔内可以进行脉冲直流溅射镀膜，第五镀膜腔内可以进行直流溅射镀膜，输送机构安装于设备本体内，输送机构用于输送基板在各腔室之间流转。将RPD、多源蒸镀、RF溅射、脉冲直流溅射和直流溅射等多种真空镀膜技术整合到一台设备上，实现真空状态下连续沉积，可减少设备的占地面积，可以节省成本。
Description
技术领域
本发明涉及光伏镀膜设备技术领域，特别涉及一种镀膜设备及镀膜方法。
背景技术
随着光伏产业的不断发展，钙钛矿太阳电池产业化上的设备方案渐渐趋于趋向真空镀膜设备。RPD、多源蒸镀、RF溅射、脉冲直流溅射和直流溅射等多种技术受到钙钛矿太阳电池客户的青睐，但设备功能的单一性，不能满足真空状态薄膜连续沉积的工艺需求。基于钙钛矿太阳电池的耐候性差，环境中的水汽和氧气会对钙钛矿层起到分解作用，破坏器件结构稳定性，降低钙钛矿太阳电池器件效率。而现有的钙钛矿太阳电池真空镀膜工艺设备常为单一设备负责其中一段工序，需要多台设备完成器件制备，并且工艺流程中需要经历多次破空，导致了设备投入成本和实验成本增加。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种镀膜设备及镀膜方法，解决了现有的钙钛矿太阳电池真空镀膜工艺设备常为单一设备负责其中一段工序，需要多台设备完成器件制备，并且工艺流程中需要经历多次破空，导致了设备投入成本和实验成本增加的问题。
根据本发明实施例的镀膜设备，包括：
设备本体，所述设备本体内设置有相连通的进出料腔、第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔、第四镀膜腔和第五镀膜腔，所述第一镀膜腔内可以进行蒸镀镀膜，所述第二镀膜腔内可以进行RF溅射镀膜，所述第三镀膜腔内可以进行RPD镀膜，所述第四镀膜腔内可以进行脉冲直流溅射镀膜，所述第五镀膜腔内可以进行直流溅射镀膜；
输送机构，安装于所述设备本体内，所述输送机构用于输送基板在各腔室之间流转。
根据本发明实施例的镀膜设备，至少具有如下有益效果：
进出料腔可以进出料，输送机构可以将基板输送至第一镀膜腔或第二镀膜腔或第三镀膜腔或第四镀膜腔或第五镀膜腔内进行镀膜。
将RPD、多源蒸镀、RF溅射、脉冲直流溅射和直流溅射等多种真空镀膜技术整合到一台设备上，实现真空状态下连续沉积。可显著减少钙钛矿电池设备的占地面积、降低资本支出和试验成本，同时可在保持真空状态完成多层膜沉积，有效提升钙钛矿电池的生产效率。
根据本发明的一些实施例，所述设备本体内还设置有用于缓存基板的第一缓冲腔、第二缓冲腔、第三缓冲腔、第四缓冲腔、第五缓冲腔、第六缓冲腔、第七缓冲腔、第八缓冲腔和第九缓冲腔，所述第二缓冲腔、所述第一镀膜腔、所述第一缓冲腔、所述进出料腔、所述第五缓冲腔、所述第三镀膜腔、所述第六缓冲腔、所述第七缓冲腔、所述第四镀膜腔、所述第八缓冲腔、所述第五镀膜腔和所述第九缓冲腔从左至右依次连通，所述进出料腔、所述第三缓冲腔、所述第二镀膜腔和所述第四缓冲腔从前至后依次连通。
根据本发明的一些实施例，所述设备本体上设置有连通所述进出料腔的进出料口，所述设备本体上设置有用于打开或关闭所述进出料口的第一门阀，所述设备本体内设置有第二门阀、第三门阀和第四门阀，所述第二门阀位于所述进出料腔和所述第一缓冲腔之间，所述第二门阀用于连通或隔开所述进出料腔和所述第一缓冲腔，所述第三门阀位于所述进出料腔和所述第三缓冲腔之间，所述第三门阀用于连通或隔开所述进出料腔和所述第三缓冲腔，所述第四门阀位于所述进出料腔和所述第五缓冲腔之间，所述第四门阀用于连通或隔开所述进出料腔和所述第五缓冲腔。
根据本发明的一些实施例，所述设备本体内还设置有第五门阀，所述第五门阀位于所述第六缓冲腔和第七缓冲腔之间，所述第五门阀用于连通或隔开所述第六缓冲腔和第七缓冲腔。
根据本发明的一些实施例，镀膜设备还包括用于抽真空的第一抽气设备、第二抽气设备、第三抽气设备和第四抽气设备，所述第一抽气设备连通所述进出料腔，所述第二抽气设备连通所述第一镀膜腔，所述第三抽气设备连通所述第三镀膜腔，所述第四抽气设备连通所述第四镀膜腔和第五镀膜腔。
根据本发明的一些实施例，所述第二抽气设备、所述第三抽气设备和所述第四抽气设备连接有冷阱，所述第四缓冲腔和所述第八缓冲腔内设置有用于预热基板的加热器。
根据本发明实施例的镀膜方法，包括以下步骤：
S1：基板输送至进出料腔；
S2：进出料腔、第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔、第四镀膜腔和第五镀膜腔抽真空；
S3：输送机构带动基板进入第一镀膜腔或第二镀膜腔或第三镀膜腔或第四镀膜腔或第五镀膜腔内进行镀膜；
S4：输送机构带动基板回到进出料腔；
S5：基板从进出料腔输出。
根据本发明实施例的镀膜设备，至少具有如下有益效果：
进出料腔可以进出料，输送机构可以将基板输送至第一镀膜腔或第二镀膜腔或第三镀膜腔或第四镀膜腔或第五镀膜腔内进行镀膜。
将RPD、多源蒸镀、RF溅射、脉冲直流溅射和直流溅射等多种真空镀膜技术整合到一台设备上，实现真空状态下连续沉积。可显著减少钙钛矿电池设备的占地面积、降低资本支出和试验成本，同时可在保持真空状态完成多层膜沉积，有效提升钙钛矿电池的生产效率。
根据本发明的一些实施例，所述步骤S3中，可以依据工艺需求在同一镀膜腔内往返多次镀膜或不同镀膜腔结合连续镀膜。
根据本发明的一些实施例，所述步骤S2中，抽真空时，第一抽气设备先工作，将气压从大气降到1Pa，第二抽气设备、第三抽气设备和第四抽气设备才开始工作，将真空度降到10-5Pa。
根据本发明的一些实施例，所述步骤S1中，第一门阀打开，基板沿进出料口进入进出料腔后，第一门阀关闭；
所述步骤S2中，抽真空时，第一门阀关闭，第二门阀、第三门阀、第四门阀和第五门阀打开，抽真空完成后，第二门阀、第三门阀、第四门阀和第五门阀关闭；
所述步骤S4中，第一门阀打开，基板沿进出料口从进出料腔输出后，第一门阀关闭。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明，其中：
图1为本发明实施例的镀膜设备的示意图；
图2为本发明实施例的镀膜设备的结构框图；
图3为为本发明实施例的镀膜方法的流程图。
附图标号：
100、设备本体；110、进出料腔；111、抽气管道；120、第一镀膜腔；121、第一缓冲腔；122、第二缓冲腔；123、第二抽气设备；130、第二镀膜腔；131、第三缓冲腔；132、第四缓冲腔；140、第三镀膜腔；141、第五缓冲腔；142、第六缓冲腔；143、第三抽气设备；150、第四镀膜腔；151、第七缓冲腔；152、第八缓冲腔；153、第四抽气设备；160、第五镀膜腔；161、第九缓冲腔；
200、上下料站。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1、图2和图3，根据本发明实施例的镀膜设备，包括设备本体100和输送机构。设备本体100内设置有相连通的进出料腔110、第一镀膜腔120、第二镀膜腔130、第三镀膜腔140、第四镀膜腔150和第五镀膜腔160。第一镀膜腔120内可以进行蒸镀镀膜，第二镀膜腔130内可以进行RF溅射镀膜，第三镀膜腔140内可以进行RPD镀膜，第四镀膜腔150内可以进行脉冲直流溅射镀膜，第五镀膜腔160内可以进行直流溅射镀膜。输送机构安装于设备本体100内，输送机构用于输送基板在各腔室之间流转。
第一镀膜腔120内设置有用于蒸镀镀膜的蒸镀模块，第二镀膜腔130内设置有用于RF溅射镀膜的RF溅射镀膜模块，第三镀膜腔140内设置有用于RPD镀膜的RPD镀膜模块，第四镀膜腔150内设置有用于脉冲直流溅射镀膜的脉冲直流溅射镀膜模块，第五镀膜腔160内设置有用于直流溅射镀膜的直流溅射镀膜模块。其中，蒸镀模块、RF溅射镀膜模块、RPD镀膜模块、脉冲直流溅射镀膜模块和直流溅射镀膜模块均为现有技术，本申请方案将各模块整合到一起。
进出料腔110可以进出料，输送机构可以将基板输送至第一镀膜腔120或第二镀膜腔130或第三镀膜腔140或第四镀膜腔150或第五镀膜腔160内进行镀膜。
将RPD、多源蒸镀、RF溅射、脉冲直流溅射和直流溅射等多种真空镀膜技术整合到一台设备上，实现真空状态下连续沉积。可应用于多种领域，为材料科学、电子工程和光电子学等领域的研究提供了全新可能，并且为钙钛矿太阳电池器件提供了量产工艺研发平台。
可显著减少钙钛矿电池设备的占地面积、降低资本支出和试验成本，同时可在保持真空状态完成多层膜沉积，有效提升钙钛矿电池的生产效率。
设备中的第三镀膜腔140内具有RPD模块，RPD模块具有离子轰击小、表面损伤少、沉积速度快、少子寿命长等优势，RPD模块制备的薄膜致密性更好、导电性更高、透光性更好，对于提升太阳能电池转换效率具有重要作用。同时，RPD模块还能够实现高镀膜速率和大尺寸薄膜的生产。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，输送机构包括驱动组件和多个输送轮，多个输送轮转动连接在设备本体100内(设备本体100内每个腔室中均设置有输送轮)，驱动组件与多个输送轮传动连接，驱动组件用于带动多个输送轮转动，输送轮转动带动基板移动。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3设备本体100内还设置有第一缓冲腔121、第二缓冲腔122、第三缓冲腔131、第四缓冲腔132、第五缓冲腔141、第六缓冲腔142、第七缓冲腔151、第八缓冲腔152和第九缓冲腔161，第一缓冲腔121、第二缓冲腔122、第三缓冲腔131、第四缓冲腔132、第五缓冲腔141、第六缓冲腔142、第七缓冲腔151、第八缓冲腔152和第九缓冲腔161用于缓存基板。
第二缓冲腔122、第一镀膜腔120、第一缓冲腔121、进出料腔110、第五缓冲腔141、第三镀膜腔140、第六缓冲腔142、第七缓冲腔151、第四镀膜腔150、第八缓冲腔152、第五镀膜腔160和第九缓冲腔161从左至右依次连通，进出料腔110、第三缓冲腔131、第二镀膜腔130和第四缓冲腔132从前至后依次连通。各镀膜腔两端均设置有缓冲腔，方便镀膜过程中缓存基板。
第一镀膜腔120设置于进出料腔110左方，第二镀膜腔130设置于进出料腔110后方，第三镀膜腔140设置于进出料腔110右方，第四镀膜腔150设于第三镀膜腔140右方，第五镀膜腔160设置于第四镀膜腔150右方。进出料腔110一拖三，结构紧凑。第一镀膜腔120、第二镀膜腔130、第三镀膜腔140分别与进出料腔110连通，可以避免串气干扰，保证单膜层的稳定性，以及能够调配工艺。
进出料腔110内设置有转向结构，转向结构与进出料腔110内的输送机构连接，当需要将基板沿前后方向从进出料口输入输出或输送至第二镀膜腔130时，转向结构保持初始状态；当需要将基板沿左右方向输送至第一镀膜腔120或第三镀膜腔140内时，转向机构带动进出料腔110内的输送机构旋转90°。只有两个方向的传动，传动简单，成本低，方便设备进行工艺多样化的尝试。
第一镀膜腔120内可以用来蒸镀LiF、C60、Ag或Cu等有机材料和无机材料。第二镀膜腔130内可以实现空穴传输层的NiOx镀膜。第三镀膜腔140内可以镀膜复合层SnOx，也可以镀膜透明电极(ITO、IWO、ICO、IZO等)。第四镀膜腔150可以用来溅射ITO或透明电极，第五镀膜腔160可以做Cu镀膜，用作金属电极。
设置第三镀膜腔140、第四镀膜腔150、第五镀膜腔160依次连通，方便工艺膜层SnO2、ITO、Cu在最短行程内完成镀膜。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，设备本体100上设置有连通进出料腔110的进出料口，设备本体100上设置有用于打开或关闭进出料口的第一门阀。设备本体100内设置有第二门阀、第三门阀和第四门阀，第二门阀位于进出料腔110和第一缓冲腔121之间，第二门阀用于连通或隔开进出料腔110和第一缓冲腔121。第三门阀位于进出料腔110和第三缓冲腔131之间，第三门阀用于连通或隔开进出料腔110和第三缓冲腔131。第四门阀位于进出料腔110和第五缓冲腔141之间，第四门阀用于连通或隔开进出料腔110和第五缓冲腔141。设置第一门阀方便基板进入进出料腔110后的抽真空操作。设置第二门阀、第三门阀和第四门阀，可以避免串气干扰，保证单膜层的稳定性，以及能够调配工艺。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，设备本体100内还设置有第五门阀，第五门阀位于第六缓冲腔142和第七缓冲腔151之间，第五门阀用于连通或隔开第六缓冲腔142和第七缓冲腔151。第五门阀可以避免串气干扰，保证单膜层的稳定性，以及能够调配工艺。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，镀膜设备还包括用于抽真空的第一抽气设备、第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153。第一抽气设备通过抽气管道111连通进出料腔110，第一抽气设备包括机械泵和罗茨泵。第二抽气设备123连通第一镀膜腔120，第三抽气设备143连通第三镀膜腔140，第四抽气设备153连通第四镀膜腔150和第五镀膜腔160。第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153为真空分子泵。抽真空时，第一抽气设备将设备本体100内的气压从大气压降到1Pa左右(机械泵和罗茨泵的泵力极限)，第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153再工作，将真空度降到10- 5Pa。
第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153还可以抽走镀膜腔内的反应气体，避免串气干扰，保证单膜层的稳定性，以及能够调配工艺。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153连接有冷阱，冷阱用于捕集气体冷凝。冷阱的使用可以提高真空泵的效率。第四缓冲腔132和第八缓冲腔152内设置有加热器，加热器可以预热基板。设备提供了多种选项，包括冷阱和加热器等，使用户能够根据其具体需求进行定制配置，有利于尝试不同的钙钛矿薄膜组合。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，镀膜设备还包括上下料站200，上下料站200设置于进出料腔110前方，上下料站200靠近进出料口设置，上下料站200用于上下料。
参阅图1、图2和图3，根据本发明实施例的镀膜方法，包括以下步骤：
S1：基板输送至进出料腔110。
S2：进出料腔110、第一镀膜腔120、第二镀膜腔130、第三镀膜腔140、第四镀膜腔150和第五镀膜腔160抽真空。
S3：输送机构带动基板进入第一镀膜腔120或第二镀膜腔130或第三镀膜腔140或第四镀膜腔150或第五镀膜腔160内进行镀膜。
S4：输送机构带动基板回到进出料腔110。
S5：基板从进出料腔110输出。
进出料腔110可以进出料，输送机构可以将基板输送至第一镀膜腔120或第二镀膜腔130或第三镀膜腔140或第四镀膜腔150或第五镀膜腔160内进行镀膜。
将RPD、多源蒸镀、RF溅射、脉冲直流溅射和直流溅射等多种真空镀膜技术整合到一台设备上，实现真空状态下连续沉积。可显著减少钙钛矿电池设备的占地面积、降低资本支出和试验成本，同时可在保持真空状态完成多层膜沉积，有效提升钙钛矿电池的生产效率。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，步骤S3中，可以依据工艺需求在同一镀膜腔内往返多次镀膜或不同镀膜腔结合连续镀膜，实现真空状态下连续沉积，在保持真空状态完成多层膜沉积，有效提升钙钛矿电池的生产效率。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，步骤S2中，抽真空时，第一抽气设备先工作，将气压从大气降到1Pa左右，第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153才开始工作，将真空度降到10-5Pa。抽真空时，第一抽气设备将设备本体100内的气压从大气压降到1Pa左右(机械泵和罗茨泵的泵力极限)，第二抽气设备123、第三抽气设备143和第四抽气设备153再工作，将真空度降到10-5Pa。
在一些实施例中，参阅图1、图2和图3，步骤S1中，第一门阀打开，基板沿进出料口进入进出料腔110后，第一门阀关闭。步骤S2中，抽真空时，第一门阀关闭，第二门阀、第三门阀、第四门阀和第五门阀打开，抽真空完成后，第二门阀、第三门阀、第四门阀和第五门阀关闭。步骤S4中，第一门阀打开，基板沿进出料口从进出料腔110输出后，第一门阀关闭。设置第一门阀方便基板进入进出料腔110后的抽真空操作。设置第二门阀、第三门阀和第四门阀，可以避免串气干扰，保证单膜层的稳定性，以及能够调配工艺。
本申请实施例的镀膜设备单向RPD镀膜流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板快速(节省工艺时间)传送至第六缓冲腔142，输送机构在第六缓冲腔142换向，输送机构带动基板移动至第三镀膜腔140镀膜，镀膜完成基板移动至第五缓冲腔141，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
本申请实施例的镀膜设备单向PVD-ITO镀膜流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板慢速传送至第八缓冲腔152，输送机构在第八缓冲腔152换向，输送机构带动基板移动至第四镀膜腔150镀膜，镀膜完成基板移动至第七缓冲腔151，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
本申请实施例的镀膜设备单向PVD-ITO镀膜流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板慢速传送至第八缓冲腔152，输送机构在第八缓冲腔152换向，输送机构带动基板移动至第四镀膜腔150镀膜，镀膜完成基板移动至第七缓冲腔151，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
本申请实施例的镀膜设备往返式镀膜流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板慢速传送至第七缓冲腔151，输送机构带动基板移动至第四镀膜腔150镀膜，镀膜完成基板移动至第八缓冲腔152，输送机构带动基板移动至第五镀膜腔160镀膜，镀膜完成基板移动至第九缓冲腔161，输送机构带动基板移动至第四镀膜腔150镀膜，镀膜完成基板移动至第六缓冲腔142，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
本申请实施例的镀膜设备单向蒸镀流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板慢速传送至第一缓冲腔121，输送机构带动基板移动至第一镀膜腔120镀膜，镀膜完成基板移动至第二缓冲腔122，输送机构在第二缓冲腔122换向，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
本申请实施例的镀膜设备单向蒸镀流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板慢速传送至第一缓冲腔121，输送机构带动基板移动至第一镀膜腔120镀膜，镀膜完成基板移动至第二缓冲腔122，输送机构在第二缓冲腔122换向，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
本申请实施例的镀膜设备单向PVD-NiO流程：
上下料站200放置基板，基板沿进出料口进入进出料腔110，设备本体100内抽真空操作，输送机构带动基板慢速传送至第三缓冲腔131，输送机构带动基板移动至第二镀膜腔130镀膜，镀膜完成基板移动至第四缓冲腔132，输送机构在第四缓冲腔132换向，输送机构带动基板移动至进出料腔110，进出料口打开，基板输送至上下料站200卸载。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
设备本体，所述设备本体内设置有相连通的进出料腔、第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔、第四镀膜腔和第五镀膜腔，所述第一镀膜腔内可以进行蒸镀镀膜，所述第二镀膜腔内可以进行RF溅射镀膜，所述第三镀膜腔内可以进行RPD镀膜，所述第四镀膜腔内可以进行脉冲直流溅射镀膜，所述第五镀膜腔内可以进行直流溅射镀膜；
输送机构，安装于所述设备本体内，所述输送机构用于输送基板在各腔室之间流转。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述设备本体内还设置有用于缓存基板的第一缓冲腔、第二缓冲腔、第三缓冲腔、第四缓冲腔、第五缓冲腔、第六缓冲腔、第七缓冲腔、第八缓冲腔和第九缓冲腔，所述第二缓冲腔、所述第一镀膜腔、所述第一缓冲腔、所述进出料腔、所述第五缓冲腔、所述第三镀膜腔、所述第六缓冲腔、所述第七缓冲腔、所述第四镀膜腔、所述第八缓冲腔、所述第五镀膜腔和所述第九缓冲腔从左至右依次连通，所述进出料腔、所述第三缓冲腔、所述第二镀膜腔和所述第四缓冲腔从前至后依次连通。
3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述设备本体上设置有连通所述进出料腔的进出料口，所述设备本体上设置有用于打开或关闭所述进出料口的第一门阀，所述设备本体内设置有第二门阀、第三门阀和第四门阀，所述第二门阀位于所述进出料腔和所述第一缓冲腔之间，所述第二门阀用于连通或隔开所述进出料腔和所述第一缓冲腔，所述第三门阀位于所述进出料腔和所述第三缓冲腔之间，所述第三门阀用于连通或隔开所述进出料腔和所述第三缓冲腔，所述第四门阀位于所述进出料腔和所述第五缓冲腔之间，所述第四门阀用于连通或隔开所述进出料腔和所述第五缓冲腔。
4.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述设备本体内还设置有第五门阀，所述第五门阀位于所述第六缓冲腔和第七缓冲腔之间，所述第五门阀用于连通或隔开所述第六缓冲腔和第七缓冲腔。
5.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，还包括用于抽真空的第一抽气设备、第二抽气设备、第三抽气设备和第四抽气设备，所述第一抽气设备连通所述进出料腔，所述第二抽气设备连通所述第一镀膜腔，所述第三抽气设备连通所述第三镀膜腔，所述第四抽气设备连通所述第四镀膜腔和第五镀膜腔。
6.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二抽气设备、所述第三抽气设备和所述第四抽气设备连接有冷阱，所述第四缓冲腔和所述第八缓冲腔内设置有用于预热基板的加热器。
7.一种使用如权利要求1-6任一项所述的镀膜设备的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：基板输送至进出料腔；
S2：进出料腔、第一镀膜腔、第二镀膜腔、第三镀膜腔、第四镀膜腔和第五镀膜腔抽真空；
S3：输送机构带动基板进入第一镀膜腔或第二镀膜腔或第三镀膜腔或第四镀膜腔或第五镀膜腔内进行镀膜；
S4：输送机构带动基板回到进出料腔；
S5：基板从进出料腔输出。
8.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S3中，可以依据工艺需求在同一镀膜腔内往返多次镀膜或不同镀膜腔结合连续镀膜。
9.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S2中，抽真空时，第一抽气设备先工作，将气压从大气降到1Pa，第二抽气设备、第三抽气设备和第四抽气设备才开始工作，将真空度降到10-5Pa。
10.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S1中，第一门阀打开，基板沿进出料口进入进出料腔后，第一门阀关闭；
所述步骤S2中，抽真空时，第一门阀关闭，第二门阀、第三门阀、第四门阀和第五门阀打开，抽真空完成后，第二门阀、第三门阀、第四门阀和第五门阀关闭；
所述步骤S4中，第一门阀打开，基板沿进出料口从进出料腔输出后，第一门阀关闭。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Country Status (1)
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Inventor after: Chen Qilin Inventor after: Man Xiaohua Inventor after: Ge Guangxing Inventor after: Su Chaoying Inventor after: Chen Houmo Inventor after: Wang Yingbin Inventor after: Tan Xiaohua Inventor after: Li Guoqing Inventor before: Chen Qilin Inventor before: Man Xiaohua Inventor before: Ge Guangxing Inventor before: Su Chaoying Inventor before: Chen Houmo Inventor before: Wang Yingbin Inventor before: Tan Xiaohua Inventor before: Li Guoqing |