CN117825597A - 旁路式微热导检测器及其制备方法 - Google Patents

旁路式微热导检测器及其制备方法 Download PDF

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CN117825597A CN202311814334.8A CN202311814334A CN117825597A CN 117825597 A CN117825597 A CN 117825597A CN 202311814334 A CN202311814334 A CN 202311814334A CN 117825597 A CN117825597 A CN 117825597A
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Abstract

本发明提供一种旁路式微热导检测器及其制备方法，在微热导检测器中设置与微沟道相连通的旁路沟道，并设置悬挂于旁路沟道中的具有热导检测元件的热导检测元件支撑结构，可避免气体直接冲击热导检测元件，从而可降低强制对流在传热机制中的占比，进而降低闭合沟道中气体流速变化对热导检测元件的影响，提高微热导检测器的信噪比及检测准确度。

Description

旁路式微热导检测器及其制备方法
技术领域
本发明属于微机电系统领域，涉及一种旁路式微热导检测器及其制备方法。
背景技术
由于对气体浓度监测的需求日益增加，微热导检测器在多个领域得到了广泛的应用，如石油化工、食品安全、环境质量检测和生物制药等。微热导检测器的工作原理是利用传感器中加热元件与气体间的热交换原理，即加热元件所散失的热量与气体热导率的变化相关联，因而微热导检测器可用以识别气体种类以及气体浓度的变化。
由于微热导检测器对气体检测不具有选择性，同时具备无损检测的特点，因此，在气相色谱技术中，常将微热导检测器与色谱柱相结合用以进行气体检测，即通过色谱柱使得混合气体的各组分分离并依次析出，并通过微热导检测器实现检测。
微热导检测器的发热元件与气体间的热交换方式包括热传导、热对流和热辐射。其中，热对流包括强制对流和自然对流，而气体流速的变化会引起强制对流传递热量的变化，进而造成微热导检测器噪声增大、检测灵敏度下降等问题。
因此，提供一种旁路式微热导检测器及其制备方法，实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种旁路式微热导检测器及其制备方法，用于解决现有技术中强制对流对微热导检测器造成的检测问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种旁路式微热导检测器，一方面降低气体流速波动所带来的微热导检测器噪声增大，另一方面降低强制对流所传递的热量在总的热散失中的比例，提高其检测灵敏度，所述旁路式微热导检测器包括：
基板，所述基板中设置有微沟道及旁路沟道，且所述旁路沟道与所述微沟道相连通；
热导检测元件支撑结构，所述热导检测元件支撑结构悬挂于所述旁路沟道内，且所述热导检测元件支撑结构包括热导检测元件；
盖板，所述盖板与所述基板键合，通过所述盖板覆盖所述微沟道及所述旁路沟道构成闭合沟道。
可选地，所述热导检测元件支撑结构呈网状结构；所述热导检测元件支撑结构包括自下而上叠置的第一介质层、热导检测元件及第二介质层。
可选地，所述热导检测元件包括热敏电阻；所述热敏电阻构成惠斯通电桥结构。
可选地，与所述热导检测元件电连接的导电连接件设置于所述基板上并显露于所述盖板，且所述导电连接件与所述热导检测元件具有相同材质。
可选地，所述盖板设置于所述基板的相对两侧，或所述盖板仅设置于所述基板的一侧；所述盖板临近所述基板的一侧设置有与所述旁路沟道对应设置的盖板容置槽。
可选地，所述基板包括硅基板、绝缘体上硅基板、陶瓷基板或玻璃基板；所述盖板包括硅盖板、绝缘体上硅盖板、陶瓷盖板或玻璃盖板。
本发明还提供一种旁路式微热导检测器的制备方法，包括以下步骤：
提供基板；
于所述基板上形成热导检测元件支撑结构，所述热导检测元件支撑结构包括热导检测元件；
提供上盖板，并将所述上盖板键合于所述基板的上表面；
自所述基板的下表面图形化所述基板，形成相连通的微沟道及旁路沟道，且所述热导检测元件支撑结构悬挂于所述旁路沟道内；
提供下盖板，并将所述下盖板键合于所述基板的下表面，结合所述上盖板及所述下盖板覆盖所述微沟道及所述旁路沟道形成闭合沟道。
本发明还提供另一种旁路式微热导检测器的制备方法，包括以下步骤：
提供基板；
于所述基板上形成热导检测元件支撑结构，所述热导检测元件支撑结构包括热导检测元件；
图形化所述基板形成相连通的所述微沟道及所述旁路沟道，且所述微沟道及所述旁路沟道的底部均位于所述基板中；
提供上盖板并将所述上盖板键合于所述基板的上表面，通过所述上盖板覆盖所述微沟道及所述旁路沟道形成闭合沟道。
可选地，在键合时，所述基板中具有容置所述热导检测元件支撑结构的基板容置槽，和/或所述上盖板中具有容置所述热导检测元件支撑结构的盖板容置槽。
可选地，形成的所述热导检测元件支撑结构呈网状结构；所述热导检测元件包括热敏电阻；所述热敏电阻构成惠斯通电桥结构；在制备所述热导检测元件的同时制备与所述热导检测元件电连接的导电连接件，且所述导电连接件显露于所述上盖板。
如上所述，本发明的旁路式微热导检测器及其制备方法，在微热导检测器中设置与微沟道相连通的旁路沟道，并设置悬挂于旁路沟道中的具有热导检测元件的热导检测元件支撑结构，可避免气体直接冲击热导检测元件，从而可降低强制对流在传热机制中的占比，进而降低闭合沟道中气体流速变化对热导检测元件的影响，提高微热导检测器的信噪比及检测准确度。
附图说明
图1显示为本发明实施例一及实施例二中基于硅基板的旁路式微热导检测器的立体结构示意图。
图2显示为图1中热导检测元件支撑结构的结构示意图。
图3a、图3b、图4显示为图1中热敏电阻构成的惠斯通电桥的布局示意图。
图5显示为本发明实施例一中制备旁路式微热导检测器的工艺流程示意图。
图6～图10显示为本发明实施例一中基于硅基板制备旁路式微热导检测器各步骤所呈现的结构示意图。
图11显示为本发明实施例二中制备旁路式微热导检测器的工艺流程示意图。
图12～图13显示为本发明实施例二中基于硅基板制备旁路式微热导检测器各步骤所呈现的结构示意图。
图14～图18显示为本发明实施例三中基于绝缘体上硅基板制备旁路式微热导检测器各步骤所呈现的结构示意图。
图19～图21显示为本发明实施例四中基于绝缘体上硅基板制备旁路式微热导检测器各步骤所呈现的结构示意图。
附图标记说明
100 硅基板
110 氧化硅层
120 基板容置槽
210 玻璃上盖板
211 盖板容置槽
220 玻璃下盖板
300 闭合沟道
301 旁路沟道
302 微沟道
400 热导检测元件支撑结构
401 第一介质层
402 热敏电阻
403 第二介质层
500 焊盘
111 绝缘体上硅基板
101 底层硅
102 埋氧层
103 顶层硅
600 保护层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向，可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触，另外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
参阅图1～图10，本实施例提供一种旁路式微热导检测器，所述旁路式微热导检测器包括基板、热导检测元件支撑结构400及盖板，所述基板中设置有微沟道302及旁路沟道301，且所述旁路沟道301与所述微沟道302相连通；所述热导检测元件支撑结构400悬挂于所述旁路沟道301内，且所述热导检测元件支撑结构400包括热导检测元件；所述盖板与所述基板键合，通过所述盖板覆盖所述微沟道302及所述旁路沟道301构成闭合沟道300。
作为示例，所述基板包括硅基板100、绝缘体上硅基板、陶瓷基板或玻璃基板；所述盖板包括硅盖板、绝缘体上硅盖板、陶瓷盖板或玻璃盖板。
具体的，参阅图1～图10，本实施例中所述基板采用所述硅基板100，所述盖板采用玻璃盖板，且所述盖板设置于所述基板的相对两侧，即包括玻璃上盖板210及玻璃下盖板220，但所述旁路式微热导检测器的材质的选择并非局限于此，如根据需要所述硅基板100也可替换为绝缘体上硅基板、陶瓷基板或玻璃基板等，所述玻璃上盖板210也可替换为硅上盖板、绝缘体上硅上盖板或陶瓷上盖板等，所述玻璃下盖板220也可替换为硅下盖板、绝缘体上硅下盖板或陶瓷下盖板等。
作为示例，所述盖板临近所述基板的一侧设置有与所述旁路沟道301对应设置的盖板容置槽211。
具体的，参阅图10，根据需要所述玻璃上盖板210在临近所述硅基板100的一侧设置有与所述旁路沟道301对应设置的所述盖板容置槽211，以为所述热导检测元件支撑结构400提供足够的空间，但并非局限于此，当所述硅基板100可为所述热导检测元件支撑结构400提供足够的空间时，也可不在所述玻璃上盖板210中设置所述盖板容置槽211。
作为示例，所述热导检测元件支撑结构400呈网状结构。
具体的，参阅图2及图3a、图3b，所述热导检测元件支撑结构400悬挂于所述旁路沟道301内，可减少强制对流对所述热导检测元件的影响，当所述热导检测元件支撑结构400采用网状结构时，能够提高所述热导检测元件与样品的接触面积，增加灵敏度。当然根据需要，所述热导检测元件支撑结构400也可采用其它形貌，所述热导检测元件支撑结构400和所述旁路沟道301可以与所述微沟道302垂直设置，如图3a，但并非局限于此，所述旁路沟道301与所述微沟道302的夹角可根据需要设置为如45°、60°、90°等，且各个所述旁路沟道301与所述微沟道302的夹角可相同也可不同，此处不作过分限制。
在另一实施例中，如图3b，也可将所述热导检测元件支撑结构400及所述旁路沟道301整体旋转90°，以与所述微沟道302平行设置，此处不作过分限制。
作为示例，所述热导检测元件支撑结构400包括自下而上叠置的第一介质层401、热导检测元件及第二介质层403。
参阅图3a、图3b及图4，本实施例中，所述热导检测元件采用热敏电阻402以作为发热和测量元件，但所述热导检测元件的种类并非局限于此。其中，所述热敏电阻402所采用的材质可包括Pt/Ti叠层、Ni/Cr叠层、W/Ti叠层及W/Re叠层中的一种，具体可根据需要进行选择，且优选所述热导检测元件构成惠斯通电桥结构。
本实施例中，所述热导检测元件支撑结构400由所述第一介质层401、所述热敏电阻402、所述第二介质层403自下而上堆叠组合构成。其中，所述第一介质层401作为支撑层，所述第二介质层403作为保护层，所述热敏电阻402作为气体热导率的测量元件。其中，所述第一介质层401可包括氧化硅层及氮化硅层中的一种或组合，所述第二介质层403可包括氧化硅层及氮化硅层中的一种或组合，具体可根据需要进行选择。
作为示例，与所述热导检测元件电连接的导电连接件设置于所述基板上并显露于所述盖板，且所述导电连接件与所述热导检测元件具有相同材质，也可采用不同材质。
参阅图3a、图3b，本实施例中，所述热敏电阻402通过引线与焊盘500进行电性连接，所述引线与所述焊盘500所采用的金属材质可包括Pt/Ti叠层、Ni/Cr叠层、W/Ti叠层、W/Re叠层、Al/Ti叠层及Au/Ti叠层中的一种，优选所述引线、所述焊盘500与所述热敏电阻402采用相同的金属材质，以便于简化工艺，但根据需要所述导电连接件与所述热导检测元件也可采用不同材质，即所述引线、所述焊盘500与所述热敏电阻402可采用不同的材质，且优选所述引线及所述焊盘500均制备于所述硅基板100的上表面，并通过所述第一介质层401与所述硅基板100绝缘，但并非局限于此，如根据需要，所述引线及所述焊盘500也可制备于所述盖板上。本实施例优选所述引线及所述焊盘500均制备于所述硅基板100上且显露于所述玻璃上盖板210，以便于工艺制备及电性连接，但并非局限于此。
参阅图5～图10，本实施例还提供一种旁路式微热导检测器的制备方法，包括以下步骤：
S1：提供基板；
S2：于所述基板上形成热导检测元件支撑结构400，所述热导检测元件支撑结构400包括热导检测元件；
S3：提供上盖板，并将所述上盖板键合于所述基板的上表面；
S4：自所述基板的下表面图形化所述基板，形成相连通的微沟道302及旁路沟道301，且所述热导检测元件支撑结构400悬挂于所述旁路沟道301内；
S5：提供下盖板，并将所述下盖板键合于所述基板的下表面，结合所述上盖板及所述下盖板覆盖所述微沟道302及所述旁路沟道301形成闭合沟道300。
以下结合图5～图10，对本实施例有关所述旁路式微热导检测器的制备作进一步的介绍。
首先，参阅图5及图6，执行步骤S1，提供基板。
具体的，本实施例中，所述基板采用硅基板100，但并非局限于此，如根据需要所述基板也可替换为绝缘体上硅基板、陶瓷基板或玻璃基板等，关于所述基板的材质及尺寸的选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图6～图9，执行步骤S2，于所述基板上形成热导检测元件支撑结构400，所述热导检测元件支撑结构400包括热导检测元件。
本实施例中，所述热导检测元件支撑结构400可包括自下而上叠置的第一介质层401、所述热导检测元件及第二介质层403，制备所述热导检测元件支撑结构400的步骤可包括：
首先，如图6，于所述硅基板100的上表面先形成氧化硅层110。
接着，如图7，进行光刻后，用缓冲氧化物腐蚀液(Buffered Oxide Etchant，BOE)去除裸露的所述氧化硅层110，去胶，并以所述氧化硅层110作为掩膜，用KOH腐蚀液腐蚀裸露的所述硅基板100形成基板容置槽120，以为后续制备的所述热导检测元件支撑结构400提供容置空间，便于后续的键合，但并非局限于此，如也可仅在后续的上盖板中形成具有容置所述热导检测元件支撑结构400的盖板容置槽211，或在所述硅基板100及所述上盖板中均形成对应设置的容置槽，此处不作过分限定。
接着，如图7，去除由所述氧化硅层110构成的掩膜后，在所述硅基板100的上表面制备所述第一介质层401，如氧化硅(SiOx)层及氮化硅(SiNx)层的叠层或单层的氧化硅层或氮化硅层。
接着，如图8，在所述第一介质层401上形成所述热导检测元件，本实施例中，所述热导检测元件采用热敏电阻402，且优选所述热敏电阻402构成惠斯通电桥结构，如图4，但所述热导检测元件的种类并非局限于此。其中，形成所述热敏电阻402的方法可采用溅射法，如可制备Pt/Ti叠层、Ni/Cr叠层、W/Ti叠层及W/Re叠层中的一种作为所述热敏电阻402，在进行光刻后，用离子束刻蚀工艺(Ion Beam Etching，IBE)刻蚀以图形化所述热敏电阻402，以制备所需的所述热敏电阻402。
本实施例中，在制备所述热导检测元件的同时，优选在所述硅基板100的上表面制备与所述热导检测元件电连接的导电连接件，以减少工艺步骤，如所述导电连接件可包括金属引线和焊盘500等，以便于后续的电性连接。当然根据需要，与所述热导检测元件电连接的导电连接件也可在其他工艺步骤中制备，或制备在所述盖板上，此处不作过分限制。
接着，如图8，在所述热导检测元件的表面制备所述第二介质层403，如氧化硅(SiOx)层及氮化硅(SiNx)层的叠层或单层的氧化硅层或氮化硅层，用于保护所述热导检测元件。
接着，如图9，进行光刻，可采用反应离子刻蚀工艺(Reactive Ion Etching，RIE)刻蚀所述第二介质层403和所述第一介质层401，以去除键合区和所述焊盘500区的所述介质层，便于后续键合工艺，以及使所述焊盘500暴露，以便于后续的封装焊接，以及刻蚀位于所述热导检测元件支撑结构400内部的所述介质层，形成呈网状结构的所述热导检测元件支撑结构400，以便于提高所述热导检测元件支撑结构400与样品的接触面积，增加灵敏度。
接着，参阅图5及图10，执行步骤S3，提供上盖板，并将所述上盖板键合于所述基板的上表面。
本实施例中，所述上盖板采用玻璃上盖板210，但并非局限于此，如所述上盖板还可采用绝缘体上硅上盖板、陶瓷上盖板或硅上盖板等，关于所述上盖板的材质及尺寸的选择，此处不作过分限制。所述玻璃上盖板210与所述硅基板100可采用阳极键合。
接着，参阅图5及图10，执行步骤S4，自所述基板的下表面图形化所述基板，形成相连通的微沟道302及旁路沟道301，且所述热导检测元件支撑结构400悬挂于所述旁路沟道301内。
具体的，自所述硅基板100的背面进行光刻，并可采用深反应离子刻蚀工艺(DeepReactive Ion Etching，DRIE)刻蚀所述硅基板100，形成相连通的所述微沟道302及所述旁路沟道301，并释放所述热导检测元件支撑结构400。
接着，参阅图5及图10，执行步骤S5，提供下盖板，并将所述下盖板键合于所述基板的下表面，结合所述上盖板及所述下盖板覆盖所述微沟道302及所述旁路沟道301形成闭合沟道300。
本实施例中，所述下盖板采用玻璃下盖板220，但并非局限于此，如所述下盖板还可采用绝缘体上硅下盖板、陶瓷下盖板或硅下盖板等，关于所述下盖板的材质及尺寸的选择，此处不作过分限制。所述玻璃下盖板220与所述硅基板100可采用阳极键合。
最后，还可进行划片及封装的步骤，以完成所述旁路式微热导检测器的制备。
实施例二
参阅图11～图13，本实施例还提供另一种基于硅基板的旁路式微热导检测器及其制备方法，本实施例与实施例一的区别主要在于：参阅图13，仅在基板的一侧设置盖板形成闭合沟道300，以减少盖板的使用数量。
关于所述旁路式微热导检测器的制备方法，可包括以下步骤：
S1：提供基板；
S2：于所述基板上形成热导检测元件支撑结构400，所述热导检测元件支撑结构400包括热导检测元件；
S3：图形化所述基板形成相连通的所述微沟道302及所述旁路沟道301，且所述微沟道302及所述旁路沟道301的底部均位于所述基板中；
S4：提供上盖板并将所述上盖板键合于所述基板的上表面，通过所述上盖板覆盖所述微沟道302及所述旁路沟道301形成闭合沟道300。
关于所述旁路式微热导检测器中的所述基板、所述盖板的种类等，此处不作限定，可参阅实施例一，关于所述旁路式微热导检测器的制备步骤S1及步骤S2可参阅实施例一中的关于图6～图9的制备，此处不作赘述，以下仅对区别步骤S3及步骤S4进行说明。
具体的，如图11及图12，执行步骤S3，在形成所述热导检测元件支撑结构400之后，可直接使用如TMAH或KOH湿法腐蚀液，或者使用SF6或XeF2等干法腐蚀剂以去除位于所述热导检测元件支撑结构400下方的部分所述硅基板100，以实现所述热导检测元件支撑结构400的释放，形成所述微沟道302及所述旁路沟道301；或者如图12所示，采用光刻，先使用DRIE工艺刻蚀所述硅基板100到一定深度，去胶后，再使用如TMAH或KOH湿法腐蚀液，或者使用SF6或XeF2等干法腐蚀剂以去除位于所述热导检测元件支撑结构400下方的部分所述硅基板100，以实现所述热导检测元件支撑结构400的释放。
而后，如图11及图13，执行步骤S4，采用如阳极键合，将所述玻璃上盖板210和所述硅基板100进行键合。
最后，还可进行划片及封装的步骤，完成所述旁路式微热导检测器的制备。
实施例三
参阅图14～图18，本实施例还提供一种基于绝缘体上硅基板的旁路式微热导检测器及其制备方法，本实施例与实施例一的区别主要在于：基板采用具有底层硅101、埋氧层102及顶层硅103的绝缘体上硅基板111，关于所述旁路式微热导检测器及其制备方法均可参阅实施例一，此处不作赘述，以下仅对区别之处进行说明。
本实施例相较于实施例一，在采用RIE工艺刻蚀所述热导检测元件支撑结构400后，采用光刻DRIE刻蚀所述顶层硅103，而后采用RIE工艺刻蚀裸露的所述埋氧层102；再将所述上盖板与所述绝缘体上硅基板111的所述顶层硅103进行键合；而后自所述绝缘体上硅基板111的下表面进行光刻及刻蚀，以形成所述微沟道302及所述旁路沟道301，以释放所述热导检测元件支撑结构400；再将下盖板与所述绝缘体上硅基板111键合；划片并封装完成所述微热导检测器的制备。
实施例四
参阅图19～图21，本实施例还提供另一种基于绝缘体上硅基板的旁路式微热导检测器及其制备方法，本实施例与实施例一的区别主要在于：基板采用具有底层硅101、埋氧层102及顶层硅103的绝缘体上硅基板111，关于所述旁路式微热导检测器及其制备方法均可参阅实施例一，此处不作赘述，以下仅对区别之处进行说明。
本实施例相较于实施例一，在光刻采用RIE工艺刻蚀所述第二介质层403和第一介质层401后，可再次光刻后采用DRIE工艺刻蚀所述顶层硅103，后用RIE工艺刻蚀裸露的所述埋氧层102，如图19；而后沉积保护层600，如SiNx层及SiOx层中的一种或叠层，用于保护所述热导检测元件和所述顶层硅103的侧壁；光刻后用RIE工艺刻蚀所述热导检测元件间隙的介质层，再用DRIE工艺刻蚀所述底层硅101到一定深度，如图20；之后使用如TMAH或KOH湿法腐蚀液，或者使用SF6或XeF2等干法腐蚀剂以去除位于所述热导检测元件支撑结构400下方的部分所述底层硅101，以实现所述热导检测元件支撑结构400的释放，如图21。如图21，用RIE工艺刻蚀顶层硅103键合区、所述焊盘500区和所述第二介质层403区的所述保护层600，以便于键合及电性连接，而后用阳极键合法把所述上盖板和所述顶层硅103进行键合；最后划片并封装完成所述旁路式微热导检测器的制备。
综上所述，本发明的旁路式微热导检测器及其制备方法，在微热导检测器中设置与微沟道相连通的旁路沟道，并设置悬挂于旁路沟道中的具有热导检测元件的热导检测元件支撑结构，可避免气体直接冲击热导检测元件，从而可降低强制对流在传热机制中的占比，进而降低闭合沟道中气体流速变化对热导检测元件的影响，提高微热导检测器的信噪比及检测准确度。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种旁路式微热导检测器，其特征在于，所述旁路式微热导检测器包括：
基板，所述基板中设置有微沟道及旁路沟道，且所述旁路沟道与所述微沟道相连通；
热导检测元件支撑结构，所述热导检测元件支撑结构悬挂于所述旁路沟道内，且所述热导检测元件支撑结构包括热导检测元件；
盖板，所述盖板与所述基板键合，通过所述盖板覆盖所述微沟道及所述旁路沟道构成闭合沟道。
2.根据权利要求1所述的旁路式微热导检测器，其特征在于：所述热导检测元件支撑结构呈网状结构；所述热导检测元件支撑结构包括自下而上叠置的第一介质层、热导检测元件及第二介质层。
3.根据权利要求1所述的旁路式微热导检测器，其特征在于：所述热导检测元件包括热敏电阻；所述热敏电阻构成惠斯通电桥结构。
4.根据权利要求1所述的旁路式微热导检测器，其特征在于：与所述热导检测元件电连接的导电连接件设置于所述基板上并显露于所述盖板，且所述导电连接件与所述热导检测元件具有相同材质。
5.根据权利要求1所述的旁路式微热导检测器，其特征在于：所述盖板设置于所述基板的相对两侧，或所述盖板仅设置于所述基板的一侧；所述盖板临近所述基板的一侧设置有与所述旁路沟道对应设置的盖板容置槽。
6.根据权利要求1所述的旁路式微热导检测器，其特征在于：所述基板包括硅基板、绝缘体上硅基板、陶瓷基板或玻璃基板；所述盖板包括硅盖板、绝缘体上硅盖板、陶瓷盖板或玻璃盖板。
7.一种旁路式微热导检测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
于所述基板上形成热导检测元件支撑结构，所述热导检测元件支撑结构包括热导检测元件；
提供上盖板，并将所述上盖板键合于所述基板的上表面；
自所述基板的下表面图形化所述基板，形成相连通的微沟道及旁路沟道，且所述热导检测元件支撑结构悬挂于所述旁路沟道内；
提供下盖板，并将所述下盖板键合于所述基板的下表面，结合所述上盖板及所述下盖板覆盖所述微沟道及所述旁路沟道形成闭合沟道。
8.一种旁路式微热导检测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板；
于所述基板上形成热导检测元件支撑结构，所述热导检测元件支撑结构包括热导检测元件；
图形化所述基板形成相连通的所述微沟道及所述旁路沟道，且所述微沟道及所述旁路沟道的底部均位于所述基板中；
提供上盖板并将所述上盖板键合于所述基板的上表面，通过所述上盖板覆盖所述微沟道及所述旁路沟道形成闭合沟道。
9.根据权利要求7或8所述的旁路式微热导检测器的制备方法，其特征在于：在键合时，所述基板中具有容置所述热导检测元件支撑结构的基板容置槽，和/或所述上盖板中具有容置所述热导检测元件支撑结构的盖板容置槽。
10.根据权利要求7或8所述的旁路式微热导检测器的制备方法，其特征在于：形成的所述热导检测元件支撑结构呈网状结构；所述热导检测元件包括热敏电阻；所述热敏电阻构成惠斯通电桥结构；在制备所述热导检测元件的同时制备与所述热导检测元件电连接的导电连接件，且所述导电连接件显露于所述上盖板。
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