CN117792301A - 一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、共源放大网络、级间匹配网络、共源共栅放大网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络、馈电偏置网络以及输出匹配网络。本发明通过在输出匹配网络和共源共栅放大网络的共源极晶体管的栅极之间引入二极管RC反馈支路，在不恶化放大器的其他性能的基础上，使放大器的输出功率1dB压缩点明显提高。本发明解决了低噪声放大器同时实现宽带、低噪声、高增益、低功耗以及高输出功率1dB压缩点难度较大的问题。

Description

一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器

技术领域

本发明属于微波低噪声放大器技术领域，具体涉及一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器作为接收机射频前端电路的第一级器件，与天线直接相连，其性能对接收机的整体性能具有直接影响。近年来，宽带无线通信技术尤其是5G通信技术快速发展，为了适应现代通信系统对宽带接收机的应用需求，低噪声放大器需要具有宽频带、低噪声系数、较高的增益、较好的增益平坦度、良好的输入输出端口匹配和较高的输出功率1dB压缩点等性能。宽带低噪声放大器的研究受到国内外研究人员的广泛重视，研究性能优异的宽带低噪声放大器对实现高性能的宽带接收机具有重要意义。

微波低噪声放大器作为接收机的关键器件，其噪声系数直接决定接收机的噪声性能，其增益决定对后级射频电路的噪声抑制程度，其输出功率1dB压缩点直接影响接收机的功率输出能力，其功耗影响接收机的整体功耗。但增益、噪声、输出功率1dB压缩点和功耗等性能指标之间往往相互矛盾和相互制约，在实际设计时需要在不同的指标之间进行折中。当采用集成电路工艺设计实现微波低噪声放大器芯片时，其性能和功耗受到一定约束，主要体现在以下几方面：

（1）高功率低功耗放大能力受限：对于基于集成电路工艺的低噪声放大器，低噪放放大器的末级晶体管尺寸大小直接决定其输出功率的大小。当需要提高输出功率时，放大器的晶体管尺寸也需要增大，但会导致放大器的功耗增加。

（2）低成本高功率放大能力受限：对于具备低成本优势的GaAs工艺，需要提高低噪声放大器的功率输出能力；对于GaN工艺的低噪声放大器，需要降低其成本。

目前，常见的宽带低噪声放大器的电路结构有很多，要想同时实现宽带、低噪声、高增益和高输出功率1dB压缩点等要求十分困难，通常，其高功率指标必然带来功耗的增加。

由此可以看出，基于集成电路工艺的微波宽带低噪声放大器的设计难点为：（1）宽带低噪声高功率输出难度较大；（2）高功率输出低功耗难度较大。

发明内容

本发明提供了一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，解决了低噪声放大器同时实现宽带、低噪声、高增益、低功耗以及高输出功率1dB压缩点难度较大的问题。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、共源放大网络、级间匹配网络、共源共栅放大网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络、馈电偏置网络以及输出匹配网络；

所述输入匹配网络的输入端为整个所述放大器的输入端，所述输入匹配网络的输出端与共源放大网络的输入端连接，所述共源放大网络的输出端与级间匹配网络的输入端连接，所述级间匹配网络的输出端与共源共栅放大网络的输入端连接，所述共源共栅放大网络的输出端与输出匹配网络的输入端连接，所述输出匹配网络的输出端为整个所述放大器的输出端；

所述共源放大网络与第一有源偏置网络连接，所述共源共栅放大网络分别与第二有源偏置网络以及无源偏置网络连接，所述馈电偏置网络分别与级间匹配网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络以及输出匹配网络连接。

本发明的有益效果是：本发明采用在输出匹配网络和共源共栅放大网络的共源极晶体管的栅极之间引入二极管RC反馈支路。在不恶化放大器其他性能的基础上，使放大器的输出功率1dB压缩点明显提高。该低噪声放大器包含共源放大网络和共源共栅放大网络，具有宽带、低噪声、高增益、高输出功率1dB压缩点等优点。此外，由于采用了有源偏置网络，减小了工艺波动对放大器性能的影响，能够同时实现宽带、低噪声、高增益、低功耗以及高输出功率1dB压缩点。

进一步地，所述输入匹配网络包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、电容C1、接地电容C2以及接地电容C3；

所述微带线TL1的一端作为所述输入匹配网络的输入端；所述微带线TL1的另一端与电容C1的一端连接；所述电容C1的另一端分别与接地电容C2以及微带线TL2的一端连接；所述微带线TL2的另一端分别与接地电容C3以及微带线TL3的一端连接；所述微带线TL3的另一端作为所述输入匹配网络的输出端。

上述进一步方案的有益效果为：本发明采用的输入匹配网络使放大器的输入匹配良好，实现较低的噪声系数和良好的增益平坦度。

进一步地，所述共源放大网络包括接地微带线TL4、微带线TL14、电阻R1、电容C4以及晶体管M1；

所述微带线TL14的一端与晶体管M1的栅极网络连接，并作为所述共源放大网络的输入端；所述微带线TL14的另一端与电阻R1的一端连接；所述电阻R1的另一端与电容C4的一端连接；所述晶体管M1的源极与接地微带线TL4连接；所述晶体管M1的漏极与电容C4的另一端连接，并作为所述共源放大网络的输出端。

进一步地，所述级间匹配网络包括微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、电容C5以及接地电容C6；

所述微带线TL5的一端作为所述级间匹配网络的输入端；所述微带线TL5的另一端分别与电容C5的一端以及馈电偏置网络连接；所述电容C5的另一端与微带线TL6的一端连接；所述微带线TL6的另一端分别与接地电容C6以及微带线TL7的一端连接；所述微带线TL7的另一端作为所述级间匹配网络的输出端。

上述进一步方案的有益效果为：本发明采用的级间匹配网络使放大器的第一级共源放大网络和第二级共源共栅放大网络之间匹配良好，并提高增益的平坦度。

进一步地，所述共源共栅放大网络包括接地微带线TL8、微带线TL9、微带线TL16、微带线TL17、电阻R2、电阻R3、接地电容C7、电容C8、接地电容C13、晶体管M2、晶体管M3以及二极管D1；

所述微带线TL16的一端分别与微带线TL17的一端以及晶体管M2的栅极连接，并作为所述共源共栅放大网络的输入端；所述微带线TL16的另一端与电阻R2的一端连接；所述电阻R2的另一端与电容C8的一端连接；所述微带线TL17的另一端与电阻R3的一端连接；所述电阻R3的另一端分别与接地电容C13以及二极管D1的负极连接；所述二极管D1的正极与输出匹配网络连接；所述晶体管M2的源极与接地微带线TL8连接；所述晶体管M2的漏极与微带线TL9的一端连接；所述微带线TL9的另一端与晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极分别与接地电容C7以及无源偏置网络连接；所述晶体管M3的漏极与电容C8的另一端连接，并作为所述共源共栅放大网络的输出端。

上述进一步方案的有益效果为：第一级共源放大网络和第二级共源共栅放大网络均包含负反馈RLC支路，使放大器具有宽带、高增益和低增益平坦度等性能。

进一步地，所述输出匹配网络包括微带线TL10以及电容C9；

所述微带线TL10的一端作为所述输出匹配网络的输入端；所述微带线TL10的另一端分别与馈电偏置网络、二极管D1的正极以及电容C9的一端连接；所述电容C9的另一端作为所述输出匹配网络的输出端。

上述进一步方案的有益效果为：本发明采用的输出匹配网络使放大器获得较高的输出功率1dB压缩点和良好的输出匹配。而且，通过在输出匹配网络和共源共栅放大网络的共源极晶体管的栅极之间引入二极管RC反馈支路，在不恶化放大器其他性能的基础上，使放大器的输出功率1dB压缩点明显提高。

进一步地，所述第一有源偏置网络包括晶体管M4、电阻R4、接地电阻R5、电阻R6以及微带线TL13；

所述晶体管M4的源极与接地电阻R5连接；所述晶体管M4的漏极分别与电阻R6的一端、电阻R4的一端以及晶体管M4的栅极连接；所述电阻R6的另一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R4的另一端与微带线TL13的一端连接；所述微带线TL13的另一端与共源放大网络的输入端连接。

进一步地，所述第二有源偏置网络包括晶体管M5、电阻R7、接地电阻R8、电阻R9以及微带线TL15；

所述晶体管M5的源极与接地电阻R8连接；所述晶体管M5的漏极分别与电阻R9的一端、电阻R7的一端以及晶体管M5的栅极连接；所述电阻R9的另一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R7的另一端与微带线TL15的一端连接；所述微带线TL15的另一端与共源共栅放大网络的输入端连接。

进一步地，所述无源偏置网络包括电阻R10、接地电阻R11以及电阻R12；

所述电阻R10的一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R10的另一端分别与接地电阻R11以及电阻R12的一端连接；所述电阻R12的另一端与晶体管M3的栅极连接。

上述进一步方案的有益效果为：本发明采用的无源偏置网络的电阻R10和接地电阻R11为第二级共栅放大管的栅极提供直流偏置电压。通过第一有源偏置网络中晶体管M4和第二有源偏置网络中晶体管M5，分别给晶体管M1和晶体管M2提供栅极偏置电压，当工艺波动时，晶体管M1和晶体管M2的阈值电压V_TO的值会随之波动，晶体管M4和晶体管M5管的栅极输出电压V_GS与晶体管M1和晶体管M2的V_TO有着相同的波动，故保证放大器漏极电流的稳定性，从而提高了低噪声放大器芯片性能的一致性和良品率。

进一步地，所述馈电偏置网络包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、微带线TL11以及微带线TL12；

所述电阻R14的一端分别与电阻R6的另一端、电阻R15的一端、微带线TL12的一端、电阻R9的另一端、电阻R10的一端、电阻R13的一端、微带线TL11的一端以及电源电压VDD连接；所述电阻R14的另一端与接地电容C11连接；所述电阻R15的另一端与接地电容C10连接；所述微带线TL12的另一端与微带线TL5的另一端连接；所述电阻R13的另一端与接地电容C12连接；所述微带线TL11的另一端与微带线TL10的另一端连接。

上述进一步方案的有益效果为：馈电偏置网络包含若干电阻电容RC到地电路，主要用于抑制电源低频和射频自激不稳定信号，提高了放大器的整体稳定性和级间稳定性。

附图说明

图1为本发明基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器的原理框图。

图2为本发明基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器的电路图。

具体实施方式

本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

实施例

如图1所示，本发明提供了一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、共源放大网络、级间匹配网络、共源共栅放大网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络、馈电偏置网络以及输出匹配网络；

所述输入匹配网络的输入端为整个所述放大器的输入端，所述输入匹配网络的输出端与共源放大网络的输入端连接，所述共源放大网络的输出端与级间匹配网络的输入端连接，所述级间匹配网络的输出端与共源共栅放大网络的输入端连接，所述共源共栅放大网络的输出端与输出匹配网络的输入端连接，所述输出匹配网络的输出端为整个所述放大器的输出端；

所述共源放大网络与第一有源偏置网络连接，所述共源共栅放大网络分别与第二有源偏置网络以及无源偏置网络连接，所述馈电偏置网络分别与级间匹配网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络以及输出匹配网络连接。

如图2所示，所述输入匹配网络包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、电容C1、接地电容C2以及接地电容C3；

所述微带线TL1的一端作为所述输入匹配网络的输入端；所述微带线TL1的另一端与电容C1的一端连接；所述电容C1的另一端分别与接地电容C2以及微带线TL2的一端连接；所述微带线TL2的另一端分别与接地电容C3以及微带线TL3的一端连接；所述微带线TL3的另一端作为所述输入匹配网络的输出端。

所述共源放大网络包括接地微带线TL4、微带线TL14、电阻R1、电容C4以及晶体管M1；

所述微带线TL14的一端与晶体管M1的栅极网络连接，并作为所述共源放大网络的输入端；所述微带线TL14的另一端与电阻R1的一端连接；所述电阻R1的另一端与电容C4的一端连接；所述晶体管M1的源极与接地微带线TL4连接；所述晶体管M1的漏极与电容C4的另一端连接，并作为所述共源放大网络的输出端。

所述级间匹配网络包括微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、电容C5以及接地电容C6；

所述微带线TL5的一端作为所述级间匹配网络的输入端；所述微带线TL5的另一端分别与电容C5的一端以及馈电偏置网络连接；所述电容C5的另一端与微带线TL6的一端连接；所述微带线TL6的另一端分别与接地电容C6以及微带线TL7的一端连接；所述微带线TL7的另一端作为所述级间匹配网络的输出端。

所述共源共栅放大网络包括接地微带线TL8、微带线TL9、微带线TL16、微带线TL17、电阻R2、电阻R3、接地电容C7、电容C8、接地电容C13、晶体管M2、晶体管M3以及二极管D1；

所述微带线TL16的一端分别与微带线TL17的一端以及晶体管M2的栅极连接，并作为所述共源共栅放大网络的输入端；所述微带线TL16的另一端与电阻R2的一端连接；所述电阻R2的另一端与电容C8的一端连接；所述微带线TL17的另一端与电阻R3的一端连接；所述电阻R3的另一端分别与接地电容C13以及二极管D1的负极连接；所述二极管D1的正极与输出匹配网络连接；所述晶体管M2的源极与接地微带线TL8连接；所述晶体管M2的漏极与微带线TL9的一端连接；所述微带线TL9的另一端与晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极分别与接地电容C7以及无源偏置网络连接；所述晶体管M3的漏极与电容C8的另一端连接，并作为所述共源共栅放大网络的输出端。

所述输出匹配网络包括微带线TL10以及电容C9；

所述微带线TL10的一端作为所述输出匹配网络的输入端；所述微带线TL10的另一端分别与馈电偏置网络、二极管D1的正极以及电容C9的一端连接；所述电容C9的另一端作为所述输出匹配网络的输出端。

所述第一有源偏置网络包括晶体管M4、电阻R4、接地电阻R5、电阻R6以及微带线TL13；

所述晶体管M4的源极与接地电阻R5连接；所述晶体管M4的漏极分别与电阻R6的一端、电阻R4的一端以及晶体管M4的栅极连接；所述电阻R6的另一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R4的另一端与微带线TL13的一端连接；所述微带线TL13的另一端与共源放大网络的输入端连接。

所述第二有源偏置网络包括晶体管M5、电阻R7、接地电阻R8、电阻R9以及微带线TL15；

所述晶体管M5的源极与接地电阻R8连接；所述晶体管M5的漏极分别与电阻R9的一端、电阻R7的一端以及晶体管M5的栅极连接；所述电阻R9的另一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R7的另一端与微带线TL15的一端连接；所述微带线TL15的另一端与共源共栅放大网络的输入端连接。

所述无源偏置网络包括电阻R10、接地电阻R11以及电阻R12；

所述电阻R10的一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R10的另一端分别与接地电阻R11以及电阻R12的一端连接；所述电阻R12的另一端与晶体管M3的栅极连接。

所述馈电偏置网络包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、微带线TL11以及微带线TL12；

所述电阻R14的一端分别与电阻R6的另一端、电阻R15的一端、微带线TL12的一端、电阻R9的另一端、电阻R10的一端、电阻R13的一端、微带线TL11的一端以及电源电压VDD连接；所述电阻R14的另一端与接地电容C11连接；所述电阻R15的另一端与接地电容C10连接；所述微带线TL12的另一端与微带线TL5的另一端连接；所述电阻R13的另一端与接地电容C12连接；所述微带线TL11的另一端与微带线TL10的另一端连接。

下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍：

射频输入信号通过输入端IN进入放大器的输入匹配网络，经过阻抗匹配后，进入第一级的共源放大网络进行放大。然后信号通过级间匹配网络进入第二级的共源共栅放大网络进行放大，最后放大的信号通过输出匹配网络到达输出端OUT。

第一级的共源放大网络和第二级的共源共栅放大网络均包含了负反馈RLC支路，这提高了放大器的带宽、增益和增益平坦度等性能。同时，采用在输出匹配网络和共源共栅放大网络的共源极晶体管的栅极之间引入了二极管RC反馈支路，这在不恶化放大器其他性能的同时，能明显提高放大器的输出功率1dB压缩点。此外，位于馈电偏置网络中的若干电阻电容RC到地电路，能抑制电源低频和射频自激不稳定信号，使放大器的稳定性得到提高。

无源偏置网络的电阻R10和接地电阻R11为第二级的共源共栅放大网络中的共栅晶体管的栅极提供直流偏置电压。第一有源偏置网络中的晶体管M4和第二有源偏置网络中的晶体管M5分别给第一级共源放大网络中共源晶体管M1和第二级共源共栅放大网络中共源晶体管M2提供栅极偏置电压。第一有源偏置网络中的晶体管M4和第二有源偏置网络中的晶体管M5的栅极输出电压V_GS与晶体管M1和晶体管M2的阈值电压V_TO有着相同的波动。当工艺波动时，能保证放大器漏极电流的稳定而不离散，从而提高了低噪声放大器的良品率和性能的一致性。

Claims (10)

1.一种基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配网络、共源放大网络、级间匹配网络、共源共栅放大网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络、馈电偏置网络以及输出匹配网络；

所述输入匹配网络的输入端为整个所述放大器的输入端，所述输入匹配网络的输出端与共源放大网络的输入端连接，所述共源放大网络的输出端与级间匹配网络的输入端连接，所述级间匹配网络的输出端与共源共栅放大网络的输入端连接，所述共源共栅放大网络的输出端与输出匹配网络的输入端连接，所述输出匹配网络的输出端为整个所述放大器的输出端；

所述共源放大网络与第一有源偏置网络连接，所述共源共栅放大网络分别与第二有源偏置网络以及无源偏置网络连接，所述馈电偏置网络分别与级间匹配网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络、无源偏置网络以及输出匹配网络连接。

2.根据权利要求1所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、电容C1、接地电容C2以及接地电容C3；

所述微带线TL1的一端作为所述输入匹配网络的输入端；所述微带线TL1的另一端与电容C1的一端连接；所述电容C1的另一端分别与接地电容C2以及微带线TL2的一端连接；所述微带线TL2的另一端分别与接地电容C3以及微带线TL3的一端连接；所述微带线TL3的另一端作为所述输入匹配网络的输出端。

3.根据权利要求2所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述共源放大网络包括接地微带线TL4、微带线TL14、电阻R1、电容C4以及晶体管M1；

所述微带线TL14的一端与晶体管M1的栅极网络连接，并作为所述共源放大网络的输入端；所述微带线TL14的另一端与电阻R1的一端连接；所述电阻R1的另一端与电容C4的一端连接；所述晶体管M1的源极与接地微带线TL4连接；所述晶体管M1的漏极与电容C4的另一端连接，并作为所述共源放大网络的输出端。

4.根据权利要求3所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述级间匹配网络包括微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、电容C5以及接地电容C6；

所述微带线TL5的一端作为所述级间匹配网络的输入端；所述微带线TL5的另一端分别与电容C5的一端以及馈电偏置网络连接；所述电容C5的另一端与微带线TL6的一端连接；所述微带线TL6的另一端分别与接地电容C6以及微带线TL7的一端连接；所述微带线TL7的另一端作为所述级间匹配网络的输出端。

5.根据权利要求4所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述共源共栅放大网络包括接地微带线TL8、微带线TL9、微带线TL16、微带线TL17、电阻R2、电阻R3、接地电容C7、电容C8、接地电容C13、晶体管M2、晶体管M3以及二极管D1；

所述微带线TL16的一端分别与微带线TL17的一端以及晶体管M2的栅极连接，并作为所述共源共栅放大网络的输入端；所述微带线TL16的另一端与电阻R2的一端连接；所述电阻R2的另一端与电容C8的一端连接；所述微带线TL17的另一端与电阻R3的一端连接；所述电阻R3的另一端分别与接地电容C13以及二极管D1的负极连接；所述二极管D1的正极与输出匹配网络连接；所述晶体管M2的源极与接地微带线TL8连接；所述晶体管M2的漏极与微带线TL9的一端连接；所述微带线TL9的另一端与晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极分别与接地电容C7以及无源偏置网络连接；所述晶体管M3的漏极与电容C8的另一端连接，并作为所述共源共栅放大网络的输出端。

6.根据权利要求5所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括微带线TL10以及电容C9；

所述微带线TL10的一端作为所述输出匹配网络的输入端；所述微带线TL10的另一端分别与馈电偏置网络、二极管D1的正极以及电容C9的一端连接；所述电容C9的另一端作为所述输出匹配网络的输出端。

7.根据权利要求6所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一有源偏置网络包括晶体管M4、电阻R4、接地电阻R5、电阻R6以及微带线TL13；

所述晶体管M4的源极与接地电阻R5连接；所述晶体管M4的漏极分别与电阻R6的一端、电阻R4的一端以及晶体管M4的栅极连接；所述电阻R6的另一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R4的另一端与微带线TL13的一端连接；所述微带线TL13的另一端与共源放大网络的输入端连接。

8.根据权利要求7所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第二有源偏置网络包括晶体管M5、电阻R7、接地电阻R8、电阻R9以及微带线TL15；

所述晶体管M5的源极与接地电阻R8连接；所述晶体管M5的漏极分别与电阻R9的一端、电阻R7的一端以及晶体管M5的栅极连接；所述电阻R9的另一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R7的另一端与微带线TL15的一端连接；所述微带线TL15的另一端与共源共栅放大网络的输入端连接。

9.根据权利要求8所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述无源偏置网络包括电阻R10、接地电阻R11以及电阻R12；

所述电阻R10的一端与馈电偏置网络连接；所述电阻R10的另一端分别与接地电阻R11以及电阻R12的一端连接；所述电阻R12的另一端与晶体管M3的栅极连接。

10.根据权利要求9所述的基于二极管反馈支路的微波宽带低噪声放大器，其特征在于，所述馈电偏置网络包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、微带线TL11以及微带线TL12；

所述电阻R14的一端分别与电阻R6的另一端、电阻R15的一端、微带线TL12的一端、电阻R9的另一端、电阻R10的一端、电阻R13的一端、微带线TL11的一端以及电源电压VDD连接；所述电阻R14的另一端与接地电容C11连接；所述电阻R15的另一端与接地电容C10连接；所述微带线TL12的另一端与微带线TL5的另一端连接；所述电阻R13的另一端与接地电容C12连接；所述微带线TL11的另一端与微带线TL10的另一端连接。