CN117728646A - 用于nfc发射系统的电源上下电时序控制方法及装置、系统 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及近场通信技术领域,公开一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法,包括:在电源电路上电的情况下,控制升压型开关变换器启动,并实时获取升压型开关变换器的第一输出电压;在第一输出电压大于第一阈值的情况下,控制低压线性稳压器启动;在第一输出电压等于第一初始电压、且第二输出电压等于第二初始电压的情况下,控制升压型开关变换器切换工作模式,以使第一输出电压达到第一目标电压;控制低压线性稳压器升压,以使第二输出电压达到第二目标电压;其中,第一阈值小于第一初始电压。该方法可避免功率管衬底在切换供电电压时产生大电流影响芯片的可靠性。本申请还公开一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置及系统。
Description
技术领域
本申请涉及近场通信技术领域,例如涉及一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法、装置和NFC发射系统。
背景技术
目前,NFC(Near Field Communication,近场通信)发射系统的电源电路一般由升压型DC-DC变换器(即升压型开关变换器),LDO(low dropout regulator,低压差线性稳压器)组成。升压型开关变换器把2.4V~4.8V的电池电压VBAT升到较高的电压VDDBOOST,LDO可以抑制VDDBOOST的开关噪声。这样,电源可以为发射系统提供功率足够大、噪声较低的稳定电压。
为了保证在大功率下,电源稳定工作,升压型开关变换器的电容Cboost和低压差线性稳压器的电容Cpa均较大。升压时需要足够的电荷为电容充电,降压时又需要放足够的电荷。此外,在升压或降压时,升压型开关变换器中的功率管P型MOS(Metal OxideSemiconductor,金属-氧化物-半导体)衬底在切换电压中(功率管在升压型开关变换器切换工作模式时,切换电压),如果衬底电压接到了较低点位,衬底会通过较大电流进而影响芯片的使用寿命。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法、装置和NFC发射系统,以避免出现大电流,提高芯片的可靠性。
在一些实施例中,电源电路包括升压型开关变换器和低压线性稳压器,所述方法包括:
在电源上电的情况下,控制升压型开关变换器启动,并实时获取升压型开关变换器的第一输出电压;在第一输出电压大于第一阈值的情况下,控制低压线性稳压器启动;在第一输出电压等于第一初始电压、且第二输出电压等于第二初始电压的情况下,控制升压型开关变换器切换工作模式,以使第一输出电压达到第一目标电压;控制低压线性稳压器升压,以使第二输出电压达到第二目标电压;其中,第一阈值小于第一初始电压。
在一些实施例中,所述装置包括:处理器和存储有程序指令的存储器,所述处理器被配置为在运行所述程序指令时,执行如前述的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法。
在一些实施例中,所述NFC发射系统包括:NFC发射电路;电源电路,用于为NFC发射电路供电,包括升压型开关变换器和低压线性稳压器;如前述的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置。
本公开实施例提供的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法、装置和NFC发射系统,可以实现以下技术效果:
本公开实施例中,在上电时,根据升压型开关变换器的第一输出电压的变化情况,控制低压线性稳压器的启动时机。而后,基于第一输出电压和低压线性稳压器的的第二输出电压的大小,切换升压型开关变换器的工作模式,先后完成升压型开关变换器和低压线性稳压器的升压。如此,通过严格的时序控制升压型开关变换器和低压线性稳压器的升压工作。从而避免功率管衬底在切换供电电压时产生大电流影响芯片的可靠性。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的,不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明,这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件,附图不构成比例限制,并且其中:
图1是本公开实施例提供的一个NFC发射系统的结构示意图;
图2是本公开实施例提供的一个用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法的示意图;
图3是本公开实施例提供的一个NFC发射系统的电路结构示意图;
图4是本公开实施例提供的另一个用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法的示意图;
图5是本公开实施例提供的另一个用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法的示意图;
图6是本公开实施例提供的用于NFC发射系统的电源上下电时序图;
图7是本公开实施例提供的一个用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置的示意图;
图8是本公开实施例提供的另一个NFC发射系统的结构图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容,下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述,所附附图仅供参考说明之用,并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中,为方便解释起见,通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而,在没有这些细节的情况下,一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下,为简化附图,熟知的结构和装置可以简化展示。
本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
除非另有说明,术语“多个”表示两个或两个以上。
本公开实施例中,字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如,A/B表示:A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系,表示可以存在三种关系。例如,A和/或B,表示:A或B,或,A和B这三种关系。
术语“对应”可以指的是一种关联关系或绑定关系,A与B相对应指的是A与B之间是一种关联关系或绑定关系。
结合图1,NFC发射系统包括NFC发射电路和电源电源。电源电路包括升压型开关变换器和低压线性稳压器;其中,升压型开关变换器的输入电压(即电源电压)为电池电压VBAT,输出电压为VDDBOOST,第一负载电容为Cboost。低压线性稳压器的输入电压为VDDBOOST(即升压型开关变换器的输出电压),输出电压为VDDPA,第二负载电容为Cpa。LDO的输出电压为发射电路供电,驱动天线发射场Field。
其中,升压型DC-DC变换器的工作模式包括bypass模式和boost升压模式。bypass模式下,升压型DC-DC变换器的电流受限制。boost升压模式下,输出电压升压至对应的目标电压。且升压型DC-DC变换器的电路中包括功率管PM1,该功率管的衬底电压为升压型DC-DC变换器的输入电压或输出电压;输出电压随着升压型DC-DC变换器的工作状态变化。在电源电路上电或下电的过程中,在功率管的衬底电压切换至对应的电源时,如果衬底电源处于较低点位,则衬底会通过较大的电流,进而影响芯片的使用寿命。
结合图2所示,本公开实施例提供一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法,包括:
S101,在电源电路上电的情况下,处理器控制升压型开关变换器启动,并实时获取升压型开关变换器的第一输出电压。
S102,在第一输出电压大于第一阈值的情况下,处理器控制低压线性稳压器启动。
S103,在第一输出电压等于第一初始电压、且第二输出电压等于第二初始电压的情况下,处理器控制升压型开关变换器切换工作模式,以使第一输出电压达到第一目标电压。
S104,处理器控制低压线性稳压器升压,以使第二输出电压达到第二目标电压。
这里,在电源电路上电时,升压型DC-DC变换器和LDO的使能端使能。升压型DC-DC变换器启动导通,对第一负载电容Cboost充电。此时升压型DC-DC变换器工作于bypass模式,充电电流处于限流状态;但第一输出电压逐渐升高。当升压型DC-DC变换器的第一输出电压达到第一阈值电压时,LDO启动导通。而后,升压型DC-DC变换器的第一输出电压继续升高至第一初始电压。其中,第一初始电压为电池电压VBAT。LDO的第二输出电压也逐渐升高至第二初始电压。
进而,在升压型DC-DC变换器和LDO的输出电压均达到对应的初始电压后,控制升压型DC-DC变换器切换工作模式。第一输出电压按照预设升压参数进行升压,直至达到第一目标电压。在boost升压模式,第一输出电压大于第一初始电压,故升压型DC-DC变换器的功率管PM1在切换衬底电压时,不会使衬底电压接到低点位的电压。从而避免影响芯片的使用寿命,有助于提高芯片的稳定性。
在升压型DC-DC变换器的第一输出电压达到第一目标电压后,LDO输出电压升压至第二目标电压。从而NFC发射电路工作发射载波或调制波。
采用本公开实施例提供的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法,在上电时,根据升压型开关变换器的第一输出电压的变化情况,控制低压线性稳压器的启动时机。而后,基于第一输出电压和低压线性稳压器的的第二输出电压的大小,切换升压型开关变换器的工作模式,先后完成升压型开关变换器和低压线性稳压器的升压。如此,通过严格的时序控制升压型开关变换器和低压线性稳压器的升压工作。从而避免功率管衬底在切换电压时产生大电流影响芯片的可靠性。
可选地,步骤S103,处理器控制升压型开关变换器切换工作模式包括:
处理器将升压型开关变换器由bypass模式切换至boost升压模式。
其中,在bypass模式时,升压型开关变换器的电流被限制且电流大小可调节。
这里,结合图3具体的电路结构进行说明。在bypass模式下,VDDBOOST<VBAT,Vmax=VBAT。开关SW1使所在支路处于断开状态,开关SW2使所在支路处于导通状态,第二PMOS管PM2导通,且电流由电流开关ITRIM控制(电流开关ITRIM控制不同的电流源导通,从而使得充电电流可调)。第一PMOS管PM1即升压型开关变换器的功率管与第二PMOS管PM2为电流镜管,故第一PMOS管的电流也可调节。同时,该过程中对第一负载电容Cboost充电,第一输出电压逐步增大。在切换为boost升压模式后,VDDBOOST>VBAT,Vmax=VDDBOOST,开关SW1使所在支路处于导通状态,开关SW2使所在支路处于断开状态,第一PMOS管PM1的栅极电压VG由Driver控制,第一PMOS管PM1和第一NMOS管NM1交替导通,以实现boost升压。
此外,在boost升压模式模式时,第一输出电压可以按照每Δtboost时间升压ΔVboost,直至升至第一目标电压。其中,ΔVboost和Δtboost可根据需要设置。
可选地,步骤S102,处理器控制低压线性稳压器启动后,还包括:
处理器控制低压线性稳压器的电流小于或等于最大充电电流;且,控制低压线性稳压器的第二初始电压,使第二初始电压小于第一初始电压。
在LDO启动第二输出电压升至第二初始电压的过程中,升压型DC-DC变换器处于bypass模式。故这里控制LDO的电流小于或等于最大充电电流,具体地,可通过LDO的过流保护电路控制电流的最大值。这样,与bypass模式的限流共同限制电流。即通过双重保护机制共同限制电流。
结合图4所示,本公开实施例提供另一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法,包括:
S201,在电源电路上电的情况下,处理器控制升压型开关变换器启动,并实时获取升压型开关变换器的第一输出电压。
S202,在第一输出电压大于第一阈值的情况下,处理器控制低压线性稳压器启动。
S203,在第一输出电压等于第一初始电压、且第二输出电压等于第二初始电压的情况下,处理器控制升压型开关变换器切换工作模式。
S204,在第一输出电压大于第一初始电压的情况下,处理器控制功率管的供电电压由第一初始电压切换至第一输出电压。
S205,在第一输出电压达到第一目标电压后,处理器控制低压线性稳压器升压,以使第二输出电压达到第二目标电压。
这里,在升压型开关变换器由bypass模式切换至boost升压模式后,第一输出电压增大,在第一输出电压大于第一初始电压时,将功率管PM1的衬底电压由VBAT切换至VDDBOOST,即Vmax由VBAT变为VDDBOOST。这样,功率管PM1在切换衬底电压时,不会使衬底电压接到低点位的电压。从而避免影响芯片的使用寿命,有助于提高芯片的稳定性。
结合图5所示,本公开实施例提供另一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法,包括:
S101,在电源电路上电的情况下,处理器控制升压型开关变换器启动,并实时获取升压型开关变换器的第一输出电压。
S102,在第一输出电压大于第一阈值的情况下,处理器控制低压线性稳压器启动。
S103,在第一输出电压等于第一初始电压、且第二输出电压等于第二初始电压的情况下,处理器控制升压型开关变换器切换工作模式,以使第一输出电压达到第一目标电压。
S104,处理器控制低压线性稳压器升压,以使第二输出电压达到第二目标电压。
S305,在电源电路下电的情况下,处理器控制NFC发射系统和低压线性稳压器先后关闭。
S306,处理器控制升压型开关变换器放电。
S307,处理器根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型开关变换器的状态。
这里,主要针对电源电路下电过程进行时序控制。具体地,下电时,先关闭NFC发射系统,再关闭LDO。而后控制升压型DC-DC变换器进行放电;在放电过程中,监测第一输出电压。根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型DC-DC变换器的状态。具体地,可以是在第一输出电压大于第一初始电压时,控制升压型DC-DC变换器保持当前的放电状态,即升压型DC-DC变换器仍处于开启状态。在第一输出电压降至第一初始电压时,控制升压型DC-DC变换器关闭。这样,在升压型DC-DC变换器关闭前,控制第一输出电压降至第一初始电压,而不是降至较低的电压。使得在功率管进行衬底电压切换时,衬底电压不会接到低位点的电压。从而避免下电时,功率管衬底的电流较大。
可选地,步骤S306,控制升压型开关变换器放电,包括:
处理器开启升压型开关变换器的放电通路。
处理器控制第一输出电压按照预设周期和预设变化量降压;或者,控制第一输出电压以预设电压为目标值进行降压。
结合图3,放电通路开启是指开关SW4所在支路导通,以与第一负载电容Cboost构成放电回路。其中RDISCHG是放电电阻。启动升压型DC-DC变换器的放电通路,第一输出电压VDDBOOST有两种降压方式。方式一,VDDBOOST按照每Δtboost_f时间降压ΔVboost_f,ΔVboost_f和Δtboost_f可基于需求进行配置。该方式下控制VDDBOOST降压的目标电压是VBAT。方式二,将VDDBOOST目标值配置为预设电压,预设电压为很小的值,VDDBOOST降压。
可选地,在控制第一输出电压按照预设周期和预设变化量降压的情况下,步骤S307,处理器根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型开关变换器的状态包括:
在第一输出电压降至第一初始电压的情况下,处理器控制放电通路关闭且升压型开关变换器关闭。
这里,第一输出电压VDDBOOST采用上述的方式一降压时,降压的目标电压是第一初始电压。即第一输出电压降至第一初始电压后,放电通路关闭且升压型开关变换器关闭。
可选地,在控制第一输出电压以预设电压为目标值进行降压的情况下,步骤S307,处理器根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型开关变换器的状态包括:
在第一输出电压与第一初始电压的差值小于第二阈值、且放电指示信号为高电平的情况下,处理器控制放电通路关闭且升压型开关变换器关闭。
这里,第一输出电压VDDBOOST采用上述的方式二降压时,降压的目标电压是预设电压。在降压过程中,实时获得第一输出电压VDDBOOST与第一初始电压VBAT的差值ΔV=VDDBOOST-VBAT。在差值大于或等于第二阈值时,保持放电通路的导通。在差值小于第二阈值时,放电指示信号置为高电平。此时,控制放电通路关闭且升压型开关变换器关闭。此外,可以理解地,在升压型开关变换器关闭后,放电指示信号复位。
可选地,步骤S307,处理器控制升压型开关变换器关闭,还包括:
处理器保持升压型开关变换器中的下拉通路处于断开状态。
结合图3所示,下拉通路是指开关SW3所在支路,在升压型开关变换器关闭时,保持该支路的断开状态。这是因为第二负载电容Cboost阻值大,在上电过程中,需要消耗很大的功耗对Cboost充电。为了在polling过程(即NFC寻卡过程)中平均功耗维持在较低的值,在升压型开关变换器关闭时,保持该支路的断开状态。这样,VDDBOOST呈现高阻,Cboost使VDDBOOST在下次上电时仍维持在一个较大的值,第一输出电压升到VBAT不需要对电容充太多的电。
结合图6,对电源电路的上下电过程进行说明。
一、上电过程:
t1阶段:升压型开关变换器的使能端DCDC_EN和低压线性稳压器的使能端LDO_EN使能,升压型开关变换器开启导通电容Cboost充电,且升压型开关变换器工作于bypass模式,第一输出电压VDDBOOST逐渐升到VBAT电压。在bypass模式,通过ITRIM进行电流源的调节;即控制电流源组合成不同的电流。
t2阶段:在第一输出电压VDDBOOST达到第一阈值时,LDO启动;第二输出电压VDDPA升压至第二初始电压;第二初始电压小于VBAT。该过程中,LDO过流保护,且电流也可调。具体地,将LDO的流过功率管PM2的负载电流按照一定值(如1000:1)镜像成一个比较小的电流;比较该电流和电流阈值,使得该电流处于小于或等于电流阈值的状态;其中,电流阈值的大小可基于需求设置。
t3阶段:升压型开关变换器由bypass模式切换至boost升压模式;VDDBOOST按照每Δtboost时间升压ΔVboost,直至升到第一目标电压。同时,在boost升压模式时,比较VDDBOOST和VBAT的大小,在VDDBOOST大于VBAT时,将功率管PM1的衬底电压由VBAT切换至VDDBOOST。
t4阶段:LDO的第二输出电压VDDPA按照每Δtpa时间升压ΔVpa,直至升到第二目标电压。其中,ΔVpa和Δtpa可配置。最后,打开发射电路发射载波或者调制波
二、下电过程:
首先,依次关闭发射电路和LDO(即TX_EN和LDO_EN先后不使能),且LDO关闭时下拉电阻导通,第二输出电压VDDPA快速放电到较小的值。
其次,t5阶段:升压型开关变换器放电通路导通,第一输出电压VDDBOOST放电,如图t5阶段实线或虚线所示,VDDBOOST有两种降压方式。方式一,在VDDBOOST降压至VBAT时,关闭放电通路和升压型开关变换器。方式二,在VDDBOOST降压时,比较VDDBOOST与VBAT的差值和第二阈值的大小,在差值小于第二阈值时,放电完成指示DISCHG_DONE为高电平,关闭放电通路和升压型开关变换器。此外,在关闭升压型开关变换器前,将功率管PM1的衬底电压由VDDBOOST切换至VBAT。
结合图7所示,本公开实施例提供一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置200,包括处理器(processor)100和存储器(memory)101。可选地,该装置10还可以包括通信接口(Communication Interface)102和总线103。其中,处理器100、通信接口102、存储器101可以通过总线103完成相互间的通信。通信接口102可以用于信息传输。处理器100可以调用存储器101中的逻辑指令,以执行上述实施例的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法。
此外,上述的存储器101中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
存储器101作为一种计算机可读存储介质,可用于存储软件程序、计算机可执行程序,如本公开实施例中的方法对应的程序指令/模块。处理器100通过运行存储在存储器101中的程序指令/模块,从而执行功能应用以及数据处理,即实现上述实施例中用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法。
存储器101可包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序;存储数据区可存储根据终端设备的使用所创建的数据等。此外,存储器101可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器。
结合图8所示,本公开实施例提供了一种NFC发射系统,包括:NFC发射电路;电源电路,用于为NFC发射电路供电,包括升压型开关变换器和低压线性稳压器;以及上述的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置200。用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置200安装于NFC发射系统本体。这里所表述的安装关系,并不仅限于在产品本体的内部放置,还包括了与产品100的其他元器件的安装连接,包括但不限于物理连接、电性连接或者信号传输连接等。本领域技术人员可以理解的是,用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置200可以适配于可行的产品主体,进而实现其他可行的实施例。
本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质,存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令设置为执行上述用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法。
本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括一个或多个指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本公开实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质可以是非暂态存储介质,例如:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等多种可以存储程序代码的介质。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例,以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求,否则单独的部件和功能是可选的,并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且,本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的,除非上下文清楚地表明,否则单数形式的“一个”(a)、“一个”(an)和“所述”(the)旨在同样包括复数形式。类似地,如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外,当用于本申请中时,术语“包括”(comprise)及其变型“包括”(comprises)和/或包括(comprising)等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素,和/或组件的存在,但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个…”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中,每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言,如果其与实施例公开的方法部分相对应,那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。所述技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。所述技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
本文所披露的实施例中,所揭露的方法、产品(包括但不限于装置、设备等),可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,可以仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另外,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外,在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中,不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生,有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如,两个连续的操作或步骤实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
Claims (10)
1.一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法,其特征在于,电源电路包括升压型开关变换器和低压线性稳压器,所述方法包括:
在电源电路上电的情况下,控制升压型开关变换器启动,并实时获取升压型开关变换器的第一输出电压;
在第一输出电压大于第一阈值的情况下,控制低压线性稳压器启动;
在第一输出电压等于第一初始电压、且第二输出电压等于第二初始电压的情况下,控制升压型开关变换器切换工作模式,以使第一输出电压达到第一目标电压;
控制低压线性稳压器升压,以使第二输出电压达到第二目标电压;
其中,第一阈值小于第一初始电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,控制升压型开关变换器切换工作模式包括:
将升压型开关变换器由bypass模式切换至boost升压模式;
其中,在bypass模式时,升压型开关变换器的电流被限制且电流大小可调节。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,升压型开关变换器包括功率管,在控制升压型开关变换器切换运行模式之后,还包括:
在第一输出电压大于第一初始电压的情况下,控制功率管的衬底电压由第一初始电压切换至第一输出电压。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在控制低压线性稳压器启动之后,还包括:
控制低压线性稳压器的电流小于或等于最大充电电流;且,
控制低压线性稳压器的第二初始电压,使第二初始电压小于第一初始电压。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,还包括:
在电源电路下电的情况下,控制NFC发射系统和低压线性稳压器先后关闭;
控制升压型开关变换器放电;
根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型开关变换器的状态。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,控制升压型开关变换器放电,包括:
开启升压型开关变换器的放电通路;
控制第一输出电压按照预设周期和预设变化量降压;或者,控制第一输出电压以预设电压为目标值进行降压。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在控制第一输出电压按照预设周期和预设变化量降压的情况下,根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型开关变换器的状态包括:
在第一输出电压降至第一初始电压的情况下,控制放电通路关闭且升压型开关变换器关闭。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在控制第一输出电压以预设电压为目标值进行降压的情况下,根据第一输出电压和第一初始电压,控制升压型开关变换器的状态包括:
在第一输出电压与第一初始电压的差值小于第二阈值、且放电指示信号为高电平的情况下,控制放电通路关闭且升压型开关变换器关闭。
9.一种用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置,包括处理器和存储有程序指令的存储器,其特征在于,所述处理器被配置为在运行所述程序指令时,执行如权利要求1至8任一项所述的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制方法。
10.一种NFC发射系统,其特征在于,包括:
NFC发射电路;
电源电路,用于为NFC发射电路供电,包括升压型开关变换器和低压线性稳压器;
如权利要求9所述的用于NFC发射系统的电源上下电时序控制装置。
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CN202311542317.3A CN117728646A (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 用于nfc发射系统的电源上下电时序控制方法及装置、系统 |
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CN202311542317.3A CN117728646A (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 用于nfc发射系统的电源上下电时序控制方法及装置、系统 |
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CN117728646A true CN117728646A (zh) | 2024-03-19 |
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CN202311542317.3A Pending CN117728646A (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 用于nfc发射系统的电源上下电时序控制方法及装置、系统 |
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2023
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