CN117713851A - 谐波抑制电路、射频前端模组、无线通信方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请适用于终端技术领域，提供了一种谐波抑制电路、射频前端模组、无线通信方法及电子设备。谐波抑制电路包括功放匹配模块、谐波抑制模块、谐波抑制增强模块以及谐波抑制控制模块；谐波抑制增强模块用于在开启状态下与谐波抑制模块共同对射频前端模组中的射频功率放大器产生的高阶谐波进行抑制；谐波抑制控制模块用于在电子设备为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，关断谐波抑制增强模块；以及用于在电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且电子设备在收发信号时采用的目标发射频段与目标接收频段之间存在能量干扰关系时，开启谐波抑制增强模块，从而能够在满足谐波抑制需求的同时兼顾到谐波抑制电路的带内损耗。

Description

谐波抑制电路、射频前端模组、无线通信方法及电子设备

技术领域

本申请涉及终端技术领域，尤其涉及一种谐波抑制电路、射频前端模组、无线通信方法及电子设备。

背景技术

射频前端(radio frequency front-end，RFFE)模组是电子设备或基站等实现无线通信功能必不可少的组件。目前，随着移动通信技术所支持的通信频段的不断扩宽，RFFE模组中会集成越来越多分别用于支持不同通信频段的信号收发通路。当电子设备采用RFFE模组中的不同通信频段对应的信号收发通路分别进行信号的发射和接收时，信号发射通路产生的高阶谐波辐射的能量可能会对信号接收过程造成干扰，从而导致下行信号的吞吐量受限。

为了提高下行信号的吞吐量，一种常用的解决方案是在RFFE模组的信号发射通路中直接增设用于抑制高阶谐波的谐波抑制网络，然而，由于谐波抑制网络的谐波抑制效果与谐波抑制网络的带内损耗呈反比关系，因此，直接在RFFE模组的信号发射通路中增设谐波抑制网络的方案无法同时兼顾到谐波抑制网络的谐波抑制效果和带内损耗。

发明内容

本申请实施例提供一种谐波抑制电路、射频前端模组、无线通信方法及电子设备，能够在满足谐波抑制需求的同时兼顾到谐波抑制电路的带内损耗。

第一方面，本申请实施例提供一种谐波抑制电路，应用在电子设备的射频前端模组中，所述谐波抑制电路包括功放匹配模块、谐波抑制模块、谐波抑制增强模块以及谐波抑制控制模块；

所述功放匹配模块，连接在所述谐波抑制模块与所述射频前端模组中的射频功率放大器之间，用于将所述射频功率放大器的输出阻抗与后级电路的阻抗进行功率匹配；

所述谐波抑制模块，与所述射频前端模组中的频段选择开关芯片的固定端连接，用于对所述射频功率放大器在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制；

所述谐波抑制增强模块，与所述频段选择开关芯片的所述固定端连接，用于在处于开启状态时，与所述谐波抑制模块共同对所述高阶谐波进行抑制；

所述谐波抑制控制模块，与所述谐波抑制增强模块连接，用于在所述电子设备为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，关断所述谐波抑制增强模块；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间不存在能量干扰关系时，关断所述谐波抑制增强模块；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述目标发射频段与所述目标接收频段之间存在能量干扰关系时，开启所述谐波抑制增强模块。

根据本申请实施例提供的谐波抑制电路，通过在谐波抑制电路中设置可被开启或关断的谐波抑制增强模块以及用于对谐波抑制增强模块进行开关控制的谐波抑制控制模块，使谐波抑制控制模块在当前电子设备为支持SA模式的单SIM卡设备时关断谐波抑制增强模块，仅通过谐波抑制模块对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，从而能够在实现谐波抑制功能的同时降低谐波抑制电路的带内损耗；在当前电子设备为双SIM卡设备或支持NAS模式的单SIM卡设备，且当前电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间存在干扰关系时，开启谐波抑制增强模块，通过谐波抑制模块和谐波抑制增强模块共同对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，从而能够最大限度地减弱高阶谐波产生的能量对信号接收过程的影响，提高下行信号的吞吐量。可见，本申请实施例提供的谐波抑制电路可以根据当前电子设备的实际谐波抑制需求，采用与该实际谐波抑制需求相匹配的谐波抑制能力对射频PA产生的高阶谐波进行抑制，从而可以同时兼顾到谐波抑制电路的谐波抑制效果和带内损耗。

在第一方面的一种可选的实现方式中，所述谐波抑制控制模块中存储有干扰频段组合列表；所述干扰频段组合列表中包括一个或多个干扰频段组合，每个所述干扰频段组合包括存在能量干扰关系的一个发射频段和一个接收频段；

所述谐波抑制控制模块还与所述电子设备的应用处理器或射频控制器连接；

所述谐波抑制控制模块还用于接收目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值以及所述电子设备的设备类型，并根据所述预设标志位的值、所述设备类型以及所述干扰频段组合列表，生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号或用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号；其中，所述预设标志位的值来自所述应用处理器或所述射频控制器，所述预设标志位的值为所述目标发射频段或所述目标接收频段的频段标识。

在第一方面的一种可选的实现方式中，所述谐波抑制控制模块用于在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，生成所述关断控制信号；或者，用于在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时，生成所述关断控制信号；

所述谐波抑制控制模块还用于在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时，生成所述导通控制信号；其中，所述目标干扰频段组合为同时包括所述目标发射频段和所述目标接收频段的干扰频段组合。

根据本申请实施例提供的谐波抑制电路，通过将干扰频段组合列表配置在谐波抑制控制模块中，由谐波抑制控制模块基于电子设备的通信配置信息来确定是否开启或关断谐波抑制增强模块，从而可以减轻应用处理器的数据处理压力。

在第一方面的一种可选的实现方式中，所述电子设备的应用处理器或射频控制器中存储有干扰频段组合列表；所述干扰频段组合列表中包括一个或多个干扰频段组合，每个所述干扰频段组合包括存在能量干扰关系的一个发射频段和一个接收频段；

所述谐波抑制控制模块还与所述电子设备的应用处理器或射频控制器连接；

所述谐波抑制控制模块还用于接收来自所述应用处理器或所述射频控制器的关指示信号或开指示信号，并根据所述关指示信号生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号，或者，根据所述开指示信号生成用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号；

其中，所述关指示信号是所述应用处理器或所述射频控制器在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时生成的；或者，所述关指示信号是所述应用处理器或所述射频控制器在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中不存在与目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时生成的；所述开指示信号是所述应用处理器或所述射频控制器在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中存在所述目标干扰频段组合时生成的；所述目标干扰频段组合为同时包括所述目标发射频段和所述目标接收频段的干扰频段组合。

根据本申请实施例提供的谐波抑制电路，通过将干扰频段组合列表配置在应用处理器中，由应用处理器根据电子设备的通信配置信息来确定是否开启或关断谐波抑制增强模块，而谐波抑制控制模块只需根据应用处理器发送的开关指示信号执行相应的开关控制动作即可，其无需具备数据分析和处理能力，从而可以降低谐波抑制控制模块的实现成本。

在第一方面的一种可选的实现方式中，所述谐波抑制增强模块包括一个或多个可被开启或关断的陷波滤波器；

每个所述陷波滤波器均连接在所述频段选择开关芯片的固定端与地之间；

所述谐波抑制控制模块用于在所述电子设备为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，关断所有所述陷波滤波器；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间不存在能量干扰关系时，关断所有所述陷波滤波器；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述目标发射频段与目标接收频段之间存在能量干扰关系时，开启一个或多个所述陷波滤波器。

在第一方面的一种可选的实现方式中，每个所述陷波滤波器均包括串联连接的第一电容、第一开关及第一电感；

所有所述第一开关的受控端均与所述谐波抑制控制模块连接。

根据本申请实施例提供的谐波抑制电路，通过在谐波抑制增强模块中设置一个或多个可被开启的陷波滤波器，可以实现对谐波抑制电路的谐波抑制度的调节。

第二方面，本申请实施例提供一种射频前端模组，包括一个或多个射频功率放大器、低噪声放大器、频段选择开关芯片、滤波器、天线开关芯片以及如第一方面的任一可选方式所述的谐波抑制电路；

所述射频前端模组的信号发射通路包括依次连接在射频收发器与天线之间的所述射频功率放大器、所述频段选择开关、所述滤波器以及所述天线开关芯片；所述谐波抑制电路连接在所述射频功率放大器与所述频段选择开关芯片之间；

所述射频前端模组的信号接收通路包括依次连接在所述射频收发器与所述天线之间的低噪声放大器、频段选择开关、滤波器以及天线开关芯片。

第三方面，本申请实施例提供一种无线通信方法，应用在电子设备中，所述电子设备包括如上述第二方面所述的射频前端模组，所述无线通信方法包括：

获取电子设备的通信配置信息，所述通信配置信息包括所述电子设备的设备类型以及所述电子设备与基站通信时预采用的目标通信频段；

基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，并基于所述开关控制信号对谐波抑制电路中的谐波抑制增强模块进行开关控制。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述干扰频段组合列表存储在谐波抑制控制模块中；所述获取电子设备的通信配置信息，包括：

在所述电子设备与基站进行通信的过程中，所述电子设备中的应用处理器或射频控制器从调制解调器中获取所述电子设备的通信配置信息；

对应地，在所述获取电子设备的通信配置信息之后，还包括：

所述应用处理器基于所述目标通信频段，向与所述目标通信频段对应的目标天线开关芯片和目标频段选择芯片发送对应的频段选择控制信号；

所述应用处理器将所述目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值置为所述目标通信频段的频段标识，并向所述谐波抑制控制模块发送所述预设标志位的值以及所述设备类型；

对应地，所述基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，所述谐波抑制控制模块生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号；

在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时，所述谐波抑制控制模块生成所述关断控制信号；

在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且干扰频段组合列表中存在所述目标干扰频段组合时，所述谐波抑制控制模块生成用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型，确定所述谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型；所述电平类型包括高电平和低电平；

在所述使能信号为低电平信号的情况下，所述谐波抑制控制模块生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号；

在所述使能信号为高电平信号的情况下，所述谐波抑制控制模块根据所述预设标志位的值和所述干扰频段组合列表，生成相应的开关控制信号。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述在所述使能信号为高电平信号的情况下，所述谐波抑制控制模块根据所述预设标志位的值和所述干扰频段组合列表，生成相应的开关控制信号，包括：

在所述干扰频段组合列表中存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合的情况下，所述谐波抑制控制模块生成用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号；

在所述干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合的情况下，所述谐波抑制控制模块生成所述关断控制信号。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述干扰频段组合列表存储在所述电子设备的应用处理器或射频控制器中；所述获取电子设备的通信配置信息，包括：

在所述电子设备与基站进行通信的过程中，所述应用处理器或所述射频控制器从调制解调器中获取所述电子设备的通信配置信息；

对应地，在所述获取电子设备的通信配置信息之后，还包括：

所述应用处理器或所述射频控制器基于所述目标通信频段，向与所述目标通信频段对应的目标天线开关芯片和目标频段选择芯片发送对应的频段选择控制信号；

对应地，所述基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

所述应用处理器或所述射频控制器将所述目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值置为所述目标通信频段的频段标识，并根据所述预设标志位的值、所述设备类型以及所述干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，并向谐波抑制控制模块发送所述开关指示信号；

所述谐波抑制控制模块基于所述开关指示信号生成对应的开关控制信号。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述根据所述预设标志位的值、所述设备类型以及所述干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，包括：

在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，所述应用处理器或所述射频控制器生成关指示信号；所述关指示信号用于指示谐波抑制控制模块关断谐波抑制增强模块；

在所述设备类型为双SIM卡设备或者支持非独立组网模式的单SIM卡设备时，若所述干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合，则所述应用处理器或所述射频控制器生成所述关指示信号；

在所述设备类型为双SIM卡设备或者支持非独立组网模式的单SIM卡设备时，若所述干扰频段组合列表中存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合，则所述应用处理器或所述射频控制器生成开指示信号；所述关指示信号用于指示谐波抑制控制模块开启谐波抑制增强模块。

在第二方面的一种可选的实现方式中，所述谐波抑制控制模块基于所述开关指示信号生成对应的开关控制信号，包括：

在所述开关指示信号为关指示信号时，所述谐波抑制控制模块生成关断控制信号；

在所述开关指示信号为开指示信号时，所述谐波抑制控制模块生成导通控制信号。

第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括应用处理器以及如上述第二方面所述的射频前端模组，所述应用处理器与所述射频前端模组连接。

第五方面，本申请实施例提供另一种电子设备，包括应用处理器、射频控制器以及如上述第二方面所述的射频前端模组，所述应用处理器与所述射频控制器连接，所述射频控制器与所述射频前端模组连接。

可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。

附图说明

图1为电子设备中一种常用的移动通信模块的示意性结构图；

图2为一种常用的射频前端模组的示意性结构图；

图3为一种采用分腔屏蔽技术的射频前端模组的示意性结构图；

图4为本申请实施例提供的一种谐波抑制电路的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种谐波抑制电路的电路原理示意图；

图6为本申请实施例提供的一种射频前端模组的示意性结构图；

图7为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种无线通信方法的示意性流程图；

图9为本申请实施例提供的一种无线通信方法中S804的具体实现流程图；

图10为本申请另一实施例提供的一种无线通信方法的示意性流程图；

图11为本申请又一实施例提供的一种无线通信方法的示意性流程图；

图12为本申请又一实施例提供的一种无线通信方法的示意性流程图；

图13为本申请实施例提供的一种谐波抑制电路的带内损耗和谐波抑制效果的示意图。

具体实施方式

需要说明的是，本申请实施例的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，A/B可以表示A或B；本文中的“和/或”仅仅是一种描述关联物的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个，“至少一个”、“一个或多个”是指一个、两个或两个以上。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

为了便于理解，首先对本申请实施例中涉及的相关概念进行说明。

1、移动通信模块

移动通信模块用于提供应用在电子设备(例如手机)上的第二代移动通信技术(2th generation mobile communication technology，2G)、第三代移动通信技术(3thgeneration mobile communication technology，3G)、第四代移动通信技术(4thgeneration mobile communication technology，4G)和/或第五代移动通信技术(5thgeneration mobile communication technology，5G)等无线通信技术的解决方案。

示例性的，请参阅图1，为电子设备中一种常用的移动通信模块的示意性结构图。

如图1所示，该移动通信模块10可以包括基带处理单元101和射频单元102。其中，基带处理单元101可以与射频单元102以及电子设备的应用处理器连接。

具体地，在信号发射过程中，基带处理单元101可以将待发送的低频基带信号调制为中高频数字信号，并可以将中高频数字信号发送给射频单元102。在信号接收过程中，基带处理单元101可以将来自射频单元102的高频电磁波信号解调为低频基带信号。

在实际应用中，基带处理单元101可以包括调制解调器(modem)。调制解调器除了用于提供信号调制和信号解调等功能之外，还可以用于存储电子设备的通信配置信息。关于电子设备的通信配置信息的具体含义将在下文进行详细介绍，此处暂不进行详述。

射频单元102可以包括射频收发器1021、射频前端(radio frequency front-end，RFFE)模组1022以及天线1023。其中，RFFE模组1022可以连接在射频收发器1021与天线1023之间，射频收发器1021可以与基带处理单元101连接。

可选的，如图1中的(a)所示，在电子设备中不包括射频控制器的情况下，RFFE模组1022还可以通过数据总线直接与应用处理器连接。

可选的，如图1中的(b)所示，在电子设备中包括射频控制器的情况下，RFFE模组1022还可以通过数据总线与射频控制器连接，射频控制器可以通过总线与应用处理器连接。

具体地，在信号发射过程中，射频收发器1021可以将来自基带处理单元101的中高频数字信号调制为高频电磁波信号，RFFE模组1022可以对该高频电磁波信号进行功率放大处理和/或滤波处理等，并将经功率放大处理和/或滤波处理后的高频电磁波信号通过天线1023辐射出去。在信号接收过程中，RFFE模组1022可以对天线1023接收到的高频电磁波信号进行滤波处理和/或低噪声放大处理等，射频收发器1021可以将经滤波处理和/或低噪声放大处理后的高频电磁波信号解调为中高频数字信号，并将中高频数字信号发送给基带处理单元101。

示例性的，请参阅图2，为一种常用的RFFE模组的示意性结构图。如图2所示，RFFE模组1022可以包括一个或多个射频功率放大器(power amplifier，PA)、一个或多个低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)、一个或多个频段选择开关(band switching，BSW)芯片、一个或多个滤波器以及一个或多个天线开关(antenna switching module，ASM)芯片等。

具体地，RFFE模组1022的信号发射通路可以包括射频PA、BSW芯片、滤波器以及ASM芯片。其中，射频PA的输入端可以用于连接射频收发器1021，射频PA的输出端可以与一个BSW芯片的固定端连接，该BSW芯片的多个活动端可以用于分别连接不同滤波器的第一端，每个滤波器的第二端可以分别与ASM芯片的一个不同的活动端连接，ASM芯片的固定端可以用于连接天线1023。射频PA可以用于在信号发射过程中对来自射频收发器1021的高频电磁波信号进行功率放大处理。BWS芯片和ASM芯片可以用于基于频段选择控制信号，接通频段选择控制信号所指示的目标通信频段对应的信号收发通路。

RFFE模组1022的信号接收通路可以包括LNA、BSW芯片、滤波器以及ASM芯片。其中，LNA的输出端可以用于连接射频收发器1021，LNA的输入端可以与BSW芯片的一个固定端连接，或者LNA的输入端可以直接与滤波器的第一端连接，BSW芯片的多个活动端可以用于分别连接不同滤波器的第一端，每个滤波器的第二端可以分别与ASM芯片的一个不同的活动端连接，ASM芯片的固定端可以用于连接天线1023。LNA可以用于在信号接收过程中对来自天线1023的高频电磁波信号进行低噪声放大处理。

在具体应用中，可以通过将射频PA、LNA、滤波器、BSW芯片及ASM芯片等分立元件集成在同一个模组中形成RFFE模组1022，从而实现RFFE模组1022的集成化。

目前，随着移动通信技术所支持的通信频段的不断扩宽，RFFE模组1022的集成度会越来越高，具体体现在，RFFE模组1022中会集成越来越多分别用于支持不同通信频段的信号收发通路，所集成的通信频段例如可以涵盖低频、中频、高频，甚至超高频等通信频段。

其中，低频通信频段例如可以包括第三代合作伙伴计划(third generationpartnership project，3GPP)定义的B8频段和B28频段等。中频通信频段例如可以包括3GPP定义的B1频段和B3频段等。高频通信频段例如可以包括3GPP定义的B40频段和B41频段等。超高频通信频段例如可以包括3GPP定义的n78频段和n79频段等。需要说明的是，关于上述各个通信频段对应的具体频率范围可以参考现有技术中的相关描述，此处不进行详述。

2、5G的非独立组网(non-standalone，NSA)模式和独立组网(standalone，SA)模式

移动通信技术从4G完全发展为5G需要经过一段漫长的过程，在该过程中，为了让用户能够体验到5G的超高网速，又不浪费现有的4G网络资源，5G的NSA模式应运而生。

NSA模式对应的网络架构是一种过渡型网络架构。在NSA模式对应的网络架构中，4G基站与5G基站并存，或者，4G核心网与5G核心网并存。NSA模式通过充分利用现有的4G网络资源，可以实现5G的平滑引入和4G的顺利退网。

SA模式是5G演进的终极目标。SA模式对应的网络架构中通常仅包括5G基站和/或5G核心网等5G网络资源，其不会共用现有的4G网络资源。

3、单用户标识模块(subscriber identification module，SIM)卡设备

单SIM卡设备指支持单张SIM卡的电子设备。

在具体应用中，有些单SIM卡设备支持SA模式，有些单SIM卡设备支持NSA模式。

结合前述的描述可知，支持NSA模式的单SIM卡设备在信号收发过程中，RFFE模组1022中的4G通信频段对应的信号收发通路和5G通信频段对应的信号收发通路需要同时工作。具体地，通常需要通过4G通信频段对应的信号发射通路进行信号的发射，通过4G通信频段对应的信号接收通路和5G通信频段对应的信号接收通路共同进行信号的接收。

例如，对于采用4G通信频段中的B8频段(属于低频通信频段)与5G通信频段中的n41频段(属于中频通信频段)来实现NSA模式的单SIM卡设备而言，通常需要通过B8频段对应的信号发射通路进行信号的发射，通过B8频段对应的信号接收通路和n41频段对应的接收通路共同进行信号的接收。然而，在通过B8频段对应的信号发射通路发射信号时，信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波(例如三次谐波)辐射的能量会落入n41频段内，从而会降低下行信号的接收灵敏度，导致下行信号的吞吐量受限。

4、双SIM卡设备

双SIM卡设备指支持两张SIM卡的电子设备。

在双SIM卡设备中的两张SIM卡分别支持不同通信频段的情况下，双SIM卡设备在信号收发过程中可能也会存在上述发射通路产生的高阶谐波辐射的能量对接收通路造成影响的问题。例如，当双SIM卡设备通过5G通信频段中的n28频段(属于低频通信频段)对应的信号发射通路发射信号，且通过5G通信频段中的n1频段(属于中频通信频段)对应的信号接收通路接收信号时，n28频段对应的信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波辐射的能量会落入n1频段内，从而会降低下行信号的接收灵敏度，导致下行信号的吞吐量受限。

为了解决电子设备在收发信号时下行信号的吞吐量受限的技术问题，一种常用的解决方案是，采用分腔屏蔽技术将RFFE模组中的射频PA与其他电子元件进行物理隔离。示例性的，请参阅图3，为一种采用分腔屏蔽技术的RFFE模组结构示意图。如图3所示，通过在RFFE模组中的射频PA与其他电子元件之间设置物理屏蔽腔31，可以阻止射频PA产生的高阶谐波辐射的能量到达其他电子元件所在的物理空间中，从而减弱射频PA产生的高阶谐波辐射的能量对下行信号的接收灵敏度造成的影响，提高下行信号的吞吐量。然而，该物理隔离方式的封装工艺较为复杂，且对高阶谐波辐射的能量的屏蔽效果较差。

另一种常用的解决方案是，在RFFE模组的信号发射通路中直接增设用于抑制高阶谐波的谐波抑制网络。然而，由于谐波抑制网络的谐波抑制效果与谐波抑制网络的带内损耗呈反比关系，即谐波抑制网络的谐波抑制效果越好，其带内损耗会越大；谐波抑制网络的谐波抑制效果越差，其带内损耗会越小。因此，若追求谐波抑制网络的谐波抑制效果，则需要牺牲掉谐波抑制网络的带内损耗，也就是说，直接在RFFE模组的信号发射通路中增设谐波抑制网络的方案无法同时兼顾到谐波抑制网络的谐波抑制效果和RFFE模组的功耗。

有鉴于此，本申请实施例提供一种谐波抑制电路、射频前端模组、无线通信方法及电子设备，通过在射频前端模组中的射频PA与BSW芯片之间设置谐波抑制电路，并在谐波抑制电路中设置可被开启或关断的谐波抑制增强模块以及用于对谐波抑制增强模块进行开关控制的谐波抑制控制模块，使谐波抑制控制模块在当前电子设备为支持SA模式的单SIM卡设备时关断谐波抑制增强模块，仅通过谐波抑制模块对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，从而能够在实现谐波抑制功能的同时降低谐波抑制电路的带内损耗；在当前电子设备为双SIM卡设备或支持NAS模式的单SIM卡设备，且当前电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间存在干扰关系时，开启谐波抑制增强模块，通过谐波抑制模块和谐波抑制增强模块共同对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，从而能够最大限度地减弱高阶谐波产生的能量对信号接收过程的影响，提高下行信号的吞吐量。可见，本申请实施例提供的谐波抑制电路可以根据当前电子设备的实际谐波抑制需求，采用与该实际谐波抑制需求相匹配的谐波抑制能力对射频PA产生的高阶谐波进行抑制，从而可以同时兼顾到谐波抑制电路的谐波抑制效果和带内损耗。

请参阅图4，为本申请实施例提供的一种谐波抑制电路的结构示意图。如图4所示，该谐波抑制电路40可以连接在RFFE模组的信号发射通路中的射频PA与BSW芯片之间，用于对信号发射过程中射频PA产生的高阶谐波进行抑制。需要说明的是，本申请实施例提供的谐波抑制电路40的谐波抑制度(即谐波抑制能力)是可调节的。

具体地，当该谐波抑制电路40被应用在支持SA模式的单SIM卡设备中时，由于支持SA模式的单SIM卡设备中的射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波辐射的能量对信号接收过程的干扰较小，因此，该情况下，可以相应地调低谐波抑制电路40的谐波抑制度，例如，可以将谐波抑制电路40的谐波抑制度调节为第一抑制度。其中，第一抑制度可以是能够使射频PA满足预设的线性度要求以及标准规定的辐射杂散要求的谐波抑制度，如此，既可以使射频PA满足预设的线性度要求以及标准规定的辐射杂散要求，又可以降低谐波抑制电路的带内损耗，从而降低支持SA模式的单SIM卡设备的功耗。

当该谐波抑制电路40被应用在双SIM卡设备或支持NSA模式的单SIM卡设备中时，由于双SIM卡设备或支持NSA模式的单SIM卡设备在采用存在能量干扰关系的发射频段和接收频段进行信号的收发时，信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波辐射的能量会落入接收频段内，从而对信号接收过程产生较大的干扰，因此，该情况下，可以相应地调高谐波抑制电路40的谐波抑制度，例如，可以将谐波抑制电路40的谐波抑制度调节为第二抑制度。其中，第二抑制度大于第一抑制度。第二抑制度能够使谐波抑制电路40对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，从而能够最大限度地减弱射频PA产生的高阶谐波辐射的能量对信号接收过程的干扰，提高下行信号的吞吐量。

可以理解的是，第一抑制度和第二抑制度并非两个具体的量化值，其分别是谐波抑制电路40在两种不同工作状态下的谐波抑制度。关于谐波抑制电路40的两种不同工作状态以及谐波抑制电路40的谐波抑制能力的具体调节方式将在下文中进行介绍，此处暂不进行详述。

请继续参阅图4，在一个具体的实现方式中，谐波抑制电路40可以包括功放匹配模块401、谐波抑制模块402、谐波抑制增强模块403以及谐波抑制控制模块404。

其中，功放匹配模块401可以与谐波抑制模块402以及射频PA连接，谐波抑制模块402和谐波抑制增强模块403可以共接于BSW芯片的固定端，谐波抑制控制模块404可以与谐波抑制增强模块403连接。

在一些实施例中，如图4中的(a)所示，在电子设备中不包括射频控制器的情况下，谐波抑制控制模块404可以通过数据总线与电子设备中的应用处理器连接。此外，RFFE模组中的射频PA、BSW芯片以及ASM芯片等也可以通过数据总线与应用处理器连接。基于此，应用处理器可以通过数据总线向射频PA、BSW芯片、ASM芯片以及谐波抑制控制模块404提供时钟信号和控制信号。

在另一些实施例中，如图4中的(b)所示，在电子设备中包括射频控制器的情况下，谐波抑制控制模块404可以通过数据总线与射频控制器连接。此外，RFFE模组中的射频PA、BSW芯片以及ASM芯片等也可以通过数据总线与射频控制器连接。射频控制器可以通过数据总线与电子设备中的应用处理器连接。基于此，射频控制器可以通过数据总线从应用处理器处获取时钟信号和控制信号，并将该提供时钟信号和控制信号提供给射频PA、BSW芯片、ASM芯片以及谐波抑制控制模块404。

具体地，功放匹配模块401可以用于将射频PA的输出阻抗与射频PA的后级电路的阻抗进行功率匹配，以减少后级电路的反射信号，实现射频PA输出功率的最大化传输。示例性的，功放匹配模块401可以通过将射频PA的输出阻抗转换为后级电路所需的阻抗(例如50欧姆)，从而实现射频PA的输出阻抗与射频PA的后级电路的阻抗的功率匹配。

其中，射频PA的后级电路可以指射频PA与天线之间的电路。

示例性的，功放匹配模块401可以包括由电容和/或电感等元件构成的T型匹配网络、L型匹配网络或π型匹配网络中的一种或任意多种的组合。

谐波抑制模块402可以用于对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，以使射频PA满足预设的线性度要求以及标准规定的辐射杂散要求。

示例性的，谐波抑制模块402可以包括一个或多个LC串联谐振网络，该一个或多个LC串联谐振网络可以连接在射频PA的输出端与地之间。其中，LC串联谐振网络可以由电感和电容串联而成。在具体应用中，谐波抑制模块402中的LC串联谐振网络的数量可以根据实际的谐波抑制需求设置。实际的谐波抑制需求例如可以为：使谐波抑制模块402能够对支持SA模式的单SIM卡设备中的射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制即可。

可以理解的是，由于谐波抑制模块402仅需对支持SA模式的单SIM卡设备中的射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，因此，谐波抑制模块402中的LC串联谐振网络的数量可以设置得相对较少，如此可以降低谐波抑制模块402的带内损耗，进而可以降低支持SA模式的单SIM卡设备在信号收发过程中的功耗。

在具体应用中，还可以将功放匹配模块401与谐波抑制模块402联合设计为同一个LC网络，通过该LC网络同时实现射频PA与后级电路的功率匹配功能以及谐波抑制功能。

本申请实施例中，谐波抑制增强模块403可以包括开启状态和关断状态这两种工作状态。

可选的，在谐波抑制增强模块403处于开启状态时，谐波抑制增强模块403可以用于对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制。该情况下，由于谐波抑制电路40能够通过谐波抑制增强模块403与谐波抑制模块402共同对射频PA产生的高阶谐波进行抑制，因此可以提高谐波抑制电路40的谐波抑制效果。可选的，在谐波抑制增强模块403处于关断状态时，由于谐波抑制电路40仅通过谐波抑制模块402对射频PA产生的高阶谐波进行抑制，因此可以在实现谐波抑制效果的同时，降低谐波抑制电路40的带内损耗。

基于此，可以将谐波抑制增强模块403在关断状态下的实际谐波抑制度定义为第一抑制度，将谐波抑制增强模块403在开启状态下的实际谐波抑制度定义为第二抑制度。

本申请实施例中，谐波抑制增强模块403的工作状态可以由谐波抑制控制模块404进行控制，即谐波抑制控制模块404可以用于对谐波抑制增强模块403进行开关控制。

具体地，在当前电子设备为支持SA模式的单SIM卡设备时，谐波抑制控制模块404可以关断谐波抑制增强模块403，如此既可以对射频PA在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制，又可以降低谐波抑制电路40的带内损耗，从而降低电子设备的功耗。

在当前电子设备为双SIM卡设备或支持NSA模式的单SIM卡设备，且当前电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间存在能量干扰关系时，谐波抑制控制模块404可以开启谐波抑制增强模块403，如此可以提高谐波抑制电路40的谐波抑制效果。

其中，当前电子设备可以为谐波抑制电路40所应用的电子设备。

可以理解的是，当电子设备采用某个发射频段和某个接收频段分别进行信号的发射和接收时，若该发射频段对应的信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波辐射的能量落入该接收频段内，则认为该发射频段和该接收频段之间存在能量干扰关系。

在具体应用中，可以预先定义一个干扰频段组合列表。该干扰频段组合列表可以用于存储在信号收发过程中存在能量干扰关系的发射频段与接收频段的组合。示例性的，该干扰频段组合列表中可以包括一个或多个干扰频段组合，每个干扰频段组合可以包括一个发射频段的频段标识和一个接收频段的频段标识。同一个干扰频段组合中的发射频段与接收频段之间存在能量干扰关系。也就是说，对于干扰频段组合列表中的任意一个干扰频段组合，在采用该干扰频段组合中的发射频段和接收频段进行信号的收发时，该发射频段对应的信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波辐射的能量会落入该干扰频段组合中的接收频段内，从而对信号接收过程造成干扰。示例性的，发射频段的频段标识可以为发射频段的频段编号，接收频段的频段标识可以为接收频段的频段编号，例如，B8频段的频段标识可以为B8。

示例性的，由于采用B8频段发射信号，且采用n41频段接收信号时，信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波辐射的能量会落入n41频段内，从而对信号接收过程产生干扰，因此干扰频段组合列表中可以包括由B8频段作为发射频段以及由n41频段作为接收频段的干扰频段组合。类似的，干扰频段组合列表中还可以包括由n28频段作为发射频段以及由n1频段作为接收频段的干扰频段组合。

在一个可选的实现方式中，干扰频段组合列表可以被预先配置在谐波抑制控制模块404中。基于此，在电子设备与基站进行通信的过程中，可以由谐波抑制控制模块404确定是否开启或关断谐波抑制增强模块403。

在另一个可选的实现方式中，干扰频段组合列表可以被预先配置在电子设备的应用处理器或射频控制器中。基于此，在电子设备与基站进行通信的过程中，可以由应用处理器或射频控制器确定是否开启或关断谐波抑制增强模块403。

需要说明的是，关于确定是否开启或关断谐波抑制增强模块403的具体过程将在后续实施例中进行详细描述，此处暂不进行详述。

请参阅图5，为本申请实施例提供的一种谐波抑制增强电路的电路原理示意图。如图5所示，谐波抑制电路40中的谐波抑制增强模块403可以包括至少一个陷波(notch)滤波器4031，该至少一个陷波滤波器4031可以并联连接在BSW芯片的固定端与地之间。

示例性的，每个陷波滤波器4031均可以由第一电容C1、第一开关S1以及第一电感L1串联而成。每个第一开关S1的受控端均可以与谐波抑制控制模块404连接。

基于此，当谐波抑制控制模块404需要关断谐波抑制增强模块403时，谐波抑制控制模块404可以向谐波抑制增强模块403中的所有第一开关S1均发送关断控制信号，以控制各个第一开关S1均关断，从而关断整个谐波抑制增强模块403。当谐波抑制控制模块404需要开启谐波抑制增强模块403时，谐波抑制控制模块404可以向谐波抑制增强模块403中的一个或多个第一开关S1发送导通控制信号，以控制该一个或多个第一开关S1导通，从而开启该一个或多个第一开关S1所在的陷波滤波器4031，即开启谐波抑制增强模块403。

在一些实施例中，关断控制信号可以为低电平信号，导通控制信号可以为高电平信号。在另一些实施例中，关断控制信号可以为高电平信号，导通控制信号可以为低电平控制信号。关断信号和导通信号的具体表现形式可以根据实际需求进行设置，此处对其不做特别限定。

具体地，在当前电子设备为支持SA模式的单SIM卡设备时，谐波抑制控制模块404可以向谐波抑制增强模块403中的所有第一开关S1均发送关断控制信号；在当前电子设备为双SIM卡设备或支持NSA模式的单SIM卡设备，且当前电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间存在能量干扰关系时，谐波抑制控制模块404可以向谐波抑制增强模块403中的一个或多个第一开关S1发送导通控制信号。

可以理解的是，在需要开启谐波抑制增强模块403时，谐波抑制控制模块404需要导通的第一开关S1的目标数量可以根据实际需要的谐波抑制效果来确定。示例性的，需要导通的第一开关管S1的目标数量可以被预先配置在谐波抑制控制模块404中。基于此，当谐波抑制控制模块404需要导通谐波抑制增强模块403时，可以向谐波抑制增强模块403中的任意目标数量个第一开关S1发送导通控制信号，以导通目标数量个第一开关S1。

本实施例通过在谐波抑制增强模块中设置一个或多个可被开启或关断的陷波滤波器，可以实现对谐波抑制电路的谐波抑制度的调节。

基于上述实施例提供的谐波抑制电路，本申请实施例还提供一种包括该谐波抑制电路的RFEE模组。请参阅图6，为本申请实施例提供的一种RFEE模组的结构示意图。

如图6所示，该RFEE模组可以包括一个或多个分别用于支持不同通信频段的信号收发通路10221。每个信号收发通路10221的信号发射通路中可以设置有图4或图5对应的实施例中的谐波抑制电路40，谐波抑制电路40可以连接在信号发射通路中的射频PA与BSW芯片之间。需要说明的是，关于RFEE模组中各个模块之间的连接关系以及各个模块的具体功能，可以参考前述实施例中的相关描述，此处不对其进行赘述。

基于上述实施例提供的RFEE模组，本申请实施例还提供一种包括该RFEE模组的电子设备。该电子设备例如可以为手机、平板电脑、可穿戴设备、车载设备、增强现实(augmented reality，AR)/虚拟现实(virtual reality，VR)设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本及个人数字助理(personaldigital assistant，PDA)等，本申请实施例对电子设备的具体类型不做任何限制。

以下以电子设备为手机为例，对本申请实施例提供的电子设备的结构进行说明。

请参阅图7，为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

如图7所示，电子设备700可以包括处理器710，外部存储器接口720，内部存储器721，通用串行总线(universal serial bus，USB)接口730，充电管理模块740，电源管理模块741，电池742，天线1，天线2，移动通信模块750，无线通信模块760，音频模块770，扬声器770A，受话器770B，麦克风770C，耳机接口770D，按键780，显示屏781，以及用户标识模块(subscriber identification module，SIM)卡接口722等。

处理器710可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器710可以包括应用处理器(application processor，AP)，调制解调处理器，图形处理器(graphics processingunit，GPU)，图像信号处理器(image signal processor，ISP)，控制器，视频编解码器，数字信号处理器(digital signal processor，DSP)，基带处理器，和/或神经网络处理器(neural-network processing unit，NPU)等。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器中。

控制器可以根据指令操作码和时序信号，产生操作控制信号，完成取指令和执行指令的控制。

处理器710中还可以设置存储器，用于存储指令和数据。在一些实施例中，处理器710中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器710刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器710需要再次使用该指令或数据，可从所述存储器中直接调用。避免了重复存取，减少了处理器710的等待时间，因而提高了系统的效率。

在一些实施例中，处理器710可以包括一个或多个接口。接口可以包括集成电路(inter-integrated circuit，I2C)接口，集成电路内置音频(inter-integrated circuitsound，I2S)接口，脉冲编码调制(pulse code modulation，PCM)接口，通用异步收发传输器(universal asynchronous receiver/transmitter，UART)接口，移动产业处理器接口(mobile industry processor interface，MIPI)，通用输入输出(general-purposeinput/output，GPIO)接口，SIM接口，和/或USB接口等。

I2C接口是一种双向同步串行总线，包括一根串行数据线(serial data line，SDA)和一根串行时钟线(derail clock line，SCL)。在一些实施例中，处理器710可以包含多组I2C总线。

I2S接口可以用于音频通信。在一些实施例中，处理器710可以包含多组I2S总线。处理器710可以通过I2S总线与音频模块770耦合，实现处理器710与音频模块770之间的通信。在一些实施例中，音频模块770可以通过I2S接口向无线通信模块760传递音频信号，实现通过蓝牙耳机接听电话的功能。

PCM接口也可以用于音频通信，将模拟信号抽样，量化和编码。在一些实施例中，音频模块770与无线通信模块760可以通过PCM总线接口耦合。在一些实施例中，音频模块770也可以通过PCM接口向无线通信模块760传递音频信号，实现通过蓝牙耳机接听电话的功能。所述I2S接口和所述PCM接口都可以用于音频通信。

UART接口是一种通用串行数据总线，用于异步通信。该总线可以为双向通信总线。它将要传输的数据在串行通信与并行通信之间转换。在一些实施例中，UART接口通常被用于连接处理器710与无线通信模块760。例如：处理器710通过UART接口与无线通信模块760中的蓝牙模块通信，实现蓝牙功能。在一些实施例中，音频模块770可以通过UART接口向无线通信模块760传递音频信号，实现通过蓝牙耳机播放音乐的功能。

MIPI接口可以被用于连接处理器710与显示屏781，摄像头193等外围器件。MIPI接口包括摄像头串行接口(camera serial interface，CSI)，显示屏串行接口(displayserial interface，DSI)等。在一些实施例中，处理器710和摄像头通过CSI接口通信，实现电子设备700的拍摄功能。处理器710和显示屏781通过DSI接口通信，实现电子设备700的显示功能。

GPIO接口可以通过软件配置。GPIO接口可以被配置为控制信号，也可被配置为数据信号。在一些实施例中，GPIO接口可以用于连接处理器710，显示屏781，无线通信模块760，音频模块770等。GPIO接口还可以被配置为I2C接口，I2S接口，UART接口，MIPI接口等。

USB接口730是符合USB标准规范的接口，具体可以是Mini USB接口，Micro USB接口，USB Type C接口等。USB接口730可以用于连接充电器为电子设备700充电，也可以用于电子设备700与外围设备之间传输数据。也可以用于连接耳机，通过耳机播放音频。该接口还可以用于连接其他电子设备，例如AR设备等。

可以理解的是，本申请实施例示意的各模块间的接口连接关系，只是示意性说明，并不构成对电子设备700的结构限定。在本申请的另一些实施例中，电子设备700也可以采用上述实施例中不同的接口连接方式，或多种接口连接方式的组合。

充电管理模块740用于从充电器接收充电输入。其中，充电器可以是无线充电器，也可以是有线充电器。在一些有线充电的实施例中，充电管理模块740可以通过USB接口730接收有线充电器的充电输入。在一些无线充电的实施例中，充电管理模块740可以通过电子设备700的无线充电线圈接收无线充电输入。充电管理模块740为电池742充电的同时，还可以通过电源管理模块741为电子设备供电。

电源管理模块741用于连接电池742，充电管理模块740与处理器710。电源管理模块741接收电池742和/或充电管理模块740的输入，为处理器710，内部存储器721，显示屏781，摄像头193，和无线通信模块760等供电。电源管理模块741还可以用于监测电池容量，电池循环次数，电池健康状态(漏电，阻抗)等参数。在其他一些实施例中，电源管理模块741也可以设置于处理器710中。在另一些实施例中，电源管理模块741和充电管理模块740也可以设置于同一个器件中。

电子设备700的无线通信功能可以通过天线1，天线2，移动通信模块750，无线通信模块760，调制解调处理器以及基带处理器等实现。

天线1和天线2用于发射和接收电磁波信号。电子设备700中的每个天线可用于覆盖单个或多个通信频带。不同的天线还可以复用，以提高天线的利用率。例如：可以将天线1复用为无线局域网的分集天线。在另外一些实施例中，天线可以和调谐开关结合使用。

移动通信模块750可以提供应用在电子设备700上的包括2G/3G/4G/5G等无线通信的解决方案。以图1所示的移动通信模块为例，移动通信模块750可以包括基带处理单元101和射频单元102。基带处理单元101可以与射频单元102以及电子设备的应用处理器连接。

具体地，在信号发射过程中，基带处理单元101可以将待发送的低频基带信号调制为中高频数字信号，并可以将中高频数字信号发送给射频单元102。在信号接收过程中，基带处理单元101可以将来自射频单元102的高频电磁波信号解调为低频基带信号。

在实际应用中，基带处理单元101可以包括调制解调器。调制解调器除了用于提供信号调制和信号解调等功能之外，还可以用于存储电子设备的通信配置信息。关于电子设备的通信配置信息的具体含义将在下文进行详细介绍，此处暂不进行详述。

射频单元102可以包括射频收发器1021、射频前端(radio frequency front-end，RFFE)模组1022以及天线1023。其中，RFFE模组1022可以连接在射频收发器1021与天线1023之间，射频收发器1021可以与基带处理单元101连接。

可选的，在电子设备中不包括射频控制器的情况下，RFFE模组1022还可以通过数据总线直接与应用处理器连接。

可选的，在电子设备中包括射频控制器的情况下，RFFE模组1022还可以通过数据总线与射频控制器连接，射频控制器可以通过总线与应用处理器连接。

具体地，在信号发射过程中，射频收发器1021可以将来自基带处理单元101的中高频数字信号调制为高频电磁波信号，RFFE模组1022可以对该高频电磁波信号进行功率放大处理和/或滤波处理等，并将经功率放大处理和/或滤波处理后的高频电磁波信号通过天线1023辐射出去。在信号接收过程中，RFFE模组1022可以对天线1023接收到的高频电磁波信号进行滤波处理和/或低噪声放大处理等，射频收发器1021可以将经滤波处理和/或低噪声放大处理后的高频电磁波信号解调为中高频数字信号，并将中高频数字信号发送给基带处理单元101。

本实施例中，RFFE模组1022可以为图6对应的实施例中的RFFE模组1022。关于RFFE模组1022的介绍可以参考前述对应实施例中的相关描述，此处不对其进行赘述。

无线通信模块760可以提供应用在电子设备700上的包括无线局域网(wirelesslocal area networks，WLAN)(如无线保真(wireless fidelity，Wi-Fi)网络)，蓝牙(bluetooth，BT)，全球导航卫星系统(global navigation satellite system，GNSS)，调频(frequency modulation，FM)，近距离无线通信技术(near field communication，NFC)，红外技术(infrared，IR)等无线通信的解决方案。无线通信模块760可以是集成至少一个通信处理模块的一个或多个器件。无线通信模块760经由天线2接收电磁波，将电磁波信号调频以及滤波处理，将处理后的信号发送到处理器710。无线通信模块760还可以从处理器710接收待发送的信号，对其进行调频，放大，经天线2转为电磁波辐射出去。

在一些实施例中，电子设备700的天线1和移动通信模块750耦合，天线2和无线通信模块760耦合，使得电子设备700可以通过无线通信技术与网络以及其他设备通信。所述无线通信技术可以包括全球移动通讯系统(global system for mobile communications，GSM)，通用分组无线服务(general packet radio service，GPRS)，码分多址接入(codedivision multiple access，CDMA)，宽带码分多址(wideband code division multipleaccess，WCDMA)，时分码分多址(time-division code division multiple access，TD-SCDMA)，长期演进(long term evolution，LTE)，BT，GNSS，WLAN，NFC，FM，和/或IR技术等。所述GNSS可以包括全球卫星定位系统(global positioning system，GPS)，全球导航卫星系统(global navigation satellite system，GLONASS)，北斗卫星导航系统(beidounavigation satellite system，BDS)，准天顶卫星系统(quasi-zenith satellitesystem，QZSS)和/或星基增强系统(satellite based augmentation systems，SBAS)。

电子设备700通过GPU，显示屏781，以及应用处理器等实现显示功能。GPU为图像处理的微处理器，连接显示屏781和应用处理器。GPU用于执行数学和几何计算，用于图形渲染。处理器710可包括一个或多个GPU，其执行程序指令以生成或改变显示信息。

显示屏781用于显示图像，视频等。显示屏781包括显示面板。显示面板可以采用液晶显示屏(liquid crystal display，LCD)，有机发光二极管(organic light-emittingdiode，OLED)，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(active-matrixorganic light emitting diode的，AMOLED)，柔性发光二极管(flex light-emittingdiode，FLED)，Miniled，MicroLed，Micro-oLed，量子点发光二极管(quantum dot lightemitting diodes，QLED)等。在一些实施例中，电子设备700可以包括1个或N个显示屏781，N为大于1的正整数。

DSP用于处理数字信号，除了可以处理数字图像信号，还可以处理其他数字信号。例如，当电子设备700在频点选择时，数字信号处理器用于对频点能量进行傅里叶变换等。

视频编解码器用于对数字视频压缩或解压缩。电子设备700可以支持一种或多种视频编解码器。这样，电子设备700可以播放或录制多种编码格式的视频，例如：动态图像专家组(moving picture experts group，MPEG)1，MPEG2，MPEG3，MPEG4等。

NPU为神经网络(neural-network，NN)计算处理器，通过借鉴生物神经网络结构，例如借鉴人脑神经元之间传递模式，对输入信息快速处理，还可以不断的自学习。通过NPU可以实现电子设备700的智能认知等应用，例如图像识别，人脸识别，语音识别，文本理解等。

外部存储器接口720可以用于连接外部存储卡，例如Micro SD卡，实现扩展电子设备700的存储能力。外部存储卡通过外部存储器接口720与处理器710通信，实现数据存储功能。例如将音乐，视频等文件保存在外部存储卡中。

内部存储器721可以用于存储计算机可执行程序代码，所述可执行程序代码包括指令。内部存储器721可以包括存储程序区和存储数据区。其中，存储程序区可存储操作系统，至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能，图像播放功能等)等。存储数据区可存储电子设备700使用过程中所创建的数据(比如音频数据，电话本等)等。此外，内部存储器721可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件，闪存器件，通用闪存存储器(universal flash storage，UFS)等。处理器710通过运行存储在内部存储器721的指令，和/或存储在设置于处理器中的存储器的指令，执行电子设备700的各种功能应用以及数据处理。

电子设备700可以通过音频模块770，扬声器770A，受话器770B，麦克风770C，耳机接口770D，以及应用处理器等实现音频功能。例如音乐播放，录音等。

音频模块770用于将数字音频信息转换成模拟音频信号输出，也用于将模拟音频输入转换为数字音频信号。音频模块770还可以用于对音频信号编码和解码。在一些实施例中，音频模块770可以设置于处理器710中，或将音频模块770的部分功能模块设置于处理器710中。

扬声器770A，也称“喇叭”，用于将音频电信号转换为声音信号。电子设备700可以通过扬声器770A收听音乐，或收听免提通话。

受话器770B，也称“听筒”，用于将音频电信号转换成声音信号。当电子设备700接听电话或语音信息时，可以通过将受话器770B靠近人耳接听语音。

麦克风770C，也称“话筒”，“传声器”，用于将声音信号转换为电信号。当拨打电话或发送语音信息时，用户可以通过人嘴靠近麦克风770C发声，将声音信号输入到麦克风770C。电子设备700可以设置至少一个麦克风770C。在另一些实施例中，电子设备700可以设置两个麦克风770C，除了采集声音信号，还可以实现降噪功能。在另一些实施例中，电子设备700还可以设置三个，四个或更多麦克风770C，实现采集声音信号，降噪，还可以识别声音来源，实现定向录音功能等。

耳机接口770D用于连接有线耳机。耳机接口770D可以是USB接口730，也可以是3.5mm的开放移动电子设备平台(open mobile terminal platform，OMTP)标准接口，美国蜂窝电信工业协会(cellular telecommunications industry association of the USA，CTIA)标准接口。

按键780包括开机键，音量键等。按键780可以是机械按键。也可以是触摸式按键。电子设备700可以接收按键输入，产生与电子设备700的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。

SIM卡接口722用于连接SIM卡。SIM卡可以通过插入SIM卡接口722，或从SIM卡接口722拔出，实现和电子设备700的接触和分离。电子设备700可以支持1个或N个SIM卡接口，N为大于1的正整数。SIM卡接口722可以支持Nano SIM卡，Micro SIM卡，SIM卡等。同一个SIM卡接口722可以同时插入多张卡。所述多张卡的类型可以相同，也可以不同。SIM卡接口722也可以兼容不同类型的SIM卡。SIM卡接口722也可以兼容外部存储卡。电子设备700通过SIM卡和网络交互，实现通话以及数据通信等功能。在一些实施例中，电子设备700采用eSIM，即：嵌入式SIM卡。eSIM卡可以嵌在电子设备700中，不能和电子设备700分离。

可以理解的是，图7示意的结构并不构成对电子设备700的具体限定。在本申请的另一些实施例中，电子设备700可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。

本申请实施例还提供一种无线通信方法。该无线通信方法可以应用在上述电子设备中。

在一个实施例中，在电子设备中不包括射频控制器，且干扰频段组合列表被配置在谐波抑制控制模块中的情况下，该无线通信方法可以包括如图8所示的S801～S804，详述如下：

S801，在电子设备与基站进行通信的过程中，应用处理器从调制解调器中获取电子设备的通信配置信息。

电子设备的通信配置信息例如可以包括电子设备的设备类型以及电子设备与基站通信时预采用的目标通信频段。

其中，电子设备的设备类型可以被预先配置(例如烧录)在电子设备的调制解调器中。

可以理解的是，由于在支持SA模式的单SIM卡设备中不需要开启谐波抑制增强模块，在双SIM卡设备和支持NSA模式的单SIM卡设备中才需要开启谐波抑制增强模块，因此，在一种可选的实现方式中，可以不对双SIM卡设备和支持NSA模式的单SIM卡设备进行区分，例如，可以将电子设备的设备类型划分为第一预设类型和第二预设类型。其中，第一预设类型可以用于表示电子设备为支持SA模式的单SIM卡设备；第二预设类型可以用于表示电子设备为双SIM卡设备或支持NSA模式的单SIM卡设备。基于此，在具体实现时，可以仅通过一个比特位来表示电子设备的设备类型。例如，可以通过0来表示第一预设类型，通过1来表示第二预设类型。

在另一种可选的实现方式中，可以直接将电子设备的设备类型划分为支持SA模式的单SIM卡设备、支持NSA模式的单SIM卡设备以及双SIM卡设备。基于此，在具体实现时，可以通过两个比特位来表示电子设备的设备类型。例如，可以通过00来表示支持SA模式的单SIM卡设备，通过11来表示双SIM卡设备，通过01或10来表示支持NSA模式的单SIM卡设备。需要说明的是，设备类型的具体划分方式可以根据实际需求设置，本申请实施例对其不做特别限定。

在一种可选的实现方式中，目标通信频段可以是电子设备与基站在正式通信前的通信协商阶段(即握手阶段)预先协商好，并由电子设备记录在调制解调器中的。在另一种可选的实现方式中，目标通信频段可以是被预先配置(例如烧录)在电子设备的调制解调器中的。

具体地，目标通信频段可以包括目标发射频段和目标接收频段。示例性的，假设电子设备与基站协商好电子设备预采用B8频段发射信号，以及采用B8频段和n41频段接收信号，则目标发射频段可以包括B8频段，目标接收频段可以包括B8频段和n41频段；假设电子设备与基站协商好电子设备预采用n28频段发射信号，以及采用n1频段接收信号，则目标发射频段可以包括n28频段，目标接收频段可以包括n1频段。

S802，应用处理器基于目标通信频段，向与目标通信频段对应的目标ASM芯片和目标BSW芯片发送对应的频段选择控制信号。

其中，目标ASM芯片为目标通信频段对应的信号收发通路中的ASM芯片。具体地，目标ASM芯片可以包括目标发射频段对应的信号发射通路中的第一目标ASM芯片和/或目标接收频段对应的信号接收通路中的第二目标ASM芯片。

目标BSW芯片为目标通信频段对应的信号收发通路中的BSW芯片。具体地，目标BSW芯片可以包括目标发射频段对应的信号发射通路中的第一目标BSW芯片和/或目标接收频段对应的信号接收通路中的第二BSW芯片。

基于此，应用处理器可以基于目标发射频段，向与目标发射频段对应的信号发射通路中的第一目标ASM芯片和第一目标BSW芯片发送对应的频段选择控制信号。

应用处理器可以基于目标接收频段，向与目标接收频段对应的信号接收通路中的第二目标ASM芯片和第二BSW芯片发送对应的频段选择控制信号。

示例性的，频段选择控制信号中可以携带有目标通信频段的频段标识，以用于控制目标ASW芯片和/或目标BSW芯片基于该频段标识，接通目标通信频段对应的信号收发通路，断开目标通信频段对应的信号收发通路之外的其他信号收发通路。其中，频段标识可以为3GPP定义的频段编号。例如，B8频段的频段标识可以为B8，n41频段的频段标识可以为n41。

可以理解的是，应用处理器向不同目标通信频段对应的信号收发通路中的ASM芯片和BSW芯片发送的频段选择控制信号中携带的频段标识不同。例如，应用处理器向B8频段对应的信号接收通路中的第二目标ASM芯片和第二目标BSW芯片发送的频段选择控制信号中可以携带有B8这一频段标识，向n41频段对应的信号接收通路中的第二目标ASM芯片和第二目标BSW芯片发送的频段选择控制信号中可以携带有n41这一频段标识。

本申请实施例中，应用处理器通过向目标ASM芯片和目标BSW芯片发送对应的频段选择控制信号，可以使目标ASM芯片和目标BSW芯片接通相应的目标通信频段对应的信号收发通路，从而使电子设备能够与基站进行正常通信。

S803，应用处理器将目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为目标通信频段的频段标识，并向谐波抑制控制模块发送该预设标志位的值以及电子设备的设备类型。

ASM芯片的寄存器的预设标志位可以是ASM芯片的寄存器的任意一个或多个比特位。

目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值可以用于标识目标ASM芯片当前接通的信号收发通路对应的目标通信频段。示例性的，假设第一目标ASM芯片当前接通的是B8频段对应的信号发射通路，则应用处理器可以将第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为B8。假设第二目标ASM芯片当前接通的是n41频段和B8频段对应的信号接收通路，则应用处理器可以将第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为n4和B8。

本实施例中，应用处理器向谐波抑制控制模块发送目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值和电子设备的设备类型的目的是，为了使谐波抑制控制模块能够基于目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值以及电子设备的设备类型，实现对谐波抑制增强模块的开关控制。

S804，谐波抑制控制模块根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值、电子设备的设备类型以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，并基于开关控制信号对谐波抑制增强模块进行开关控制。

本实施例中，由于预先定义的干扰频段组合列表被配置在谐波抑制控制模块中，因此，谐波抑制控制模块接收到目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值以及电子设备的设备类型后，可以采用如图9所示的S8041～S8042生成对应的开关控制信号，详述如下：

S8041，基于电子设备的设备类型，确定谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型。

示例性的，谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型可以包括高电平和低电平。

其中，谐波抑制控制模块的使能信号为高电平信号时可以用于表示电子设备的设备类型为双SIM卡设备或支持NSA模式的单SIM卡设备；谐波抑制控制模块的使能信号为低电平信号时可以用于表示电子设备的设备类型为支持SA模式的单SIM卡设备。

可选的，在电子设备的设备类型被预先划分为第一预设类型和第二预设类型的情况下，当电子设备的设备类型为第一预设类型时，谐波抑制控制模块可以确定其使能信号为低电平信号；当电子设备的设备类型为第二预设类型时，谐波抑制控制模块可以确定其使能信号为高电平信号。

可选的，在电子设备的设备类型被预先划分为支持SA模式的单SIM卡设备、支持NSA模式的单SIM卡设备以及双SIM卡设备的情况下，当电子设备的设备类型为支持SA模式的单SIM卡设备时，谐波抑制控制模块可以确定其使能信号为低电平信号；当电子设备的设备类型为支持NSA模式的单SIM卡设备或双SIM卡设备时，谐波抑制控制模块可以确定其使能信号为高电平信号。

需要说明的是，本申请实施例中，谐波抑制控制模块的使能信号为高电平信号是开启谐波抑制增强模块的必要条件，即，在谐波抑制控制模块的使能信号为高电平信号的情况下，谐波抑制控制模块才有可能开启谐波抑制增强模块；而在谐波抑制控制模块的使能信号为低电平信号的情况下，谐波抑制控制模块可以直接关断谐波抑制增强模块。

基于此，在一种可选的实现方式中，当谐波抑制控制模块确定其使能信号为低电平信号时，谐波抑制控制模块可以执行S8042。在另一种可选的实现方式中，当谐波抑制控制模块确定其使能信号为高电平信号时，谐波抑制控制模块可以执行S8043。

S8042，在使能信号为低电平信号的情况下，谐波抑制控制模块生成关断控制信号。

S8043，在使能信号为高电平信号的情况下，谐波抑制控制模块根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值以及干扰频段组合列表，生成相应的开关控制信号。

在一个具体的实现方式中，S8043可以包括以下步骤：

步骤a，在干扰频段组合列表中存在与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合的情况下，谐波抑制控制模块生成导通控制信号。

步骤b，在干扰频段组合列表中不存在与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合的情况下，谐波抑制控制模块生成关断控制信号。

由于目标ASM芯片可以包括目标发射频段对应的信号发射通路中的第一目标ASM芯片和目标接收频段对应的信号接收通路中的第二目标ASM芯片，因此，与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合可以为，干扰频段组合中的发射频段的频段标识与第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相同，且干扰频段组合中的接收频段的频段标识与第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相同的干扰频段组合。

示例性的，假设第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值为B8，第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值为n41，且干扰频段组合列表中存在由B8频段作为发射频段以及由n41频段作为接收频段的干扰频段组合，则谐波抑制控制模块可以将该干扰频段组合确定为与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合。

具体地，谐波抑制控制模块可以遍历干扰频段组合列表中的各个干扰频段组合，以确定干扰频段组合列表中是否存在同时包括第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的发射频段以及第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的接收频段的目标干扰频段组合。

更具体地，在干扰频段组合列表中存在目标干扰频段组合的情况下，谐波抑制控制模块可以确定第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位和第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位均对应高电平信号。可选的，在干扰频段组合列表中不存在目标干扰频段组合的情况下，谐波抑制模块可以确定第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位和/或第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应低电平信号。之后，谐波抑制控制模块可以根据第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应的电平信号、第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应的电平信号以及谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型，确定开关控制信号的类型。

其中，开关控制信号的类型可以包括导通控制信号和关断控制信号。

可选的，谐波抑制控制模块可以基于第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应的电平信号、第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应的电平信号以及谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型，通过表1所示的对应关系来确定开关控制信号的类型。

表1

在另一种可能的实现方式中，谐波抑制控制模块可以将第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应的电平信号、第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位对应的电平信号以及谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型进行与运算，得到开关控制信号的类型。

在一种可选的实现方式中，谐波抑制控制模块生成关断控制信号后，可以向谐波抑制增强模块中的各个第一开关发送该关断控制信号，以关断谐波抑制增强模块。

在另一种可选的实现方式中，谐波抑制控制模块生成导通控制信号后，可以向谐波抑制增强模块中的各个第一开关发送该导通控制信号，以开启谐波抑制增强模块。

本实施例提供了一种应用在不包括射频控制器的电子设备中的无线通信方法，通过将干扰频段组合列表配置在谐波抑制控制模块中，由谐波抑制控制模块基于电子设备的通信配置信息来确定是否开启或关断谐波抑制增强模块，从而可以减轻应用处理器的数据处理压力。

在另一个实施例中，在电子设备中不包括射频控制器，且干扰频段组合列表被配置在应用处理器中的情况下，无线通信方法可以包括如图10所示的S1001～S1004，详述如下：

S1001，在电子设备与基站进行通信的过程中，应用处理器从调制解调器中获取电子设备的通信配置信息。

需要说明的是，由于本实施例中的S1001与上一实施例中的S801为相同的步骤，因此，关于S1001的具体说明可以参考上一实施例中的S801部分的相关描述，此处不进行赘述。

S1002，应用处理器基于目标通信频段，向与目标通信频段对应的目标ASM芯片和目标BSW芯片发送对应的频段选择控制信号。

需要说明的是，由于本实施例中的S1002与上一实施例中的S802为相同的步骤，因此，关于S1002的具体说明可以参考上一实施例中的S802部分的相关描述，此处不进行赘述。

S1003，应用处理器将目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为目标通信频段的频段标识，并根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值、电子设备的设备类型以及干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，并向谐波抑制控制模块发送开关指示信号。

需要说明的是，S1003中应用处理器将目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为目标通信频段的频段标识的过程与上一实施例的S803中的该过程相同，因此关于该过程的具体说明可以参考上一实施例中的S803部分的相关描述，此处不进行赘述。

本实施例中，由于预先定义的干扰频段组合列表被预先配置在应用处理器中，因此，应用处理器在将目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为目标通信频段的频段标识后，可以根据根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值、电子设备的设备类型以及干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号。

其中，开关指示信号可以包括用于指示谐波抑制控制模块关断谐波抑制增强模块的关指示信号以及用于指示谐波抑制控制模块开启谐波抑制增强模块的开指示信号。

具体地，应用处理器根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值、电子设备的设备类型以及干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，可以包括以下步骤：

步骤b1，在电子设备的设备类型为支持SA模式的单SIM卡设备的情况下，生成关指示信号。

步骤b2，在电子设备的设备类型为双SIM卡设备或者支持NSA模式的单SIM卡设备的情况下，若干扰频段组合列表中存在与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合，则生成开指示信号。

步骤b3，在电子设备的设备类型为双SIM卡设备或者支持NSA模式的单SIM卡设备的情况下，若干扰频段组合列表中不存在与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合，则生成关指示信号。

其中，关指示信号可以用于指示谐波抑制控制模块关断谐波抑制增强模块。开指示信号可以用于指示谐波抑制控制模块开启谐波抑制增强模块。

由于目标ASM芯片可以包括目标发射频段对应的信号发射通路中的第一目标ASM芯片和目标接收频段对应的信号接收通路中的第二目标ASM芯片，因此，与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合可以为，干扰频段组合中的发射频段的频段标识与第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相同，且干扰频段组合中的接收频段的频段标识与第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相同的干扰频段组合。

基于此，应用处理器可以遍历干扰频段组合列表中的各个干扰频段组合，以确定干扰频段组合列表中是否存在同时包括第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的发射频段和第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的接收频段的目标干扰频段组合。

在干扰频段组合列表中存在同时包括第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的发射频段和第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的接收频段的目标干扰频段组合时，应用处理器可以确定干扰频段组合列表中存在与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合。在干扰频段组合列表中不存在同时包括第一目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的发射频段和第二目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值对应的接收频段的目标干扰频段组合时，应用处理器可以确定干扰频段组合列表中不存在与目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合。

S1004，谐波抑制控制模块基于开关指示信号生成对应的开关控制信号，并基于开关控制信号对谐波抑制增强模块进行开关控制。

可选的，在开关指示信号为关指示信号的情况下，谐波抑制控制模块可以生成关断控制信号，并基于该关断控制信号关断谐波抑制增强模块，从而使谐波抑制电路仅通过谐波抑制模块对射频PA产生的高阶谐波进行抑制。

可选的，在开关指示信号为开指示信号的情况下，谐波抑制控制模块可以生成导通控制信号，并基于该导通控制信号开启谐波抑制增强模块，从而使谐波抑制电路可以通过谐波抑制增强模块与谐波抑制模块共同对射频PA产生的高阶谐波进行抑制。

本实施例提供了另一种应用在不包括射频控制器的电子设备中的无线通信方法，通过将干扰频段组合列表配置在应用处理器中，由应用处理器根据电子设备的通信配置信息来确定是否开启或关断谐波抑制增强模块，而谐波抑制控制模块只需根据应用处理器发送的开关指示信号执行相应的开关控制动作即可，其无需具备数据分析和处理能力，从而可以降低谐波抑制控制模块的实现成本。

在又一个实施例中，在电子设备中包括射频控制器，且干扰频段组合列表被配置在谐波抑制控制模块中的情况下，该无线通信方法可以包括如图11所示的S1101～S1104，详述如下：

S1101，在电子设备与基站进行通信的过程中，射频控制器从调制解调器中获取电子设备的通信配置信息。

需要说明的是，本实施例中的S1101与图8对应的实施例中的S801类似，区别仅在于执行主体的不同。因此，关于S1101的具体实现过程可以参考图8对应的实施例中的S801中的相关描述，此处不对S1101的具体实现过程进行赘述。

S1102，射频控制器基于目标通信频段，向与目标通信频段对应的目标ASM芯片和目标BSW芯片发送对应的频段选择控制信号。

需要说明的是，本实施例中的S1102与图8对应的实施例中的S802类似，区别仅在于执行主体的不同。因此，关于S1102的具体实现过程可以参考图8对应的实施例中的S802中的相关描述，此处不对S1102的具体实现过程进行赘述。

S1103，射频控制器将目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为目标通信频段的频段标识，并向谐波抑制控制模块发送该预设标志位的值以及电子设备的设备类型。

需要说明的是，本实施例中的S1103与图8对应的实施例中的S803类似，区别仅在于执行主体的不同。因此，关于S1103的具体实现过程可以参考图8对应的实施例中的S803中的相关描述，此处不对S1103的具体实现过程进行赘述。

S1104，谐波抑制控制模块根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值、电子设备的设备类型以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，并基于开关控制信号对谐波抑制增强模块进行开关控制。

需要说明的是，本实施例中的S1104与图8对应的实施例中的S804相同，因此，关于S1104的具体实现过程可以参考图8对应的实施例中的S804中的相关描述，此处不对S1104的具体实现过程进行赘述。

本实施例提供了一种应用在包括射频控制器的电子设备中的无线通信方法，通过将干扰频段组合列表配置在谐波抑制控制模块中，由谐波抑制控制模块基于电子设备的通信配置信息来确定是否开启或关断谐波抑制增强模块，从而可以减轻射频控制器的数据处理压力。

在又一个实施例中，在电子设备中包括射频控制器，且干扰频段组合列表被配置在谐波抑制控制模块中的情况下，该无线通信方法可以包括如图12所示的S1201～S1204，详述如下：

S1201，在电子设备与基站进行通信的过程中，射频控制器从调制解调器中获取电子设备的通信配置信息。

需要说明的是，本实施例中的S1201与图10对应的实施例中的S1001类似，区别仅在于执行主体的不同。因此，关于S1201的具体实现过程可以参考图10对应的实施例中的S1001中的相关描述，此处不对S1201的具体实现过程进行赘述。

S1202，射频控制器基于目标通信频段，向与目标通信频段对应的目标ASM芯片和目标BSW芯片发送对应的频段选择控制信号。

需要说明的是，本实施例中的S1202与图10对应的实施例中的S1002类似，区别仅在于执行主体的不同。因此，关于S1202的具体实现过程可以参考图10对应的实施例中的S1002中的相关描述，此处不对S1202的具体实现过程进行赘述。

S1203，射频控制器将目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值置为目标通信频段的频段标识，并根据目标ASM芯片的寄存器的预设标志位的值、电子设备的设备类型以及干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，并向谐波抑制控制模块发送开关指示信号。

需要说明的是，本实施例中的S1203与图10对应的实施例中的S1003类似，区别仅在于执行主体的不同。因此，关于S1203的具体实现过程可以参考图10对应的实施例中的S1003中的相关描述，此处不对S1203的具体实现过程进行赘述。

S1204，谐波抑制控制模块基于开关指示信号生成对应的开关控制信号，并基于开关控制信号对谐波抑制增强模块进行开关控制。

需要说明的是，本实施例中的S1204与图10对应的实施例中的S1004相同，因此，关于S1204的具体实现过程可以参考图10对应的实施例中的S1004中的相关描述，此处不对S1204的具体实现过程进行赘述。

本实施例提供了另一种应用在包括射频控制器的电子设备中的无线通信方法，通过将干扰频段组合列表配置在射频控制器中，由射频控制器根据电子设备的通信配置信息来确定是否开启或关断谐波抑制增强模块，而谐波抑制控制模块只需根据射频控制器发送的开关指示信号执行相应的开关控制动作即可，其无需具备数据分析和处理能力，从而可以降低谐波抑制控制模块的实现成本。

请参阅图13，为本申请实施例提供的一种谐波抑制电路的带内损耗和谐波抑制效果的波形示意图。其中，图13中的(a)示出了谐波抑制增强模块在关断状态下和开启状态下分别对应的谐波抑制电路的带内损耗的波形。具体地，W1为谐波抑制增强模块处于关断状态时谐波抑制电路的带内损耗的波形；W2为谐波抑制增强模块处于开启状态时谐波抑制电路的带内损耗的波形。可见，在对B8频段对应的信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波进行抑制时，在谐波抑制增强模块处于开启状态时，谐波抑制电路的带内损耗会恶化0.2分贝(dB)左右。

图13中的(b)示出了谐波抑制增强模块在关断状态下和开启状态下分别对应的谐波抑制电路的谐波抑制效果的波形。具体地，W3为谐波抑制增强模块处于关断状态时谐波抑制电路的谐波抑制效果的波形；W4为谐波抑制增强模块处于开启状态时谐波抑制电路的谐波抑制效果的波形。可见，在对B8频段对应的信号发射通路中的射频PA产生的高阶谐波进行抑制时，在谐波抑制增强模块处于开启状态时，谐波抑制电路的谐波抑制效果会提高15dB左右。

基于同样的技术构思，本申请实施例还提供了一种电子设备，该电子设备可以包括：一个或多个处理器；一个或多个存储器；该一个或多个存储器存储有一个或多个计算机程序，该一个或多个计算机程序包括指令，当该指令被上述一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行上述任一方法实施例中的一个或多个步骤。

基于同样的技术构思，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行程序，该计算机可执行程序在被计算机调用时使计算机执行上述任一方法实施例中的一个或多个步骤。

基于同样的技术构思，本申请实施例还提供了一种芯片系统，包括处理器，处理器与存储器耦合，该处理器执行存储器中存储的计算机可执行程序，以实现上述任一方法实施例中的一个或多个步骤。该芯片系统可以为单个芯片，或者多个芯片组成的芯片模组。

基于同样的技术构思，本申请实施例还提供了一种计算机可执行程序产品，当计算机可执行程序产品在电子设备上运行时，使得该电子设备执行上述任一方法实施例中的一个或多个步骤。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其他实施例的相关描述。应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者通过所述计算机可读存储介质进行传输。所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线)或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质(例如，固态硬盘(solid state disk，SSD))等。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，该流程可以由计算机程序来指令相关的硬件完成，该程序可存储于计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法实施例的流程。而前述的存储介质包括：ROM或随机存储记忆体RAM、磁碟或者光盘等各种可存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本申请实施例的具体实施方式，但本申请实施例的保护范围并不局限于此，任何在本申请实施例揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请实施例的保护范围之内。因此，本申请实施例的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种谐波抑制电路，其特征在于，应用在电子设备的射频前端模组中，所述谐波抑制电路包括功放匹配模块、谐波抑制模块、谐波抑制增强模块以及谐波抑制控制模块；

所述功放匹配模块，连接在所述谐波抑制模块与所述射频前端模组中的射频功率放大器之间，用于将所述射频功率放大器的输出阻抗与后级电路的阻抗进行功率匹配；

所述谐波抑制模块，与所述射频前端模组中的频段选择开关芯片的固定端连接，用于对所述射频功率放大器在信号发射过程中产生的高阶谐波进行抑制；

所述谐波抑制增强模块，与所述频段选择开关芯片的所述固定端连接，用于在处于开启状态时，与所述谐波抑制模块共同对所述高阶谐波进行抑制；

所述谐波抑制控制模块，与所述谐波抑制增强模块连接，用于在所述电子设备为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，关断所述谐波抑制增强模块；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间不存在能量干扰关系时，关断所述谐波抑制增强模块；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述目标发射频段与所述目标接收频段之间存在能量干扰关系时，开启所述谐波抑制增强模块。

2.根据权利要求1所述的谐波抑制电路，其特征在于，所述谐波抑制控制模块中存储有干扰频段组合列表；所述干扰频段组合列表中包括一个或多个干扰频段组合，每个所述干扰频段组合包括存在能量干扰关系的一个发射频段和一个接收频段；

所述谐波抑制控制模块还与所述电子设备的应用处理器或射频控制器连接；

所述谐波抑制控制模块还用于接收目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值以及所述电子设备的设备类型，并根据所述预设标志位的值、所述设备类型以及所述干扰频段组合列表，生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号或用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号；其中，所述预设标志位的值来自所述应用处理器或所述射频控制器，所述预设标志位的值为所述目标发射频段或所述目标接收频段的频段标识。

3.根据权利要求2所述的谐波抑制电路，其特征在于，所述谐波抑制控制模块用于在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，生成所述关断控制信号；或者，用于在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时，生成所述关断控制信号；

所述谐波抑制控制模块还用于在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时，生成所述导通控制信号；其中，所述目标干扰频段组合为同时包括所述目标发射频段和所述目标接收频段的干扰频段组合。

4.根据权利要求1所述的谐波抑制电路，其特征在于，所述电子设备的应用处理器或射频控制器中存储有干扰频段组合列表；所述干扰频段组合列表中包括一个或多个干扰频段组合，每个所述干扰频段组合包括存在能量干扰关系的一个发射频段和一个接收频段；

所述谐波抑制控制模块还与所述电子设备的应用处理器或射频控制器连接；

所述谐波抑制控制模块还用于接收来自所述应用处理器或所述射频控制器的关指示信号或开指示信号，并根据所述关指示信号生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号，或者，根据所述开指示信号生成用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号；

其中，所述关指示信号是所述应用处理器或所述射频控制器在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时生成的；或者，所述关指示信号是所述应用处理器或所述射频控制器在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中不存在与目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时生成的；所述开指示信号是所述应用处理器或所述射频控制器在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述干扰频段组合列表中存在所述目标干扰频段组合时生成的；所述目标干扰频段组合为同时包括所述目标发射频段和所述目标接收频段的干扰频段组合。

5.根据权利要求1-4任一项所述的谐波抑制电路，其特征在于，所述谐波抑制增强模块包括一个或多个可被开启或关断的陷波滤波器；

每个所述陷波滤波器均连接在所述频段选择开关芯片的固定端与地之间；

所述谐波抑制控制模块用于在所述电子设备为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，关断所有所述陷波滤波器；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述电子设备在收发信号时预采用的目标发射频段与目标接收频段之间不存在能量干扰关系时，关断所有所述陷波滤波器；或者，用于在所述电子设备为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且所述目标发射频段与目标接收频段之间存在能量干扰关系时，开启一个或多个所述陷波滤波器。

6.根据权利要求5所述的谐波抑制电路，其特征在于，每个所述陷波滤波器均包括串联连接的第一电容、第一开关及第一电感；

所有所述第一开关的受控端均与所述谐波抑制控制模块连接。

7.一种射频前端模组，其特征在于，包括一个或多个射频功率放大器、低噪声放大器、频段选择开关芯片、滤波器、天线开关芯片以及如权利要求1-6任一项所述的谐波抑制电路；

所述射频前端模组的信号发射通路包括依次连接在射频收发器与天线之间的所述射频功率放大器、所述频段选择开关、所述滤波器以及所述天线开关芯片；所述谐波抑制电路连接在所述射频功率放大器与所述频段选择开关芯片之间；

所述射频前端模组的信号接收通路包括依次连接在所述射频收发器与所述天线之间的低噪声放大器、频段选择开关、滤波器以及天线开关芯片。

8.一种无线通信方法，其特征在于，应用在电子设备中，所述电子设备包括如权利要求7所述的射频前端模组，所述无线通信方法包括：

获取电子设备的通信配置信息，所述通信配置信息包括所述电子设备的设备类型以及所述电子设备与基站通信时预采用的目标通信频段；

基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，并基于所述开关控制信号对谐波抑制电路中的谐波抑制增强模块进行开关控制。

9.根据权利要求8所述的无线通信方法，其特征在于，所述干扰频段组合列表存储在谐波抑制控制模块中；所述获取电子设备的通信配置信息，包括：

在所述电子设备与基站进行通信的过程中，所述电子设备中的应用处理器或射频控制器从调制解调器中获取所述电子设备的通信配置信息；

对应地，在所述获取电子设备的通信配置信息之后，还包括：

所述应用处理器基于所述目标通信频段，向与所述目标通信频段对应的目标天线开关芯片和目标频段选择芯片发送对应的频段选择控制信号；

所述应用处理器将所述目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值置为所述目标通信频段的频段标识，并向所述谐波抑制控制模块发送所述预设标志位的值以及所述设备类型；

对应地，所述基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号。

10.根据权利要求9所述的无线通信方法，其特征在于，所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，所述谐波抑制控制模块生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号；

在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合时，所述谐波抑制控制模块生成所述关断控制信号；

在所述设备类型为双SIM卡设备或支持非独立组网模式的单SIM卡设备，且干扰频段组合列表中存在所述目标干扰频段组合时，所述谐波抑制控制模块生成用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号。

11.根据权利要求9所述的无线通信方法，其特征在于，所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

所述谐波抑制控制模块基于所述设备类型，确定所述谐波抑制控制模块的使能信号的电平类型；所述电平类型包括高电平和低电平；

在所述使能信号为低电平信号的情况下，所述谐波抑制控制模块生成用于关断所述谐波抑制增强模块的关断控制信号；

在所述使能信号为高电平信号的情况下，所述谐波抑制控制模块根据所述预设标志位的值和所述干扰频段组合列表，生成相应的开关控制信号。

12.根据权利要求11所述的无线通信方法，其特征在于，所述在所述使能信号为高电平信号的情况下，所述谐波抑制控制模块根据所述预设标志位的值和所述干扰频段组合列表，生成相应的开关控制信号，包括：

在所述干扰频段组合列表中存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合的情况下，所述谐波抑制控制模块生成用于开启所述谐波抑制增强模块的导通控制信号；

在所述干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合的情况下，所述谐波抑制控制模块生成所述关断控制信号。

13.根据权利要求11所述的无线通信方法，其特征在于，所述干扰频段组合列表存储在所述电子设备的应用处理器或射频控制器中；所述获取电子设备的通信配置信息，包括：

在所述电子设备与基站进行通信的过程中，所述应用处理器或所述射频控制器从调制解调器中获取所述电子设备的通信配置信息；

对应地，在所述获取电子设备的通信配置信息之后，还包括：

所述应用处理器或所述射频控制器基于所述目标通信频段，向与所述目标通信频段对应的目标天线开关芯片和目标频段选择芯片发送对应的频段选择控制信号；

对应地，所述基于所述设备类型、所述目标通信频段以及干扰频段组合列表，生成对应的开关控制信号，包括：

所述应用处理器或所述射频控制器将所述目标天线开关芯片的寄存器的预设标志位的值置为所述目标通信频段的频段标识，并根据所述预设标志位的值、所述设备类型以及所述干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，并向谐波抑制控制模块发送所述开关指示信号；

所述谐波抑制控制模块基于所述开关指示信号生成对应的开关控制信号。

14.根据权利要求13所述的无线通信方法，其特征在于，所述根据所述预设标志位的值、所述设备类型以及所述干扰频段组合列表，生成对应的开关指示信号，包括：

在所述设备类型为支持独立组网模式的单SIM卡设备时，所述应用处理器或所述射频控制器生成关指示信号；所述关指示信号用于指示谐波抑制控制模块关断谐波抑制增强模块；

在所述设备类型为双SIM卡设备或者支持非独立组网模式的单SIM卡设备时，若所述干扰频段组合列表中不存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合，则所述应用处理器或所述射频控制器生成所述关指示信号；

在所述设备类型为双SIM卡设备或者支持非独立组网模式的单SIM卡设备时，若所述干扰频段组合列表中存在与所述预设标志位的值相匹配的目标干扰频段组合，则所述应用处理器或所述射频控制器生成开指示信号；所述关指示信号用于指示谐波抑制控制模块开启谐波抑制增强模块。

15.根据权利要求14所述的无线通信方法，其特征在于，所述谐波抑制控制模块基于所述开关指示信号生成对应的开关控制信号，包括：

在所述开关指示信号为关指示信号时，所述谐波抑制控制模块生成关断控制信号；

在所述开关指示信号为开指示信号时，所述谐波抑制控制模块生成导通控制信号。

16.一种电子设备，其特征在于，包括应用处理器以及如权利要求7所述的射频前端模组，所述应用处理器与所述射频前端模组连接。

17.一种电子设备，其特征在于，包括应用处理器、射频控制器以及如权利要求7所述的射频前端模组，所述应用处理器与所述射频控制器连接，所述射频控制器与所述射频前端模组连接。