CN117687209A - 头戴设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种头戴设备，包括：主机；佩戴装置，所述佩戴装置连接所述主机，所述佩戴装置内设有声学器件和线束；其中，所述佩戴装置还包括间隔层，所述间隔层位于所述声学器件和所述线束之间，所述间隔层为高磁导率材料层。根据本发明实施例的头戴设备，通过在佩戴装置上位于声学器件和线束之间设置间隔层，间隔层为高磁导率材料层，在其高磁导率吸引下可影响线束周围的磁力线分布，大幅度降低线束附近的磁场强度，降低线束受到的变化的安培力，进而降低线束的震动幅度，减少由线束震动产生的杂音问题。而且声学器件受线束的影响降低后，声学器件产生震动噪音的几率也会降低。

Description

头戴设备

技术领域

本发明涉及头戴设备技术领域。

背景技术

相关技术的VR一体机需要佩戴装置佩戴在用户头上，佩戴装置内通常还会设置声学器件，将声音向用户耳部传输，模拟虚拟场景的视听效果。佩戴装置内一般需要走线，用于供电或其他目的。

例如当VR一体机设置绑带作为佩戴装置，且选择电池后置的结构形式，电池需要通过电池线连接前面的头戴主机，以向头戴主机供电。电池线要连接前后两侧的主机和电池，有两种走线形式，一种是从位于头部上方的绑带经过，另一种是从头部侧面的绑带经过。当电池线从侧面绑带经过时，由于一般VR一体机两侧绑带各有一个声学器件，导致电池线不可避免地与声学器件紧邻。由于声学器件和电池线过近，声学器件具有磁场，电池线通电时相当于将通电导体置于磁场之中。为本领域所公知的是，通电导体在磁场中受到安培力作用，一旦磁场变化或者电流变化，都会使安培力大小发生变化。电池线在变化的安培力作用下，容易产生震动、发出杂音。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种头戴设备，所述头戴设备在佩戴装置内设置声学器件和线束时可以降低噪音。

根据本发明实施例的头戴设备，包括：主机；佩戴装置，所述佩戴装置连接所述主机，所述佩戴装置内设有声学器件和线束；其中，所述佩戴装置还包括间隔层，所述间隔层位于所述声学器件和所述线束之间，所述间隔层为高磁导率材料层。

根据本发明实施例的头戴设备，通过在佩戴装置上位于声学器件和线束之间设置间隔层，间隔层为高磁导率材料层，在其高磁导率吸引下可影响线束周围的磁力线分布，大幅度降低线束附近的磁场强度，降低线束受到的变化的安培力，进而降低线束的震动幅度，减少由线束震动产生的杂音问题。而且声学器件受线束的影响降低后，声学器件产生震动噪音的几率也会降低。

在一些实施例中，所述声学器件具有相对的出音侧和背音侧，所述声学器件的出音侧朝向头戴空间设置，所述线束位于所述声学器件的背音侧。

具体地，所述声学器件内设有磁体，所述间隔层在所述声学器件的背音侧上的垂直投影，至少覆盖所述磁体在所述声学器件的背音侧上的垂直投影。

在一些实施例中，所述间隔层固定连接在所述声学器件上。

具体地，所述间隔层通过胶粘固定在所述声学器件上。

在一些实施例中，所述间隔层为一层或者至少两层，当所述间隔层为至少两层时相邻两个所述间隔层间隔开或者紧贴设置。

在一些具体实施例中，当所述间隔层为至少两层时，分别为第一间隔层和第二间隔层，所述第一间隔层的磁导率高于所述第二间隔层的磁导率，所述第二间隔层的磁饱和度高于所述第一间隔层的磁饱和度。

具体地，当所述间隔层为至少两层时，相邻两个所述间隔层之间胶粘相连，所述线束胶粘连接在所述间隔层上。

可选地，所述间隔层包括冷轧碳钢薄板、硅钢板、坡莫合金板、纳米晶板中至少一个。

在一些实施例中，头戴设备还包括电池部，所述电池部与所述主机相对设置，所述佩戴装置与所述电池部相连，所述线束连接所述电池部和所述主机之间以供电及通信。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明一实施例的头戴设备的结构示意图；

图2是本发明一实施例中在未设置间隔层时声学器件与线束的位置关系示意图；

图3是图2所示实施例中当未设置间隔层时声学器件与线束的磁场仿真图(图中箭头代表磁通密度)；

图4是一实施例中高磁导率材料的磁旁路示意图；

图5是一实施例中间隔层为组合层时对磁场影响的示意图；

图6是冷轧碳钢板在不同磁场强度下的磁通密度变化关系图；

图7是本发明一实施例的线束的示意图；

图8是本发明一实施例的线束的截面图；

图9是本发明一实施例的声学器件的分解图；

图10是本发明一实施例的声学器件的背音侧示意图；

图11是图10所示实施例的声学器件在背音侧设置间隔层后示意图；

图12是一个实施例中声学器件在贴附不同材质的间隔层后的漏磁仿真图。

附图标记：

头戴设备100、

主机10、

佩戴装置20、间隔层22、第一间隔层221、第二间隔层222、

电池部30、

线束40、

信号线41、信号导线411、屏蔽层412、第一填充件413、

地线42、地线导线421、第三填充件422、

电源线43、电源导线431、第二填充件432、

外被44、

声学器件50、顶盖51、振膜52、音圈53、华司54、磁铁55、外壳56、盆架57。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面参考图1-图12描述根据本发明实施例的头戴设备100。

本申请方案中，对于头戴设备100的类型不作限定，可以是AR眼镜(AR：AugmentedReality，增强现实)、AR一体机、或者VR眼镜(VR：Virtual Reality，虚拟现实)、VR一体机等扩展现实设备。这些设备是虚拟世界与现实世界的智能链接设备，能够看到真实世界和虚拟内容，可以进行视觉、听觉等信息的交互。

根据本发明实施例的头戴设备100，如图1所示，包括：主机10和佩戴装置20，佩戴装置20连接主机10。通常情况下主机10戴在用户的面部，佩戴装置20和主机10之间所围空间为头戴空间。

也就是说，当头戴设备100戴在用户上，用户头部位于头戴空间内，佩戴装置20和主机10围着用户头部设置。

本申请的方案中，佩戴装置20通常为两个，两个佩戴装置20位于主机10的左右两侧，这样主机10、两佩戴装置20可以连接成环，能够套住用户头部，使头戴设备100佩戴可靠。当然，本申请中也不排除头戴设备100上只设置一个佩戴装置20的方案。另外，本申请的这种头戴设备100在举例时，均以用于人体佩戴为例进行说明，但本申请也不排除头戴设备100用于动物佩戴的方案。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

参照图1，佩戴装置20内设有声学器件50和线束40。其中佩戴装置20还包括间隔层22，间隔层22位于声学器件50和线束40之间，间隔层22为高磁导率材料层。

为便于理解本申请方案，下面参照附图所示示例，说明声学器件50与线束40的相互影响，以及设置间隔层22的原理。

如图1所示，当声学器件50与线束40均设置在佩戴装置20内，线束40沿佩戴装置20的长度方向延伸设置，线束40的某一段位于声学器件50附近，甚至线束40的该段可能会直接贴住声学器件50。以图2和图3所示的示例为例，线束40的某一段位于声学器件50附近且二者之间间隔开。由于二者距离过近，容易产生杂音。

之所以会产生杂音，其原因在于声学器件50内通常带有磁体，该磁体周围会产生静磁场。而线束40里流通电流，根据头戴设备100使用状况的不同，电流值会发生变化。变化的电流会使线束40周围产生变化的磁场。如图3所示，声学器件50的静磁场与线束40的通电磁场相互影响，声学器件50和线束40均处于变化的磁场中。

线束40的导电部分是一种导体，通电的导体在磁场中会受力，微观上表现为洛仑兹力，宏观上表现为安培力，变化的电流就会产生变化的安培力。变化的电流越大产生的变化的安培力越大，变化的安培力会推动线束40震动发声。带有磁体的声学器件50本身也会受安培力的反作用力，反作用力会推动声学器件50震动，产生噪声。

而且由于线束40较长，很难完全固定住。有的方案中为了避免线束40两端接线处应力过大而接触不良，线束40设计时其长度留有一定冗余。甚至有的方案中，为适应不同用户佩戴需求佩戴装置20是柔性的，线束40需要随佩戴装置20可变形，因此线束40很难被完全固定住，在变化磁场中难以避免线束40震动产生的杂音。这里，导体在变化的磁场中如何产生安培力的原理及计算方法均为现有技术，这里不作具体解释。

为解决这一技术问题，本申请的方案中提出在佩戴装置20上设置间隔层22，如图1所示，间隔层22位于声学器件50和线束40之间，间隔层22为高磁导率材料层。

所谓高磁导率材料，指的是磁导率大约在100以上的磁性材料。这类材料要求磁导率高，饱和磁感应强度大，电阻高，损耗低，稳定性好等。

由于高磁导率材料层的磁导率远大于周围空气或者普通材料，因此在磁场中磁力线穿过高磁导率材料层所在的空间时，磁力线在高磁导率材料层上更加密集，从而可以降低高磁导率材料层附近区域的磁力线密度，减弱附近区域的磁场强度。例如在图4所示示例中，假设高磁导率材料层形成为方框，当处于磁场强度达H0的静磁场中，磁导率材料层通过吸引磁力线穿过，使方框中间区域的磁场强度降低至H1，从而高磁导率材料层对中间区域产生一定的磁屏蔽保护。

基于上述原因，本申请中在声学器件50和线束40之间设置了高磁导率材料层。

对于声学器件50而言，其内部磁体所产生的静磁场，是声电转化的关键部件。高磁导率材料层位于声学器件50和线束40之间，高磁导率材料层不会改变声学器件50的磁路，对其内部的磁力线密度分布影响较小。而且由于高磁导率材料层的阻隔，线束40电流变化时产生的交变磁场对声学器件50的影响减小，降低了声学器件50的震动幅度。而且由于声学器件50相对线束40，其长度较小容易固定，当声学器件50连接稳固时更加不易产生震动噪音。

对于线束40而言，由于线束40在朝向声学器件50的一侧设置了高磁导率材料层，高磁导率材料层可以大幅度减少高磁导率材料层附近的磁场强度。尤其在高磁导率材料层的阻隔后，声学器件50的静磁场对线束40影响大幅度降低。

这里还需要说明的是，传统的头戴设备上由于功能少、线束电流值小，产生的变化的安培力小，线束震动、噪音问题并不突出，人们还没有想到要如何降低线束震动噪音。

以耳机为例，有的头戴式耳机里设置有蓄电池，蓄电池通过导线连接耳机两侧的声学器件，声学器件仅具有发声功能，蓄电池向声学器件通入电流，其电压值、电流值均较低，而且声学器件内磁体的静磁场较弱。因此这种头戴式耳机里，因功能简单，声学器件和导线之间磁场影响小，导线不易震动。

随着现代技术的发展，头戴设备100的功能逐渐增加，尤其AR一体机、VR一体机中的主机10承担了虚拟现实的主要功能，主机10在某些条件下需要的电流非常大，而且声学器件50为配合虚拟现实的需要其静磁场较强，因此当线束40与声学器件50邻近安装时，容易产生磁场相互影响导致的线束40震动问题。而本申请方案的提出，正是基于头戴设备100在现代技术发展中产生问题的解决。

根据本发明实施例的头戴设备100，通过在佩戴装置20上位于声学器件50和线束40之间设置间隔层22，间隔层22为高磁导率材料层，在其高磁导率吸引下可影响线束40周围的磁力线分布，使线束40处的磁力线偏向于高磁导率材料层处，线束40处的磁通量变少，大幅度降低线束40附近的磁场强度，降低线束40受到的变化的安培力，进而降低线束40的震动幅度，减少由线束40震动产生的杂音问题。而且声学器件50受线束40的影响降低后，声学器件50产生震动噪音的几率也会降低。

在本申请的方案中，间隔层22可以包括冷轧碳钢薄板，冷轧碳钢薄板为SPCC材料。SPCC原是“一般用冷轧碳钢薄板及钢带”钢材名称，许多国家或企业直接用来表示自己生产的同类钢材。采用冷轧碳钢薄板，其塑性及韧性较高，具有良好的焊接性能及冷冲压性，无回火脆性。可以应用于受载不大、韧性要求较高的零件中。

在本申请的方案中，间隔层22可以包括硅钢板。可以理解的是，含硅为1.0～4.5％、含碳量小于0.08％的硅合金钢叫做硅钢。间隔层22采用硅钢板，具有磁导率高、矫顽力低、电阻系数大等特性，其磁滞损失和涡流损失都较小。

在本申请的方案中，间隔层22可以包括坡莫合金板。坡莫合金指的是铁镍合金，其含镍量在35％－90％之间。间隔层22包括坡莫合金板，可以具有很高的弱磁场导磁率。而且可以有效地控制磁性能，具有很好的塑性，可以加工成超薄带及各种使用形状。

在本申请的方案中，间隔层22可以包括纳米晶板。纳米晶是指利用高能聚合球体，把水中钙、镁离子、碳酸氢根等打包产生不溶于水的纳米级晶体。采用纳米晶板作为间隔层22，具有高磁导率，频率特性宽等特点。

本申请方案中，间隔层22可以是一层也可以设置至少两层，每一层的间隔层22的实际厚度根据需要选择。

当间隔层22是一层时，间隔层22可以是冷轧碳钢薄板、硅钢板、坡莫合金板、纳米晶板中任一个。当间隔层22是多层时，间隔层22也可以选择冷轧碳钢薄板、硅钢板、坡莫合金板、纳米晶板中的一个或者多个。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

另外，本申请中间隔层22的材料也可以不限于上述材料，还可以选择其他高磁导率的材料。

在一些实施例中，声学器件50和线束40均位于佩戴装置20内，声学器件50具有相对的出音侧和背音侧，声学器件50的出音侧朝向头戴空间设置，线束40位于声学器件50的背音侧。这里，将声学器件50和线束40均设置在佩戴装置20内，二者可以得到佩戴装置20保护，方便装配。

声学器件50的出音侧朝向头戴空间设置，使声学器件50产生的声音可以以较短路径传播至用户耳部，降低功耗。将线束40设置在声学器件50的背音侧，一方面线束40及间隔层22不会影响声音传播，另一方面在设置间隔层22后，间隔层22位于声学器件50的背音侧，对声学器件50的磁路影响较小。

具有地，在图1的方案中，佩戴装置20具有厚度，声学器件50的厚度方向与佩戴装置20的厚度方向相一致，声学器件50的厚度较小，可以使佩戴装置20较薄。声学器件50在厚度方向上相对两侧分别为出音侧和背音侧，此时可以将线束40设置在声学器件50的背音侧，即线束40位于声学器件50的远离头戴空间的一侧。也就是说，声学器件50与线束40在佩戴装置20内沿佩戴装置20的厚度方向排布。

当然，本申请方案不限于此，线束40也可以设置在声学器件50的上方或者下方，这样也可以将佩戴装置20设置成较扁平的形状，使头戴设备100整体较薄。

进一步地，声学器件50内设有磁体，间隔层22在声学器件50的背音侧上的垂直投影，至少覆盖磁体在声学器件50的背音侧上的垂直投影。需要说明的是，根据声学器件50内磁体的磁路特点，位于声学器件50的背音侧及出音侧其磁路线较密集。由于声学器件50在出音侧需要声音传播，因此间隔层22设置在声学器件50的背音侧，且投影可以覆盖磁体，当间隔层22面积不大时可以保证它的隔磁效果。

在本申请的方案中，间隔层22优选实体板，这样韧性、强度均足够，不易变形、移位，保证了它对线束40磁场的降低效果。

本申请方案也可以不限于此，例如间隔层22可以设置成网状，网状间隔层22可以罩住声学器件50，或者只罩在声学器件50的背音侧。

在一些实施例中，间隔层22固定连接在声学器件50上。可以理解的是，线束40较长，且线束40很难被完全固定住。将间隔层22固定在声学器件50上，使间隔层22至少与声学器件50临近的一段相对声学器件50的位置较固定。

间隔层22的设置目的在于减弱声学器件50与线束40之间的磁场影响以减少线束40的震动，相对于线束40而言声学器件50的位置较固定，当间隔层22至少与声学器件50临近的一段相对声学器件50位置固定，有助于让间隔层22保持在声学器件50和线束40之间，避免间隔层22沿线束40长度移动到其他位置。

也有的方案中，当佩戴装置20内设置有骨架，声学器件50相对骨架位置固定，此时间隔层22可以设置在骨架上。

具体地，间隔层22通过胶粘固定在声学器件50上，胶粘固定不仅固定较方便，而且省时省力，还能节省空间。

当然，本申请方案中间隔层22还可以采用其他方式固定，例如采用螺钉连接等。

如上方提到的，本申请中间隔层22可以为一层，也可以设置成至少两层。当间隔层22为至少两层时，相邻两个间隔层22可以间隔开设置，相邻两个间隔层22也可以紧贴设置。通过灵活设置间隔层22，可以根据实际产品需要，获得多样化的设置形式。

在一些具体实施例中，如图5所示，当间隔层22为至少两层时，分别为第一间隔层221和第二间隔层222，第一间隔层221的磁导率高于第二间隔层222的磁导率，第二间隔层222的磁饱和度高于第一间隔层221的磁饱和度。也就是说，间隔层22是一种组合层，在线束40和声学器件50之间设置组合层材料，可以进一步减小线束40附近的磁场强度，降低线束40震动产生的噪音。此外本申请中，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

为说明组合层的优势，这里先以单个导磁材料的磁性能进行分析。图6中示出的一种冷轧碳钢板在不同磁场强度下的磁通密度变化关系图。冷轧碳钢板在磁场强度H逐渐增加时，其磁通密度B先逐渐增加。当磁场强度达到一定值时，磁通密度B趋于不变。

为现有技术人员所公知的是，磁导率μ等于导磁材料中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ＝B/H。因此冷轧碳钢板在不同磁场强度下，其磁导率μ是变化的，磁导率μ的计算公式为μ＝ΔB/ΔH。冷轧碳钢板在磁场强度较低时，磁导率μ较大；当磁场强度达到一定值时，磁导率μ趋于零，冷轧碳钢板对于磁饱和状态。也就是说，当未达到磁饱和状态时，冷轧碳钢板的磁导率μ较大，当达到磁饱和时冷轧碳钢板的磁导率μ较小。

可以理解的是，一般的导磁材料对于磁导率和磁饱和度，很难两种性能都保持较高的参数。如果导磁材料的磁饱和度较高，很难保持导磁材料较高的磁导率。如果声学元件的磁体磁场特别强，仅使用磁导率过高的高磁导率材料层，可能会因磁饱和而丧失屏蔽功能。

本申请方案中，将间隔层22设置成组合层，且包括第一间隔层221和第二间隔层222，选择至少两种导磁材料进行组合，两种材料可以相互弥补不足。由于第一间隔层221的磁导率高于第二间隔层222的磁导率，第二间隔层222的磁饱和度高于第一间隔层221的磁饱和度，组合使用时通过第一间隔层221得到较高的磁导率，通过第二间隔层222得到较高的磁饱和度。这样在磁场强度较弱时能够达到良好的屏蔽功能，在磁场强度较强时也能达到良好的屏蔽功能。由此，可以进一步降低线束40震动几率，减少震动噪音。

具体地，当间隔层22包括第一间隔层221和第二间隔层222时，第一间隔层221的磁导率高于第二间隔层222的磁导率，可将第一间隔层221位于第二间隔层222的邻近声学器件50的一侧。由于距离声学器件50越近其磁力线越密集，因此在第二间隔层222降低磁场强度后，可以充分发挥第一间隔层221的磁导率高的特点。

当间隔层22数量更多时，可以进行多种形式的组合，这里不作限定。当间隔层22是组合层时，可以选择冷轧碳钢薄板、硅钢板、坡莫合金板、纳米晶板进行组合。

具体地，当间隔层22为至少两层时，相邻两个间隔层22之间胶粘相连，线束40胶粘连接在间隔层22上，间隔层22胶粘连接在声学器件50上。利用胶粘固定，可以使相邻间隔层22之间位置固定，使所有间隔层22相对声学器件50固定，使线束40在胶粘处与间隔层22相对固定。此处不仅整体结构强度较高，而且可以保持较强的屏蔽作用。

在本申请方案中，佩戴装置20可以呈带状并且戴在用户头部的左右两侧，当然本申请方案不限于此，例如有的方案中佩戴装置20是帽状且戴在用户头顶。佩戴装置20可以是软性件，这样佩戴更舒适，而且可以适应性更广。佩戴装置20也可以是硬质件，佩戴装置20内设置容纳腔以安装线束40。

在一些可选实施例中，佩戴装置20包括安装壳和绑带，绑带与安装壳连接，声学器件50设于安装壳内，安装壳可以对声学器件50形成保护，有利于保证声学器件50的安装可靠性和稳定性，从而保证头戴设备100的使用可靠性。

如图1所示，根据本发明的一些实施例，头戴设备100还包括电池部30，电池部30与主机10相对设置，电池部30连接佩戴装置20的后端，主机10连接在佩戴装置20的前端，电池部30、佩戴装置20和主机10所围空间为头戴空间。

本申请的方案中，佩戴装置20通常为两个，两个佩戴装置20位于主机10的左右两侧，这样主机10、两个佩戴装置20和电池部30可以连接成环，能够套住用户头部，使头戴设备100佩戴可靠。也有一些方案中，佩戴装置20为一个，即主机10和电池部30仅单侧设置有佩戴装置20，也能稳固地戴上头戴设备100。

可选地，佩戴装置20与线束40之间填充有弹性材料。也就是说，佩戴装置20内限定出容纳腔，线束40与容纳腔的壁面之间填充有弹性材料。进一步可选地，线束40在佩戴装置20的厚度方向上的两侧分别设置弹性材料，或者，线束40的四周均通过弹性材料包裹，这样可以减小线束40的震动幅度，进而减小杂音。

另外，除与声学器件50临近的一段外，线束40其他段可以由软胶固定。软胶的选择可以有多个种类，主要的要求是粘性大、硬度小。例如，硅胶和防爆胶泥。具体地，可以通过液态硅橡胶注塑成型工艺实现，向佩戴装置20和线束40之间填充液态硅橡胶，经过冷却固化后，线束40的两侧或者整体被软胶包裹。

下面参考图1和图9-图12描述一个具体实施例中头戴设备100的结构。

如图1所示，头戴设备100包括：主机10、佩戴装置20和电池部30，主机10用于戴在用户的面部，电池部30与主机10相对设置，戴在用户的头部后侧。佩戴装置20的前端连接主机10，电池部30连接佩戴装置20的后端。佩戴装置20内设有用于向人体耳部放声的声学器件50。电池部30具有线束40，线束40设在佩戴装置20内，且连接主机10。佩戴装置20包括间隔层22，间隔层22位于声学器件50和线束40之间，间隔层22为高磁导率材料层。

如图9所示，声学器件50包括：顶盖51、振膜52、音圈53、华司54、磁铁55、外壳56和盆架57，声学器件50装配成扁平方体件，声学器件50在顶盖51一侧为出音侧，在盆架57一侧为背音侧。这里对各部件材料不限，例如顶盖51和振膜52为复合材料件，音圈53和外壳56为塑料件，华司54和盆架57为SPCC件。

具体地，声学器件50的静磁场中，N极位于出音侧，S极位于背音侧。图10示出了声学器件50在背音侧的结构图。当声学器件50在背音侧设置间隔层22后，其结构图如图11所示。图12示出了声学器件50在贴附的不同材料的间隔层22时的漏磁仿真效果图。

综上，本申请的这种头戴设备100，利用间隔层22的设置，可以大幅度降低线束40的震动噪音。

根据本发明实施例的头戴设备100的其他构成例如主机10和电池部30，其结构及工作原理等以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种头戴设备，其特征在于，包括：

主机；

佩戴装置，所述佩戴装置连接所述主机，所述佩戴装置内设有声学器件和线束；

其中，所述佩戴装置还包括间隔层，所述间隔层位于所述声学器件和所述线束之间，所述间隔层为高磁导率材料层。

2.根据权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，所述声学器件具有相对的出音侧和背音侧，所述声学器件的出音侧朝向头戴空间设置，所述线束位于所述声学器件的背音侧。

3.根据权利要求2所述的头戴设备，其特征在于，所述声学器件内设有磁体，所述间隔层在所述声学器件的背音侧上的垂直投影，至少覆盖所述磁体在所述声学器件的背音侧上的垂直投影。

4.根据权利要求1所述的头戴设备，其特征在于，所述间隔层固定连接在所述声学器件上。

5.根据权利要求4所述的头戴设备，其特征在于，所述间隔层通过胶粘固定在所述声学器件上。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的头戴设备，其特征在于，所述间隔层为一层或者至少两层，当所述间隔层为至少两层时相邻两个所述间隔层间隔开或者紧贴设置。

7.根据权利要求6所述的头戴设备，其特征在于，当所述间隔层为至少两层时，分别为第一间隔层和第二间隔层，所述第一间隔层的磁导率高于所述第二间隔层的磁导率，所述第二间隔层的磁饱和度高于所述第一间隔层的磁饱和度。

8.根据权利要求6所述的头戴设备，其特征在于，当所述间隔层为至少两层时，相邻两个所述间隔层之间胶粘相连，所述线束胶粘连接在所述间隔层上。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的头戴设备，其特征在于，所述间隔层包括冷轧碳钢薄板、硅钢板、坡莫合金板、纳米晶板中至少一个。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的头戴设备，其特征在于，还包括电池部，所述电池部与所述主机相对设置，所述佩戴装置与所述电池部相连，所述线束连接所述电池部和所述主机之间以供电及通信。