CN117619812A - 一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备 - Google Patents

一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备 Download PDF

Info

Publication number
CN117619812A
CN117619812A CN202311491607.XA CN202311491607A CN117619812A CN 117619812 A CN117619812 A CN 117619812A CN 202311491607 A CN202311491607 A CN 202311491607A CN 117619812 A CN117619812 A CN 117619812A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pipeline
cleaning liquid
cleaning
concentration
relay
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311491607.XA
Other languages
English (en)
Inventor
林立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN202311491607.XA priority Critical patent/CN117619812A/zh
Publication of CN117619812A publication Critical patent/CN117619812A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明实施例提供了一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备,包括:清洗药液循环管路在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个;通过本发明实施例可以实现半导体工艺设备的安全排液,提高排液的可靠性。

Description

一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备
技术领域
本发明涉及半导体生产技术领域,特别是涉及一种半导体清洗药液管道结构和一种半导体工艺设备。
背景技术
晶圆清洗是半导体行业晶圆加工中的重要一环,在整个晶圆加工过程中,通常采用SPM(Surfuric/Peroxide Mi,半导体清洗液)进行湿法清洗。但是SPM特性遇水能发生巨大化学反应,高温的SPM与残留的DIW(Deionized Water,去离子水)产生大量的热量,容易造成厂务管道溶解、坍塌。而现有的SPM工艺管路中,SPM槽在排废液与排水之间未做任何处理。通过机台的软件设置排酸的阀门和排水的阀门互斥,使得排酸的阀门和排水的阀门不能同时开启。机台的软件记录当前SPM槽内的液体类型,进而开启排酸的阀门和排水的阀门,在如机台断电或者机台数据丢失时,导致记录丢失,从而需要人为判断SPM槽内的液体类型,操作人员依据现场的数据分析,容易判断错误,从而存在错误排放的风险,会导致酸性溶液溶解厂务管路,滴漏酸性物质至地板上,留下了严重安全隐患,导致半导体工艺设备的安全性不足。
发明内容
鉴于上述问题,提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体清洗药液管道结构和一种半导体工艺设备。
为了解决上述问题,在本发明的第一个方面,本发明实施例公开了一种半导体清洗药液管道结构,包括:
清洗药液循环管路,用于在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;
排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,用于检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;
控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,用于基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个。
可选地,所述状态信息包括温度值和浓度值,所述排放检测组件包括:
浓度检测器,设置于所述清洗药液循环管路中,用于检测所述清洗药液的浓度,生成所述浓度值;
温度检测计,设置于所述清洗药液循环管路的出口,用于检测所述清洗药液的温度,生成所述温度值。
可选地,所述控制组件包括:
排水控制电路,与所述浓度检测器、所述温度检测计连接,用于基于所述浓度值和所述温度值,控制所述排水管路开启;
排液控制电路,与所述浓度检测器连接,用于基于所述浓度值控制所述排液管路开启。
可选地,所述排水管路通过第一控制阀与所述清洗药液循环管路连接;所述排水控制电路包括:
第一继电器,所述第一继电器的线圈与所述浓度检测器、所述温度检测计连接,在所述浓度值满足预设第一浓度条件且所述温度值满足预设温度条件时通电;
所述第一继电器的第一开关与所述第一控制阀连接,所述第一继电器的线圈通电时闭合,所述第一继电器的第一开关接通所述第一控制阀,以使所述排水管路与所述清洗药液循环管路连通。
可选地,还包括:进酸管路,
所述进酸管路通过进酸控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
可选地,所述第一继电器的第二开关与所述进酸控制阀连接,所述第一继电器的线圈通电时所述第一继电器的第二开关断开,以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。
可选地,所述预设第一浓度条件为低于预设第一浓度阈值;所述预设温度条件为低于预设温度阈值。
可选地,所述排液管路通过第二控制阀与所述清洗药液循环管路连接;所述排液控制电路包括:
第二继电器,所述第二继电器的线圈与所述浓度检测器连接,在所述浓度值满足预设第二浓度条件时通电;
所述第二继电器的第一开关与所述第二控制阀连接,所述第二继电器的线圈通电时闭合,所述第二继电器的第一开关接通所述第二控制阀,以使所述排液管路与所述清洗药液循环管路连通。
可选地,还包括:进水管路,
所述进水管路通过进水控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
可选地,所述第二继电器的第二开关与所述进水控制阀连接,所述第二继电器的线圈通电时所述第二继电器的第二开关断开,以隔断所述进水管路与所述清洗药液循环管路。
可选地,所述预设第二浓度条件为高于预设第二浓度阈值。
在本发明的第二个方面,本发明实施例还公开了一种半导体工艺设备,包括:清洗槽、晶圆承载结构、和上所述的半导体清洗药液管道结构,所述晶圆承载结构位于所述清洗槽中;所述半导体清洗药液管道结构与清洗槽连接,用于向清洗槽输出清洗药液中,通过所述清洗药液清洗所述晶圆承载结构承载的待清洗件;并排出所述清洗槽中的清洗药液。
本发明实施例包括以下优点:
本发明实施例通过清洗药液循环管路在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个;通过控制组件检测清洗药液循环管路中的状态,确定清洗药液循环管路中的液体的类型,从而可以自动地基于当前清洗药液循环管路中的液体类型控制排水管路或排液管路进行排放,减少人工现场确认的步骤,从而减少人力以及避免了认为判断错误的现象发生;并且通过控制组件进行硬件切换的方式实现排液控制,避免高温高浓度的药液与去离子水混淆排放的情况,提高排液的安全性和可靠性。
附图说明
图1是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的结构示意图;
图2是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的结构连接示意图;
图3是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的排水控制电路示意图;
图4是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的排液控制电路示意图;
图5是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的排放流程示意图;
图6是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的排水流程示意图;
图7是本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的排酸流程示意图;
图8是本发明的一种半导体工艺设备实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在现有的工艺管路设计中,是通过汇聚管路将工艺进行后的废液(水)进行汇聚;汇聚管路的输出端分别与排水管路输入端和排酸液管路输入端连接,形成的T形管路,将T形管路上用于排酸的阀门和排水的阀门互斥,使得排酸的阀门和排水的阀门不能同时开启,将液体的排出由汇聚管路上的阀门决定。并且T形管路采用了进液与排液同步进行的方式,在初始进液时立即就判断排液方式;采用硬件记忆功能,软件基于硬件记录当前进液的液体类型,确定对应排放方式的阀门。当机台出现异常断电,设备重启,工控机电脑重启后,存在程序丢失等异常bug(错误)现象;需要人为依据现场的数据分析,判断宕机后设备数据;反应速度慢,影响设备处理时间,更有容易判断错误的风险,出现大量反应药液造成厂务管道溶解、坍塌,留下了严重安全隐患,导致半导体工艺设备的安全性不足。
其次,需要针对排酸的阀门和排水的阀门设置安全互锁逻辑流程,以使的排酸的阀门和排水的阀门互斥。而在安全互锁逻辑流程中,需要依据SPM槽的内槽和外槽都处于空液位,即双重空液位来判断SPM槽是否为空的状态。在软件异常时,该流程未结束,如果通过空液位判断槽内如果还有液体,需要人为将液位排空,重新提交安全互锁逻辑流程;并不能安全有效的继续上一流程,存在大量纯水浪费。为此,提出了本发明实施例,以解决上述技术问题。
参照图1,示出了本发明的一种半导体清洗药液管道结构实施例的结构示意图,所述半导体清洗药液管道结构,包括:
清洗药液循环管路,用于在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;
排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,用于检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;
控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,用于基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个。
在本发明实施例中,半导体清洗药液管道结构可以包括清洗药液循环管路、排水管路、排液管路、排放检测组件和控制组件。清洗药液循环管路在半导体工艺设备进行半导体清洗工艺时,供给清洗药液进行晶圆的清洗,清洗晶圆表面残留的聚合物、小分子有机物等。清洗药液循环管路也会将清洗后的清洗药液进行排放,并以此循环,实现半导体清洗工艺。具体地,清洗药液循环管路可以配有加热器Heater、过滤器200、循环泵100,通过加热器Heater对药液进行加热以使得清洗效率可以提高,过滤器200对清洗药液中细小颗粒物进行过滤,避免清洗药液中的物质对晶圆产生损伤,循环泵100为清洗药液提供压力,以使清洗药液可以循环给排。
排水管路,与清洗药液循环管路的出口端连接,可以对水(包括纯净水、去离子水)以及低浓度的药液(即不会腐蚀厂务管道的浓度)进行排放。相应地,排液管路,也与清洗药液循环管路的出口端连接,用于对高浓度的药液进行排放。排液管路与排水管路可以是连接清洗药液循环管路的同一个出口,也可以是不同的出口。在本发明的示例中,排液管路与排水管路连接清洗药液循环管路的同一个出口。
排放检测组件设置在清洗药液循环管路中,可以检测清洗药液的状态,生成状态信息。其中,清洗药液的状态包括但不限于清洗药液的浓度、清洗药液的温度、清洗药液的酸碱值等。基于检测的状态值生成数字化的状态信息。
控制组件则分别与排放检测组件、排液管路、排水管路连接,具体地,控制组件的输入端与排放检测组件连接,控制组件的输出端与排液管路、排水管路连接。控制组件可以接收排放检测组件发送的状态信息,实时判断当前清洗药液循环管路中清洗药液的性质,是水还是清洗药液,从而接通排水管路与排液管路中的一个,通过排水管路或排液管路,与清洗药液循环管路连通,清洗药液循环管路中的清洗药液排出。
需要说明的是,清洗药液包括针对半导体进行清洗的药液。包括但不限于硫酸,任何遇水产生热的药液均可适用,本发明实施例在此不作限制。
参照图2,在本发明的一可选实施例中,所述状态信息包括温度值和浓度值,所述排放检测组件包括:
浓度检测器CM01,设置于所述清洗药液循环管路中,用于检测所述清洗药液的浓度,生成所述浓度值;
温度检测计TS01,设置于所述清洗药液循环管路的出口,用于检测所述清洗药液的温度,生成所述温度值。
在本发明实施例中,排放检测组件包括浓度检测器CM01和温度检测计TS01。浓度检测器CM01可以设置于清洗药液循环管路中,对清洗药液循环管路中的清洗药液浓度进行检测。浓度检测器CM01可以包括:折射计,通过测量液体的折射率来确定其浓度;密度计,通过测量液体的密度来确定其浓度;电导率计,通过测量液体中的电导率来间接确定液体的浓度。色谱仪,通过分析物质在液相中的分离和检测形成色谱,间接推断出液体中特定成分的浓度。光谱仪,利用光的吸收、散射、发射和干涉等原理,测量清洗药液对特定波长或频率的光的响应,从而推导出清洗药液中组分的浓度。在本发明的一示例中,采用光谱仪作为浓度检测器CM01,即基于吸收分光法,光在与物质作用时,物质可对光产生不同程度的吸收。通过测量物质对不同波长的吸收程度(吸光度),就可以得到该物质在测量波长范围内的吸收曲线。这条曲线就是物质对不同波长的光的吸收光谱。通过光吸收的基本定律公式计算出浓度值。
温度检测计TS01设置于清洗药液循环管路的出口,检测靠近清洗药液循环管路出口处的清洗药液的温度,确定温度值。该温度检测计TS01可以是温度计,可以无级的测出温度,也可以为温度开关,以检测目标的温度值。在本发明的一示例中,温度检测计TS01可以是双金属温控开关,可重复使用,不会因超温而损坏。
控制组件即可根据温度值和浓度值控制排水管路或者控制排液管路与清洗药液循环管路连通,以进行排放。
在本发明的一可选实施例中,所述控制组件包括:
排水控制电路,与所述浓度检测器CM01、所述温度检测计TS01连接,用于基于所述浓度值和所述温度值,控制所述排水管路开启;
排液控制电路,与所述浓度检测器CM01连接,用于基于所述浓度值控制所述排液管路开启。
在本发明实施例中,控制组件包括排水控制电路和排液控制电路。排水控制电路的输入端与浓度检测器CM01、温度检测计TS01连接,可以接收浓度检测器CM01采集到的浓度值和接收温度检测计TS01采集到的温度值,基于浓度值和温度值确定液体的状态,进而控制排液管路开启。相对应地,排液控制电路的输入端可以与浓度检测器CM01连接,接收浓度检测器CM01采集的浓度值,基于浓度值进行确定液体的状态,基于浓度值控制排液管路开启。
在本发明的一可选实施例中,所述排水管路通过第一控制阀09与所述清洗药液循环管路连接;所述排水控制电路包括:
第一继电器KAS1,所述第一继电器KAS1的线圈与所述浓度检测器CM01、所述温度检测计TS01连接,在所述浓度值满足预设第一浓度条件且所述温度值满足预设温度条件时通电;
所述第一继电器KAS1的第一开关KAS1-1与所述第一控制阀09连接,所述第一继电器KAS1的线圈通电时闭合,所述第一继电器KAS1的第一开关KAS1-1接通所述第一控制阀09,以使所述排水管路与所述清洗药液循环管路连通。
排水管路通过第一控制阀09与清洗药液循环管路连接,即第一控制阀09开启时排水管路与清洗药液循环管路连通,清洗药液循环管路中的液体通过排水管路排出;否则排水管路与清洗药液循环管路之间存在阻断,清洗药液循环管路中的液体不经过排水管路。
排水控制电路可以包括第一继电器KAS1,所述第一继电器KAS1可以包括线圈和第一开关KAS1-1,其中该第一开关KAS1-1可以是常断开关。浓度值和温度值形成互锁安全判断,需要同时满足对应的条件,即浓度值满足预设第一浓度条件和温度值满足预设温度条件都成立时,第一继电器KAS1的线圈才得电。第一继电器KAS1的线圈得电,基于电磁原理吸引第一开关KAS1-1闭合。具体地,如图3所示,第一继电器KAS1的线圈与浓度检测器CM01、温度检测计TS01连接,在浓度值满足预设第一浓度条件且温度值满足预设温度条件时,第一继电器KAS1的线圈通电。对应的,第一继电器KAS1的第一开关KAS1-1在线圈通电的吸引下闭合,第一控制阀09所在的电路形成通路,接通第一控制阀09,即第一控制阀09打开,排水管路与清洗药液循环管路之间连通,清洗药液循环管路中的液体通过排水管路排出。
具体地,所述预设第一浓度条件为低于预设第一浓度阈值;所述预设温度条件为低于预设温度阈值。即在温度较低且浓度较低时,才开启第一控制阀09,进而将排水管路与清洗药液循环管路之间连通,将清洗药液循环管路中的低浓度和低温的液体进行排出,从而不会腐蚀到厂务管道,保证排液的安全性。
其中,预设第一浓度阈值可以根据工艺,将不对场务管道腐蚀的浓度确定。预设温度阈值也可以根据工艺,将不对场务管道进行融化的温度确定。本发明实施例对于预设第一浓度阈值和预设温度阈值的具体数值不作限定。
进一步地,本发明实施例中的半导体清洗药液管道结构还可以包括进酸管路,所述进酸管路通过进酸控制阀与所述清洗药液循环管路连接。如图2所示,进酸管路即为H2SO4SUPPLY所在的管路,进酸控制阀包括阀01和阀02,所述第一继电器KAS1的第二开关KAS1-2与所述进酸控制阀(即阀01和阀02)连接,所述第一继电器KAS1的线圈通电时所述第一继电器KAS1的第二开关KAS1-2断开,以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。即在排水管路将清洗药液循环管路中的低浓度和低温的液体进行排出的同时,断开进酸控制阀(阀01和阀02),进酸管路不会向清洗药液循环管路提供新的清洗药液,保证在排如水等低浓度低温的液体时,不会生成新的酸性液体,进一步保证排放的安全性。
如图3所示,第一继电器KAS1具有第二开关KAS1-2,该第二开关KAS1-2为常闭开关,通过常闭点来限制进酸控制阀(阀01和阀02)。当第一继电器KAS1的线圈通电时,对应改变进酸控制阀(阀01和阀02)的状态,进酸控制阀(阀01和阀02)从闭合状态切换为断开状态,以使进酸控制阀(阀01和阀02)关闭,隔断进酸管路与清洗药液循环管路,以使清洗药液循环管路中不会补充新的酸性清洗药液。从而进一步提升排水时的安全性。
综上,在进行排放时,会在第一控制阀09的通断控制增加两路安全互锁逻辑,即需要满足低温以及低浓度才能开启第一控制阀09,从而将洗药液循环管路中液体排放到常务管道中。直接基于清洗药液循环管路中的温度和浓稠度即可确定液体状态,无需对SPM槽内是否为空液位进行判断;节约了药液使用成本;也省去了排放药液为空的状态、同时节约了工艺时间。
在本发明的一可选实施例中,所述排液管路通过第二控制阀08与所述清洗药液循环管路连接;所述排液控制电路包括:
第二继电器KAS2,所述第二继电器KAS2的线圈与所述浓度检测器CM01连接,在所述浓度值满足预设第二浓度条件时通电;
所述第二继电器KAS2的第一开关KAS2-1与所述第二控制阀08连接,所述第二继电器KAS2的线圈通电时闭合,所述第二继电器KAS2的第一开关KAS2-1接通所述第二控制阀08,以使所述排液管路与所述清洗药液循环管路连通。
在本发明实施中,排液管路通过第二控制阀08与清洗药液循环管路连接,即第二控制阀08开启时,排液管路与清洗药液循环管路连通,清洗药液循环管路中的液体通过排液管路排出;否则排液管路与清洗药液循环管路之间存在阻断,清洗药液循环管路中的液体不经过排液管路。
排液控制电路可以包括第二继电器KAS2,第二继电器KAS2可以包括线圈和第一开关KAS2-1,其中该第一开关KAS2-1可以是常断开关。如图4所示,第二继电器KAS2的线圈与浓度检测器CM01连接,在浓度值满足预设第二浓度条件时,第二继电器KAS2的线圈通电;对应的,第二继电器KAS2的第一开关KAS2-1在线圈通电的吸引下闭合,第二控制阀08所在的电路形成通路,接通第二控制阀08,即第二控制阀08打开,排液管路与清洗药液循环管路连通,清洗药液循环管路中的液体通过排液管路排出。
具体地,所述预设第二浓度条件为高于预设第二浓度阈值;即在清洗药液循环管路的液体中的浓度较高时,通过第二控制阀08的开启,将清洗药液循环管路中的高浓度清洗药液进行经过排液管路排出,排放到专门存放废液的存放槽中,保证排液的安全性。其中,第一浓度阈值和第二浓度阈值可以相同,也可以不同,本发明实施例对此不作限定。
进一步地,所述第二继电器KAS2的第二开关KAS1-2与所述进水控制阀03连接,所述第一继电器KAS1的线圈通电时断开,以隔断所述进水管路与所述清洗药液循环管路。其中,如图2所示,进水管路即为从去离子水源头至进水控制阀03的管路。如图4所示,第二继电器KAS2具有第二开关KAS2-2,该第二开关KAS2-2为常闭开关,通过常闭点来限制进水控制阀03。当第二继电器KAS2的线圈通电时,对应改变进水控制阀03的状态,进水控制阀03从闭合状态切换为断开状态,以使进水控制阀03关闭,隔断进水管路与清洗药液循环管路,以使去离子水不会补充,避免去离子水的浪费,从而节约生产成本。
为了使得本领域技术人员可以更清楚本发明实施例,基于图2的结构,对本发明实施例的进液和排放过程进行说明:
1、对于进水管路即为去离子水源处,经过进水控制阀03,流入到清洗槽300的内槽310中。
2、对于进酸管路即为H2SO4 SUPPLY,分别经过进酸控制阀(阀01)和进酸控制阀(阀02)流入到清洗槽300的管路部分。进酸管路可以同时向清洗槽300的内槽310和外槽320输送清洗药液。
3、清洗药液循环管路即为阀D,阀E,循环泵100,阀B,过滤器200,阀A、阀05、阀06。在进酸控制阀(阀01)和进酸控制阀(阀02)关闭后,清洗药液从清洗槽300的内槽310经过阀D,循环泵100,阀B,过滤器200,阀A进行循环;也可以从清洗槽300的外槽320经过阀E,循环泵100,阀B,过滤器200,阀A进行循环。
4、排水管路即为阀20,经过阀09流出至废水收集槽500的管路部分。
5、排酸管路即为阀20,经过阀08和阀10流出至废液收集槽400的管路部分。
6、排放检测组件即为浓度检测器CM01和温度检测计TS01。
7、控制组件即为控制上述阀门或管道部件的控制器。
参照图5,对清洗药液循环管路中对液体进行排放控制流程依次为:阀B关闭、循环泵100开启、阀D开启、阀E开启;液体从清洗槽中开始流出,依次流经阀D或阀E、然后经过循环泵100、流至阀05的入口处。
参照图6,废液(浓酸)排放控制流程依次为:阀05开启、阀06开启、阀20开启、阀08开启、阀10开启。在排出废液时,是需要将清洗药液循环管路中的全部废液排干净,因此,可以开启阀05,将清洗槽中的废液进行排出;也开启阀06,对过滤器200至循环泵100这段管道中的废液进行排出。废液经过:阀05或阀06流至阀20,然后阀20、阀08开启、阀10都是所在的地方都是通路,废液即依次经过阀20、阀08开启、阀10流出到废液收集槽400,从而对浓酸进行排放。
可见,在需要将清洗槽300中的废液排出至废液收集槽400的过程中,废液要完全排空时,废液依次经过阀D或阀E、循环泵100、阀05、阀20、阀08、阀10。或者,废液依次经过阀06、阀20、阀08、阀10。
与此同时,在排酸的过程中,也需要停止进水,即阀03关闭,进水管道中的纯水被阀03阻断,无法进入到清洗槽300中。
参照图7,废水或者稀酸排放控制流程依次为:阀05开启、阀06开启、阀20开启、阀09开启。在排出废水时,同样是需要将清洗药液循环管路中的全部废水排干净,因此,可以开启阀05,将清洗槽300中的废水进行排出;也开启阀06,对过滤器200至循环泵100这段管道中的废水进行排出。然后阀05和阀06的废水依次经过阀20、阀09排到废水收集槽500中,以将DI-flush(稀酸)/废水排放。
可见,在需要将清洗槽300中的废水排出至废水收集槽500的过程中,废水要完全排空时,废水依次经过阀D或阀E、循环泵100、阀05、阀20、阀09。或者,废水依次经过阀06、阀20、阀09。
与此同时,在排水的过程中,也需要停止进清洗药液,即阀01和阀02关闭,进酸管道中的清洗药液被阀01和阀02阻断,无法进入到清洗槽300中。
本发明实施例通过清洗药液循环管路在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个;通过控制组件检测清洗药液循环管路中的状态,确定清洗药液循环管路中的液体的类型,从而可以自动地基于当前清洗药液循环管路中的液体类型控制排水管路或排液管路进行排放,减少人工现场确认的步骤,从而减少人力以及避免了认为判断错误的现象发生;并且通过控制组件进行硬件切换的方式实现排液控制,避免高温高浓度的药液与去离子水混淆排放的情况,提高排液的安全性和可靠性。
参照图8,示出了本发明的一种半导体工艺设备实施例的结构示意图。所述半导体工艺设备包括:清洗槽801、承载结构802、和如上所述的半导体清洗药液管道结构803,所述承载结构802位于所述清洗槽801中;所述半导体清洗药液管道结构803与清洗槽801连接,用于向所述清洗槽801输出清洗药液中,通过所述清洗药液清洗所述承载结构802承载的待清洗件;并排出所述清洗槽801中的清洗药液。
具体地,所述半导体清洗药液管道结构,包括:
清洗药液循环管路,用于在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;
排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,用于检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;
控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,用于基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个。
可选地,所述状态信息包括温度值和浓度值,所述排放检测组件包括:
浓度检测器,设置于所述清洗药液循环管路中,用于检测所述清洗药液的浓度,生成所述浓度值;
温度检测计,设置于所述清洗药液循环管路的出口,用于检测所述清洗药液的温度,生成所述温度值。
可选地,所述控制组件包括:
排水控制电路,与所述浓度检测器、所述温度检测计连接,用于基于所述浓度值和所述温度值,控制所述排水管路开启;
排液控制电路,与所述浓度检测器连接,用于基于所述浓度值控制所述排液管路开启。
可选地,所述排水管路通过第一控制阀与所述清洗药液循环管路连接;所述排水控制电路包括:
第一继电器,所述第一继电器的线圈与所述浓度检测器、所述温度检测计连接,在所述浓度值满足预设第一浓度条件且所述温度值满足预设温度条件时通电;
所述第一继电器的第一开关与所述第一控制阀连接,所述第一继电器的线圈通电时闭合,所述第一继电器的第一开关接通所述第一控制阀,以使所述排水管路与所述清洗药液循环管路连通。
可选地,还包括:进酸管路,
所述进酸管路通过进酸控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
可选地,所述第一继电器的第二开关与所述进酸控制阀连接,所述第一继电器的线圈通电时所述第一继电器的第二开关断开,以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。
可选地,所述预设第一浓度条件为低于预设第一浓度阈值;所述预设温度条件为低于预设温度阈值。
可选地,所述排液管路通过第二控制阀与所述清洗药液循环管路连接;所述排液控制电路包括:
第二继电器,所述第二继电器的线圈与所述浓度检测器连接,在所述浓度值满足预设第二浓度条件时通电;
所述第二继电器的第一开关与所述第二控制阀连接,所述第二继电器的线圈通电时闭合,所述第二继电器的第一开关接通所述第二控制阀,以使所述排液管路与所述清洗药液循环管路连通。
可选地,还包括:进水管路,
所述进水管路通过进水控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
可选地,所述第二继电器的第二开关与所述进水控制阀连接,所述第二继电器的线圈通电时所述第二继电器的第二开关断开,以隔断所述进水管路与所述清洗药液循环管路。
可选地,所述预设第二浓度条件为高于预设第二浓度阈值。
在本发明的一种示例中,该半导体工艺设备具体可以为一种槽式清洗设备。
需要说明的是,对于方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明实施例,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白,本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此,本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上,使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (12)

1.一种半导体清洗药液管道结构,其特征在于,包括:
清洗药液循环管路,用于在进行半导体清洗工艺时,循环给排清洗药液;
排水管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排液管路,与所述清洗药液循环管路的出口连接;
排放检测组件,设置于所述清洗药液循环管路,用于检测所述清洗药液的状态,生成状态信息;
控制组件,与所述排放检测组件、所述排液管路、所述排水管路连接,用于基于所述状态信息,接通所述排水管路与所述排液管路中的一个。
2.根据权利要求1所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述状态信息包括温度值和浓度值,所述排放检测组件包括:
浓度检测器,设置于所述清洗药液循环管路中,用于检测所述清洗药液的浓度,生成所述浓度值;
温度检测计,设置于所述清洗药液循环管路的出口,用于检测所述清洗药液的温度,生成所述温度值。
3.根据权利要求2所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述控制组件包括:
排水控制电路,与所述浓度检测器、所述温度检测计连接,用于基于所述浓度值和所述温度值,控制所述排水管路开启;
排液控制电路,与所述浓度检测器连接,用于基于所述浓度值控制所述排液管路开启。
4.根据权利要求3所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述排水管路通过第一控制阀与所述清洗药液循环管路连接;所述排水控制电路包括:
第一继电器,所述第一继电器的线圈与所述浓度检测器、所述温度检测计连接,在所述浓度值满足预设第一浓度条件且所述温度值满足预设温度条件时通电;
所述第一继电器的第一开关与所述第一控制阀连接,所述第一继电器的线圈通电时闭合,所述第一继电器的第一开关接通所述第一控制阀,以使所述排水管路与所述清洗药液循环管路连通。
5.根据权利要求4所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,还包括:进酸管路,
所述进酸管路通过进酸控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
6.根据权利要求5所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述第一继电器的第二开关与所述进酸控制阀连接,所述第一继电器的线圈通电时所述第一继电器的第二开关断开,以隔断所述进酸管路与所述清洗药液循环管路。
7.根据权利要求4所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述预设第一浓度条件为低于预设第一浓度阈值;所述预设温度条件为低于预设温度阈值。
8.根据权利要求3所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述排液管路通过第二控制阀与所述清洗药液循环管路连接;所述排液控制电路包括:
第二继电器,所述第二继电器的线圈与所述浓度检测器连接,在所述浓度值满足预设第二浓度条件时通电;
所述第二继电器的第一开关与所述第二控制阀连接,所述第二继电器的线圈通电时闭合,所述第二继电器的第一开关接通所述第二控制阀,以使所述排液管路与所述清洗药液循环管路连通。
9.根据权利要求8所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,还包括:进水管路,
所述进水管路通过进水控制阀与所述清洗药液循环管路连接。
10.根据权利要求9所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述第二继电器的第二开关与所述进水控制阀连接,所述第二继电器的线圈通电时所述第二继电器的第二开关断开,以隔断所述进水管路与所述清洗药液循环管路。
11.根据权利要求8所述的半导体清洗药液管道结构,其特征在于,所述预设第二浓度条件为高于预设第二浓度阈值。
12.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括:清洗槽、承载结构、和如权利要求1至11任一项所述的半导体清洗药液管道结构,所述承载结构位于所述清洗槽中,用于承载待清洗件;
所述半导体清洗药液管道结构与清洗槽连接,用于向所述清洗槽输出清洗药液,以通过所述清洗药液清洗所述待清洗件,并排出所述清洗槽中的清洗药液。
CN202311491607.XA 2023-11-09 2023-11-09 一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备 Pending CN117619812A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311491607.XA CN117619812A (zh) 2023-11-09 2023-11-09 一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311491607.XA CN117619812A (zh) 2023-11-09 2023-11-09 一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117619812A true CN117619812A (zh) 2024-03-01

Family

ID=90022601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311491607.XA Pending CN117619812A (zh) 2023-11-09 2023-11-09 一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117619812A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11498852B2 (en) Ultrapure water generation and verification system
JP6385714B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
TWI491566B (zh) Wash sterilization method of ultra pure water manufacturing system
JP2015220318A5 (zh)
JPH0771845A (ja) 流体中のガスを検知する方法とそれに使用する装置
US11930979B2 (en) Energy recovery system for heated water
RU95115513A (ru) Автоматизированная система для периодического удаления ионов металла из химической ванны, автоматизированная система стабилизации химической ванны, способ удаления ионов металла и система автоматического осаждения покрытия
US20130269425A1 (en) Device For Measuring The Purity Of Ultrapure Water
CN117619812A (zh) 一种半导体清洗药液管道结构和半导体工艺设备
WO2006043900A1 (en) A water quality testing system
JPH08299923A (ja) 洗浄方法及び装置
US11586230B2 (en) Systems and methods for automatic concentration control
CN211514099U (zh) 过滤处理装置
WO2022075063A1 (ja) 分析システム及び管理システム、並びに分析方法、並びに分析プログラム
CN104614590A (zh) 氢电导率连续在线测量装置
JP2007266211A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
CN111167808A (zh) 一种半导体制程管路清洗装置
JP2004028246A (ja) 油系統装置
TWI837479B (zh) 純化檸檬酸的系統
CN220091026U (zh) 一种处理饮用水的中空纤维膜丝自动清洗装置
KR102328783B1 (ko) 케미컬 공급장치의 커플러 세정 장치 및 방법
US11687102B2 (en) Systems and methods for automatic concentration control
KR20240018824A (ko) 압력모니터링을 이용한 연소관 세척시스템과, 압력모니터링을 이용한 연소관의 세척방법 및 이것이 구비된 총유기탄소 분석기
CN220176549U (zh) 一种在线稀释机
CN115739801A (zh) 一种清洗设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination