CN117613061A - 显示面板及其制备方法、电子设备 - Google Patents

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CN117613061A
CN117613061A CN202311706550.0A CN202311706550A CN117613061A CN 117613061 A CN117613061 A CN 117613061A CN 202311706550 A CN202311706550 A CN 202311706550A CN 117613061 A CN117613061 A CN 117613061A
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姚登莉
袁海江
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Abstract

本申请提供了显示面板及其制备方法、电子设备。显示面板包括基底、设于基底一侧的增透层、设于增透层背离基底一侧的缓冲层、及设于缓冲层背离基底一侧的发光单元。发光单元发出的光能够经缓冲层、增透层、及基底射出。增透层的折射率小于基底的折射率，且增透层的折射率小于缓冲层的折射率。本申请通过在基底与缓冲层之间设置增透层，能够使更多的光线能够透过基底以射至外界，从而提高显示面板的发光效率，减小相邻的发光单元之间的光串扰，进而提高显示面板的显示效果。

Description

显示面板及其制备方法、电子设备
技术领域
本申请属于显示面板技术领域，具体涉及显示面板及其制备方法、电子设备。
背景技术
随着高分辨率低功耗显示需求的不断增加，Micro-LED显示技术中单个像素点尺寸和像素点间距也会随着分辨率的要求日趋减小。器件尺寸及像素点间距减小，会增加侧壁出光及光的横向传播，这会导致像素点间的光串扰效应，从而导致显示面板的发光效率降低，进而导致显示面板的显示效果降低。
发明内容
鉴于此，本申请第一方面提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
基底；
增透层，设于所述基底一侧；
缓冲层，设于所述增透层背离所述基底的一侧；及
发光单元，设于所述缓冲层背离所述基底的一侧，所述发光单元发出的光能够经所述缓冲层、所述增透层、及所述基底射出；
其中，所述增透层的折射率小于所述基底的折射率。
本申请第一方面提供的显示面板包括基底、增透层、缓冲层、及发光单元。发光单元发出的光线可经缓冲层、增透层、及基底射至外界。具体地，由于本申请在缓冲层与基底之间设置了增透层，且增透层的折射率小于基底的折射率，当光线从折射率小的介质进入折射率大的介质时，光线的折射角小于入射角，使光线的传播角度变窄，更多的光线能够透过基底，射出外界。
因此，本申请通过在基底与缓冲层之间设置增透层，能够使更多的光线能够透过基底以射至外界，从而提高显示面板的发光效率，减小相邻的发光单元之间的光串扰，进而提高显示面板的显示效果。
其中，所述增透层包括至少一层子增透层，每层所述子增透层包括多个第一颗粒，所述多个第一颗粒沿垂直于所述基底与所述缓冲层的排列方向单层排布。
其中，在至少一层所述子增透层中，所述多个第一颗粒阵列排布，第n排的所述第一颗粒与第n+2排的所述第一颗粒正对应设置，第n+1排的所述第一颗粒与第n排的所述第一颗粒、第n+2排的所述第一颗粒中相邻的两个所述第一颗粒的间隙正对应设置，n为正整数。
其中，在每层所述子增透层中，所述第一颗粒的外表面为球面，相邻的两个所述第一颗粒的所述球面之间形成第一间隙，所述第一间隙靠近所述基底，所述第一间隙用于容置气体，所述气体的折射率小于所述基底的折射率。
其中，所述第一颗粒的直径d满足以下范围：100nm≤d≤1000nm；和/或，所述第一间隙的容积与所述第一颗粒的体积比为(0.3-0.4)：1。
其中，所述显示面板还包括设于所述增透层与所述缓冲层之间的中间层。
其中，所述增透层包括至少一层子增透层，每层所述子增透层包括多个第一颗粒，所述多个第一颗粒沿垂直于所述基底与所述缓冲层的排列方向单层排布，所述中间层背离所述基底一侧表面的形状与所述多个第一颗粒背离所述基底一侧表面的形状相同。
其中，所述增透层包括一层子增透层，所述子增透层包括多个第一颗粒，所述多个第一颗粒沿垂直于所述基底与所述缓冲层的排列方向单层排布，所述第一颗粒的外表面为球面，相邻的两个所述第一颗粒的所述球面之间形成沿所述基底与所述缓冲层的排列方向排布的第一间隙与第二间隙，所述第一间隙相较于所述第二间隙靠近所述基底；
所述第一间隙用于容置气体，所述气体的折射率小于所述基底的折射率；所述增透层还包括多个第二颗粒，所述第二颗粒的直径小于所述第一颗粒的直径；所述第二间隙用于容置至少一个所述第二颗粒。
本申请第二方面提供了一种电子设备，所述电子设备包括壳体、及如本申请第一方面提供的显示面板，所述显示面板装设于所述壳体。
本申请第二方面提供的电子设备，由于采用了本申请第一方面提供的显示面板，通过在基底与缓冲层之间设置增透层，能够使更多的光线能够透过基底以射至外界，从而提高显示面板的发光效率，减小相邻的发光单元之间的光串扰，进而提高显示面板的显示效果。
本申请第三方面提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：
提供基底；
形成设于所述基底一侧的增透层；
形成设于所述增透层背离所述基底的一侧的缓冲层；其中，所述增透层的折射率小于所述基底的折射率；及
形成设于所述缓冲层背离所述基底的一侧的发光单元，所述发光单元发出的光能够经所述缓冲层、所述增透层、及所述基底射出。
本申请第三方面提供的显示面板的制备方法，简单实用，可操作性强。通过在基底与缓冲层之间设置增透层，能够使更多的光线能够透过基底以射至外界，从而提高显示面板的发光效率，减小相邻的发光单元之间的光串扰，进而提高显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请一实施方式提供的显示面板的结构示意图一。
图2为本申请一实施方式提供的显示面板的结构示意图二。
图3为本申请一实施方式提供的增透层的俯视图。
图4为本申请一实施方式提供的显示面板的结构示意图三。
图5为本申请一实施方式提供的图4的局部放大图。
图6为本申请另一实施方式提供的增透层的俯视图。
图7为本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程图。
标号说明：显示面板-1，基底-11，增透层-12、子增透层-121，第一颗粒-1211，第一间隙-1212，第二间隙-1213，第二颗粒-1214，缓冲层-13、发光单元-14，n-GaN层-141，多量子阱层-142，p型电子阻挡层-143，p-GaN层-144，绝缘层-145，金属层-146，中间层-15。
具体实施方式
以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
通常基底由蓝宝石制成，缓冲层由GaN制成。由于蓝宝石之间的光通路作用，使倒装Micro-LED像素点之间存在严重的光串扰现象，从而导致显示面板的发光效率降低，进而导致显示面板的显示效果降低。具体地，在倒置Micro-LED器件，由于GaN的折射率为2.45，蓝宝石的折射率为1.78，GaN层与蓝宝石的光线逃逸锥约46°，对于传播角度大于46°的这部分光会在氮化镓和蓝宝石界面发生全反射，即在GaN层传播。在传播角度小于逃逸锥46°的这部分光将进入蓝宝石但不会全部发射出器件。由于蓝宝石与空气界面的逃逸锥约35°，大于逃逸锥35°的光将在蓝宝石与空气介面发生全反射，即在蓝宝石中传播。在GaN层和蓝宝石中传播的这部分光没有从器件中发射出来，除了对器件的发光效率没有任何贡献外，进入相邻器件区域还会形成光串扰。虽然蓝宝石中的光串扰，可以通过完全剥离蓝宝石来减少，但同时带来的是光提取效率的急剧降低及工艺成本的增加。
请一并参考图1-图2，图1为本申请一实施方式提供的显示面板的结构示意图一。图2为本申请一实施方式提供的显示面板的结构示意图二。
本实施方式提供一种显示面板1，所述显示面板1包括基底11、增透层12、缓冲层13、发光单元14。增透层12设于所述基底11一侧。缓冲层13设于所述增透层12背离所述基底11的一侧。发光单元14设于所述缓冲层13背离所述基底11的一侧，所述发光单元14发出的光能够经所述缓冲层13、所述增透层12、及所述基底11射出。其中，所述增透层12的折射率小于所述基底11的折射率。
此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
本实施方式提供的显示面板1包括基底11，为增透层12、缓冲层13、及发光单元14的制备提供基础。基底11的材料包括蓝宝石等。光线能够透过基底11。可选地，基底11的折射率为2.45。
本实施方式提供的显示面板1还包括增透层12，用于使更多光线透过。增透层12的材料包括SiO2纳米材料等。增透层12的折射率小于基底11的折射率。可选地，增透层12的折射率小于2.45。进一步可选地，增透层12的折射率为1.45。光线能够透过增透层12。例如，增透层12的材料可以为折射率小于2.45，透明且玻璃温度高于1100摄氏度的球型纳米材料。其中，由于增透层12的折射率小于基底11的折射率，所以光线由增透层12射与基底11界面发出时，光线收窄，使更多地光线能够透过基底11。
本实施方式提供的显示面板1还包括缓冲层13，为发光单元14的制备提供基础。缓冲层13的材料包括GaN等。光线能够透过缓冲层13。可选地，所述增透层12的折射率小于所述缓冲层13的折射率。可选地，缓冲层13的折射率为1.78。
本实施方式提供的显示面板1还包括发光单元14，用于发光。发光单元14包括设于缓冲层13背离基底11一侧的n-GaN层141、设于n-GaN层141背离基底11一侧的多量子阱层142(Multiple Quantum Well，MQW)、设于多量子阱层142背离基底11一侧的p型电子阻挡层143、设于p型电子阻挡层143基底11一侧的p-GaN层144。所述发光单元14还包括覆盖所述n-GaN层141侧面、多量子阱层142侧面、p型电子阻挡层143侧面、及p-GaN层144侧面的绝缘层145、及覆盖绝缘层145、及p-GaN背离基底11一侧的金属层146。绝缘层145的材料包括SiO2等。金属层146的材料包括铝(Al)等。发光单元14发出的光经缓冲层13、增透层12、及基底11射出。也可以将显示面板1理解为倒装Micro-LED。
具体地，由于本实施方式在缓冲层13与基底11之间设置了增透层12，且增透层12的折射率小于基底11的折射率，当光线从折射率小的介质进入折射率大的介质时，光线的折射角小于入射角，使光线的传播角度变窄，更多的光线能够透过基底11，射出外界。
因此，本实施方式通过在基底11与缓冲层13之间设置增透层12，能够使更多的光线能够透过基底11以射至外界，从而提高显示面板1的发光效率，减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而提高显示面板1的显示效果。
在相关技术没有增透层12的倒装Micro-LED器件中，发光单元14发出的光线进入缓冲层13后，一部分光会在缓冲层13和基底11的界面发生全反射。由于缓冲层13的折射率为2.45，基底11的折射率为1.78，所以这部分在缓冲层13中传播角度大于逃逸锥46°的光，其将进入相邻器件的区域，成为第一串扰光。
对于进入基底11的光，一部分的光线在蓝宝石与外界空气的界面的逃离锥以内，即，光在基底11的传播角度是小于35°，这些光能够射至外界。但随着器件间距的减小，这部分光将有一部分在逃离到空气之前先进入到相邻器件中，从而也称为相邻器件的光串扰。另外，即使光提前到达基底11与空气界面，但由于基底11与空气界面的折射率差，会有一部分光被菲涅尔反锁，从而依然进入到相邻的器件中，称为光串扰。
对于进入基底11的另一部分的光，这部分的光在基底11与空气界面发生全反射，即，在基底11中的传播角度大于逃逸锥35°的光，这部分的光也将进入相邻器件区域，成为第二串扰光。
本实施方式通过在蓝宝石衬底上制备一层超低折射率的增透层12，减小第一串扰光与第二串扰光全反射光的量，不但能进一步的提高Micro-LED发光效率，还能很好的减小Micro-LED相邻器件之间的光串扰效应。
请一并参考图1-图2，在一种实施方式中，所述增透层12包括至少一层子增透层121，每层所述子增透层121包括多个第一颗粒1211，所述多个第一颗粒1211沿垂直于所述基底11与所述缓冲层13的排列方向(如图1中方向D所示)单层排布。
本实施方式提供的增透层12包括至少一层子增透层121。例如，增透层12为一层子增透层121。又例如，增透层12为多层子增透层121，多层子增透层121沿基底11与缓冲层13的排列方向排布。每层子增透层121包括多个第一颗粒1211，第一颗粒1211为纳米颗粒。例如，至少部分的多个第一颗粒1211互相抵接。又例如，至少部分的多个第一颗粒1211之间具有间隙。换言之，相邻的两个第一颗粒1211的相互抵接、或间隔设置。第一颗粒1211可以为SiO2纳米球。
可选地，多个第一颗粒1211阵列排布，第n排的所述第一颗粒1211与第n+1排的所述第一颗粒1211正对应设置。可选地，多个第一颗粒1211阵列排布，第n排的所述第一颗粒1211与第n+1排的所述第一颗粒1211交错设置。
可选的。第一颗粒1211的外表面为球面。当发光单元14发出的光线由缓冲层13射至第一颗粒1211时，第一颗粒1211可起到凸透镜的作用，对光有汇聚和减小传播角度的作用，从而进一步提高显示面板1的发光效率，进一步减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而进一步提高显示面板1的显示效果。
当增透层12包括子增透层121时，发光单元14发出的光线能够经缓冲层13、子增透层121、基底11射出。其中，当增透层12为一层子增透层121时，增透层12的增透效果更佳。本实施方式通过设置至少一层的子增透层121，使更多的光线能够透过基底11以射至外界，从而提高显示面板1的发光效率，减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而提高显示面板1的显示效果。
请一并参考图1-图3，图3为本申请一实施方式提供的增透层的俯视图。在一种实施方式中，在至少一层所述子增透层121中，所述多个第一颗粒1211阵列排布，第n排的所述第一颗粒1211与第n+2排的所述第一颗粒1211正对应设置，第n+1排的所述第一颗粒1211与第n排的所述第一颗粒1211、第n+2排的所述第一颗粒1211中相邻的两个所述第一颗粒1211的间隙正对应设置，n为正整数。
也可以理解为，第n排的所述第一颗粒1211与第n+1排的所述第一颗粒1211交错设置。本实施方式通过限定第一颗粒1211的排列状态，能够提高多个第一颗粒1211排布的稳定性，从而提高子增透层121的稳定性。
请一并参考图1-图2，在一种实施方式中，在每层所述子增透层121中，所述第一颗粒1211的外表面为球面，相邻的两个所述第一颗粒1211的所述球面之间形成第一间隙1212，所述第一间隙1212靠近所述基底11，所述第一间隙1212用于容置气体，所述气体的折射率小于所述基底11的折射率。
例如，第一间隙1212内容置的气体为空气。空气的折射率为1。可选地，所述气体的折射率小于所述第一颗粒1211的折射率。
当光线从折射率小的介质进入折射率大的介质时，光线的折射角小于入射角，使光线的传播角度变窄。发光单元14发出的光线由缓冲层13进入第一颗粒1211，至少部分的光由第一颗粒1211射至第一间隙1212内，再经第一间隙1212进入基底11时，在界面发生折射，使原本的光的传播角度更窄，从而进一步使更多的光线能够透过基底11以射至外界，进一步提高显示面板1的发光效率，进一步减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而进一步提高显示面板1的显示效果。也可以理解为，通过增加基底11与气体界面逃逸锥内的光的比例，以提高显示面板1的发光效率并减少光串扰。
增透层12也可以理解为纳米结构功能层，本实施方式提供一种基于纳米结构功能层的倒装Micro-LED。在器件中，光从缓冲层13射进入增透层12时,除第一颗粒1211本身起到凸透镜的作用，对光有汇聚和减小传播角度的作用，由于第一颗粒1211之间存在空气间隙，空气间隙的光进入到基底11时，在界面发生折射，使原本的光的传播角度更窄。通过增加基底11与空气界面逃逸锥内的光的比例，以提高器件的发光效率并减少光串扰。
请一并参考图1-图3，在一种实施方式中，所述第一颗粒1211的直径d满足以下范围：100nm≤d≤1000nm；和/或，所述第一间隙1212的容积与所述第一颗粒1211的体积比为(0.3-0.4)：1。
第一颗粒1211的直径d可以为100nm、或200nm、或300nm、或400nm、或500nm、或600nm、或700nm、或800nm、或900nm、或1000nm等。当第一颗粒1211的粒径d为100nm-1000nm时，第一颗粒1211能够使相邻的第一颗粒1211之间具有合适的第一间隙1212，确保子增透层121能够发挥提高光线透过率的作用。若第一颗粒1211的粒径小于100nm时，第一颗粒1211太小，相邻的第一颗粒1211之间排列过于紧密，导致第一间隙1212的容积减小，不利于使更多的光线能够透过基底11以射至外界。若第一颗粒1211的粒径大于1000nm时，第一颗粒1211太大，第一颗粒1211太大，相邻的第一颗粒1211之间排列过于松散，导致部分缓冲层13容易直接抵接基底11，无法发挥子增透层121的作用。
第一间隙1212的容积与第一颗粒1211的体积比可以为0.3：1、或0.33：1、或0.35：1、或0.38：1、或0.4：1等。当第一间隙1212的容积与第一颗粒1211的体积比为(0.3-0.4)：1时，第一颗粒1211能够使相邻的第一颗粒1211之间具有合适的第一间隙1212，确保子增透层121能够发挥提高光线透过率的作用。若第一间隙1212的容积与第一颗粒1211的体积比小于0.3：1时，第一间隙1212的容积太小，不利于使更多的光线能够透过基底11以射至外界。若第一间隙1212的容积与第一颗粒1211的体积比大于0.4：1时，第一间隙1212的容积太大，相邻的第一颗粒1211之间排列过于松散，导致部分缓冲层13容易直接抵接基底11，无法发挥子增透层121的作用。
请参考图4，图4为本申请一实施方式提供的显示面板的结构示意图三。在一种实施方式中，所述显示面板1还包括设于所述增透层12与所述缓冲层13之间的中间层15。
本实施方式的显示面板1还包括中间层15，为缓冲层13的生长提供基础。可选地，中间层15的材料为Al2O3等。本实施方式通过在增透层12与缓冲层13之间设置中间层15，为后续缓冲层13的生长提供基础，从而降低制备难度。
请参考图4，在一种实施方式中，所述增透层12包括至少一层子增透层121，每层所述子增透层121包括多个第一颗粒1211，所述多个第一颗粒1211沿垂直于所述基底11与所述缓冲层13的排列方向单层排布，所述中间层15背离所述基底11一侧表面的形状与所述多个第一颗粒1211背离所述基底11一侧表面的形状相同。
中间层15背离基底11一侧表面的形状与第一颗粒1211背离基底11一侧表面的形状相同，换言之，中间层15贴合多个第一颗粒1211的形状，中间层15背离基底11一侧表面的形状为波浪形。一方面，波浪型的中间层15相对于平整的中间层15，会使更多的光线穿过波浪型的中间层15；另一方面，波浪型的中间层15可看做凸面镜，对透过光线有收窄作用；从而进一步使更多的光线能够透过基底11以射至外界，进一步提高显示面板1的发光效率，进一步减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而进一步提高显示面板1的显示效果。
另外，当中间层15为平整时，大于逃逸锥46°的光不会进入增透层12，会在缓冲层13与中间层15界面发生全反射，不利于提高显示面板1的发光效率。
可选地，沿基底11与缓冲层13的排列方向，中间层15的厚度满足60nm≤h≤80nm。中间层15的厚度可以为60nm、或65nm、或70nm、或75nm、或80nm等。若中间层15的厚度小于60nm时，中间层15太薄，无法为缓冲层13的生长提供基础，提高制备难度。若中间层15的厚度大于80nm时，中间层15太厚，无法贴合第一颗粒1211的球形，第一颗粒1211的凸透镜功能消失。
请一并参考图5与图6，图5为本申请一实施方式提供的图4的局部放大图。图6为本申请另一实施方式提供的增透层的俯视图。在一种实施方式中，所述增透层12包括一层子增透层121，所述子增透层121包括多个第一颗粒1211，所述多个第一颗粒1211沿垂直于所述基底11与所述缓冲层13的排列方向单层排布，所述第一颗粒1211的外表面为球面，相邻的两个所述第一颗粒1211的所述球面之间形成沿所述基底11与所述缓冲层13的排列方向排布的第一间隙1212与第二间隙1213，所述第一间隙1212相较于所述第二间隙1213靠近所述基底11。
所述第一间隙1212用于容置气体，所述气体的折射率小于所述基底11的折射率；所述增透层12还包括多个第二颗粒1214，所述第二颗粒1214的直径小于所述第一颗粒1211的直径；所述第二间隙1213用于容置至少一个所述第二颗粒1214。
本实施方式中的增透层12由单层的子增透层121组成。相邻的第一颗粒1211之间形成第一间隙1212与第二间隙1213。面向基底11的相邻的第一颗粒1211的球面形成第一间隙1212，面向缓冲层13的相邻的第一颗粒1211的球面形成第二间隙1213。第二颗粒1214与第一颗粒1211的材料相同或不同。可选地，第二颗粒1214可以为SiO2纳米球。可选地，第一颗粒1211与第二颗粒1214的直径比为1：(0.2-0.3)。
第一间隙1212用于容置气体，以使更多的光线能够透过基底11以射至外界，进一步提高显示面板1的发光效率，进一步减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而进一步提高显示面板1的显示效果。第二间隙1213用于容置第二颗粒1214，以第二颗粒1214遮挡第二间隙1213，避免在制备显示面板1时第一间隙1212被堵塞，例如，避免中间层15、缓冲层13的材料经第二间隙1213流至第一间隙1212导致第一间隙1212被堵塞，无法容置气体。
另外，当增透层12包括多层子增透层121，至少一个第一颗粒1211位于第二间隙1213内。上层的第一颗粒1211遮挡第二间隙1213，避免在制备显示面板1时第一间隙1212被堵塞，从而确保最靠近基底11的子增透层121的第一间隙1212不被堵塞。
请一并参考图1-图6，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括壳体、及如本申请上述提供的显示面板1，所述显示面板1装设于所述壳体。
本实施方式提供的电子设备，由于采用了本申请上述提供的显示面板1，通过在基底11与缓冲层13之间设置增透层12，能够使更多的光线能够透过基底11以射至外界，从而提高显示面板1的发光效率，减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而提高显示面板1的显示效果。
请一并参考图1-图7，图7为本申请一实施方式提供的显示面板的制备方法的流程图。本申请还提供了一种显示面板1的制备方法，所述制备方法包括：
S100，提供基底11。
S200，形成设于所述基底11一侧的增透层12。
S300，形成设于所述增透层12背离所述基底11的一侧的缓冲层13；其中，所述增透层12的折射率小于所述基底11的折射率。
S400，形成设于所述缓冲层13背离所述基底11的一侧的发光单元14，所述发光单元14发出的光能够经所述缓冲层13、所述增透层12、及所述基底11射出。
本实施方式提供的显示面板1的制备方法，简单实用，可操作性强。通过在基底11与缓冲层13之间设置增透层12，能够使更多的光线能够透过基底11以射至外界，从而提高显示面板1的发光效率，减小相邻的发光单元14之间的光串扰，进而提高显示面板1的显示效果。
在一种实施方式中，基底11由蓝宝石制成，增透层12由SiO2纳米球制成，中间层15由Al2O3制成，缓冲层13由GaN制成。
首先，将蓝宝石基底11涂布面等离子体处理25min以增加亲水性，以在表面产生氢键以分散SiO2纳米球的悬浮液。然后，将5wt％的SiO2纳米球水性悬浮液涂布在蓝宝石基底11上，100℃下烘烤10-25min完成干燥，其中SiO2纳米球直径为100±5nm。
利用原子沉积系统(ALD)在110℃环境下生长Al2O3薄膜，ALD循环次数为800-1000次以保证60nm-80nm的Al2O3薄膜的沉积。然后，1100℃的炉中热处理60min，在热处理过程中Al2O3壳层通过固相外延结晶成α相，允许GaN整体生长。然后，依次形成GaN薄膜缓冲层13(未掺杂氮化镓)、n-GaN层141、MQW(多量子阱层142)、p型电子阻挡层143、p-GaN层144、SiO2绝缘层145等，并通过光刻、干刻形成图形，完成除电极以外部分的制备。通过蒸镀成膜、光刻形成电极。
以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基底；
增透层，设于所述基底一侧；
缓冲层，设于所述增透层背离所述基底的一侧；及
发光单元，设于所述缓冲层背离所述基底的一侧，所述发光单元发出的光能够经所述缓冲层、所述增透层、及所述基底射出；
其中，所述增透层的折射率小于所述基底的折射率。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述增透层包括至少一层子增透层，每层所述子增透层包括多个第一颗粒，所述多个第一颗粒沿垂直于所述基底与所述缓冲层的排列方向单层排布。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在至少一层所述子增透层中，所述多个第一颗粒阵列排布，第n排的所述第一颗粒与第n+2排的所述第一颗粒正对应设置，第n+1排的所述第一颗粒与第n排的所述第一颗粒、第n+2排的所述第一颗粒中相邻的两个所述第一颗粒的间隙正对应设置，n为正整数。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在每层所述子增透层中，所述第一颗粒的外表面为球面，相邻的两个所述第一颗粒的所述球面之间形成第一间隙，所述第一间隙靠近所述基底，所述第一间隙用于容置气体，所述气体的折射率小于所述基底的折射率。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一颗粒的直径d满足以下范围：100nm≤d≤1000nm；和/或，所述第一间隙的容积与所述第一颗粒的体积比为(0.3-0.4)：1。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述增透层与所述缓冲层之间的中间层。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述增透层包括至少一层子增透层，每层所述子增透层包括多个第一颗粒，所述多个第一颗粒沿垂直于所述基底与所述缓冲层的排列方向单层排布，所述中间层背离所述基底一侧表面的形状与所述多个第一颗粒背离所述基底一侧表面的形状相同。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述增透层包括一层子增透层，所述子增透层包括多个第一颗粒，所述多个第一颗粒沿垂直于所述基底与所述缓冲层的排列方向单层排布，所述第一颗粒的外表面为球面，相邻的两个所述第一颗粒的所述球面之间形成沿所述基底与所述缓冲层的排列方向排布的第一间隙与第二间隙，所述第一间隙相较于所述第二间隙靠近所述基底；
所述第一间隙用于容置气体，所述气体的折射率小于所述基底的折射率；所述增透层还包括多个第二颗粒，所述第二颗粒的直径小于所述第一颗粒的直径；所述第二间隙用于容置至少一个所述第二颗粒。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括壳体、及如权利要求1-8任一项所述的显示面板，所述显示面板装设于所述壳体。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供基底；
形成设于所述基底一侧的增透层；
形成设于所述增透层背离所述基底的一侧的缓冲层；其中，所述增透层的折射率小于所述基底的折射率；及
形成设于所述缓冲层背离所述基底的一侧的发光单元，所述发光单元发出的光能够经所述缓冲层、所述增透层、及所述基底射出。
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