CN117556210A - 电容数据处理方法、电子设备和可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及数据处理技术领域，具体涉及一种电容数据处理方法、电子设备和可读存储介质。可根据第一电容数据、设置的第一补偿阈值以及补偿参数共同确定对第二电容数据的第一补偿量。从而根据该第二补偿量将第二被测元件的第二电容数据降低为第三电容数据。该第三电容数据即为降低了浮地影响后的第二被测元件的电容数据。进而，电容传感器可基于该降低了浮地影响的第三电容数据判断第二被测元件的状态。通过此方式可有效降低浮地对判断被测元件状态的不利影响，提高判断被测元件的状态的准确性。

Description

电容数据处理方法、电子设备和可读存储介质

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种电容数据处理方法、电子设备和可读存储介质。

背景技术

目前，电子设备常基于电容传感器对电子设备的用户进行接近检测。例如，电容传感器可在被测元件的电容值超过预设的接近阈值时，判定用户接近了该被测元件，进而将该被测元件确定为接近状态；反之，可将该被测元件确定为远离状态。电子设备可基于被测元件所处的状态实现不同的功能。通常，电子设备中包括多个被测元件，若电子设备处于与大地无导体连接的浮地状态，多个被测元件之间会存在浮地耦合，例如，一个被测元件的电容值上升时，其他被测元件的电容值会耦合上升。

例如，图1示出了一种电磁波能量吸收比率(specific absorption rate，SAR)检测的应用场景。

具体地，在对手机10进行SAR检测的场景中，当用户手握手机10上部时，电容传感器10c检测到上部天线10a的电容数据超过了接近阈值，将上部天线10a判定为接近状态。从而，手机10降低该上部天线10a的射频(radio frequency，RF)功率以降低其射频辐射，以到达保护用户健康的目的。

然而，电容传感器10c检测到的电容数据可能受到浮地影响。具体地，若手机10处于与大地无导体连接的浮地状态，当用户触摸手机10上部时，虽然用户并未接近的下部天线10b，但下部天线10b的电容值可能受浮地影响而增大。例如，下部天线10b的电容值可能超过接近阈值。此时，电容传感器10c将错误地将该下部天线10b也判定为接近状态。从而导致下部天线10b的射频功率被误降低，对手机10的信号传输质量和通信距离造成不利影响。

发明内容

本申请提供了一种电容数据处理方法、电子设备和可读存储介质。该电容数据处理方法可降低浮地对电容传感器检测到的电容数据的影响。

第一方面，本申请提供了一种电容数据处理方法，应用于电子设备，电子设备包括电容传感器，电容传感器包括多个逻辑通道，多个逻辑通道中每个逻辑通道用于获取每个逻辑通道对应的被测元件的电容数据；其中，该电容数据处理方法包括：通过多个逻辑通道中的第一逻辑通道获取第一被测元件的第一电容数据；根据第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，其中，补偿参数基于第一电容数据与第一补偿阈值之间的大小关系确定；通过多个逻辑通道中的第二逻辑通道获取第二被测元件的第二电容数据，其中，第一被测元件与第二被测元件之间存在浮地耦合；根据第一补偿量对第二电容数据进行补偿，得到第二被测元件的第三电容数据。

在上述第一方面的一种可能的实现中，电容传感器还包括多个管脚，多个管脚中每个管脚与每个管脚对应的被测元件连接形成实际通道，逻辑通道用于基于一个或多个实际通道获取一个或多个被测元件的电容数据。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第一逻辑通道用于获取第一实际通道采集到的第一电容数据，其中，第一实际通道用于连接第一管脚与第一被测元件；第二逻辑通道用于获取第二实际通道采集到的第二电容数据，其中，第二实际通道用于连接第二管脚与第二被测元件。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第一被测元件包括多个第三被测元件，其中，第一逻辑通道用于获取多个第三实际通道采集到的第一电容数据，其中，多个第三实际通道中每个第三实际通道用于连接每个第三实际通道对应的第三管脚与每个第三实际通道对应的第三被测元件，其中，第二被测元件与一个或多个第三被测元件之间存在浮地耦合。

在上述第一方面的一种可能的实现中，补偿参数包括第一补偿系数，对应于第一电容数据小于等于第一补偿阈值，将第一补偿系数作为补偿参数；其中，根据第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，包括：将第一补偿系数和第一电容数据相乘，得到第一补偿量。

在上述第一方面的一种可能的实现中，补偿参数还包括第二补偿系数，对应于第一电容数据大于等于第一补偿阈值，将第二补偿系数作为补偿参数，其中，第二补偿系数大于第一补偿系数；其中，根据第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，包括：将第二补偿系数和第一电容数据相乘，得到第一补偿量。

在上述第一方面的一种可能的实现中，获取第一补偿量阈值；若第一补偿量大于第一补偿量阈值，则将第一补偿量缩小为第一补偿量阈值。

在上述第一方面的一种可能的实现中，对第一电容数据进行滤波处理，得到滤波后的第一电容数据；其中，根据第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，包括：根据滤波后的第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量。

在上述第一方面的一种可能的实现中，对第二电容数据进行滤波处理，得到滤波后的第二电容数据，其中，根据第一补偿量对第二电容数据进行补偿，包括：根据第一补偿量对滤波后的第二电容数据进行补偿。

在上述第一方面的一种可能的实现中，预设第二补偿阈值，其中，根据第一补偿量对第二电容数据进行补偿，得到第二被测元件的第三电容数据，包括：若第二电容数据大于第二补偿阈值，则根据公式(1)确定第三电容数据：

data_3＝data_2-comp (1)

其中，data_3表示第三电容数据；data_2表示第二电容数据；comp表示第一补偿量。

反之，若第二电容数据小于等于第二补偿阈值，则根据公式(2)确定第三电容数据：

data_3＝data_2 (2)

其中，data_3表示第三电容数据；data_2表示第二电容数据。

在上述第一方面的一种可能的实现中，获取接近阈值；若第三电容数据大于接近阈值，则判断第二被测元件处于接近状态；反之，若第三电容数据小于等于接近阈值，则判断第二被测元件处于远离状态。

在上述第一方面的一种可能的实现中，第二被测元件为电子设备的天线，若判断天线处于接近状态，降低天线的射频功率。

在上述第一方面的一种可能的实现中，电子设备为蓝牙耳机，第二被测元件为蓝牙耳机的充电针，蓝牙耳机包括m个充电针，其中，方法还包括：若m个充电针中的n个被判断为处于接近状态，则判断蓝牙耳机处于入耳状态。

在上述第一方面的一种可能的实现中，被判断为处于接近状态的充电针数量n等于充电针的总数量m。

第二方面，本申请提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；一个或多个存储器；一个或多个存储器存储有一个或多个程序，当一个或者多个程序被一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行上述第一方面以及上述第一方面的各种可能实现中的电容数据处理方法。

第三方面，本申请提供了一种计算机可读介质，可读介质上存储有指令，指令在计算机上执行时使计算机执行上述第一方面以及上述第一方面的各种可能实现中的电容数据处理方法。

附图说明

图1所示为本申请实施例提供的一种SAR检测的应用场景示意图；

图2所示为本申请实施例提供的电容数据处理方法的流程示意图；

图3a示出了本申请实施例提供的电容数据处理方法的数据处理框架示意图；

图3b示出了本申请实施例提供的电容数据处理方法的数据处理过程示意图；

图4所示为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对本申请实施例中的技术方案进行详细的说明。

可以理解，本申请所提及的电子设备，可以包括但不限于手机、平板电脑、桌面型、膝上型、手持计算机、上网本，以及增强现实(augmentedreality，AR)\虚拟现实(virtualreality，VR)设备、智能电视、智能手表、蓝牙耳机等可穿戴设备、服务器、移动电子邮件设备、车机设备、便携式游戏机、便携式音乐播放器、阅读器设备、其中嵌入或耦接有一个或多个处理器的电视机、或能够访问网络的其他电子设备。

如前所述，电容传感器检测的电容数据可能受到浮地影响，导致电容传感器可能将处于远离状态的被测元件错误地判定为接近状态。例如，在前述图1所示的SAR检测的场景中，电容传感器在浮地影响下可能误将下部天线10b也判定为接近状态，使得下部天线10b的射频功率被误降低，导致手机10的信号传输质量和通信距离降低。

在另一种应用场景中，例如，当电子设备是蓝牙耳机时，在蓝牙耳机的入耳检测场景中，蓝牙耳机可在多个被测元件(充电针)均为接近状态的情况下，判定蓝牙耳机已经入耳，进而进行播放音乐等入耳操作。然而，蓝牙耳机中的电容传感器同样可能在浮地影响下，在用户仅接近多个被测元件中的部分被测元件时，将多个被测元件均判断为接近状态。进而，在蓝牙耳机未入耳时，错误地进行了入耳操作。

为解决上述问题，本申请提供了一种电容数据处理方法，该电容数据处理方法可应用于包括电容传感器的电子设备，电容传感器可包括多个逻辑通道，每个逻辑通道用于获取其对应的被测元件的电容数据。该电容数据处理方法可以包括：通过多个逻辑通道中的第一逻辑通道获取第一被测元件的第一电容数据；根据第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，其中，补偿参数基于第一电容数据与第一补偿阈值之间的大小关系确定；通过多个逻辑通道中的第二逻辑通道获取第二被测元件的第二电容数据，其中，第一被测元件与第二被测元件之间存在浮地耦合；根据第一补偿量对第二电容数据进行补偿，得到第二被测元件的第三电容数据。

在本申请提供的电容数据处理方法中，电子设备可能处于浮地状态，电子设备中的第一被测元件与第二被测元件之间存在浮地耦合关系。该浮地耦合关系例如可以是，当第一被测元件的第一电容数据增大时，第二被测元件的第二电容数据受到浮地影响而同样增大。在该场景中，本申请提供的电容数据处理方法可根据第一电容数据、设置的第一补偿阈值以及补偿参数共同确定对第二电容数据的第一补偿量。从而根据该第二补偿量将第二被测元件的第二电容数据降低为第三电容数据。可以理解，该第三电容数据即为降低了浮地影响后的第二被测元件的电容数据。进而，电容传感器可基于该降低了浮地影响的第三电容数据判断第二被测元件的状态。通过此方式可有效降低浮地对判断被测元件状态的不利影响，提高判断被测元件的状态的准确性。

下面，为清楚地说明本申请提供的电容数据处理方法的实现方式，首先对可应用该电容数据处理方法的电子设备进行具体说明。

电子设备包括电容传感器，电容传感器还包括多个管脚，每个管脚与其对应的被测元件连接形成实际通道，前述逻辑通道基于一个或多个实际通道获取一个或多个被测元件的电容数据。例如，前述第一逻辑通道可以获取第一实际通道采集到的第一电容数据，其中，第一实际通道用于连接第一管脚与第一被测元件；前述第二逻辑通道可以获取第二实际通道采集到的第二电容数据，其中，第二实际通道用于连接第二管脚与第二被测元件。其中，第一被测元件与第二被测元件之间存在浮地耦合。

在一种示例方式中，前述电子设备可以是手机、平板电脑等设置有发射天线，具有无线发射功能的终端设备。以电子设备为手机为例，前述被测元件可以是手机中设置的天线。例如，第一被测元件可以是设置在手机上部的上部天线，第二被测元件可以是设置在手机下部的下部天线。可以理解，在此不对第一被测元件及第二被测元件对应的天线做限制性说明。在其他实施例中，第一被测元件与第二被测元件可以是任何不相同且存在浮地耦合关系的天线。

在另一种示例方式中，前述电子设备可以是蓝牙耳机。对应地，前述被测元件可以是蓝牙耳机的充电针。例如，第一被测元件可以是蓝牙耳机的一个充电针，第二被测元件可以是蓝牙耳机的另一个充电针。可以理解，被测元件也可以是蓝牙耳机上的其他导电区域。在此，不对蓝牙的被测元件类型及数量做限制性说明，第一被测元件与第二被测元件可以是任何不相同且存在浮地耦合关系的导电区域。

下面，将结合附图对本申请提供的电容数据处理方法进行详细介绍。

图2示出了本申请实施例提供的电容数据处理方法的流程示意图。

可以理解，图2所示流程的执行主体可为前述手机、蓝牙耳机等电子设备，具体地，可由前述电子设备中的电容传感器执行图2所述流程中的各个步骤。以下以电子设备为手机，第一被测元件为上部天线，第二被测元件为下部上部天线为例，对本申请实施例提供的电容数据处理方法进行详细说明。

具体地，如图2所示，该电容数据处理方法可以包括以下步骤：

201：通过多个逻辑通道中的第一逻辑通道获取第一被测元件的第一电容数据。

在一种示例方式中，手机的第一被测元件可为一个上部天线。对应地，下述步骤203中的第二被测元件可为手机中的一个下部天线。

在该示例方式中，可以通过实际应用场景中的测试过程确定一个上部天线与一个下部天线之间的浮地耦合关系。进而，基于该一对一的浮地耦合关系，手机中的电容传感器的第一管脚可与该上部天线连接形成第一实际通道。电容传感器中的第一逻辑通道可获取第一实际通道采集到的第一电容数据。可以理解，第一电容数据即为该上部天线的电容数据。

相应地，手机中的电容传感器的第二管脚可与该下部天线连接形成第二实际通道。电容传感器中的第二逻辑通道可获取第二实际通道采集到的第二电容数据。可以理解，该第二电容数据即为该下部天线的电容数据。

进而，通过下述步骤202至步骤204，可基于一个上部天线的第一电容数据对一个下部天线的第二电容数据进行补偿。

在另一种示例方式中，手机的第一被测元件可为多个上部天线，手机的第二被测元件可为一个下部天线。

例如，第一被测元件包括多个第三被测元件，其中，第一逻辑通道用于获取多个第三实际通道采集到的第二电容数据，其中，多个第三实际通道中每个第三实际通道用于连接每个第三实际通道对应的第三管脚与每个第三实际通道对应的第三被测元件，其中，第二被测元件与一个或多个第三被测元件之间存在浮地耦合。

具体地，在此，第一被测元件包括的多个第三被测元件可以是手机中的多个上部天线。

在该示例方式中，可以通过实际应用场景中的测试过程确定多个上部天线与一个下部天线之间的浮地耦合关系。进而，基于该多对一的浮地耦合关系，手机中的电容传感器的多个第三管脚可与多个上部天线连接形成多个第三实际通道。电容传感器中的第一逻辑通道可获取多个第三实际通道采集到的第一电容数据。可以理解，此时，第一电容数据即为多个上部天线的电容数据。

相应地，手机中的电容传感器的第二管脚可与该下部天线连接形成第二实际通道。电容传感器中的第二逻辑通道可获取第二实际通道采集到的第二电容数据。可以理解，该第二电容数据即为该下部天线的电容数据。

进而，通过下述步骤202至步骤204，可基于多个上部天线的第一电容数据对一个下部天线的第二电容数据进行补偿。

可以理解，在实际应用场景的测试过程中，确定多对一的浮地耦合关系不需要对每个上部天线进行逐一测试，更为便捷。

202：根据第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，其中，补偿参数基于第一电容数据与第一补偿阈值之间的大小关系确定。

具体地，在实际应用场景的测试过程中确定了前述浮地耦合关系后，可设置前述第一逻辑通道对应的第一补偿阈值。该第一补偿阈值可基于测试确定，例如，可测试人体手部靠近上部天线时，第一逻辑通道采集到的电容数据，并将该电容数据作为前述第一补偿阈值。在此，不对测试第一补偿阈值时，手部与上部天线之间的距离做限制性说明。

在一种示例方式中，补偿参数包括第一补偿系数及第二补偿系数，并且，第二补偿系数大于第一补偿系数。当第一电容数据小于等于第一补偿阈值时，将第一补偿系数作为补偿参数，将第一补偿系数和第一电容数据相乘，得到第一补偿量。反之，当第一电容数据大于等于第一补偿阈值时，将第二补偿系数作为补偿参数，将第二补偿系数和第一电容数据相乘，得到第一补偿量。

在此，可以理解，当第一逻辑通道获取的第一电容数据小于等于第一补偿阈值时，代表用户与上部天线相对较远。此时，由于上部天线的第一电容数据较小，下部天线的第二电容数据受上部天线的第一电容数据的浮地影响，而额外产生的耦合增量同样较小。因此可以基于较小的第一补偿系数确定较小的第一补偿量。

反之，当第一逻辑通道获取的第一电容数据大于第一补偿阈值时，代表用户已经贴近或接触了上部天线。此时，由于上部天线的第一电容数据较大，下部天线的第二电容数据受上部天线的第一电容数据的浮地影响，而额外产生的耦合增量同样较大。因此可以基于较大的第一补偿系数确定较大的第一补偿量。

在另一种示例方式中，第一补偿阈值也可以表征上部天线对下部天线产生浮地影响的临界值。具体地，前述第一补偿系数可以为0。当第一逻辑通道获取的第一电容数据小于等于第一补偿阈值时，代表上部天线的第一电容数据不足以对下部天线的第二电容数据产生浮地影响。即，下部天线的第二电容数据并未产生额外的耦合增量，不需对下部天线的第二电容数据进行补偿。因此，第一补偿系数为0，对应地，第一补偿量为0。

在另一种示例方式中，在基于前述步骤201获取了第一电容数据后，还可对第一电容数据进行滤波处理，得到滤波后的第一电容数据。进而，基于前述方式根据滤波后的第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量。以此排除第一电容数据中的噪声对第一补偿量的影响。在此，滤波处理可为低通滤波，本申请不对具体的滤波方式做限制性说明。

203：通过多个逻辑通道中的第二逻辑通道获取第二被测元件的第二电容数据，其中，第一被测元件与第二被测元件之间存在浮地耦合。

在此，获取第二被测元件的第二电容数据的具体内容，可参见前述步骤201中的相关描述，在此不做赘述。确定第一被测元件与第二被测元件之间的浮地耦合关系的具体内容，同样可参见前述步骤201中的相关描述，在此不做赘述。

204：根据第一补偿量对第二电容数据进行补偿，得到第二被测元件的第三电容数据。

在一种示例方式中，可对第二电容数据进行滤波处理，得到滤波后的第二电容数据，进而，根据第一补偿量对滤波后的第二电容数据进行补偿。以此排除第二电容数据中的噪声对最终的补偿结果的影响。在此，滤波处理可为低通滤波，本申请不对具体的滤波方式做限制性说明。

在另一种示例方式中，可设置第二补偿阈值。若第二电容数据大于第二补偿阈值，则根据公式(1)确定第三电容数据：

data_3＝data_2-comp (1)

其中，data_3表示第三电容数据；data_2表示第二电容数据；comp表示第一补偿量。

反之，若第二电容数据小于等于第二补偿阈值，则根据公式(2)确定第三电容数据：

data_3＝data_2 (2)

其中，data_3表示第三电容数据；data_2表示第二电容数据。

可以理解，第二补偿阈值为是否对下部天线进行补偿的电容数据的临界值。若下部天线的第二电容数据小于等于第二补偿阈值，说明下部天线可能未受到上部天线的浮地耦合影响，因此，可不对该下部天线进行补偿。反之，若下部天线的第二电容数据大于第二补偿阈值，说明下部天线可能受到了上部天线的浮地耦合影响，因此，对该下部天线进行补偿。

在基于上述步骤201至步骤204将下部天线的第二电容数据补偿为排除了浮地影响的第三电容数据后，电容传感器可基于第三电容数据及设置的接近阈值判定下部天线的接近或远离状态。

具体地，电容传感器获取接近阈值，若第三电容数据大于接近阈值，则判断第二被测元件处于接近状态；反之，若第三电容数据小于等于接近阈值，则判断第二被测元件处于远离状态。

在此，电容传感器判断下部天线的第三电容数据大于接近阈值，则判断下部天线处于接近状态；反之，电容传感器判断下部天线的第三电容数据小于等于接近阈值，则判断下部天线处于远离状态。

进而，电容传感器可将下部天线的接近或远离状态上报给手机的主控单元。若手机的主控单元确定下部天线处于接近状态，则降低该下部天线的射频功率，保护用户健康。同样地，电容传感器也可基于第一电容数据确定上部天线的接近或远离状态，进而，在上部天线为接近状态的情况下，手机的主控单元同样可降低上部天线的射频功率。

在另一种示例方式中，可设置第一补偿量阈值，若第一补偿量大于第一补偿量阈值，则将第一补偿量缩小为第一补偿量阈值。

在此，可以理解，若第一补偿量过大，则可能导致补偿后的下部天线的第三电容数据过小。例如，下部天线原本处于接近状态，但由于第一补偿量过大，可能导致该下部天线的第三电容数据降低至接近阈值以下，导致电容传感器误将下部天线判断为远离状态。因此，可设置第一补偿量阈值，该第一补偿量阈值即为第一补偿量的最大值。通过此方式，减少电容传感器误将接近状态的下部天线判断为远离状态的现象。

上述内容均以电子设备为手机，第一被测元件为上部天线，第二被测元件为下部上部天线为例。在其他场景中，可以理解，电子设备还可为蓝牙耳机，此时，第一被测元件及第二被测元件可为蓝牙耳机的充电针和/或其它导电区域。在此场景中，可基于上述步骤201至步骤204进行蓝牙耳机的入耳检测。

下面，以第一被测元件及第二被测元件均为蓝牙耳机的充电针为例，对基于上述电容数据处理方法进行入耳检测的内容进行说明。

具体地，蓝牙耳机可能包括第一被测元件及第二被测元件在内的m个充电针，若基于上述步骤201至步骤204判断m个充电针中的n个为接近状态，则可判断该蓝牙耳机处于入耳状态。进而，蓝牙耳机可进行播放音乐、开启降噪模式、播放提示音等入耳操作。

在此，被判断接近状态的充电针数量n可以等于充电针的总数量m。即，当蓝牙耳机的所有充电针均处于接近状态时，才判定蓝牙耳机处于入耳状态，以此提高入耳检测结果的准确性。可以理解，在当前应用场景中，蓝牙耳机的充电针个数通常为两个。本申请不对充电针及前述导电区域的数量及设置位置做限制性说明。

图3a示出了本申请提供的电容数据处理方法的数据处理框架示意图。图3a所示框架的执行主体可为前述手机、蓝牙耳机等电子设备，具体地，可为电子设备中的电容传感器。

参见图3a，前述第一被测元件可以为多个，进而，基于多个第一被测元件的多个第一电容数据对一个第二被测元件进行补偿。

在此，多个第一被测元件可以是图3a中的第一被测元件1及第一被测元件2。第一被测元件1及第一被测元件2均对第二被测元件产生浮地影响，因此，可通过该电容数据处理方法基于第一被测元件1及第一被测元件2共同对第二被测元件进行补偿。

具体地，可从第一逻辑通道1获取第一被测元件1的第一电容数据1，并对其进行低通滤波处理。将低通滤波后的第一电容数据1与第一逻辑通道1对应的第一补偿阈值1进行比较，以确定补偿参数1。进而，可将低通滤波后的第一电容数据1与补偿参数1的乘积作为第一补偿量1。并将该第一补偿量1与第一补偿量阈值1进行比较，若第一补偿量1大于第一补偿量阈值1，则将第一补偿量1减小为第一补偿量阈值1。并基于与前述确定第一补偿量1相同的过程，确定第一被测元件2对应的第一补偿量2。

在此，还可设置总补偿量阈值，以限制多个第一被测元件对第二被测元件的总补偿量。具体地，将第一补偿量1与第一补偿量2加和作为总补偿量，与总补偿量阈值比较。若总补偿量大于总补偿量阈值，则将总补偿量减小为总补偿量阈值。

可从第二逻辑通道获取第二被测元件的第二电容数据，并对其进行低通滤波处理。将低通滤波后的第二电容数据与第二逻辑通道对应的第二补偿阈值进行比较。若低通滤波后的第二电容数据大于第二补偿阈值，则将低通滤波后的第二电容数据与前述总补偿量的差值作为第二被测元件的第三电容数据。反之，若低通滤波后的第二电容数据小于等于第二补偿阈值，则将低通滤波后的第二电容数据作为第二被测元件的第三电容数据。

进而，电子设备可基于第二被测元件的第三电容数据判断第二被测元件的接近/远离状态。

图3b示出了本申请提供的电容数据处理方法的数据处理过程示意图。图3b所示框架的执行主体可为前述手机、蓝牙耳机等电子设备，具体地，可为电子设备中的电容传感器。

参见图3b，前述第一被测元件可以为一个，进而，可基于一个第一被测元件的第一电容数据对一个第二被测元件进行补偿。

在此，具体地，可从第一逻辑通道获取第一被测元件的第一电容数据，并对其进行低通滤波处理。将低通滤波后的第一电容数据与第一逻辑通道对应的第一补偿阈值进行比较。若低通滤波后的第一电容数据小于等于第一补偿阈值，则第一补偿量为低通滤波后的第一电容数据与第一补偿系数的乘积；反之，若低通滤波后的第一电容数据大于第一补偿阈值，则第一补偿量为低通滤波后的第一电容数据与第二补偿系数的乘积。其中，第一补偿系数小于第二补偿系数。将第一补偿量与第一补偿量阈值进行比较。若第一补偿量小于等于第一补偿量阈值，则第一补偿量不变；反之，若第一补偿量大于等于第一补偿量阈值，则将第一补偿量缩小为第一补偿量阈值。

可从第二逻辑通道获取第二被测元件的第二电容数据，并对其进行低通滤波处理。将低通滤波后的第二电容数据与第二逻辑通道对应的第二补偿阈值进行比较。若低通滤波后的第二电容数据小于等于第一补偿阈值，则不对第二被测元件的第二电容数据进行补偿，第二被测元件的第三电容数据即为第二电容数据；反之，若低通滤波后的第二电容数据大于第二补偿阈值，则对第二被测元件的第二电容数据进行补偿，第二被测元件的第三电容数据为第二电容数据与第一补偿量之差。

进而，基于第二被测元件的第三电容数据进行接近/远离状态的判断。将第三电容数据与接近阈值比较。若第三电容数据小于等于接近阈值，则第二被测元件处于远离状态；反正，若第三电容数据大于接近阈值，则第二被测元件处于接近状态。

图4示出了一种电子设备的结构示意图。

参见图4，电子设备可包括被测元件1至被测元件n、电容传感器、主控单元。其中，被测元件1至被测元件n可包括前述第一被测元件、第二被测元件、第三被测元件。

在此，被测元件1至被测元件n可与电容传感器连接。电容传感器可用于检测被测元件1至被测元件n的电容数据，并基于各个被测元件的电容数据确定各个被测元件的接近/远离状态。主控单元300可用于获取电容传感器200上报的各个被测元件的接近/远离状态，并在不同应用场景中根据该接近/远离状态进行后续操作。在此，前述应用场景例如可以是前述SAR检测场景、蓝牙耳机入耳检测场景等。

具体地，电容传感器200可以包括管脚pin₁至管脚pin_n、多路选择器(Mulitiplexer，MUX)、电容电压转换器、模数转换器(Analog to Digital，ADC)、寄存器、内核模块。

其中，管脚pin₁至管脚pin_n可分别与被测元件1至被测元件n连接形成实际通道CS₁至CS_n。多路选择器可用于感测各个管脚与其连接的被测元件基于实际通道产生的电容值。电容电压转换器可用于将多路选择器感测的电容值转换为模数转换器处理的电压数据。模数转换器可用于将电容电压转换器输入的电压数据转换成数字码形式的电容数据，并将电容数据输出到寄存器中。前述寄存器可包括数据寄存器(Data Register，DR)及配置寄存器。数据寄存器可用于存储各个被测元件的电容数据，配置寄存器可用于存储参数数据。

前述电容数据可包括第一被测元件的第一电容数据、滤波后的第一电容数据、第二被测元件的第二电容数据、滤波后的第二电容数据、第二被测元件的第三电容数据等。前述参数数据可包括第一补偿阈值、第二补偿阈值、补偿参数、第一补偿系数、第二补偿系数、第一补偿量阈值、总补偿量阈值等。

内核模块中可包括前述多个逻辑通道，并且，内核模块可从前述数据寄存器中获取所需的电容数据，从前述配置寄存器中获取所需的参数数据。进而，基于获取的电容数据及参数数据执行前述图2中步骤201至步骤204所示的电容数据处理方法。

需要说明的是，在本专利的示例和说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

虽然通过参照本申请的某些优选实施例，已经对本申请进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应该明白，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的范围。

Claims (16)

1.一种电容数据处理方法，应用于电子设备，其特征在于，所述电子设备包括电容传感器，所述电容传感器包括多个逻辑通道，所述多个逻辑通道中每个逻辑通道用于获取所述每个逻辑通道对应的被测元件的电容数据；

其中，所述方法包括：

通过所述多个逻辑通道中的第一逻辑通道获取第一被测元件的第一电容数据；

根据所述第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，其中，所述补偿参数基于所述第一电容数据与第一补偿阈值之间的大小关系确定；

通过所述多个逻辑通道中的第二逻辑通道获取第二被测元件的第二电容数据，其中，所述第一被测元件与所述第二被测元件之间存在浮地耦合；

根据所述第一补偿量对所述第二电容数据进行补偿，得到所述第二被测元件的第三电容数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容传感器还包括多个管脚，所述多个管脚中每个管脚与所述每个管脚对应的被测元件连接形成实际通道，所述逻辑通道用于基于一个或多个所述实际通道获取一个或多个被测元件的电容数据。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一逻辑通道用于获取第一实际通道采集到的所述第一电容数据，其中，所述第一实际通道用于连接第一管脚与所述第一被测元件；

所述第二逻辑通道用于获取第二实际通道采集到的所述第二电容数据，其中，所述第二实际通道用于连接第二管脚与所述第二被测元件。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一被测元件包括多个第三被测元件，其中，所述第一逻辑通道用于获取多个第三实际通道采集到的所述第一电容数据，其中，所述多个第三实际通道中每个第三实际通道用于连接所述每个第三实际通道对应的第三管脚与所述每个第三实际通道对应的第三被测元件，

其中，所述第二被测元件与一个或多个所述第三被测元件之间存在浮地耦合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述补偿参数包括第一补偿系数，所述方法还包括：

对应于所述第一电容数据小于等于所述第一补偿阈值，将所述第一补偿系数作为所述补偿参数；

其中，所述根据所述第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，包括：

将所述第一补偿系数和所述第一电容数据相乘，得到所述第一补偿量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述补偿参数还包括第二补偿系数，所述方法还包括：

对应于所述第一电容数据大于等于所述第一补偿阈值，将所述第二补偿系数作为所述补偿参数，其中，所述第二补偿系数大于所述第一补偿系数；

其中，所述根据所述第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，包括：

将所述第二补偿系数和所述第一电容数据相乘，得到所述第一补偿量。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取第一补偿量阈值；

若所述第一补偿量大于所述第一补偿量阈值，则将所述第一补偿量缩小为所述第一补偿量阈值。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述第一电容数据进行滤波处理，得到滤波后的第一电容数据；

其中，所述根据所述第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量，包括：

根据滤波后的第一电容数据和补偿参数确定第一补偿量。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述第二电容数据进行滤波处理，得到滤波后的第二电容数据，其中，所述根据所述第一补偿量对所述第二电容数据进行补偿，包括：

根据所述第一补偿量对滤波后的第二电容数据进行补偿。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，预设第二补偿阈值，其中，所述根据所述第一补偿量对所述第二电容数据进行补偿，得到所述第二被测元件的第三电容数据，包括：

若所述第二电容数据大于所述第二补偿阈值，则根据公式(1)确定所述第三电容数据：

data_3＝data_2-comp (1)

其中，data_3表示所述第三电容数据；

data_2表示所述第二电容数据；

comp表示所述第一补偿量；

反之，若所述第二电容数据小于等于所述第二补偿阈值，则根据公式(2)确定所述第三电容数据：

data_3＝data_2 (2)

其中，data_3表示所述第三电容数据；

data_2表示所述第二电容数据。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取接近阈值；

若所述第三电容数据大于所述接近阈值，则判断所述第二被测元件处于接近状态；反之，

若所述第三电容数据小于等于所述接近阈值，则判断所述第二被测元件处于远离状态。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二被测元件为所述电子设备的天线，所述方法还包括：

若判断所述天线处于接近状态，降低所述天线的射频功率。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述电子设备为蓝牙耳机，所述第二被测元件为所述蓝牙耳机的充电针，所述蓝牙耳机包括m个所述充电针，其中，所述方法还包括：

若所述m个所述充电针中的n个被判断为处于所述接近状态，则判断所述蓝牙耳机处于入耳状态。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述被判断为处于所述接近状态的充电针数量n等于所述充电针的总数量m。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：一个或多个处理器；一个或多个存储器；所述一个或多个存储器存储有一个或多个程序，当所述一个或者多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备执行权利要求1至14中任一项所述的电容数据处理方法。

16.一种计算机可读介质，其特征在于，所述可读介质上存储有指令，所述指令在计算机上执行时使所述计算机执行权利要求1至14中任一项所述的电容数据处理方法。