CN117410427A - 超薄型引脚led电极组件、其制造方法及包括其的光源 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及LED电极组件，更具体地涉及超薄型引脚LED电极组件、其制造方法及包括其的光源。据此，通过介电泳使超薄型引脚LED器件接触于电极上的面成为非侧面，提高可驱动的安装效率的同时使特定一面选择性地接触于安装电极上，可将驱动电源选择范围扩大至直流电源，由此有利于实现更高亮度的LED电极组件。

Description

超薄型引脚LED电极组件、其制造方法及包括其的光源
技术领域
本发明涉及LED电极组件，更具体地涉及超薄型引脚LED电极组件、其制造方法及光源。
背景技术
微型LED和纳米LED可实现优秀的色感和高的效率，且为环保物质，因而用作各种光源、显示器的核心原材料。根据这种市场情况，最近进行用于利用新的纳米棒LED结构或新的制造工序开发涂敷有壳的纳米电缆LED的研究。同时还进行对用于实现覆盖纳米棒外部面的保护膜的高效率、高稳定性的保护膜原材料的研究或对有利于后续工序的配体原材料的研究开发。
根据这种原材料领域的研究，最近还商用化到利用红色、绿色、蓝色微型-LED的显示器TV中。利用微型-LED的显示器、各种光源虽具有高性能特性、理论寿命和效率很长且高的优点，但需要在受限的区域的小型化的电极上逐一单个配置微型LED，因而当考虑高成本、高的工序不良率、低生产率时，利用抓取(pick place)技术将微型-LED配置于电极上来实现的电极组件因工序技术受限而当前难以制造成智能手机到TV的真正意义上的高分辨率商用显示器或具有多种大小、形状、亮度的光源。同时当前更难以利用微型-LED之类的抓取(pick and place)技术在电极上单个逐一配置以小于微型-LED的方式实现的纳米-LED。
为了克服这种难点，韩国授权专利公报第10-1436123号中公开通过子像素中投入混合有纳米棒型LED的溶液之后，在两个对准电极之间形成电场(electric field)来使纳米棒型LED器件自对准于电极上，以形成子像素的工艺制造的显示器。但是对于使用的纳米棒型LED器件而言，LED器件长轴与形成器件的层的层叠方向，即，p-GaN/InGaN多量子阱(MQW)/n-GaN层叠结构中各个层的层叠方向相一致，因而其发光面积窄。并且，当蚀刻商用化的晶片来制造纳米棒型LED器件时，需要与长轴的长度相对应地蚀刻，因而蚀刻越多，产生表面缺陷的可能性越大，发光面积越窄，因而存在相对地，表面缺陷对效率下降产生大的影响，难以优化电子-空穴的复合速度，发光效率相比于晶片原来所具有的效率大大降低的问题。对此，存在安装有这种纳米棒型LED器件的装置为了表达所目的水平的发光效率而需要安装大量的LED的问题。
对此，为了解决这种问题，可考虑变更结构，以使棒型LED器件长轴垂直于各个层的层叠方向，这种情况下，长轴需要成为LED器件的长度和/或宽度，器件的厚度相比于长度或宽度变薄，因而当蚀刻晶片时，蚀刻深度浅，产生表面缺陷的可能性少，但蚀刻之后与晶片相连接的蚀刻的LED柱下部面的面积大，难以分离蚀刻的LED柱。并且，分离时分离的LED器件未完全分离，有可能难以获取具有所目的的大小及效率的LED器件。同时在n型半导体层及p型半导体层的层叠方向垂直于器件长轴的棒型LED器件中，当施加电场通过介电泳在电极上安装LED器件时，需要以使p型半导体层或n型半导体层的面位于电极上的方式自对准，当以使器件侧面相接在电极上的方式自对准时，存在若施加驱动电源，则发生电气短路，无法发光的问题。并且，当以使非侧面的LED器件的p型半导体层或n型半导体层的面位于电极上的方式自对准时，作为位于电极上的层，并不是p型半导体层及n型半导体层中的一种更好，而是随机或只有微小的差异，存在不能将直流电源选择为LED电极组件的驱动电源的驱动电源选择上的限制。
发明内容
技术问题
本发明是为了解决上述的问题而研究出的，其目的在于，提供超薄型引脚LED电极组件、其制造方法及包括其的光源，增加发光面积的同时减少暴露于表面的光活性层厚度，以防止表面缺陷引起的效率下降，将根据电子及空穴速度的不均匀的电子-空穴复合效率下降及由此引起的发光效率下降最小化，对于光提取效率，维持高效率，利用亮度进一步得到改善的LED器件，将当通过介电泳在下部电极上自对准时有可能引起电气短路的侧面接触最小化，可提高可驱动的安装效率。
并且，本发明的另一目的在于，提供超薄型引脚LED电极组件、其制造方法及包括其的光源，提高配置的LED器件的可驱动的安装比率的同时使LED器件的特定一面选择性地接触于下部电极上，将驱动电源的选择范围扩大至直流电源，可实现更高亮度的发光效率。
本发明是在以下国家研发事业的支持下进行研究的，国家研发事业的详细信息如下。
【课题固有编号】1415174040
【课题编号】20016290(A2023-0233)
【部门名称】产业通商资源部
【课题管理(专业)机构名称】韩国产业技术评价管理院
【研究事业名称】电子部件产业技术开发-超大型微LED模块化显示器【研究课题名称】用于模块化显示器的亚微米蓝光光源技术开发
【课题执行机构名称】国民大学产学合作财团
【研究期间】2023-01-01～2023-12-31
【课题固有编号】1711130702
【课题编号】2021R1A2C2009521(A2023-0130)
【部门名称】科学技术信息通信部
【课题管理(专业)机构名称】韩国国家研究基金会
【研究事业名称】骨干研究员支持事业
【研究课题名称】Dot-LED材料及显示器原创/应用技术开发
【课题执行机构名称】国民大学产学合作团
【研究期间】2023.03.01～2024.02.29
解决问题的方案
为了解决上述的问题，本发明提供超薄型引脚LED电极组件制造方法，其包括：步骤(1)，将包括多个由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成的超薄型引脚LED器件的溶液投入于包括以规定的间隔隔开的多个下部电极的下部电极线的上部；步骤(2)，对上述下部电极线施加组装电源，来使超薄型引脚LED器件分别以使器件的多个面中第一面或第二面相比于侧面更好地与上述下部电极的上部面相连的方式自对准；以及步骤(3)，在自对准的多个超薄型引脚LED器件的上部形成上部电极线。
根据本发明的一实施例，步骤(2)中施加的组装电源的频率可以为1kHz～100MHz，电压可以为5～100Vpp。
并且，上述超薄型引脚LED器件的内部的多个层可包括n型导电型半导体层、光活性层及p型导电型半导体层。
并且，上述超薄型引脚LED器件的内部的具有第一面的最下层可在从第一面达到规定的厚度的区域含有多个气孔。
并且，上述超薄型引脚LED器件的内部的具有第二面的最上部层可具有大于具有第一面的最下部层的导电系数，更优选地，上述最上部层的导电系数可以为最下部层的导电系数的10倍以上。
并且，上述超薄型引脚LED器件还可具有旋转诱导膜，上述旋转诱导膜包围上述器件的侧面，以便于在步骤(2)中施加组装电源来形成的电场下向x轴方向产生以贯通器件的中心的虚拟的旋转轴为基准的旋转扭矩。
并且，上述旋转诱导膜在10GHz以下的频率范围内至少一部分频率范围内根据以下数学式1的K(ω)值的实部可满足大于0且0.72以下，更优选地，根据数学式1的K(ω)值的实部可满足大于0且0.62以下。
数学式1
在数学式1中，K(ω)为在角频率ω将GaN作为核部且将旋转诱导膜作为壳部来构成的球形的核壳粒子的复介电常数(complex permittivity)，即，εp *和作为溶剂的复介电常数的εm *之间的式子，上述εp *基于以下数学式2，
数学式2
在数学式2中，R1为核部的半径，R2为核壳粒子的半径，ε1 *及ε2 *分别为核部及壳部的复介电常数。
并且，上述超薄型引脚LED器件的作为y轴方向长度的宽度可小于厚度。
并且，本发明提供超薄型引脚LED电极组件，其包括：下部电极线，包括以规定的间隔隔开的多个下部电极；多个超薄型引脚LED器件，配置成由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成，一面与上述下部电极的上部面相接触；以及上部电极线，配置于上述超薄型引脚LED器件的上部，配置的多个超薄型引脚LED器件以使各个器件的第一面或第二面与上述下部电极的上部面相连的方式安装的能够驱动的安装比率为55％以上。
根据本发明的一实施例，上述超薄型引脚LED器件的x轴方向的长度可以为1～10μm，作为z轴方向长度的厚度可以为0.1～3μm。
并且，上述超薄型引脚LED器件的作为y轴方向长度的宽度可小于作为z轴方向长度的厚度。
并且，配置的多个超薄型引脚LED器件的上述能够驱动的安装比率可以为70％以上。
并且，作为以使配置的多个超薄型引脚LED器件中器件的第一面及第二面中的一面与下部电极的上部面相连的方式安装的器件的比率的选择性安装比率可满足70％以上，更优选地，可满足85％以上。
并且，本发明提供光源，其包括：支撑体；以及本发明的超薄型引脚LED电极组件，设置成在上述支撑体的上部配置有下部电极线。
根据本发明的一实施例，还可包括被上述超薄型引脚LED电极组件中照射的光激发的颜色转换物质。
并且，设置于上述超薄型引脚LED电极组件的超薄型引脚LED器件可以为发出紫外线(UV)、蓝色、绿色、黄色、琥珀色及红色中的一种光色的器件。
以下，对本发明中使用的术语进行定义。
在根据本发明的实例的说明中，当记载为形成于各个层、区域、图案或基板的“……上(on)”、“上部”、“上”、“……下(under)”、“下部”、“下”时，“……上(on)”、“上部”、“上”、“……下(under)”、“下部”、“下”全部包括“直接(directly)”和“间接(indirectly)”的含义。
并且，作为本发明中使用的术语，“可驱动的安装比率”意味着安装于下部电极线上的所有LED器件中以可驱动的形态安装的器件的数量比率。例如，当安装于下部电极线上的所有LED器件数量为L个，其中以使第一面B与下部电极上部面相连的方式安装的LED器件数量为M个，以使第二面T与下部电极上部面相连的方式安装的LED器件数量为N个时，可驱动的安装比率根据计算公式[(M+N)/L]×100计算。
并且，“选择性安装比率”意味着安装于下部电极线上的所有LED器件中以使选自器件的第一面B及第二面T中的一面与下部电极线上部面相接触的方式安装的器件的数量比率。例如，当安装于下部电极线上的所有LED器件数量为L个，其中以使第一面B与下部电极上部面相连的方式安装的LED器件数量为M个，以使第二面T与下部电极上部面相连的方式安装的LED器件数量为N个时，选择性安装比率意味着根据计算公式[M/L]×100及[N/L]×100计算的比率中大值。
发明的效果
根据本发明的超薄型引脚LED电极组件相比于以往的利用棒型LED器件的电极组件，将器件的发光面积及表面缺陷引起的效率下降最小化，有利于实现更高亮度和光效率。并且，通过介电泳以使LED器件接触于电极上的面成为LED器件可驱动的面的方式自对准，可提高投入的LED器件的可驱动的安装比率。同时接触于电极上的面为LED器件可驱动的面，进而当将直流电源选择为驱动电源时，也可选择性地调节安装于电极上的面，以可实现驱动，可将驱动电源选择范围扩大至直流电源，由此有利于实现更高亮度的LED电极组件，可广泛应用于各种光源中。
附图说明
图1至图2为根据本发明的一实施例的超薄型引脚LED电极组件的图，图1为超薄型引脚LED电极组件的俯视图，图2为沿着图1的X-X’边界线的截面示意图。
图3及图4为包括在本发明的一实施例的超薄型引脚LED器件的立体图及沿着X-X’边界线的剖视图。
图5及图6为垂直于包括在本发明的多个实施例的超薄型引脚LED器件的长度方向的横向剖视图。
图7为当多个层向厚度方向层叠，作为长度方向的长轴垂直于厚度方向的棒型器件安装于安装电极时有可能出现的安装状态的示意图。
图8及图9分别为表示当由所示的各个物质形成的单一粒子处于作为丙酮及异丙醇的介质内时形成的电场的不同频率的根据数学式1的值的实部的曲线图。
图10a至图10d分别为表示当利用以30nm厚度示于半径为400nm的GaN核部表面的各个物质形成旋转诱导膜的球形的核壳粒子处于介电常数分别为10、15、20.7及28的溶剂内时形成的电场的不同频率的根据数学式1的值的实部值的曲线图。
图11及图12为将在包括在本发明的一实施例的步骤(2)中形成有电场的下部电极上方处于介质内的超薄型引脚LED器件借助介电泳力安装于下部电极上时动作模式化的图，图11为将超薄型引脚LED器件被吸引到相邻的两个下部电极面的动作模式化的图，图12为将以成为超薄型引脚LED器件的长轴的x轴为基准器件中产生的旋转扭矩模式化的图。
图13为通过包括在本发明一实施例的步骤(2)超薄型引脚LED器件安装于下部电极线上之后出现的多个安装状态的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图14为根据本发明的一实施例的超薄型引脚LED电极组件的截面示意图。
图15为根据本发明的一实施例的光源的示意图。
图16a及图16b为根据本发明的多个实施例的光源的示意图。
图17至图20为包括在本发明的一实施例的多个超薄型引脚LED器件的侧面SEM照片。
图21为根据实施例1的超薄型引脚LED电极组件的实验例1的实验结果，是拍摄的安装有超薄型引脚LED器件的区域一部分的SEM照片。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例，可使本发明所属技术领域的普通技术人员容易实施。本发明能够以多种不同的方式实现，不局限于在此说明的实施例。
若参照图1及图2说明，则根据本发明的一实施例的超薄型引脚LED电极组件1000包括：下部电极线200，包括以规定的间隔隔开的多个下部电极211、212、213、214；多个超薄型引脚LED器件101，配置于上述下部电极线200上；以及上部电极线300，配置于上述超薄型引脚LED器件101上。
上述超薄型引脚LED电极组件1000能够以通过利用对下部电极线200施加的组装电源形成的电场使超薄型引脚LED器件101借助介电泳力自对准于下部电极211、212、213、214上的工艺制造。此时，各个超薄型引脚LED器件101由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成，随着位于电场内的超薄型引脚LED器件101借助介电泳力吸引到下部电极211、212、213、214侧，超薄型引脚LED器件101的各个多个面中第一面或第二面相比于侧面更好地与下部电极211、212、213、214上部面相接触地自对准，具体地，可通过以下制造方法制造。
具体地，根据本发明的一实施例的超薄型引脚LED电极组件1000可通过如下步骤制造，其包括：步骤(1)，将包括超薄型引脚LED器件101的溶液投入于包括以规定的间隔隔开的多个下部电极211、212、213、214的下部电极线200上；步骤(2)，对上述下部电极线200施加组装电源，来使超薄型引脚LED器件101自对准于下部电极211、212、213、214上；以及步骤(3)，在自对准的多个超薄型引脚LED器件101上形成上部电极线300。
首先，作为根据本发明的步骤(1)，执行将包括多个超薄型引脚LED器件101的溶液投入于包括以规定的间隔隔开的多个下部电极211、212、213、214的下部电极线200上的步骤。
若参照图3至图6说明，则步骤(1)中使用的超薄型引脚LED器件100、101、102为由以相互垂直的x、y、z轴为基准向多个层10、20、30、40、60层叠的z轴方向相向的第一面B及第二面T和剩余侧面S形成，x轴方向的长度长于作为y轴方向的长度的宽度或作为z轴方向的长度的厚度，x轴方向成为超薄型引脚LED器件100、101、102的长轴的棒型的LED器件。
另一方面，众所周知，棒型的LED器件可在由对相当于安装电极的下部电极线200施加的电源形成的电场内借助介电泳力自对准于下部电极211、212、213、214上，棒型的LED器件的长轴方向端部通常分别配置成与施加电源的相邻的两个下部电极211、212及下部电极213、214相接触。
此时，当上述棒型的LED器件中向成为长轴的x轴方向层叠构成器件的多个层时，棒型的LED器件的长轴方向一端成为一个导电性半导体层或与其相邻的层，长轴方向上述一端的另一端成为另一个导电性半导体层或与其相邻的层，当这种棒型的LED器件借助介电泳力安装于相互隔开的下部电极上时，以使棒型的LED器件的长轴方向一端与一个下部电极相接触，长轴方向另一端与隔开的另一个下部电极相接触的方式安装，因此不存在安装的棒型的LED器件未驱动的情况。并且，在具有这种层叠结构的棒型的LED器件中，当形状为多面体，例如为直六面体时，面方向与长轴方向平行的侧面中任何一面都可在与下部电极相接触时进行驱动。
但是，如图3至图6所示，存在当构成超薄型引脚LED器件100、101、102的各个层10、20、30、40、60不向相当于器件的长轴方向的x轴，而向与其垂直的z轴方向层叠时，不是以层层叠的方向(相当于z轴方向)为基准的器件的侧面的面，即，向z轴方向相向的第一面B或第二面T需要与下部电极211、212、213、214相接触，才可驱动的限制。
若参照图7说明，则借助介电泳，LED器件3的长轴方向端部分别与相邻的两个下部电极1、2相接触地自对准，根据构成LED器件3的层4、5、6的层叠方向和器件的长轴方向相互垂直，安装于两个下部电极1、2的LED器件3的安装状态分为向LED器件3的厚度方向相向的第一导电性半导体层4或第二导电性半导体层6与两个下部电极1、2面相接触或LED器件3的侧面接触的情况。在这些安装状态中，当以使LED器件3的侧面与两个下部电极1、2相接触的方式安装时，第一导电性半导体层4、光活性层5及第二导电性半导体层6全部与下部电极1、2相接触，因此，当驱动电源施加到上部电极(未图示)和下部电极1、2时，成为无法发光(驱动)且引起电气短路的原因。
因此，如同本发明中采用的LED器件，在由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准向层10、20、30、40、60层叠的z轴方向相向的第一面B及第二面T和剩余侧面S形成，x轴方向成为器件的长轴的超薄型引脚LED器件100、101、102中，通过介电泳安装于两个下部电极211、212、213、214，进而若想发光(驱动)，则需要以使形成超薄型引脚LED器件100、101、102的多个面中第一面B或第二面T朝向下部电极211、212、213、214侧接触的方式安装。进而若想作为驱动电源使用直流电源，则安装于下部电极211、212、213、214上的所有超薄型LED器件100、101、102中大多数以使第一面B及第二面T中特定一面选择性地与下部电极211、212、213、214的上部面相接触的方式安装的选择性对准性需要变高。
对此，本发明人在研究如上所述地形成LED器件的层的层叠方向垂直于器件的长轴方向的棒型LED器件中可使形成超薄型引脚LED器件100、101、102的多个面中特定面选择性地与下部电极相接触，以便于可实现器件的驱动或可利用直流电源驱动的超薄型引脚LED器件的结构、形状等的过程中，得知可通过构成LED器件的层的物质、结构等的设计和与设计的LED器件相应地能够以所目的的方向和位置借助介电泳力吸引的电源条件以使器件的第一面B或第二面T相比于侧面S更好地与下部电极上部面相连的方式进行介电泳，以实现LED电极组件，从而完成本发明。
具体地，当介电泳时介质内粒子的动作可通过介电泳机制说明，介电泳意味着当粒子位于不均匀的电场时，利用被粒子诱导的偶极子对粒子施加具有方向性的力的现象。此时，力的强度可根据粒子和介质的电特性、介电特性、交流电场的频率等不同，当介电泳时粒子受到的时间平均力(FDEP)如以下数学式3。
数学式3
在数学式3中，r、εm、E分别表示粒子的半径、介质的介电常数、适用的交流电场的平均平方根大小。并且，Re[K(ω)]为决定接近于球形的粒子的动作方向的因子，意味着根据以下数学式1的值的实部。
数学式1
其中，εp *及εm *分别为粒子和介质的复介电常数，ε*基于以下数学式4。
数学式4
其中，σ意味着导电系数，ε意味着介电常数，ω意味着角频率(ω＝2πf)，j意味着虚部
此时，当介电泳时粒子的动作很大程度上依赖于根据数学式1的因子的变化。即，根据Re[K(ω)]的频率的符号变化为对于粒子向高电场区域动作或向远离其的方向动作的现象决定方向的最重要的因素，此时，当Re[K(ω)]具有正的值时，将粒子朝向高电场(highelectric field)区域动作称为正的介电泳(pDEP)，当Re[K(ω)]具有负的值时，将粒子向远离高电场(high electric field)区域的方向动作称为负的介电泳(nDEP)。
超薄型引脚LED器件100、101、102在分散于作为介质的溶剂中的状态下受到介电泳力，可包括在溶剂及超薄型引脚LED器件100、101、102的物质的不同种类导电系数及介电常数如下列表1。
表1
并且，若参照图8及图9，则作为溶剂的例示，当假设可包括在分别处于丙酮及异丙醇(IPA)中的超薄型引脚LED器件100、101、102的物质为单一粒子时，对于Re[K(ω)]的频率依赖度而言，ITO和GaN在大致宽的频率范围内具有正的介电泳(pDEP)值，但相反，TiO2在低频具有负的值，在高频具有正的值。并且，SiO2、SiNx、Al2O等之类的材质的粒子与频率无关地具有负的介电泳(nDEP)值。因此，GaN粒子或ITO粒子或TiO2粒子根据频率具有被吸引到强的电场侧或远离其的方向性。并且，SiO2、SiNx、Al2O等之类的材质的粒子与丙酮及IPA等之类的介质的种类及施加的电源的频率无关地始终向远离强的电场的方向移动。
因此，超薄型引脚LED器件所受的介电泳力同样可调节作用于根据形成超薄型引脚LED器件的物质和作为超薄型引脚LED器件所处的介质的溶剂的介电常数、电导率及施加的电源的频率决定的超薄型引脚LED器件的各个面的Re[K(ω)]值的符号(正/负)及值的水平来控制动作，以使所目的的器件的面选择性地位于下部电极上。但是，超薄型引脚LED器件并不是由一种物质形成的单一器件，几乎无法利用以如图8及图9所示的单一物质为前提的实验结果预测多个材质的层层叠的超薄型引脚LED器件的动作。由此本发明的发明人假设球形的粒子为非单一材质的粒子的按各个层导电系数及介电常数不同的核壳结构的粒子，在数学式1中将粒子视为核壳结构的粒子，通过以下数学式2导出上述核壳结构粒子的复介电常数，利用其计算数学式1的值，根据作为介质的溶剂的不同介电常数及施加的电源的不同频率察看介电泳力和动作方向。
数学式2
在数学式2中，R1为核部的半径，R2为核壳粒子的半径，ε1 *及ε2 *分别为核部及壳部的复介电常数。
若参照图10a至图10d说明，则图10a至图10d表示溶剂对将核部固定为半径为400nm的GaN且将壳部分别变更为厚度为30nm的ITO、SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2来实现的半径为430nm的球形的核壳粒子的介电常数及施加的电源的不同频率的根据数学式1的值的实部。具体地，如图8及图9中所确认，当单一粒子时，直到相当大的高频带为止，GaN和ITO分别具有接近于1的正的介电泳(pDEP)值，图10a至图10d表示作为核部的GaN以壳部配置有ITO的核壳结构的粒子也仍然具有接近于1的大的正的介电泳(pDEP)值。并且，当作为核部的GaN以壳部配置有TiO2的核壳结构粒子时，受到单一粒子时具有大的正的介电泳值的GaN的影响，以TiO2具有相比于单一粒子时更大的正的介电泳(pDEP)值的方式移动，可知具有正的介电泳(pDEP)值的频带相比于TiO2单一粒子时减少。相反，当单一粒子中分别具有负的介电泳(nDEP)值的SiO2、SiNx、Al2O3时，受到配置为作为GaN的核部的壳的核壳结构粒子中GaN的大的正的介电泳(pDEP)值的影响，GaN在具有正的介电泳(pDEP)值，更优选地，具有1.0的正的介电泳(pDEP)值的频率范围，例如，10GHz以下的频率范围中一部分频率区域变成正的介电泳(pDEP)值。因此，综合这种结果可知，当Ⅲ族-氮化物类化合物，例如，一种材料层以最外层设置于GaN LED器件时，大小有所差异，但包括具有正的介电泳(pDEP)值的频带。
通过这种结果，材料上和/或结构上调整构成步骤(1)中投入的超薄型引脚LED器件的层(或面)的导电系数、介电常数特性，通过与调整的材料/结构特征相应地调整步骤(2)中施加的电源的频率、电源，使超薄型引脚LED器件吸引到下部电极侧，进而使器件的第一面B或第二面T相比于侧面S更好地朝向下部电极上部面，可实现接触于下部电极上部面上的安装形态。安装于这种情况下实现的超薄型引脚LED电极组件内的超薄型引脚LED器件的可驱动的安装比率变高，最终可实现增加的亮度。并且，可将超薄型引脚LED器件的侧面与下部电极相接触而发生的电气短路及泄漏最小化。
对此，如上所述，构成为通过步骤(2)使超薄型引脚LED器件101的多个面中第一面B或第二面T更好地被吸引到下部电极上部面而与其相接触的步骤(1)中投入的超薄型引脚LED器件100、101、102如下。
具体地，上述超薄型引脚LED器件100、101、102可包括通常用于起到LED器件的功能的最小限度的层。作为上述最小限度的层的一例，可包括导电性半导体层10、30及光活性层20。
当上述导电性半导体层10、30为用于照明、显示器等的通常的LED器件中采用的导电性半导体层时，可不受限制地使用。根据本发明的优选一实施例，超薄型引脚LED器件100、101、102可包括第一导电性半导体层10及第二导电性半导体层30，此时，上述第一导电性半导体层10及第二导电性半导体层30中的一种可包括至少一个n型半导体层，另一导电性半导体层可包括至少一个p型半导体层。
当上述第一导电性半导体层10包括n型半导体层时，上述n型半导体层可从具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN等中选择一种以上，可掺杂第一导电性掺杂剂(如Si、Ge、Sn等)。根据本发明的优选一实例，包括n型半导体层的上述第一导电性半导体层10的厚度可以为0.2～3μm，但不局限于此。
并且，当上述第二导电性半导体层30包括p型半导体层时，上述p型半导体层可从具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体物质，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN等中选择一种以上，可掺杂第二导电性掺杂剂(如Mg)。根据本发明的优选一实例，包括p型半导体层的上述第二导电性半导体层30的厚度可以为0.01～0.35μm，但不局限于此。
然后，上述光活性层20可形成于第一导电性半导体层10和第二导电性半导体层30之间，能够以单一或多量子阱结构形成。当上述光活性层20为包括在用于照明、显示器等的通常的LED器件的光活性层时，可不受限制地使用。上述光活性层20的上和/或下可形成有掺杂有导电性掺杂剂的覆盖层(未图示)，掺杂有上述导电性掺杂剂的覆盖层能够以AlGaN层或InAlGaN层实现。此外，AlGaN、AlInGaN等物质也可利用为光活性层20。对于这种光活性层20而言，当对器件施加电场时，从分别位于光活性层上、下的导电性半导体层向光活性层移动的电子和空穴在光活性层中发生电子-空穴对的结合，由此发光。根据本发明的优选一实施例，上述光活性层20的厚度可以为30～300nm，但不局限于此。
并且，超薄型引脚LED器件100、101、102被示为包括第一导电性半导体层10、光活性层20及第二导电性半导体层30作为最小结构要素，需要表明的是，此外，各个层的上/下还可包括另一活性层、导电性半导体层、荧光体层、空穴块层和/或电极层。
另一方面，仅利用上述的导电性半导体层10、30及光活性层20，超薄型引脚LED器件的多个面中第一面B或第二面T有可能难以更好地被下部电极上部面吸引而与其相接触。由此，超薄型引脚LED器件100、101、102可根据器件内位置使构成器件的材料和/或结构不同，以便于增加超薄型引脚LED器件通过后述的步骤(2)可驱动地安装于下部电极上部面的可驱动的安装比率及也可利用直流电源驱动(发光)的选择性安装比率。
作为一例，如图4所示，超薄型引脚LED器件100在从相当于具有第一面B的最下部层的第一导电性半导体层10第一面B达到规定的厚度的区域12可具有含有多个气孔P的结构，含有上述多个气孔P的结构具有气孔P中含有的空气引起的进一步变低的介电特性及电导率，由此可改变与相当于具有第二面T的最上部层的第二导电性半导体层30的材料及结构差异。并且，含有多个气孔P的结构具有防止从超薄型引脚LED器件100内部发出的光因内部反射而被困无法逃脱的情况，可增大发光效率的优点。另一方面，含有上述多个气孔P的结构可通过LED晶片以超薄型引脚LED器件的形状和大小蚀刻至n型GaN半导体一部分厚度之后，为了从LED晶片分离蚀刻的LED结构物而进行电化学蚀刻处理，之后，形成在暴露于蚀刻液的n型GaN部分，与这种超薄型引脚LED器件100相关地，本发明的发明人插入专利申请号第10-2020-0189204号作为本发明的参照。另一方面，上述气孔作为一例其直径可以为1～100nm。
或者，根据本发明的再一实施例，对于步骤(1)中使用的超薄型引脚LED器件102、103而言，具有第一面B的最下部层及具有第二面T的最上部层相互的导电系数及介电常数中的一种以上可由不同的材质形成。优选地，导电系数可不同，作为一例，具有第二面T的最上部层的导电系数可大于具有第一面B的最下部层的导电系数，更优选地，最上部层的导电系数可以为最下部层的导电系数的10倍以上，更优选地，可以为100倍以上，由此可有利于实现进一步增加的选择性安装比率。
若参照图5及图6说明，则作为一例，超薄型引脚LED器件101、102除了第一导电性半导体层10、光活性层20及第二导电性半导体层30之外，可将选择性对准指向层40或选择性对准抑制层60配置于第二导电性半导体层30或第一导电性半导体层10的上部或下部，来设置为超薄型引脚LED器件101、102的具有第二面T的最上层或具有第一面B的最下层。
上述选择性对准指向层40可以为相比于第一导电性半导体层10，电导率大的材料，作为具体的一例，可以为电极层。当上述电极层为设置于LED器件的通常的电极层时，可不受限制地使用，作为其非限制性例，可使用单独或混合Cr、Ti、Al、Au、Ni、ZnO、AZO、ITO及它们的氧化物或合金等的材质，但优选地，为了使第二面T与安装电极的上部面相接触的选择性安装比率相比于其他电极层材料增加，选择性对准指向层40的导电系数可以为第一导电性半导体层10导电系数的10倍以上，更优选地，可以为100倍以上，由此可有利于实现进一步增加的选择性安装比率。并且，当选择性对准指向层40为电极层时，厚度可以为10～500nm，但不局限于此。
或者，上述选择性对准抑制层60可以为相比于第二导电性半导体层30，电导率小的材料，作为一例，可以为具有电子延迟功能的电子延迟层。即，超薄型引脚LED器件102的作为各个层的层叠方向的厚度小于长度，因此，相对地，n型GaN层的厚度只能变薄，与其相比，电子的移动速度大于空穴的移动速度，因而电子和空穴的结合位置处于非光活性层20的第二导电性半导体层30侧，有可能降低发光效率，作为电子延迟层的选择性对准抑制层60可使复合的空穴和电子数在光活性层20中形成均衡，防止发光效率的下降，选择性地提高多个面中第二面T与下部电极211、212、213、214相接触的概率。优选地，最上部层，作为一例，第二导电性半导体层30的导电系数可以为选择性对准抑制层60的导电系数的10倍以上，更优选地，可以为100倍以上，由此可有利于以进一步改善的比率实现第二导电性半导体层30与下部电极211、212、213、214上部面相接触的选择性安装比率。
上述电子延迟层作为一例可含有选自由CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、GaTe、SiC、ZnO、ZnMgO、SnO2、TiO2、In2O3、Ga2O3、Si、聚对苯乙烯撑(poly(paraphenylenevinylene))及其衍生物、聚苯胺(polyaniline)、聚(3-烷基噻吩)(poly(3-alkylthiophene))及聚对苯撑(poly(paraphenylene))组成的组中的一种以上。或者，当上述电子延迟层为掺杂有第一导电性半导体层10的n型III-氮化物半导体层时，可由掺杂浓度低于上述第一导电性半导体层10的III-氮化物半导体构成。并且，上述电子延迟层的厚度可以为1～100nm，但不局限于此，可考虑n型导电性半导体层的材质、电子延迟层的材质等而适当地变更。
或者，根据本发明的另一实施例，后述的步骤(2)中为了在由对下部电极211、212、213、214施加的组装电源形成的电场下向作为超薄型引脚LED器件的长轴的x轴方向产生以贯通器件的中心的虚拟的旋转轴为基准的旋转扭矩Tx，可具有包围超薄型引脚LED器件100、101、102的侧面的旋转诱导膜50，更优选地，为了使第一面B及第二面T中特定一面，例如，第二面T选择性地朝向下部电极上部面侧，覆盖器件的侧面S的旋转诱导膜50在上述的数学式1中假设粒子为将GaN作为核部且将旋转诱导膜作为壳部来构成的球形的核壳粒子，考虑溶剂的介电常数而可由施加的电源的频率为10GHz以下的范围内至少一部分频率范围内计算的根据数学式1的K(ω)值的实部满足大于0且0.72以下，更优选地，满足大于0且0.62以下的材料形成(参照图10a至图10d)。
若参照图11及图12说明，则超薄型引脚LED器件3如上所述地在数学式3中Re[K(ω)]的值具有正的值，可被吸引到由对下部电极1、2施加的电源形成的高电磁场侧，此时，旋转诱导膜50以贯通超薄型引脚LED器件3的中心的虚拟的x轴为基准产生旋转扭矩Tx，以使选自第一面B或第二面T中的一面，例如，第二面T朝向下部电极1、2面侧的方式旋转，因此，增加以使超薄型引脚LED器件3的第一面B或第二面T与下部电极1、2上部面相接触的方式安装的可驱动的安装比率，进而可进一步增加以使超薄型引脚LED器件3的第一面B及第二面T中特定一面与下部电极1、2上部面相接触的方式安装的选择性安装比率。
并且，对于上述旋转诱导膜50而言，对于具有第一面B的最下层为作为GaN的核部且旋转诱导膜50以壳部配置的球形的核壳粒子的根据数学式1的K(ω)值的实部具有大于0的正数，因此，在不妨碍超薄型引脚LED器件100、101、102被吸引到下部电极211、212、213、214侧的动作的情况下，通过选择具有0.72以下的值的旋转诱导膜50的材料，可显著改善投入于下部电极线200上的所有超薄型引脚LED器件100、101、102中通过后述的步骤(2)以可驱动(发光)的方式安装的可驱动的安装比率及以使第一面B及第二面T中特定一面与安装电极面相接触的方式配置的选择性安装比率。当超薄型引脚LED器件的侧面具有根据数学式1的K(ω)值的实部为0或负数，或大于0.72的旋转诱导膜50时，减少通过后述的步骤(2)安装的超薄型引脚LED器件的可驱动的安装比率及第一面B及第二面T中特定一面成为安装面(或接触面)的选择性安装比率，尤其可大大减少选择性安装比率(参照表2)。
并且，超薄型引脚LED器件100、101、102具有根据具有第一面B的最下部层和具有第二面T的最上部层之间的材质和/或结构性调节的导电系数和/或介电常数差异的同时侧面具有K(ω)值的实部大于0且0.72以下的旋转诱导膜50，由此后述的步骤(2)中超薄型引脚LED器件的可驱动的安装比率及选择性安装比率可进一步上升(参照表2)。
另一方面，当步骤(1)中投入的超薄型引脚LED器件具有在如上所述的条件下根据数学式1的K(ω)值的实部满足大于0且0.62以下的旋转诱导膜50时，表达增加超薄型引脚LED器件的可驱动的安装比率及第一面B及第二面T中特定一面选择性地接触的选择性安装比率的同时增加当通过后述的步骤(2)自对准于下部电极211、212、213、214上之后，通过步骤(3)在自对准的超薄型引脚LED器件上部形成上部电极301时，可实现良品的超薄型引脚LED电极组件的超薄型引脚LED器件的安装比率，即，良品安装比率的效果。具体地，若参照图13说明，则当以使第一面B或第二面T接触于下部电极上的方式对准时，可呈现为以使超薄型引脚LED器件的各个端部以类似的接触面积分别位于相邻的下部电极面的方式安装的根据图13(a)的安装状态、各个端部分别位于相邻的下部电极面，向一侧倾斜而安装的根据图13(b)的安装状态或以仅接触于相邻的下部电极中一个下部电极面上的方式配置的根据图13(c)的安装状态，若想使包括后述的步骤(3)中形成的上部电极301的上部电极线300与超薄型引脚LED器件的上部面顺畅地相接触地形成，则可有利的是具有如图13(a)及图13(b)所示的安装状态。但是，当具有脱离K(ω)值的实部大于0且0.62以下的旋转诱导膜50的超薄型引脚LED器件相比于非如此的超薄型引脚LED器件，以图13(c)所示的形态安装的器件比率可大大增加，可不优选于实现良品的超薄型引脚LED电极组件。
并且，步骤(1)中投入的超薄型引脚LED器件100、101、102向厚度方向层叠导电性半导体层10、30和光活性层20等多个层，通过使厚度小于长度，可具有进一步提高的发光面积。并且，随着长度的增加，即使暴露的光活性层20的面积有所增加，制造超薄型引脚LED器件的工序中所要实现的层的厚度也薄，因此，蚀刻的深度浅，最终在蚀刻工序中在光活性层20及导电性半导体层10、30的暴露的表面产生的缺陷减少，有利于最小化或防止表面缺陷引起的发光效率的减少。
并且，超薄型引脚LED器件100、101、102的所有长度和厚度的比率作为一例可以为3：1以上，更优选地，可以为6：1以上，长度可更大，由此具有可使通过由后述的步骤(2)中施加的组装电源形成的电场借助介电泳力投入的超薄型引脚LED器件100、101、102更容易自对准于下部电极211、212、213、214上的优点。当超薄型引脚LED器件100、101、102的所有长度和厚度比率小于3：1，长度变小时，有可能难以借助通过电场的介电泳力使超薄型引脚LED器件100、101、102自对准于下部电极上，可导致因器件难以固定于下部电极上而产生的工序缺陷引起的电接触短路。只是，器件的长度和厚度的比率可以为15：1以下，由此可有利于实现对可利用电场自对准的旋转力的优化等本发明的目的。
另一方面，图3至图6中将超薄型引脚LED器件100、101、102的x-y平面表示为矩形，但不局限于此，需要表明的是，从菱形、平行四边形、梯形等通常的四角形的形状到椭圆形等，可不受限制地采用。
并且，上述超薄型引脚LED器件100、101、102的长度和宽度具有微型或纳米单位的大小，作为一例，超薄型引脚LED器件100、101、102的长度可以为1～10μm，宽度可以为0.25～1.5μm。并且，厚度可以为0.1～3μm。上述长度和宽度可根据平面的形状其基准不同，作为一例，当上述x-y平面为菱形、平行四边形时，两个对角线中的一个可以为长度，另一个可以为宽度，当梯形时，高度、上边及底边中长边可以为长度，与长边垂直的短边可以为宽度。或者，当上述平面的形状为椭圆时，椭圆的长轴可以为长度，短轴可以为宽度。
上述的超薄型引脚LED器件100、101、102以分散于溶剂的溶液状态投入于下部电极线200上，此时，上述溶剂与使上述超薄型引脚LED器件100、101、102分散的分散介质的功能一同执行使上述超薄型引脚LED器件100、101、102移动，以便于更加容易自对准于下部电极211、212、213、214上的功能。当上述溶剂为不对上述超薄型引脚LED器件引起物理及化学侵害，而优选地，可提高超薄型引脚LED器件的分散性的溶剂时，可不受限制地使用。并且，上述溶剂可具有适当的介电常数，以便于当介电泳时使溶剂内分散的超薄型引脚LED器件具有被吸引到下部电极侧的介电泳力。优选地，上述溶剂的介电常数可以为10.0以上，作为再一例，可以为30以下，作为另一例，可以为28以下，由此可更有利于实现本发明的目的。另一方面，满足如上所述的介电常数的溶剂作为一例可以为丙酮、异丙醇等。并且，含有上述超薄型引脚LED器件的溶液可在溶液内含有0.01～99.99重量百分比的超薄型引脚LED器件，本发明不对其特别限制。并且，上述溶液可以为油墨或糊状。
另一方面，步骤(1)中上述溶液可通过公知的方法处理于下部电极线200上，为了适用于大量生产，可利用喷墨打印机等打印机装置。并且，为了用于上述打印机装置等中，包括超薄型引脚LED器件的溶液可由油墨组合物实现，以便于适合打印机装置的方法，此时，可考虑溶剂的粘度等物性而适当地选择溶剂的种类，考虑打印方法及装置而还可包括通常用于该装置的组合物内追加的添加剂，本发明不对其特别限制。
另一方面，将步骤(1)说明为超薄型引脚LED器件以与溶剂相混合的溶液状态投入，但需要表明的是，如同超薄型引脚LED器件优先投入于下部电极线200上之后，溶剂再投入，或相反溶剂优先投入之后，超薄型LED器件再投入，最终与投入溶液的情况相同时，同样包括在步骤(1)中。
然后，对包括成为用于安装上述的超薄型引脚LED器件100、101、102的安装电极的同时起到驱动电极中的一种的功能的下部电极211、212、213、214的下部电极线200进行说明。如图1及图2所示，上述下部电极211、212、213、214包括向一个单方向延伸且向与上述单方向不同的方向隔开的至少2个，由此可利用通过步骤(2)对下部电极线200施加的电源在相邻的两个下部电极211、212、213、214之间形成高电场。
并且，上述下部电极211、212、213、214成为安装电极的同时起到驱动电极中的一种的功能，仅在步骤(2)中对相邻的各个下部电极211、212、213、214施加不同种类的电源(作为一例，(+)及(-)电源)，当驱动时，施加相同种类的电源(作为一例，(+)或(-)电源)，因而具有相比于以步骤(2)中及驱动时均施加不同种类的电源的方式将下部电极211、212、213、214用作安装电极及驱动电极的以往的LED电极组件，相邻的下部电极211、212、213、214之间电气短路的担忧少的优点。上述下部电极211、212、213、214可形成于基板400上。
并且，上述基板400可执行作为支撑下部电极线200、上部电极线300及安装于上述下部电极线200和上部电极线300之间的超薄型引脚LED器件的支撑体的功能。上述基板400可以为选自由玻璃、塑料、陶瓷及金属组成的组中的一种，但不局限于此。并且，上述基板400可优选地使用透明的材质，以便于将从器件出射的光的损失最小化。并且，上述基板400优选地可以为折弯的原材料。并且，上述基板400的大小、厚度可考虑所具有的超薄型引脚LED器件的大小及数量、下部电极线200的具体设计等而适当地变更。
并且，上述下部电极线200可具有用于通常的LED电极组件的电极的材质、形状、宽度、厚度，可利用公知的方法制造，因而本发明不对其具体限制。作为一例，下部电极211、212、213、214可以为铝、铬、金、银、铜、石墨烯、ITO或它们的合金等，宽度可以为2～50μm，厚度可以为0.1～100μm，但可考虑所目的的LED电极组件的大小等而适当地变更。
另一方面，上述下部电极线200上还可包括由以规定高度包围上述所目的的区域的侧板形成的隔板(未图示)，以防止投入的超薄型引脚LED器件100、101、102流向非所目的的区域，即，另一部分，使超薄型引脚LED器件100、101、102集中于所目的的区域上来配置，包括超薄型引脚LED器件100、101、102的溶液可向上述隔板内侧投入。上述隔板可由绝缘物质形成，以便于在安装超薄型引脚LED器件来实现的最终LED电极组件中当超薄型引脚LED器件驱动时不产生电影响。优选地，上述绝缘物质可使用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化钇(Y2O3)及二氧化钛(TiO2)等无机绝缘物和多种透明聚合物绝缘物中的一种以上。并且，上述隔板可经过图案化及蚀刻工序制造，以便于使绝缘物质以规定高度形成于下部电极线200上之后，成为包围上述所目的的区域的侧板。
此时，当隔板的材质为无机绝缘物时，可通过化学气相沉积法、原子层沉积法、真空(vacuum)沉积法、电子束沉积法及旋涂方法中的一种方法形成。并且，当材质为聚合物绝缘物时，可利用旋涂、喷涂及丝网印刷等涂敷方法形成。并且，上述图案化可通过利用感光性物质的光刻形成或通过公知的纳米压印工艺、激光干涉光刻、电子束光刻等形成。此时，形成的隔板的高度为超薄型引脚LED器件100、101、102厚度的1/2以上，是通常可不影响步骤(3)等后工序的厚度，优选地，可以为0.1～100μm，更优选地，可以为0.3～10μm。当无法满足上述范围时，影响步骤(3)等后工序，有可能难以制造超薄型引脚LED电极组件，尤其，当相比于超薄型引脚LED器件100、101、102的厚度，绝缘物的厚度太薄时，具有包括超薄型引脚LED器件100、101、102的油墨组合物之类的溶液有可能溢出到隔板外的担忧，有可能难以通过隔板防止超薄型引脚LED器件向隔板外扩展。
并且，上述蚀刻可考虑绝缘物的材质而采用适当的蚀刻方法，作为一例，可通过湿法蚀刻法或干法蚀刻法执行，优选地，可利用等离子蚀刻、溅射蚀刻、反应性离子蚀刻及反应性离子束蚀刻中的一种以上的干法蚀刻方法执行。
然后，作为根据本发明的步骤(2)，执行对下部电极线200施加组装电源，来使超薄型引脚LED器件100、101、102分别以使器件的多个面中第一面B或第二面T相比于侧面S更好地与上述下部电极211、212、213、214上部面相连的方式自对准的步骤。
对上述下部电极线200施加的组装电源的电压及频率可设定为成为在步骤(1)中投入的溶剂内流动的超薄型引脚LED器件100、101、102被下部电极211、212、213、214吸引而可使各个器件的第一面B或第二面T更好地接触于下部电极211、212、213、214上的介电泳力的大小及方向。具体地，上述组装电源可考虑步骤(1)中投入的溶剂的导电系数及介电常数、超薄型引脚LED器件100、101、102的大小及构成超薄型引脚LED器件的各个层的材质和/或结构而决定。优选地，如通过上述的图8、图9及图10a至图10d可知，组装电源的频率可优选为1kHz～100MHz，电压可优选为5～100Vpp。并且，组装电源的频率可更优选为1kHz～200kHz，电压可更优选为10～80Vpp。当组装电源的电压以小于5Vpp的方式施加和/或频率以小于1kHz的方式施加时，以使安装的超薄型引脚LED器件中并非第一面B或第二面T的侧面接触的方式安装的超薄型引脚LED器件的比率变大，即使利用交流电源也无法驱动的超薄型引脚LED器件的比率变高，可大大降低LED电极组件的亮度。并且，因侧面安装而浪费的超薄型引脚LED器件的数量有可能增加。并且，即使利用交流电源也可驱动的安装比率为规定比率以上，也难以增加选择性安装比率，难以将直流电源用作驱动电源，即使将直流电源用作驱动电源，也相比于将交流电源用作驱动电源的情况，所实现的亮度有可能低。并且，当上述电压大于100Vpp时，下部电极211、212、213、214有可能受损。并且，当在超薄型引脚LED器件的最上层作为选择性对准指向层40设置电极层时，具有上述电极层也有可能受损的担忧。并且，当电源的频率大于100MHz时，器件的侧面S反而更好地安装于下部电极上，或者即使第一面B或第二面T相比于侧面S更好地安装于下部电极上时，可驱动的安装比率和/或选择性安装比率也有可能不高。
如上所述，通过施加组装电源，步骤(2)中超薄型引脚LED器件100、101、102以使器件的多个面中第一面B或第二面T相比于侧面S更好地与下部电极211、212、213、214上部面相连的方式自对准，其中，上述“更好地”意味着作为一例，步骤(1)中投入120个实质上相同的超薄型引脚LED器件，当在步骤(2)中借助介电泳力自对准时，超薄型引脚LED器件分别独立地以使非侧面S的第一面B或第二面T与下部电极上部面相连的方式安装的器件的数量比率大于投入的所有器件中50％，作为另一例，上述数量比率意味着55％、60％、65％或70％以上。
然后，作为根据本发明的步骤(3)，执行在自对准的多个超薄型引脚LED器件100、101、102上形成上部电极线300的步骤。
当上述上部电极线300设计成与安装于上述的下部电极线200上的超薄型引脚LED器件100、101、102的上部电接触时，数量、配置、形状等不受限制。只是如图1所示，当下部电极线200向单方向并排排列时，构成上部电极线300的各个上部电极301、302可向与上述单方向垂直的方向并排排列，这种电极配置为以往显示器等中广泛使用的电极配置，具有可将以往的显示器领域的电极配置及驱动控制技术保持不变地使用的优点。
另一方面，图1仅表示2个上部电极301、302，示出包括它们的上部电极线300仅覆盖一部分器件，但需要表明的是，其为了容易说明而省略，还有配置于超薄型引脚LED器件的上部的未图示的上部电极。
另一方面，上述上部电极301、302可具有用于通常的LED电极组件的电极的材质、形状、宽度、厚度，可利用公知的方法制造，因而本发明不对其具体限制。作为一例，上述上部电极301、302可以为铝、铬、金、银、铜、石墨烯、ITO或它们的合金等，宽度可以为2～50μm，厚度可以为0.1～100μm，但可考虑所目的的LED电极组件的大小等而适当地变更。
并且，上述上部电极线300可将利用公知的光刻的电极线图案化之后，沉积电极物质，或沉积电极物质之后通过干法和/或湿法蚀刻来实现，省略具体形成方法的说明。
另一方面，在上述的步骤(2)和步骤(3)之间还可包括：使连接作为具有与下部电极线200相接触的各个超薄型引脚LED器件101特定一面，例如，第二面T的最上层的选择性指向层40侧面和下部电极线200的通电用金属层500形成的步骤；以及不覆盖自对准的超薄型引脚LED器件101上部面，而在下部电极线200上形成钝化层600的步骤。
上述通电用金属层500可应用利用感光性物质的光刻工序将沉积通电用金属层的线图案化之后，使通电用金属层沉积，或将沉积的金属层图案化之后，通过蚀刻来制造。该工序可适当地采用公知的方法来执行，本发明的发明人可插入韩国专利申请第10-2016-0181410号作为参照。
形成通电用金属层500之后，可执行不覆盖相当于自对准的超薄型引脚LED器件101的上部面的最下层的第一面B，在下部电极线200上形成钝化层600的步骤。上述钝化层600执行防止向垂直方向相向的两个电极线200、300之间的电接触，更加容易实现上部电极线300的功能。当上述钝化层600为通常用于电气电子部件的钝化物质时，可不受限制地使用。作为一例，上述钝化层600可通过PECVD工艺沉积SiO2、SiNx之类的钝化材料，或通过MOCVD工艺沉积AlN、GaN之类的钝化材料，或通过ALD工艺沉积Al2O、HfO2、ZrO2等钝化材料。另一方面，上述钝化层600可通过不覆盖自对准的超薄型引脚LED器件101的上部面而形成，为此还可与不覆盖上部面的厚度相对应地通过沉积形成绝缘层，或以覆盖上部面的方式沉积之后，执行干法蚀刻至器件的上部面暴露为止。
通过上述的制造方法实现的超薄型引脚LED电极组件1000包括：下部电极线200，包括以规定的间隔隔开的多个下部电极211、212、213、214；多个超薄型引脚LED器件101，配置成由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面B及第二面T和剩余侧面S形成，一面与上述下部电极上部面相接触；以及上部电极线300，配置于上述超薄型引脚LED器件101上，配置的多个超薄型引脚LED器件101以使各个器件的第一面B或第二面T与上述下部电极211、212、213、214上部面相连的方式安装的可驱动的安装比率满足55％以上。
如制造方法中所说明，投入于工序中的超薄型引脚LED器件101分别以使器件的多个面中第一面B或第二面T更好地与下部电极211、212、213、214上部面相接触的方式安装，由此可实现可驱动的安装比率满足55％以上的超薄型引脚LED电极组件1000。并且，优选地，上述超薄型引脚LED电极组件的上述可驱动的安装比率可满足70％以上，更优选地，可满足75％以上，进而优选地，可满足80％以上、90％以上或95％以上，由此可将无法安装投入的超薄型引脚LED器件或安装侧面的情况最小化，实现优秀的亮度，减少浪费的超薄型引脚LED器件数来降低制造成本。当可驱动的安装比率小于55％时，虽然可以安装，但无法驱动(发光)，致使浪费的超薄型引脚LED器件多，可大大增加制造成本，大大降低亮度特性。
并且，根据本发明的一实施例，上述超薄型引脚LED电极组件100可构成为作为安装的超薄型引脚LED器件101的安装面选择性地安装为第一面B及第二面T中的一面的比率的选择性安装比率满足70％以上，更优选地，满足85％以上，进而优选地，满足90％以上，最优选地，满足93％以上，由此可增加安装的超薄型引脚LED器件的驱动率及亮度，尤其不仅扩大可将驱动电源选择为非交流的直流电源的应用范围，通过使用直流电源，可有利于实现进一步上升的亮度。
并且，超薄型引脚LED电极组件1000的可独立驱动的单位面积作为一例可以为1μm2至100cm2，更优选地，可以为10μm2至100mm2，但不局限于此。并且，上述超薄型引脚LED电极组件1000的每个单位面积100×100μm2可包括2至100000个超薄型引脚LED器件101，但不局限于此。
另一方面，如上所述，设置于超薄型引脚LED电极组件1000的超薄型引脚LED器件101除非可驱动的安装比率为100％，则安装的超薄型引脚LED器件中的一部分能够以侧面S与下部电极上部面相接触的方式安装。此时，当作为超薄型引脚LED器件的y轴方向长度的宽度和作为z轴方向长度的厚度相同时，若从侧面察看超薄型引脚LED电极组件1000，则从下部电极上部面至与安装的超薄型引脚LED器件的安装面相向的相反面的高度可全部相同，这种情况下，安装的超薄型引脚LED器件也与上部电极电接触，以使侧面S与下部电极上部面相接触，具有发生由此引起的电泄漏或电气短路的担忧。
对此，根据本发明的一实施例，超薄型引脚LED器件的宽度可小于厚度，由此可防止有可能器件的侧面与下部电极相接触而发生的电气短路或泄漏。若参照图14说明，则如同接触于位于4个下部电极211、212、213、214中右侧的下部电极213、214上的超薄型引脚LED器件101，当以侧面接触的方式安装时，宽度W小于超薄型引脚LED器件101的厚度t，因而侧面接触的超薄型引脚LED器件不具有与上部电极线300相接触的担忧，由此可预防当施加驱动电源时，有可能因右侧的超薄型引脚LED器件101而发生的电气短路或泄漏。
并且，上述的超薄型引脚LED电极组件1000可应用于采用LED器件的公知的光源中。作为一例，若参照图15、图16a及图16b说明，则根据本发明一实施例的光源2000、2000’、3000可包括支撑体1100、1100’、1100”及设置于上述支撑体1100、1100’、1100”上的超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003。
上述支撑体1100、1100’、1100”用于支撑超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003，当具有用于执行支撑功能的规定水平以上的机械强度时，可与材质无关地不受限制地使用为支撑体，作为其非限制性例，可以为选自由有机树脂、陶瓷、金属及无机树脂组成的组中的一种以上的原材料。并且，上述支撑体1100、1100’、1100”可透明或不透明。
并且，上述支撑体1100、1100’、1100”的形状如图15所示地可呈杯状，或如图16a及图16b所示地可呈板状，但不局限于此，可根据安装有光源的表面的形状具有多种形状。并且，上述支撑体1100、1100’、1100”的面积和/或体积同样可考虑所要实现的光源的亮度特性及由此设置的超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003的数量/配置结构、光源的用途而适当调节，因而本发明不对其特别限制。并且，支撑体1100、1100’、1100”的厚度可考虑材质的强度而适当采用可支撑超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003的程度的厚度。
并且，需要表明的是，图15所示的支撑体1100除了支撑超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003的功能之外，其本身可兼具光源的外壳作用。
并且，1个或2个以上的超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003可设置于光源2000、2000’、3000内。此时，设置于单一的超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003的超薄型引脚LED器件100、101、102可由实质上发出一种颜色的器件构成，上述光色作为一例可以为UV、蓝色、绿色、黄色、琥珀色及红色中的一种。另一方面，当构成为光源2000’、3000内设有2个以上的超薄型引脚LED电极组件1001、1002、1003，且它们分别独立地驱动时，能够以发出多种光色的方式实现光源，这种光源可采用于LCD或OLED等显示器中。并且，当包括2个以上的超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003时，作为它们的排列，如图16a所示地向单方向线排列，或如图16b所示地面排列，可按规则排列，或也可与其不同地随机排列。
并且，光源2000、2000’、3000还可包括颜色转换物质，以便于使从超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003出射的光具有特定的波长。上述颜色转换物质执行被从超薄型引脚LED器件100、101、102放出的光激发而使具有特定的波长的光放出的功能。作为一例，如图15所示，当支撑体1100以杯状内部具有收容部时，上述颜色转换物质可设置于收容部内埋入层1200内，或如图16a及图16b所示，当支撑体1100’、1100”呈平板状时，颜色转换物质可呈涂敷层1200’、1300形态。
并且，上述超薄型引脚LED器件100、101、102可以为发出UV、蓝色、绿色、黄色、琥珀色及红色中的一种光色的器件，可考虑所选择的器件发出的光色而决定颜色转换物质。作为一例，当器件发出UV时，上述颜色转换物质可以为蓝色、青色、黄色、绿色、琥珀色及红色中的一种以上，由此可实现一种颜色的单色光源或白色光源。作为实现白色光源的一例，当器件发出UV时，上述颜色转换物质可以为蓝色/黄色、红色/青色、蓝色/绿色/红色及蓝色/绿色/琥珀色/红色中的一种混合物质，由此可实现白色光源。并且，当器件发出蓝色时，颜色转换物质可以为黄色、青色、绿色、琥珀色及红色中的一种以上，可实现通过其的单色光源或白色光源。作为实现上述白色光源的例示，可组合两种颜色以上，具体地，可通过组合蓝色/黄色、红色/青色、蓝色/绿色/红色及蓝色/绿色/琥珀色/红色中的一种混合物质实现白色光源。
另一方面，上述颜色转换物质可以为用于照明、显示器等的公知的荧光体或量子点，本发明不对其具体种类特别限制。
上述的光源2000、2000’、3000可由其本身或与另一公知的结构相结合地构成电气电子部件或设备。作为一例，上述公知的结构可以为接收超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003动作所需的信号的输入部、用于向外部传递当超薄型引脚LED电极组件1000、1001、1002、1003驱动时产生的热的散热器等散热部、将光源和另一结构进行封装的外壳。
并且，上述光源2000、2000’、3000可采用于需要发光体的各种电气电子设备中，作为一例，可以为家用/车辆用灯各种LED照明、显示器、医疗设备、美容设备、各种光学设备。另一方面，上述医疗设备作为一例可以为使规定的波长的光出射到脑部来使该部位的神经网络等激活等的光遗传学用LED光源。上述光遗传学用LED光源可在支撑体上包括多个超薄型引脚LED电极组件。并且，上述美容设备作为一例可以为皮肤美容用LED掩膜，能够以皮肤会接触到的掩膜支撑体内侧面具有多个超薄型引脚LED电极组件的方式实现。
通过以下实施例更具体地说明本发明，但以下实施例不限制本发明的范围，这应被解释为有助于理解本发明。
<实施例1>
首先，如下准备超薄型引脚LED器件。具体地，准备在基板上依次层叠有未掺杂的n型III-氮化物半导体层、Si掺杂的n型III-氮化物半导体层(厚度为4μm)、光活性层(厚度为0.15μm)及p型III-氮化物半导体层(厚度为0.05μm)的通常的LED晶片(Epistar)。在准备的LED晶片上依次沉积作为选择性对准指向层的ITO(厚度为0.15μm)、作为第一掩膜层的SiO2(厚度为1.2μm)、作为第二掩膜层的Ni(厚度为80.6nm)之后，使用纳米压印设备使转印有矩形形状的图案的SOG树脂层转印于第二掩膜层上。之后，使用RIE使SOG树脂层固化，通过RIE蚀刻树脂层的残留树脂部分来形成树脂图案层。之后，沿着图案利用ICP蚀刻第二掩膜层，利用RIE蚀刻第一掩膜层。之后，利用ICP蚀刻第一电极层、p型III-氮化物半导体层、光活性层之后，接着将掺杂的n型III-氮化物半导体层蚀刻至厚度为0.5μm，通过KOH湿法蚀刻制造形成有去除掩膜图案层的多个LED结构物(长边为4μm，短边为750nm，高度为850nm)的LED晶片。之后，在形成有多个LED结构物的LED晶片上沉积作为Al2O3的临时保护膜(以LED结构物侧面为基准沉积厚度为72nm)，之后，通过RIE去除形成于多个LED结构物之间的临时保护膜材料来使LED结构物之间的掺杂的n型III-氮化物半导体层上部面暴露。
之后，将形成有临时保护膜的LED晶片浸渍于0.3M的作为草酸水溶液的电解液之后，使其与电源的阳极端子相连接，使阴极端子与浸渍于电解液的铂电极相连接之后，将15V的电压施加5分钟来从LED结构物之间的掺杂的n型III-氮化物半导体层表面向厚度方向形成多个气孔。之后，通过ICP去除临时保护膜之后，假设上述数学式1中粒子为将半径为400nm的GaN构成为核部且将厚度为30nm的旋转诱导膜构成为壳部的半径为430nm的球形的核壳粒子，当溶剂为介电常数为20.7的丙酮，施加的电源的频率在10kHz～10GHz频带中时，以LED结构物侧面为基准以60nm的厚度沉积根据数学式1的K(ω)值的实部值为0.336的作为SiO2的旋转诱导膜。之后，通过RIE去除形成于LED结构物之间的旋转诱导膜材料来使LED结构物之间的掺杂的n型III-氮化物半导体层上部面暴露之后，使LED晶片浸渍于作为100％γ-丁内酯的气泡形成溶液之后，以160W、40kHz强度将超声波照射10分钟，利用生成的气泡使形成于掺杂的n型III-氮化物半导体层的气孔崩溃，以制造多个如图17的SEM照片中所示的超薄型引脚LED器件。
之后，制造在石英(Quartz)材质的厚度为500μm的基板上以使向与第一方向垂直的第二方向的间隔成为3μm的方式交替形成有向第一方向长长地延伸的第一下部电极和第二下部电极的下部电极线。此时，第一下部电极和第二下部电极的宽度为10μm，厚度为0.2μm，第一下部电极及第二下部电极的材质为金，在下部电极线中将安装超薄型引脚LED器件的区域的面积设定为1mm2。并且，以0.5μm的高度将作为SiO2的绝缘隔板形成于基板上，以便于包围上述安装的区域。
之后，制造将120个准备的超薄型引脚LED器件混合于介电常数为20.7的丙酮中的溶液之后，以9μl的方式向上述安装的区域内滴落两次制造的溶液，之后，对第一下部电极及第二下部电极作为组装电源施加10kHz、40Vpp的正弦波的交流电源，来通过介电泳将超薄型引脚LED器件安装于下部电极上。
之后，利用PECVD工艺使作为SiO2的钝化材料以与超薄型引脚LED器件的厚度相对应的高度沉积于安装有超薄型引脚LED器件的上述区域之后，使向与上述第一方向垂直的第二方向延伸并向第一方向相互隔开的多个上部电极(宽度为10μm，厚度为0.2μm，电极之间间隔为3μm，材质为金)形成于安装的超薄型引脚LED器件的上部面上，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例2>
与实施例1相同地实施来制造，利用将旋转诱导膜变更为作为根据相同条件的数学式1的K(ω)的实部值为0.501的SiNx的旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例3>
与实施例1相同地实施来制造，利用将旋转诱导膜变更为作为根据相同条件的数学式1的K(ω)的实部值为0.944的TiO2的旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例4>
与实施例1相同地实施来制造，未形成旋转诱导膜，而是利用如图18的SEM照片中所示地制造的超薄型引脚LED器件实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例5>
与实施例1相同地实施来制造，未使用选择性对准指向层形成ITO，而是利用如图19的SEM照片中所示地制造的超薄型引脚LED器件实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例6>
与实施例3相同地实施来制造，变更为未使用选择性对准指向层形成ITO的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例7>
与实施例1相同地实施来制造，变更为未形成临时保护膜及多个气孔，而沉积旋转诱导膜之后，通过蚀刻去除形成于LED结构物的上部的旋转诱导膜材料，使用金刚石切割器从晶片分离LED结构物的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例8>
与实施例7相同地实施来制造，变更为将旋转诱导膜变更为作为根据相同条件的数学式1的K(ω)的实部值为0.616的Al2O3的旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例9>
与实施例7相同地实施来制造，变更为将旋转诱导膜变更为作为根据数学式1的K(ω)值的实部值为0.944的TiO2的旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例10>
与实施例7相同地实施来制造，变更为未形成旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例11>
与实施例7相同地实施来制造，变更为未使用选择性对准指向层形成ITO的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<实施例12>
与实施例1相同地实施来制造，未使用选择性对准指向层形成ITO及旋转诱导膜，而是变更为如图20的SEM照片中所示地实现的超薄型引脚LED器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
<比较例1>
与实施例7相同地实施来制造，变更为未使用选择性对准指向层形成ITO及旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件，以制造超薄型引脚LED电极组件。
<比较例2>
与实施例1相同地实施来制造，作为超薄型引脚LED器件使用如下制造的器件，以实现超薄型引脚LED电极组件。
具体地，超薄型引脚LED器件准备在基板上依次层叠有未掺杂的n型III-氮化物半导体层、Si掺杂的n型III-氮化物半导体层(厚度为4μm)、光活性层(厚度为0.45μm)及p型III-氮化物半导体层(厚度为0.05μm)的通常的LED晶片(Epistar)。在准备的LED晶片上依次沉积作为第一掩膜层的SiO2(厚度为1.2μm)、作为第二掩膜层的Ni(厚度为80.6nm)之后，使用纳米压印设备使以与实施例1相同的大小转印有矩形形状的图案的SOG树脂层转印于第二掩膜层上。之后，使用RIE使SOG树脂层固化，通过RIE蚀刻树脂层的残留树脂部分来形成树脂图案层。之后，沿着图案利用ICP蚀刻第二掩膜层，利用RIE蚀刻第一掩膜层。之后，利用ICP蚀刻第一电极层、p型III-氮化物半导体层、光活性层之后，接着将掺杂的n型III-氮化物半导体层蚀刻至厚度为0.6μm，之后，制造形成有通过KOH湿法蚀刻去除掩膜图案层的多个LED结构物的LED晶片。之后，在形成有多个LED结构物的LED晶片上作为临时保护膜沉积Al2O3(以LED结构物侧面为基准沉积厚度为72nm)，之后，使形成于多个LED结构物之间的临时保护膜材料通过RIE去除来使LED结构物之间的掺杂的n型III-氮化物半导体层上部面暴露。之后，将LED结构物之间的掺杂的n型III-氮化物半导体层进一步蚀刻至厚度为0.2μm来使侧面未形成有临时保护膜的掺杂的n型III-氮化物半导体层暴露。之后，利用ICP蚀刻暴露于LED结构物的侧面的掺杂的n型III-氮化物半导体层，来在掺杂的n型III-氮化物半导体层两侧面朝向中央侧向宽度方向蚀刻。之后，通过RIE去除形成于LED结构物各个侧面的临时保护膜，对晶片施加超声波来分离多个LED结构物。分离的LED结构物因宽度方向蚀刻而在掺杂的n型III-氮化物半导体层的下部面具有以规定的宽度向长度方向延伸且向厚度方向突出的突出部，此时，从超薄型引脚LED器件的p型III-氮化物半导体层至突出部的高度、器件的长度及宽度分别在实施例1中与超薄型器件的厚度、长度及宽度相同地制造。
<实验例1>
对于根据实施例1～12及比较例1～2的超薄型引脚LED电极组件如下评价超薄型引脚LED器件的安装面来将其结果示于下列表2中。
具体地，超薄型引脚LED电极组件制造工序中在施加组装电压之后使超薄型引脚LED器件自对准的状态下拍摄SEM照片，来观察与上述区域上的下部电极上部面相接触的超薄型引脚LED器件的各个安装面，并进行计数，以相比于投入的超薄型引脚LED器件的数量的百分比示于下列表2中。
并且，将超薄型引脚LED器件的安装面成为第一面B或第二面T的可驱动的安装比率和根据各个不同实施例或比较例第一面B及第二面T中一个特定一面成为安装面的选择性安装比率一同示于表2中。
表2
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※表2中N意味着n型III-氮化物半导体层，P意味着p型III-氮化物半导体层。
可通过表2确认，对于根据比较例1及比较例2的超薄型引脚LED电极组件中使用的超薄型引脚LED器件而言，投入的所有超薄型引脚LED器件中可驱动地安装的器件的比率小于50％，因此，第一面B或第二面T与下部电极上部面相接触的比率小，预计超薄型引脚LED电极组件的亮度低，但对于使用根据实施例的超薄型引脚LED器件的超薄型引脚LED电极组件而言，当投入的所有超薄型引脚LED器件中可驱动地安装的器件的比率为56％以上，具有第一面B或第二面T更好地与安装电极上部面相接触的特性，因此，可预计亮度大大改善。
<实施例13～15>
分别与实施例1至实施例3相同地实施来制造，将组装电源变更为10kHz、20Vpp条件，以制造超薄型引脚LED电极组件。
<实验例2>
根据实施例13至实施例15的超薄型引脚LED电极组件制造工序中在施加组装电压之后使超薄型引脚LED器件自对准的状态下拍摄SEM照片，来以图13为基准分析与下部电极上部面相接触的超薄型引脚LED器件的安装形态，将其结果示于下列表3中。
表3
如可通过表3确认，在采用具有K(ω)实数值为0.6以下的旋转诱导膜的超薄型引脚LED器件的实施例13及实施例14的超薄型引脚LED电极组件中，以两端安装于相邻的两个安装电极上的形态安装的比率相比于实施例15显著高，由此，可预计当在超薄型引脚LED器件上部形成驱动电极时，实施例13、14相比于实施例15具有更有利的安装形态。
<实施例16～17>
与实施例1相同地实施来制造，将组装电源的频率和电压变更为如同下列表4中所示来制造超薄型引脚LED电极组件。
<实验例3>
与实验例1相同地对根据实施例1、实施例13及实施例16～17的超薄型引脚LED电极组件实施安装面分析来将其结果示于下列表4中。
表4
如可通过表4确认，可预计根据实施例的超薄型引脚LED电极组件以在通过施加的组装电源形成的电场下超薄型引脚LED器件的各个第一面或第二面相比于侧面更好地触及下部电极上部面的方式安装，以使驱动效率高，由此发光效率优秀。并且，根据实施例1的超薄型引脚LED电极组件内超薄型引脚LED器件的第二面成为安装面的选择性安装比率也为92％以上，非常优秀，由此可利用直流电源驱动，预计表达高的亮度。
以上，说明本发明的一实施例，但本发明的思想不局限于本说明书中提出的实施例，理解本发明的思想的本发明所属技术领域的普通技术人员可在相同思想的范围内通过附加、变更、删除、追加结构要素等容易提议另一实施例，这同样属于本发明的思想范围内。

Claims (19)

1.一种超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，包括：
步骤(1)，将包括多个由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成的超薄型引脚LED器件的溶液投入于包括以规定的间隔隔开的多个下部电极的下部电极线的上部；
步骤(2)，对上述下部电极线施加组装电源，来使超薄型引脚LED器件分别以使器件的多个面中第一面或第二面相比于侧面更好地与上述下部电极的上部面相连的方式自对准；以及
步骤(3)，在自对准的多个超薄型引脚LED器件的上部形成上部电极线。
2.根据权利要求1所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，步骤(2)中施加的组装电源的频率为1kHz～100MHz，电压为5Vpp～100Vpp。
3.根据权利要求1所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的内部的多个层包括n型导电型半导体层、光活性层及p型导电型半导体层。
4.根据权利要求1所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的内部的具有第一面的最下层在从第一面达到规定的厚度的区域含有多个气孔。
5.根据权利要求1所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的内部的具有第二面的最上部层具有大于具有第一面的最下部层的导电系数。
6.根据权利要求5所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述最上部层的导电系数为最下部层的导电系数的10倍以上。
7.根据权利要求1所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件还具有旋转诱导膜，上述旋转诱导膜包围器件的侧面，以便于在步骤(2)中施加组装电源来形成的电场下向x轴方向产生以贯通上述器件的中心的虚拟的旋转轴为基准的旋转扭矩。
8.根据权利要求7所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，
上述旋转诱导膜在10GHz以下的频率范围内至少一部分频率范围内根据以下数学式1的K(ω)值的实部满足大于0且0.72以下，
数学式1
在数学式1中，K(ω)为在角频率ω将GaN作为核部且将旋转诱导膜作为壳部来构成的球形的核壳粒子的复介电常数，即，εp *和作为溶剂的复介电常数的εm *之间的式子，上述εp *基于以下数学式2，
数学式2
在数学式2中，R1为核部的半径，R2为核壳粒子的半径，ε1 *及ε2 *分别为核部及壳部的复介电常数。
9.根据权利要求1所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的作为y轴方向长度的宽度小于厚度。
10.根据权利要求8所述的超薄型引脚LED电极组件制造方法，其特征在于，上述旋转诱导膜在上述频率范围内根据上述数学式1的K(ω)值的实部满足大于0且0.62以下。
11.一种超薄型引脚LED电极组件，其特征在于，包括：
下部电极线，包括以规定的间隔隔开的多个下部电极；
多个超薄型引脚LED器件，配置成由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成，一面与上述下部电极的上部面相接触；以及
上部电极线，配置于上述超薄型引脚LED器件的上部，
配置的多个超薄型引脚LED器件以使各个器件的第一面或第二面与上述下部电极的上部面相连的方式安装的能够驱动的安装比率为55％以上。
12.根据权利要求11所述的超薄型引脚LED电极组件，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的x轴方向的长度为1μm～10μm，作为z轴方向长度的厚度为0.1μm～3μm。
13.根据权利要求11所述的超薄型引脚LED电极组件，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的作为y轴方向长度的宽度小于作为z轴方向长度的厚度。
14.根据权利要求11所述的超薄型引脚LED电极组件，其特征在于，配置的多个超薄型引脚LED器件的上述能够驱动的安装比率为70％以上。
15.根据权利要求11所述的超薄型引脚LED电极组件，其特征在于，以使配置的多个超薄型引脚LED器件中器件的第一面及第二面中的一面与下部电极的上部面相连的方式安装的选择性安装比率满足70％以上。
16.根据权利要求15所述的超薄型引脚LED电极组件，其特征在于，上述选择性安装比率满足85％以上。
17.一种光源，其特征在于，包括：
支撑体；以及
权利要求11至16中任一项所述的超薄型引脚LED电极组件，设置成在上述支撑体的上部配置有下部电极线。
18.根据权利要求17所述的光源，其特征在于，还包括被上述超薄型引脚LED电极组件中照射的光激发的颜色转换物质。
19.根据权利要求17所述的光源，其特征在于，设置于上述超薄型引脚LED电极组件的超薄型引脚LED器件为发出紫外线、蓝色、绿色、黄色、琥珀色及红色中的一种光色的器件。
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