CN117388907A - 一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，包括：盖板；至少两个收集靶，所述至少两个收集靶用于收集所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流；电连接件，所述电连接件贯通所述盖板；电流采样装置，所述电流采样装置用于测量经所述电连接件传输的表征所述收集靶采集的所述电子束流的电信号，并根据所述至少两个收集靶采集的所述电子束流的电信号确定所述电子帘加速器电子束流不均匀度。本发明解决了现有技术存在测量过程中辐照窗易损易坏，测量周期长的技术问题，提升了测量效率和安全性。

Description

一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置及方法

技术领域

本发明涉及测量领域，具体涉及一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置及方法。

背景技术

电子束流不均匀度是电子帘加速器的重要指标。常见的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置通常将电子束流引出辐照窗外进行测量。在测量和调试过程中，由于电子枪和其他部件结构调整的需要，通常需要多次打开真空室进行操作。反复、多次地打开真空室操作并对空间内抽真空，或者调试中的其他不当操作，容易导致辐照窗上的钛箔形变甚至破损。

发明内容

为解决现有技术存在的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量过程中辐照窗易损易坏，测量周期长的技术问题，本发明的第一方面提供了一种用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，包括：

盖板；

至少两个收集靶，所述至少两个收集靶用于采集所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流；

电连接件，所述电连接件贯通所述盖板；所述电连接件用于将所述至少两个收集靶采集的所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流传输至电流采样装置；

电流采样装置，所述电流采样装置用于测量经所述电连接件传输的表征所述收集靶采集的所述电子束流的电信号，并根据所述至少两个收集靶采集的所述电子束流的电信号确定所述电子帘加速器电子束流不均匀度；

所述至少两个收集靶位于所述电子帘加速器的屏蔽壁与所述盖板构成的真空结构内部；所述电流采样装置位于所述电子帘加速器的屏蔽壁与所述盖板构成的真空结构外部。

在一些实施例中，所述电连接件包括至少与所述收集靶数量相等数量的电连接通道，每个所述收集靶连接不同的电连接通道；所述电流采样装置至少包括与所述收集靶数量相等数量的电流采样模块，每个连接所述收集靶的所述电连接通道连接不同的电流采样模块。

在一些实施例中，所述阴极的数量为一个或多个；

所述阴极为：点发散电子束流的阴极，或，线发散电子束流的阴极；

当所述阴极为线发散电子束流的阴极时，所述收集靶的数量大于所述阴极的数量。

在一些实施例中，所述收集靶覆盖所述阴极发散的所述电子束流经过路径的边界范围。

在一些实施例中，所述收集靶的数量根据所述电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定，所述收集靶的数量不限定于与所述阴极的数量一致。

在一些实施例中，所述收集靶包括：

靶片；

连接柱；所述连接柱卡接固定于所述盖板，用于提供所述靶片与所述盖板之间的间隙空间；

固定件；所述固定件用于将所述靶片固定至所述连接柱。

在一些实施例中，所述收集靶还包括连接片；所述连接片被所述固定件固定于间隔在所述靶片于所述连接柱之间；所述连接片用于通过连接线连接所述靶片与所述电连接件，将表征所述靶片收集的所述电子束流的电信号传输至所述电连接件。

在一些实施例中，所述屏蔽壁为至少环绕五面的立方体框架，或圆形框架，或椭圆形框架；所述屏蔽壁在不与所述盖板连接的位置与地连接。

在一些实施例中，所述收集靶位于所述电子束流的宽度方向或所述电子束流的厚度方向；所述收集靶包括钼。

本发明第二方面提供一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法，采用上述任一所述的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，包括：

构建由电子帘加速器的屏蔽壁与盖板构成的真空结构内的真空环境；

引出所述电子帘加速器的电子束流；

根据所述至少两个收集靶的电信号确定所述电子帘加速器引出的电子束流不均匀度。

本发明通过设置可替换盖板代替电子帘加速器中的辐照窗，并将收集靶内置在真空结构内，避免辐照窗的更换导致的钛箔形变破损，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。

附图说明

为了更清楚地说明发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置示意图；

图2为现有技术的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置示意图；

图3为本发明一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置示意图；

图4为本发明一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置的收集靶示意图；

图5为本发明另一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置示意图；

图6为本发明一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法流程图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

为了说明的目的，前述描述使用具体命名以提供对实施方案的透彻理解。然而，对于本领域的技术人员而言将显而易见的是，不需要具体细节即可实践实施方案。因此，出于例示和描述的目的，呈现了对本文的具体实施方案的前述描述。这些描述并非旨在是穷举性的或将实施方案限制到所公开的精确形式。对于本领域的普通技术人员而言将显而易见的是，鉴于上面的教导内容，许多修改和变型是可行的。另外，当在本文中用于指部件的位置时，上文和下文的术语或它们的同义词不一定指相对于外部参照的绝对位置，而是指部件的参考附图的相对位置。

此外，前述附图和描述包括许多概念和特征，其可以多种方式组合以实现多种有益效果和优点。因此，可组合来自各种不同附图的特征，部件，元件和/或概念，以产生未必在本说明书中示出或描述的实施方案或实施方式。此外，在任何特定实施方案和/或实施方式中，不一定需要具体附图或说明中所示的所有特征，部件，元件和/或概念。应当理解，此类实施方案和/或实施方式落入本说明书的范围。

电子帘加速器的主体通常为由铅屏蔽的真空室，电子枪至于真空室的中央。当电子帘加速器工作时，电子枪出于负高压状态，作为阴极的灯丝发散的电子被负高压电场加速，形成帘状的电子束流。电子束流穿过辐照窗上的钛箔，辐照辐照窗外的被照射物。

减少束流不均匀度是电子枪设计的主要目的之一。常见的束流测量方法为，在辐照窗外，设置若干收集靶，每个收集靶独立串联一个电流采样模块。当电子帘加速器引出电子束流时，通过每个收集靶对应的电流采样模块采集的电流值，反应电子帘加速器产生的帘状电子束流的不均匀度。

图1-图2为现有技术的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其中，图1为立方形电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，图2为弧形电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置。

请参照图1，现有技术的立方形电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置包括真空室101，位于真空室101上的辐照窗102，位于真空室101内部的阴极103，位于真空室101外部的多个收集靶104，以及与多个收集靶104相连的多个电流采样装置105。立方形电子帘加速器的阴极产生的电子束流穿过辐照窗101，打至收集靶104，由多个电流采样装置105的差确定电子帘加速器产生的帘状电子束流的不均匀度。

类似的，请参照图2，现有技术的弧形形电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置包括真空室201，位于真空室201上的辐照窗202，位于真空室201内部的阴极203，位于真空室201外部的多个收集靶204，以及与多个收集靶204相连的多个电流采样装置205。弧形电子帘加速器的阴极产生的电子束流穿过辐照窗201，打至收集靶204，由多个电流采样装置205的差确定电子帘加速器产生的帘状电子束流的不均匀度。

然而，上述装置在测量过程中，需要多次打开真空室进行操作。反复、多次地打开真空室操作并对空间内抽真空，或者调试中的其他不当操作，容易导致辐照窗上的钛箔形变甚至破损。

有鉴于此，本发明提供电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置及方法，避免辐照窗的更换导致的钛箔形变破损，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。

本发明一实施例提供了一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置。图3为本发明一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置的结构图。

请参照图3，本实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置包括：屏蔽壁301、盖板302、阴极303、至少两个收集靶304、电流采样装置305、电连接件306。

屏蔽壁301、盖板302、电连接件306构成容纳阴极303与收集靶305的真空结构，电流采样装置305位于所述真空结构外部。

其中，收集靶304用于收集所述阴极303发散的电子束流。

其中，电连接件306贯通所述盖板302，用于传输表征所述收集靶304收集的所述电子束流的电信号。

其中，电流采样装置305用于检测经所述电连接件306传输的表征所述收集靶304采集的所述电子束流的电信号，并根据所述至少两个收集靶304的电信号确定所述电子帘加速器电子束流不均匀度。

本实施例通过采用盖板302及电连接件306替代电子帘加速器中的辐照窗，并将收集靶304置于屏蔽壁301、盖板302、电连接件306构成的真空结构内，以避免电子束流难以穿过盖板302及电连接件306造成无法对电子帘加速器电子束流进行不均匀度的问题，避免辐照窗上的钛箔由于反复更换及抽真空造成的形变甚至损伤，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。

在一些可行的实施例中，电连接件306包括至少与收集靶304数量相等数量的电连接通道，每个收集靶304连接不同的电连接通道(未示出)，电流采样装置304至少包括与收集靶304数量相等数量的电流采样模块3051，每个连接收集靶304的电连接通道连接不同的电流采样模块3051。图3示出了一种示意性的数量对应关系，如图3所示，电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置包括7个收集靶304，7个收集靶304连接至电连接件306后，与7个电流采样模块3051的一段相连，电流采样模块3051的另一端引出接地。通过比较7个电流采样模块3051采集的电流表征的不同位置的收集靶304接收的电子束流，确定电子帘加速器电子束流不均匀度。

可以理解的是，本实施例提供的收集靶304及电流采样模块3051的数量仅为示例性的一种实现方式，其他相等数量的收集靶304及电流采样模块3051数量，或大于收集靶304数量的电流采样模块3051的数量，均不影响本发明技术效果的实现。

另外，未示出的电连接通道的数量可以与收集靶304的数量相等，或者可以与电流采样模块3051的数量相等，或者可以落入收集靶304的数量与电流采样模块3051的数量范围之间，当满足每个收集靶304连接不同的电连接通道且每个连接收集靶304的电连接通道连接不同的电流采样模块3051的条件时，也均不影响本发明技术效果的实现。

在一些实施例中，收集靶304位于电子束流的宽度方向或电子束流的厚度方向上，使收集靶304垂直于电子束流引出方向。耐高温的钼片为一种可行的收集靶304的可选方式。

在一些实施例中，阴极303的数量为一个或多个，且收集靶304的数量不限定于与阴极303的数量一致，收集靶304的数量根据电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定。收集靶304应覆盖阴极303发散的所述电子束流经过路径的边界范围，从而使得电子帘加速器电子束流不均匀度满足带测定所需的范围，避免由于收集靶304位置的覆盖不均导致不能对电子帘加速器所有阴极303产生的电子束流的均匀度进行测量。

具体的，电连接件306可以为带有多个连接接口作为与收集靶304及电流采样装置305连接的电连接通道的插座，优选为真空密封航空插座。收集靶304与电连接件306通过任一可行的带有绝缘外层的导线相连，优选为漆包线。可以与屏蔽壁301构成密封结构的金属板状结构均作为代替电子帘加速器中的辐照窗的盖板302，如法兰板等。屏蔽壁301为至少环绕屋面的立方体框架，并部分囊括第六面的边界，盖板302位于立方体框架的第六面，与屏蔽壁301共同形成真空结构。屏蔽壁301的任一不与所述盖板连接的位置，设置其与地连接从而使得屏蔽壁301的电位为地电位。

图4为一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置的收集靶的示意图。

请参照图4，一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置的收集靶304包括靶片3041、连接柱3042、连接片3043、固定件3044。

连接柱3042卡接固定于盖板302，用于提供靶片3041与盖板302之间的间隙空间。连接柱3042底部插入盖板302，顶部与连接片3043紧贴。连接柱3042为绝缘材料构成，如陶瓷等。

连接片3043被固定件3044固定于间隔靶片3041与连接柱3042之间，并用于通过连接线连接靶片3041与电连接件306。

固定件3044用于将靶片3041固定至连接柱3042。如图4所示固定件3044为固定螺钉，其顶部位于靶片3041上表面，覆盖远小于靶片3041上表面的面积，以避免过多的电子束流损失。作为固定件3044的固定螺钉的底部插入作为连接柱3042的陶瓷柱，使得靶片3041、连接片3043、连接柱3042三者紧贴固定。

本实施例通过绝缘结构构成的空间使得收集靶独立支撑在盖板上，通过且仅通过指定的导电通道连接至贯通盖板的电连接件，使得基于打至收集靶的电子束流形成的电信号全部经电连接件引入电流采样装置，避免由于收集靶上的电子束流损失或其他绝缘不佳带来的误差，影响电子帘加速器电子束流不均匀度的精准测量。

在另一些可行的实施例中，收集靶非均匀的布置在电子束流引出方向的路径上。可以制作多个设有不同数量、不同分布情况的收集靶的盖板作为电子帘加速器电子束流不均匀度的测量件。通过更换设有不同数量不同、不同分布情况的收集靶的盖板，测量多套电子帘加速器束流的分布情况，并基于测量的多套电子帘加速器束流的分布情况，确定电子帘加速器电子束流不均匀度。

具体的，例如通过分布较为分散的间隔较大的收集靶，第一次测量表征电子帘加速器电子束流的电流；基于较为密集的间隔较小的收集靶，第二次测量表征电子帘加速器电子束流的电流，通过分别判断第一次测量结果及第二次测量结果，以及比较第一次测量结果与第二次测量结果的差异，确定电子帘加速器电子束流不均匀度。本发明提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，使得多种不同分布的收集靶的便捷替换，并基于支持测量方式的多种形式之间的组合提升电子帘加速器电子束流不均匀度的测量的准确性。此外，本实施例提供的测量装置设计进一步避免了在通过多次多类设计的测量提升束流不均匀度测量的准确性的过程中，辐照窗上的钛箔由于不得不进行地反复更换及抽真空造成的形变及损伤，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。

图5为本发明另一实施例提供的一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，与上一实施例不同的是，本实施例的屏蔽壁为弧形，采用线发散电子束流的阴极。

请参照图5，本实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置包括：屏蔽壁501、盖板502、阴极503、至少两个收集靶504、电流采样装置505、电连接件506。

屏蔽壁501、盖板502、电连接件506构成容纳阴极503与收集靶505的真空结构，电流采样装置505位于所述真空结构外部。

其中，收集靶504用于收集所述阴极503发散的电子束流。

其中，电连接件506贯通所述盖板502，用于传输表征所述收集靶504收集的所述电子束流的电信号。

其中，电流采样装置505用于检测经所述电连接件506传输的表征所述收集靶504采集的所述电子束流的电信号，并根据所述至少两个收集靶504的电信号确定所述电子帘加速器电子束流不均匀度。

本实施例通过采用盖板502及电连接件506替代电子帘加速器中的辐照窗，并将收集靶504置于屏蔽壁501、盖板502、电连接件506构成的真空结构内，以避免电子束流难以穿过盖板502及电连接件506造成无法对电子帘加速器电子束流进行不均匀度的问题，避免辐照窗上的钛箔由于反复更换及抽真空造成的形变甚至损伤，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。

在一些可行的实施例中，电连接件506包括至少与收集靶504数量相等数量的电连接通道，每个收集靶504连接不同的电连接通道(未示出)，电流采样装置504至少包括与收集靶504数量相等数量的电流采样模块5051，每个连接收集靶504的电连接通道连接不同的电流采样模块5051。图5示出了一种示意性的数量对应关系，如图3所示，电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置包括2个收集靶504，2个收集靶504连接至电连接件506后，与2个电流采样模块5051的一段相连，电流采样模块5051的另一端引出接地。通过比较2个电流采样模块5051采集的电流表征的不同位置的收集靶504接收的电子束流，确定电子帘加速器电子束流不均匀度。

可以理解的是，本实施例提供的收集靶504及电流采样模块5051的数量仅为示例性的一种实现方式，其他相等数量的收集靶504及电流采样模块5051数量，或大于收集靶504数量的电流采样模块5051的数量，均不影响本发明技术效果的实现。

另外，未示出的电连接通道的数量可以与收集靶504的数量相等，或者可以与电流采样模块5051的数量相等，或者可以落入收集靶504的数量与电流采样模块5051的数量范围之间，只需要满足每个收集靶504连接不同的电连接通道且每个连接收集靶504的电连接通道连接不同的电流采样模块5051的条件，也均不影响本发明技术效果的实现。

在一些实施例中，收集靶504位于电子束流的宽度方向或电子束流的厚度方向上，使收集靶504垂直于电子束流引出方向。耐高温的钼片为一种可行的收集靶504的可选方式。

在一些实施例中，阴极503的数量为一个或多个，且收集靶504的数量不限定于与阴极503的数量一致，收集靶504的数量根据电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定。收集靶504应覆盖阴极503发散的所述电子束流经过路径的边界范围，从而使得电子帘加速器电子束流不均匀度满足带测定所需的范围，避免由于收集靶504位置的覆盖不均导致不能对电子帘加速器所有阴极503产生的电子束流的均匀度进行测量。

具体的，电连接件506可以为带有多个连接接口作为与收集靶504及电流采样装置505连接的电连接通道的插座，优选为真空密封航空插座。收集靶504与电连接件506通过任一可行的带有绝缘外层的导线相连，优选为漆包线。可以与屏蔽壁501构成密封结构的金属板状结构均作为代替电子帘加速器中的辐照窗的盖板502，如法兰板等。屏蔽壁501为至少环绕屋面的弧形框架，盖板502位于弧形框架的下表面，与屏蔽壁501共同形成真空结构。屏蔽壁501的任一不与所述盖板连接的位置，设置其与地连接从而使得屏蔽壁501的电位为地电位。

在另一些可行的实施例中，收集靶非均匀的布置在电子束流引出方向的路径上。可以制作多个设有不同数量、不同分布情况的收集靶的盖板作为电子帘加速器电子束流不均匀度的测量件。通过更换设有不同数量不同、不同分布情况的收集靶的盖板，测量多套电子帘加速器束流的分布情况，并基于测量的多套电子帘加速器束流的分布情况，确定电子帘加速器电子束流不均匀度。

具体的，例如通过分布较为分散的间隔较大的收集靶，第一次测量表征电子帘加速器电子束流的电流；基于较为密集的间隔较小的收集靶，第二次测量表征电子帘加速器电子束流的电流，通过分别判断第一次测量结果及第二次测量结果，以及比较第一次测量结果与第二次测量结果的差异，确定电子帘加速器电子束流不均匀度。本发明提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，使得多种不同分布的收集靶的便捷替换，并基于支持测量方式的多种形式之间的组合提升电子帘加速器电子束流不均匀度的测量的准确性。此外，本实施例提供的测量装置设计进一步避免了在通过多次多类设计的测量提升束流不均匀度测量的准确性的过程中，辐照窗上的钛箔由于不得不进行地反复更换及抽真空造成的形变及损伤，缩短测试周期，提升测量过程的安全性。

当然，如图4所示的一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置的收集靶也可应用作为本实施例提供弧形的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置中的收集靶。

图6为本发明提供的一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法，采用上述任一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置。

请参照图6，一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法包括：

S601、构建由电子帘加速器的屏蔽壁与盖板构成的真空结构内的真空环境。

S602、引出所述电子帘加速器的电子束流。

S603、根据所述至少两个收集靶的电信号确定所述电子帘加速器引出的电子束流不均匀度。

可以理解的是，本实施例的方法采用如上述任一实施例提供的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

为了说明的目的，前述描述使用具体命名以提供对所述实施方案的透彻理解。然而，对于本领域的技术人员而言将显而易见的是，不需要具体细节即可实践所述实施方案。因此，出于例示和描述的目的，呈现了对本文所述的具体实施方案的前述描述。这些描述并非旨在是穷举性的或将实施方案限制到所公开的精确形式。对于本领域的普通技术人员而言将显而易见的是，鉴于上面的教导内容，许多修改和变型是可行的。另外，当在本文中用于指部件的位置时，上文和下文的术语或它们的同义词不一定指相对于外部参照的绝对位置，而是指部件的参考附图的相对位置。

此外，前述附图和描述包括许多概念和特征，其可以多种方式组合以实现多种有益效果和优点。因此，可组合来自各种不同附图的特征，部件，元件和/或概念，以产生未必在本说明书中示出或描述的实施方案或实施方式。此外，在任何特定实施方案和/或实施方式中，不一定需要具体附图或说明中所示的所有特征，部件，元件和/或概念。应当理解，此类实施方案和/或实施方式落入本说明书的范围。

Claims (10)

1.一种用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，包括：

盖板；

至少两个收集靶，所述至少两个收集靶用于采集所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流；

电连接件，所述电连接件贯通所述盖板；所述电连接件用于将所述至少两个收集靶采集的所述电子帘加速器的阴极发散的电子束流传输至电流采样装置；

电流采样装置，所述电流采样装置用于测量经所述电连接件传输的表征所述收集靶采集的所述电子束流的电信号，并根据所述至少两个收集靶采集的所述电子束流的电信号确定所述电子帘加速器电子束流不均匀度；

所述至少两个收集靶位于所述电子帘加速器的屏蔽壁与所述盖板构成的真空结构内部；所述电流采样装置位于所述电子帘加速器的屏蔽壁与所述盖板构成的真空结构外部。

2.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述电连接件包括至少与所述收集靶数量相等数量的电连接通道，每个所述收集靶连接不同的电连接通道；所述电流采样装置至少包括与所述收集靶数量相等数量的电流采样模块，每个连接所述收集靶的所述电连接通道连接不同的电流采样模块。

3.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述阴极的数量为一个或多个；

所述阴极为：点发散电子束流的阴极，或，线发散电子束流的阴极；

当所述阴极为线发散电子束流的阴极时，所述收集靶的数量大于所述阴极的数量。

4.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶覆盖所述阴极发散的所述电子束流经过路径的边界范围。

5.根据权利要求4所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶的数量根据所述电子帘加速器电子束流不均匀度要求的允许范围确定，所述收集靶的数量不限定于与所述阴极的数量一致。

6.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶包括：

靶片；

连接柱；所述连接柱卡接固定于所述盖板，用于提供所述靶片与所述盖板之间的间隙空间；

固定件；所述固定件用于将所述靶片固定至所述连接柱。

7.根据权利要求6所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶还包括连接片；所述连接片被所述固定件固定于间隔在所述靶片与所述连接柱之间；所述连接片用于通过连接线连接所述靶片与所述电连接件，将表征所述靶片收集的所述电子束流的电信号传输至所述电连接件。

8.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述屏蔽壁为至少环绕五面的立方体框架，或圆形框架，或椭圆形框架；所述屏蔽壁在不与所述盖板连接的位置与地连接。

9.根据权利要求1所述的用于电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，所述收集靶位于所述电子束流的宽度方向或所述电子束流的厚度方向；所述收集靶包括钼。

10.一种电子帘加速器电子束流不均匀度的测量方法，采用如权利要求1-9任一所述的电子帘加速器电子束流不均匀度的测量装置，其特征在于，包括：

构建由电子帘加速器的屏蔽壁与盖板构成的真空结构内的真空环境；

引出所述电子帘加速器的电子束流；

根据所述至少两个收集靶的电信号确定所述电子帘加速器引出的电子束流不均匀度。