CN117375565B - 一种声波滤波器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种声波滤波器及其制备方法，该声波滤波器包括：SOI衬底；SOI衬底的一侧设置有多个空腔；空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；位于SOI衬底一侧的堆叠结构；堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构；第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内；堆叠结构包括种子层；第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度；其中，第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器；第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器。本发明的技术方案，能够在声波滤波器的左侧或者右侧产生第二传输零点，从而改善声波滤波器两侧近带的带外抑制。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种声波滤波器及其制备方法。
背景技术
基于薄膜体声波器件的射频前端滤波器、双工器、多工器，因其体积小、插损低、快速滚降、功耗低，被广泛使用于智能手机、通信终端、以及通信基站中。典型的薄膜体声波滤波器由薄膜体声波谐振器以串联和并联的形式构成；滤波器的通带内，串联薄膜体声波谐振器呈现低阻特性，并联薄膜体声波谐振器呈现高阻特性，因此通带损耗小；滤波器的通带外，串联薄膜体声波谐振器呈现高阻特性，并联薄膜体声波谐振器呈现低阻特性，实现带外抑制。
随着无线技术的不断发展，通信频段不断增加，信号变得越来越拥挤，保护带宽越来越窄，这对滤波器的滚降特性提出了新的要求。目前增大薄膜体声波滤波器滚降特性的方法主要包括提高谐振器的Q值和增加薄层质量负载。其中增加谐振器Q值多采用边界环、空气桥和空气翼的方法，这几种方法对Q值的提升都有一定的限制，且仅靠Q值的提升很难满足滤波器的滚降要求，往往需要同时增加薄层质量负载来实现。但质量负载较薄时，由于沉积时间过短，很难精准的控制厚度，不利于量产。
发明内容
本发明提供了一种一种声波滤波器及其制备方法，以解决现有技术中存在的问题，改善声波滤波器两侧近带的带外抑制。
第一方面，本发明提供了一种声波滤波器，其特征在于，包括：
SOI衬底；所述SOI衬底的一侧设置有多个空腔；所述空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；
位于所述SOI衬底一侧的堆叠结构；所述堆叠结构包括至少一个与所述第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与所述第二空腔一一对应的第二堆叠结构；所述第一堆叠结构在所述SOI衬底上的正投影位于所述第一空腔所在区域内；
所述堆叠结构包括种子层；所述第一堆叠结构中的所述种子层的厚度小于所述第二堆叠结构中的所述种子层的厚度；
其中，所述第一空腔与所述第一堆叠结构构成第一谐振器；所述第二空腔与所述第二堆叠结构构成第二谐振器。
可选的，所述空腔还包括至少一个第三空腔；
所述堆叠结构部还包括至少一个与所述第三空腔一一对应的第三堆叠结构；
所述第三空腔与所述第三堆叠结构构成第三谐振器。
可选的，所述堆叠结构还包括：
位于所述种子层背离所述SOI衬底一侧的底电极；所述底电极包括第一电极、第二电极和第三电极；
位于所述底电极背离所述种子层一侧的压电层；
位于所述压电层背离所述底电极一侧的质量负载层；所述质量负载层包括至少一个第一质量负载结构；所述第一质量负载结构与所述第三空腔一一对应设置；以及，
位于所述压电层背离所述底电极层一侧的顶电极；所述顶电极包括第四电极、第五电极和第六电极；
所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第四电极构成所述第一堆叠结构；所述种子层、所述第二电极、所述压电层和所述第五电极构成所述第二堆叠结构；所述种子层、所述第三电极、所述压电层、所述第一质量负载结构和所述第六电极构成所述第三堆叠结构。
可选的，所述质量负载层还包括至少一个与所述第一空腔一一对应设置的第二质量负载结构；所述第二质量负载结构位于所述压电层与所述第四电极之间。
可选的，所述第二电极与所述第三电极电连接；
所述第四电极与所述第五电极连接；
所述第六电极接地。
可选的，所述第四电极与所述第五电极连接；
所述第二电极与所述第三电极电连接；
所述第一电极与所述第六电极均接地。
可选的，所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：与多个所述空腔一一对应的多个保护墙；所述保护墙位于所述SOI衬底内且围绕所述空腔设置。
可选的，所述的声波滤波器，还包括：贯穿所述堆叠结构多个释放通道；各所述释放通道分别与各所述空腔连通。
可选的，所述的声波滤波器，还包括：钝化层；所述钝化层设置于所述堆叠结构背离所述SOI衬底的一侧。
第二方面，本发明还提供一种声波滤波器的制备方法，用于制备上述任一项所述的声波滤波器，包括：
提供SOI衬底；所述SOI衬底的一侧设置有多个空腔；所述空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；
在所述SOI衬底的一侧形成堆叠结构；所述堆叠结构包括至少一个与所述第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与所述第二空腔一一对应的第二堆叠结构；所述第一堆叠结构在所述SOI衬底上的正投影位于所述第一空腔所在区域内；
所述堆叠结构包括种子层；所述第一堆叠结构中的所述种子层的厚度小于所述第二堆叠结构中的所述种子层的厚度。
本发明的技术方案，通过使声波滤波器包括SOI衬底和位于SOI衬底一侧的堆叠结构，SOI衬底的一侧设置有多个空腔，堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构，且第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内，使得第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器，第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器，通过使第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度，使得当第一谐振器为串联谐振器时，第一谐振器具有第二反谐振频率值，以在声波滤波器的右侧产生第二传输零点，增大声波滤波器的右侧滚降特性，从而改善声波滤波器右侧的近带抑制，相应的，当第一谐振器为并联谐振器时，第一谐振器具有第二谐振频率值，以在声波滤波器的左侧产生第二传输零点，增大声波滤波器的左滚降特性，从而改善声波滤波器左侧的近带抑制。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种声波滤波器的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种声波滤波器的结构示意图；
图3为一种声波滤波器的插损-频率关系图；
图4为本发明实施例提供的又一种声波滤波器的结构示意图；
图5为另一种声波滤波器的插损-频率关系图；
图6为本发明实施例提供的一种声波滤波器的制备方法的流程图；
图7为本发明实施例提供的另一种声波滤波器的制备方法的流程图；
图8-图17为本发明实施例提供的声波滤波器的制备方法的流程结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
本实施例提供了一种声波滤波器，图1为本发明实施例提供的一种声波滤波器的结构示意图，如图1所示，该声波滤波器包括：SOI衬底10和位于SOI衬底10一侧的堆叠结构20；SOI衬底10的一侧设置有多个空腔11；空腔11包括至少一个第一空腔111和至少一个第二空腔112；堆叠结构20包括至少一个与第一空腔111一一对应的第一堆叠结构201，以及至少一个与第二空腔112一一对应的第二堆叠结构202；第一堆叠结构201在SOI衬底10上的正投影位于第一空腔111所在区域内；堆叠结构20包括种子层21；第一堆叠结构201中的种子层21的厚度小于第二堆叠结构202中的种子层21的厚度。
其中，第一空腔111与第一堆叠结构201构成第一谐振器1；第二空腔112与第二堆叠结构202构成第二谐振器2。
其中，SOI衬底10可以包括底部衬底12、顶部衬底14，以及位于底部衬底和顶部衬底之间的绝缘层13。空腔11设置于顶部衬底上，空腔11能够使纵向传播的声波限制在堆叠结构20内。
由于第一堆叠结构201中的种子层21的厚度小于第二堆叠结构202中的种子层21的厚度，使得第一谐振器1与第二谐振器2具有不同的谐振频率值或者反谐振频率值，从而有利于提高声波滤波器的滚将特性。
在一示例性实施例中，第一堆叠机构中种子层21的厚度与第二堆叠结构202中的种子层21的厚度的差值的取值范围为10nm～50nm。当第一堆叠机构中种子层21的厚度与第二堆叠结构202中的种子层21的厚度的差值小于10nm时，由于厚度差值过小，使得第一谐振器1与第二谐振器2的谐振频率值差异较小，无法产生第二传输零点，从而达不到增大声波滤波器的滚将特性的效果；相应的，当第一堆叠机构中种子层21的厚度与第二堆叠结构202中的种子层21的厚度的差值大于50nm时，由于厚度差值过大，在对第一堆叠机构中种子层21进行减薄时，不易控制刻蚀深度，增大了声波滤波器的制备难度；通过将第一堆叠机构中种子层21的厚度与第二堆叠结构202中的种子层21的厚度的差值控制在10nm～50nm，能够使第一谐振器1和第二谐振器2的谐振频率值具有一定差异，以在声波滤波器的左侧或者右侧产生第二传输零点，从而能够增大声波滤波器的滚降特性，同时，有利于降低声波滤波器的制备难度。
可以理解的是，图1仅示例性示出了声波滤波器包括一个第一谐振器1和一个第二谐振器2的情况，并非对第一谐振器1和/或第二谐振器2的数量进行限定。本实施例中，声波滤波器中第一谐振器1和/或第二谐振器2的数量均可以根据实际需求进行设置。
本实施例中，通过使声波滤波器包括SOI衬底和位于SOI衬底一侧的堆叠结构，SOI衬底的一侧设置有多个空腔，堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构，且第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内，使得第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器，第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器，通过使第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度，使得当第一谐振器为串联谐振器时，第一谐振器具有第二反谐振频率值，以在声波滤波器的右侧产生第二传输零点，增大声波滤波器的右侧滚降特性，从而改善声波滤波器右侧的近带抑制，相应的，当第一谐振器为并联谐振器时，第一谐振器具有第二谐振频率值，以在声波滤波器的左侧产生第二传输零点，增大声波滤波器的左滚降特性，从而改善声波滤波器左侧的近带抑制。
图2为本发明实施例提供的另一种声波滤波器的结构示意图，可选的，参考图2所示，空腔11还包括至少一个第三空腔113；堆叠结构20部还包括至少一个与第三空腔113一一对应的第三堆叠结构203；第三空腔113与第三堆叠结构203构成第三谐振器3。
其中，第三谐振器3的谐振频率与第一谐振器1的谐振频率和第二谐振器2的谐振频率中的至少一者不同，使得具有与第一谐振器1和第二谐振器2中的至少一者不同的传输零点，从而进一步增大声波滤波器的滚降特性。
可选的，继续参考图2所示，堆叠结构20还包括位于种子层21背离SOI衬底10一侧的底电极22、位于底电极22背离种子层21一侧的压电层23、位于压电层23背离底电极22一侧的质量负载层24，以及，位于压电层23背离底电极22一侧的顶电极25。
其中，底电极22包括第一电极221、第二电极222和第三电极223；质量负载层24包括至少一个第一质量负载结构241，第一质量负载结构241与第三空腔113一一对应设置；顶电极25包括第四电极251、第五电极252和第六电极253。第一电极221、压电层23和第四电极251构成第一堆叠结构201；第二电极222、压电层23和第五电极252构成第二堆叠结构202；第三电极223、压电层23、第一质量负载结构241和第六电极253构成第三堆叠结构，第六电极253将第一质量负载结构241完全覆盖，使得第一谐振器1、第二谐振器2和第三谐振器3具有不同的谐振频率。
在一可选实施例中，第一电极221覆盖第一堆叠结构201中的种子层21，且第一电极221边缘与第一堆叠结构201中的种子层21的边缘的距离为1um～4um，示例性的，第一电极221边缘与第一堆叠结构201中的种子层21的边缘的距离为2um。由于第一堆叠结构201中的种子层21的边缘与第一电极221的边缘有一定距离，使得第一谐振器1边缘具有一个台阶，以能够反射横向声波，提高第一谐振器1的Q值，进而降低声波滤波器的带内插损。
可选的，继续参考图2所示，第二电极222与第三电极223电连接；第四电极251与第五电极252连接；第六电极253接地，使得第一谐振器1与第二谐振器2为串联谐振器，第三谐振器为并联谐振器，参考图3所示，由于第一谐振器1中的种子层21的厚度小于第二谐振器2中的种子层21的厚度，使得第一谐振器1具有第二反谐振频率值，从而在声波滤波器右侧产生第二传输零点，增大了声波滤波器的右侧滚降特性，有利于改善声波滤波器右侧的近带抑制。
图4为本发明实施例提供的又一种声波滤波器的结构示意图，可选的，参考图4所示，质量负载层24还包括至少一个与第一空腔111一一对应设置的第二质量负载结构242，第二质量负载结构242位于压电层23与第四电极251之间，使得第一谐振器1中的第一堆叠结构的厚度更大，从而第一谐振器1的频率更低。
可选的，继续参考图4所示，第四电极251与第五电极252连接，第二电极222与第三电极223电连接，第一电极221与第六电极253均接地，使得第一谐振器1和第三谐振器为并联谐振器，第二谐振器2为串联谐振器，参考图5所示，由于第一谐振器1中种子层21的厚度小于第三谐振器中种子层21的厚度，使得第一谐振器1具有第二谐振频率值，使得在声波滤波器的左侧产生第二传输零点，增大了声波滤波器的左侧滚降特性，有利于改善声波滤波器左侧的近带抑制。
在一可选实施例中，声波滤波器包括多个第一谐振器1，部分第一谐振器1为串联谐振器，部分第一谐振器1为并联谐振器，如此，能够同时改善声波滤波器两侧的近带抑制，提高声波滤波器的性能。
可选的，继续参考图2和图4所示，声波滤波器还包括与多个空腔11一一对应的多个保护墙26，保护墙26位于SOI衬底10内且围绕空腔11设置。保护墙26与SOI衬底10的绝缘层13接触，在一可选实施例中，保护墙26与绝缘层13的材料相同。保护墙26用于隔离空腔11和顶部衬底，以保证顶部衬底不被过度腐蚀，仅定位释放原空腔11位置处的部分顶部衬底，即通过设置保护墙26能够控制空腔11的尺寸和形状，实现了对空腔11的精准控制，工艺流程简单，成本低。
可选的，继续参考图2和图4所示，声波滤波器还包括贯穿堆叠结构20多个释放通道27，各释放通道27分别与各空腔11连通。
其中，各释放通道27贯穿堆叠结构20，使得释放通道27靠近SOI衬底10的一侧与空腔11连通，从而空腔11能够通过释放通道27与外界连通，以通过释放通道27向空腔11区域释放腐蚀物质，例如，XeF2，利用腐蚀物质腐蚀原空腔位置处的顶部衬底，形成空腔11。由于保护墙26围绕空腔11设置，因此可通过保护墙26限定空腔11的尺寸和形状，防止过度腐蚀。
可选的，继续参考图2和图4所示，声波滤波器还包括钝化层28，钝化层28设置于堆叠结构20背离SOI衬底10的一侧，用于保护堆叠结构20，防止堆叠结构20受到水氧等物质腐蚀，有利于提高声波滤波器的可靠性和使用寿命。
基于同一发明构思，本发明实施例提供一种声波滤波器的制备方法，用于制备上述任一实施例所提供的声波滤波器。图6为本发明实施例提供的一种声波滤波器的制备方法的流程图，参考图6所示，该制备方法包括：
S110、提供SOI衬底。
其中，SOI衬底的一侧设置有多个空腔；空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔。
在一可选实施例中，提供SOI衬底之后，还包括在SOI衬底的一侧形成保护墙的步骤，示例性的，该步骤包括：在SOI衬底的一侧刻蚀凹槽，用以形成保护墙；在SOI衬底刻蚀凹槽的一侧和凹槽内沉积保护墙，并采用CMP的方法磨平，暴露出衬底表面。
S120、在SOI衬底的一侧形成堆叠结构。
其中，堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构；第一堆叠结构在SOI衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内。堆叠结构包括种子层；第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度。
在一可选实施例中，在SOI衬底的一侧形成堆叠结构可以通过沉积堆叠结构中的各膜层，并对各膜层进行图案化的方法形成。
在一可选实施例中，空腔还包括至少一个第三空腔；堆叠结构部还包括至少一个与第三空腔一一对应的第三堆叠结构；第三空腔与第三堆叠结构构成第三谐振器。
在一可选实施例中，堆叠结构还包括位于种子层背离SOI衬底一侧的底电极；底电极包括第一电极、第二电极和第三电极；位于底电极背离种子层一侧的压电层；位于压电层背离底电极一侧的质量负载层；质量负载层包括至少一个第一质量负载结构；第一质量负载结构与第三空腔一一对应设置；以及，位于压电层背离底电极层一侧的顶电极；顶电极包括第四电极、第五电极和第六电极；第一电极、压电层和第四电极构成第一堆叠结构；第二电极、压电层和第五电极构成第二堆叠结构；第三电极、压电层、第一质量负载结构和第六电极构成第三堆叠结构。
本实施例中，参考图7所示，在SOI衬底的一侧形成堆叠结构，包括：
S121、在SOI衬底的一侧形成种子层，并图案化。
在一可选实施例中，采用高温的制备方法，例如，高温PVD或高温MOCVD，沉积一层种子层，种子层的厚度的取值范围为10nm～200nm；将种子层图案化，以使第一堆叠结构中的种子层的厚度减薄，使第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度，示例性的，第一堆叠结构中的种子层的厚度与第二堆叠结构中的种子层的厚度之差为5nm～200nm。
S122、在种子层上沉积底电极，并图案化，以形成第一电极、第二电极和第三电极。
在一可选实施例中，第一电极覆盖第一堆叠结构中的种子层，且第一电极边缘与第一堆叠结构中的种子层的边缘的距离为1um～4um，示例性的，第一电极边缘与第一堆叠结构中的种子层的边缘的距离为2um。
S123、在底电极上沉积压电层。
S123、在压电层上沉积质量负载层，并图案化。
质量负载层包括第一质量负载层。在一可选实施例中，质量负载层还包括第二质量负载层。
S124、在底电极和质量负载层上沉积顶电极，并图案化，以形成第四电极、第五电极和第六电极。
在一可选实施例中，在制备完成堆叠结构之后，还包括在堆叠结构背离SOI衬底的一侧沉积钝化层，以保护声波滤波器。
在一可选实施例中，在制备完成钝化层之后，还包括刻蚀释放通道，并采用腐蚀物质释放，例如，XeF2，以形成空腔。
本发明实施例提供的声波滤波器的制备方法用于制备本发明任意实施例提供的声波滤波器，因此具备声波滤波器的相应结构和特征，能够达到本发明任意实施例提供的声波滤波器的有益效果，相同之处可参照上文描述。
下面基于上述声波滤波器的结构以及制备方法，对声波滤波器的制备进行详细说明。
实施例1
图8-图17为本发明实施例提供的声波滤波器的制备方法的流程结构示意图。本实施例提供的声波滤波器如图4所示，该声波滤波器包括SOI衬底10、保护墙26、堆叠结构20、钝化层28和释放通道27；堆叠结构20包括种子层21、底电极22、压电层23、质量负载层24和顶电极25；质量负载层24包括第一质量负载结构241和第二质量负载结构242。如图8所示，上述声波滤波器的制备方法包括：
S1、提供SOI衬底10。
如图8所示。其中，SOI衬底10包括底部衬底12、顶部衬底14，以及位于底部衬底和顶部衬底之间的绝缘层13。
S2、在SOI衬底10的一侧刻蚀凹槽101。
如图9所示。其中，凹槽101位于顶部衬底14一侧，并将顶部电极分隔开。在刻蚀凹槽时，刻蚀深度与顶部衬底14的厚度相同，即刻蚀至绝缘层13。
S3、在SOI衬底10的一侧和凹槽101内沉积保护墙26，并磨平至暴露出SOI衬底表面。
如图10所示。本实施例中，沉积保护墙26后，采用CMP的方法磨平，从而简化工艺。
S4、在SOI衬底10的一侧形成种子层21，并图案化，以使局部减薄。
如图11所示。本实施例中，采用高温的制备方法，例如，高温PVD或者MOCVD，制备种子层21。种子层21的厚度为10nm～200nm。局部减薄区域，即第一堆叠结构中的种子层21，的厚度为5nm～200nm。
S5、在种子层上沉积底电极22，并图案化。
如图12所示。图案化之后的底电极22包括第一电极221、第二电极222和第三电极223。
本实施例中，第一电极221覆盖第一堆叠结构中的种子层21，且第一电极221边缘与第一堆叠结构中的种子层21的边缘的距离为2um。
S6、在底电极上沉积压电层23。
如图13所示。
S7、在压电层上沉积质量负载层24，并图案化。
如图14所示。图案化之后的质量负载层24包括第一质量负载结构241和第二质量负载结构242。
S8、在压电层上沉积顶电极，并图案化。
如图15所示。图案化之后，顶电极包括第四电极、第五电极和第六电极。
S9、在顶电极上沉积钝化层28。
如图16所示。
S10、刻蚀释放通道，并采用XeF2释放，形成空腔。
如图17所示。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (10)
1.一种声波滤波器，其特征在于，包括：
SOI衬底；所述SOI衬底的一侧设置有多个空腔；所述空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；
位于所述SOI衬底一侧的堆叠结构；所述堆叠结构包括至少一个与所述第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与所述第二空腔一一对应的第二堆叠结构；所述第一堆叠结构在所述SOI衬底上的正投影位于所述第一空腔所在区域内；
所述堆叠结构包括种子层；所述第一堆叠结构中的所述种子层的厚度小于所述第二堆叠结构中的所述种子层的厚度；
其中，所述第一空腔与所述第一堆叠结构构成第一谐振器；所述第二空腔与所述第二堆叠结构构成第二谐振器。
2.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，所述空腔还包括至少一个第三空腔；
所述堆叠结构部还包括至少一个与所述第三空腔一一对应的第三堆叠结构；
所述第三空腔与所述第三堆叠结构构成第三谐振器；其中，所述第三谐振器的谐振频率与所述第一谐振器的谐振频率和所述第二谐振器的谐振频率中的至少一者不同。
3.根据权利要求2所述的声波滤波器，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
位于所述种子层背离所述SOI衬底一侧的底电极；所述底电极包括第一电极、第二电极和第三电极；
位于所述底电极背离所述种子层一侧的压电层；
位于所述压电层背离所述底电极一侧的质量负载层；所述质量负载层包括至少一个第一质量负载结构；所述第一质量负载结构与所述第三空腔一一对应设置；以及，
位于所述压电层背离所述底电极层一侧的顶电极；所述顶电极包括第四电极、第五电极和第六电极；
所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第四电极构成所述第一堆叠结构；所述种子层、所述第二电极、所述压电层和所述第五电极构成所述第二堆叠结构；所述种子层、所述第三电极、所述压电层、所述第一质量负载结构和所述第六电极构成所述第三堆叠结构。
4.根据权利要求3所述的声波滤波器，其特征在于，所述质量负载层还包括至少一个与所述第一空腔一一对应设置的第二质量负载结构；所述第二质量负载结构位于所述压电层与所述第四电极之间。
5.根据权利要求3所述的声波滤波器，其特征在于，所述第二电极与所述第三电极电连接；
所述第四电极与所述第五电极连接；
所述第六电极接地。
6.根据权利要求4所述的声波滤波器，其特征在于，
所述第四电极与所述第五电极连接；
所述第二电极与所述第三电极电连接；
所述第一电极与所述第六电极均接地。
7.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：与多个所述空腔一一对应的多个保护墙；所述保护墙位于所述SOI衬底内且围绕所述空腔设置。
8.根据权利要求7所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：贯穿所述堆叠结构多个释放通道；各所述释放通道分别与各所述空腔连通。
9.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：钝化层；所述钝化层设置于所述堆叠结构背离所述SOI衬底的一侧。
10.一种声波滤波器的制备方法，用于制备权利要求1-9任一项所述的声波滤波器，其特征在于，包括：
提供SOI衬底；所述SOI衬底的一侧设置有多个空腔；所述空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；
在所述SOI衬底的一侧形成堆叠结构；所述堆叠结构包括至少一个与所述第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与所述第二空腔一一对应的第二堆叠结构；所述第一堆叠结构在所述SOI衬底上的正投影位于所述第一空腔所在区域内；所述堆叠结构包括种子层；所述第一堆叠结构中的所述种子层的厚度小于所述第二堆叠结构中的所述种子层的厚度。
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