CN117355919A - 高分辨率多电子束设备 - Google Patents

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CN117355919A CN202280037286.3A CN202280037286A CN117355919A CN 117355919 A CN117355919 A CN 117355919A CN 202280037286 A CN202280037286 A CN 202280037286A CN 117355919 A CN117355919 A CN 117355919A
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Abstract

对于一种电子束系统，维恩滤波器位于转移透镜与载物台之间的电子束的路径中。所述系统包含：接地电极，其在所述维恩滤波器与所述载物台之间；电荷控制板，其在所述接地电极与所述载物台之间；及加速电极，其在所述接地电极与所述电荷控制板之间。所述系统可为磁性的或静电的。

Description

高分辨率多电子束设备
技术领域
本公开涉及电子束系统。
背景技术
半导体制造行业的发展对良率管理且特别是对计量与检验系统提出更高的要求。临界尺寸持续缩小，但行业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间确定半导体制造商的投资回报率。
制造例如逻辑与存储器装置的半导体装置通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是半导体制造工艺，其涉及将图案从光罩转移到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂上。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。制造于单个半导体晶片上的多个半导体装置的布置可分成个别半导体装置。
在半导体制造期间的各个步骤中使用检验过程来检测晶片上的缺陷，以促进制造工艺中的更高良率，及因此更高利润。检验一直是制造例如集成电路(IC)的半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造变得更加重要，因为较小的缺陷会使装置发生故障。例如，随着半导体装置的尺寸减小，尺寸减小的缺陷的检测变得有必要，因为即使是相对较小的缺陷也可在半导体装置中引起不需要的像差。
然而，随着设计规则缩小，半导体制造工艺可更接近过程的性能能力的限制而操作。此外，随着设计规则缩小，较小的缺陷会对装置的电气参数具有影响，这推动更敏感的检验。随着设计规则缩小，通过检验检测到的潜在良率相关缺陷的数量急剧增加，且通过检验检测到的有害缺陷的数量也急剧增加。因此，可能在晶片上检测到更多缺陷，且校正过程以消除所有缺陷可能是困难且昂贵的。确定哪些缺陷实际上对装置的电气参数及良率有影响可容许过程控制方法专注于那些缺陷，而在很大程度上忽略其它缺陷。此外，在较小的设计规则下，过程引起的故障在某些情况下往往是系统性的。也就是说，过程引起的故障往往在通常在设计中重复多次的预定设计模式下发生故障。消除空间系统的、电相关的缺陷可对良率具有影响。
电子束系统可用于检验。先前，电子源(例如，热场发射或冷场发射源)从发射器尖端发射电子，且然后电子通过枪透镜(GL)聚焦成大尺寸电子束。带高束电流的电子束通过枪透镜准直成远心束，以照射微孔径阵列(μAA)。微孔径阵列中的孔径数量将确定小束的数量。微孔径阵列的孔可呈六边形的形状分布。
枪透镜后的限束孔径(BLA)用于选择照射孔径阵列的总束电流，且微孔径阵列用于选择每一单个小束的束电流。部署微透镜阵列(MLA)以将每一小束聚焦到中间图像平面(IIP)上。微透镜(μL)可为磁性透镜或静电透镜。磁性微透镜可为通过线圈激励或永磁体供电的多个磁极片。静电微透镜可为静电单透镜(Einzel lens)或静电加速/减速单电势透镜。
为检验及复查晶片，由于每一初级小束电子的轰击而从晶片发射的次级电子(SE)及/或反向散射电子(BSE)可从光轴分裂且通过维恩(Wien)滤波器向检测系统偏转。
总多束(MB)数量(MBtot)可通过以下方程式1予以缩放。
Mx是x轴上所有小束的数量。例如，在六边形分布的小束的五个环内，x轴上所有小束的数量为Mx＝11，给定总小束的数量MBtot＝91。在10个环内，Mx＝21且MBtot＝331。
用于晶片检验及复查的多电子束设备的处理量趋于受到小束的数量(MBtot)的限制。每一小束的分辨率可通过投影光学件中的束交叉(xo)闸控，因为交叉区域周围的高密度电子间的强库仑相互作用不可避免地产生光学模糊。小束越多(即，总束电流越高)，每一小束分辨率将越差。这反映电子间的库仑相互作用对多束分辨率的影响。因此，多电子束系统的分辨率可受到来自中间图像平面到晶片的投影光学件的限制。
多电子束设备的处理量的特征在于子束的数量或总电子小束的数量。小束数量越大，处理量越高。然而，增加的小束数量可受到小束的分辨率限制。通常，多电子束设备中的小束越多(或总束电流越高)，每一小束的分辨率将越差。所有小束(或所有总束电流电子)可在光学上相遇以形成束“交叉”，其中电子间的强库仑相互作用发生且使小束分辨率降级。交叉(xo)是小束电流相遇之处，其导致电子间的库仑相互作用。在物理上，存在电子的统计偏转，由以下方程式2给出。
Δαxo是交叉平面中的统计偏转角，BC是总束电流，BExo是交叉周围的束能量，且θ是交叉角。由于电子间的库仑相互作用所致的统计偏转在晶片处光学地产生束斑模糊ΔSS，其可使用以下方程式3提供。
ΔSS～f×Δαxo (3)
f是物镜的图像侧(晶片侧)中的焦距(或像距)。
需要改进的系统及技术以解决这些缺点及限制。
发明内容
在第一实施例中提供一种系统。转移透镜安置于中间图像平面下游的电子束的路径中。载物台安置于所述电子束的所述路径中。所述载物台经配置以固持晶片。维恩滤波器安置于所述转移透镜与所述载物台之间的所述电子束的所述路径中。接地电极安置于所述维恩滤波器与所述载物台之间的所述电子束的所述路径中。电荷控制板安置于所述接地电极与所述载物台之间的所述电子束的所述路径中。加速电极安置于所述接地电极与所述电荷控制板之间的所述电子束的所述路径中。
所述系统可进一步包含物镜，所述物镜安置于所述转移透镜下游的所述电子束的所述路径中。所述物镜包含更靠近所述转移透镜的上极片及更靠近所述载物台的下极片。所述上极片界定第一孔径，所述电子束经引导通过所述第一孔径。第二极片界定第二孔径，所述电子束经引导通过所述第二孔径。所述电荷控制板安置于所述第二孔径中。所述接地电极安置于所述第一孔径中。在此例子中，所述物镜可为磁性物镜。
所述物镜也可为静电物镜。
所述加速电极可与所述接地电极隔开第一距离且与所述电荷控制板隔开第二距离。所述第一距离可从15mm到20mm，且所述第二距离可从约20mm到25mm。
所述加速电极在所述电子束的所述路径的方向上可具有从12mm到16mm的厚度。
所述加速电极可界定开孔，所述电子束穿过所述开孔。所述开孔可具有从15mm到25mm的直径。
所述系统可进一步包含六边形检测器阵列。
在第二实施例中提供一种方法。所述方法包含产生电子束。所述电子束经引导通过定位于中间图像平面下游的转移透镜、定位于所述转移透镜下游的维恩滤波器、定位于所述维恩滤波器下游的接地电极、安置于所述接地电极下游的加速电极及定位于所述加速电极下游的电荷控制板。所述电子束经引导到载物台上的晶片处，所述载物台定位于所述电荷控制板下游。
所述方法可进一步包含将所述电子束引导通过定位于所述转移透镜下游的物镜。所述物镜包含更靠近所述转移透镜的上极片及更靠近所述载物台的下极片。所述上极片界定第一孔径，所述电子束经引导通过所述第一孔径。所述第二极片界定第二孔径，所述电子束经引导通过所述第二孔径。所述电荷控制板可安置于所述第二孔径中且所述接地电极可安置于所述第一孔径中。
所述物镜可经配置以将所述电子束聚焦在所述晶片上。
所述电子束可经引导通过与第二电子束的交叉。所述交叉可布置在距所述物镜的像距处。
所述方法可进一步包含选择所述物镜的主平面相对于所述晶片的位置以增加分辨率。
施加到所述加速电极的加速电压可经配置以增加束交叉周围的束能量。
所述方法可进一步包含为所述电子束选择交叉束能量，所述交叉束能量经配置以减少库仑相互作用效应。
附图说明
为更全面地理解本公开的本质与目的，应参考结合附图进行的下面的详细描述，其中：
图1是使用磁加速物镜的系统的第一实施例；
图2是展示分辨率随着加速电压的改进的曲线图；
图3是使用静电加速物镜的系统的第二实施例；
图4展示射线追踪模拟，其展示使用图3的实施例的从IIP到晶片的多束投影；
图5是展示使用图3的实施例的性能的曲线图；
图6展示从晶片到第一图像平面的具有图像形成关系的次级电子小束射线追踪；
图7是用于收集次级电子小束的示范性六边形检测器阵列；
图8是图3中的加速静电物镜的实施例的横截面视图；及
图9是根据本公开的方法的实施例。
具体实施方式
尽管将依据特定实施例来描述所主张的标的物，但其它实施例，包含未提供本文阐述的所有益处与特征的实施例，也在本公开的范围内。在不脱离本公开的范围的情况下，可进行各种结构、逻辑、过程步骤及电子变化。因此，本公开的范围仅通过参考所附权利要求书来定义。
电子束可用于晶片检验与复查，例如用于检查纳米临界尺寸(CD)级的已完成或未完成的集成电路组件。单个电子束设备的处理量相当低，因此可使用多电子束系统来提高处理量。由于交叉会降低分辨率，因此可通过提高交叉周围的束能量(BExo)且缩窄物镜与晶片间的物镜像距(f)，同时保持总束电流与交叉角θ不变而实现改进多束分辨率(例如，减少统计模糊ΔSS)。交叉角θ反映小束分布与小束间的间距。
图1是系统100的第一实施例。电子源产生电子束101。虽然说明单个电子束101，但多于一个电子束可穿过系统100。在多电子束的情况下，可能在中间图像平面102与载物台111之间存在交叉，例如在维恩滤波器104与物镜112之间或在物镜112中。物镜112通过包含接地电极110与电荷控制板108之间的加速电极109而被设计为加速物镜。加速电极109可用作聚焦电极。向加速电极109施加加速电压(Va)，以提高束交叉周围的束能量(BE)且使物镜112在光学上更靠近晶片107定位(即，缩窄物镜112像距f)。
系统100在中间图像平面102下游的电子束101的路径中包含转移透镜103。电子束源定位于中间图像平面102上游。载物台111经配置以在电子束101的路径中固持晶片107。
转移透镜103可为静电透镜或磁性透镜。转移透镜103用于使多束聚焦以在图1中的加速电极周围形成交叉。与静电转移透镜103相比，磁性转移透镜103可提供在多束投影光学件中减少离轴光学模糊的改进结果，但在系统100中可使用任何类型的转移透镜。
维恩滤波器104安置于转移透镜103与载物台111间的电子束101的路径中。在例子中，维恩滤波器104是EXB维恩滤波器(即，静电偏转场垂直于磁偏转场)。为在大区域对大尺寸多束形成均匀的偏转场，静电偏转场与磁偏转场都可用八极偏转器产生。八极的内径与高度可在48mm到80mm左右。可选择维恩滤波器强度(电压与电流)以使次级电子偏转从约10到20度。
检测器(未说明)可沿着电子束101的路径定位于维恩滤波器104上游。例如，检测器可在维恩滤波器104与转移透镜103之间。检测器还可沿着电子束101的路径定位于转移透镜上游。
接地电极110安置于维恩滤波器104与载物台111间的电子束101的路径中。接地电极110可为其它组件(例如极片或维恩滤波器104)的固持器。接地电极110还可用作用于对准其它组件的参考。在光学上，接地电极110可为静电场的边界。
电荷控制板(CCP)108安置于接地电极110与载物台111间的电子束101的路径中。电荷控制板108可为薄的导电板。在例子中，电荷控制板108的厚度约为1mm，其中内径从约1mm到5mm。电荷控制板108可在晶片107的表面处形成电提取场。举例来说，所述场可从0V/mm到2000V/mm。
加速电极109安置于接地电极110与电荷控制板108间的电子束101的路径中。
在图1的例子中，物镜112是磁性物镜。系统100还可包含物镜112，所述物镜112安置于转移透镜103下游的电子束101路径中。物镜112包含更靠近转移透镜103的上极片105与更靠近载物台111的下极片106。上极片105界定第一孔径113，电子束101经引导通过所述第一孔径113。第二极片106界定第二孔径114，电子束101经引导通过所述第二孔径114。
物镜112可包含磁性区段与静电区段。磁性区段包含上极片105与下极片106。上极片105与下极片106可经密封或可使用例如电荷控制板108与接地电极110提供减少的气流。
如图1所示，电荷控制板108安置于第二孔径114中。接地电极110安置于第一孔径113中。在例子中，电荷控制板108与下极片113接触且接地电极110与上极片105接触。
图2展示光斑尺寸模拟。在模拟中分别施加0、25、50及100kV的加速电压Va。对于每一加速电压Va，物镜的磁激励(线圈电流)用于将束聚焦在晶片上。交叉(xo)经设置在加速电极(Va)周围，以用于将交叉周围的束能量提高到(BE+Va)，其中BE是电子被加速之前柱中的束能量。
在图2中的相同总束电流下，光斑尺寸随着加速电压的增加而减小，反映方程式2与3的应用。根据图2，小束分辨率随着加速电压Va的增加而改进。
使用图1中的磁加速物镜112，加速电压Va越大，所使用的磁激励越小，或组合的静电/磁性透镜可以更短像距f移动到越靠近晶片107。根据方程式2与3，将出现较小库仑相互作用模糊ΔSS，且可实现改进的结果。
图3是系统150的第二实施例。物镜151是静电物镜。在特定例子中，系统150可提供比系统100更好的小束分辨率。
参考图2与图5，在Va<50kV下，磁性系统可为中等分辨率提供改进的结果，且在Va>50kV下，静电系统可为高分辨率提供改进的结果。在图1中，如果Va过高(例如，Va>50kV)，那么极片周围可发生电弧。交叉通常在Va电极周围，且每一小束分辨率主要通过交叉周围的库仑相互作用而降级。增加Va可改进分辨率。在图2与图5中，光斑尺寸的部分随束电流增加主要是由于库仑相互作用。在没有库仑相互作用的情况下，图2与图5在束电流范围内将是平坦的。因此，可选择物镜的主平面相对于晶片的位置以提高分辨率。可选择Va以增加束交叉周围的束能量。
回到图3，加速电极109在电子束101路径的方向上与接地电极110隔开距离g1。加速电极109在电子束101路径的方向上与电荷控制板108隔开距离g2。加速电极109在电子束101路径的方向上具有厚度t。加速电极109还界定开孔152，电子束101穿过所述开孔152。开孔152具有直径d。距离g1与g2、直径d及厚度t可经配置以避免电弧。
移除磁加速物镜112可简化设计。系统150可组合用于高BExo的电子加速功能及用于使电子束101在晶片107上成像的聚焦功能。使用静电物镜可用电荷控制板维持晶片充电功能，使电子能以所需能量着陆于晶片107上，且可将透镜主平面移动为更靠近晶片107，这可提供相当短的像距(或焦距)f。
为演示系统150，用电子射线追踪方法的计算机模拟展现图4中从IIP 102到晶片107的投影光学件。模拟的光学条件是30keV柱束能量、1keV着陆能量、通过CCP电压充电的1.5kV/mm提取场，及用于在晶片107上加速与聚焦小束的约100kV加速电压Va。
图4中通过电子射线追踪的多束图像形成的光学缩小约为8X，在此情况下，多束(慧形像差、场曲率、像散、变形与转移色像差)的离轴性能均被最小化。如果微孔径阵列与微透镜阵列的视场(FOV)为Do＝2000μm，那么晶片处的多束FOV将为Di＝250μm。2000μm的Do可使得能够集成数百个微透镜以分裂数百个小束。250μm的Di可使得能够收集从晶片到检测器的次级电子小束，同时控制次级电子小束之间的串扰。
图4进一步展示交叉(xo)在加速电极周围，这提供高交叉束能量(BExo＝BE+Va)。将交叉推到靠近晶片，给出相当短的像距f。可选择交叉束能量以减少库仑相互作用效应。
虽然关于图3公开，但在图4中所说明的类似交叉可出现在图1的实施例中。
图5展示系统150的初级电子束分辨率性能。与先前设计相比，图4中的具有纯静电物镜的多束投影光学件改进分辨率。
图6展示从晶片到第一图像平面的次级电子(SE)小束射线追踪的模拟。由于初级小束电子轰击在晶片上，来自初级电子轰击的阵列的次级电子通过图3中的静电加速物镜而形成图像。图6中从晶片到第一图像平面的光学放大可从约3X到5X，这取决于着陆能量。
大多或所有次级电子小束通过维恩滤波器偏转且经引导到检测器(例如，约70到80％)。在维恩滤波器与检测器之间可能存在次级电子投影光学件，用于将第一图像平面中的对象成像到检测器(即，最终次级电子图像平面)上。此次级电子投影光学件可代表调整次级电子小束阵列的放大、旋转、变形校正、反向扫描或其它变量以满足检测器的收集要求的功能。
来自一个小束的一些极大极角次级电子可能与另一小束“串扰”。次级电子光学件中的空间过滤孔径可用于滤除大角度次级电子并减少或消除串扰。
图7展示用于收集次级电子小束的六边形检测器阵列。每一独立子检测器是六边形检测器(例如，闪烁检测器)。一个子检测器可收集一个次级电子小束，如图7所示。
用图1中的加速磁物镜方案，多电子小束的分辨率可随着加速电压Va增加而改进。加速电压Va可增加，同时避免电弧且假设电子小束用磁激励稳定地聚焦在晶片上。
用图3与图8中的加速静电物镜方案，多电子小束的分辨率随着多电子小束聚焦在晶片上的加速电压Va而改进。在图3中移除物镜的磁性区段。
在图3与图8中的物镜中没有常用的磁性区段的情况下，移除次级电子小束阵列的旋转，使得次级电子投影光学件更简单，可能不需要校正次级电子小束旋转。
图8展示图3中的加速静电物镜的实际构造的实施例。图8的实施例可适应与运行高束能量(例如，约20到50keV)且将高束能量推迟到特定着陆能量(例如，约0.1到50keV)。图8的实施例可通过CCP电压用晶片表面上的各种提取场对晶片充电。图8的实施例还可通过加速电压Va使具有足够高的交叉束能量的所有小束加速，且然后将所述小束以相当短的焦距(或像距)f聚焦在晶片上。在例子中，加速电压Va可大于75kV。
图8中的设计可通过选择及设计加速电极的适当间隙g1与g2、厚度t及直径d而实现无电弧。例如，g1>15mm、g2>20mm、t>12mm及d>15mm。
在实施例中，对于从约30kV到50kV的束能量且从约0.1keV到30keV的着陆能量的典型使用，g1是从约15mm到20mm，g2是从约20mm到25mm，t是从约12mm到16mm，且d是从约15mm到25mm。根据光学设计的要求(例如，束能量、着陆能量、提取场等)，可优化及/或最小化尺寸以使Va电极移动为尽可能靠近晶片以减少像距f或光斑尺寸。这使用方程式3展示。
图8的实施例可在立即加速与聚焦的情况下从晶片提取次级电子小束，且可使这些次级电子小束在第一次级电子图像平面上形成图像，以用于通过次级电子投影光学件在检测器阵列中进行次级电子收集。
接地电极、加速电极及电荷控制板可经设计为像凹盘，用于增加图8中的外部间隙距离。接地电极、加速电极及电荷控制板间的两个绝缘体可将这些电极连接并对准在一起。绝缘体的内及外表面可经设计为曲线形、波浪形或其它形状，以增加表面距离或降低电极间的切向电气强度。电极的凹盘可为具有高抛亮度的平滑曲线设计以避免电弧。
电荷控制板与晶片间的间隙通常称为物镜的工作距离(WD)。工作距离可通过z高度载物台进行可变设计，以满足着陆能量的各种用途。取决于所使用的着陆能量，工作距离可从约1mm到3mm。着陆能量越高，工作距离可越大，以避免过高的聚焦电压Va。在可接受的聚焦电压Va下，工作距离可尽可能小，以减小球面像差与像距。
图9是方法200的实施例，其可对应于图1或图3的操作。在201处，产生电子束。在202处，将电子束引导通过定位于中间图像平面下游的转移透镜。在203处，将电子束引导通过定位于转移透镜下游的维恩滤波器。在204处，将电子束引导通过定位于维恩滤波器下游的接地电极。在205处，将电子束引导通过安置于接地电极下游的加速电极。在206处，将电子束引导通过定位于加速电极下游的电荷控制板。在207处，将电子束引导到定位于电荷控制板下游的载物台上的晶片处。
施加到加速电极的加速电压可经配置以增加束交叉周围的束能量。
方法200进一步可包含将电子束引导通过定位于转移透镜下游的物镜，例如图1中所示。物镜可包含更靠近转移透镜的上极片与更靠近载物台的下极片。上极片可界定第一孔径，所述电子束经引导通过所述第一孔径。第二极片可界定第二孔径，所述电子束经引导通过所述第二孔径。电荷控制板可安置于第二孔径中且接地电极可安置于第一孔径中。物镜可经配置以将电子束聚焦在晶片上。可将电子束引导通过交叉，所述交叉布置在距物镜的像距处。
由于电子间的库仑相互作用所致的交叉模糊可影响多电子束设备，其中所有电子小束都从单个电子源分裂。库仑相互作用的模糊可能与交叉性质有关。例如，这些交叉性质可包含交叉角、交叉束能量、通过交叉的总束电流及交叉位置，其在方程式2及3中演示。交叉位置可等同于物镜的像距。
在图1的加速磁物镜中，可在增加加速电压Va的同时减少电子间的库仑相互作用的模糊。图3与图8的加速静电物镜可包含透镜以改进光学性能(例如，小束分辨率)使多电子束形成图像的功能。纯静电加速物镜可提取次级电子并使其在次级电子小束的第一图像平面(图6)中形成图像。通过次级电子投影光学件，可将第一图像平面中的次级电子投影到检测器阵列(图7)上。
尽管已关于一个或多个特定实施例描述本公开，但应理解，在不背离本公开的范围的情况下可做出本公开的其它实施例。因此，认为本公开仅由所附权利要求书及其合理解释限制。

Claims (16)

1.一种系统，其包括：
转移透镜，其安置于中间图像平面下游的电子束的路径中；
载物台，其安置于所述电子束的所述路径中，其中所述载物台经配置以固持晶片；
维恩滤波器，其安置于所述电子束的所述路径中所述转移透镜与所述载物台之间；
接地电极，其安置于所述电子束的所述路径中所述维恩滤波器与所述载物台之间；
电荷控制板，其安置于所述电子束的所述路径中所述接地电极与所述载物台之间；及
加速电极，其安置于所述电子束的所述路径中所述接地电极与所述电荷控制板之间。
2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：
物镜，其安置于所述电子束的所述路径中所述转移透镜下游，
其中所述物镜包含更靠近所述转移透镜的上极片及更靠近所述载物台的下极片，其中所述上极片界定第一孔径，所述电子束经引导通过所述第一孔径，且其中第二极片界定第二孔径，所述电子束经引导通过所述第二孔径；
其中所述电荷控制板安置于所述第二孔径中；且
其中所述接地电极安置于所述第一孔径中。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述物镜是磁性物镜。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述物镜是静电物镜。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极与所述接地电极隔开第一距离且其中所述加速电极与所述电荷控制板隔开第二距离，其中所述第一距离是从15mm到20mm且所述第二距离是从约20mm到25mm。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极在所述电子束的所述路径的方向上具有从12mm到16mm的厚度。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极界定开孔，所述电子束穿过所述开孔，其中所述开孔具有从15mm到25mm的直径。
8.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括六边形检测器阵列。
9.一种方法，其包括：
产生电子束；
将所述电子束引导通过定位于中间图像平面下游的转移透镜；
将所述电子束引导通过定位于所述转移透镜下游的维恩滤波器；
将所述电子束引导通过定位于所述维恩滤波器下游的接地电极；
将所述电子束引导通过安置于所述接地电极下游的加速电极；
将所述电子束引导通过定位于所述加速电极下游的电荷控制板；及
将所述电子束引导到定位于所述电荷控制板下游的载物台上的晶片处。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将所述电子束引导通过定位于所述转移透镜下游的物镜，其中所述物镜包含更靠近所述转移透镜的上极片及更靠近所述载物台的下极片，其中所述上极片界定第一孔径，所述电子束经引导通过所述第一孔径，且其中所述第二极片界定第二孔径，所述电子束经引导通过所述第二孔径。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电荷控制板安置于所述第二孔径中且其中所述接地电极安置于所述第一孔径中。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述物镜经配置以将所述电子束聚焦在所述晶片上。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述电子束经引导通过与第二电子束的交叉，且其中所述交叉布置在距所述物镜的像距处。
14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括选择所述物镜的主平面相对于所述晶片的位置以增加分辨率。
15.根据权利要求9所述的方法，其中施加到所述加速电极的加速电压经配置以增加束交叉周围的束能量。
16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括为所述电子束选择交叉束能量，所述交叉束能量经配置以减少库仑相互作用效应。
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