CN117294278A - 一种复合型谐振器及其制备方法 - Google Patents
一种复合型谐振器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117294278A CN117294278A CN202311583548.9A CN202311583548A CN117294278A CN 117294278 A CN117294278 A CN 117294278A CN 202311583548 A CN202311583548 A CN 202311583548A CN 117294278 A CN117294278 A CN 117294278A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- top surface
- composite resonator
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 119
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 6
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 6
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M lithium;3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound [Li+].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 8
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 dimethylsiloxane Chemical class 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/028—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired values of other parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种复合型谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该复合型谐振器包括衬底、过渡层、底电极、压电层和顶电极，衬底的顶面设有相互隔绝的内槽和外槽，外槽包围内槽且外槽填充有声波反射材料；过渡层为衬底的上层并通过覆盖内槽以构成空腔；底电极为过渡层的上层；压电层为底电极的上层；顶电极为压电层的上层。本发明的复合型谐振器能够使压电层更多区域被有效利用，由此提高器件的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及谐振器技术领域，具体而言，涉及一种复合型谐振器及其制备方法。
背景技术
市面上主流的射频滤波器包括两种：声表面波滤波器和体声波滤波器，其中体声波滤波器中采用空腔型薄膜体声波谐振器（FBAR），FBAR的结构简单，一般为中间压电层和上下的电极层组成的三明治结构，利用压电材料实现电能-机械能-电能的能量转化过程，依靠特定声波在压电层内来回反射形成驻波振荡达到滤波效果。
然而由于现有的空腔型FBAR结构中，因为声波在压电层中纵向传播，遇到空气界面（空腔）后发生全反射，进而将声波能量限制在压电层内，而其他无法反射的声波将会泄露，因此只有在空腔上部的压电层才有效，以致压电层中存在部分区域无法被有效利用，导致器件的利用率较低。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合型谐振器及其制备方法，能够使压电层更多区域被有效利用，由此提高器件的利用率。
第一方面，本发明提供一种复合型谐振器，包括：
衬底，所述衬底的顶面设有相互隔绝的内槽和外槽，所述外槽包围所述内槽且所述外槽填充有声波反射材料；
过渡层，所述过渡层为所述衬底的上层并通过覆盖所述内槽以构成空腔；
底电极，所述底电极为所述过渡层的上层；
压电层，所述压电层为所述底电极的上层；
顶电极，所述顶电极为所述压电层的上层。
本发明提供的复合型谐振器，通过在空腔外侧设置外槽并用声波反射材料进行填充，由此令空腔外侧也形成高低声阻抗交界面，使得压电层更多区域能够被有效利用，大大提高器件的利用率。
进一步的，还包括保护层，所述保护层覆盖所述顶电极的顶面且包裹在所述压电层的四周。
保护层能够有效保护器件且削减寄生效应对器件性能带来的不良影响，有利于提高器件的Q值。
进一步的，所述顶电极和所述底电极分别连接有电极上引结构，所述电极上引结构穿过所述保护层并露出在所述保护层外，所述电极上引结构能够导电。
基于保护层结构设置分别与底电极和顶电极连接的电极上引结构，能够方便后续的电路设计和器件使用。
进一步的，所述保护层的制作材料为PI。
进一步的，所述声波反射材料由PI、PDMS、PMMA、PC、SU8、PVDF、PET中的任意一种材料制成。
进一步的，所述衬底由硅、蓝宝石、镓酸锂、单质金属、氮化镓中的任意一种材料制成。
进一步的，所述过渡层由单晶态氮化铝、多晶态氮化铝、氮化镓、碳化硅、氮化硅的任意一种材料制成。
进一步的，所述底电极和所述顶电极均由Mo、W、Pt、Ti、Au、Ru中的任意一种材料制成。
进一步的，所述压电层由单晶态氮化铝、多晶态氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、钛酸锶钡中的任意一种材料制成。
第二方面，本发明提供了一种制备方法，用于制作上述的复合型谐振器，包括以下步骤：
S1.在所述衬底的顶面涂覆光刻胶后，进行曝光显影；
S2.基于反应离子刻蚀方法，在所述衬底的顶面刻蚀出所述内槽和所述外槽；
S3.基于低压化学气相沉积方法，在所述内槽中沉积出牺牲层；
S4.在所述外槽中涂覆声波反射材料的前驱液后，通过固化使所述外槽填充声波反射材料；
S5.对所述牺牲层和填充在所述外槽的声波反射材料进行抛光，以使位于所述内槽和所述外槽之间的衬底部分露出；
S6.基于磁控溅射方法，在所述内槽的顶面制作所述过渡层；
S7.基于电子束蒸发系统，在所述过渡层的顶面制作所述底电极；
S8.基于MOCVD方法，在所述底电极的顶面制作所述压电层；
S9.基于电子束蒸发系统，在所述压电层的顶面制作所述顶电极；
S10.基于反应离子刻蚀方法，去除所述牺牲层以形成所述空腔，得到所述复合型谐振器。
由上可知，本发明提供的复合型谐振器，在现有的空腔型FBAR结构基础上挖设外槽并用声波反射材料进行填充，配合高声阻抗的电极材料，使得在空腔外侧也能够形成高低声阻抗交界面，从而令空腔外侧的纵向声波也能够有效反射，由此扩大了谐振器中压电层的有效区域，在保证器件机械结构稳定的同时大大提升器件的利用率。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明实施例了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本发明实施例提供的复合型谐振器的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的制备方法的一种流程图。
图3为本发明实施例中复合型谐振器的制备过程示意图。
标号说明：
100、衬底；110、声波反射材料；200、过渡层；210、空腔；300、底电极；400、压电层；500、顶电极；600、保护层；700、电极上引结构。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1，图1是复合型谐振器的结构示意图。该复合型谐振器包括：
衬底100，衬底100的顶面设有相互隔绝的内槽和外槽，外槽包围内槽且外槽填充有声波反射材料110；
过渡层200，过渡层200为衬底100的上层并通过覆盖内槽以构成空腔210；
底电极300，底电极300为过渡层200的上层；
压电层400，压电层400为底电极300的上层；
顶电极500，顶电极500为压电层400的上层。
现有技术中，对于空腔型谐振器而言，一般都会将压电层的水平面积设计成大于空腔的水平面积，以此确保空腔区域能够被完全利用（空腔用于形成空气界面供声波反射，属于空腔型谐振器的必要结构），而在实际工作时，对于压电层而言，压电层中只有与空腔上下正对的区域才会被有效利用，以致压电层中有部分区域未被有效利用，因此导致器件利用率较低。
而本实施例中，在衬底100的顶面刻蚀出内槽和外槽后，衬底100的顶面会形成一环形凸台（即位于内槽和外槽之间的衬底部分），由此分隔出内槽和外槽，内槽部分后续作为所需空腔区域，由于压电层400的水平面积大于空腔的水平面积，压电层400覆盖在空腔210上时，压电层400中有部分区域沿上下方向的投影落在外槽区域，此时通过在外槽中填充声波反射材料110，由此在空腔210四周也能够形成高低声阻抗交界面，空腔210四周的纵向声波能够在外槽区域被有效反射，而压电层400对应的该部分区域也会被有效利用，扩大了其有效区域，实现在保证器件结构稳定的同时大大提高器件的利用率，并且突破了现有的空腔型谐振器的结构，获得更高功率和更大Q值的器件。
在某些实施例中，参考附图1，复合型谐振器还包括保护层600，保护层覆盖顶电极500的顶面且包裹在压电层400的四周。
本实施例中，压电层400的四周和上表面均被保护层600所包裹（顶电极500为压电层400的上层，其上表面被保护层600覆盖则相当于压电层400的上表面被保护层600覆盖），一方面能够保护器件，降低器件受损的风险，另一方面能够有效吸收位于压电层400两侧的兰姆波，以此削减寄生效应对器件性能带来的不良影响，有利于提高器件的Q值。
在某些实施例中，参考附图1，顶电极500和底电极300分别连接有电极上引结构700，电极上引结构700穿过保护层600并露出在保护层600外，电极上引结构700能够导电。
由于保护层600作为最上层盖于底电极300和顶电极500之上并包裹着压电层400，本实施例通过设置分别与底电极300和顶电极500连接的电极上引结构700并让电极上引结构700穿过保护层600，由此能够通过电极上引结构700实现给底电极300和顶电极500通电，方便后续的电路设计和器件使用。
在某些实施例中，保护层600的制作材料为PI（聚酰亚胺）。
聚酰亚胺作为保护层600能够适应多种环境，具有优良的稳定性、耐温性和介电性，且能够起到抗氧化、抗腐蚀和封装作用的效果；在实际工作时，聚酰亚胺还能够大量吸收从压电层400辐射出来的出射波，有效避免在压电层400边缘产生寄生谐振，进一步提高器件的性能。
在某些实施例中，声波反射材料110由PI（聚酰亚胺）、PDMS（二甲基硅氧烷）、PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PC（聚碳酸酯）、SU8（SU-8光刻胶）、PVDF（聚偏二氟乙烯）、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）中的任意一种材料制成。
优选的，声波反射材料110为聚酰亚胺，聚酰亚胺还具有声阻抗低的特点，其声阻抗仅为3.4×106 Rayl，能够有效反射纵向声波，达到扩大压电层400有效区域的目的。
在某些实施例中，衬底100由硅、蓝宝石、镓酸锂、单质金属、氮化镓中的任意一种材料制成。
在某些实施例中，过渡层200由单晶态氮化铝、多晶态氮化铝、氮化镓、碳化硅、氮化硅的任意一种材料制成。
在某些实施例中，底电极300和顶电极500均由Mo（钼）、W（钨）、Pt（铂）、Ti（钛）、Au（金）、Ru（钌）中的任意一种材料制成。
在某些实施例中，压电层400由单晶态氮化铝、多晶态氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、钛酸锶钡中的任意一种材料制成。
请参照图2，图2是制备方法的流程图。该制备方法，用于制作上述实施例中的复合型谐振器，包括以下步骤：
S1.在衬底的顶面涂覆光刻胶后，进行曝光显影；
S2.基于反应离子刻蚀方法，在衬底的顶面刻蚀出内槽和外槽；
S3.基于低压化学气相沉积方法，在内槽中沉积出牺牲层；
S4.在外槽中涂覆声波反射材料的前驱液后，通过固化使外槽填充声波反射材料；
S5.对牺牲层和填充在外槽的声波反射材料进行抛光，以使位于内槽和外槽之间的衬底部分露出；
S6.基于磁控溅射方法，在内槽的顶面制作过渡层；
S7.基于电子束蒸发系统，在过渡层的顶面制作底电极；
S8.基于MOCVD方法，在底电极的顶面制作压电层；
S9.基于电子束蒸发系统，在压电层的顶面制作顶电极；
S10.基于反应离子刻蚀方法，去除牺牲层以形成空腔，得到复合型谐振器。
基于本实施例，参考附图3，以下提供第一种具体的实施方式：
步骤S1中，首先将硅衬底（平面衬底）浸泡在100℃的SPM（H2SO4:H2O=3:1）溶液中10min，然后利用BOE药液（缓冲氧化物刻蚀液）浸泡100s，然后利用超纯水对其冲洗15min后甩干，最后在其顶面旋涂光刻胶后进行曝光显影。
步骤S2中，在步骤S1的基础上，使用型号为Precision 5000的反应离子刻蚀设备平台，在250W的功率、75mtorr的压力和30gauss的磁场强度条件下，使用流量为50sccm的氯气、流量为50sccm的溴化氢气体对其顶面进行刻蚀，得到深度相同且均为9um的内槽和外槽。
步骤S3中，在步骤S2的基础上，通过低压化学气相沉积方法在内槽中沉积出一定厚度的SiO2作为牺牲层，牺牲层的厚度大于内槽的深度。
步骤S4中，在步骤S3的基础上，在外槽中涂覆聚酰亚胺的前驱液后，将其置于350℃的真空环境中使聚酰亚胺的前驱液固化形成厚度大于外槽深度的聚酰亚胺薄膜。
步骤S5中，在步骤S4的基础上，采用化学机械抛光工艺对步骤S4制得的产品的顶面进行抛光，直至位于内槽和外槽之间的硅衬底部分露出（此时聚酰亚胺薄膜厚度等于外槽深度，具体为9um），最后利用去离子水清洗10min并甩干。
步骤S6中，在步骤S5的基础上，将其装入PVD载片腔中后通过磁控溅射方法，在5*10-7Torr的腔体背压和6KW的AC功率的条件下，使用纯度为99.9999%的Ar气体和N2气体（Ar气体流量为10sccm，N2气体流量为45sccm），以及纯度为99.999%的Al靶材在内槽的顶面溅射生长出1um厚度的氮化铝作为过渡层，过渡层覆盖其整个顶面。
步骤S7中，在步骤S6的基础上，在过渡层的顶面涂覆环氧树脂，然后依次旋涂光刻胶（采用安智，型号为AZ1500的光刻胶）、烘烤去除水汽、紫外线曝光5s、在显影液中浸泡50s，然后通过电子束蒸发系统，利用纯钼坩埚在过渡层的顶面蒸发沉积一层厚度为120nm的金属钼，最后在丙酮溶液中浸泡3min以剥离光刻胶上的金属材料，在过渡层的顶面得到图形化的底电极。
步骤S8中，在步骤S7的基础上，通过MOCVD方法，在硅衬底温度为950℃和反应室总压强为40Torr的条件下，使用流量为50sccm的三甲基铝溶液、3slm流量的NH3气体和1slm流量的Ar气体在底电极的顶面沉积出厚度为950nm的单晶氮化铝作为压电层。
步骤S9中，在步骤S8的基础上，在压电层的顶面旋涂光刻胶，然后通过电子束蒸发系统，利用纯钼坩埚在压电层的顶面蒸发沉积一层厚度为120nm的金属钼，最后在丙酮溶液中浸泡3min以剥离光刻胶上的金属材料，在压电层的顶面得到图形化的顶电极。
步骤S10中，在步骤S9之后，通过反应离子刻蚀方法刻蚀出释放窗口，然后将HF溶液从释放窗口注入，以此将牺牲层去除并形成空腔，得到复合型谐振器。
基于本实施例，参考附图3，以下提供第二种具体的实施方式：
步骤S1中，首先将硅衬底（平面衬底）浸泡在100℃的SPM（H2SO4:H2O=3:1）溶液中10min，然后利用BOE药液浸泡100s，然后利用超纯水对其冲洗15min后甩干，最后在其顶面旋涂光刻胶后进行曝光显影。
步骤S2中，在步骤S1的基础上，使用型号为Precision 5000的反应离子刻蚀设备平台，在250W的功率、75mtorr的压力和30gauss的磁场强度条件下，使用流量为50sccm的氯气、流量为50sccm的溴化氢气体对其顶面进行刻蚀，得到深度相同且均为9um的内槽和外槽。
步骤S3中，在步骤S2的基础上，通过低压化学气相沉积方法在内槽中沉积出一定厚度的SiO2作为牺牲层，牺牲层的厚度大于内槽的深度。
步骤S4中，在步骤S3的基础上，在外槽中涂覆PDMS的前驱液后，将其置于80℃的真空环境中进行干燥固化12h，以此形成厚度大于外槽深度的PDMS薄膜。
步骤S5中，在步骤S4的基础上，采用化学机械抛光工艺对步骤S4制得的产品的顶面进行抛光，直至位于内槽和外槽之间的硅衬底部分露出（此时PDMS薄膜厚度等于外槽深度，具体为9um），最后利用去离子水清洗10min并甩干。
步骤S6中，在步骤S5的基础上，将其装入PVD载片腔中后通过磁控溅射方法，在5*10-7Torr的腔体背压和6KW的AC功率的条件下，使用纯度为99.9999%的Ar气体和N2气体（Ar气体流量为10sccm，N2气体流量为45sccm），以及纯度为99.999%的Al靶材在内槽的顶面溅射生长出800nm厚度的氮化铝作为过渡层，过渡层覆盖其整个顶面。
步骤S7中，在步骤S6的基础上，在过渡层的顶面涂覆环氧树脂，然后依次旋涂光刻胶（采用安智，型号为AZ1500的光刻胶）、烘烤去除水汽、紫外线曝光5s、在显影液中浸泡50s，然后通过电子束蒸发系统，利用纯钼坩埚在过渡层的顶面蒸发沉积一层厚度为300nm的金属钼，最后在丙酮溶液中浸泡3min以剥离光刻胶上的金属材料，在过渡层的顶面得到图形化的底电极。
步骤S8中，在步骤S7的基础上，通过MOCVD方法，在硅衬底温度为950℃和反应室总压强为40Torr的条件下，使用流量为50sccm的三甲基铝溶液、3slm流量的NH3气体和1slm流量的Ar气体在底电极的顶面沉积出厚度为900nm的单晶氮化铝作为压电层。
步骤S9中，在步骤S8的基础上，在压电层的顶面旋涂光刻胶，然后通过电子束蒸发系统，利用纯钼坩埚在压电层的顶面蒸发沉积一层厚度为300nm的金属钼，最后在丙酮溶液中浸泡3min以剥离光刻胶上的金属材料，在压电层的顶面得到图形化的顶电极。
步骤S10中，在步骤S9之后，通过反应离子刻蚀方法刻蚀出释放窗口，然后将HF溶液从释放窗口注入，以此将牺牲层去除并形成空腔，得到复合型谐振器。
在某些实施例中，步骤S9和步骤S10之间还包括以下步骤：
S11.制作覆盖顶电极的顶面且包裹压电层四周的保护层，并依次对保护层进行腐蚀处理和沉积处理制得分别与顶电极和底电极连接且露出在保护层外的电极上引结构；电极上引结构能够导电。
具体的，步骤S11中，在步骤S9的基础上，在步骤S9制得的产品的顶面涂覆聚酰亚胺的前驱液后，将其置于350℃的真空环境中使聚酰亚胺的前驱液固化形成聚酰亚胺薄膜作为保护层，然后对保护层局部位置腐蚀出穿过保护层且分别直达底电极和顶电极的两个通孔，最后分别在两个通孔中沉积金属（例如金）以制成两个分别与底电极和顶电极连接且能够导电的电极上引结构。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种复合型谐振器，其特征在于，包括：
衬底（100），所述衬底（100）的顶面设有相互隔绝的内槽和外槽，所述外槽包围所述内槽且所述外槽填充有声波反射材料（110）；
过渡层（200），所述过渡层（200）为所述衬底（100）的上层并通过覆盖所述内槽以构成空腔（210）；
底电极（300），所述底电极（300）为所述过渡层（200）的上层；
压电层（400），所述压电层（400）为所述底电极（300）的上层；
顶电极（500），所述顶电极（500）为所述压电层（400）的上层。
2.根据权利要求1所述的复合型谐振器，其特征在于，还包括保护层（600），所述保护层覆盖所述顶电极（500）的顶面且包裹在所述压电层（400）的四周。
3.根据权利要求2所述的复合型谐振器，其特征在于，所述顶电极（500）和所述底电极（300）分别连接有电极上引结构（700），所述电极上引结构（700）穿过所述保护层（600）并露出在所述保护层（600）外，所述电极上引结构（700）能够导电。
4.根据权利要求2所述的复合型谐振器，其特征在于，所述保护层（600）的制作材料为PI。
5.根据权利要求1所述的复合型谐振器，其特征在于，所述声波反射材料（110）由PI、PDMS、PMMA、PC、SU8、PVDF、PET中的任意一种材料制成。
6.根据权利要求1所述的复合型谐振器，其特征在于，所述衬底（100）由硅、蓝宝石、镓酸锂、单质金属、氮化镓中的任意一种材料制成。
7.根据权利要求1所述的复合型谐振器，其特征在于，所述过渡层（200）由单晶态氮化铝、多晶态氮化铝、氮化镓、碳化硅、氮化硅的任意一种材料制成。
8.根据权利要求1所述的复合型谐振器，其特征在于，所述底电极（300）和所述顶电极（500）均由Mo、W、Pt、Ti、Au、Ru中的任意一种材料制成。
9.根据权利要求1所述的复合型谐振器，其特征在于，所述压电层（400）由单晶态氮化铝、多晶态氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、钛酸锶钡中的任意一种材料制成。
10.一种用于制作如权利要求1-9任一项所述复合型谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在所述衬底的顶面涂覆光刻胶后，进行曝光显影；
S2.基于反应离子刻蚀方法，在所述衬底的顶面刻蚀出所述内槽和所述外槽；
S3.基于低压化学气相沉积方法，在所述内槽中沉积出牺牲层；
S4.在所述外槽中涂覆声波反射材料的前驱液后，通过固化使所述外槽填充声波反射材料；
S5.对所述牺牲层和填充在所述外槽的声波反射材料进行抛光，以使位于所述内槽和所述外槽之间的衬底部分露出；
S6.基于磁控溅射方法，在所述内槽的顶面制作所述过渡层；
S7.基于电子束蒸发系统，在所述过渡层的顶面制作所述底电极；
S8.基于MOCVD方法，在所述底电极的顶面制作所述压电层；
S9.基于电子束蒸发系统，在所述压电层的顶面制作所述顶电极；
S10.基于反应离子刻蚀方法，去除所述牺牲层以形成所述空腔，得到所述复合型谐振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311583548.9A CN117294278B (zh) | 2023-11-24 | 一种复合型谐振器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311583548.9A CN117294278B (zh) | 2023-11-24 | 一种复合型谐振器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117294278A true CN117294278A (zh) | 2023-12-26 |
| CN117294278B CN117294278B (zh) | 2024-06-21 |
Family
ID=
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017117869A1 (de) * | 2017-08-07 | 2019-02-07 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter mit einem BAW-Resonator und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators |
| WO2019170461A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | RF360 Europe GmbH | Baw resonator with increased quality factor |
| CN111669141A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-15 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺 |
| CN111756346A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-10-09 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种固态装配谐振器的联接结构及制作工艺 |
| US20200412331A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. | Resonator and method for manufacturing the same |
| CN113872555A (zh) * | 2021-09-26 | 2021-12-31 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电谐振器及其制作方法 |
| CN116633309A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-22 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法 |
| CN116865703A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-10-10 | 华南理工大学 | 一种横向耦合fbar及其制备方法与通信设备 |
| CN116896346A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-10-17 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器、形成方法、滤波器、通信设备及终端 |
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017117869A1 (de) * | 2017-08-07 | 2019-02-07 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter mit einem BAW-Resonator und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators |
| WO2019170461A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | RF360 Europe GmbH | Baw resonator with increased quality factor |
| US20200412331A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. | Resonator and method for manufacturing the same |
| CN111756346A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-10-09 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种固态装配谐振器的联接结构及制作工艺 |
| CN111669141A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-15 | 杭州见闻录科技有限公司 | 一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺 |
| CN113872555A (zh) * | 2021-09-26 | 2021-12-31 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电谐振器及其制作方法 |
| CN116633309A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-22 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法 |
| CN116865703A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-10-10 | 华南理工大学 | 一种横向耦合fbar及其制备方法与通信设备 |
| CN116896346A (zh) * | 2023-07-07 | 2023-10-17 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器、形成方法、滤波器、通信设备及终端 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10637435B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator and filter including the same | |
| US10965271B2 (en) | Acoustic resonator and method for fabricating the same | |
| CN109412550B (zh) | 体声波谐振器 | |
| CN111262543A (zh) | 一种钪掺杂氮化铝兰姆波谐振器与制备方法 | |
| CN110995196B (zh) | 谐振器的制备方法和谐振器 | |
| US11476832B2 (en) | Bulk-acoustic resonator module | |
| US11437561B2 (en) | Acoustic resonator | |
| CN111010137A (zh) | 一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN117294278B (zh) | 一种复合型谐振器及其制备方法 | |
| US11558030B2 (en) | Bulk-acoustic wave resonator | |
| CN112468106B (zh) | 体声波谐振器 | |
| CN117294278A (zh) | 一种复合型谐振器及其制备方法 | |
| CN212163290U (zh) | 一种钪掺杂氮化铝兰姆波谐振器 | |
| US11431318B2 (en) | Acoustic resonator and method of manufacturing thereof | |
| CN112332798A (zh) | 一种固态装配型薄膜体声波谐振器及其制作方法 | |
| TW202145607A (zh) | 體聲波共振器以及製造體聲波共振器之方法 | |
| KR102145309B1 (ko) | 음향 공진기 | |
| KR20210054889A (ko) | 체적 음향 공진기 | |
| US20220286112A1 (en) | Acoustic resonator filter | |
| KR20200095175A (ko) | 체적 음향 공진기 | |
| KR20180131314A (ko) | 음향 공진기 및 그의 제조 방법 | |
| US20200204147A1 (en) | Acoustic resonator | |
| KR20170096717A (ko) | 음향 공진기 | |
| KR20200076125A (ko) | 체적 음향 공진기 | |
| US12028045B2 (en) | Bulk acoustic resonator filter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |