CN117293525A - 天线组件及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种天线组件及电子设备，第一辐射体包括依次设置的第一接地端、馈电点及第一自由端；谐振调谐单元的一端电连接馈电点，回正单元的一端电连接谐振调谐单元的另一端，谐振调谐单元用于增加第一目标频段与第二目标频段在史密斯圆图上的阻抗值之差，回正单元用于调谐第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值，信号源电连接回正单元的另一端，信号源激励第一辐射体的第一接地端与第一自由端之间形成支持第一目标频段的第一谐振模式，及激励辐射体上形成支持第二目标频段的第二谐振模式。本申请设计出覆盖多个频段的天线，增加天线的阻抗带宽。

Description

天线组件及电子设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，具体涉及一种天线组件及电子设备。

背景技术

随着网络技术的发展，传输数据的高传输速率的需求越来越高。多频段覆盖技术通过同时覆盖多个频段可提高吞吐量，以提高传输数据量，提升数据传输速率。因此，在有限的空间内如何灵活设计出多个频段覆盖的天线，提升天线的阻抗带宽，成为需要解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种在有限的空间内设计出多个频段覆盖的天线，增加天线的阻抗带宽的天线组件及具有该天线组件的电子设备。

本申请实施例提供的一种天线组件，包括：

第一辐射体，包括依次设置的第一接地端、馈电点及第一自由端；

谐振调谐电路，所述谐振调谐电路包括谐振调谐单元及回正单元，所述谐振调谐单元的一端电连接所述馈电点，所述回正单元的一端电连接所述谐振调谐单元的另一端，所述谐振调谐单元用于增加第一目标频段与第二目标频段在史密斯圆图上的阻抗值之差，所述回正单元用于调谐所述第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、所述第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值；及

信号源，所述信号源电连接所述回正单元的另一端，所述信号源激励所述第一辐射体的第一接地端与所述第一自由端之间形成支持所述第一目标频段的第一谐振模式，及激励所述辐射体上形成支持所述第二目标频段的第二谐振模式，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一接地端流向所述第一自由端，以及从所述馈电点流向所述第一自由端，所述第二目标频段的中心频点大于所述第一目标频段的中心频点。

本申请实施例提供的一种电子设备，包括所述的天线组件。

本申请提供的天线组件及电子设备，通过设计第一辐射体包括依次设置的第一接地端、馈电点及第一自由端；所述谐振调谐电路包括谐振调谐单元及回正单元，所述谐振调谐单元的一端电连接所述馈电点，所述回正单元的一端电连接所述谐振调谐单元的另一端，所述回正单元的另一端电连接所述信号源，所述谐振调谐单元用于增加第一目标频段与第二目标频段在史密斯圆图上的阻抗值之差，以利于增加阻抗带宽，所述回正单元用于调谐所述第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、所述第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值，以使第一目标频段及第二目标频段处形成谐振；信号源电连接谐振调谐电路的另一端，信号源激励第一辐射体的第一接地端与第一自由端之间形成支持第一目标频段的第一谐振模式，及激励辐射体上形成支持第二目标频段的第二谐振模式，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一接地端流向所述第一自由端，以及从所述馈电点流向所述第一自由端，所述第二目标频段的中心频点大于所述第一目标频段的中心频点，以上设计实现谐振调谐电路可激励天线组件产生新的谐振，即第二谐振模式，第一谐振模式及第二谐振模式的形成，实现在有限的空间内设计出多个频段覆盖的天线，增加天线的阻抗带宽，提升天线性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的电子设备的局部分解结构示意图；

图3是本申请实施例提供的电子设备设有天线组件的背视图；

图4是本申请实施例提供的天线组件的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的天线组件上第一谐振模式的电流分布图；

图6是本申请实施例提供的天线组件上第二谐振模式的电流分布图；

图7是本申请实施例提供的在未设置谐振调谐电路时第一辐射体的阻抗曲线；

图8是本申请实施例提供的经过谐振调谐电路对于第一辐射体的阻抗调谐之后的阻抗曲线图；

图9是本申请实施例提供的天线组件未通过谐振调谐电路调谐的S11曲线及天线组件通过谐振调谐电路调谐后的S11曲线；

图10是本申请实施例提供的天线组件上谐振调谐电路包括谐振调谐单元的结构示意图；

图11是本申请实施例提供的第一目标频段与第二目标频段皆为LB频段的一种阻抗曲线；

图12是本申请实施例提供的第一目标频段与第二目标频段皆为MHB频段的另一种阻抗曲线；

图13是本申请实施例提供的天线组件上谐振调谐电路包括谐振调谐单元及回正单元的结构示意图；

图14是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第一电感的结构示意图；

图15是本申请实施例提供的第一辐射体电连接12nH的第一电感之后的阻抗曲线的史密斯圆图；

图16是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第一电容的结构示意图；

图17是本申请实施例提供的第一辐射体串联12nH的第一电感之后再并联4.5pF的第一电容C1的阻抗曲线的史密斯圆图；

图18是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第二电容的结构示意图；

图19是本申请实施例提供的第一辐射体的阻抗曲线的史密斯圆图；

图20是本申请实施例提供的第一辐射体串联2.2pF的第二电容之后的阻抗曲线的史密斯圆图；

图21是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第二电感的结构示意图；

图22是本申请实施例提供的第一辐射体串联2.2pF的第二电容之后再并联47nH的第一电容C1的阻抗曲线的史密斯圆图；

图23是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括带阻电路的结构示意图；

图24是本申请实施例提供的第一辐射体串联带阻电路之前的阻抗曲线的史密斯圆图；

图25是本申请实施例提供的第一辐射体串联带阻电路之后的阻抗曲线的史密斯圆图；

图26是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第一目标元件的结构示意图；

图27是本申请实施例提供的第一辐射体串联第一目标元件之前的阻抗曲线的史密斯圆图；

图28是本申请实施例提供的第一辐射体串联第一目标元件之后的阻抗曲线的史密斯圆图；

图29是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第二目标元件的结构示意图；

图30是本申请实施例提供的第一辐射体串联第二目标元件之前的阻抗曲线的史密斯圆图；

图31是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第一子电感、第一子电容，回正单元包括第二子电感的结构示意图；

图32是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第二子电容、第三子电容、第四子电容及第三子电感，回正单元包括第五子电容的结构示意图；

图33是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第六子电容、第四子电感，回正单元包括第五子电感的结构示意图；

图34是本申请实施例提供的第一辐射体串联第六子电容再并第四子电感之后的史密斯圆图；

图35是本申请实施例提供的第一辐射体串联第六子电容再并第四子电感再串联第五子电感之后的史密斯圆图；

图36是本申请实施例提供的第一辐射体的初始S参数曲线及第一辐射体串联第六子电容再并第四子电感再串联第五子电感之后的S参数曲线；

图37是本申请实施例提供的第一辐射体的初始状态的史密斯圆图；

图38是本申请实施例提供的第一辐射体串联第六子电容之后的史密斯圆图；

图39是本申请实施例提供的第一辐射体串联第六子电容再并第四子电感之后的史密斯圆图；

图40是本申请实施例提供的谐振调谐电路为串联第六子电容再并第四子电感再并联3pF电容及串联第五子电感的结构示意图；

图41是本申请实施例提供的第一辐射体串联第六子电容再并第四子电感再并联3pF电容及串联第五子电感之后的史密斯圆图；

图42是本申请实施例提供的第一辐射体的初始S参数曲线及第一辐射体串联第六子电容再并第四子电感再并联3pF电容及串联第五子电感之后的S参数曲线；

图43是本申请实施例提供的天线组件的第三谐振模式的电流分布图；

图44是本申请实施例提供的天线组件还包括第二辐射体的结构示意图；

图45是本申请实施例提供的谐振调谐单元包括第六子电感、第七子电容、第七子电感、第八子电容，回正单元包括第八子电感及第九子电容的结构示意图；

图46是本申请实施例提供的第一辐射体的初始状态的史密斯圆图；

图47是本申请实施例提供的第一辐射体并联第六子电感之后的史密斯圆图；

图48是本申请实施例提供的第一辐射体并联第六子电感再串联第七子电容之后的史密斯圆图；

图49是本申请实施例提供的第一辐射体并联第六子电感再串联第七子电容再并联第七子电感之后的史密斯圆图；

图50是本申请实施例提供的第一辐射体并联第六子电感再串联第七子电容再并联第七子电感7再串联第八子电容之后的史密斯圆图；

图51是本申请实施例提供的天线组件的S11曲线、效率图；

图52是本申请实施例提供的电子设备在自由空间、保护壳下的天线组件的实测S11曲线、效率图。

附图标号说明：

电子设备1000；天线组件100；显示屏200；中框300；后盖400；中板310；边框320；顶边321；底边322；第一侧边323；第二侧边324；参考地板500；第一辐射体10；谐振调谐电路20；信号源30；第一接地端A；馈电点B；第一自由端C；谐振调谐单元21；回正单元22；第一电感L1；第一电容C1；第二电容C2；第二电感L2；带阻电路D1；第一目标元件211；第二目标元件212；第一子电感L11；第一子电容C11；第二子电感L12；第二子电容C12；第三子电容C13；第四子电容C14；第三子电感L13；第五子电容C15；第六子电容C16；第四子电感L14；第五子电感L15；第二辐射体40；第二自由端D；第二接地端E；第六子电感L16；第七子电容C17；第七子电感L17；第八子电容C18；第八子电感L18；第九子电容C19。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，本申请所描述的实施例仅仅是一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请提供的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。

在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例所描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的、独立的或备选的实施例。本领域技术人员可以显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如：包含了一个或多个零部件的组件或设备没有限定于已列出的一个或多个零部件，而是可选地还包括没有列出的但所示例的产品固有的一个或多个零部件，或者基于所说明的功能其应具有的一个或多个零部件。

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备1000的结构示意图。电子设备1000包括但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、计算机、可穿戴设备、无人机、机器人、数码相机等具有通讯功能的设备。本申请实施例以手机为例进行说明，其他的电子设备可参考本实施例。

请参阅图2，图2是电子设备1000的局部分解示意图。所述电子设备1000包括天线组件100，以电子设备1000为手机为例对天线组件100的工作环境进行举例说明。电子设备1000还包括沿厚度方向依次设置的显示屏200、中框300及后盖400。其中，中框300包括中板310以及围接于中板310周侧的边框320。边框320可为导电边框。当然，在其他实施方式中，电子设备1000可不具有中板310。显示屏200、中板310及后盖400依次层叠设置，显示屏200与中板310之间、中板310与后盖400之间皆形成收容空间以收容电路板、摄像头模组、受话器模组、电池、各种传感器等器件。边框320的一侧围接于显示屏200的边缘，边框320的另一侧围接于后盖400的边缘，以形成电子设备1000的完整的外观结构。本实施例中，边框320与中板310为一体结构，边框320与后盖400为分体结构，以上为以手机为例的天线组件100的工作环境，但是本申请的天线组件100不限于上述的工作环境中。

请参阅图3，图3中为电子设备1000的背部视图。边框320包括相对设置的顶边321、底边322，以及连接于所述顶边321与所述底边322的第一侧边323及第二侧边324。其中，顶边321为使用者手持并竖屏使用电子设备1000时远离地面的一边，底边322为使用者手持并竖屏使用电子设备1000时朝向地面的一边。

请参阅图4，电子设备1000还包括设于边框320内的参考地板500。

以天线组件100设于电子设备1000的背视图的左侧边靠近顶边321的部分为例。

请参阅图4，天线组件100包括第一辐射体10、谐振调谐电路20及信号源30。

可选的，第一辐射体10的材质皆为导电材质，包括但不限于为金属、合金等导电材质。

本申请对于第一辐射体10的形状不做具体的限定。例如，第一辐射体10的形状包括但不限于条状、片状、杆状、涂层状、薄膜状等。图4所示的所述第一辐射体10的形态仅仅为一种示例，并不能对本申请提供的所述第一辐射体10的形状造成限定。本实施例中，所述第一辐射体10皆呈条状。本实施例中，所述第一辐射体10呈直线等轨迹延伸。上述的所述第一辐射体10在延伸轨迹上可为宽度均匀的线条，也可以为宽度渐变、设有加宽区域等宽度不等的条形。

本申请对于第一辐射体10的形式不做具体的限定。可选的，所述第一辐射体10的具体形态包括但不限于为金属边框320、镶嵌于塑胶边框320内的金属框架、位于边框320内或表面的金属导体、成型于柔性电路板(Flexible Printed Circuit board，FPC)上的柔性电路板天线、通过激光直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)的激光直接成型天线、通过印刷直接成型(Print Direct Structuring，PDS)的印刷直接成型天线、导电片天线(例如金属支架天线)等。本申请以第一辐射体10为边框320上的一部分为例。

请参阅图4，第一辐射体10包括依次设置的第一接地端A、馈电点B及第一自由端C。

请参阅图4，所述谐振调谐电路20的一端电连接所述馈电点B。电连接方式包括但不限于为直接电连接或耦合电连接。直接电连接的连接介质包括但不限于为导电弹片、射频连接线、导电顶针等。本实施例中以导电弹片连接为例。

所述谐振调谐电路20包括谐振调谐单元21及回正单元22。所述谐振调谐单元21的一端电连接所述馈电点B。所述回正单元22的一端电连接所述谐振调谐单元21的另一端，所述回正单元22的另一端电连接所述信号源30。所述谐振调谐单元21用于增加第一目标频段与第二目标频段在史密斯圆图上的阻抗值之差，以利于增加阻抗带宽。所述回正单元22用于调谐所述第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、所述第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值，以使第一目标频段及第二目标频段处形成谐振。

第一目标频段的中心频点为第一频点F1。第二目标频段的中心频点为第二频点F2。

可选的，所述预设阻抗值位于所述第一频点的阻抗值与所述第二频点的阻抗值之间。本申请中，预设阻抗值为50欧姆。

本申请对于预设差值不做具体限定。

进一步地，第一目标频段的中心频点的阻抗值、预设阻抗值之差与第二目标频段的中心频点的阻抗值、预设阻抗值之差相等。

进一步地，第一目标频段的中心频点的阻抗值、预设阻抗值之差为史密斯圆图中的阻抗曲线与匹配中心的最小值，第二目标频段的中心频点的阻抗值、预设阻抗值之差为史密斯圆图中的阻抗曲线与匹配中心的最小值，以便于后续在信号源30的激励下在第一目标频段的中心频点与第二目标频段的中心频点皆形成谐振。

所述谐振调谐电路20包括电感、电容、电阻等中的至少一者。

所述信号源30电连接所述谐振调谐电路20的另一端。所述信号源30包括但不限于为射频收发芯片或电连接射频收发芯片的端口。

所述信号源30激励所述第一辐射体10的第一接地端A与所述第一自由端C之间形成支持第一目标频段的第一谐振模式。

所述第一目标频段包括但不限于为LB频段(小于1GHz)、MHB频段(1-3GHz)、UHB频段(大于3GHz)、Wi-Fi频段、GPS频段等中的至少一者。

第一辐射体10的第一接地端A至第一自由端C的电长度接近于第一频点F1的1/4波长。信号源30的激励信号在第一接地端A至第一自由端C之间形成谐振，谐振的频点为第一频点F1，第一谐振模式为第一目标频段的1/4波长模式。

第一辐射体10为倒F天线，倒F天线的1/4波长模式为基态模式，说明第一谐振模式具有较好的辐射效率。

可选的，请参阅图5，第一谐振模式的谐振电流从第一接地端A流向所述第一自由端C。由于电流的周期性，第一谐振模式的谐振电流还可以反向。

所述谐振调谐电路20(包括谐振调谐单元21)的至少一个元件用于增加所述第一目标频段的在史密斯圆上阻抗变化量与所述第二目标频段的在所述史密斯圆上阻抗变化量之差，例如，所述谐振调谐电路20的至少一个元件为串电感或并电容，串电感或并电容使第二频点F2(即相对高频点)的阻抗变化量更大；或者，所述谐振调谐电路20的至少一个元件为串电容或并电感，串电容或并电感使第一频点F1(即相对低频点)的阻抗变化量更大，当所述第二频点F2的阻抗与第一频点F1的阻抗在史密斯圆图上实现多绕一圈后，可增加新谐振，进而使所述辐射体上形成支持所述第二目标频段的第二谐振模式。所述第二频点F2大于所述第一频点F1。

其中，谐振调谐电路20的至少一个元件为电感、电容、带阻电路等。谐振调谐电路20可实现第一辐射体10与信号源30之间的阻抗匹配，谐振调谐电路20亦可称为实现宽带化的匹配电路。

请参阅图6，第二谐振模式的谐振电流与第一谐振模式的谐振电流的区别在于，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一接地端A流向所述第一自由端C，以及从所述馈电点B流向所述第一自由端C。由于电流的周期性，第二谐振模式的谐振电流还可以反向。

请参阅图7，图7是在未设置谐振调谐电路20时第一辐射体10的阻抗曲线。请参阅图8，图8是经过谐振调谐电路20对于第一辐射体10的阻抗调谐之后的阻抗曲线图。从图8可以看出，第一辐射体10经过谐振调谐电路20的阻抗调谐之后，天线组件100能够形成双谐振且在较宽的频段具有一定的阻抗深度，实现宽带化。

本申请提供的天线组件100及电子设备1000，通过设计第一辐射体10包括依次设置的第一接地端A、馈电点B及第一自由端C，所述谐振调谐电路20包括谐振调谐单元21及回正单元22。所述谐振调谐单元21的一端电连接所述馈电点B。所述回正单元22的一端电连接所述谐振调谐单元21的另一端，所述回正单元22的另一端电连接所述信号源30。所述谐振调谐单元21用于增加第一目标频段与第二目标频段在史密斯圆图上的阻抗值之差，以利于增加阻抗带宽。所述回正单元22用于调谐所述第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、所述第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值，以使第一目标频段及第二目标频段处形成谐振，信号源30激励第一辐射体10的第一接地端A与第一自由端C之间形成支持第一目标频段的第一谐振模式，及激励第一辐射体10上形成支持第二目标频段的第二谐振模式，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一接地端A流向所述第一自由端C，以及从所述馈电点B流向所述第一自由端C，所述第二目标频段的中心频点大于所述第一目标频段的中心频点，以上设计实现谐振调谐电路20可激励天线组件100产生新的谐振，即第二谐振模式，第一谐振模式及第二谐振模式的形成，使天线组件100能够覆盖第一目标频段及第二目标频段，实现在有限的空间内设计出多个频段覆盖的天线，增加天线的阻抗带宽，提升天线性能。

谐振调谐单元21用于增加第一目标频段与第二目标频段的阻抗值之差，若第一目标频段与第二目标频段的阻抗值相近，在极窄的带宽内形成谐振，在S11曲线上形成一个波，无法形成两个波，所以谐振调谐单元21将两个目标频段的阻抗值之差拉大，在S11曲线上体现宽带化，例如-4dB的阻抗带宽增加。然后通过回正单元22将两个目标频段的阻抗值调节为尽量接近于预设差值(例如50欧)，以在第一目标频段与第二目标频段皆形成谐振。例如，先通过谐振调谐单元将两个目标频段的阻抗值从20、25调到30(增大10)和40(增大15)，再通过回正单元将两个目标频段的阻抗值调到45和55，皆接近于50。

其中，第一目标频段为第一谐振模式的S11曲线中回波损耗为-4dB(为举例值，并对对此限定)及以下时所对应的频段。第二目标频段为第二谐振模式的S11曲线中回波损耗为-4dB(为举例值，并对对此限定)及以下时所对应的频段。

可选的，所述第一目标频段与所述第二目标频段形成连续频带。所述连续频带的宽带大于或等于1GHz。例如，第一目标频段及第二目标频段皆位于LB频段。例如，连续频段覆盖0.67-0.78GHz；再例如，连续频段覆盖0.65-0.77GHz；再例如，连续频段覆盖0.62-0.72GHz。以上可以实现第一目标频段及第二目标频段覆盖较大的带宽，即本申请通过设计谐振调谐电路20，新增谐振模式，以实现宽带化。

请参阅图9，图9是本申请实施例提供的天线组件100未通过谐振调谐电路20调谐的S11曲线及天线组件100通过谐振调谐电路20调谐后的S11曲线。曲线a是天线组件100未通过谐振调谐电路20调谐的S11曲线。曲线b是天线组件100通过谐振调谐电路20调谐的S11曲线。从图9可以看出，第一辐射体10经过谐振调谐电路20的阻抗调谐之后，天线组件100能够形成双谐振且在较宽的频段具有一定的阻抗深度，实现宽带化。

可选的，所述馈电点B与所述第一自由端C之间的距离大于或等于所述馈电点B与所述第一接地端A之间的距离，使第一谐振模式与第三谐振模式的频点拉开，以便于在第一目标频段与第三频段中形成第二谐振模式。

当然，在其他实施方式中，馈电点B可位于第一自由端C，此时第一谐振模式也可称为左手模式，信号源30通过容性耦合馈电的方式对第一辐射体10进行馈电。

在第一种实施方式中，所述谐振调谐电路20中的至少一个元件用于调节所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。例如，所述谐振调谐电路20中的至少一个元件包括串电容和/或并电感，使第一频点F1(即相对低频点)的阻抗变化量更大。此为相对低频调法。相对低频调法的原理本质均是让相对更低频频点在圆图上走过更多的距离，实现宽带化匹配。

在第二种实施方式中，所述谐振调谐电路20中的至少一个元件用于调节所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。例如，所述谐振调谐电路20中的至少一个元件包括串电感和/或并电容，使第二频点F2(即相对高频点)的阻抗变化量更大，进而实现增加所述第一频点F1的阻抗变化量与第二频点F2的阻抗变化量之差，进一步实现所述第二频点F2的阻抗与第一频点F1的阻抗在史密斯圆图上实现多绕一圈后，使所述辐射体上形成支持所述第二目标频段的第二谐振模式，增加天线组件100所支持的频段，及阻抗带宽。此为相对高频调法。其中，串电感可以变为串带阻电路。相对高频调法的原理本质均是让相对更高频频点，在史密斯圆图上走过更多的距离，实现宽带化匹配。

在第三种实施方式中，所述谐振调谐电路20中的至少一个元件用于调节所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，及所述谐振调谐电路20中的至少一个元件用于调节所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，例如，所述谐振调谐电路20中的至少一个元件包括串电容+串电感、或者并电感+串电感、或者串电容+并电容、或并电感+并电容。此为相对低频调法+相对高频调法。

请参阅图10，所述谐振调谐电路20包括谐振调谐单元21。所述谐振调谐单元21的一端电连接所述馈电点B，所述谐振调谐单元21的另一端电连接所述信号源30。所述谐振调谐单元21用于使所述第一辐射体10的阻抗曲线形成至少一个曲线圈。第一频点F1的阻抗及第二频点F2的阻抗皆位于所述曲线圈上。所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗相距大于或等于3/4所述曲线圈，如此，以形成新的谐振，进而使所述辐射体上形成支持所述第二目标频段的第二谐振模式。

可选的，谐振调谐单元21包括电感、电容、带阻电路等。谐振调谐单元21中的每个元件皆用于调谐第一频点F1和/或第二频点F2在史密斯圆上的位置。

可选的，请参阅图11，当所述第一目标频段与所述第二目标频段皆为LB频段时，所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗之差在史密斯圆图上相距大于或等于3/4所述曲线圈周长，以便于第一辐射体10的阻抗曲线上第一频点F1、第二频点F2与史密斯圆的匹配中心(横轴为1的点)之间的距离最小，进而在第一频点F1与第二频点F2处皆形成谐振。由于LB频段受手握影响大于MHB频段受手握影响，故在设计LB频段的阻抗深度时，LB频段的阻抗深度相对小，即LB频段对于所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗之差在史密斯圆图上相距无需严格大于或等于一个所述曲线圈周长，而是所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗之差在史密斯圆图上相距可为大半个所述曲线圈周长，例如3/4所述曲线圈周长，即可形成满足要求的双谐振。

在第一频点F1形成双谐振时，第一频点F1的阻抗与史密斯圆的匹配中心(横轴为1的点)之间的距离为第一辐射体10的阻抗曲线上与史密斯圆的匹配中心(横轴为1的点)之间的距离最小值。

在第二频点F2形成双谐振时，第二频点F2的阻抗与史密斯圆的匹配中心(横轴为1的点)之间的距离为第一辐射体10的阻抗曲线上与史密斯圆的匹配中心(横轴为1的点)之间的距离最小值。

可选的，请参阅图12，当所述第一目标频段与所述第二目标频段皆为MHB频段时，所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗之差在史密斯圆图上相距大于或等于1个所述曲线圈周长。例如，第一辐射体10的阻抗曲线形成内部小圈及外部大圈，第一频点F1位于内部小圈上，第二频点F2为外部大圈上，利于第一辐射体10的阻抗曲线上的第一频点F1、第二频点F2与史密斯圆的匹配中心(横轴为1的点)之间的距离最小，进而在第一频点F1与第二频点F2处皆形成谐振。

请参阅图13，所述谐振调谐电路20还包括回正单元22。所述回正单元22的一端电连接所述谐振调谐单元21的另一端，所述回正单元22的另一端电连接所述信号源30。所述回正单元22包括电感、电容等。

请参阅图8及图11，所述回正单元22通过调谐所述第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、所述第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值，用以将所述第一辐射体10的阻抗曲线的曲线圈的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心(史密斯圆上的横轴为1的位置)相邻近。所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗皆位于预设参考曲线内。

可选的，预设参考曲线为S11为4dB时曲线。第一辐射体10的阻抗曲线在经过谐振调谐单元21及回正单元22调谐之后，所述第一辐射体10的阻抗曲线的曲线圈的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心(史密斯圆上的横轴为1的位置)相邻近，且所述第一辐射体10的阻抗曲线的曲线圈位于预设参考曲线内，如此，所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗皆位于S11为4dB的预设参考曲线之内，第一频点F1、第二频点F2为调谐后的第一辐射体10的阻抗曲线与所述史密斯圆中的匹配中心之间的最小距离点，如此，第一频点F1与第二频点F2形成双谐振，增加谐振模式，增加天线组件100所支持的频段数量，增加阻抗带宽。

或者，第一辐射体10的阻抗曲线在经过谐振调谐单元21及回正单元22调谐之后，第一辐射体10的阻抗曲线形成两个曲线圈，即内部小圈及外部大圈。第一频点F1位于内部小圈，第二频点F2位于外部大圈。外部大圈的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心(史密斯圆上的横轴为1的位置)相邻近。如此，实现第一频点F1、第二频点F2为调谐后的第一辐射体10的阻抗曲线与所述史密斯圆中的匹配中心之间的最小距离点，如此，第一频点F1与第二频点F2形成双谐振，增加谐振模式，增加天线组件100所支持的频段数量，增加阻抗带宽。

可选的，请参阅图14，所述谐振调谐单元21包括至少一个第一电感L1。所述第一电感L1的一端电连接于所述馈电点B，所述第一电感L1的另一端电连接所述信号源30。所述第一电感L1用于调节所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图8及图15，图8是第一辐射体10的阻抗曲线的史密斯圆图。请参阅图15，图15是第一辐射体10电连接12nH的第一电感L1之后的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1GHz的频点，即高频端。经过第一电感L1的调谐之后，阻抗曲线的空心点、实心点皆沿史密斯圆绕顺时针运动，其中，阻抗曲线的实心点沿史密斯圆运动的轨迹更长，说明所述第一电感L1用于调节所述第二频点F2(相对高频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1(相对低频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

本申请对于第一电感L1的数值不做具体限定，使第一辐射体10的阻抗曲线从史密斯圆的第二象限移动至史密斯圆的第一象限即可。可选的，横轴及竖直线将史密斯圆划分为四个1/4圆，其中，左上角的1/4圆为第二象限，右上角的1/4圆为第一象限，左下角的1/4圆为第三象限，右下角的1/4圆为第四象限。

请参阅图16，所述谐振调谐单元21包括至少一个第一电容C1。所述第一电容C1的一端电连接于所述馈电点B。所述第一电容C1的另一端接地。所述第一电容C1用于调节所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图17，图17是第一辐射体10串联12nH的第一电感L1之后再并联4.5pF的第一电容C1的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1GHz的频点，即高频端。经过第一电容C1的调谐之后，阻抗曲线的空心点、实心点皆沿史密斯圆绕顺时针运动，其中，阻抗曲线的实心点沿史密斯圆运动的轨迹更长，阻抗曲线的空心点移动至靠近史密斯圆横轴上的开路点，阻抗曲线的实心点从史密斯圆的第一象限移动至史密斯圆的第四象限。说明所述第一电容C1能够调节所述第二频点F2(相对高频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1(相对低频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

本申请对于第一电容C1的数值不做具体限定，使第一辐射体10的阻抗曲线从史密斯圆的第一象限移动至史密斯圆的第四象限即可。

请参阅图18，所述谐振调谐单元21包括至少一个第二电容C2。所述第二电容C2的一端电连接于所述馈电点B。所述第二电感的另一端电连接所述信号源30。所述第二电容C2用于调节所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图19，图19是第一辐射体10的阻抗曲线的史密斯圆图。请参阅图20，图20是第一辐射体10串联2.2pF的第二电容C2之后的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1GHz的频点，即高频端。经过第二电容C2的调谐之后，阻抗曲线的空心点、实心点皆沿史密斯圆绕逆时针运动，其中，阻抗曲线的空心点沿史密斯圆运动的轨迹更长，阻抗曲线的空心点从史密斯圆的第二象限移动至靠近史密斯圆的第四象限，阻抗曲线的实心点从史密斯圆的第二象限移动至史密斯圆的第三象限。说明所述第二电容C2能够调节所述第一频点F1(相对低频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点F2(相对高频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

本申请对于第二电容C2的数值不做具体限定，使第一辐射体10的阻抗曲线从史密斯圆的第二象限移动至部分位于史密斯圆的第四象限即可。

请参阅图21，所述谐振调谐单元21包括至少一个第二电感L2。所述第二电感L2的一端电连接于所述馈电点B。所述第二电感L2的另一端接地。所述第二电感L2用于调节所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图22，图22是第一辐射体10串联2.2pF的第二电容C2之后再并联47nH的第一电容C1的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1GHz的频点，即高频端。经过第二电容C2的调谐之后，阻抗曲线的空心点、实心点皆沿史密斯圆绕逆时针运动，其中，阻抗曲线的空心点沿史密斯圆运动的轨迹更长，阻抗曲线的空心点移动至靠近史密斯圆横轴上的开路点，阻抗曲线的实心点从史密斯圆的第三象限移动至史密斯圆的第四象限。说明所述第二电感L2能够调节所述第一频点F1(相对低频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点F2(相对高频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

本申请对于第二电感L2的数值不做具体限定，使第一辐射体10的阻抗曲线从部分位于史密斯圆的第四象限移动至全部位于史密斯圆的第四象限。

本申请对于谐振调谐单元21的具体结构不做具体的限定。

在一种可选的实施方式中，谐振调谐单元21包括串电感+并电容+串电感+并电容…继续叠加，直至增加谐振。当然，也可以是并电容+串电感+并电容+串电感…。具体原理在于，以史密斯圆中的阻抗曲线变化为例，第一辐射体10在串电感之后的阻抗变化为jwL，相对高频段的阻抗变化量高于相对低频段的阻抗变化量。而第一辐射体10在并电容之后的导纳为jwC，相对高频段的阻抗变化量高于相对低频段的阻抗变化量，因此不断叠加，相对高频处的点相较于相对低频处的点的阻抗变化更多。当史密斯圆图上阻抗曲线实现多绕一圈后，阻抗曲线上与史密斯圆的横轴的匹配中心点之间的最小值具有两个点，这两个点形成两个谐振，即可增加新谐振。

相应的，在另一种可选的实施方式中，谐振调谐单元21包括串电容+并电感+串电容+并电感…继续叠加，直至增加谐振。当然，也可以是并电感+串电容+并电感+串电容…。

在再一种可选的实施方式中，谐振调谐单元21包括串电容+并电容+串电感…继续叠加，直至增加谐振。

请参阅图23，所述谐振调谐单元21包括至少一个带阻电路D1。所述带阻电路D1的一端电连接所述馈电点B，所述带阻电路D1的另一端电连接所述信号源30。所述带阻电路D1的谐振频点大于所述第二目标频段的谐振频点。所述带阻电路D1对所述第二目标频段的等效电感值大于所述带阻电路D1对所述第一目标频段的等效电感值。所述带阻电路D1使所述第二频点F2的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图24，图24是第一辐射体10串联带阻电路D1之前的阻抗曲线的史密斯圆图。请参阅图25，图25是第一辐射体10串联带阻电路D1之后的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1.2GHz的频点，即高频端。由于第一频点F1在第二象限，第二频点F2在第四象限。若想要将第一频点F1与第二频点F2皆沿顺时针方向移动至第一象限，那么需要第二频点F2的阻抗移动较大的路径，而第一频点F1的阻抗移动较小的路径。而由于在串联一个电感时无法同时满足以上将第四象限的第二频点F2移动至第一象限及将第二象限的第一频点F1移动至第一象限。假设串联一个电感，可能导致第四象限的第二频点F2移动至第一象限，及第二象限的第一频点F1移动至第四象限。

本实施例中设计所述谐振调谐单元21包括带阻电路D1，该带阻电路D1的谐振频点大于所述第二目标频段的谐振频点。所述带阻电路D1对所述第二目标频段的等效电感值大于所述带阻电路D1对所述第一目标频段的等效电感值，那么带阻电路D1对于第二频点F2的阻抗移动量远远大于对于第一频点F1的阻抗移动量，如此利于实现第四象限的第二频点F2移动至第一象限及将第二象限的第一频点F1移动至第一象限。

经过带阻电路D1的调谐之后，第一频点F1、第二频点F2的阻抗皆沿史密斯圆绕顺时针运动，其中，第二频点F2的阻抗沿史密斯圆运动的轨迹更长。说明所述带阻电路D1能够调节所述第二频点F2(相对高频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点F1(相对低频点)的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

本申请对于带阻电路D1中的电感、电容的数值不做具体限定，使带阻电路D1的谐振频点大于所述第二目标频段的谐振频点，使第四象限的第二频点F2移动至第一象限及将第二象限的第一频点F1移动至第一象限即可。

可选的，请参阅图26，当所述第一频点F1的阻抗、所述第二频点F2的阻抗中的一者位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点(史密斯圆的横轴的最右侧点，数字最大点)时，所述谐振调谐单元21包括第一目标元件211。所述第一目标元件211的一端电连接(该电连接可包括直接相邻连接或间隔连接)所述馈电点B，所述第一目标元件211的另一端电连接所述信号源30。所述第一目标元件211用于调节所述第一频点F1的阻抗、所述第二频点F2的阻抗中相对远离所述史密斯圆中的开路点的一者在所述史密斯圆上的变化量。其中，当所述第一频点F1的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述第一目标元件211为电感，因为串联电感使第二频点F2的阻抗变化量更大。当所述第二频点F2的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述第一目标元件211为电容，因为串联电容使第一频点F1的阻抗变化量更大。在谐振调谐单元21调谐振的阶段，第一频点F1或第二频点F2的阻抗出现在开路点，串联电容或电感对于在开路点处的频点的阻抗影响不大，所以串联第一目标元件211可实现位于开路点附近的频点的阻抗位置不变，另一个远离开路点附近的频点的阻抗移动。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图27，图27是第一辐射体10串联第一目标元件211之前的阻抗曲线的史密斯圆图。请参阅图28，图28是第一辐射体10串联第一目标元件211之后的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1.2GHz的频点，即高频端。第一辐射体10串联第一目标元件211之前的阻抗曲线中，第二频点F2靠近于史密斯圆横轴的开路点。本实施方式中，第一目标元件211为2.2pF的电容。第一辐射体10串联2.2pF的电容之后，由于第二频点F2靠近于史密斯圆横轴的开路点，串联2.2pF的电容对于第二频点F2的阻抗基本无影响。串联2.2pF的电容能改变第一频点F1的阻抗位置，使第一频点F1的阻抗位置从原本位于第一象限移动至第二象限中。原本仅为一部分弧线的阻抗曲线，形成接近一整个圆的阻抗曲线。上述的第一目标元件211能够对第一频点F1单独调节，利于第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图29，当所述第一频点F1的阻抗、所述第二频点F2的阻抗中的一者位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点(横轴为0的点)时，所述谐振调谐单元21包括第二目标元件212。所述第二目标元件212的一端电连接(该电连接可包括直接相邻连接或间隔连接)所述馈电点B和所述信号源30。所述第二目标元件212的另一端接地。所述第二目标元件212用于调节所述第一频点F1的阻抗、所述第二频点F2的阻抗中相对远离所述史密斯圆中的短路点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。其中，当所述第一频点F1的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述第二目标元件212为电容，因为并电容使第二频点F2的阻抗变化量更大。当所述第二频点F2的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述第二目标元件212为电感，因为并电感使第一频点F1的阻抗变化量更大。在谐振调谐单元21调谐振的阶段，第一频点F1或第二频点F2的阻抗出现在短路点，并联电容或电感对于在短路点处的频点的阻抗影响不大，所以并联第二目标元件212可实现位于短路点附近的频点的阻抗位置不变，另一个远离短路点的频点的阻抗移动较大。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以使第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

请参阅图28，图28是第一辐射体10串联第二目标元件212之前的阻抗曲线的史密斯圆图。请参阅图30，图30是第一辐射体10串联第二目标元件212之后的阻抗曲线的史密斯圆图。其中，阻抗曲线的空心点为0.5GHz的频点，即低频端。阻抗曲线的实心点为1.2GHz的频点，即高频端。第一辐射体10串联第二目标元件212之前的阻抗曲线中，第一频点F1靠近于史密斯圆横轴的短路点。本实施方式中，第二目标元件212为2pF的电容。第一辐射体10并联2pF的电容之后，由于第一频点F1靠近于史密斯圆横轴的短路点，并联2pF的电容对于第一频点F1的阻抗基本无影响。并联2pF的电容能改变第二频点F2的阻抗位置，使第二频点F2的阻抗位置从原本位于第一象限移动至第四象限中。原本接近一整个圆的阻抗曲线，形成一整个圆的阻抗曲线。上述的第二目标元件212能够对第二频点F2单独调节，利于第一辐射体10的阻抗曲线快速调整出曲线圈。

可选的，当所述谐振调谐单元21中电连接所述回正单元22的元件将所述第一频点F1的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述回正单元22包括至少一个第三电容。所述第三电容的一端电连接所述谐振调谐单元21与所述信号源30，所述第三电容的另一端接地。所述回正单元22用于调谐所述第二频点F2的阻抗变化量。

第一频点F1的阻抗出现在短路点，并联电容或电感对于在短路点处的第一频点F1的阻抗影响不大，而并联第三电容使第二频点F2的阻抗变化量较大，所以并联第三电容可实现位于短路点附近的第一频点F1的阻抗位置不变，远离短路点的第二频点F2的阻抗移动较多。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以将阻抗曲线的曲线圈调整到预设参考曲线内。

再可选的，请参阅图17，当所述谐振调谐单元21中电连接所述回正单元22的元件将所述第一频点F1的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述回正单元22包括至少一个第三电感。所述第三电感的一端电连接所述谐振调谐单元21，所述第三电感的另一端电连接所述信号源30。所述回正单元22用于调谐所述第二频点F2的阻抗变化量。

第一频点F1的阻抗出现在开路点，串联电容或电感对于在开路点处的第一频点F1的阻抗影响不大，而串联第三电感使第二频点F2的阻抗变化量较大，所以串联第三电感可实现位于开路点附近的第一频点F1的阻抗位置不变，远离开路点的第二频点F2的阻抗移动较多。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以将阻抗曲线的曲线圈调整到预设参考曲线内，如图8。

可选的，当所述谐振调谐单元21中电连接所述回正单元22的元件将所述第二频点F2的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述回正单元22包括至少一个第四电感。所述第四电感的一端电连接所述谐振调谐单元21与所述信号源30，所述第四电感的另一端接地。所述回正单元22用于调谐所述第一频点F1的阻抗变化量。

第二频点F2的阻抗出现在短路点，并联电容或电感对于在短路点处的第二频点F2的阻抗影响不大，而并联第四电感使第一频点F1的阻抗变化量较大，所以第四电感可实现位于短路点附近的第二频点F2的阻抗位置不变，远离短路点的第一频点F1的阻抗移动较多。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以将阻抗曲线的曲线圈调整到预设参考曲线内。

再可选的，请参阅图25，当所述谐振调谐单元21中电连接所述回正单元22的元件将所述第二频点F2的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述回正单元22包括至少一个第四电容。所述第四电容的一端电连接所述谐振调谐单元21，所述第四电容的另一端电连接所述信号源30。所述回正单元22用于调谐所述第一频点F1的阻抗变化量。

第二频点F2的阻抗出现在开路点，串联电容或电感对于在开路点处的第二频点F2的阻抗影响不大，而串联第四电容使第一频点F1的阻抗变化量较大，所以串联第四电容可实现位于开路点附近的第二频点F2的阻抗位置不变，远离开路点的第一频点F1的阻抗移动较多。如此，所述第二频点F2的阻抗与所述第一频点F1的阻抗在所述史密斯圆上的距离增大，以将阻抗曲线的曲线圈调整到预设参考曲线内，如图11。

以下结合附图对于谐振调谐电路20进行举例说明。

可选的，请参阅图31，所述谐振调谐单元21包括第一子电感L11、第一子电容C11。所述回正单元22包括第二子电感L12。所述第一子电感L11的一端电连接所述馈电点B。所述第一子电感L11的另一端电连接所述第二子电感L12。所述第一子电容C11的一端电连接所述第一子电感L11。所述第一子电容C11的另一端接地。所述第二子电感L12的另一端电连接所述信号源30。

所述第一辐射体10的阻抗线初始位于所述史密斯圆的第二象限中。所述第一子电感L11用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第一象限中。所述第一子电容C11用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第四象限中。所述第二子电感L12用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近。所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗皆位于所述预设参考曲线内。

请参阅图7，图7是本申请实施例提供的第一辐射体10的阻抗曲线的史密斯圆图。所述第一辐射体10的阻抗线初始位于所述史密斯圆的第二象限中。阻抗曲线的低频端点O1和高频端点O2皆在所述史密斯圆的第二象限。

请参阅图15，图15是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第一子电感L11之后的阻抗曲线的史密斯圆图。本实施方式中，第一子电感L11为12nH,第一子电感L11使高频端点O2沿史密斯圆顺时针移动路径更长，使高频端点O2的阻抗及低频端点O1的阻抗皆移动至第一象限。

请参阅图17，图17是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第一子电感L11之后再并联第一子电容C11之后的阻抗曲线的史密斯圆图。本实施方式中，第一子电容C11为4.5pF,第一子电容C11使高频端点O2沿史密斯圆顺时针移动路径更长，使高频端点O2的阻抗及低频端点O1的阻抗差异进一步增大，高频端点O2移动至第四象限，低频端点O1移动至第一象限并靠近于开路点的位置。此时，阻抗曲线形成曲线圈。

请参阅图17，图17是本申请实施例提供的第一辐射体10并联第一子电容C11之后及串联第二子电感L12之后的阻抗曲线的史密斯圆图。本实施方式中，第二子电感L12为23nH。此时，由于低频端点O1在开路点，串电感和电容对于低频点的阻抗基本无影响，故通过串较大的电感，让高频端点O2沿史密斯圆移动的路径更长，低频端点O1的位置基本不变，实现了将阻抗曲线移动至预设参考曲线内。此时，离横轴匹配中点(横轴为1)最近的频点为0.7GHz(第一频点F1)和0.77GHz(第二频点F2)。第一频点F1和第二频点F2之间的频段皆为阻抗匹配好、效率较好的频段，进而实现阻抗宽带化。

请参阅图9，图9是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始S参数曲线及第一辐射体10在第一辐射体10串联第一子电感L11、并联第一子电容C11及串联第二子电感L12之后的S参数曲线。曲线a是第一辐射体10的初始S参数曲线；曲线b是第一辐射体10在第一辐射体10串联第一子电感L11、并联第一子电容C11及串联第二子电感L12之后的S参数曲线。

从S曲线可知，第一辐射体10在初始状态下形成一个谐振，即第一谐振模式。谐振点约为0.72GHz。

第一辐射体10在串联第一子电感L11、并联第一子电容C11及串联第二子电感L12之后形成两个谐振，其中，一个谐振点约为0.7GHz，另一个谐振点约为0.77GHz，这两个谐振点所形成的连续频带为0.67-0.78GHz，该连续频带的S11参数皆小于-4dB。

从电容、电感对频段的作用的角度说明宽带化匹配原理：通过串电感，并电容，串电感，并电容…可以继续叠加，会增加谐振。具体原理在于，以史密斯圆中的阻抗变化为例，串电感，阻抗变化为jwL，其中，w为频率，L为电感值。因为高频的w更大，所以相对更高频点(后续简称高频点)的阻抗变化量高于相对更低频点(后续简称低频点)的变化量。而并电容之后的导纳变化为jwC，因为高频的w更大，相对更高频点的阻抗变化量高于相对更低频点的阻抗变化量。因此不断叠加，相对更高频点的阻抗相较于相对更低频点的阻抗变化更多。当史密斯圆图上实现高频点的阻抗多绕低频点的阻抗一圈后，即可增加新谐振。

同理，串电容的话，阻抗变化为1/jwC，低频点的阻抗变化更多；并电感的话，阻抗变化为1/jwL，低频点的阻抗变化更多。

可选的，请参阅图32，第一频点F1为0.72GHz和第二频点F2为0.95GHz，所述谐振调谐单元21包括第二子电容C12、第三子电容C13、第四子电容C14及第三子电感L13。所述回正单元22包括第五子电容C15。所述第二子电容C12的一端电连接所述馈电点B。所述第二子电容C12的另一端电连接所述第三子电容C13的一端。所述第三子电容C13的另一端接地。所述第四子电容C14与所述第三子电容C13并联形成目标带阻电路D1。所述目标带阻电路D1的一端电连接所述第三子电容C13的一端。所述目标带阻电路D1的另一端电连接所述第五子电容C15。所述第五子电容C15的另一端电连接所述信号源30。

所述第一辐射体10的阻抗线中所述第一频点F1的阻抗及所述第二频点F2的阻抗初始皆位于所述史密斯圆的第一象限中。所述第二频点F2的阻抗位于所述史密斯圆的开路点或与所述史密斯圆的开路点相邻。所述第二子电容C12用于调节所述第一频点F1的阻抗至所述史密斯圆中的第二象限。且所述第一频点F1的阻抗位于所述史密斯圆的短路点或与所述史密斯圆的短路点相邻。所述第三子电容C13用于将所述第二频点F2的阻抗调节至所述史密斯圆的第四象限中。所述目标带阻电路D1用于将所述第一频点F1的阻抗及所述第二频点F2的阻抗调节至所述史密斯圆的第一象限中。所述第五子电容C15用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近。所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗皆位于所述预设参考曲线内。

请参阅图27，图27是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始状态的史密斯圆图。可以明显看到，第一频点F1、第二频点F2均位于史密斯圆的第一象限，此时谐振只有一个，无法形成低频双谐振。由于第二频点F2位于开路点附近，因此此时串第二子电容C12，第一频点F1的阻抗变化更大，第二频点F2由于在开路点而基本不变，即可实现单独对第一频点F1位置进行调节。

请参阅图28，图28是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第二子电容C12之后的史密斯圆图。例如，第二子电容C12为2.2pF。第二子电容C12使第一频点F1的位置从第一象限移动至第二象限，且接近于短路点。由于第一频点F1位于短路点附近，此时并电容或电感对于第一频点F1的阻抗影响基本不动，故对第二频点F2的阻抗进行单独调整。

请参阅图24，图24是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第二子电容C12再并第三子电容C13之后的史密斯圆图。其中，第三子电容C13的电容值为2pF。第三子电容C13使第二频点F2的位置从第一象限移动至第四象限。

此时，进对第二频点F2(高频)调整，可以进一步串电感处理，串电感可使第二频点F2在史密斯圆上的移动路径更长。而串电感使第一频点F1也会移动较长的路径，第一频点F1移动过多，导致第一频点F1及第二频点F2无法皆移动至第一象限内。因此可在第三子电容C13之后串联带阻电路D1，带阻电路D1的谐振频点大于第二频点F2，例如带阻电路D1的谐振频点为1.3G。带阻电路D1在1.3G是开路，低于1.3G呈电感特性，高于1.3GHz呈电容特性。带阻电路D1对第一频点F1为低阻抗电感L01，带阻电路D1对第二频点F2为高阻抗电感L02，此时第二频点F2在史密斯圆图上的移动路径更长。因为第二频点F2在史密斯圆图上的移动路径为jw2L02，第一频点F1在史密斯圆图上的移动路径为jw1L01，其中，w2>w1,且L02>L01，可实现进一步大幅宽带化。

若串电感的话，第一频点F1所接收的电感量比较大，第一频点F1及第二频点F2在史密斯圆图上的移动路径皆较长，不利于第一频点F1及第二频点F2皆移动至第一象限中。

而带阻电路D1对于第一频点F1和第二频点F2呈电感特性，且电感量相对小，带阻对于第一频点F1和第二频点F2所等效的有效电感值不同，具体为L2>L1，如此，相当于对于第二频点F2而言是串相对较大的电感，第二频点F2的阻抗变化量大，对于第一频点F1而言是串相对较小的电感，低频第一频点F1的阻抗变化量小，第一频点F1与第二频点F2之间的阻抗变化量进一步地拉大，利于第一频点F1及第二频点F2皆移动至第一象限中。

请参阅图25，图25是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第二子电容C12再并第三子电容C13再串联带阻电路D1之后的史密斯圆图。带阻电路D1包括第四子电容C14及第三子电感L13。例如，第四子电容C14的电容值为1pF。第三子电感L13的电感值为15nH。带阻电路D1使第一频点F1、第二频点F2的位置皆移动至第一象限。

请参阅图11，图11是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第二子电容C12再并第三子电容C13再串联带阻电路D1再串联第四子电容C14之后的史密斯圆图。以上，第一频点F1和第二频点F2基本已经实现宽带化匹配，然后串联第四子电容C14将阻抗曲线调节到预设参考曲线内，或形成围绕匹配中心的曲线，实现阻抗曲线回正即可。

本实施例中，并电容、串电感均为高频调法，其中串电感还可以为串联带阻电路D1，其原理本质均是让高频点在史密斯圆图上走过更多的距离，实现宽带化匹配。可选的，高频调法中谐振调谐单元21的最小单位为两个元件。

类似地，串电容、并电感这种低频调法，其原理本质均是让低频点在史密斯圆图上走过更多的距离，实现宽带化匹配。可选的，低频调法中谐振调谐单元21的最小单位为两个元件。

从另一种角度，整个阻抗曲线像是一条鞋带，高频调法相当于把高频端点O2扯紧，进而牵动低频端点O1，甚至实现套圈，多套一圈，则多产生一个谐振。类似地，低频调法即是从低频端点O1把阻抗曲线扯紧并套圈。

可选的，请参阅图33，所述谐振调谐单元21包括第六子电容C16、第四子电感L14。所述回正单元22包括第五子电感L15，所述第六子电容C16的一端电连接所述馈电点B，所述第六子电容C16的另一端电连接所述第四子电感L14的一端，所述第四子电感L14的另一端接地。所述第五子电感L15的一端电连接所述第四子电感L14的一端，所述第五子电感L15的另一端电连接所述信号源30。

所述第六子电容C16用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第四象限中。所述第四子电感L14用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第四象限中。且所述第一频点F1的阻抗位于所述史密斯圆的短路点或与所述史密斯圆的短路点相邻。所述第五子电感L15用于将所述第一辐射体10的阻抗曲线的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近。所述第一频点F1的阻抗与所述第二频点F2的阻抗皆位于所述预设参考曲线内。

请参阅图19，图19是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始状态的史密斯圆图。可以明显看到，第一频点F1、第二频点F2均位于史密斯圆的第二象限。

请参阅图20，图20是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第六子电容C16之后的史密斯圆图。例如，第六子电容C16为2.2pF。第六子电容C16使第一频点F1、第二频点F2的位置从第二象限移动至第四象限。

请参阅图34，图34是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14之后的史密斯圆图。其中，第四子电感L14的电感值为47nH。第四子电感L14使第一频点F1的位置移动至第四象限靠近开路点的位置。

请参阅图35，图35是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14再串联第五子电感L15之后的史密斯圆图。第五子电感L15为28nH。以上，第一频点F1和第二频点F2基本已经实现宽带化匹配，然后串联第五子电感L15将阻抗曲线调节到预设参考曲线内，或形成围绕匹配中心的曲线，实现阻抗曲线回正即可。

请参阅图36，图36是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始S参数曲线及第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14再串联第五子电感L15之后的S参数曲线。曲线a是第一辐射体10的初始S参数曲线；曲线b是第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14再串联第五子电感L15之后的S参数曲线。

从S曲线可知，第一辐射体10在初始状态下形成一个谐振，即第一谐振模式。谐振点约为0.72GHz。

第一辐射体10在串联第六子电容C16再并第四子电感L14再串联第五子电感L15之后形成两个谐振，其中，一个谐振点约为0.66GHz，另一个谐振点约为0.76GHz，这两个谐振点所形成的连续频带为0.65-0.77GHz，该连续频带的S11参数皆小于-4dB。

请参阅图37，图37是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始状态的史密斯圆图。可以明显看到，高频点位于第四象限，低频点位于第一象限。

请参阅图38，图38是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第六子电容C16之后的史密斯圆图。例如，第六子电容C16为0.6pF。第六子电容C16使第一频点F1、第二频点F2移动至第四象限。

请参阅图39，图39是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14之后的史密斯圆图。其中，第四子电感L14的电感值为28nH。第四子电感L14使第一频点F1的位置移动至第四象限靠近开路点的位置。

请参阅图40，图40是谐振调谐电路20为串联第六子电容C16再并第四子电感L14再并联3pF电容及串联第五子电感L15的结构示意图。

请参阅图41，图41是本申请实施例提供的第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14再并联3pF电容及串联第五子电感L15之后的史密斯圆图。第五子电感L15为33nH。以上，第一频点F1和第二频点F2基本已经实现宽带化匹配，然后并联3pF电容及串联第五子电感L15将阻抗曲线调节到预设参考曲线内，或形成围绕匹配中心的曲线，实现阻抗曲线回正即可。

请参阅图42，图42是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始S参数曲线及第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14再并联3pF电容及串联第五子电感L15之后的S参数曲线。曲线a是第一辐射体10的初始S参数曲线；曲线b是第一辐射体10串联第六子电容C16再并第四子电感L14再并联3pF电容及串联第五子电感L15之后的S参数曲线。

从S曲线可知，第一辐射体10在初始状态下形成一个谐振，即第一谐振模式。谐振点约为0.72GHz。

第一辐射体10在串联第六子电容C16再并第四子电感L14再串联第五子电感L15之后形成两个谐振，其中，一个谐振点约为0.64GHz，另一个谐振点约为0.71GHz，这两个谐振点所形成的连续频带为0.62-0.72GHz，该连续频带的S11参数皆小于-4dB。

以上实施例中，串电容+并电感形成的两节元件为基础宽带化单元，实际应用中可在此基础上叠加，如串电容并电感串电容，串电容并电感串电容并电感等。本申请对此不做具体的限定，当然，处于本申请的发明构思的天线组件100皆属于本申请的保护范围内。

以串电容并电感串电容为例，第二个电容和第一个电容的电容值不做具体的限定，即第一个电容的电容值与第二个电容的电容值可相同或不同。

可选的，请参阅图43，所述信号源30还激励所述第一辐射体10上的馈电点B与所述第一接地端A之间形成支持第三频段的第三谐振模式。

所述第三频段包括但不限于为LB频段(小于1GHz)、MHB频段(1-3GHz)、UHB频段(大于3GHz)、Wi-Fi频段、GPS频段等中的至少一者。

第一辐射体10的馈电点B至第一自由端C的电长度接近于第三频段的第三频点的1/4波长。信号源30的激励信号在馈电点B至第一自由端C之间形成谐振，谐振的频点为第三频点，第三谐振模式为第三频段的1/4波长模式。第三谐振模式的电流从馈电点B流向第一自由端C。由于电流的周期性，第三谐振模式的电流还可以从第一自由端C流向馈电点B。

所述第三频段的中心频点大于所述第二频点F2。本实施方式形成三个谐振模式，天线组件100具有更多的工作频段，增加阻抗带宽。

请参阅图44，所述天线组件100还包括第二辐射体40。所述第二辐射体40还包括第二自由端D及第二接地端E。所述第二自由端D与所述第一自由端C之间形成耦合缝隙。第二辐射体40为第一辐射体10的寄生辐射体。所述信号源30还激励所述第二辐射体40形成支持第四频段的第四谐振模式。所述第四频段的中心频点大于所述第三频段的中心频点。第四谐振模式的电流分布于第二接地端E至第二自由端D之间。第二接地端E至第二自由端D的电长度接近于或为第四频段的中心频点的1/4波长，第四谐振模式的1/4波长模式。本实施方式提供的天线组件100形成四个谐振模式，天线组件100具有更多的工作频段，增加阻抗带宽。

在其他实施方式中，第二辐射体40的第二接地端E与第一自由端C之间形成耦合缝隙。第二自由端D位于第二接地端E背离所述第一自由端C的一侧。

进一步地，请参阅图45，所述谐振调谐单元21包括第六子电感L16、第七子电容C17、第七子电感L17、第八子电容C18。所述回正单元22包括第八子电感L18及第九子电容C19。所述第六子电感L16的一端电连接所述馈电点B。所述第六子电感L16的另一端接地。所述第七子电容C17的一端电连接所述馈电点B。所述第七子电感L17的一端电连接所述第七子电容C17的另一端。所述第七子电感L17的另一端接地。所述第八子电容C18的一端电连接所述第七子电感L17的一端。所述第八子电容C18的另一端电连接所述第八子电感L18的一端。所述第八子电感L18的另一端电连接所述信号源30。所述第九子电容C19的一端电连接所述第八子电感L18的另一端。所述第九子电容C19的另一端接地。

本申请实施例的谐振调谐单元21采用并电感串电容并电感串电容的形式实现宽带化匹配，回正单元22采用串电感并电容将阻抗匹配好。

请参阅图46，图46是本申请实施例提供的第一辐射体10的初始状态的史密斯圆图。可以明显看到，第二频点F2位于第二象限，第一频点F1位于第四象限。

请参阅图47，图47是本申请实施例提供的第一辐射体10并联第六子电感L16之后的史密斯圆图。例如，第六子电感L16为4.7nH。并联第六子电感L16使第一频点F1移动至第一象限。

请参阅图48，图48是本申请实施例提供的第一辐射体10并联第六子电感L16再串联第七子电容C17之后的史密斯圆图。其中，第七子电容C17的电容值为0.7pF。串联第七子电容C17使第一频点F1、第二频点F2的位置移动至第三象限。

请参阅图49，图49是本申请实施例提供的第一辐射体10并联第六子电感L16再串联第七子电容C17再并联第七子电感L17之后的史密斯圆图。其中，第七子电感L17的电感值为2.7nH。第七子电感L17使第一频点F1、第二频点F2的位置移动至第一象限。

请参阅图50，图50是本申请实施例提供的第一辐射体10并联第六子电感L16再串联第七子电容C17再并联第七子电感L17再串联第八子电容C18之后的史密斯圆图。其中，第八子电容C18的电容值为0.5pF。第八子电容C18使第一频点F1、第二频点F2的位置移动至第三象限。第一频点F1位于内部小圈，第二频点F2位于外部小圈。阻抗曲线中第二频点F2绕第一频点F1多一圈，以形成双谐振。

请参阅图51，图51是本申请实施例提供的天线组件100的S11曲线、效率图。曲线a是天线组件100的S11曲线。曲线b是天线组件100的辐射效率曲线。曲线c是天线组件100的总效率曲线。从S11曲线可以看出，天线组件100产生第一谐振模式(谐振点为图中点1)，天线组件100产生第二谐振模式(谐振点为图中点2)，天线组件100产生第三谐振模式(谐振点为图中点3)，天线组件100产生第四谐振模式(谐振点为图中点4)。所述第一目标频段覆盖B1频段。所述第二目标频段覆盖B41频段。所述第三频段及所述第四频段皆覆盖N78频段。

其中，史密斯图中图7、图8、图11、图12、图15、图17、图19、图20、图22、图24、图25、图27、图28、图30、图34、图35、图37、图38、图39、图41、图46、图47、图48、图49、图50中的横坐标从小至大依次为0、0.2、0.4、0.6、1、2、5、20。其中，史密斯图中图7、图8、图11、图12、图15、图17、图19、图20、图22、图24、图25、图27、图28、图30、图34、图35、图37、图38、图39、图41、图46、图47、图48、图49、图50中的外圆的坐标依次从小至大(顺时针方向)依次为-20i、-10i、-5i、-2i、-1i、-0.6i、-0.4i、-0.2i、0、0.2i、0.4i、0.6i、1i、2i、5i、20i。

请参阅图52，图52是本申请实施例提供的电子设备1000在自由空间、保护壳下的天线组件100的实测S11曲线、效率图。曲线a1是电子设备在自由空间的S11曲线。曲线a2是电子设备在保护壳下的S11曲线。曲线b1是电子设备在自由空间的辐射效率。曲线b2是电子设备在保护壳下的辐射效率。曲线c1是电子设备在自由空间的总效率。曲线c2是电子设备在保护壳下的总效率。由图52可知，采用宽带化匹配增加了模式和谐振，电子设备1000在自由空间、保护壳下的天线组件皆实现了多模式覆盖，实现宽带化。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (25)

1.一种天线组件，其特征在于，包括：

第一辐射体，包括依次设置的第一接地端、馈电点及第一自由端；

谐振调谐电路，所述谐振调谐电路包括谐振调谐单元及回正单元，所述谐振调谐单元的一端电连接所述馈电点，所述回正单元的一端电连接所述谐振调谐单元的另一端，所述谐振调谐单元用于增加第一目标频段与第二目标频段在史密斯圆图上的阻抗值之差，所述回正单元用于调谐所述第一目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差、所述第二目标频段的阻抗值与预设阻抗值之差皆小于或等于预设差值；及

信号源，所述信号源电连接所述回正单元的另一端，所述信号源激励所述第一辐射体的第一接地端与所述第一自由端之间形成支持所述第一目标频段的第一谐振模式，及激励所述第一辐射体上形成支持所述第二目标频段的第二谐振模式，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一接地端流向所述第一自由端，以及从所述馈电点流向所述第一自由端，所述第二目标频段的中心频点大于所述第一目标频段的中心频点。

2.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元中的至少一个元件用于调节所述第一目标频段的第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二目标频段的第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量；和/或，所述谐振调谐单元中的至少一个元件用于调节所述第二目标频段的第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一目标频段的第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。

3.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元还用于使所述第一辐射体的阻抗曲线形成至少一个曲线圈，所述第一频点的阻抗及所述第二频点的阻抗皆位于所述曲线圈上，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗相距大于或等于3/4所述曲线圈。

4.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，当所述第一目标频段与所述第二目标频段皆为LB频段时，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗之差在史密斯圆图上相距大于或等于3/4所述曲线圈周长；当所述第一目标频段与所述第二目标频段皆为MHB频段时，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗之差在史密斯圆图上相距大于或等于1个所述曲线圈周长。

5.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括至少一个第一电感，所述第一电感的一端电连接于所述馈电点，所述第一电感的另一端电连接所述信号源，所述第一电感用于调节所述第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。

6.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括至少一个第一电容，所述第一电容的一端电连接于所述馈电点，所述第一电容的另一端接地，所述第一电容用于调节所述第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。

7.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括至少一个第二电感，所述第二电感的一端电连接于所述馈电点，所述第二电感的另一端接地，所述第二电感用于调节所述第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。

8.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括至少一个第二电容，所述第二电容的一端电连接于所述馈电点，所述第二电容的另一端电连接所述信号源，所述第二电容用于调节所述第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。

9.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括至少一个带阻电路，所述带阻电路的一端电连接所述馈电点，所述带阻电路的另一端电连接所述信号源，所述带阻电路的谐振频点大于所述第二目标频段的谐振频点，所述带阻电路对所述第二目标频段的等效电感值大于所述带阻电路对所述第一目标频段的等效电感值，所述带阻电路使所述第二频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量大于所述第一频点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量。

10.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，当所述第一频点的阻抗、所述第二频点的阻抗中的一者位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述谐振调谐单元包括第一目标元件，所述第一目标元件的一端电连接所述馈电点，所述第一目标元件的另一端电连接所述信号源，所述第一目标元件用于调节所述第一频点的阻抗、所述第二频点的阻抗中相对远离所述史密斯圆中的开路点的一者在所述史密斯圆上的变化量，其中，当所述第一频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述第一目标元件为电感；当所述第二频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述第一目标元件为电容。

11.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，当所述第一频点的阻抗、所述第二频点的阻抗中的一者位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述谐振调谐单元包括第二目标元件，所述第二目标元件的一端电连接所述馈电点和所述信号源，所述第二目标元件的另一端接地，所述第二目标元件用于调节所述第一频点的阻抗、所述第二频点的阻抗中相对远离所述史密斯圆中的短路点的阻抗在所述史密斯圆上的变化量，其中，当所述第一频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述第二目标元件为电容；当所述第二频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述第二目标元件为电感。

12.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述预设阻抗值位于所述第一频点的阻抗值与所述第二频点的阻抗值之间，所述第一频点的阻抗值、所述预设阻抗值之差与所述第二频点的阻抗值、所述预设阻抗值之差相等。

13.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述回正单元还用于将所述第一辐射体的阻抗曲线的曲线圈的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗皆位于预设参考曲线内。

14.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，当所述谐振调谐单元中电连接所述回正单元的元件将所述第一频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述回正单元包括至少一个第三电容，所述第三电容的一端电连接所述谐振调谐单元与所述信号源，所述第三电容的另一端接地；或者，

当所述谐振调谐单元中电连接所述回正单元的元件将所述第一频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述回正单元包括至少一个第三电感，所述第三电感的一端电连接所述谐振调谐单元，所述第三电感的另一端电连接所述信号源；

所述回正单元用于调谐所述第二频点的阻抗变化量。

15.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，当所述谐振调谐单元中电连接所述回正单元的元件将所述第二频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的短路点时，所述回正单元包括至少一个第四电感，所述第四电感的一端电连接所述谐振调谐单元与所述信号源，所述第四电感的另一端接地；或者，

当所述谐振调谐单元中电连接所述回正单元的元件将所述第二频点的阻抗位于或相邻于所述史密斯圆中的开路点时，所述回正单元包括至少一个第四电容，所述第四电容的一端电连接所述谐振调谐单元，所述第四电容的另一端电连接所述信号源；

所述回正单元用于调谐所述第一频点的阻抗变化量。

16.如权利要求1-15任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述第一目标频段与所述第二目标频段形成连续频带，所述连续频带的宽带大于或等于1GHz。

17.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括第一子电感、第一子电容，所述回正单元包括第二子电感，所述第一子电感的一端电连接所述馈电点，所述第一子电感的另一端电连接所述第二子电感，所述第一子电容的一端电连接所述第一子电感，所述第一子电容的另一端接地，所述第二子电感的另一端电连接所述信号源；

所述第一辐射体的阻抗线初始位于所述史密斯圆的第二象限中，所述第一子电感用于将所述第一辐射体的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第一象限中，所述第一子电容用于将所述第一辐射体的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第四象限中，所述第二子电感用于将所述第一辐射体的阻抗曲线的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗皆位于所述预设参考曲线内。

18.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括第二子电容、第三子电容、第四子电容及第三子电感，所述回正单元包括第五子电容，所述第二子电容的一端电连接所述馈电点，所述第二子电容的另一端电连接所述第三子电容的一端，所述第三子电容的另一端接地，所述第四子电容与所述第三子电容并联形成目标带阻电路，所述目标带阻电路的一端电连接所述第三子电容的一端，所述目标带阻电路的另一端电连接所述第五子电容，所述第五子电容的另一端电连接所述信号源；

所述第一辐射体的阻抗线中所述第一频点的阻抗及所述第二频点的阻抗初始皆位于所述史密斯圆的第一象限中，所述第二频点的阻抗位于所述史密斯圆的开路点或与所述史密斯圆的开路点相邻，所述第二子电容用于调节所述第一频点的阻抗至所述史密斯圆中的第二象限，且所述第一频点的阻抗位于所述史密斯圆的短路点或与所述史密斯圆的短路点相邻，所述第三子电容用于将所述第二频点的阻抗调节至所述史密斯圆的第四象限中，所述目标带阻电路用于将所述第一频点的阻抗及所述第二频点的阻抗调节至所述史密斯圆的第一象限中，所述第五子电容用于将所述第一辐射体的阻抗曲线的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗皆位于所述预设参考曲线内。

19.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括第六子电容、第四子电感，所述回正单元包括第五子电感，所述第六子电容的一端电连接所述馈电点，所述第六子电容的另一端电连接所述第四子电感的一端，所述第四子电感的另一端接地，所述第五子电感的一端电连接所述第四子电感的一端，所述第五子电感的另一端电连接所述信号源；

所述第六子电容用于将所述第一辐射体的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第四象限中，所述第四子电感用于将所述第一辐射体的阻抗曲线调节至所述史密斯圆的第四象限中，且所述第一频点的阻抗位于所述史密斯圆的短路点或与所述史密斯圆的短路点相邻，所述第五子电感用于将所述第一辐射体的阻抗曲线的中心位于所述史密斯圆中的匹配中心或与所述史密斯圆中的匹配中心相邻近，所述第一频点的阻抗与所述第二频点的阻抗皆位于所述预设参考曲线内。

20.如权利要求13所述的天线组件，其特征在于，所述谐振调谐单元包括第六子电感、第七子电容、第七子电感、第八子电容，所述回正单元包括第八子电感及第九子电容，所述第六子电感的一端电连接所述馈电点，所述第六子电感的另一端接地，所述第七子电容的一端电连接所述馈电点，所述第七子电感的一端电连接所述第七子电容的另一端，所述第七子电感的另一端接地，所述第八子电容的一端电连接所述第七子电感的一端，所述第八子电容的另一端电连接所述第八子电感的一端，所述第八子电感的另一端电连接所述信号源，所述第九子电容的一端电连接所述第八子电感的另一端，所述第九子电容的另一端接地。

21.如权利要求1-15、17-20任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述第二谐振模式的谐振电流从所述第一接地端至所述第一自由端，以及从所述馈电点至所述第一自由端。

22.如权利要求1-15、17-20任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述信号源还激励所述第一辐射体上的馈电点与所述第一接地端之间形成支持第三频段的第三谐振模式，所述第三频段的中心频点大于所述第二频点。

23.如权利要求22所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件还包括第二辐射体，所述第二辐射体还包括第二自由端及第二接地端，所述第二自由端与所述第一自由端之间形成耦合缝隙，所述信号源还激励所述第二辐射体形成支持第四频段的第四谐振模式，所述第四频段的中心频点大于所述第三频段的中心频点。

24.如权利要求22所述的天线组件，其特征在于，所述第一目标频段覆盖B1频段，所述第二目标频段覆盖B41频段，所述第三频段及所述第四频段皆覆盖N78频段。

25.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-24任意一项所述的天线组件。