CN117279454A - 一种发光基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光基板及其制作方法，其中，发光基板包括：驱动基板；第一电极层，第一电极层与驱动基板电连接；发光层，位于第一电极层背离驱动基板的一侧；第二电极层，位于发光层背离第一电极层的一侧；像素定义层，位于第二电极层和驱动基板之间；像素定义层包括多个像素定义结构；多个辅助电极，位于第二电极层背离驱动基板一侧的表面；辅助电极在驱动基板上的正投影被像素定义结构在驱动基板上的正投影完全覆盖；多个限位结构，限位结构用于限制辅助电极的位置。各辅助电极与第二电极层并联，可以降低第二电极层的压降，有利于避免出现发光基板的出射光亮度不均的现象。

Description

一种发光基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示技术以其响应速度快、对比度高、色彩鲜艳的特点在显示领域得以广泛应用。顶发光式OLED显示装置需要采用透明导电材料作为OLED的阴极材料，如铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，简称IZO)等，以保证显示装置的出光效率，而对于大尺寸的OLED显示装置来说，通常会将阴极层整层设置，由于阴极层的面积较大会导致阴极层存在压降问题，因此容易出现显示装置亮度不均的现象。

发明内容

本发明提供了一种发光基板及其制作方法，用以降低OLED显示装置的阴极压降。

本发明一方面提供一种发光基板，包括：驱动基板；

第一电极层，所述第一电极层与所述驱动基板电连接；

发光层，位于所述第一电极层背离所述驱动基板的一侧；

第二电极层，位于所述发光层背离所述第一电极层的一侧；

像素定义层，位于所述第二电极层和所述驱动基板之间；所述像素定义层包括多个像素定义结构；

多个辅助电极，位于所述第二电极层背离所述驱动基板一侧的表面；所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影被所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖；

多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置。

本发明的一些实施例中，所述限位结构为设置于所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上的凹槽，所述辅助电极位于所述凹槽内。

本发明的一些实施例中，所述凹槽在所述第一方向上的横截面积逐渐增大或逐渐减小，所述第一方向为垂直于所述驱动基板且由所述衬底基板指向所述像素定义结构的方向。

本发明的一些实施例中，所述发光层覆盖各所述凹槽的表面，所述第二电极层覆盖所述发光层，各所述辅助电极位于所述第二电极层背离所述发光层的表面；

各所述凹槽内的所述发光层、所述第二电极层和所述辅助电极的厚度之和小于所述凹槽的深度。

本发明的一些实施例中，所述多个限位结构位于所述第二电极层背离所述发光层的一侧；所述限位结构采用有机材料：

所述发光层被所述像素定义层中的所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述限位结构在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影。

本发明的一些实施例中，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影与各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分；

或者，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影。

本发明的一些实施例中，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所述驱动基板上的正投影重合；

或者，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影覆盖所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所述驱动基板上的正投影，且所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分。

本发明的一些实施例中，各所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影图案与各所述限位结构在所述驱动基板上的正投影图案互补且相距设定距离。

本发明的一些实施例中，所述辅助电极采用的材料包括镁、铝、银中的一种；

所述限位结构采用的有机材料包括8-羟基喹啉锂。

本发明另一方面提供一种发光基板的制作方法，包括：

在驱动基板上形成第一导电材料层；

对所述第一导电材料层构图形成第一电极层；

在所述第一导电材料层上形成像素定义层；所述像素定义层包括多个像素定义结构；

在所述像素定义层和所述第一电极层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二电极层；

在所述第二电极层上形成多个辅助电极；所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影；所述发光基板还包括多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置。

本发明的一些实施例中，所述在所述第一导电材料层上形成多个像素定义结构后还包括：

在各所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上形成凹槽；所述凹槽构成所述限位结构，所述辅助电极位于所述凹槽内。

本发明的一些实施例中，所述在所述第二电极层上形成多个辅助电极之前还包括：

在所述第二电极层上形成多个限位结构；所述限位结构采用有机材料；所述发光层被所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述有机材料在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影；所述有机材料在所述驱动基板上的正投影图案与各所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影图案互补。

本发明有益效果如下：

本发明提供一种发光基板及其制作方法，其中，发光基板包括：驱动基板；第一电极层，第一电极层与驱动基板电连接；发光层，位于第一电极层背离驱动基板的一侧；第二电极层，位于发光层背离第一电极层的一侧；像素定义层，位于第二电极层和驱动基板之间；像素定义层包括多个像素定义结构；多个辅助电极，位于第二电极层背离驱动基板一侧的表面；辅助电极在驱动基板上的正投影被像素定义结构在驱动基板上的正投影完全覆盖；多个限位结构，限位结构用于限制辅助电极的位置。各辅助电极与第二电极层并联，可以降低第二电极层的压降，有利于避免出现发光基板的出射光亮度不均的现象。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的发光基板的截面示意图之一；

图2为本发明实施例提供的限位结构的结构示意图之一；

图3为本发明实施例提供的限位结构的结构示意图之二；

图4为本发明实施例提供的发光基板的俯视图之一；

图5为本发明实施例提供的发光基板的俯视图之二；

图6为本发明实施例提供的发光基板的截面示意图之二；

图7为本发明实施例提供的发光基板的制作方法流程图；

图8为有机蒸汽喷印工艺的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

OLED显示装置可以采用顶发光式发光基板作为光源，发光基板通常采用具有较高透明度的透明导电材料如IZO等作为OLED的阴极材料，用以保证其显示亮度。而对于大尺寸的OLED发光基板来说，通常会将阴极层整层设置，且阴极层的厚度设置得较薄，从而阴极层会具有较大的面电阻，这样会导致阴极层存在压降的问题，显示装置容易出现出光亮度不均的现象。

有鉴于此，本发明实施例提供一种发光基板，可以降低OLED阴极层的压降，使其出光亮度均匀。

图1为本发明实施例提供的发光基板的截面示意图之一。

如图1所示，本发明实施例提供的发光基板包括驱动基板10、第一电极层20、发光层30、第二电极层40、像素定义层50、多个辅助电极60和多个限位结构70。其中，第一电极层20与驱动基板10电连接，发光层30位于第一电极层20背离驱动基板10的一侧，第二电极层40位于发光层30背离第一电极层20的一侧，像素定义层50位于第二电极层40和驱动基板10之间，多个辅助电极60位于第二电极层40背离驱动基板10一侧的表面，各辅助电极60与第二电极层40的表面接触并与第二电极层40并联，可以减小第二电极层40的阻抗，从而降低第二电极层40的压降，使发光基板出射光的亮度更为均匀。

具体来说，驱动基板10可以采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)驱动基板，TFT驱动基板中包括多个TFT和电容等器件以及栅极信号线、源漏信号线等构成的驱动电路，用于向发光器件提供驱动信号，本发明实施例对驱动基板10中驱动电路的具体设置方式不做限定，可以根据具体需求进行设计。

第一电极层20可以采用金属材料制成，且第一电极层20具有与发光像素31相对应的电极图案，电极图案的各部分可以作为发光基板中各发光像素31的阳极，并且金属可以将入射至其表面的光线向发光基板的出光侧反射，提高光线的利用率。第一电极层20和驱动基板10之间还可以设置平坦层80，以便沉积导电材料和对其构图形成第一电极层20。

发光层30可以采用有机发光材料形成，本发明实施例中发光层30可以整层设置，发光层30出射白光，当发光基板应用于彩色显示装置时，可以在发光基板的出光侧设置彩膜基板将白光转换为不同颜色的光线出射。

第二电极层40采用具有较高透过率的导电材料形成，且第二电极层40整层设置以发光层30之上，可以作为各发光像素31的共阴极，发光基板为顶发光式结构。

像素定义层50中包括多个像素定义结构51，发光层30被像素定义层50中的多个像素定义结构51划分为多个阵列排布的发光像素31。上述彩膜基板中包括与多个发光像素31一一对应的彩色像素，以使各发光像素31出射的光线通过对应的彩色像素后可以转换为对应的颜色出射，实现彩色显示，彩色像素的具体颜色和排布方式可以根据具体需求设置，本发明实施例在此不做限定。像素定义层50可以防止不同颜色的光线之间发生串扰。

辅助电极60采用的材料可以包括镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等金属材料中的一种，辅助电极60可以为条状结构，其延伸方向可以根据需求设置，在此不做限定。为防止辅助电极60遮挡各发光像素31的出射光线，本发明实施例中辅助电极60在驱动基板10上的正投影被像素定义结构51在驱动基板10上的正投影完全覆盖，为此本发明实施例还在发光基板中设置多个限位结构70，限位结构70用于限制辅助电极60的位置。

图2为本发明实施例提供的限位结构的结构示意图之一；图3为本发明实施例提供的限位结构的结构示意图之二；图4为本发明实施例提供的发光基板的俯视图之一。

如图2和图3所示，本发明实施例中，限位结构可以为设置于像素定义结构51背离驱动基板10一侧的表面上的凹槽71，辅助电极60的覆盖范围被限制在像素定义结构51的凹槽71内，如图4所示，采用如图2或图3所示的凹槽71作为限位结构，辅助电极60在驱动基板10上的正投影与各发光像素31在驱动基板10上的正投影无重叠区域，从而辅助电极60不会遮挡其附近的发光像素31的出射光线。

如图2所示，在一些实施例中，像素定义结构51的凹槽71在第一方向X上的横截面积可以逐渐增大，其中，第一方向X为垂直于驱动基板10且由衬底基板指向像素定义结构51的方向，即凹槽71的形状为倒梯形，在具体实施时，倒梯形的顶角范围可以为110°～160°。本发明实施例中，辅助电极60可以采用喷印的方式形成于像素定义结构51的凹槽71内的第二电极层40之上，凹槽71侧面可以防止喷印过程中金属材料喷射出凹槽71之外。

或者，如图3所示，在一些实施例中，像素定义结构51的凹槽71在第一方向X上的横截面积可以逐渐减小，即凹槽71形状为正梯形，正梯形的顶角为钝角，从而在喷印形成辅助电极60的过程中金属材料的喷射范围可以被限制在凹槽71之内。

并且，本发明实施例中发光层30覆盖各凹槽71的表面，第二电极层40覆盖发光层30，各辅助电极60位于第二电极层40背离发光层30的表面，各凹槽71内的发光层30、第二电极层40和辅助电极60的厚度之和需要小于凹槽71的深度，在具体实施时，辅助电极60的厚度可以为100nm～500nm。

图5为本发明实施例提供的发光基板的俯视图之二。

如图1所示，在一些实施例中，多个限位结构70可以位于第二电极层40背离发光层30的一侧，此时限位结构70采用有机材料，限位结构70可以采用的有机材料包括8-羟基喹啉锂(Lip)、常见的电子注入层有机材料或者掺杂Li元素的n型电荷产生层(n-CGL)材料等。

有机材料形成的限位结构70在驱动基板10上的正投影至少覆盖各发光像素31在驱动基板10上的正投影，由于金属材料和有机材料之间具有相互排斥的特性，在第二电极层40上先形成有机材料制成的限位结构70，再形成金属辅助电极60，辅助电极60的覆盖范围可以被限制在各发光像素31的出光区域之外，以使发光基板具有较好的出光效率。如图5所示，由有机材料形成的各限位结构70在驱动基板10上的正投影与各辅助电极60在驱动基板10上的正投影无重叠区域。

如图1所示，限位结构70在驱动基板10上的正投影可以完全覆盖各像素定义结构51的侧表面在驱动基板10上的正投影，即有机材料完全覆盖各像素定义结构51的侧表面，对应的，辅助电极60在驱动基板10上的正投影可以与像素定义结构51背离驱动基板10一侧的表面在驱动基板10上的正投影重合，辅助电极60的覆盖范围被限制在像素定义结构51上表面的平坦区域内。

图6为本发明实施例提供的发光基板的截面示意图之二。

如图6所示，像素定义结构51整体可以为正梯形结构，限位结构70在驱动基板10上的正投影与各像素定义结构51的侧表面在驱动基板10上的正投影可以有重叠部分，即限位结构70覆盖像素定义结构51的侧表面的部分区域，对应的，辅助电极60在驱动基板10上的正投影可以覆盖像素定义结构51背离驱动基板10一侧的表面在驱动基板10上的正投影，且辅助电极60在驱动基板10上的正投影与像素定义结构51的侧表面在驱动基板10上的正投影可以有重叠部分。此时可以充分利用各像素定义结构51表面的空间，使辅助电极60可以具有较大的宽度，从而降低辅助电极60的电阻，增强其导电性能，有利于降低阴极阻抗，提高发光基板的发光性能。

在具体实施时，有机材料形成的限位结构70满足如下关系：

D1<D<D1+2*D2；

其中，D1表示发光像素31的宽度，D表示有机材料的宽度，D2表示像素定义结构51的宽度。基于上述关系，有机材料可以完全覆盖各发光像素31的出光区域，避免辅助电极60遮挡上述出光区域，影响出光效率。

参照图1、图5和图6，由于金属材料和有机材料的互斥特性，各辅助电极60在驱动基板10上的正投影图案与各有机材料形成的限位结构70在驱动基板10上的正投影图案可以互补且相距设定距离，二者的图案之间具有微小的缺口。在具体实施时，各辅助电极60和相邻的有机材料形成的限位结构70之间的距离为0.5μm～3μm。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种发光基板的制作方法。

图7为本发明实施例提供的发光基板的制作方法流程图。

如图7所示，本发明实施例提供的发光基板的制作方法可以包括如下步骤：

S1、在驱动基板上形成第一导电材料层；

S2、对第一导电材料层构图形成第一电极层；

S3、在第一导电材料层上形成像素定义层；

S4、在像素定义层和第一电极层上形成发光层；

S5、在发光层上形成第二电极层；

S6、在第二电极层上形成多个辅助电极。

参照图1～图6，具体来说，步骤S1中，可以先在驱动基板10上形成平坦层80，再在平坦形成第一导电材料层，以便后续对第一导电材料层进行构图，平坦层80可以采用绝缘材料形成。第一导电材料层可以采用金属材料，金属材料可以沉积于平坦层80之上，兼具导电和反射光线的功能。

步骤S2中可以采用图形化工艺形成第一电极层20，第一电极层20的图案与发光层30的各发光像素31相对应，可以作为各发光像素31的阳极。

步骤S3中像素定义层50包括多个像素定义结构51，像素定义结构51可以采用光敏聚酰亚胺(photosensitive polyimide，简称PSPI)等高分子有机材料，利用光刻工艺形成于第一电极层20之上，且像素定义结构51可以填充于第一电极层20图案的镂空区域内，使对应于不同发光像素31的阳极可以相互绝缘。

步骤S4中，发光层30可以采用有机发光材料，利用蒸镀工艺整层覆盖于像素定义层50和第一电极层20之上，发光层30可以被像素定义层50中的多个像素定义结构51划分为多个阵列排布的发光像素31。

步骤S5中，第二电极层40可以采用透明导电材料，利用溅射(sputtering，简称SPT)工艺形成于发光层30之上，第二电极层40整层设置且覆盖发光层30，作为各发光像素31的阴极，发光基板中的各发光像素31共用阴极。

步骤S6中，辅助电极60采用的材料可以包括镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等金属材料中的一种。辅助电极60在驱动基板10上的正投影被像素定义结构51在驱动基板10上的正投影完全覆盖。发光基板中还包括多个限位结构70，限位结构70用于限制辅助电极60的位置。辅助电极60的制作方法根据限位结构70的不同可以进行适应性调整。

参照图2和图3，在一些实施例中，限位结构70可以为设置于像素定义结构51背离驱动基板10一侧的表面上的凹槽71，此时在步骤S3和步骤S4之间还包括如下步骤：

S304、在各像素定义结构背离驱动基板一侧的表面上形成凹槽。

步骤S304中的凹槽71可以采用光刻工艺形成，或者，也可以在步骤S3中形成像素定义结构51时同时在各像素定义结构51背离驱动基板10一侧形成上述凹槽71。此时，步骤S6中形成辅助电极60的工艺可以参照有机蒸汽喷印工艺(Organic Vapor Jet Printing，简称OVJP)。

图8为有机蒸汽喷印工艺的流程示意图。

如图8所示，有机蒸汽喷印工艺将有机材料放置于密封、加热的容器1中，惰性气体2流动穿过上述容器，有机材料在高温下被汽化且经由加热的气体管3线输送至印刷头4，印刷头4包括可以在衬底上印刷平行线的喷射阵列5，从而印刷头4可以在衬底上印刷多个相互平行的条状有机材料膜层。

当限位结构70采用如图2和图3所示的凹槽71时，步骤S6中采用上述工艺，将金属材料放置于密封、加热的容器1中，当加热温度足够高时，金属材料可以被汽化，惰性气体2将金属材料传输至印刷头4，通过对印刷头上的喷射阵列5做适应性设计，可以将喷射阵列5控制在各凹槽71内部，从而印刷头4将金属材料喷印至上述凹槽71中的第二电极层40的表面，凹槽71的侧表面可以将金属材料的喷印范围限制在凹槽71内部以形成各辅助电极60。

参照图1和图6，在一些实施例中，限位结构70可以采用有机材料，有机材料在驱动基板10上的正投影至少覆盖各发光像素31在驱动基板10上的正投影，此时，在步骤S5和步骤S6之间还包括：

S506、在第二电极层上形成多个限位结构。

步骤S506中，形成限位结构70的有机材料可以采用8-羟基喹啉锂(Lip)、常见的电子注入层有机材料或者掺杂Li元素的n型电荷产生层(n-CGL)材料等，利用OVJP工艺形成于第二电极层40背离发光层30的一侧。步骤S6中，辅助电极60的材料可以采用镁、铝、银等金属材料中的一种，辅助电极60可以利用蒸镀、沉积或溅射等工艺形成，由于金属材料与有机材料之间的不共蒸的特性，二者相互排斥，从而各辅助电极60在驱动基板10上的正投影图案可以与有机材料在驱动基板10上的正投影图案互补，辅助电极60的材料被有机材料限制在设定的区域内。

本发明在形成辅助电极60之前形成限位结构70，从而将辅助电极60的覆盖范围限制在设定的区域内，避免辅助电极60遮挡发光层30出光区域的出射光线，并且采用OVJP工艺，不需要使用高精度的金属掩膜版(Fine Metal Mask，简称FMM)以及刻蚀金属的溶剂，工艺过程较简单，且降低了成本。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种发光基板，其特征在于，包括：

驱动基板；

第一电极层，所述第一电极层与所述驱动基板电连接；

发光层，位于所述第一电极层背离所述驱动基板的一侧；

第二电极层，位于所述发光层背离所述第一电极层的一侧；

像素定义层，位于所述第二电极层和所述驱动基板之间；所述像素定义层包括多个像素定义结构；

多个辅助电极，位于所述第二电极层背离所述驱动基板一侧的表面；所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影被所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖；

多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置。

2.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述限位结构为设置于所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上的凹槽，所述辅助电极位于所述凹槽内。

3.如权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述凹槽在所述第一方向上的横截面积逐渐增大或逐渐减小，所述第一方向为垂直于所述驱动基板且由所述衬底基板指向所述像素定义结构的方向。

4.如权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述发光层覆盖各所述凹槽的表面，所述第二电极层覆盖所述发光层，各所述辅助电极位于所述第二电极层背离所述发光层的表面；

各所述凹槽内的所述发光层、所述第二电极层和所述辅助电极的厚度之和小于所述凹槽的深度。

5.如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述多个限位结构位于所述第二电极层背离所述发光层的一侧；所述限位结构采用有机材料：

所述发光层被所述像素定义层中的所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述限位结构在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影。

6.如权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影与各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分；

或者，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影。

7.如权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所述驱动基板上的正投影重合；

或者，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影覆盖所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所述驱动基板上的正投影，且所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分。

8.如权利要求7所述的发光基板，其特征在于，各所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影图案与各所述限位结构在所述驱动基板上的正投影图案互补且相距设定距离。

9.如权利要求5～8任一项所述的发光基板，其特征在于，所述辅助电极采用的材料包括镁、铝、银中的一种；

所述限位结构采用的有机材料包括8-羟基喹啉锂。

10.一种发光基板的制作方法，其特征在于，包括：

在驱动基板上形成第一导电材料层；

对所述第一导电材料层构图形成第一电极层；

在所述第一导电材料层上形成像素定义层；所述像素定义层包括多个像素定义结构；

在所述像素定义层和所述第一电极层上形成发光层；

在所述发光层上形成第二电极层；

在所述第二电极层上形成多个辅助电极；所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影；所述发光基板还包括多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一导电材料层上形成多个像素定义结构后还包括：

在各所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上形成凹槽；所述凹槽构成所述限位结构，所述辅助电极位于所述凹槽内。

12.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二电极层上形成多个辅助电极之前还包括：

在所述第二电极层上形成多个限位结构；所述限位结构采用有机材料；所述发光层被所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述有机材料在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影；所述有机材料在所述驱动基板上的正投影图案与各所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影图案互补。