CN117268364A - 一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，包括宽谱光源芯片、耦合分光调制芯片、光电探测芯片和Sagnac光纤环模块，宽谱光源芯片产生线偏振光进入耦合分光调制芯片中进行调制，调制后的光束进入Sagnac光纤环模块环绕一周后返回耦合分光调制芯片中，并输出至光电探测芯片；耦合分光调制芯片用于分束和调制宽谱光源芯片的输出光，包括集成在同一块铌酸锂晶体上的耦合分束器和波导调制器，耦合分束器连接波导调制器。与现有技术相比，本发明能够实现光纤陀螺各分立光纤器件的集成化，缩小光纤陀螺的结构尺寸，避免分立光纤器件的熔接以及光纤光路的盘装，实现光纤陀螺的小型化，有利于提高光纤陀螺的零偏稳定性和精度。
Description
技术领域
本发明涉及光纤陀螺技术领域，尤其是涉及一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构。
背景技术
干涉式光纤陀螺(IFOG)是基于萨格奈克(Sagnac)效应的一种主流角速度传感器，是实现载体自主导航、定位和姿态的基础核心组件。作为武器系统重要的信息源和核心技术，光纤陀螺的高精度、宽动态和小体积对提高武器的精确打击能力起到了决定性的作用。在信息化条件下，现代战争对导航的需求与日俱增，光纤陀螺小型化要求愈发强烈，集成化微小型光纤陀螺在方案实现上能够充分发挥集成光学芯片的小尺寸和批量化生产的优势，大幅优化光纤陀螺的尺寸、重量、功耗和成本等综合性能，满足新一代航空航天高新装备对高精度、微小型陀螺惯性器件的迫切需求。
小型化光纤陀螺相比于普通保偏光纤陀螺的光路无需光纤连接各个分立的光学器件，减少了光纤熔接的复杂工艺要求，提高了光纤陀螺的零偏稳定性。目前，集成化光纤陀螺主要有两种类型：
一是部分光子集成，将部分原本分离的光学元件集成到一块或多块芯片上，通过直接耦合或少量光纤连接，获得更紧凑的结构。
例如中国专利CN102607550A光纤陀螺用集成光学收发模块，提出了在晶体一平面内通过掩膜工艺和质子交换的方法获得“双Y型”分束式波导结构，取代了闭环光纤陀螺结构中分立的光纤耦合器和Y波导集成光学器件，加速了光纤陀螺小型化的进程。但由于在同一平面内平铺刻蚀的“双Y型”结构，面积较大，且光源和探测器仍为分离的独立光器件。
又如中国专利CN1601226A光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法，该芯片将光源、探测器和3dB耦合器集成在同一InP基片上，有利于光纤陀螺光路的集成化，但Y波导仍为独立的单元光器件，需要通过光纤熔接连接，小型化还有待进一步提升。
二是全光子集成，将不同的分离光器件包括光源、Y波导、环、探测器等集成在同一芯片中，以减小器件体积，降低成本，实现规模化生产。但是，全光子集成有一个重要的共性问题，就是各种光器件对应的材料体系不同，使集成制造工艺极为复杂和困难。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，进一步缩小光路结构，提高光纤陀螺的零偏稳定性和精度。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，包括宽谱光源芯片、耦合分光调制芯片、光电探测芯片和Sagnac光纤环模块，所述宽谱光源芯片产生线偏振光进入耦合分光调制芯片中进行调制，调制后的光束进入Sagnac光纤环模块环绕一周后返回耦合分光调制芯片中，并输出至光电探测芯片；
所述耦合分光调制芯片用于分束和调制宽谱光源芯片的输出光，包括集成在同一块铌酸锂晶体上的耦合分束器和波导调制器，所述耦合分束器连接波导调制器。
进一步地，所述耦合分束器和波导调制器分别刻蚀在所述铌酸锂晶体的上下表面，所述铌酸锂晶体的一侧上下表面设有全反射膜层，所述耦合分束器和波导调制器的公共连接处经过所述全反射膜层。
进一步地，所述耦合分束器的输入端分别连接所述宽谱光源芯片和光电探测芯片，所述波导调制器的输出端连接所述Sagnac光纤环模块；
所述耦合分束器对接收到的线偏振光通过全反射膜层两次90度反射进入波导调制器，所述波导调制器将光束进行分束与调制送入所述Sagnac光纤环模块，在Sagnac光纤环模块中循环一周返回波导调制器中进行干涉，干涉后的光束由耦合分束器分束后，一束光输出至所述光电探测芯片中。
进一步地，所述铌酸锂晶体上还设有电极膜层，该电极膜层分别位于所述耦合分束器的输入端和所述波导调制器的输出端；
所述光电探测芯片将耦合分光调制芯片传输的光信号转换成电信号，并整形成阶梯波，作为调制信号施加于所述电极膜层上，所述调制信号与所述耦合分光调制芯片中的光信号形成闭环回路，用于实时检测和反馈补偿Sagnac光纤环模块中两束光信号相位，保证两束光干涉信号稳定。
进一步地，所述铌酸锂晶体的一侧设有光纤陪片，所述波导调制器通过所述光纤陪片连接所述Sagnac光纤环模块，所述光纤陪片与Sagnac光纤环模块的输入端直接耦合。
进一步地，所述宽谱光源芯片包括SLD半导体发光芯片、第一准直透镜、第一自聚焦透镜、线偏振膜和半导体制冷模块，所述SLD半导体发光芯片发出的宽谱光由第一准直透镜和第一自聚焦透镜准直成像后，经线偏振膜起偏后输出线偏振光，所述半导体制冷模块用于对整个宽谱光源芯片进行温度调控。
进一步地，所述光电探测芯片为掺铟砷化镓PIN管或光电二极管，用于将光信号转换为电信号。
进一步地，所述光电探测芯片还包括第二准直透镜和第二自聚焦透镜，所述所述波导调制器输出的光信号经过第二准直透镜和第二自聚焦透镜准直聚焦至所述掺铟砷化镓PIN管或光电二极管的探测面上。
进一步地，所述光电探测芯片还连接有信号处理模块，该信号处理模块用于对接收到的电信号进行整形，得到阶梯波信号。
进一步地，所述Sagnac光纤环模块为保偏或单偏振光纤按照四级、八级或十六极对称绕法缠绕并粘接而成的圆形或椭圆形光纤环。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
(1)小型化。耦合分光调制芯片是在同一块铌酸锂晶体上集成了耦合分束器、波导调制器、宽谱光源芯片和光电探测芯片，使得光路结构更加紧凑简单。
(2)高零偏稳定性和低零偏输出噪声。整个光路中只传输单一偏振态的线偏振光，无偏振态的演变。同时，光纤环的尾纤与耦合分光调制芯片的输出端直接耦合，无需熔接处理，不存在任何形式的偏振态交叉耦合，无熔接损耗与熔点散射，大大降低了陀螺的了零偏输出噪声和零偏极差。
附图说明
图1为本发明实施例中提供的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构的整体结构示意图；
图2为本发明实施例中提供的一种宽谱光源芯片的结构示意图；
图3为本发明实施例中提供的一种光电探测芯片的结构示意图；
图4为本发明实施例中提供的一种耦合分光调制芯片的光纤陪片的结构示意图；
图5为本发明实施例中提供的一种耦合分光调制芯片的铌酸锂波导模块结构示意图；
图中，1、宽谱光源芯片，11、SLD半导体发光芯片，12、第一准直透镜，13、第一自聚焦透镜，14、线偏振膜，15、半导体制冷模块，2、耦合分光调制芯片，21、耦合分束器，22、全反射膜层，23、波导调制器，24、电极膜层，25、光纤陪片，3、光电探测芯片，31、第二准直透镜，32、第二自聚焦透镜，33、PIN芯片，4、Sagnac光纤环模块。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
实施例1
参考图1所示，本实施例提供一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，包括宽谱光源芯片1、耦合分光调制芯片2、光电探测芯片3和Sagnac光纤环模块4，宽谱光源芯片1产生线偏振光进入耦合分光调制芯片2中进行调制，调制后的光束进入Sagnac光纤环模块4环绕一周后返回耦合分光调制芯片2中，并输出至光电探测芯片3；
耦合分光调制芯片2用于分束和调制宽谱光源芯片1的输出光，包括集成在同一块铌酸锂晶体上的耦合分束器21和波导调制器23，耦合分束器21连接波导调制器23。
耦合分束器21为质子交换而成的波导分束器，用于分束和干涉Sagnac光纤环模块中的两束单偏振光；
波导调制器23为质子交换而成的铌酸锂相位调制器，用于调制Sagnac光纤环模块中的两束单偏振光的相位延迟量；
耦合分束器21与波导调制器23在同一块铌酸锂晶体上刻蚀而成，波导结构数值孔径一致。
具体地，耦合分束器21和波导调制器23分别刻蚀在铌酸锂晶体的上下表面，铌酸锂晶体的一侧上下表面设有全反射膜层22，耦合分束器21和波导调制器23的公共连接处经过全反射膜层22。
耦合分束器21的输入端分别连接宽谱光源芯片1和光电探测芯片3，波导调制器23的输出端连接Sagnac光纤环模块4；
耦合分束器21对接收到的线偏振光通过全反射膜层22两次90度反射进入波导调制器23，波导调制器23将光束进行分束与调制送入Sagnac光纤环模块4，在Sagnac光纤环模块4中循环一周返回波导调制器23中进行干涉，干涉后的光束由耦合分束器21分束后，一束光输出至光电探测芯片3中。
铌酸锂晶体上还设有电极膜层24，该电极膜层24分别位于耦合分束器21的输入端和波导调制器23的输出端；
光电探测芯片3将耦合分光调制芯片2传输的光信号转换成电信号，并整形成阶梯波，作为调制信号施加于电极膜层24上，调制信号与耦合分光调制芯片2中的光信号形成闭环回路，用于实时检测和反馈补偿Sagnac光纤环模块4中两束光信号相位，保证两束光干涉信号稳定。
优选的，铌酸锂晶体的一侧设有光纤陪片25，波导调制器23通过光纤陪片25连接Sagnac光纤环模块4，光纤陪片25与Sagnac光纤环模块4的输入端直接耦合；光纤陪片与Sagnac光纤环模块两输入端形成直接耦合，避免了光纤的熔接损耗和偏振态的交叉耦合。
整体工作原理：
参考图1和图5所示，宽谱光源芯片产生单偏振宽谱连续光，该单偏振宽谱连续光由宽谱光源芯片输出，送至耦合分光调制芯片的输入端口(O2)正中心。该光信号经耦合分光调制芯片的耦合分束器传输至公共端口(I1)，后经相互垂直的两斜45°全反射膜层两次90°反射后进入波导调制器的输入端口(I2)以单偏振形态经耦合分光调制芯片的波导调制器调制后以分光比50％：50％分束，分别由互易性第一端口(P1)和第二端口(P2)进入Sagnac光纤环模块的互易性第一端口(Q1)和第二端口(Q2)且各自以顺时针和逆时针方式绕环一周输出至Sagnac光纤环模块的互易性第二端口(Q2)和第一端口(Q1)。然后，再次进入波导调制器的互易性第一端口(P2)和第二端口(P1)合束(合束比为50％：50％)干涉，干涉后又被以分光比50％：50％分束，该过程中两束光的偏振态仍为单偏振且保持着宽谱光源芯片输出光的偏振态。分束后的光由耦合分束器的输出端口O3输出至光电探测芯片转换成电信号，该电信号被处理成耦合分光调制芯片的调制信号，该调制信号施加于电极膜层上，用于实时反馈补偿Sagnac光纤环模块中两束单偏振光信号的相位，保证干涉信号稳定，使光纤陀螺实时输出角速率。
作为一种优选的实施方式，参考图2所示，宽谱光源芯片1包括SLD半导体发光芯片11、第一准直透镜12、第一自聚焦透镜13、线偏振膜14和半导体制冷模块15，SLD半导体发光芯片11发出的宽谱光由第一准直透镜12和第一自聚焦透镜13准直成像后，经线偏振膜14起偏后输出线偏振光，半导体制冷模块15用于对整个宽谱光源芯片1进行温度调控。
光电探测芯片用于探测Sagnac光纤环模块的两束光的干涉信号，可为一掺铟硅砷化镓PIN管或光电二极管，主要用于将两束光的干涉信号转换成电信号。
对于光电探测芯片3，为提升光束光路的稳定性，作为一种优选的实施方式，参考图3所示，光电探测芯片3还包括第二准直透镜31和第二自聚焦透镜32，波导调制器23输出的光信号经过第二准直透镜31和第二自聚焦透镜32准直聚焦至掺铟砷化镓PIN管或光电二极管的探测面上。
可选的，光电探测芯片3还连接有信号处理模块，该信号处理模块用于对接收到的电信号进行整形，得到阶梯波信号；信号处理模块可为一数字逻辑电路FPGA，其作用是对光电探测模块输出的电信号进行模数转换和阶梯波处理。
Sagnac光纤环模块4为保偏或单偏振光纤按照四级、八级或十六极对称绕法缠绕并粘接而成的圆形或椭圆形光纤环。
本方案中整个光路中的干涉光信号以单偏振形态在波导结构和光纤中传输调制，不需要光纤的对轴熔接，不存在任何形式的偏振态交叉耦合，Sagnac光纤环模块中温度梯度引起的折射率的变化微乎其微，可忽略不计。
耦合分光调制芯片是在同一块铌酸锂晶体上集成了耦合分束器、波导调制器、宽谱光源芯片和光电探测芯片，使得光路结构更加紧凑简单。
同时，干涉传输光路采用直接耦合，不需要熔接处理，避免了光纤熔接产生的损耗与熔点散射，大大降低了陀螺的了零偏输出噪声和零偏极差，保证了光纤陀螺的高精度和零偏稳定性。
将上述优选的实施方式进行任意组合可以得到更优的实施方式，下面对一种最优的实施方式进行具体描述。
本实施方式提供一种基于铌酸锂晶体的小型化光纤陀螺集成化光路，如图1所示，利于减小光纤陀螺的结构尺寸，避免分立光纤器件的熔接以及光纤光路的盘装，实现光纤陀螺的小型化，有利于提高光纤陀螺的零偏稳定性和精度。
本方案包括宽谱光源芯片1、耦合分光调制芯片2、光电探测芯片3、Sagnac光纤环模块4。其中，宽谱光源芯片1包括SLD半导体发光芯片11、第一准直透镜12、第一自聚焦透镜13、线偏振膜14和半导体制冷模块TEC15；耦合分光调制芯片2包括耦合分束器21、全反射膜层22、波导调制器23、电极膜层24和光纤陪片25；光电探测芯片3包括第二准直透镜31、第二自聚焦透镜32和PIN芯片33；Sagnac光纤环模块4是由保偏或单偏振光纤按照四级、八级或十六极对称绕法缠绕并粘接而成的一圆形或椭圆形光纤环。
SLD半导体发光芯片11输出波长1310nm的光信号经第一准直透镜12和第一自聚焦透镜13准直进入线偏振膜14产生线偏振光由O1端口输出，O1端口输出(即为宽谱光源芯片1的输出)的单偏振宽谱连续光以单偏振形态经耦合分光调制芯片2调制后以分光比50％：50％分束，两束光分别由互易性第一端口(P1)和第二端口(P2)进入Sagnac光纤环模块4的互易性第一端口(Q1)和第二端口(Q2)且各自以顺时针和逆时针方式绕环一周返回至Sagnac光纤环模块4的互易性第二端口(Q2)和第一端口(Q1)，耦合分光调制芯片2的互易性第一端口(P1)和第二端口(P2)与互易性第一端口(Q1)和第二端口(Q2)的面各自以10°和15°耦合；
如图4和5所示。接着，这两束光再次进入耦合分光调制芯片2的互易性第一端口(P2)和第二端口(P1)合束(合束比为50％：50％)干涉，干涉后又被以分光比50％：50％分束，分束后的干涉光信号由O4端口进入光电探测芯片3进行光电转换，如图3所示，该光信号经第二准直透镜31、第二自聚焦透镜32准直聚焦至PIN芯片33的探测面，上述过程中光的偏振态仍为单偏振且保持着宽谱光源芯片1输出的光偏振态。
半导体制冷模块TEC15为整个宽谱光源芯片11保持恒定的温度状态，使光源输出稳定的光功率和光谱，如图2所示。图2中的SLD半导体发光芯片11也可以是LED或LD发光芯片，第一准直透镜12和第一自聚焦透镜13也可为胶合透镜组，线偏振膜14可为多层化学膜或介质膜，亦可为一线偏振或偏振光栅。
如图5所示，耦合分光调制芯片2的耦合分束器21中的光信号经其公共端口I1通过全反射膜层22两次90度反射进入波导调制器23的输入端I2，后经波导调制器23进行分束与调制送入Sagnac光纤环模块4循环一周返回由质子交换的铌酸锂波导调制器23完成梳状波干涉，再次分束由质子交换的铌酸锂耦合分束器21完成。耦合分束器21分束后的光由耦合分光调制芯片2输出端口O3输出至光电探测芯片3转换成电信号，该电信号会被整形成阶梯波作为耦合分光调制芯片2的调制信号施加于电极膜层24上，该调制信号与耦合分光调制芯片2中的光信号形成闭环回路，用于实时检测和反馈补偿Sagnac光纤环模块4中两束光信号相位，保证两束光干涉信号稳定。
阶梯波调制时，相位调制波形总是以零为中心，施加到耦合分光调制芯片2上，在方波调制周期的两个相邻半周期上，光纤陀螺交替地工作在±π/2上，静态时不会产生零位偏移，即零偏稳定性好。
同时，该光纤陀螺光路使用了保偏或单偏光纤环与耦合分光调制芯片直接耦合，无需熔接处理，避免了光纤熔接产生的损耗与熔点散射，大大降低了陀螺的了零偏输出噪声和零偏极差。
由于整个光路中的干涉光信号以单偏振形态在光纤中传输调制，不存在任何形式的偏振态交叉耦合，Sagnac光纤环模块中温度梯度引起的折射率的变化微乎其微，可忽略不计，保证了光纤陀螺的高精度和零偏稳定性。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思做出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，包括宽谱光源芯片(1)、耦合分光调制芯片(2)、光电探测芯片(3)和Sagnac光纤环模块(4)，所述宽谱光源芯片(1)产生线偏振光进入耦合分光调制芯片(2)中进行调制，调制后的光束进入Sagnac光纤环模块(4)环绕一周后返回耦合分光调制芯片(2)中，并输出至光电探测芯片(3)；
所述耦合分光调制芯片(2)用于分束和调制宽谱光源芯片(1)的输出光，包括集成在同一块铌酸锂晶体上的耦合分束器(21)和波导调制器(23)，所述耦合分束器(21)连接波导调制器(23)。
2.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述耦合分束器(21)和波导调制器(23)分别刻蚀在所述铌酸锂晶体的上下表面，所述铌酸锂晶体的一侧上下表面设有全反射膜层(22)，所述耦合分束器(21)和波导调制器(23)的公共连接处经过所述全反射膜层(22)。
3.根据权利要求2所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述耦合分束器(21)的输入端分别连接所述宽谱光源芯片(1)和光电探测芯片(3)，所述波导调制器(23)的输出端连接所述Sagnac光纤环模块(4)；
所述耦合分束器(21)对接收到的线偏振光通过全反射膜层(22)两次90度反射进入波导调制器(23)，所述波导调制器(23)将光束进行分束与调制送入所述Sagnac光纤环模块(4)，在Sagnac光纤环模块(4)中循环一周返回波导调制器(23)中进行干涉，干涉后的光束由耦合分束器(21)分束后，一束光输出至所述光电探测芯片(3)中。
4.根据权利要求3所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述铌酸锂晶体上还设有电极膜层(24)，该电极膜层(24)分别位于所述耦合分束器(21)的输入端和所述波导调制器(23)的输出端；
所述光电探测芯片(3)将耦合分光调制芯片(2)传输的光信号转换成电信号，并整形成阶梯波，作为调制信号施加于所述电极膜层(24)上，所述调制信号与所述耦合分光调制芯片(2)中的光信号形成闭环回路，用于实时检测和反馈补偿Sagnac光纤环模块(4)中两束光信号相位，保证两束光干涉信号稳定。
5.根据权利要求2所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述铌酸锂晶体的一侧设有光纤陪片(25)，所述波导调制器(23)通过所述光纤陪片(25)连接所述Sagnac光纤环模块(4)，所述光纤陪片(25)与Sagnac光纤环模块(4)的输入端直接耦合。
6.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述宽谱光源芯片(1)包括SLD半导体发光芯片(11)、第一准直透镜(12)、第一自聚焦透镜(13)、线偏振膜(14)和半导体制冷模块(15)，所述SLD半导体发光芯片(11)发出的宽谱光由第一准直透镜(12)和第一自聚焦透镜(13)准直成像后，经线偏振膜(14)起偏后输出线偏振光，所述半导体制冷模块(15)用于对整个宽谱光源芯片(1)进行温度调控。
7.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述光电探测芯片(3)为掺铟砷化镓PIN管或光电二极管，用于将光信号转换为电信号。
8.根据权利要求7所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述光电探测芯片(3)还包括第二准直透镜(31)和第二自聚焦透镜(32)，所述所述波导调制器(23)输出的光信号经过第二准直透镜(31)和第二自聚焦透镜(32)准直聚焦至所述掺铟砷化镓PIN管或光电二极管的探测面上。
9.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述光电探测芯片(3)还连接有信号处理模块，该信号处理模块用于对接收到的电信号进行整形，得到阶梯波信号。
10.根据权利要求1所述的一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构，其特征在于，所述Sagnac光纤环模块(4)为保偏或单偏振光纤按照四级、八级或十六极对称绕法缠绕并粘接而成的圆形或椭圆形光纤环。
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| CN202310438896.0A CN117268364A (zh) | 2023-04-21 | 2023-04-21 | 一种基于铌酸锂晶体的光纤陀螺集成化光路结构 |
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| CN117723490A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-19 | 魅杰光电科技(上海)有限公司 | 一种晶圆检测系统及方法、宽谱相干光干涉自聚焦光路 |
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- 2023-04-21 CN CN202310438896.0A patent/CN117268364A/zh active Pending
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