CN117202714A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，包括：基板，包括显示区域以及位于所述显示区域的外侧的周边区域；驱动电压输入部，配置在所述周边区域中；公共电压输入部，配置在所述周边区域中，被配置成与所述驱动电压输入部间隔开；信号布线部，包括与所述驱动电压输入部及所述公共电压输入部重叠的多个扇出布线；第一虚设布线部，位于所述信号布线部的外侧，包括与所述驱动电压输入部重叠的多个第一虚设布线；以及第二虚设布线部，位于所述信号布线部的外侧，包括与所述公共电压输入部重叠的多个第二虚设布线。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及显示装置。
背景技术
通常，如有机发光显示装置这样的显示装置为了控制发光二极管的亮度等而在显示区域中配置晶体管。晶体管利用传递的数据信号、驱动电压和公共电压来进行控制使得从对应的发光二极管射出具有预定颜色的光。
在显示区域的外侧的周边区域中设置用于将要施加到这种位于显示区域内的发光二极管或晶体管的电信号的布线。为了确认这种布线的缺陷，执行利用视觉相机的自动光学检查(automated optical inspection)。
发明内容
但是，这种现有技术的显示装置中，显示装置的彼此不同的层所包括布线被层叠，从而会产生阴影差异，由此存在在自动光学检查步骤中产生检测错误的问题。本发明用于解决包括如上所述的问题在内的各种问题，其目的在于，提供一种包括用于减少在自动光学检查步骤中产生的检测错误的虚设布线结构的显示装置。但是，这些课题是例示，并不由此限制本发明的范围。
根据本发明的一观点，提供一种显示装置，包括：基板，包括显示区域以及位于所述显示区域的外侧的周边区域；驱动电压输入部，配置在所述周边区域中；公共电压输入部，配置在所述周边区域中，被配置成与所述驱动电压输入部间隔开；信号布线部，包括与所述驱动电压输入部及所述公共电压输入部重叠的多个扇出布线；第一虚设布线部，位于所述信号布线部的外侧，包括与所述驱动电压输入部重叠的多个第一虚设布线；以及第二虚设布线部，位于所述信号布线部的外侧，包括与所述公共电压输入部重叠的多个第二虚设布线。
作为一实施例，可以是，所述第一虚设布线部和所述第二虚设布线部被配置成间隔开。
作为一实施例，可以是，在平面上，所述第一虚设布线部位于所述驱动电压输入部的内侧。
作为一实施例，可以是，所述多个扇出布线位于扇出区域中，所述多个扇出布线在所述扇出区域的与所述显示区域相邻的第一边缘处以第一间隔被相互间隔开，在所述扇出区域的与所述第一边缘相向的第二边缘处以第二间隔被相互间隔开，所述第一间隔比所述第二间隔宽。
作为一实施例，可以是，使所述多个第二虚设布线分别延伸的多个虚拟延伸线平行于所述多个扇出布线之中位于最外廓的扇出布线。
作为一实施例，可以是，显示装置还包括：半导体层，配置在所述显示区域上；以及缓冲层，位于所述半导体层的下部，所述第一虚设布线部和所述第二虚设布线部位于所述基板与所述缓冲层之间。
作为一实施例，可以是，显示装置还包括：半导体层，配置在所述显示区域上；栅极绝缘膜，配置在所述半导体层上；以及层间绝缘膜，配置在所述栅极绝缘膜上，所述第一虚设布线部和所述第二虚设布线部位于所述栅极绝缘膜与所述层间绝缘膜之间。
作为一实施例，可以是，所述第一虚设布线与所述驱动电压输入部电连接。
作为一实施例，可以是，所述第二虚设布线与所述公共电压输入部电连接。
作为一实施例，可以是，所述驱动电压输入部和所述公共电压输入部被设置为多个，多个所述驱动电压输入部和多个所述公共电压输入部沿着第一方向被交替地配置。
前述以外的其他侧面、特征和优点通过以下的附图、权利要求书以及发明的详细说明会变得明确。
(发明效果)
根据如上所述那样构成的本发明的一实施例，可以在不追加单独工序的同时减少在自动光学检查步骤中产生的检测错误。当然，并不是通过这些效果来限定本发明的范围。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的立体图。
图2是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的各子像素的剖视图。
图3表示图2的色变换-透过层的各光学部。
图4是表示本发明的一实施例涉及的显示装置所包括的发光二极管以及与发光二极管电连接的子像素电路的等效电路图。
图5是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
图6是放大表示图5的Ⅰ区域的平面图。
图7和图8是示意性表示本发明的一实施例涉及的信号布线部、第一虚设布线部和第二虚设布线部的配置的平面图。
图9是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一部分的平面图。
图10是放大表示图9的Ⅲ区域的平面图。
图11是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一部分的剖视图。
图12和图13是示意性表示本发明的实施例涉及的显示装置的一部分的剖视图。
图14是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一部分的平面图。
图15是示意性表示沿着图14的Ⅴ-Ⅴ′线截取的截面的剖视图。
符号说明：
100：基板；110：公共电压输入部；120：驱动电压输入部；130：信号布线部；140：第一虚设布线部；150：第二虚设布线部；200：电路层；300：发光二极管层；400：封装层；500：色变换-透过层；600：颜色层；700：透光性基材层。
具体实施方式
本发明可以具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例，并在此进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以各种形态实现本发明。
以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成元件赋予相同的符号，省略对其的重复说明。
在本说明书中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成元件区别于其他构成元件而使用。
在本说明书中，单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。
在本说明书中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成元件的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成元件的附加可能性。
在本说明书中，膜、区域、构成元件等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成元件等的情况。
在本说明书中，膜、区域、构成元件等被连接时，不仅包括膜、区域、构成元件被直接连接的情况，和/或，还包括在膜、区域、构成元件之间夹设其他膜、区域、构成元件而被间接连接的情况。例如，在本说明书中，膜、区域、构成元件等被电连接时，表示膜、区域、构成元件等被直接电连接的情况和/或在其间夹设膜、区域、构成元件等而被间接电连接的情况。
在本说明书中，“A和/或B”表示是A、或者是B、或者是A和B的情况。此外，“A和B中的至少一个”表示是A、或者是B、或者是A和B的情况。
在本说明书中，x轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的更宽泛的意义。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，但是也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
在本说明书中，在某一实施例可以以不同方式实现的情况下，特定的工序顺序也可以与所说明的顺序不同地被执行。例如，连续说明的两个工序实质上可以同时被执行，也可以以与所说明的顺序相反的顺序被执行。
在附图中，为了便于说明，构成元件其大小可能会有所放大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而任意示出的，本发明并不一定限于图示的情况。
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的立体图。
参照图1，显示装置DV可以包括显示区域DA以及显示区域DA的外侧的非显示区域NDA。
显示装置DV可以通过在显示区域DA中以二维方式排列在平面上的多个子像素的阵列来提供图像。多个子像素可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb分别是射出红色、绿色和蓝色的光的区域，显示装置DV可以利用从多个子像素射出的光来提供图像。
非显示区域NDA是不提供图像的区域，可以包围整个显示区域DA。在非显示区域NDA中可以配置用于向多个子像素电路提供电信号或电源的驱动器或电压布线。非显示区域NDA可以包括作为能够与电子元件或印刷电路基板电连接的区域的焊盘。
显示区域DA可以具有多边形的形状。例如，如图1所示，显示区域DA可以具有横向(例如，x方向)的长度大于纵向(例如，y方向)的长度的矩形形状。或者，显示区域DA也可以具有横向的长度小于纵向的长度的矩形形状或者正方形形状。或者，显示区域DA可以具有如椭圆或圆形这样的各种形状。此外，z方向可以表示显示装置DV的厚度方向。
图2是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的各子像素的剖视图。
参照图2，显示装置DV可以包括基板100上的电路层200。电路层200可以包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3，第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3分别可以与发光二极管层300的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2及第三发光二极管LED3电连接。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以包括含有有机物的有机发光二极管。作为其他实施例，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以包括含有无机物的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括含有基于无机物半导体的材料的PN结二极管。若向PN结二极管在正向上施加电压，则空穴和电子可以被注入，可以将通过其空穴与电子的复合产生的能量变换为光能来射出预定颜色的光。前述的无机发光二极管可以具有几微米～数百微米或几纳米～数百纳米的宽度。在一些实施例中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以是包括量子点的发光二极管。如前所述，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的发光层可以包括有机物、包括无机物、包括量子点、包括有机物和量子点、或者包括无机物和量子点。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以射出同一颜色的光。例如，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以射出属于第一波段的波长的光(例如，蓝色光Lb)。第一波段可以是约450nm至约495nm。从第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3射出的光(例如，蓝色光Lb)可以经过发光二极管层300上的封装层400而通过色变换-透过层500。
色变换-透过层500可以包括变换从发光二极管层300射出的光(例如，蓝色光Lb)的颜色或者不将其变换而是使其透过的光学部。例如，色变换-透过层500可以包括将从发光二极管层300射出的光(例如，蓝色光Lb)变换为其他颜色的光的色变换部以及对从发光二极管层300射出的光(例如，蓝色光Lb)不进行色变换而是使其透过的透过部。色变换-透过层500可以包括与红色子像素Pr对应的第一色变换部510、与绿色子像素Pg对应的第二色变换部520以及与蓝色子像素Pb对应的透过部530。第一色变换部510可以将属于第一波段的波长的光(例如，蓝色光Lb)变换为属于第二波段的波长的光(例如，红色光Lr)。第二波段可以是约630nm至约780nm。第二色变换部520可以将属于第一波段的波长的光(例如，蓝色光Lb)变换为属于第三波段的波长的光(例如，绿色光Lg)。第三波段可以是约495nm至约570nm。透过部530可以不变换属于第一波段的波长的光(例如，蓝色光Lb)而是使其通过。当然，本发明并不限于此，色变换-透过层500变换的从发光二极管层300射出的光(例如，蓝色光Lb)所属的波段和变换后的波长所属的波段可以与上述的方式不同地被变形。
颜色层600可以配置在色变换-透过层500上。颜色层600可以包括彼此不同的颜色的第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630。例如，第一滤色器610可以是仅使属于约630nm至约780nm的波长的光通过的红色过滤器。第二滤色器620可以是仅使属于约495nm至约570nm的波长的光通过的绿色过滤器。第三滤色器630可以是仅使属于约450nm至约495nm的波长的光通过的蓝色过滤器。
在一实施例中，在第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630之间可以根据需要而设置黑色矩阵。在其他实施例中，第一滤色器610可以具有与绿色子像素Pg及蓝色子像素Pb对应的开口，第二滤色器620可以具有与红色子像素Pr及蓝色子像素Pb对应的开口，第三滤色器630可以具有与红色子像素Pr及绿色子像素Pg对应的开口。在与红色子像素Pr、绿色子像素Pg及蓝色子像素Pb分别对应的开口以外的区域中第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630重叠的部分可以起到如黑色矩阵的作用。
由色变换-透过层500色变换的光和透过了色变换-透过层500的光分别可以通过第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630的同时提高色纯度。此外，颜色层600可以防止或最小化外部的光(例如，从显示装置DV的外部朝向显示装置DV入射的光)被反射而被使用者识别出的情况。
在颜色层600上可以包括透光性基材层700。透光性基材层700可以包括玻璃或透光性有机物。例如，透光性基材层700可以包括如丙烯酸系树脂这样的透光性有机物。
作为一实施例，透光性基材层700是一种基板，可以在透光性基材层700上形成颜色层600和色变换-透过层500之后一体化为色变换-透过层500与封装层400相向。
作为其他实施例，可以在封装层400上依次形成色变换-透过层500和颜色层600之后在颜色层600上直接涂敷或固化透光性基材层700来形成。作为部分实施例，可以在透光性基材层700上配置其他光学性膜(例如，AR(anti-reflection，防反射)膜等)。
具有前述的结构的显示装置DV可以包括如电视机、广告板、影院用屏幕、监视器、平板PC、笔记本等这样能够显示动态图像或静态图像的电子设备。
图3表示图2的色变换-透过层的各光学部。
第一色变换部510可以将入射的蓝色光Lb变换为红色光Lr。如图3所示，第一色变换部510可以包括第一感光性聚合物1151以及分散在第一感光性聚合物1151中的第一量子点1152和第一散射粒子1153。
第一量子点1152可以被蓝色光Lb激活而各向同性地射出具有比蓝色光Lb的波长长的波长的红色光Lr。第一感光性聚合物1151可以是具有透光性的有机物质。
量子点可以表示半导体化合物的结晶，包括根据结晶的大小而能够射出各种发光波长的光的任意的物质。这种量子点的直径例如大致可以是1nm至10nm。
量子点可以通过湿式化学工序、有机金属化学沉积工序、分子束外延工序或者与此类似的工序等来合成。湿式化学工序是混合有机溶剂和前驱体物质之后使它们生长为量子点粒子结晶的方法。湿式化学工序的情况下，在结晶生长时，有机溶剂自然地起到配位在量子点结晶表面的分散剂的作用，调节结晶的生长，因此比起有机金属化学沉积(MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或分子束外延(MBE，Molecular BeamEpitaxy)等气相沉积法更容易。同时，湿式化学工序的情况下，其工序费用低，同时可以控制量子点粒子的生长。
这种量子点可以包括III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素、化合物或者它们的任意组合。
作为III-VI族半导体化合物的例，可以包括如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2Se3或InTe等这样的二元化合物、如InGaS3或InGaSe3等这样的三元化合物、或者它们的任意组合。
作为II-VI族半导体化合物的例，可以包括如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS等这样的二元化合物、如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS等这样的三元化合物、如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe等这样的四元化合物、或者它们的任意组合。
作为III-V族半导体化合物的例，可以包括如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb等这样的二元化合物、如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb等这样的三元化合物、如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb等这样的四元化合物、或者它们的任意组合。另一方面，III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。作为还包括II族元素的III-V族半导体化合物的例，可以包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP等。
作为I-III-VI族半导体化合物的例，可以包括如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2等这样的三元化合物、或者它们的任意组合。
作为IV-VI族半导体化合物的例，可以包括如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe等这样的二元化合物、如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe等这样的三元化合物、如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe等这样的四元化合物、或者它们的任意组合。
IV族元素或化合物可以包括如Si或Ge等这样的单一元素化合物、如SiC或SiGe等这样的二元化合物、或者它们的任意组合。
如二元化合物、三元化合物和四元化合物这样的多元素化合物所包括的各个元素可以以均匀的浓度或不均匀的浓度存在于粒子内。
另一方面，量子点可以具有该量子点所包括的各个元素的浓度均匀的单一结构或芯体-壳体的双重结构。例如，芯体所包括的物质和壳体所包括的物质可以彼此不同。量子点的壳体可以执行用于防止芯体的化学变性来维持半导体特性的保护层的作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。壳体可以是单层或多层。芯体与壳体的界面可以具有存在于壳体中的元素的浓度越是朝向中心变得越低的浓度梯度(gradient)。
作为量子点的壳体的例，可以列举金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合等。作为金属或非金属的氧化物的例，可以包括如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO等这样的二元化合物、如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4等这样的三元化合物、或者它们的任意组合。作为半导体化合物的例，如前所述那样可以包括III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或者它们的任意组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或者它们的任意组合。
量子点可以具有约45nm以下(具体在约40nm以下，更具体在约30nm以下)的发光波长光谱的半值全宽(full width of half maximum，FWHM)，在该范围内，可以提高色纯度或色再现性。此外，通过这种量子点发出的光在所有方向上被射出，因此可以提高光视角。
此外，量子点的形态具体可以是球形、金字塔形、多枝形(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板状粒子等形态。
通过调节这种量子点的大小，可以调节能量带隙，因此可以从量子点发光层获得各种波段的光。因此，通过使用彼此不同大小的量子点，可以实现射出各种波长的光的发光元件。具体而言，量子点的大小可以选择为射出红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，量子点的大小可以构成为结合各种颜色的光来射出白色光。
第一散射粒子1153可以散射未被第一量子点1152吸收的蓝色光Lb来激活更多的第一量子点1152，从而增加色变换效率。第一散射粒子1153例如可以是金属氧化物粒子或有机粒子。作为散射粒子用金属氧化物可以列举钛氧化物(TiO2)、锆氧化物(ZrO2)、铝氧化物(Al2O3)、铟氧化物(In2O3)、锌氧化物(ZnO)或锡氧化物(SnO2)等，作为散射粒子用有机物可以列举丙烯酸系树脂或氨基甲酸乙酯系树脂等。散射粒子可以实质上不变换入射光的波长的同时与入射角无关地朝向各个方向散射光。由此，散射粒子可以提高显示装置DV的侧面识别性。
第二色变换部520可以将入射的蓝色光Lb变换为绿色光Lg。如图3所示，第二色变换部520可以包括第二感光性聚合物1161以及分散在第二感光性聚合物1161中的第二量子点1162和第二散射粒子1163。
第二量子点1162可以被蓝色光Lb激活而各向同性地射出具有比蓝色光Lb的波长长的波长的绿色光Lg。第二感光性聚合物1161可以是具有透光性的有机物质。
第二散射粒子1163可以散射未被第二量子点1162吸收的蓝色光Lb来激活更多的第二量子点1162，从而增加色变换效率。对于第二量子点1162和第二散射粒子1163可以分别适用对于前述的第一量子点1152和第一散射粒子1153的说明，因此省略对于第二量子点1162和第二散射粒子1163的说明。
作为部分实施例，第一量子点1152可以是与第二量子点1162相同的物质。在该情况下，第一量子点1152的大小可以大于第二量子点1162的大小。
透过部530可以不变换入射至透过部530的蓝色光Lb，而是使蓝色光Lb透过。因此，透过部530不具有量子点。如图3所示，透过部530可以包括第三散射粒子1173以及分散有第三散射粒子1173的第三感光性聚合物1171。第三感光性聚合物1171例如可以是如硅酮树脂、环氧树脂等具有透光性的有机物质，可以是与第一感光性聚合物1151及第二感光性聚合物1161相同的物质。第三散射粒子1173可以使蓝色光Lb散射来将其射出，可以是与第一散射粒子1153及第二散射粒子1163相同的物质。
图4是表示本发明的一实施例涉及的显示装置所包括的发光二极管以及与发光二极管电连接的子像素电路的等效电路图。图4所示的子像素电路PC可以分别相当于在前参照图2说明的第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3，图4的发光二极管LED可以分别相当于在前参照图2说明的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
参照图4，发光二极管LED的第一电极(例如，像素电极)可以与子像素电路PC连接，发光二极管LED的第二电极(例如，对置电极)可以与参照图5后述的公共电压线电连接而接收公共电压ELVSS。发光二极管LED可以以与从子像素电路PC供给的电流量相应的亮度发光。
子像素电路PC可以与数据信号对应地控制流过发光二极管LED的电流量。子像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3以及储能电容器Cst。
第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3分别可以是包括由氧化物半导体构成的半导体层的氧化物半导体晶体管、或者包括由多晶硅构成的半导体层的硅半导体晶体管。根据晶体管的类型，晶体管的第一电极可以是源电极和漏电极之中的一个，晶体管的第二电极可以是源电极和漏电极之中的另一个。
第一晶体管M1可以是驱动晶体管。第一晶体管M1的第一电极可以与供给驱动电压ELVDD的驱动电压线PL连接，第一晶体管M1的第二电极可以与发光二极管LED的第一电极连接。第一晶体管M1的栅电极可以与第一节点N1连接。第一晶体管M1可以与第一节点N1的电压对应地控制从驱动电压ELVDD流向发光二极管LED的电流量。
第二晶体管M2可以是开关晶体管。第二晶体管M2的第一电极可以与数据线DL连接，第二晶体管M2的第二电极可以与第一节点N1连接。第二晶体管M2的栅电极可以与扫描线SL连接。第二晶体管M2可以在向扫描线SL供给扫描信号时被接通，从而电连接数据线DL与第一节点N1。
第三晶体管M3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管M3的第一电极可以与第二节点N2连接，第三晶体管M3的第二电极可以与感测线ISL连接。第三晶体管M3的栅电极可以与控制线GCL连接。
储能电容器Cst可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。例如，储能电容器Cst的第一电容器电极可以与第一晶体管M1的栅电极连接，储能电容器Cst的第二电容器电极可以与发光二极管LED的第一电极连接。
在图4中以NMOS示出了第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3，但是本发明并不限于此。例如，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3之中的至少一个可以由PMOS形成。
在图4中示出了三个晶体管，但是本发明并不限于此。子像素电路PC可以包括四个以上的晶体管。
图5是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
如在前参照图1说明的那样，显示装置DV可以包括配置多个子像素的显示区域DA以及显示区域DA的外侧的非显示区域NDA。非显示区域NDA是不提供图像的区域，可以配置有用于向子像素电路PC(参照图4)提供电信号或电源的驱动器或电压布线，可以包括作为能够与电子元件或印刷电路基板电连接的区域的焊盘PAD。
参照图5，公共电压输入部110、驱动电压输入部120和焊盘PAD可以位于与显示区域DA的第一边缘E1相邻的非显示区域NDA中。
公共电压输入部110可以沿着显示区域DA的第一边缘E1而被设置为多个。与此关联地，在图5中，示出了在显示区域DA的第一边缘E1的两侧端部分别配置第一公共电压输入部110a和第二公共电压输入部110b且沿着第一边缘E1相互间隔开来配置第三公共电压输入部110c、第四公共电压输入部110d、第五公共电压输入部110e、第六公共电压输入部110f的情况。
第一公共电压输入部110a和第二公共电压输入部110b可以通过沿着显示区域DA的第二边缘E2、第三边缘E3和第四边缘E4延伸的主公共电压线111被连接。换言之，第一公共电压输入部110a、第二公共电压输入部110b和主公共电压线111可以形成为一体。
公共电压输入部110和主公共电压线111可以与发光二极管LED(参照图4)的第二电极电连接。例如，发光二极管LED(参照图4)的第二电极可以覆盖整个显示区域DA，朝向非显示区域NDA延伸而与公共电压输入部110及主公共电压线111的一部分直接接触。
在显示区域DA中可以配置与公共电压输入部110及主公共电压线111电连接的多个垂直公共电压线112和多个水平公共电压线113。多个垂直公共电压线112可以在第二方向(例如，y方向)上横穿显示区域DA而电连接公共电压输入部110与主公共电压线111。多个水平公共电压线113可以在显示区域DA中沿着第一方向(例如，x方向)延伸，与多个垂直公共电压线112电连接。在显示区域DA的面积大的情况下，发光二极管LED(参照图4)的第二电极可能会在显示区域DA内按部分引发电压降。尤其是，显示区域DA的中心部分其位置距公共电压输入部110及主公共电压线111远，可能会因第二电极自身的电阻引发电压降而降低显示品质。横穿显示区域DA的垂直公共电压线112和水平公共电压线113可以在显示区域DA中与发光二极管LED(参照图4)的第二电极连接，从而防止前述的电压降的问题。
驱动电压输入部120可以沿着显示区域DA的第一边缘E1被设置为多个。如图5所示，各个驱动电压输入部120可以配置在相互间隔开来配置的多个公共电压输入部110之间。可以与多个驱动电压输入部120对应地配置多个焊盘PAD。例如，一个驱动电压输入部120和夹着所述一个驱动电压输入部120配置在两侧的公共电压输入部110可以通过连接线C-L而与一个焊盘PAD连接。
驱动电压输入部120可以与沿着第二方向(例如，y方向)横穿显示区域DA的垂直驱动电压线121及沿着第一方向(例如，x方向)横穿显示区域DA的水平驱动电压线123电连接。垂直驱动电压线121可以是在图4中前述的驱动电压线PL。在显示区域DA的面积大的情况下，垂直驱动电压线121可能会在显示区域DA内按部分引发电压降。例如，与显示区域DA的第三边缘E3相邻的部分其位置距驱动电压输入部120远，从而可能会因垂直驱动电压线121自身的电阻而引发电压降。因此，通过将沿着第一方向(例如，x方向)横穿显示区域DA的水平驱动电压线123连接到垂直驱动电压线121，可以防止前述的电压降的问题。
图6是放大表示图5的Ⅰ区域的平面图，图7和图8是示意性表示本发明的一实施例涉及的信号布线部、第一虚设布线部和第二虚设布线部的配置的平面图。图6、图7和图8仅示意性表示了信号布线部130、第一虚设布线部140和第二虚设布线部150，省略了其余的构成元件。图7和图8示意性表示了以在图6中穿过多个扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL为基准配置在一侧的信号布线部130、第一虚设布线部140和第二虚设布线部150，形成信号布线部130、第一虚设布线部140和第二虚设布线部150的各布线的数量等是例示，本发明的范围并不限于此。
参照图6，信号布线部130位于非显示区域NDA中。信号布线部130可以包括从焊盘PAD(参照图5)开始延伸为与显示区域DA(参照图5)相邻的多个信号布线131。这种信号布线131可以是用于向位于显示区域DA(参照图5)内的多个子像素传递要施加的电信号的布线。各个信号布线131可以包括与显示区域DA(参照图5)侧相邻的第一输入线IL1、与焊盘PAD(参照图5)侧相邻的第二输入线IL2以及电连接第一输入线IL1与第二输入线IL2的扇出布线FL。在一实施例中，第一输入线IL1、第二输入线IL2和扇出布线FL可以被设置为一体。在其他实施例中，第一输入线IL1、第二输入线IL2和扇出布线FL之中的至少一个可以形成在彼此不同的层而被电连接。
多个第二输入线IL2为了与焊盘PAD(参照图5)电连接而被设置成彼此相邻。多个第一输入线IL1可以与多个第二输入线IL2相比被设置成彼此相对更间隔开。这是因为接收各个信号布线131所传递的电信号的构成元件的位置。因此，如图7和图8所示，在配置多个扇出布线FL的扇出区域FA中，根据位置，多个扇出布线FL之间的间隔不同。例如，在扇出区域FA的第一边缘FAE1中的多个扇出布线FL之间的第一距离d1可以比在扇出区域FA的第二边缘FAE2中的多个扇出布线FL之间的第二距离d2宽。
这是因为多个扇出布线FL在相对于第二方向(例如，y方向)倾斜的方向上延伸。靠近经过多个扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL的第一扇出布线FL1与第二方向(例如，y方向)形成的第一角度θ1可以小于多个扇出布线FL之中位于最外廓的第二扇出布线FL2与第二方向(例如，y方向)形成的第二角度θ2。
相互相邻的扇出布线FL与第二方向(例如，y方向)形成的角度大致相同或类似，从而相互相邻的扇出布线FL可以不重叠且大致平行。
扇出区域FA可以包括在第一方向(例如，x方向)上延伸的第一区域1A、第二区域2A和第三区域3A。第一区域1A可以靠近显示区域DA(参照图5)配置，第三区域3A可以靠近焊盘PAD(参照图5)配置，第二区域2A可以配置在第一区域1A与第三区域3A之间。
如图7和图8所示，第一区域1A可以被定义为第一虚设布线部140的第一边缘140E1与第二边缘140E2之间的区域。第一虚设布线部140可以包括多个第一虚设布线141，多个第一虚设布线141的两末端可以分别位于第一虚设布线部140的第一边缘140E1和第二边缘140E2。第三区域3A可以被定义为第二虚设布线部150的第一边缘150E1与第二边缘150E2之间的区域。第二虚设布线部150可以包括多个第二虚设布线151，多个第二虚设布线151的两末端可以分别位于第二虚设布线部150的第一边缘150E1和第二边缘150E2。第二区域2A可以被定义为第一虚设布线部140的第二边缘140E2与第二虚设布线部150的第一边缘150E1之间的区域。
朝向多个扇出布线FL的外侧配置第一虚设布线部140和第二虚设布线部150。在图7和图8中示出了朝向多个扇出布线FL之中位于最外廓的第二扇出布线FL2的外侧设置第一虚设布线部140和第二虚设布线部150的情况。第一虚设布线部140可以具备以经过多个扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL为基准形成对称的第1-1虚设布线部140a和第1-2虚设布线部140b。同样地，第二虚设布线部150可以具备以经过多个扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL为基准形成对称的第2-1虚设布线部150a和第2-2虚设布线部150b。
第一虚设布线部140可以在第一区域1A中包括按照与多个扇出布线FL的配置相同或类似的规则配置的多个第一虚设布线141。第二虚设布线部150可以在第三区域3A中包括按照与多个扇出布线FL的配置相同或类似的规则配置的多个第二虚设布线151。
多个扇出布线FL横穿第二区域2A而延伸到第一区域1A和第三区域3A，但是多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151不延伸至第二区域2A。换言之，第一虚设布线部140和第二虚设布线部150可以在其间夹着第二区域2A而被间隔开。因此，在第二区域2A可以仅配置多个扇出布线FL。
在一实施例中，如图7所示，第一虚设布线部140的多个第一虚设布线141可以按照与多个扇出布线FL的配置相同的规则来配置。例如，多个扇出布线FL可以在扇出区域FA的第一边缘FAE1中被配置成相互间隔开第一距离d1，在扇出区域FA的第二边缘FAE2中被配置成相互间隔开第二距离d2。在扇出区域FA的第一边缘FAE1中沿着多个第一虚设布线141各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL可以相互间隔开第三距离d3，此时，第一距离d1和第三距离d3可以大致相同。在扇出区域FA的第二边缘FAE2中沿着多个第一虚设布线141各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL可以相互间隔开第四距离d4，此时，第二距离d2和第四距离d4可以大致相同。
例如，多个第一虚设布线141之中的任一个与第二方向(例如，y方向)形成的第三角度θ3可以大于多个扇出布线FL之中位于最外廓的第二扇出布线FL2与第二方向(例如，y方向)形成的第二角度θ2。越是远离扇出布线FL，多个第一虚设布线141之中的任一个与第二方向(例如，y方向)形成的第三角度θ3可以越大。
同样地，第二虚设布线部150的多个第二虚设布线151可以按照与多个扇出布线FL的配置相同的规则来配置。例如，在扇出区域FA的第一边缘FAE1中沿着多个第二虚设布线151各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL可以相互间隔开第三距离d3，此时，第一距离d1可以与第三距离d3大致相同。在扇出区域FA的第二边缘FAE2中沿着多个第二虚设布线151各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL可以相互间隔开第四距离d4，此时，第二距离d2可以与第四距离d4大致相同。沿着多个第二虚设布线151各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL分别可以与沿着多个第一虚设布线141各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL一致。即，第一虚设布线141和第二虚设布线151可以配置在相同的虚拟直线上。
在其他实施例中，如图8所示，第一虚设布线部140的多个第一虚设布线141和第二虚设布线部150的多个第二虚设布线151分别可以被配置成平行于多个扇出布线FL之中位于最外廓的第二扇出布线FL2。例如，多个第一虚设布线141之中的任一个或多个第二虚设布线151之中的任一个与第二方向(例如，y方向)形成的第三角度θ3可以和多个扇出布线FL之中位于最外廓的第二扇出布线FL2与第二方向(例如，y方向)形成的第二角度θ2相同。
沿着多个第一虚设布线141各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL在扇出区域FA的第一边缘FAE1中可以相互间隔开第三距离d3，第三距离d3可以小于或等于第一距离d1。沿着多个第二虚设布线151各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL在扇出区域FA的第二边缘FAE2中可以相互间隔开第四距离d4，第四距离d4可以等于或大于第二距离d2。在图8中示出了第三距离d3大于第四距离d4的情况，但是在其他实施例中第三距离d3也可以与第四距离d4相同。
沿着多个第一虚设布线141各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL可以与沿着多个第二虚设布线151各自的中心延伸的多个虚拟延伸线VL一致或也可以不一致。
图9是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一部分的平面图，图10是放大表示图9的Ⅲ区域的平面图。
图9可以是放大了图5的Ⅰ区域的平面图。在图9中示意性表示了公共电压输入部110、驱动电压输入部120、信号布线部130、第一虚设布线部140和第二虚设布线部150，省略了其余的构成元件。
参照图9，在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，信号布线部130可以与公共电压输入部110及驱动电压输入部120部分重叠。
驱动电压输入部120可以包括在第一方向(例如，x方向)上延伸的水平部以及中心与经过多个扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL一致且在第二方向(例如，y方向)上延伸的垂直部。在一实施例中，驱动电压输入部120可以被配置成以经过多个扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL为基准形成对称的T字形状。驱动电压输入部120的水平部可以与第一区域1A重叠。在扇出区域FA的第二边缘FAE2中，多个扇出布线FL可以被配置成与驱动电压输入部120重叠。
在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，驱动电压输入部120的与显示区域DA(参照图5)相邻的第一边缘120E1其位置可以比第一区域1A的与显示区域DA(参照图5)相邻的边缘更靠近显示区域DA(参照图5)，驱动电压输入部120的与焊盘PAD(参照图5)相邻的第二边缘120E2其位置可以比第一区域1A的与焊盘PAD(参照图5)相邻的边缘更靠近焊盘PAD(参照图5)。与此关联地，图10示出了驱动电压输入部120的第二边缘120E2位于第二区域2A中的情况。多个第一虚设布线141的末端位于第一虚设布线部140的第二边缘140E2，因此驱动电压输入部120可以覆盖多个第一虚设布线141的末端。因此，在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，多个第一虚设布线141不会向驱动电压输入部120的外侧突出。
第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d可以被配置成在其间夹着驱动电压输入部120而间隔开。第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d可以与第三区域3A重叠。在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d的与显示区域DA(参照图5)相邻的第一边缘110E1其位置可以比第三区域3A的与显示区域DA(参照图5)相邻的边缘更靠近显示区域DA(参照图5)。第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d的与焊盘PAD(参照图5)相邻的边缘其位置可以比第三区域3A的与焊盘PAD(参照图5)相邻的边缘更靠近焊盘PAD(参照图5)。第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d可以以经过扇出布线FL的中心的虚拟中心线CL为基准对称。第三公共电压输入部110c的中心线CL侧边缘其位置可以比第2-1虚设布线部150a的中心线CL侧边缘更靠近中心线CL。同样地，第四公共电压输入部110d的中心线CL侧边缘其位置可以比第2-2虚设布线部150b的中心线CL侧边缘更靠近中心线CL。因此，第2-1虚设布线部150a可以位于第三公共电压输入部110c的内侧，第2-1虚设布线部150a的边缘可以被第三公共电压输入部110c覆盖。第2-2虚设布线部150b可以位于第四公共电压输入部110d的内侧，第2-2虚设布线部150b的边缘可以被第四公共电压输入部110d覆盖。与此关联地，图10示出了第三公共电压输入部110c的第一边缘110E1位于第二区域2A中的情况。多个第二虚设布线151的末端位于第二虚设布线部150的第一边缘150E1中，因此第三公共电压输入部110c可以覆盖多个第二虚设布线151的末端。如上所述，在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，多个第二虚设布线151可以不向第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d的外侧突出。
多个扇出布线FL可以横穿驱动电压输入部120、第三公共电压输入部110c和第四公共电压输入部110d之间的区域。相反，如上所述，第一虚设布线部140可以位于驱动电压输入部120的内侧，第2-1虚设布线部150a可以位于第三公共电压输入部110c的内侧，第2-2虚设布线部150b可以位于第四公共电压输入部110d的内侧。因此，第一虚设布线部140和第二虚设布线部150可以不与驱动电压输入部120、第三公共电压输入部110c及第四公共电压输入部110d之间的区域重叠，从而可以防止第一虚设布线141和第二虚设布线151作用为彼此不同的电源布线之间的短路路径的情况。
在进行自动光学检查时，可以利用在图像的第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)上比较区域图像的检查算法。此时，检查算法可能会产生在配置于斜线方向上的多个扇出布线FL与公共电压输入部110及驱动电压输入部120重叠的区域中检测出假性错误的问题。因此，本发明的实施例配置了按照与多个扇出布线FL类似或相同的规则排列的第一虚设布线部140和第二虚设布线部150，从而可以减少或防止这种假性错误。
图11是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一部分的剖视图。图11可以是配置在显示区域DA中的一子像素的剖视图。
参照图11，可以在基板100上配置电路层200，在电路层200上配置包括发光二极管LED的发光二极管层300，发光二极管层300可以被封装层400密封。
基板100可以由如玻璃材料、金属或有机物这样的材质形成。根据一实施例，基板100可以由柔性的材质形成。例如，基板100可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或乙酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)这样的高分子树脂。
当然，基板100也可以具有多层结构等实现各种变形，所述的多层结构包括分别具有如上所述的高分子树脂的两个层以及阻挡层，所述阻挡层包括介于所述两个层之间的(硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、单晶硅等)无机物。
缓冲层201可以配置在基板100上，防止杂质从基板100朝向晶体管TR渗透的情况。缓冲层201可以包括如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物这样的无机绝缘物。
晶体管TR的半导体层210配置在缓冲层201上。半导体层210可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括IGZO(Indium Gallium Zinc oxide，铟镓锌氧化物)、ZTO(ZincTin Oxide，锌锡氧化物)、IZO(Indium zinc oxide，铟锌氧化物)等。作为其他实施例，半导体层210可以包括多晶硅、包括非晶(amorphous)硅、或者包括有机半导体等。半导体层210可以包括与栅电极220重叠的沟道区域以及配置在沟道区域的两侧且被杂质掺杂或被导电化的多个导电化区域。多个导电化区域之中的任一个可以相当于源极区域，其余一个可以相当于漏极区域。
栅电极220可以与半导体层210的沟道区域重叠且在其间夹着栅极绝缘层203。栅电极220可以包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或单层形成。如图11所示，栅极绝缘层203可以仅位于与栅电极220及后述的第一电容器电极250重叠的区域中。在一实施例中，栅电极220、第一电容器电极250和栅极绝缘层203可以通过连续的蚀刻工序形成。在该情况下，对于栅极绝缘层203而言，可以只有不与栅电极220及第一电容器电极250重叠的部分被蚀刻。因此，栅极绝缘层203可以具有与栅电极220及第一电容器电极250相同或类似的图案。栅极绝缘层203可以具有向栅电极220及第一电容器电极250各自的外侧突出的肩部(shoulder)结构。如图11所示，半导体层210的源极区域和漏极区域等可以与层间绝缘层205直接接触。栅极绝缘层203可以包括如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物这样的无机绝缘物。
源电极230和漏电极240可以配置在层间绝缘层205上，与半导体层210的导电化区域分别连接。层间绝缘层205可以包括如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物这样的无机绝缘物。
储能电容器Cst可以包括至少两个电容器电极。作为一实施例，图11示出了储能电容器Cst包括第一电容器电极250和第二电容器电极260且第二电容器电极260包括配置在彼此不同的层上的第一子电容器电极261和第二子电容器电极262的情况。第一子电容器电极261和第二子电容器电极262分别可以与第一电容器电极250重叠。图11示出了第二电容器电极260包括第一子电容器电极261和第二子电容器电极262的情况，但是作为其他实施例，第一子电容器电极261和第二子电容器电极262之中的任一个可以被省略。第一子电容器电极261可以配置在第一电容器电极250的上部。第二子电容器电极262可以配置在第一电容器电极250的下部。如图11所示，第一子电容器电极261可以通过贯通介于第一子电容器电极261与第二子电容器电极262之间的多个绝缘层(例如，缓冲层201和层间绝缘层205)的接触孔而与第二子电容器电极262电连接。
无机保护层207可以形成在晶体管TR和储能电容器Cst上。无机保护层207可以包括如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物这样的无机绝缘物。
有机绝缘层209可以包括丙烯酸、BCB(Benzocyclobutene，苯丙环丁烯)、聚酰亚胺(polyimide)和/或HMDSO(Hexamethyldisiloxane，六甲基二硅氧烷)等有机绝缘物。
发光二极管LED可以包括第一电极310、发光层320和第二电极330。发光二极管LED可以是在图2中前述的红色子像素Pr中的第一发光二极管LED1、绿色子像素Pg中的第二发光二极管LED2和蓝色子像素Pb中的第三发光二极管LED3之中的任一个。
第一电极310可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)这样的透明导电性氧化物。作为其他实施例，第一电极310可以包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为其他实施例，第一电极310还可以在前述的反射膜的上/下包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。例如，第一电极310可以是层叠了ITO层、银(Ag)层和ITO层的三层结构。
坝层BNL可以配置在第一电极310上，覆盖第一电极310的边缘。坝层BNL可以包括与第一电极310的一部分重叠的开口，开口可以使第一电极310的一部分露出。开口可以定义发光二极管LED的发光区域EA。例如，开口的宽度可以相当于发光区域EA的宽度。坝层BNL可以包括有机物。坝层BNL可以包括阻光物质，由黑色形成。阻光物质可以包括含有碳黑、碳纳米管、黑色染料的树脂或膏剂、金属粒子(例如，镍(Ni)、铝(Al)、钼(Mo)和它们的合金)、金属氧化物粒子(例如，铬氧化物)或金属氮化物粒子(例如，铬氮化物)等。
发光层320可以与发光区域EA对应地配置。例如，发光层320可以位于坝层BNL的开口内。虽然未图示，但是在发光层320的下和/或上可以配置(多个)功能层。(多个)功能层可以包括空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL：Electron Transport Layer)和/或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)。如参照图5说明的那样，发光层320可以形成为覆盖整个显示区域DA，(多个)功能层也可以与发光层320同样地形成为配置在第一电极310与第二电极330之间且覆盖整个显示区域DA。
第二电极330可以由功函数低的导电性物质形成。例如，第二电极330可以包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，第二电极330还可以在包括前述的物质的(半)透明层上包括如ITO、IZO、ZnO或In2O3这样的层。
在第二电极330上可以配置封装层400。封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。与此关联地，图11示出了封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430的情况。
第一无机封装层410可以包括如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物这样的无机绝缘物。根据需要，在第一无机封装层410与第二电极330之间也可以夹设包括有机绝缘物和/或无机绝缘物的盖层和LiF层。
有机封装层420可以涂敷单体之后使其固化来形成，为了控制单体的流动，在非显示区域NDA(参照图1)中可以配置多个分隔壁。
有机封装层420可以包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸、聚氧甲烯、聚芳酯、六甲基二硅氧烷形成的组中的一种以上的材料。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，包括如硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物这样的无机绝缘物。
图12和图13是示意性表示本发明的实施例涉及的显示装置的一部分的剖视图。图12和图13根据彼此不同的实施例示出了沿着图9的Ⅳ-Ⅳ′线截取的截面。
参照图12，多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151可以位于基板100与缓冲层201之间。例如，多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151可以配置在与储能电容器Cst(参照图11)的第二子电容器电极262(参照图11)相同的层。多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151可以包括与储能电容器Cst(参照图11)的第二子电容器电极262(参照图11)相同的物质。缓冲层201可以在基板100上被配置成覆盖多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151。在缓冲层201上可以依次层叠层间绝缘层205、无机保护层207、有机绝缘层209和坝层BNL。
在其他实施例中，如图13所示，可以在基板100上依次层叠缓冲层201、栅极绝缘层203和层间绝缘层205，在栅极绝缘层203与层间绝缘层205之间可以配置多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151。例如，多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151可以配置在与晶体管TR(参照图11)的栅电极220(参照图11)相同的层。多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151可以包括与晶体管TR(参照图11)的栅电极220(参照图11)相同的物质。
栅极绝缘层203可以仅位于与多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141及多个第二虚设布线151重叠的区域中。在一实施例中，栅极绝缘层203可以与多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151同时通过蚀刻工序形成或者通过连续的蚀刻工序形成。在该情况下，栅极绝缘层203可以具有与多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141及多个第二虚设布线151相同或类似的图案。栅极绝缘层203可以具有向多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151各自的外侧突出的肩部结构。
在又一实施例中，多个扇出布线FL、多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151分别还可以具备配置在栅极绝缘层203与层间绝缘层205之间的上部布线和配置在基板100与缓冲层201之间的下部布线。
在层间绝缘层205与无机保护层207之间配置公共电压输入部110和驱动电压输入部120。公共电压输入部110和驱动电压输入部120可以配置在与晶体管TR(参照图11)的源电极230(参照图11)及漏电极240(参照图11)相同的层。公共电压输入部110和驱动电压输入部120可以包括与晶体管TR(参照图11)的源电极230(参照图11)及漏电极240(参照图11)相同的物质。
缓冲层201、层间绝缘层205、无机保护层207、有机绝缘层209和坝层BNL可以在基板100的前表面形成为一体以便从显示区域DA(参照图5)向非显示区域NDA延伸。
如上所述，第一区域1A可以被定义为第一虚设布线部140的第一边缘140E1与第二边缘140E2之间的区域。在第一区域1A中，第一虚设布线部140和驱动电压输入部120可以重叠地配置。第一虚设布线部140可以包括相互间隔开来配置的多个第一虚设布线141。第三区域3A可以被定义为第二虚设布线部150的第一边缘150E1与第二边缘150E2(参照图7)之间的区域。在第三区域3A中，第二虚设布线部150和公共电压输入部110可以重叠地配置。第二虚设布线部150可以包括相互间隔开来配置的多个第二虚设布线151。
公共电压输入部110的第一边缘110E1可以在第二方向(例如，y方向)上被设置成与第二虚设布线部150的第一边缘150E1间隔开。因此，在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，第二虚设布线部150可以不向公共电压输入部110的外侧突出。
驱动电压输入部120的第一边缘120E1可以在第二方向(例如，y方向)上被设置成与第一虚设布线部140的第一边缘140E1间隔开，驱动电压输入部120的第二边缘120E2可以在第二方向的相反方向(例如，-y方向)上被设置成与第一虚设布线部140的第二边缘140E2间隔开。因此，在与显示区域DA(参照图5)大致垂直的方向上观察时，第一虚设布线部140可以不向驱动电压输入部120的外侧突出。
图14是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的一部分的平面图，图15是示意性表示沿着图14的Ⅴ-Ⅴ′线截取的截面的剖视图。图14与图10类似，与图10的差异点在于，第一接触部CNT1位于多个第一虚设布线141各自的两侧端部，第二接触部CNT2位于多个第二虚设布线151各自的两侧端部。以下，省略对于同一构成元件的说明，以差异点为中心进行说明。
参照图14和图15，第一接触部CNT1可以位于多个第一虚设布线141各自的两侧端部。在第一接触部CNT1中，可以通过分别贯通介于第一虚设布线141与驱动电压输入部120之间的缓冲层201和层间绝缘层205的接触孔，电连接驱动电压输入部120与第一虚设布线141。在图15中示出了驱动电压输入部120与第一虚设布线141直接接触的情况，但是在其他实施例中，也可以具备连接驱动电压输入部120与第一虚设布线141的连接电极(未图示)。
第二接触部CNT2可以位于多个第二虚设布线151各自的两侧端部。在第二接触部CNT2中，可以通过分别贯通介于第二虚设布线151与公共电压输入部110之间的缓冲层201和层间绝缘层205的接触孔，电连接公共电压输入部110与第二虚设布线151。与第一接触部CNT1同样地，在第二接触部CNT2中还可以具备用于连接公共电压输入部110与第二虚设布线151的连接电极(未图示)。
图14和图15示出了第一虚设布线141和第二虚设布线151介于基板100与缓冲层201之间的情况，但是在一些实施例中，如图13所示那样，多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151也可以介于栅极绝缘层203与层间绝缘层205之间。在该情况下，在第一接触部CNT1中通过贯通层间绝缘层205的接触孔而电连接驱动电压输入部120与第一虚设布线141，在第二接触部CNT2中通过贯通层间绝缘层205的接触孔而电连接第二虚设布线151与公共电压输入部110。
第一虚设布线部140所具备的多个第一虚设布线141和第二虚设布线部150所具备的多个第二虚设布线151与其他构成元件电绝缘而被浮置(floating)的情况下，多个第一虚设布线141和多个第二虚设布线151可能会带静电，从而在基板100等中可能会产生预料不到的损伤。因此，通过将多个第一虚设布线141电连接至驱动电压输入部120，从而可以防止第一虚设布线141带静电。此外，多个第一虚设布线141可以起到驱动电压输入部120的一部分的功能，从而可以减小驱动电压输入部120的电阻。同样地，可以将多个第二虚设布线151电连接至公共电压输入部110，从而防止多个第二虚设布线151带静电。此外，多个第二虚设布线151可以起到公共电压输入部110的一部分的功能，从而可以减小公共电压输入部110的电阻。
本发明参照图示的实施例进行了说明，但是这仅仅是例示，本领域技术人员应当能够理解由此可以实现各种变形以及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应通过权利要求书的技术思想来确定。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域以及位于所述显示区域的外侧的周边区域；
驱动电压输入部，配置在所述周边区域中；
公共电压输入部，配置在所述周边区域中，被配置成与所述驱动电压输入部间隔开；
信号布线部，包括与所述驱动电压输入部及所述公共电压输入部重叠的多个扇出布线；
第一虚设布线部，位于所述信号布线部的外侧，包括与所述驱动电压输入部重叠的多个第一虚设布线；以及
第二虚设布线部，位于所述信号布线部的外侧，包括与所述公共电压输入部重叠的多个第二虚设布线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一虚设布线部和所述第二虚设布线部被配置成间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在平面上，所述第一虚设布线部位于所述驱动电压输入部的内侧。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个扇出布线位于扇出区域中，
所述多个扇出布线在所述扇出区域的与所述显示区域相邻的第一边缘处以第一间隔被相互间隔开，在所述扇出区域的与所述第一边缘相向的第二边缘处以第二间隔被相互间隔开，
所述第一间隔比所述第二间隔宽。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
使所述多个第二虚设布线分别延伸的多个虚拟延伸线平行于所述多个扇出布线之中位于最外廓的扇出布线。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
半导体层，配置在所述显示区域上；以及
缓冲层，位于所述半导体层的下部，
所述第一虚设布线部和所述第二虚设布线部位于所述基板与所述缓冲层之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
半导体层，配置在所述显示区域上；
栅极绝缘膜，配置在所述半导体层上；以及
层间绝缘膜，配置在所述栅极绝缘膜上，
所述第一虚设布线部和所述第二虚设布线部位于所述栅极绝缘膜与所述层间绝缘膜之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一虚设布线与所述驱动电压输入部电连接。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二虚设布线与所述公共电压输入部电连接。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述驱动电压输入部和所述公共电压输入部被设置为多个，
多个所述驱动电压输入部和多个所述公共电压输入部沿着第一方向被交替地配置。
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