CN117199210A - 发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种发光二极管，导电衬底的第一表面上具有发光结构，发光结构的至少一个顶角的外围具有边角加强结构，所述边角加强结构可以提高发光二极管的结构强度，使得导电衬底可以使用价格低廉但容易裂片的硅衬底，所述边角加强结构可以避免硅基芯粒在裂片和受到外力时容易产生崩角或暗裂的问题，提高了良率并降低了成本，且无需增加芯粒间距，不会损失单片晶圆的芯粒产出数量；此外，由于所述边角加强结构仅位于所述发光结构的顶角的外围，因此所述边角加强结构不会对所述发光结构的面积和光提取产生显著影响，能够保证发光二极管的亮度。基于此，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法。

Description

发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

大功率发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的性能提升一直是学术和产业界共同关注的问题，目前市场中主流的大功率发光二极管之一是垂直结构发光二极管，随着市场对发光二极管亮度提升、可靠性提升、成本降低需求的持续，增加发光二极管的光提取效率和提高工艺良率已成为垂直结构发光二极管的重点研发方向。

采用高反射镜设计的垂直结构发光二极管可显著增加发光二极管的光提取效率，然而垂直结构发光二极管的工艺流程复杂，且需要采用衬底转移技术。金属衬底较硅衬底材料成本高，且对采用金属衬底方案的发光二极管裂片需要专用大功率激光加工设备，成本较高且划裂片时极易导致发光二极管失效，虽然可通过增加芯粒间距改善激光对芯粒性能的影响，但这会损失单片晶圆的芯粒产出数量，面临产出芯粒少、产出良率低等问题。

采用硅衬底替换金属衬底可以显著降低材料成本，且硅衬底的划裂片工艺成熟度高且设备价格便宜，可降低成本，但由于最终芯粒厚度要减薄到150um～200um，硅材料具有硬度大且比较脆的物理特性，在裂片时较容易出现因工艺参数波动所导致的崩角、暗裂等问题，影响发光二极管的良率和可靠性。

常规的方法是通过在芯粒外圈增加硬度加强结构，但要么会损失发光二极管有效面积影响亮度，要么会降低单片晶圆的芯粒产出数量，给生产企业带来经济效益损失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管及其制备方法，以解决现有的发光二极管无法兼顾成本、良率及光提取效率的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种发光二极管，包括导电衬底及位于所述导电衬底的第一表面上的发光结构，所述发光结构的至少一个顶角的外围设置有边角加强结构。

可选的，所述边角加强结构在垂直于所述导电衬底的边长的方向上的宽度为5um～15um；且所述边角加强结构在平行于所述导电衬底的边长的方向上的长度为所述导电衬底的边长的5％～15％。

可选的，所述边角加强结构为L形。

可选的，所述导电衬底的第一表面上具有LED功能层，所述LED功能层包括由下至上依次设置的键合层、功能堆叠层及外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及，

所述发光二极管还包括彼此绝缘的第一电极和第二电极，分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层电性连接。

可选的，所述功能堆叠层包括由下至上依次设置的第一电流扩展层及第一反射层，所述第一电极位于所述导电衬底的第二表面，并通过所述导电衬底、所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接；以及，

所述第二电极位于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层电性连接。

可选的，所述LED功能层中具有隔离槽，所述隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述发光结构及所述边角加强结构分别为所述LED功能层的一部分，所述发光结构及所述边角加强结构被所述隔离槽隔离。

可选的，所述边角加强结构还包括位于所述第二半导体层上的金属层。

可选的，所述LED功能层中具有隔离槽，所述隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述隔离槽位于所述功能层的边缘区域且呈台阶状，所述隔离槽的下台阶面上具有金属层，所述金属层作为所述边角加强结构。

可选的，所述金属层与所述第二电极同步形成。

可选的，所述隔离槽内具有辅助加强结构，所述辅助加强结构由所述LED功能层的部分膜层构成，且所述辅助加强结构的顶部低于所述LED功能层的顶部。

可选的，所述隔离槽包括第一子隔离槽、第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第一子隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽均从所述第一子隔离槽的底部向下延伸至所述LED功能层内，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构。

可选的，所述外延层内具有若干凹槽，所述凹槽贯穿所述第一半导体层及所述发光层并露出所述第二半导体层，所述功能堆叠层包括：

介质层，位于所述第一半导体层靠近所述导电衬底的表面，并至少覆盖所述凹槽的侧壁；

第一反射层，位于所述介质层内，并贴附于所述第一半导体层；

第一电流扩展层，位于所述介质层内，并贴附于所述第一反射层，且所述第一电流扩展层还横向延伸超出所述第一反射层的边界；

第二电流扩展层，位于所述介质层靠近所述导电衬底的表面，并填充所述凹槽；

隔离槽，贯穿所述外延层及部分所述介质层，并露出所述第一电流扩展层；以及，

所述第一电极位于所述隔离槽底部的所述第一电流扩展层上，并通过所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接，所述第二电极位于所述导电衬底的第二表面，并通过所述导电衬底及所述第二电流扩展层与所述第二半导体层电性连接。

可选的，所述发光结构及所述边角加强结构分别为所述LED功能层的一部分并通过所述隔离槽隔离。

可选的，所述边角加强结构还包括位于所述第二半导体层上的金属层。

可选的，所述隔离槽位于所述功能层的边缘区域且呈台阶状，所述隔离槽的下台阶面上具有金属层，所述金属层作为所述边角加强结构。

可选的，所述金属层与所述第一电极同步形成。

可选的，所述隔离槽内具有辅助加强结构，所述辅助加强结构由所述LED功能层的部分膜层构成，且所述辅助加强结构的顶部低于所述LED功能层的顶部。

可选的，所述隔离槽包括第一子隔离槽、第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第一子隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽均从所述第一子隔离槽的底部向下延伸，直至露出所述第一电流扩展层，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构。

可选的，所述隔离槽的侧壁从上到下逐渐靠近其中心轴，且所述隔离槽的侧壁的倾斜角度为40°～80°。

可选的，所述发光二极管还包括：

第二反射层，覆盖所述隔离槽的至少一个侧壁。

可选的，所述第二反射层为金属反射层和/或介质反射层。

可选的，所述第二电极的形状为圆形；和/或，所述第二电极对称分布。

可选的，所述第一电极的形状为圆形；和/或，所述第一电极对称分布。

本发明还提供了一种发光二极管的制备方法，包括：

提供外延衬底；

在所述外延衬底上形成LED功能层；

提供导电衬底，将所述LED功能层转移至所述导电衬底的第一表面上，并去除所述外延衬底；以及，

刻蚀所述LED功能层形成隔离槽，从而形成发光结构及边角加强结构，所述边角加强结构位于所述发光结构的至少一个顶角的外围。

可选的，在所述外延衬底上形成所述LED功能层的步骤包括：

在所述外延衬底上形成外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的第二半导体层、发光层及第一半导体层；，

在所述外延层上依次形成堆叠的第一反射层及第一电流扩展层；

在所述第一电流扩展层及所述导电衬底的第一表面上分别形成第一键合材料层及第二键合材料层；以及，

所述第一键合材料层与所述第二键合材料层融合以在所述导电衬底的第一表面与所述第一电流扩展层之间形成键合层。

可选的，在所述外延衬底上形成所述LED功能层的步骤包括：

在所述外延衬底上形成外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的第二半导体层、发光层及第一半导体层；

刻蚀所述第一半导体层及所述发光层，形成露出所述第二半导体层的凹槽；

在所述外延层上形成第一子介质层，所述第一子介质层覆盖所述第一半导体层及所述凹槽的侧壁；

刻蚀所述第一子介质层，以形成露出所述第一半导体层的穿孔；

在所述穿孔内依次形成第一反射层及第一电流扩展层，所述第一反射层及所述第一电流扩展层至少形成于所述穿孔内，且所述第一电流扩展层还延伸至覆盖部分所述第一子介质层；

在所述第一电流扩展层及所述第一子介质层上形成第二子介质层，所述第二子介质层还延伸至覆盖所述凹槽的侧壁；

在所述第二子介质层上形成第二电流扩展层，所述第二电流扩展层还填充所述凹槽；

在所述第一电流扩展层及所述导电衬底的第一表面上分别形成第一键合材料层及第二键合材料层；以及，

所述第一键合材料层与所述第二键合材料层融合以在所述导电衬底的第一表面与所述第一电流扩展层之间形成键合层。

可选的，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽的步骤包括：

刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的所述隔离槽，所述隔离槽将所述LED功能层分隔为所述发光结构及所述边角加强结构。

可选的，刻蚀所述功能层的边缘区域，以形成台阶状的所述隔离槽。

可选的，刻蚀所述LED功能层的步骤包括：刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的第一子隔离槽；以及，

从所述第一子隔离槽的底部继续向下刻蚀所述LED功能层，直至形成延伸至所述LED功能层内的第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为辅助加强结构。

可选的，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽之后，所述制备方法还包括：

在所述第二半导体层上形成第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电性连接；

减薄所述导电衬底；以及，

在所述导电衬底的第二表面上形成第一电极，所述第一电极通过所述导电衬底、所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接。

可选的，形成所述第二电极的同时，还在所述导电衬底的第一表面的边缘形成金属层，所述金属层作为所述边角加强结构或者作为所述边角加强结构的一部分。

可选的，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽的步骤包括：

刻蚀所述LED功能层，以形成露出所述第一电流扩展层的隔离槽，所述隔离槽将所述LED功能层分隔为所述发光结构及所述边角加强结构。

可选的，刻蚀所述功能层的边缘区域，以形成露出所述第一电流扩展层且呈台阶状的隔离槽。

可选的，刻蚀所述LED功能层的步骤包括：

刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的第一子隔离槽；以及，

从所述第一子隔离槽的底部继续向下刻蚀所述LED功能层，直至形成露出所述第一电流扩展层的第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为辅助加强结构。

可选的，刻蚀所述LED功能层之后，所述制备方法还包括：

在所述隔离槽底部的所述第一电流扩展层上形成第一电极，所述第一电极通过所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接；

减薄所述导电衬底；以及，

在所述导电衬底的第二表面上形成第二电极，所述第二电极通过所述导电衬底及所述第二电流扩展层与所述第二半导体层电性连接。

可选的，形成所述第一电极的同时，还在所述导电衬底的第一表面的边缘形成金属层，所述金属层作为所述边角加强结构或者作为所述边角加强结构的一部分。

可选的，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽之后，还在所述隔离槽的至少一个侧壁上形成第二反射层。

在本发明提供的发光二极管中，导电衬底的第一表面上具有发光结构，发光结构的至少一个顶角的外围具有边角加强结构，所述边角加强结构可以提高发光二极管的结构强度，使得导电衬底可以使用价格低廉但容易裂片的硅衬底，可以避免硅基芯粒在裂片和受到外力时容易产生崩角或暗裂的问题，提高了良率并降低了成本，且无需增加芯粒间距，不会损失单片晶圆的芯粒产出数量；此外，由于所述边角加强结构仅位于所述发光结构的顶角的外围，因此所述边角加强结构不会对所述发光结构的面积和光提取产生显著影响，能够保证发光二极管的亮度。基于此，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的发光二极管的制备方法的流程图；

图2～图14为本发明实施例一提供的发光二极管的制备方法的相应步骤对应的结构示意图，其中，图13及图14为本发明实施例一提供的发光二极管的结构示意图，图13为图14中的发光二极管沿A-A方向的剖面示意图；

图15～图21为本发明实施例二提供的发光二极管的制备方法的相应步骤对应的结构示意图，其中，图20及图21为本发明实施例二提供的发光二极管的结构示意图，其中，图20为图21中的发光二极管沿A-A方向的剖面示意图；

图22为本发明实施例三提供的发光二极管的结构示意图；

图23为本发明实施例四提供的发光二极管的结构示意图；

图24为本发明实施例五提供的发光二极管的结构示意图；

图25为本发明实施例六提供的发光二极管的结构示意图；

图26为本发明实施例七提供的发光二极管的结构示意图；

图27为本发明实施例八提供的发光二极管的结构示意图；

图28为本发明实施例九提供的发光二极管的结构示意图；

图29为本发明实施例十提供的发光二极管的结构示意图；

100-外延衬底；101-导电衬底；210-边角加强结构；200-外延层；201-缓冲层；202-降低缺陷密度层；203-应力调整层；204-第二半导体层；205-发光层；206-第一半导体层；200a-凹槽；200b-隔离槽；220-辅助加强结构；300-第一欧姆接触层；401-第一子介质层；402-第二子介质层；500-第一反射层；601-第一电流扩展层；602-第二电流扩展层；700-键合层；801-第一电极；802-第二电极；900-第二反射层。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“位于”另一个元件“上”时，它可以直接位于其他元件上，或者也可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一个元件“上”时，不存在中间元件。还应当理解的是，当元件被称为“位于”另一个元件“上”时，它可以直接位于其他元件上方或下方或与其他元件相邻(例如，水平地相邻)。

实施例一

图13及图14为本实施例提供的发光二极管的结构示意图，其中，图13为图14中的发光二极管沿A-A方向的剖面示意图。如图13及图14所示，所述发光二极管包括导电衬底101及位于所述导电衬底101的第一表面上的发光结构。

本实施例中，所述发光结构位于所述导电衬底101的中心区域，所述发光结构的4个顶角的外围分别设置有1个所述边角加强结构210。所述边角加强结构210可以提高提高发光二极管的结构强度，使得所述导电衬底101可以使用价格低廉但容易裂片的硅衬底，可以避免硅基芯粒在裂片和受到外力时产生崩角或暗裂的问题，提高了良率并降低了成本，且无需增加芯粒间距，不会损失单片晶圆的芯粒产出数量；此外，由于所述边角加强结构210仅位于所述发光结构的顶角的外围，因此所述边角加强结构210不会对所述发光结构的面积和光提取产生显著影响，能够保证发光二极管的亮度。

本实施例中，所述导电衬底101为硅衬底，在一些实施例中，所述导电衬底101也可以为其他高硬度高脆性的导电衬底或金属衬底。

应理解，本发明不限于在所述发光结构的4个顶角的外围均设置1个所述边角加强结构210，只要所述发光结构的至少1个顶角的外围设置所述边角加强结构210即可实现本发明的目的。

请继续参阅图14，本实施例中，所述边角加强结构210为L形，但不应以此为限，所述边角加强结构210也可以是其他可能的形状，如C字形、一字型、Y字形或直角三角形等。

进一步地，所述边角加强结构210在垂直于所述导电衬底101的边长的方向上的宽度W为5um～15um；且所述边角加强结构210在平行于所述导电衬底101的边长的方向上的长度L为所述导电衬底101的边长的5％～15％。如此设置，所述边角加强结构210既能起到加强边角强度的作用，又不会占用过多有效空间，不会损失芯粒的有效发光面积。

如图13及图14所示，所述导电衬底101的第一表面上具有LED功能层，所述LED功能层包括由下至上依次设置的键合层700、功能堆叠层及外延层200。

其中，所述外延层200包括由下至上依次设置的第一半导体层206、发光层205及第二半导体层204。本实施例中，所述第一半导体层206为P型半导体层，所述第二半导体层204为N型半导体层。其中，所述第一半导体层206可以为p-GaN层，所述第二半导体层204可以为n-GaN层，所述发光层205为多量子阱层(MQW)，所述多量子阱层可以为GaN、InGaN、AlGaN等材料，对应波长范围为360nm～560nm。

进一步地，本实施例中，所述外延层200还包括降低缺陷密度层202和应力调整层203，所述应力调整层203位于所述第二半导体层204上，所述降低缺陷密度层202位于所述应力调整层203上。其中，所述降低缺陷密度层202可以是较厚的非故意掺杂GaN层，所述应力调整层203可以是AlGaN的超晶格结构，具体为：从所述降低缺陷密度层202至所述第二半导体层204的方向制备Al组分渐变的(逐渐降低)Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN超晶格结构，其中0＜y＜x＜1。

应理解，所述外延层200中还可以形成有其他膜层，例如所述发光层205与所述第一半导体层206之间还可以形成电子阻挡层(EBL)等，此处不再一一解释说明。所述外延层200的厚度可以为0.8um～5um，但不应以此为限。

所述外延层200中具有凹槽200a，所述凹槽200a贯穿所述第一半导体层206及所述发光层205并露出所述第二半导体层204，所述凹槽200a呈阵列排布，相邻的所述凹槽200a的中心距可以为100um～200um。

进一步地，本实施例中，所述发光二极管为正极性的发光二极管。所述功能堆叠层包括介质层、第一欧姆接触层300、第一反射层500、第一电流扩展层601和第二电流扩展层602。

其中，所述介质层位于所述第一半导体层206靠近所述导电衬底101一侧的表面，并至少覆盖所述凹槽200a的侧壁。具体而言，请继续参阅图13及图14，所述介质层包括第一子介质层401和第二子介质层402。所述第一子介质层401贴附于所述第一半导体层206靠近所述导电衬底101的一面，并延伸至所述凹槽200a内，覆盖所述凹槽200a的侧壁；所述第二子介质层402贴附于所述第一子介质层401靠近所述导电衬底101的一面，并延伸至所述凹槽200a内，覆盖所述凹槽200a的侧壁上的所述第一子介质层401。

作为可选实施例，所述第一子介质层401可以是单层或多层结构，其材料可以为SiO₂、MgF₂、CaF₂等材料；所述第二子介质层402可以是单层或多层结构，其材料可以是SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、AlN、BN等材料，满足发光二极管的导热能力，所述第二子介质层402的层数可以为1层～5层，单层厚度为20nm～200nm，且氧化物膜设在最底层(靠近所述第一子介质层401一侧)以缓解后续膜层的应力。

本实施例中，所述第一欧姆接触层300及所述第一反射层500均位于所述第一子介质层401内，所述第一电流扩展层601位于所述第二子介质层402内，所述第一欧姆接触层300、所述第一反射层500及所述第一电流扩展层601均为图形化的膜层。

具体而言，所述第一欧姆接触层300贴附于所述第一半导体层206靠近所述导电衬底101的一面上，且所述第一欧姆接触层300仅贴附于所述第一半导体层206的部分表面。所述第一欧姆接触层300与所述第一半导体层206直接进行欧姆接触，实现优异的电性连接。

作为可选实施例，所述第一欧姆接触层300为透明的导电膜层，其材料可以为ITO、IZO、AZO、GZO、GTO中的任一种，厚度可以为5nm～300nm，但不应以此为限。在一些实施例中，所述第一欧姆接触层300可以被省略。

所述第一反射层500贴附于第一欧姆接触层300靠近所述导电衬底101的一面上。可选的，所述第一反射层500还覆盖所述第一子介质层401靠近所述导电衬底101的一侧表面。本实施例中，所述第一反射层500为金属反射层，所述第一反射层500通过所述第一欧姆接触层300与所述第一半导体层206电性连接。

在一些实施例中，所述第一反射层500的材料可以是Ag、Al、Mg、Rh中的至少一种，厚度为60nm～300nm；并且，所述第一反射层500上可以设置惰性膜层，从而防止金属发生电迁移、电化学迁移，所述惰性膜层的材料可以为金属材料和/或介质材料，如Pt、Ni、Ti、Ta、W、TiN、TaN、TiW、SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、AlN、BN中的至少一种。

所述第一电流扩展层601贴附于所述第一反射层500靠近所述导电衬底101的一面，并且，所述第一电流扩展层601还横向延伸至超出所述第一反射层500，所述第一电流扩展层601可以通过所述第一反射层500及所述第一欧姆接触层300与所述第一半导体层206电性连接。所述第一电流扩展层601还覆盖所述第一子介质层401靠近所述导电衬底101一侧的部分表面。

作为可选实施例，所述第一电流扩展层601可以为多层金属层构成的叠层，例如，所述第一电流扩展层601的底层和顶层为诸如含Ti、Ni、Cr等的高黏附性金属层，中间层为诸如含Al、Ag、Cu、Au、Pt等的低电阻率金属层，底层、顶层及中间层也可以是单层或多层结构。

所述第二子介质层402覆盖所述第一电流扩展层601靠近所述导电衬底101一侧的表面，所述第二电流扩展层602贴附于所述第二子介质层402靠近所述导电衬底101一侧的表面，并延伸至填充所述凹槽200a，所述第二电流扩展层602与所述第二半导体层204电性连接。

作为可选实施例，所述第二电流扩展层602可以为多层金属层构成的叠层，例如，所述第二电流扩展层602的底层和顶层为诸如含Ti、Ni、Cr等的高黏附性金属层，中间层为诸如含Al、Ag、Cu、Au、Pt等的低电阻率金属层，底层、顶层及中间层也可以是单层或多层结构。

本实施例中，每个所述凹槽200a内具有第二欧姆接触层(图13中未示出)，所述第二欧姆接触层与所述第二半导体层204之间进行欧姆接触，从而实现优异的电性连接，所述第二电流扩展层602与所述第二半导体层204可以通过所述第二欧姆接触层实现电性连接。

作为可选实施例，所述第二欧姆接触层可以为透明的导电材料和/或高反射金属材料，透明的导电材料可以为ITO、IZO、AZO、GZO、GTO中的任一种，厚度可以为5nm～300nm；高反射金属材料可以为Ag、Al、Mg中的任一种，厚度可以为60nm～200nm；但不应以此为限。在一些实施例中，所述第二欧姆接触层可以被省略或与其他结构合并。

请继续参阅图13，所述导电衬底101的第一表面与所述第二电流扩展层602之间还可以具有一键合层700，所述键合层700用于实现所述导电衬底101与所述第二电流扩展层602之间的键合。所述键合层700的材料可以是金属合金，例如Au、Ni、Cu、Ag等高熔点金属和Sn、In等低熔点金属组成的二元共晶金属体系中的一种。

进一步地，所述LED功能层内还包括隔离槽200b，所述隔离槽200b贯穿所述外延层200及所述第一子介质层401并露出所述第一电流扩展层601，即所述隔离槽200b的底部暴露出所述第一电流扩展层601。所述隔离槽200b将所述LED功能层分隔为所述边角加强结构401(位于发光二极管的边缘区域)和所述发光结构(位于发光二极管的中心区域)。

本实施例中，所述隔离槽200b的侧壁从上到下逐渐靠近其中心轴，也即所述隔离槽200b的侧壁是倾斜的，使所述隔离槽200b沿所述导电衬底101厚度方向的截面呈上大下小的梯形，或者也可以认为，所述隔离槽200b的开口的宽度大于所述隔离槽200b的底部的宽度，且所述隔离槽200b的侧壁的倾斜角度为40°～80°。

所述隔离槽200b的底部设置有第一电极801，所述第一电极801位于所述第一电流扩展层601上，并通过所述第一电流扩展层601及所述第一欧姆接触层300与所述第一半导体层206电性连接，作为P电极。

所述导电衬底101的第二表面上设置有第二电极802，所述第二电极802贴附于所述导电衬底101的第二表面，所述第二电极802通过所述导电衬底101、所述键合层700、所述第二电流扩展层602及所述第二欧姆接触层与所述第二半导体层204电性连接，作为N电极。

作为可选实施例，所述第一电极801及所述第二电极802可以是单层、双层、三层或四层复合结构(顶层可优选为Au层)，其厚度可以为500nm～20μm，在此基础上，所述第一电极801及所述第二电极802的材料可以为Pt、Au、Ni、Ti、Cr、Ta、W、TiN、TaN、TiW等，但不应以此为限。

结合图14所示，本实施例中，所述第一电极801的形状为圆形，匹配焊球的形状，可以节约所占用面积和贵金属材料制造成本。在一些实施例中，所述第一电极801也可以是其他可能的形状，如方形或扇形等。

进一步地，所述第一电极801的数量为4个，且4个所述第一电极801呈中心对称分布，可以实现更好电流扩展和分布效果。应理解，所述第一电极801的数量不限于是4个，还可以是1个、2个、3个或4个以上，所述第一电极801也不限于是中心对称分布，还可以是轴对称分布或非对称分布，虽然所述第一电极801的数量越多，电流扩展的效果越好，但是会损失有效发光面积，因此可以根据发光二极管的实际需要设计所述第一电极801的数量和分布方式。

请继续参阅图13，所述发光二极管还包括钝化层(图13中未示出)，所述钝化层整面覆盖所述降低缺陷密度层202远离所述导电衬底101的一面，并延伸覆盖所述隔离槽200b的侧壁和底部，也即是说，所述钝化层整面覆盖所述发光二极管的表面，从而保护所述LED芯的内部结构，且所述钝化层可以具有可见光波段增透特性。需要说明的是，所述第一电极801的至少部分表面需要露出所述钝化层，从而便于施加电压。

在一些实施例中，所述钝化层并未整面覆盖所述发光二极管的表面，而是仅覆盖所述发光二极管边缘位置，例如仅覆盖所述边角加强结构210以及所述隔离槽200b的内壁，或者仅覆盖所述发光二极管边缘3μm～20μm宽度的区域，可以露出大面积的出光面，从而避免大电流下所述钝化层吸光较多所导致发光二极管亮度降低的问题。

作为可选实施例，所述钝化层可以为由SiO₂、Al₂O₃、SiON、HfO₂构成的单层或至少两层膜，例如可以是由SiO₂-Al₂O₃-SiO₂构成的三层膜，从而避免外界的水汽进入，提高所述发光二极管的防潮能力，但不应以此为限。

本实施例中，所述边角加强结构210仅用于增强发光二极管的结构强度，不具备发光功能，但不应以此为限，在一些实施例中，所述边角加强结构210也可以具备发光功能，可以发光以补偿所述发光二极管的亮度。也即是说，在一些场合中，如对所述发光二极管的亮度要求较高时，可以保留所述边角加强结构210发光功能，使得所述发光二极管的亮度提高；在一些场合中，如对所述发光二极管的亮度要求不高但对所述发光二极管的光形要求较高时，可以去除所述边角加强结构210的发光功能，使得所述发光二极管仅由所述发光结构发光，使得所述发光二极管的光分布达到要求。

需要说明的是，当需要保留所述边角加强结构210的发光功能时，所述边角加强结构210中的所述外延层200必须完整，即所述边角加强结构210中必须具有所述第一半导体层206、发光层205及第二半导体层204，并且所述边角加强结构210中的所述第一半导体层206和所述第二半导体层204分别能够通过所述第一电极801和所述第二电极802得电。相应的，当不需要保留所述边角加强结构210的发光功能时，可以破坏所述边角加强结构210中的所述外延层200(如去除所述第一半导体层206、发光层205或第二半导体层204中的至少一者)、令所述外延层中无法进行电子-空穴辐射复合过程(通过离子注入工艺或等离子体工艺对所述第一半导体层206或所述第二半导体层204进行处理)、令所述边角加强结构210中的所述第一半导体层206无法通过所述第一电极801得电或令所述边角加强结构210中的所述第二半导体层204无法通过所述第二电极802得电等方法实现。

图1为本实施例提供的发光二极管的制备方法的流程图。如图1所示，所述发光二极管的制备方法包括：

步骤S100：提供外延衬底；

步骤S200：在所述外延衬底上形成LED功能层；

步骤S300：提供导电衬底，将所述LED功能层转移至所述导电衬底的第一表面上，并去除所述外延衬底；以及，

步骤S400：刻蚀所述LED功能层形成隔离槽，从而形成发光结构及边角加强结构，所述边角加强结构位于所述发光结构的至少一个顶角的外围。

图2～图14为本实施例提供的发光二极管的制备方法的相应步骤对应的结构示意图。接下来，将结合图2～图14对本实施例提供的发光二极管的制备方法进行详细说明。

如图2所示，执行步骤S100，提供所述外延衬底100，所述外延衬底100为异质衬底中的一种，其材料可以是Ga₂O₃、SiC、Si、蓝宝石、ZnO及LiGaO₂中的任一种。所述外延衬底100的表面可以制备出微纳图形，从而提高外延层晶体质量和发光效率。所述微纳图形可以直接在所述外延衬底100的表面制备，也可以预先在所述外延衬底100上预沉积诸如AlN膜、BAlN膜、BN膜等膜层，所述微纳图形制备在预沉积的膜层上，所述微纳图形制备的特征尺寸范围可以是数百纳米至数微米，其图形阵列方式可以为平行直线、曲线条、四方及六方排列中的任一种，所述外延衬底100的表面也可以为镜面。

此时，所述外延衬底100可以为1英寸～8英寸的晶圆，厚度可以为300μm～2mm，但不以此为限。

执行步骤S200，在所述外延衬底100上形成缓冲层201，所述缓冲层201可以是低温生长的AlN膜，或者也可以是溅射制备的AlN膜，所述缓冲层201作为所述外延衬底100与后续形成的外延层200之间的缓冲结构，有利于在后续工艺中通过所述缓冲层201改善后续形成的外延层200的晶体质量。

接着，在所述外延衬底100上形成所述外延层200。具体而言，在所述外延衬底100上依次形成降低缺陷密度层202、应力调整层203、第二半导体层204、发光层205及第一半导体层206。具体而言，所述降低缺陷密度层202、应力调整层203、第一半导体层206、发光层205及第二半导体层204可以采用金属化学气相沉积工艺、激光辅助等离子体分子束外延工艺、激光溅射工艺或氢化物气相外延工艺制备。

请参阅图3，向下刻蚀所述第一半导体层206、所述发光层205直至露出所述第二半导体层204，以形成若干阵列分布的凹槽200a。具体而言，形成所述凹槽200a的步骤包括：利用光刻和干法刻蚀工艺在所述第一半导体层206及所述发光层205中加工出所述凹槽200a，所述凹槽200a的深度需要超过所述发光层205并露出所述第二半导体层204。

请参阅图4，在部分所述第一半导体层206上形成第一欧姆接触层300。所述第一欧姆接触层300的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述第一半导体层206上沉积欧姆接触材料，并进行快速退火处理，然后光刻、刻蚀形成所述第一欧姆接触层300。

请继续参阅图4，所述第一半导体层206上形成第一子介质层401，所述第一子介质层401覆盖所述第一半导体层206并进入所述凹槽200a内覆盖所述凹槽200a的内壁，所述第一欧姆接触层300的至少部分表面从所述第一子介质层401中露出。所述第一子介质层401的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、离子束辅助电子束沉积工艺或等离子体辅助化学气相沉积工艺整面沉积介质材料，然后利用光刻和刻蚀工艺去除所述第一欧姆接触层300上的介质材料，以在所述第一子介质层401中形成露出所述第一欧姆接触层300的穿孔，剩余的介质材料构成所述第一子介质层401。

请参阅图5，在所述穿孔内的所述第一欧姆接触层300上形成第一反射层500，所述第一反射层500至少形成在所述穿孔内，可选的，所述第一反射层500还覆盖所述第一子介质层401靠近所述导电衬底101一侧的表面，与所述第一子介质层401共同形成ODR反射镜。所述第一反射层500的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺在所述第一欧姆接触层300上形成金属反射材料，以形成所述第一反射层500。

请参阅图6，在所述穿孔内的所述第一反射层500上形成第一电流扩展层601，所述第一电流扩展层601覆盖所述第一反射层500并填充所述穿孔，且还延伸至覆盖部分所述第一子介质层401。所述第一电流扩展层601的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺在所述第一反射层500上及部分所述第一子介质层401上形成电流扩展材料，以形成所述第一电流扩展层601。

请参阅图7，在所述第一电流扩展层601及所述第一子介质层401上形成第二子介质层402，所述第二子介质层402覆盖所述第一电流扩展层601及所述第一子介质层401并进入所述凹槽200a内覆盖所述凹槽200a的内壁。所述第二子介质层402的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺或等离子体辅助化学气相沉积工艺整面沉积介质材料，以形成所述第二子介质层402。

请继续参阅图7，从所述凹槽200a的底壁向下刻蚀所述第二子介质层402及所述第一子介质层401，使得所述凹槽200a重新露出所述第二半导体层204的表面。

请参阅图8，在所述第二子介质层402上形成第二电流扩展层602，所述第二电流扩展层602覆盖所述第二子介质层402，并延伸至填充所述凹槽200a以与所述第二半导体层204接触。所述第二电流扩展层602的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺整面沉积电流扩展材料，以形成所述第二电流扩展层602。

此时，所述外延层200、所述第一子介质层401、所述第二子介质层402、所述第一欧姆接触层300、所述第一反射层500、第一电流扩展层601、所述第二电流扩展层602共同构成所述LED功能层。

请参阅图9，执行步骤S300，提供导电衬底101，并将所述导电衬底101的第一表面与所述第二电流扩展层602键合在一起。具体的，键合所述导电衬底101的工艺可以是：在所述第二电流扩展层602上形成第一键合材料层，在所述导电衬底101的第一表面形成第二键合材料层，然后将所述第一键合材料层和所述第二键合材料层贴合在一起，然后在一定的温度和压力下，利用液相瞬态键合工艺将所述第一键合材料层与所述第二键合材料层融合，形成键合层700，实现所述导电衬底101与所述第二电流扩展层602的永久键合。

所述第一键合材料层与所述第二键合材料层的材料可以相同，例如均是由高熔点金属及低熔点金属的合金构成的二元键合层；当然，所述第一键合材料层与所述第二键合材料层的材料也可以不相同，例如一者为高熔点金属层，另一者为低熔点金属层。

请参阅图10，将所述外延衬底100分离。本实施例中，利用一定波长(例如为248nm或193nm等)的紫外激光，采用一定尺寸(例如200μm)的小光斑照射所述外延衬底100上的所述缓冲层201，在紫外激光的照射下，所述缓冲层201被分解为Ga和N₂，或Al和N₂，再通过加热实现所述外延衬底100与所述外延层200的分离。

应理解，由于本实施例中的缓冲层201为AlN或GaN材料，所以将所述外延衬底100分离时采用了紫外激光照射的方法，当所述外延衬底100的材料改变时，还可以采用例如刻蚀等其他方式将所述外延衬底100分离，例如，将所述外延衬底100替换为硅衬底，可以采用研磨工艺去除所述外延衬底100。

接下来，可以利用一定浓度(例如是2mol/L～6mol/L)的热KOH溶液(例如是50℃～70℃)腐蚀所述降低缺陷密度层202以粗化所述降低缺陷密度层202的表面，从而提高发光效率。

请参阅图11，执行步骤S400，刻蚀所述LED功能层，具体是刻蚀所述外延层200及所述第一子介质层401，直至形成露出所述第一电流扩展层601的隔离槽200b。所述隔离槽200b将所述LED功能层分隔为两部分，一部分作为所述边角加强结构210，另一部分作为所述发光结构，所述边角加强结构210与所述发光结构被所述隔离槽200b隔离开。

可见，本实施例通过刻蚀所述LED功能层即可形成所述边角加强结构210，而刻蚀所述LED功能层的步骤是所述发光二极管在制备时必然会执行的步骤，因此不会增加工艺复杂性。

请参阅图12，在所述隔离槽200b的底部形成第一电极801，所述第一电极801位于所述第一电流扩展层601上，所述第一电极801通过所述第一电流扩展层601及所述第一反射层300与所述第一半导体层206电性连接。形成所述第一电极801的步骤包括：形成光刻胶掩模遮盖不需要形成电极的区域，然后利用电子束蒸发工艺形成导电材料，接着利用剥离工艺(lift-off)去除光刻胶掩模以及光刻胶掩模上的导电材料，未被光刻胶掩模覆盖的区域的导电材料得以保留，从而构成所述第一电极801。

接下来，可以整面沉积钝化材料，从而形成钝化层，所述钝化层可以整面覆盖所述外延层200裸露的表面及所述隔离槽200b的侧壁及底部，从而将所述外延层200与隔离外界，以对所述发光结构进行保护。应理解，所述第一电极801的至少部分顶面需要露出所述钝化层，从而作为引出端进行后续的封装工艺，所以，在形成所述钝化层之后，可以进行刻蚀工艺去除部分所述钝化层，以使所述第一电极801的至少部分顶面露出。

作为可选实施例，所述钝化层也可以在形成所述第一电极801之前形成，如此一来，在形成所述第一电极801之前，需要先刻蚀所述钝化层形成容纳所述第一电极801的开口。

如图13及图14所示，减薄所述导电衬底101，然后在所述导电衬底101的第二表面上形成第二电极802。所述第二电极802通过所述导电衬底101、所述键合层700及所述第二电流扩展层602与所述第二半导体层204电性连接。形成所述第二电极802的步骤包括：然后利用电子束蒸发工艺在所述导电衬底101的第二表面上整面形成导电材料，从而形成所述第二电极802。

之后，可以利用砂轮或激光(水导激光、激光表切)切割所述导电衬底101，从而分离出单个的发光二极管。由于所述边角加强结构210可以提高发光二极管的结构强度，可以避免裂片时容易产生崩角或暗裂的问题，提高了良率并降低了成本，且无需增加芯粒间距，不会损失单片晶圆的芯粒产出数量。

实施例二

图20及图21为本实施例提供的发光二极管的结构示意图，其中，图20为图21中的发光二极管沿A-A方向的剖面示意图。如图20及图21所示，与实施例一的区别在于，本实施例中，本实施例中，所述发光二极管为反极性的发光二极管。

具体而言，所述功能堆叠层包括由下至上依次设置的第一电流扩展层601、第一反射层500、第一欧姆接触层300及第二电流扩展层602，所述第一电流扩展层601、第一反射层500及第一欧姆接触层300依次堆叠后位于所述外延层200及所述键合层700之间。

进一步地，所述第一电极801位于所述导电衬底101的第二表面，并通过所述导电衬底101、所述键合层700、所述第一电流扩展层601、所述第一反射层500及所述第一欧姆接触层300与所述第一半导体层206电性连接，作为P电极。所述第二电极802位于所述降低缺陷密度层202上，并通过与所述降低缺陷密度层202及所述应力调整层203与所述第二半导体层204电性连接，作为N电极。

进一步地，请继续参阅图21，所述第二电流扩展层602也位于所述降低缺陷密度层202上，与所述第二电极802同层设置且电性连接，所述第二电流扩展层602可以与所述第二电极802采用相同的材料同步制备而成。

需要说明的是，由于所述降低缺陷密度层202没有合适的掺杂浓度，所述第二电极802直接与所述降低缺陷密度层202接触可能导致欧姆接触电阻率较高，所述第二电流扩展层602直接与所述降低缺陷密度层202接触也可能导致横向电流扩展效果差，对发光二极管的串联电压和注入均匀性影响较大。因此，在一些实施例中，在形成所述第二电极802及所述第二电流扩展层602之前，可以先刻蚀所述降低缺陷密度层202及所述应力调整层203并露出所述第二半导体层204，然后将所述第二电极802及所述第二电流扩展层602形成于露出的所述第二半导体层204上，从而降低欧姆接触电阻率。

应理解，图21中所示的所述第二电流扩展层602的形状仅是示例，所述第二电流扩展层602还可以是其他的形状，只要能起到电流扩展的作用即可。

本实施例中，所述第二电极802的形状为圆形，从而匹配焊球的形状，可以节约面积和制造成本。在一些实施例中，所述第二电极802也可以是其他可能的形状，如方形或扇形等。

进一步地，所述第二电极802的数量为2个，且2个所述第二电极802呈轴对称分布，可以实现更好电流扩展和分布效果。应理解，所述第二电极802的数量不限于是2个，还可以是1个、3个、4个或5个以上，所述第二电极802也不限于是轴对称分布，还可以是中心对称分布或非对称分布。虽然所述第二电极802的数量越多、所述第二电流扩展层602的面积越大，电流扩展的效果越好，但是会损失有效发光面积，因此可以根据需要设计所述第二电极802的数量、分布方式以及第二电流扩展层602的形状。

请继续参阅图20，本实施例中，所述LED功能层中具有隔离槽200b，所述隔离槽200b贯穿所述外延层200并露出所述第一欧姆接触层300。所述隔离槽200b将所述LED功能层分隔为所述边角加强结构210(位于发光二极管的边缘区域)和所述发光结构(位于发光二极管的中心区域)。

本实施例中，所述边角加强结构210中的所述外延层200虽然是完整，但由于，所述边角加强结构210中的所述第一半导体层206和所述第二半导体层204与所述发光结构中的所述第一半导体层206和所述第二半导体层204是断开的，因此无法实现电流传输，所述边角加强结构210仅用于增强发光二极管的结构强度，不具备发光功能，但不应以此为限，所述边角加强结构210也可以具备发光功能。

应理解，所述隔离槽200b不限于贯穿所述外延层200并露出所述第一欧姆接触层300，所述隔离槽200b的深度可以根据需要设计，只要能够隔离所述发光结构和所述边角加强结构即可，例如，所述隔离槽200b可以贯穿外延层200、所述第一欧姆接触层300、所述第一反射层500、所述第一电流扩展层601、所述键合层700并露出所述导电衬底101，或者可以从所述外延层200的表面延伸至所述发光层205的表面，此处不再一一举例说明。

基于此，本实施例还提供上述的发光二极管的制备方法。图15～图21为本实施例提供的发光二极管的制备方法的相应步骤对应的结构示意图。接下来，将结合图15～图21对本实施例提供的发光二极管的制备方法进行详细说明。

在已执行实施例一中形成所述外延层200的基础上，如图15所示，在所述第一半导体层206上依次形成第一欧姆接触层300、第一反射层500及第一电流扩展层601。

所述第一欧姆接触层300的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述第一半导体层206上沉积欧姆接触材料，并进行快速退火处理形成所述第一欧姆接触层300。

所述第一反射层500的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺在所述第一欧姆接触层300上形成金属反射材料，以形成所述第一反射层500。

所述第一电流扩展层601的形成工艺可以是：利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺在所述第一反射层500上形成电流扩展材料，以形成所述第一电流扩展层601。

此时，所述外延层200、所述第一欧姆接触层300、所述第一反射层500及第一电流扩展层601共同构成所述LED功能层。

请参阅图16，提供导电衬底101，并将所述导电衬底101的第一表面与所述第一电流扩展层601键合在一起。具体的，键合所述导电衬底101的工艺可以是：在所述第一电流扩展层601上形成第一键合材料层，在所述导电衬底101的第一表面形成第二键合材料层，然后将所述第一键合材料层和所述第二键合材料层贴合在一起，然后在一定的温度和压力下，利用液相瞬态键合工艺将所述第一键合材料层与所述第二键合材料层融合，形成键合层700，实现所述导电衬底101与所述第一电流扩展层601的永久键合。

所述第一键合材料层与所述第二键合材料层的材料可以相同，例如均是由高熔点金属及低熔点金属的合金构成的二元键合层；当然，所述第一键合材料层与所述第二键合材料层的材料也可以不相同，例如一者为高熔点金属层，另一者为低熔点金属层。

请参阅图17，将所述外延衬底100分离。本实施例中，利用一定波长(例如为248nm或193nm等)的紫外激光，采用一定尺寸(例如200μm)的小光斑照射所述外延衬底100上的所述缓冲层201，在紫外激光的照射下，所述缓冲层201被分解为Ga和N₂或Al和N₂，再通过加热实现所述外延衬底100与所述外延层200的分离。

应理解，由于本实施例中的缓冲层201为AlN或GaN材料，所以将所述外延衬底100分离时采用了紫外激光照射的方法，当所述外延衬底100的材料改变时，还可以采用例如刻蚀等其他方式将所述外延衬底100分离，例如，将所述外延衬底100替换为硅衬底，可以采用研磨工艺去除所述外延衬底100。

接下来，可以利用一定浓度(例如是2mol/L～6mol/L)的热KOH溶液(例如是50℃～70℃)腐蚀所述降低缺陷密度层202以粗化所述降低缺陷密度层202的表面，从而提高发光效率。

请参阅图18，刻蚀所述LED功能层，具体是刻蚀所述外延层200，直至形成露出所述第一欧姆接触层300的隔离槽200b。所述隔离槽200b将所述LED功能层分隔为两部分，一部分作为所述边角加强结构210，另一部分作为所述发光结构，所述边角加强结构210与所述发光结构被所述隔离槽200b隔离开。

请参阅图19，在所述降低缺陷密度层202上形成第二电极802及第二电流扩展层(图中未示出)，所述第二电极802位于所述降低缺陷密度层202的部分表面上，所述第二电极802通过所述降低缺陷密度层202及所述应力调整层203与所述第二半导体层204电性连接。形成所述第二电极802及所述第二电流扩展层的步骤包括：形成光刻胶掩模遮盖不需要形成电极和电流扩展层的区域，然后利用电子束蒸发工艺形成导电材料，接着利用剥离工艺去除光刻胶掩模以及光刻胶掩模上的导电材料，未被光刻胶掩模覆盖的区域的导电材料得以保留，从而构成所述第二电极802及所述第二电流扩展层。

接下来，可以整面沉积钝化材料，从而形成钝化层，所述钝化层可以整面覆盖所述外延层200裸露的表面及所述隔离槽200b的侧壁及底部，从而将所述外延层200与隔离外界，以对所述发光结构进行保护。应理解，所述第二电极802的至少部分顶面需要露出所述钝化层，从而作为引出端进行后续的封装工艺，所以，在形成所述钝化层之后，可以进行刻蚀工艺去除部分所述钝化层，以使所述第二电极802的至少部分顶面露出。

作为可选实施例，所述钝化层也可以在形成所述第二电极802和所述第二电流扩展层之前形成，如此一来，在形成所述第二电极802和所述第二电流扩展层之前，需要先刻蚀所述钝化层形成容纳所述第二电极802和所述第二电流扩展层的开口。

如图20及图21所示，减薄所述导电衬底101，然后在所述导电衬底101的第二表面上形成第一电极801。所述第一电极801通过所述导电衬底101、所述键合层700、所述第一电流扩展层601、所述第一反射层500及所述第一欧姆接触层300与所述第一半导体层206电性连接。形成所述第一电极801的步骤包括：然后利用电子束蒸发工艺在所述导电衬底101的第二表面上整面形成导电材料，从而形成所述第一电极801。

之后，可以利用砂轮或激光(水导激光、激光表切)切割所述导电衬底101，从而分离出单个的发光二极管。由于所述边角加强结构210可以提高发光二极管的结构强度，可以避免裂片时容易产生崩角或暗裂的问题，提高了良率并降低了成本，且无需增加芯粒间距，不会损失单片晶圆的芯粒产出数量。

实施例三

图22为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图22所示，与实施例一的区别在于，本实施例中，所述隔离槽200b位于所述LED功能层的边缘区域且呈台阶状，也即，所述隔离槽200b仅具有一个侧壁，所述隔离槽200b的下台阶面上具有金属层，所述金属层作为所述边角加强结构210。

进一步地，所述金属层可以与所述第一电极801同步形成或分步形成。本实施例中，所述金属层与所述第一电极801为分体结构，在一些实施例中，所述金属层也可以与所述第一电极801为一体结构。

本实施例中，所述边角加强结构210无法具备发光功能。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例一的基础上，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽200b时，直接刻蚀所述LED功能层的边缘区域，形成台阶状的所述隔离槽200b即可，然后在所述隔离槽200b的下台阶面上形成所述第一电极801时，同步在所述隔离槽200b的下台阶面上形成所述金属层。

实施例四

图23为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图23所示，与实施例二的区别在于，本实施例中，所述隔离槽200b位于所述LED功能层的边缘区域且呈台阶状，也即，所述隔离槽200b仅具有一个侧壁，所述隔离槽200b的下台阶面上具有金属层，所述金属层作为所述边角加强结构210。

进一步地，所述金属层可以与所述第二电极802同步形成或分步形成。

本实施例中，所述边角加强结构210无法具备发光功能。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例二的基础上，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽200b时，直接刻蚀所述LED功能层的边缘区域，形成台阶状的所述隔离槽200b即可，然后在所述降低缺陷密度层202上形成所述第二电极802时，同步在所述隔离槽200b的下台阶面上形成所述金属层。

实施例五

图24为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图24所示，与实施例一的区别在于，本实施例中，所述边角加强结构210还包括位于所述降低缺陷密度层202上的金属层，所述金属层位于所述LED功能层的边缘区域。

进一步地，所述金属层可以与所述第一电极801同步形成或分步形成。

本实施例中，所述边角加强结构210可以具备发光功能，也可以不具备发光功能。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例一的基础上，在所述隔离槽200b的底部上形成所述第一电极801时，同步在所述降低缺陷密度层202上形成所述金属层。

实施例六

图25为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图25所示，与实施例二的区别在于，本实施例中，所述边角加强结构210还包括位于所述降低缺陷密度层202上的金属层，所述金属层位于所述LED功能层的边缘区域。

进一步地，所述金属层可以与所述第二电极802同步形成或分步形成。

本实施例中，所述边角加强结构210可以具备发光功能，也可以不具备发光功能。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例二的基础上，在所述降低缺陷密度层202上形成所述第二电极802时，同步在所述降低缺陷密度层202上形成所述金属层。

实施例七

图26为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图26所示，与实施例一、实施例三和实施例五的区别在于，本实施例中，所述隔离槽200b内还具有辅助加强结构220，所述辅助加强结构220为所述LED功能层的一部分。应理解，若所述隔离槽200b的宽度和/或深度较大，在该位置应力集中释放，容易导致该处断裂异常率增加，因此，在所述隔离槽200b内设置所述辅助加强结构220可以进一步提高发光二极管的结构强度，避免所述隔离槽200b的宽度和/或深度较大时，应力在该位置集中释放导致发光二极管容易断裂的问题。

具体而言，所述隔离槽200b包括第一子隔离槽、第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第一子隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内(本实施例中是贯穿所述降低缺陷密度层202、所述应力调整层203及所述第二半导体层204并露出所述发光层205)，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽均从所述第一子隔离槽的底部向下延伸，直至露出所述第一电流扩展层601(或者露出所述第二子介质层402)，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构220。

应理解，所述第一子隔离槽、所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽的深度不限于此，可以根据需要设计，所述第一子隔离槽应该与所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽具有深度差(所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽位于所述第一子隔离槽的下方)，且所述第一子隔离槽、所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽构成的所述隔离槽200b能够隔离所述发光结构和所述边角加强结构，此处不再一一举例说明。

类似的，所述辅助加强结构220也可以具备发光功能或不具备发光功能。本实施例中，所述辅助加强结构220中的所述外延层200不是完整的，因此不具备发光功能，所述辅助加强结构220仅用于增强发光二极管的结构强度，但不应以此为限，所述辅助加强结构220也可以具备发光功能。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例一、实施例三或实施例五的基础上，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽200b时，先刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的第一子隔离槽，然后从所述第一子隔离槽的底部继续向下刻蚀所述LED功能层，直至形成露出所述第一电流扩展层601(或露出所述第二子介质层402)的第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构220。

实施例八

图27为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图27所示，与实施例二、实施例四和实施例六的区别在于，本实施例中，所述隔离槽200b内还具有辅助加强结构220，所述辅助加强结构220为所述LED功能层的一部分。具体来说，所述辅助加强结构220是由所述LED功能层的部分膜层构成，且所述辅助加强结构220的顶部低于所述LED功能层的顶部。

应理解，若所述隔离槽200b的宽度和/或深度较大，在该位置应力集中释放，容易导致该处断裂异常率增加，因此，在所述隔离槽200b内设置所述辅助加强结构220可以进一步提高发光二极管的结构强度，避免所述隔离槽200b的宽度和/或深度较大时，应力在该位置集中释放导致发光二极管容易断裂的问题。

具体而言，所述隔离槽200b包括第一子隔离槽、第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第一子隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内(本实施例中是贯穿所述外延层200并露出所述第一欧姆接触层300)，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽均从所述第一子隔离槽的底部向下延伸至所述LED功能层内(本实施例中是贯穿所述第一欧姆接触层300、所述第一反射层500及所述第一电流扩展层601并露出所述键合层700)，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构220。

应理解，所述第一子隔离槽、所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽的深度不限于此，可以根据需要设计，所述第一子隔离槽应该与所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽具有深度差(所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽位于所述第一子隔离槽的下方)，且所述第一子隔离槽、所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽构成的所述隔离槽200b能够隔离所述发光结构和所述边角加强结构，此处不再一一举例说明。

类似的，所述辅助加强结构220也可以具备发光功能或不具备发光功能。本实施例中，所述辅助加强结构220中的所述外延层200不是完整，因此不具备发光功能，所述辅助加强结构220仅用于增强发光二极管的结构强度，但不应以此为限，所述辅助加强结构220也可以具备发光功能。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例二、实施例四或实施例六的基础上，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽200b时，先刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的第一子隔离槽，然后从所述第一子隔离槽的底部继续向下刻蚀所述LED功能层，直至形成第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构220。

实施例九

图28为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图28所示，与实施例一、实施例三、实施例五和实施例七的区别在于，本实施例中，所述发光二极管还包括第二反射层900，所述第二反射层900覆盖所述隔离槽200b的至少一个侧壁。所述第二反射层900可以将所述发光结构侧面出射的光有效反射，改善光提取效率，增加轴向出光。

本实施例中，所述第二反射层900覆盖在所述隔离槽200b远离发光二极管的中心的一侧壁上，在一些实施例中，所述第二反射层900也可以覆盖在所述隔离槽200b靠近发光二极管的中心的一侧壁上。当然，所述第二反射层900还可以覆盖所述边角加强结构210的顶部及所述隔离槽200b的底部，如此设置不会影响本发明的实施。

应理解，所述第二反射层900可以是介质反射层，也可以是金属反射层，本发明不作限制。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例一、实施例三、实施例五或实施例七的基础上，在形成所述边角加强结构210之后，利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺整面沉积反射材料，然后刻蚀去除不需要的反射材料，剩余的反射材料构成所述第二反射层900。

实施例十

图29为本实施例提供的发光二极管的结构示意图。如图29所示，与实施例二、实施例四、实施例六和实施例八的区别在于，本实施例中，所述发光二极管还包括第二反射层900，所述第二反射层900覆盖所述隔离槽200b的至少一个侧壁。所述第二反射层900可以将所述发光结构侧面出射的光有效反射，改善光提取效率，增加轴向出光。

本实施例中，所述第二反射层900覆盖在所述隔离槽200b远离发光二极管的中心的一侧壁上，在一些实施例中，所述第二反射层900也可以覆盖在所述隔离槽200b靠近发光二极管的中心的一侧壁上。当然，所述第二反射层900还可以覆盖所述边角加强结构210的顶部及所述隔离槽200b的底部，如此设置不会影响本发明的实施。

应理解，所述第二反射层900可以是介质反射层，也可以是金属反射层，本发明不作限制。

可以理解的是，本实施例中的所述发光二极管在制备时，只需要在实施例二、实施例四、实施例六或实施例八的基础上，在形成所述边角加强结构210之后，利用电子束蒸发工艺、溅射工艺、原子层沉积工艺、离子束辅助电子束沉积工艺整面沉积反射材料，然后刻蚀去除不需要的反射材料，剩余的反射材料构成所述第二反射层900。

综上，在本发明实施例提供的发光二极管中，导电衬底的第一表面上具有发光结构和至少一个边角加强结构，所述边角加强结构位于所述发光结构的顶角上，所述边角加强结构可以提高发光二极管的结构强度，使得导电衬底可以使用价格低廉但容易裂片的硅衬底，可以避免硅基芯粒裂片时容易产生崩角或暗裂的问题，提高了良率并降低了成本，且无需增加芯粒间距，不会损失单片晶圆的芯粒产出数量；此外，由于所述边角加强结构仅位于所述发光结构的顶角上，因此所述边角加强结构不会对光提取效率产生不良影响，能够保证发光二极管的亮度。基于此，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。

Claims (37)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括导电衬底及位于所述导电衬底的第一表面上的发光结构，所述发光结构的至少一个顶角的外围设置有边角加强结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述边角加强结构在垂直于所述导电衬底的边长的方向上的宽度为5um～15um；且所述边角加强结构在平行于所述导电衬底的边长的方向上的长度为所述导电衬底的边长的5％～15％。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述边角加强结构为L形。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导电衬底的第一表面上具有LED功能层，所述LED功能层包括由下至上依次设置的键合层、功能堆叠层及外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的第一半导体层、发光层及第二半导体层；以及，

所述发光二极管还包括彼此绝缘的第一电极和第二电极，分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层电性连接。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述功能堆叠层包括由下至上依次设置的第一电流扩展层及第一反射层，所述第一电极位于所述导电衬底的第二表面，并通过所述导电衬底、所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接；以及，

所述第二电极位于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层电性连接。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述LED功能层中具有隔离槽，所述隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述发光结构及所述边角加强结构分别为所述LED功能层的一部分，所述发光结构及所述边角加强结构被所述隔离槽隔离。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述边角加强结构还包括位于所述第二半导体层上的金属层。

8.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述LED功能层中具有隔离槽，所述隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述隔离槽位于所述功能层的边缘区域且呈台阶状，所述隔离槽的下台阶面上具有金属层，所述金属层作为所述边角加强结构。

9.如权利要求7或8所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层与所述第二电极同步形成。

10.如权利要求6～8中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述隔离槽内具有辅助加强结构，所述辅助加强结构由所述LED功能层的部分膜层构成，且所述辅助加强结构的顶部低于所述LED功能层的顶部。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述隔离槽包括第一子隔离槽、第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第一子隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽均从所述第一子隔离槽的底部向下延伸至所述LED功能层内，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构。

12.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层内具有若干凹槽，所述凹槽贯穿所述第一半导体层及所述发光层并露出所述第二半导体层，所述功能堆叠层包括：

介质层，位于所述第一半导体层靠近所述导电衬底的表面，并至少覆盖所述凹槽的侧壁；

第一反射层，位于所述介质层内，并贴附于所述第一半导体层；

第一电流扩展层，位于所述介质层内，并贴附于所述第一反射层，且所述第一电流扩展层还横向延伸超出所述第一反射层的边界；

第二电流扩展层，位于所述介质层靠近所述导电衬底的表面，并填充所述凹槽；

隔离槽，贯穿所述外延层及部分所述介质层，并露出所述第一电流扩展层；以及，

所述第一电极位于所述隔离槽底部的所述第一电流扩展层上，并通过所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接，所述第二电极位于所述导电衬底的第二表面，并通过所述导电衬底及所述第二电流扩展层与所述第二半导体层电性连接。

13.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述发光结构及所述边角加强结构分别为所述LED功能层的一部分并通过所述隔离槽隔离。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述边角加强结构还包括位于所述第二半导体层上的金属层。

15.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述隔离槽位于所述功能层的边缘区域且呈台阶状，所述隔离槽的下台阶面上具有金属层，所述金属层作为所述边角加强结构。

16.如权利要求14或15所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层与所述第一电极同步形成。

17.如权利要求12～15中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述隔离槽内具有辅助加强结构，所述辅助加强结构由所述LED功能层的部分膜层构成，且所述辅助加强结构的顶部低于所述LED功能层的顶部。

18.如权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述隔离槽包括第一子隔离槽、第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第一子隔离槽从所述LED功能层的表面延伸至所述LED功能层内，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽均从所述第一子隔离槽的底部向下延伸，直至露出所述第一电流扩展层，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为所述辅助加强结构。

19.如权利要求6、7、8、12、13、14或15中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述隔离槽的侧壁从上到下逐渐靠近其中心轴，且所述隔离槽的侧壁的倾斜角度为40°～80°。

20.如权利要求6、7、8、12、13、14或15中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

第二反射层，覆盖所述隔离槽的至少一个侧壁。

21.如权利要求20所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层为金属反射层和/或介质反射层。

22.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极的形状为圆形；和/或，所述第二电极对称分布。

23.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极的形状为圆形；和/或，所述第一电极对称分布。

24.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供外延衬底；

在所述外延衬底上形成LED功能层；

提供导电衬底，将所述LED功能层转移至所述导电衬底的第一表面上，并去除所述外延衬底；以及，

刻蚀所述LED功能层形成隔离槽，从而形成发光结构及边角加强结构，所述边角加强结构位于所述发光结构的至少一个顶角的外围。

25.如权利要求24所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述外延衬底上形成所述LED功能层的步骤包括：

在所述外延衬底上形成外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的第二半导体层、发光层及第一半导体层；，

在所述外延层上依次形成堆叠的第一反射层及第一电流扩展层；

在所述第一电流扩展层及所述导电衬底的第一表面上分别形成第一键合材料层及第二键合材料层；以及，

所述第一键合材料层与所述第二键合材料层融合以在所述导电衬底的第一表面与所述第一电流扩展层之间形成键合层。

26.如权利要求24所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述外延衬底上形成所述LED功能层的步骤包括：

在所述外延衬底上形成外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的第二半导体层、发光层及第一半导体层；

刻蚀所述第一半导体层及所述发光层，形成露出所述第二半导体层的凹槽；

在所述外延层上形成第一子介质层，所述第一子介质层覆盖所述第一半导体层及所述凹槽的侧壁；

刻蚀所述第一子介质层，以形成露出所述第一半导体层的穿孔；

在所述穿孔内依次形成第一反射层及第一电流扩展层，所述第一反射层及所述第一电流扩展层至少形成于所述穿孔内，且所述第一电流扩展层还延伸至覆盖部分所述第一子介质层；

在所述第一电流扩展层及所述第一子介质层上形成第二子介质层，所述第二子介质层还延伸至覆盖所述凹槽的侧壁；

在所述第二子介质层上形成第二电流扩展层，所述第二电流扩展层还填充所述凹槽；

在所述第一电流扩展层及所述导电衬底的第一表面上分别形成第一键合材料层及第二键合材料层；以及，

所述第一键合材料层与所述第二键合材料层融合以在所述导电衬底的第一表面与所述第一电流扩展层之间形成键合层。

27.如权利要求24所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽的步骤包括：

刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的所述隔离槽，所述隔离槽将所述LED功能层分隔为所述发光结构及所述边角加强结构。

28.如权利要求24所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述功能层的边缘区域，以形成台阶状的所述隔离槽。

29.如权利要求27所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层的步骤包括：刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的第一子隔离槽；以及，

从所述第一子隔离槽的底部继续向下刻蚀所述LED功能层，直至形成延伸至所述LED功能层内的第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为辅助加强结构。

30.如权利要求27～29中任一项所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽之后，所述制备方法还包括：

在所述第二半导体层上形成第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电性连接；

减薄所述导电衬底；以及，

在所述导电衬底的第二表面上形成第一电极，所述第一电极通过所述导电衬底、所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接。

31.如权利要求30所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，形成所述第二电极的同时，还在所述导电衬底的第一表面的边缘形成金属层，所述金属层作为所述边角加强结构或者作为所述边角加强结构的一部分。

32.如权利要求25所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽的步骤包括：

刻蚀所述LED功能层，以形成露出所述第一电流扩展层的隔离槽，所述隔离槽将所述LED功能层分隔为所述发光结构及所述边角加强结构。

33.如权利要求25所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述功能层的边缘区域，以形成露出所述第一电流扩展层且呈台阶状的隔离槽。

34.如权利要求32所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层的步骤包括：

刻蚀所述LED功能层，以形成延伸至所述LED功能层内的第一子隔离槽；以及，

从所述第一子隔离槽的底部继续向下刻蚀所述LED功能层，直至形成露出所述第一电流扩展层的第二子隔离槽和第三子隔离槽，所述第二子隔离槽和所述第三子隔离槽之间的所述LED功能层作为辅助加强结构。

35.如权利要求32～34中任一项所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层之后，所述制备方法还包括：

在所述隔离槽底部的所述第一电流扩展层上形成第一电极，所述第一电极通过所述第一电流扩展层及所述第一反射层与所述第一半导体层电性连接；

减薄所述导电衬底；以及，

在所述导电衬底的第二表面上形成第二电极，所述第二电极通过所述导电衬底及所述第二电流扩展层与所述第二半导体层电性连接。

36.如权利要求35所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，形成所述第一电极的同时，还在所述导电衬底的第一表面的边缘形成金属层，所述金属层作为所述边角加强结构或者作为所述边角加强结构的一部分。

37.如权利要求25所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述LED功能层形成所述隔离槽之后，还在所述隔离槽的至少一个侧壁上形成第二反射层。