CN117191959A - 模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置及方法 - Google Patents
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Abstract
一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置及方法,属于污染防护技术领域。本发明解决了现有技术中缺少能够实现在地面进行空间环境模拟吸附材料对分子污染物的吸附性能试验的装置的问题。石英晶体微天平、沸石吸附涂层板及污染物释放源位于同一水平面,紫外线光源发出的紫外线光覆盖沸石吸附涂层板的涂层面设置,加热辐射板与温控仪连接,通过真空泵及真空计控制真空仓体内的真空度。能够准确控制模拟真实航天环境的温度、真空度和高能射线等条件,并在模拟航天环境下将空间污染物分子原位释放,对吸附材料的真空吸附能力进行测试,配备石英晶体微天平对污染物挥发速率实时监测以确定吸附是否达到饱和。
Description
技术领域
本发明涉及一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置及方法,属于污染防护技术领域。
背景技术
近年来,我国完成了以月球探测、火星探测、空间站建造为代表的航天重大工程,中国航天科技不断到达新高度。航天器入轨后处于高真空环境中,其使用的材料会释放挥发性有机气体分子,将对其敏感表面产生严重的污染,造成光学、热学甚至电学性能的退化。大多数航天器都配备对分子污染敏感的设备,相关敏感表面的损坏和性能降低的风险必须被研究人员重视,并在仪器开发的早期阶段加以处理。随着航天器对安全性和可靠性的要求日益严格,污染控制逐渐成为大多数空间任务成功的关键因素之一。
为了准确评估空间环境下吸附材料对分子污染物的吸附性能,除在空间开展飞行试验研究外,在地面进行的空间环境模拟试验至关重要。航天器空间环境复杂多变,航天器在轨温度可能在-200℃~100℃之间变化,而航天器在轨高度不同将具有不同的真空度,真空度范围一般在10-4~10-12Pa。除此之外,以紫外线为代表的真空高能辐照与污染物分子之间将发生协同作用,极大地增加了测试难度。因此,开发一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,使得能够实现实时监控污染物气体挥发过程、准确模拟复杂航天环境的温度与真空度变化、模拟紫外线与污染物分子之间的协同作用,将对分子污染控制的吸附材料的开发提供指导。
发明内容
本发明是为了解决上述技术问题,进而提供了一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置及方法。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案是:
一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,包括真空仓体、安装在所述真空仓体上的污染物释放源、紫外线光源、真空泵、真空计与温控仪,以及安装在所述真空仓体内的石英晶体微天平、加热辐射板、沸石吸附涂层板及液氦流通装置,其中,所述石英晶体微天平、所述沸石吸附涂层板及所述污染物释放源位于同一水平面且所述沸石吸附涂层板及所述污染物释放源正对布置,所述紫外线光源发出的紫外线光覆盖所述沸石吸附涂层板的涂层面设置,所述加热辐射板与所述温控仪连接,通过真空泵及真空计控制真空仓体内的真空度,真空仓体上连接真空泵的抽真空口位于石英晶体微天平的远离沸石吸附涂层板的一侧设置。
进一步地,所述石英晶体微天平与沸石吸附涂层板之间的距离小于或等于5cm。
进一步地,沸石吸附涂层板与污染物释放源之间的距离为10cm~13cn。
进一步地,所述紫外线光源为氮气激光器、氩气放电灯或氘气放电灯。
进一步地,所述真空泵包括机械泵及分子泵。
进一步地,所述真空仓体为圆柱形结构。
进一步地,所述真空仓体的材质为不锈钢。
进一步地,所述污染物释放源内设置有加热装置及污染物存放装置。
进一步地,所述真空仓体上设置有仓门及放气阀门。
一种上述模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置的使用方法,包括如下步骤:
步骤一、称量吸附前沸石吸附涂层板的质量m1,然后将沸石吸附涂层板放置在真空仓体内;
步骤二、对真空仓体进行抽真空,直至达到所需真空度;
步骤三、根据试验温度设定值选择启动加热辐射板或液氦流通装置;
步骤四、开启紫外线光源,使沸石吸附涂层板的涂层面暴露在紫外线辐射下;
步骤五、控制污染物释放源加热,使分子污染物开始释放,污染物释放时间3~6天,污染物分子在沸石吸附涂层板上吸附;
步骤六、记录石英晶体微天平的数据变化量,并记录吸附时间;
步骤七、沸石吸附涂层板吸附饱和后,吸附过程结束,关闭加热辐射板或液氦流通装置,并关闭紫外线光源及污染物释放源,待温控仪显示的温度接近室温后,关闭真空泵;
步骤八、真空仓体内的真空度为常压后,取出沸石吸附涂层板,称量吸附后沸石吸附涂层板的质量m2,计算其饱和吸附量,操作结束。
本发明与现有技术相比具有以下效果:
本发明的装置能够准确控制模拟真实航天环境的温度、真空度和高能射线等条件,并在模拟航天环境下将空间污染物分子原位释放,对吸附材料的真空吸附能力进行测试,配备石英晶体微天平对污染物挥发速率实时监测以确定吸附是否达到饱和。
附图说明
图1为本发明的一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置的俯视示意图。
图中:1、真空仓体;2、污染物释放源;3、紫外线光源;4、机械泵;5、真空泵;6、真空计;7、温控仪;8、石英晶体微天平;9、加热辐射板;10、沸石吸附涂层板;11、液氦流通装置;11-1、液氦入口;11-2、液氦出口;12、仓门;13、放气阀门。
具体实施方式
具体实施方式一:结合图1说明本实施方式,一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,包括真空仓体1、安装在所述真空仓体1上的污染物释放源2、紫外线光源3、真空泵、真空计6与温控仪7,以及安装在所述真空仓体1内的石英晶体微天平8、加热辐射板9、沸石吸附涂层板10及液氦流通装置11,其中,所述石英晶体微天平8、所述沸石吸附涂层板10及所述污染物释放源2位于同一水平面且所述沸石吸附涂层板10及所述污染物释放源2正对布置,所述紫外线光源3发出的紫外线光覆盖所述沸石吸附涂层板10的涂层面设置,所述加热辐射板9与所述温控仪7连接,通过真空泵及真空计6控制真空仓体1内的真空度,真空仓体1上连接真空泵的抽真空口位于石英晶体微天平8的远离沸石吸附涂层板10的一侧设置。
沸石分子筛等多孔吸附材料具有较大的比表面积与丰富的孔道结构,是极具潜力的分子污染物吸附材料。
分子污染物为室温固化结构胶、硅油、泵油、烃类或酯类。
石英晶体微天平8及沸石吸附涂层板10分别通过安装架固设在真空仓体1内。
所述沸石吸附涂层板10的数量为多个且铺放在其对应的安装架上,用于安装沸石吸附涂层板10的安装架位于圆柱形真空仓体1的中心轴线位置。两个安装架是通过固定板安装在真空仓体1内的。
所述石英晶体微天平、所述沸石吸附涂层板及所述污染物释放源位于同一水平面且所述沸石吸附涂层板及所述污染物释放源正对布置,具体地,沸石吸附涂层板10的体积远小于污染物释放源2的体积,布置位置时,只需要保证沸石吸附涂层板10在污染物释放源2正对的空间内即可。真空仓体上连接真空泵的抽真空口位于石英晶体微天平的远离沸石吸附涂层板的一侧设置,避免因抽气真空口正对沸石吸附涂层板10而影响污染物的吸附。
所述加热辐射板9和液氦流通装置11安装在真空仓体1的内侧壁;加热辐射板9与温控仪7连接,加热时通过温控仪7控制真空仓体1内的温度,加热使分子污染物释放的温度与加热辐射板的温度相同或二者温度相差范围为0~5℃,更利于分子污染物的充分释放与挥发。
液氦流通装置11上连通设置有液氦入口11-1及液氦出口11-2。
本发明的装置能够准确控制模拟真实航天环境的温度、真空度和高能射线等条件,并在模拟航天环境下将空间污染物分子原位释放,对吸附材料的真空吸附能力进行测试,配备石英晶体微天平8对污染物挥发速率实时监测以确定吸附是否达到饱和。
所述石英晶体微天平8与沸石吸附涂层板10之间的距离小于或等于5cm。
沸石吸附涂层板10与污染物释放源2之间的距离为10cm~13cm。
所述紫外线光源3为氮气激光器、氩气放电灯或氘气放电灯。
所述真空泵包括机械泵4及分子泵5。
所述真空仓体1为圆柱形结构。真空仓体1的内径为25cm,高为50cm。
所述真空仓体1的材质为不锈钢。
所述污染物释放源2内设置有加热装置及污染物存放装置。
所述真空仓体1上设置有仓门12及放气阀门13。
一种上述模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置的使用方法,包括如下步骤:
步骤一、称量吸附前沸石吸附涂层板10的质量m1,然后将沸石吸附涂层板10放置在真空仓体1内;固设沸石吸附涂层板10的过程中,先打开仓门12,然后将沸石吸附涂层板10放在安装架上,再关闭仓门12。
步骤二、采用真空泵对真空仓体1进行抽真空,直至达到所需真空度;通过不同真空度要求,使用不同真空泵,如:若试验真空度设定值为常压至1×10-1Pa,则采用机械泵4;若试验真空度设定值为1×10-4~1×10-12Pa,则先用机械泵4抽真空至1×10-1Pa,然后关闭机械泵4,打开分子泵5,直至达到设定值。
步骤三、根据试验温度设定值选择启动加热辐射板9或液氦流通装置11;试验温度设定值为高温时,通过将加热辐射板9加热升温,通过温控仪7控制真空仓体1内的温度达到室温至100℃,得到高温环境;当试验温度设定值为低温时,将液氦缓慢通入液氦流通装置11的液氦入口11-1,通过温控仪7控制真空仓体1内温度达到室温至-200℃,得到低温环境。
步骤四、开启紫外线光源3,使沸石吸附涂层板10的涂层面暴露在紫外线辐射下;
步骤五、控制污染物释放源2加热,使分子污染物开始释放,污染物释放时间3~6天,污染物分子在沸石吸附涂层板10上吸附;
步骤六、记录石英晶体微天平8的数据变化量,并记录吸附时间;通过记录得到的石英晶体微天平8的数据变化量及吸附时间,可以计算得出从仪器中逸出的分子污染物通量,即单位时间内通过单位面积的污染物流量。石英晶体微天平8具有很好的指示作用,根据所检测到的污染物通量的变化可以判断沸石吸附涂层板10是否接近或达到饱和吸附量(污染物通量不再发生变化即达到吸附饱和)。
步骤七、沸石吸附涂层板10吸附饱和后,吸附过程结束,关闭加热辐射板9或液氦流通装置11,并关闭紫外线光源3及污染物释放源2,待温控仪7显示的温度接近室温后,关闭真空泵;
步骤八、打开放气阀门13至真空仓体1内的真空度为常压,关闭放气阀门13;
步骤九、开启仓门12,取出沸石吸附涂层板10,称量吸附后沸石吸附涂层板10的质量m2,计算其饱和吸附量,操作结束。
为了更好的模拟飞行环境中的污染物释放过程,即缓慢排出较重挥发性较低的污染物分子,非纯净物污染物源材料通过在热真空(TVAC)室中高温下烘烤8~10小时来“老化”,以耗尽高挥发性的污染物。
具体实施方式二:一种上述模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置的使用方法,模拟温度为-200℃和高真空度为1×10-7Pa空间环境条件下,常用的增塑剂邻苯二甲酸二辛酯(DOP)作为污染物源的释放与吸附。包括如下步骤:
步骤一、称量吸附前沸石吸附涂层板10的质量m1,然后将仓门12打开,将沸石吸附涂层板10放置在真空仓体1内的安装架上,关闭仓门12;
步骤二、采用机械泵4对真空仓体1进行抽真空,直至真空计6显示真空度为1×10- 1Pa;然后关闭机械泵4,打开分子泵5,直至真空计6显示真空度达到1×10-7Pa;
步骤三、将液氦缓慢通入液氦流通装置11的液氦入口11-1,通过温控仪7控制真空仓体1内温度达到室温至-200℃;
步骤四、开启紫外线光源3,使沸石吸附涂层板10的涂层面暴露在氘气放电灯的紫外线辐射下;
步骤五、控制污染物释放源2加热至120℃,使分子污染物邻苯二甲酸二辛酯(DOP,DOP的化学式为C24H38O4,分子量为390.56g/mol。它的外观被描述为一种无色,无味,油性不挥发的液体,在120℃时挥发量较大)从污染物释放源2开始释放,污染物释放时间6天,污染物分子在沸石吸附涂层板10上吸附;
步骤六、记录石英晶体微天平8的数据变化量,并记录吸附时间;通过记录得到的石英晶体微天平8的数据变化量及吸附时间,可以计算得出从仪器中逸出的分子污染物通量,即单位时间内通过单位面积的污染物流量。石英晶体微天平8具有很好的指示作用,根据所检测到的污染物通量的变化可以判断沸石吸附涂层板10是否接近或达到饱和吸附量(污染物通量不再发生变化即达到吸附饱和)。
步骤七、沸石吸附涂层板10吸附饱和后,吸附过程结束,关闭液氦流通装置11,并关闭紫外线光源3及污染物释放源2,待温控仪7显示的温度接近室温后,关闭分子泵5和机械泵4;
步骤八、打开放气阀门13至真空仓体1内的真空度为常压,关闭放气阀门13;
步骤九、开启仓门12,取出沸石吸附涂层板10,称量吸附后沸石吸附涂层板10的质量m2,计算其饱和吸附量,操作结束。
具体实施方式三:一种上述模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置的使用方法,模拟真空度为1×10-5Pa和温度为100℃条件下(黑色聚酰亚胺薄膜材料长期使用温度范围73~573K,沸点高于180K),黑色聚酰亚胺薄膜材料脱气的污染物分子的释放与吸附。包括如下步骤:
步骤一、聚酰亚胺薄膜材料通过在热真空(TVAC)室中50℃下烘烤9小时来“老化”,以耗尽高挥发性的污染物。将黑色聚酰亚胺薄膜材料放入污染物释放源2中,所用的黑色聚酰亚胺薄膜材料是一块厚度为30.48cm×25.88cm×0.00198cm的单张材料。所用的整张材料用3.08厘米宽的褶皱折叠起来,并用预先清洗过的金属夹子固定;称量吸附前沸石吸附涂层板10的质量m1,然后将仓门12打开,将沸石吸附涂层板10放置在真空仓体1内的安装架上,关闭仓门12;
步骤二、采用机械泵4对真空仓体1进行抽真空,直至真空计6显示真空度为1×10- 1Pa;然后关闭机械泵4,打开分子泵5,直至真空计6显示真空度达到1×10-5Pa;
步骤三、将加热辐射板9加热升温,通过温控仪7控制真空仓体1内温度达到室温至100℃;
步骤四、开启紫外线光源3,使沸石吸附涂层板10的涂层面暴露在氘气放电灯的紫外线辐射下;
步骤五、控制污染物释放源2加热至100℃,使色聚酰亚胺薄膜材料的分子污染物从污染物释放源2开始释放,污染物释放时间6天,污染物分子在沸石吸附涂层板10上吸附;
步骤六、记录石英晶体微天平8的数据变化量,并记录吸附时间;通过记录得到的石英晶体微天平8的数据变化量及吸附时间,可以计算得出从仪器中逸出的分子污染物通量,即单位时间内通过单位面积的污染物流量。石英晶体微天平8具有很好的指示作用,根据所检测到的污染物通量的变化可以判断沸石吸附涂层板10是否接近或达到饱和吸附量(污染物通量不再发生变化即达到吸附饱和)。
步骤七、沸石吸附涂层板10吸附饱和后,吸附过程结束,关闭加热辐射板9,并关闭紫外线光源3及污染物释放源2,待温控仪7显示的温度接近室温后,关闭分子泵5和机械泵4;
步骤八、打开放气阀门13至真空仓体1内的真空度为常压,关闭放气阀门13;
步骤九、开启仓门12,取出沸石吸附涂层板10,称量吸附后沸石吸附涂层板10的质量m2,计算其饱和吸附量,操作结束。
Claims (10)
1.一种模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:包括真空仓体(1)、安装在所述真空仓体(1)上的污染物释放源(2)、紫外线光源(3)、真空泵、真空计(6)与温控仪(7),以及安装在所述真空仓体(1)内的石英晶体微天平(8)、加热辐射板(9)、沸石吸附涂层板(10)及液氦流通装置(11),其中,所述石英晶体微天平(8)、所述沸石吸附涂层板(10)及所述污染物释放源(2)位于同一水平面且所述沸石吸附涂层板(10)及所述污染物释放源(2)正对布置,所述紫外线光源(3)发出的紫外线光覆盖所述沸石吸附涂层板(10)的涂层面设置,所述加热辐射板(9)与所述温控仪(7)连接,通过真空泵及真空计(6)控制真空仓体(1)内的真空度,真空仓体(1)上连接真空泵的抽真空口位于石英晶体微天平(8)的远离沸石吸附涂层板(10)的一侧设置。
2.根据权利要求1所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述石英晶体微天平(8)与沸石吸附涂层板(10)之间的距离小于或等于5cm。
3.根据权利要求1或2所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:沸石吸附涂层板(10)与污染物释放源(2)之间的距离为10cm~13cn。
4.根据权利要求1所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述紫外线光源(3)为氮气激光器、氩气放电灯或氘气放电灯。
5.根据权利要求1所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述真空泵包括机械泵(4)及分子泵(5)。
6.根据权利要求1所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述真空仓体(1)为圆柱形结构。
7.根据权利要求3所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述真空仓体(1)的材质为不锈钢。
8.根据权利要求1所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述污染物释放源(2)内设置有加热装置及污染物存放装置。
9.根据权利要求1所述的模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置,其特征在于:所述真空仓体(1)上设置有仓门(12)及放气阀门(13)。
10.一种上述权利要求1~9中任一权利要求所述模拟航天空间环境下的污染物释放与吸附装置的使用方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一、称量吸附前沸石吸附涂层板(10)的质量m1,然后将沸石吸附涂层板(10)放置在真空仓体(1)内;
步骤二、对真空仓体(1)进行抽真空,直至达到所需真空度;
步骤三、根据试验温度设定值选择启动加热辐射板(9)或液氦流通装置(11);
步骤四、开启紫外线光源(3),使沸石吸附涂层板(10)的涂层面暴露在紫外线辐射下;
步骤五、控制污染物释放源(2)加热,使分子污染物开始释放,污染物释放时间3~6天,污染物分子在沸石吸附涂层板(10)上吸附;
步骤六、记录石英晶体微天平(8)的数据变化量,并记录吸附时间;
步骤七、沸石吸附涂层板(10)吸附饱和后,吸附过程结束,关闭加热辐射板(9)或液氦流通装置(11),并关闭紫外线光源(3)及污染物释放源(2),待温控仪(7)显示的温度接近室温后,关闭真空泵;
步骤八、真空仓体(1)内的真空度为常压后,取出沸石吸附涂层板(10),称量吸附后沸石吸附涂层板(10)的质量m2,计算其饱和吸附量,操作结束。
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