CN117156890A - 显示装置 - Google Patents
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- CN117156890A CN117156890A CN202310628751.7A CN202310628751A CN117156890A CN 117156890 A CN117156890 A CN 117156890A CN 202310628751 A CN202310628751 A CN 202310628751A CN 117156890 A CN117156890 A CN 117156890A
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 24
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 263
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 101150016835 CPL1 gene Proteins 0.000 description 20
- 101100468774 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RIM13 gene Proteins 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 20
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 20
- 201000001130 congenital generalized lipodystrophy type 1 Diseases 0.000 description 17
- 201000001131 congenital generalized lipodystrophy type 2 Diseases 0.000 description 17
- 201000001113 congenital generalized lipodystrophy type 3 Diseases 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 14
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 101150020392 Cgl3 gene Proteins 0.000 description 9
- 102100030385 Granzyme B Human genes 0.000 description 9
- 101001009603 Homo sapiens Granzyme B Proteins 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 description 9
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 8
- 101150079300 Cgl2 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100176495 Homo sapiens GZMH gene Proteins 0.000 description 7
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N (4-diphenylphosphorylphenyl)-triphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 101710110702 Probable chorismate pyruvate-lyase 1 Proteins 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- JXKQGMUHBKZPCD-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylpyrene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC=C4C=C(C(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JXKQGMUHBKZPCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVNGEPFGKAOTSF-UHFFFAOYSA-N 1-n,6-n-dinaphthalen-2-yl-1-n,6-n-diphenylpyrene-1,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC(=C4C=CC(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 XVNGEPFGKAOTSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTJFHMXDKGXZFC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(3-pyrimidin-5-ylphenyl)-1,3,5-triazine Chemical compound c1cc(cc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cncnc1)-c1cccc(c1)-c1cncnc1)-c1cncnc1 VTJFHMXDKGXZFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001591024 Samea Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N [9-(4-tert-butylphenyl)-6-triphenylsilylcarbazol-3-yl]-triphenylsilane Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1N1C2=CC=C([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C=C2C2=CC([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=C21 WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 Chemical compound c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical class C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003037 imidazol-2-yl group Chemical group [H]N1C([*])=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NRKQPQQULQMWBV-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[6-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]naphthalen-2-yl]ethenyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1C=C2)=CC=C1C=C2\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NRKQPQQULQMWBV-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
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- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
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Abstract
本申请提供了显示装置,该显示装置包括设置在基板上的发光装置、设置在发光装置上的封盖层和设置在封盖层上的封装层。封盖层包括面向封装层的第一表面,封盖层的第一表面包括朝着封装层凸出的凸起,并且在横截面图中,凸起的高度大于或等于约600埃。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年5月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0066815号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
发光装置为具有其中将电能转换成光能的特性的装置。这种发光装置的示例包括使用用于发射层的有机材料的有机发光装置,和使用用于发射层的量子点的量子点发光装置。
发光装置可包括彼此重叠的第一电极和第二电极,以及设置在第一电极和第二电极之间的空穴传输区、发射层和电子传输区。从第一电极注入的空穴穿过空穴传输区移动至发射层,并且从第二电极注入的电子穿过电子传输区移动至发射层。空穴和电子在发射层区中复合以生成激子。当激子从激发态变为基态时生成光。
本背景技术章节中公开的以上信息仅用于增强对本公开的背景的理解,并且因此其可含有不形成在本国中本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式提供了显示装置,其中在不增加驱动电压的情况下,发光装置的光提取效率和寿命可得到改善。
实施方式提供了显示装置,该显示装置可包括设置在基板上的发光装置、设置在发光装置上的封盖层和设置在封盖层上的封装层。封盖层可包括面向封装层的第一表面,封盖层的第一表面可包括朝着封装层凸出的凸起,并且在横截面图中,凸起的高度可大于或等于约600埃。
在平面图中,凸起的面积可大于或等于约1平方微米。
封盖层可包括由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物中的至少一种:
[化学式1]
[化学式2]
在化学式1中,Ar可为具有6至20个碳原子的芳基,并且每个R可独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有5至20个碳原子的杂芳基、卤素、硝基、CN或胺基。
在横截面图中,封盖层的厚度可在约300埃至约1,000埃的范围内。
另一实施方式提供了显示装置,该显示装置可包括设置在基板上的发光装置、设置在发光装置上的封盖层和设置在封盖层上的封装层。封盖层可包括第一封盖层和第二封盖层,第一封盖层可包括第一凸起,并且第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括有机材料。
发光装置可包括第一电极、设置在第一电极上的发射层和设置在发射层上的第二电极。
第一封盖层可设置在第二电极上,并且第二封盖层可设置在第一封盖层上。
第二封盖层可覆盖第一封盖层。
第一封盖层可暴露第二电极的一部分,并且第二封盖层可覆盖第二电极和第一封盖层。
第二封盖层可设置在第二电极上,并且第一封盖层可设置在第二封盖层上。
第一封盖层可暴露第二封盖层的一部分。
第一封盖层可包括由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物中的至少一种:
[化学式1]
[化学式2]
在化学式1中,Ar可为具有6至20个碳原子的芳基,并且每个R可独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有5至20个碳原子的杂芳基、卤素、硝基、CN或胺基。
第二封盖层可包括由化学式3表示的化合物:
[化学式3]
在平面图中,第一凸起的面积可大于或等于约1平方微米,并且在横截面图中,第一凸起的高度可大于或等于约600埃。
在横截面图中,第一封盖层的厚度可在约300埃至约1,000埃的范围内。
在横截面图中,第二封盖层的厚度可大于或等于约300埃。
发光装置可包括发射第一颜色的光的第一发光装置和发射第二颜色的光的第二发光装置。
第一颜色和第二颜色可不同。
第一发光装置可发射蓝光,并且第二发光装置可发射绿光。
第一发光装置可包括第一发射层,第二发光装置可包括第二发射层,并且第一发射层和第二发射层中的至少一个可包括量子点。
根据实施方式,可以提供显示装置,其中在不增加驱动电压的情况下,发光装置的光提取效率和寿命可得到改善。
要理解,以上实施方式仅在一般性和解释性的意义上描述,并非为了限制的目的,并且本公开不限于上述实施方式。
附图说明
通过参考所附附图详细地描述本公开的实施方式,本公开的以上和其他方面和特征将变得更显而易见,其中:
图1阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图。
图2阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图。
图3阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图。
图4阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图。
图5阐释根据实施方式的显示装置的分解透视图。
图6阐释根据实施方式的显示面板的示意性横截面图。
具体实施方式
现将参考其中示出了实施方式的所附附图在下文中更充分地描述本公开。然而,本公开可体现为不同的形式并且不应解释为限于本文中陈述的实施方式。相反,提供这些实施方式使得本公开将是更加透彻的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。
为了清楚地描述本公开,省略与描述不相关的部件或部分,并且遍及说明书,相同或相似的构成元件由相同的附图标记表示。
此外,在附图中,为了易于描述,任意阐释了每个元件的尺寸(比如厚度),并且本公开不必限于附图中阐释的尺寸(比如厚度)。在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区、区域等的厚度。在附图中,为了易于描述,放大了一些层和区域的厚度。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时,其可直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层,或可存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为了该目的,术语“连接”可指用或不用居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。
空间相对术语,比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“上方”、“较高”和“侧”(例如,如在“侧壁”中)等,可在本文中用于描述性目的,从而描述如附图中阐释的一个元件与另一个(些)元件的关系。空间相对术语旨在囊括除了附图中描绘的定向之外的使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如,如果将附图中的设备翻转,描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件则随之定向“在”其他元件或特征“上面”。因此,术语“下面”,例如,可囊括上面和下面两种定向。此外,设备可以其他方式定向(例如,旋转90度或处于其他定向),并且,正因如此,可相应地解释本文中使用的空间相对描述符。
另外,除非明确地相反描述,否则词语“包括(comprise)”和变型比如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”将理解为暗示包括叙述的元件,但是不排除任何其他元件。
此外,遍及说明书,短语“在平面图中”或“在平面上”意指从顶部观察目标部分,并且短语“在横截面图中”或“在横截面上”意指从侧面观察通过垂直切割目标部分而形成的横截面。
在说明书和权利要求书中,短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义,用于其含义和解释的目的。例如,“A和B中的至少一个”可理解为意指“A,B,或A和B”。
在说明书和权利要求书中,术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合,用于其含义和解释的目的。例如,“A和/或B”可理解为意指“A,B,或A和B”。术语“和”和“或”可以连接意义或分离意义使用并且可理解为等价于“和/或”。
如在本文中使用的,术语“约”或“近似”包括叙述值,并且意指在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(例如,测量系统的局限性)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可意指在叙述值的一个或多个标准偏差以内,或在叙述值的±30%、±20%、±10%或±5%以内。
除非在本文中另外限定或暗示,否则使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,术语,比如在常用的词典中限定的那些,应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义,并且不应以理想的或过于正式的意义解释,除非在说明书中清楚地限定。
下文中,将参考图1至图3描述根据实施方式的发光装置和位于发光装置上的封盖层。图1阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图,图2阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图,并且图3阐释根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图。
参考图1,发光装置1可包括第一电极E1、第二电极E2以及设置在第一电极E1和第二电极E2之间的发光单元EL。
根据本公开的实施方式的发光装置1可为顶部发射型,第一电极E1可为阳极且第二电极E2可为阴极。根据本公开的另一实施方式的发光装置1可为底部发射型,并且第一电极E1可为阴极且第二电极E2可为阳极。在根据本公开的实施方式的发光装置1中,第一电极E1可为反射电极,并且第二电极E2可为透射电极或透反射电极,因此发光装置1在从第一电极E1至第二电极E2的方向上发射光。下文中,将描述其中发光装置1为顶部发射型的情况。
例如,可通过使用沉积法或溅射法在基板上提供用于第一电极E1的材料来形成第一电极E1。在第一电极E1为阳极的情况下,用于第一电极E1的材料可选自具有高功函以利于空穴注入的材料。
第一电极E1可为反射电极、透反射电极或透射电极。为了形成作为透射电极的第一电极E1,用于第一电极E1的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任何组合,但不限于此。在另一实施方式中,为了形成作为透反射电极或反射电极的第一电极E1,用于第一电极E1的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合,但不限于此。
第一电极E1可具有:具有单个层的单层结构,或具有多个层的多层结构。例如,第一电极E1可具有ITO/Ag/ITO的三层结构,但不限于此。
发光单元EL可设置在第一电极E1上。在说明书中阐释了包括一个发光单元EL的实施方式,但是本公开不限于此,并且根据实施方式的发光装置1可包括一个或多个发光单元EL。
发光单元EL可包括发射层EML。发光单元EL可包括空穴传输区HTR和电子传输区ETR中的至少一个。空穴传输区HTR可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任何组合。电子传输区ETR可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。
可通过使用通用方法来形成空穴传输区HTR。例如,空穴传输区HTR可通过使用各种方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法等)形成。
空穴传输区HTR中包括的空穴注入层可包括空穴注入材料。空穴注入材料可包括酞菁化合物(比如酞菁铜)、DNTPD(N,N’-二苯基-N,N’-双[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4’-二胺)、m-MTDATA(4,4’,4”-[三(3-甲苯基)苯基氨基]三苯胺)、TDATA(4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2-TNATA(4,4’,4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、NPB或NPD(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺)、含有三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]和HAT-CN(二吡嗪并[2,3-f:2’,3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈)等。
空穴传输区HTR中包括的空穴传输层可包括空穴传输材料。空穴传输材料可包括咔唑衍生物(比如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、芴类衍生物和三苯胺衍生物(比如TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺)、TCTA(4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺)、NPB(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺)、TAPC(4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲苯基)苯胺])、HMTPD(4,4’-双[N,N’-(3-甲苯基)氨基]-3,3’-二甲基联苯)、mCP(1,3-双(N-咔唑基)苯)、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)和m-MTDATA(4,4’,4”-[三(3-甲苯基)苯基氨基]三苯胺))等。
空穴传输区HTR的厚度可在约至约/>的范围内。例如,空穴传输区HTR的厚度可在约/>至约/>的范围内。空穴注入层的厚度可在,例如,约/>至约/>的范围内,并且空穴传输层的厚度可在约/>至约/>的范围内。在空穴传输区HTR、空穴注入层和空穴传输层的厚度满足以上提到的范围的情况下,可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特性。
电子阻挡层可为防止来自电子传输区ETR的电子泄漏至空穴传输区HTR的层。电子阻挡层的厚度可在约至约/>的范围内。电子阻挡层可包括,例如,咔唑衍生物(比如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、芴衍生物和三苯胺衍生物(比如TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺)、TCTA(4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺)、NPB或NPD(N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺)、TAPC(4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲苯基)苯胺])、HMTPD(4,4’-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3’-二甲基联苯)和mCP)。
除了以上提到的材料之外,空穴传输区HTR可进一步包括用于改善传导性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷生成材料可为例如p-掺杂剂。p-掺杂剂可为醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的一种,但不限于此。例如,p-掺杂剂的非限制性示例可包括醌衍生物(比如TCNQ(四氰基醌二甲烷)和F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基醌二甲烷))以及金属氧化物(比如氧化钨和氧化钼),但不限于此。
可通过使用通用方法形成电子传输区ETR中的每一层。例如,电子传输区ETR可通过使用各种方法(比如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和激光诱导热成像(LITI)法等)形成。
电子传输区ETR中包括的电子注入层可包括电子注入材料。电子注入材料可包括金属卤化物(比如LiF、NaCl、CsF、RbCl和RbI),镧系金属(比如Yb),金属氧化物(比如Li2O和BaO),或8-羟基喹啉锂(Liq),但是本公开不限于此。在另一实施方式中,电子注入层可包括其中电子传输材料和绝缘有机金属盐混合的材料。绝缘有机金属盐可为能带隙大于或等于约4eV的材料。例如,绝缘有机金属盐可包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。
电子传输区ETR中包括的电子传输层可包括电子传输材料。电子传输材料可包括三嗪类化合物或蒽类化合物。然而,本公开不限于此,并且电子传输材料可包括,例如,Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、BPhen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(双(苯并喹啉-10-羟基)铍)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TSPO1(二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦)、TPM-TAZ(2,4,6-三(3-(嘧啶-5-基)苯基)-1,3,5-三嗪)或其混合物。
每个电子注入层可独立地具有约至约/>的范围内的厚度。例如,每个电子注入层可独立地具有约/>至约/>的范围内的厚度。在电子注入层的厚度满足如上所述的范围的情况下,可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特性。
每个电子传输层可独立地具有约至约/>的范围内的厚度。例如,每个电子传输层可独立地具有约/>至约/>的范围内的厚度。在电子传输层的厚度满足如上所述的范围的情况下,可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特性。
空穴阻挡层可为防止来自空穴传输区HTR的空穴泄漏至电子传输区ETR的层。空穴阻挡层的厚度可在约至约/>的范围内。空穴阻挡层可包括,例如,BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、BPhen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)和T2T(2,4,6-三([1,1’-联苯]-3-基)-1,3,5-三嗪)中的至少一个,但不限于此。
发射层EML可包括有机化合物和半导体化合物中的至少一种,但不限于此。在发射层EML含有有机化合物的情况下,发光装置可为有机发光装置。
有机化合物可包括主体和掺杂剂。半导体化合物可为量子点,例如,发光装置可为量子点发光装置。在另一实施方式中,半导体化合物可为有机钙钛矿和/或无机钙钛矿。
发射层EML的厚度可在约0.1nm至约100nm的范围内。例如,发射层EML的厚度可在约15nm至约50nm的范围内。例如,在发射层EML发射蓝光的情况下,蓝色发射层的厚度可在约15nm至约20nm的范围内,在发射层发射绿光的情况下,绿色发射层的厚度可在约20nm至约40nm的范围内,并且在发射层发射红光的情况下,红色发射层的厚度可在约40nm至约50nm的范围内。在满足以上提到的范围的情况下,发光装置可在不明显增加驱动电压的情况下提供卓越的发光特性。
发射层EML可包括主体材料和掺杂剂材料。可通过使用磷光发光材料或荧光发光材料作为主体材料中的掺杂剂来形成发射层EML。可通过在主体材料中包括热激活延迟荧光(TADF)掺杂剂来形成发射层EML。在另一实施方式中,发射层EML可包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可包括第II-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物或其任何组合。
从发射层EML发射的光的颜色可由主体材料和掺杂剂材料的组合或量子点材料的类型和核的尺寸来确定。
尽管不特别限制,但是发射层EML的主体材料可包括荧蒽衍生物、芘衍生物、芳基乙炔衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物或1,2-苯并菲衍生物等。例如,可选择芘衍生物、苝衍生物和蒽衍生物。
尽管不特别限制,但是发射层EML的掺杂剂材料可包括苯乙烯基衍生物(例如,1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯基氨基)-4’-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(DPAVB)或N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝和其衍生物(例如,2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘和其衍生物(例如,1,1’-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘或N1,N6-二(萘-2-基)-N1,N6-二苯基芘-1,6-二胺))。
第二电极E2的厚度可在约5nm至约20nm的范围内。在满足上述范围的情况下,第二电极E2处的光吸收可被最小化,并且可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特性。
根据实施方式,封盖层CPL可位于第二电极E2上。
封盖层CPL可包括多个凸起PR。通过包括凸起PR,封盖层CPL可有效发射或散射从发光装置发射的光。例如,封盖层CPL可增加发光装置的光提取效率。
封盖层CPL可通过沉积工艺形成,并且在沉积工艺中沉积的有机材料可聚集以形成从封盖层CPL的上表面凸出的凸起PR。凸起PR的高度可大于或等于约600埃。在平面图中,凸起PR的面积可大于或等于约1平方微米。在凸起PR的高度和面积满足以上数值范围的情况下,在封盖层CPL中可发生有效的光散射。
根据实施方式的封盖层CPL可包括由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物中的至少一种。由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物可通过沉积工艺形成封盖层CPL,并且在沉积工艺中,一些有机材料可聚集以形成凸起PR:
[化学式1]
[化学式2]
在化学式1中,Ar可为具有6至20个碳原子的芳基,并且每个R可独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有5至20个碳原子的杂芳基、卤素、硝基、CN和胺基中的一个。
下文中,将参考图2和图3描述根据实施方式的发光装置和位于发光装置上的封盖层。将省略与图1中所描述的组件相同的组件的描述。
参考图2,根据实施方式的封盖层CPL可包括第一封盖层CPL1和第二封盖层CPL2。
第一封盖层CPL1可位于第二电极E2上。第一封盖层CPL1可包括多个第一凸起PR1。通过包括第一凸起PR1,第一封盖层CPL1可有效发射或散射从发光装置1发射的光。例如,第一封盖层CPL1可增加发光装置1的光提取效率。
第一封盖层CPL1可通过沉积工艺形成,并且在沉积工艺中沉积的有机材料可聚集以形成从第一封盖层CPL1的上表面凸出的第一凸起PR1。第一凸起PR1的高度可大于或等于约600埃。在平面图中,第一凸起PR1的面积可大于或等于约1平方微米。在第一凸起PR1的高度和面积满足以上数值范围的情况下,在第一封盖层CPL1中可发生有效的光散射。
第一封盖层CPL1的厚度可在约300埃至约1,000埃的范围内。在第一封盖层CPL1的厚度满足以上范围的情况下,在第一封盖层CPL1中可实现有效的光散射,并且可通过散射增加光提取效率。
根据实施方式的第一封盖层CPL1可包括由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物中的至少一种。由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物可通过沉积工艺形成第一封盖层CPL1,并且在沉积工艺中,一些有机材料可聚集以形成第一凸起PR1:
[化学式1]
[化学式2]
在化学式1中,Ar可为具有6至20个碳原子的芳基,并且每个R可独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有5至20个碳原子的杂芳基、卤素、硝基、CN或胺基。
第二封盖层CPL2可设置在第一封盖层CPL1上。可提供第二封盖层CPL2以完全覆盖第一封盖层CPL1。在形成第一封盖层CPL1的工艺中,第二电极E2的一部分可随着有机材料的聚集而暴露。第二封盖层CPL2可完全覆盖暴露的第二电极E2以提供稳定的显示装置。
第二封盖层CPL2可具有完全覆盖第一封盖层CPL1的任何厚度,并且该厚度可为例如大于或等于300埃。
第二封盖层CPL2可包括可沉积的有机材料,并且可包括例如由化学式3表示的化合物:
[化学式3]
图2阐释了其中第一封盖层CPL1和第二封盖层CPL2依次沉积的结构,但是本公开不限于此,并且如图3中示出,第二封盖层CPL2和第一封盖层CPL1可依次堆叠。
如图3中示出,在第二电极E2、第二封盖层CPL2和第一封盖层CPL1依次堆叠的情况下,即使第一封盖层CPL1的下层由于在第一封盖层CPL1的制造工艺期间的聚集现象而暴露,由于包括有机材料的第二封盖层CPL2暴露而不是第二电极E2暴露,因此可提供稳定的显示装置。
图4阐释了根据实施方式的发光装置和封盖层的示意性横截面图。图4阐释了根据实施方式的发光装置的示意性横截面图。将省略与以上描述的构成元件相同的构成元件的描述。
参考图4,发光装置1可包括m个发光单元EL。根据实施方式的发光装置1可包括插入相邻的发光单元EL之间的m-1个电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3。根据实施方式的发光装置1可包括设置在第一发光单元EL1和第二发光单元EL2之间的第一电荷生成层CGL1、设置在第二发光单元EL2和第三发光单元EL3之间的第二电荷生成层CGL2以及设置在第三发光单元EL3和第四发光单元EL4之间的第三电荷生成层CGL3。尽管说明书示出包括三个电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3的实施方式,但是本公开不限于此,并且电荷生成层的数量可根据发光单元EL的数量而改变。
电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3中的每一个可包括向发光单元EL提供电子的n-型电荷生成层n-CGL1、n-CGL2和n-CGL3以及向发光单元EL提供空穴的p-型电荷生成层p-CGL1、p-CGL2和p-CGL3。尽管未示出,但是在另一实施方式中,缓冲层可设置在n-型电荷生成层n-CGL1、n-CGL2和n-CGL3与p-型电荷生成层p-CGL1、p-CGL2和p-CGL3之间。
在将电压施加至电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3的情况下,电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3可通过氧化还原反应形成复合物来生成电荷(电子和空穴)。电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3可为与其相邻的发光单元EL提供生成的电荷。电荷生成层CGL1、CGL2和CGL3可增加发光单元EL中生成电流的效率,并且可用于调整在相邻的发光单元EL之间的电荷平衡。
第一电荷生成层CGL1可包括第一n-型电荷生成层n-CGL1和第一p-型电荷生成层p-CGL1。第一n-型电荷生成层n-CGL1可与第一发光单元EL1相邻设置,并且第一p-型电荷生成层p-CGL1可与第二发光单元EL2相邻设置。第二电荷生成层CGL2可包括第二n-型电荷生成层n-CGL2和第二p-型电荷生成层p-CGL2。第二n-型电荷生成层n-CGL2可与第二发光单元EL2相邻设置,并且第二p-型电荷生成层p-CGL2可与第三发光单元EL3相邻设置。第三电荷生成层CGL3可包括第三n-型电荷生成层n-CGL3和第三p-型电荷生成层p-CGL3。第三n-型电荷生成层n-CGL3可与第三发光单元EL3相邻设置,并且第三p-型电荷生成层p-CGL3可与第四发光单元EL4相邻设置。
第二电极E2可设置在第m个发光单元EL上。第二电极E2可为作为电子注入电极的阴极。
封盖层CPL可位于第二电极E2上。封盖层CPL可为参考图1描述的封盖层、参考图2描述的封盖层或参考图3描述的封盖层。
根据实施方式,上述发光装置1可包括下述材料,但不限于此。例如,根据实施方式的发光装置1可包括发射不同光的多个发光单元EL。多个发光单元EL中的至少一个可发射第一颜色的光,并且剩余的发光单元EL中的至少一个可发射第二颜色的光。第一颜色和第二颜色可不同。例如,发光装置1可包括各自发射蓝光的第一发光单元EL1、第二发光单元EL2和第三发光单元EL3,并且可包括发射绿光的第四发光单元EL4。
其中,在CF1中,Ar为具有6至20个碳原子的芳基,并且每个R独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有5至20个碳原子的杂芳基、卤素、硝基、CN或胺基。
下文中,将参考图5和图6描述根据实施方式的显示装置。图5阐释了根据实施方式的显示装置的分解透视图,并且图6阐释了根据实施方式的显示面板的示意性横截面图。
参考图5,根据实施方式的显示装置1000可包括覆盖窗口CW、显示面板DP和外壳HM。
覆盖窗口CW可包括绝缘面板。例如,覆盖窗口CW可由玻璃、塑料或其组合制成。
覆盖窗口CW的前表面可限定显示装置1000的前表面。透射区域TA可为光学透明的区域。例如,透射区域TA可为具有大于或等于约90%的可见光透光度的区域。
阻挡区域CBA可限定透射区域TA的形状。阻挡区域CBA可与透射区域TA相邻设置,并且可围绕透射区域TA。阻挡区域CBA可为与透射区域TA相比具有相对低的透光度的区域。阻挡区域CBA可包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域CBA可具有预定的(或可选择的)颜色。阻挡区域CBA可由与限定透射区域TA的透明基板分开提供的边框层来限定,或可由通过插入透明基板或对透明基板进行着色而形成的油墨层来限定。
在其上显示图像的显示面板DP的表面可平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。第三方向DR3可为在其上显示图像的表面的法线方向,例如,显示面板DP的厚度方向。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可由第三方向DR3确定。然而,由第一至第三方向DR1、DR2和DR3指示的方向为相对的概念,并且因此它们可变为其他方向。
显示面板DP可为平坦的刚性显示面板,但不限于此,并且可为柔性显示面板。显示面板DP可为有机发光显示面板。然而,显示面板DP的类型不限于此,并且显示面板可形成为各种类型的面板。例如,显示面板DP可为液晶面板、电泳显示面板或电湿润显示面板等。显示面板DP可形成为下一代显示面板,比如微型发光二极管显示面板或量子点发光二极管显示面板(例如,量子点有机发光二极管显示面板)。
微型发光二极管(微LED)显示面板可以以这样的方式形成:具有约10至约100微米的范围内的尺寸的发光二极管配置每个像素。微型发光二极管显示面板具有这样的优点,其中使用无机材料并且可省略背光,以及具有快的反应速度、可用低功率实现高亮度并且当弯折时不会断裂。可通过附接包括量子点的膜或形成包括量子点的材料来形成量子点发光二极管显示面板。量子点可为由无机材料(比如铟和镉)制成的颗粒,其自身发射光,并且具有几纳米或更小的直径。通过控制量子点的颗粒尺寸,可显示期望的颜色的光。量子点有机发光二极管显示面板可具有这样的结构,其中蓝色有机发光二极管用作光源,并且包括红色量子点和绿色量子点的膜附接在其上,或沉积包括红色量子点和绿色量子点的材料以实现颜色。根据实施方式的显示面板DP可配置为各种其他显示面板。
如图5中示出,显示面板DP可包括其中显示图像的显示区域DA和与显示区域DA相邻设置的非显示区域PA。非显示区域PA可为其中不显示图像的区域。显示区域DA可具有,例如,四边形形状,并且在平面图中,非显示区域PA可具有围绕显示区域DA的形状。然而,本公开不限于此,并且显示区域DA和非显示区域PA的形状可相对设计。
外壳HM可提供内部空间。显示面板DP可安装在外壳HM内侧。除了显示面板DP之外,各种电子组件,例如电源部件、存储装置和音频输入/输出模块可安装在外壳HM内侧。
下文中,将参考图6描述根据实施方式的显示面板。参考图6连同图5,多个像素PA1、PA2、和PA3可形成在对应于显示面板DP的显示区域DA的基板SUB上。像素PA1、PA2、和PA3中的每一个可包括多个晶体管和与其连接的发光装置。
上述封盖层CPL和封装层ENC可设置在像素PA1、PA2和PA3上。通过封装层ENC可保护显示区域DA免受外部空气或水分的影响。封装层ENC可提供在整个显示区域DA中,或可部分地设置在非显示区域PA中。
第一颜色转换部件CC1、第二颜色转换部件CC2和透射部件CC3可位于封装层ENC上。在第三方向DR3上,第一颜色转换部件CC1可与第一像素PA1重叠,第二颜色转换部件CC2可与第二像素PA2重叠,并且透射部件CC3可与第三像素PA3重叠。
从第一像素PA1发射的光可穿过第一颜色转换部件CC1以提供红光LR。从第二像素PA2发射的光可穿过第二颜色转换部件CC2以提供绿光LG。从第三像素PA3发射的光可穿过透射部件CC3以提供蓝光LB。
下文中,将参考表1和表2描述根据实施方式的发光装置的效率和寿命。
参考表1,比较例1包括封盖层,该封盖层仅包括由化学式3表示的化合物,并且封盖层的厚度为400埃。比较例2包括封盖层,该封盖层包括由化学式1表示的化合物,并且封盖层的厚度为200埃。实施例1与比较例2仅在厚度上不同,并且封盖层的厚度为400埃。实施例2和实施例1仅在厚度上不同,并且封盖层的厚度为600埃。实施例3与实施例1仅在厚度上不同,并且封盖层的厚度为800埃。
比较例3为其中第二封盖层位于第一封盖层上的情况,第二封盖层的厚度为400埃,并且第一封盖层的厚度为200埃。第一封盖层包括由化学式1表示的化合物,并且第二封盖层包括由化学式3表示的化合物。实施例4为其中仅第一封盖层的厚度不同于比较例3的厚度的示例,并且第一封盖层的厚度为400埃。实施例5为其中仅第一封盖层的厚度不同于实施例4的厚度的示例,并且第一封盖层的厚度为600埃。实施例6为其中仅第一封盖层的厚度不同于实施例4的厚度的示例,其中第一封盖层的厚度为800埃。
比较例4为其中比较例3中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。实施例7为其中实施例4中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。实施例8为其中实施例5中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。实施例9为其中实施例6中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。
参考实施例1至实施例9,可确认,虽然它们具有相同的亮度,但是与比较例1至比较例4相比,其效率改善了5%至8%,并且其寿命改善了高达11%至20%。
可确认,比较例2的封盖层中包括的凸起的高度为约400埃,实施例1的凸起的高度为约800埃,实施例2的凸起的高度为约1,000埃,并且实施例3的凸起的高度为约1,000埃或更大。
在比较例1中,封盖层中包括的材料没有形成凸起,并且在比较例2至比较例4中,由于第一封盖层的厚度非常薄,因此难以形成有效生成光散射的凸起,并且因此确认,效率或寿命的增加不是有效的。例如,可确认,凸起的高度需要至少600埃以提供有效的光散射。
[表1]
参考表2,比较例5仅包括封盖层,该封盖层包括由化学式3表示的化合物,并且封盖层的厚度为400埃。比较例6包括封盖层,该封盖层包括由化学式2表示的化合物,并且封盖层的厚度为200埃。实施例10与比较例6仅在厚度上不同,并且封盖层的厚度为400埃。实施例11与实施例10仅在厚度上不同,并且封盖层的厚度为600埃。实施例12与实施例10仅在厚度上不同,并且封盖层的厚度为800埃。
比较例7为其中第二封盖层位于第一封盖层上的情况,第二封盖层的厚度为400埃,并且第一封盖层的厚度为200埃。第一封盖层包括由化学式2表示的化合物,并且第二封盖层包括由化学式3表示的化合物。实施例13为其中仅第一封盖层的厚度不同于比较例7的厚度的示例,并且第一封盖层的厚度为400埃。实施例14为其中仅第一封盖层的厚度不同于实施例13的厚度的示例,并且第一封盖层的厚度为600埃。实施例15为其中仅第一封盖层的厚度不同于实施例13的厚度的示例,并且第一封盖层的厚度为800埃。
比较例8为其中比较例7中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。实施例16为其中实施例13中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。实施例17为其中实施例14中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。实施例18为其中实施例15中的第一封盖层和第二封盖层的位置改变的示例。
参考实施例10至实施例18,可以看出,虽然它们具有相同的亮度,但是与比较例5至比较例8相比,其效率改善了3%至6%并且其寿命改善了高达10%至16%。
可确认,比较例6的凸起的高度为约300埃,实施例10的凸起的高度为约600埃,实施例11的凸起的高度为约900埃,并且实施例12的凸起的高度为约900埃或更多。
在比较例5中,封盖层中包括的材料没有形成凸起,并且在比较例6至比较例8中,由于第一封盖层的厚度非常薄,因此难以形成有效生成光散射的凸起,并且因此确认,效率或寿命的增加不是有效的。例如,可确认,凸起的高度需要至少600埃以提供有效的光散射。
[表2]
例如,在显示装置包括包含由如上所述的化学式1表示的化合物和/或由化学式2表示的化合物的封盖层的情况下,发光装置的发光效率和寿命可增加。
在本文中已经公开了实施方式,并且尽管采用了术语,但是仅以一般性和描述性含义使用和解释它们并且不用于限制的目的。在一些情况下,如将对本领域普通技术人员显而易见的,结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合,除非另外具体地指示。相应地,本领域普通技术人员将理解,在不背离如权利要求中陈述的本公开的精神和范围的情况下,可在形式和细节上进行各种改变。
Claims (10)
1.一种显示装置,包括:
设置在基板上的发光装置;
设置在所述发光装置上的封盖层;和
设置在所述封盖层上的封装层,其中
所述封盖层包括面向所述封装层的第一表面,
所述封盖层的所述第一表面包括朝着所述封装层凸出的凸起,并且
在横截面图中,所述凸起的高度大于或等于600埃。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中在平面图中,所述凸起的面积大于或等于1平方微米。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层包括由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物中的至少一种:
化学式1
化学式2
其中在化学式1中,
Ar为具有6至20个碳原子的芳基,并且
每个R独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有5至20个碳原子的杂芳基、卤素、硝基、CN或胺基。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中在横截面图中,所述封盖层的厚度在300埃至1,000埃的范围内。
5.一种显示装置,包括:
设置在基板上的发光装置;
设置在所述发光装置上的封盖层;和
设置在所述封盖层上的封装层,其中
所述封盖层包括第一封盖层和第二封盖层,
所述第一封盖层包括第一凸起,并且
所述第一封盖层和所述第二封盖层中的每一个包括有机材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述发光装置包括:
第一电极;
设置在所述第一电极上的发射层;以及
设置在所述发射层上的第二电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中
所述第一封盖层设置在所述第二电极上,并且
所述第二封盖层设置在所述第一封盖层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述第二封盖层覆盖所述第一封盖层。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中
所述第一封盖层暴露所述第二电极的一部分,并且
所述第二封盖层覆盖所述第二电极和所述第一封盖层。
10.根据权利要求6所述的显示装置,其中
所述第二封盖层设置在所述第二电极上,并且
所述第一封盖层设置在所述第二封盖层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220066815A KR20230167245A (ko) | 2022-05-31 | 2022-05-31 | 표시 장치 |
KR10-2022-0066815 | 2022-05-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117156890A true CN117156890A (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=88876204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310628751.7A Pending CN117156890A (zh) | 2022-05-31 | 2023-05-30 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230389402A1 (zh) |
KR (1) | KR20230167245A (zh) |
CN (1) | CN117156890A (zh) |
-
2022
- 2022-05-31 KR KR1020220066815A patent/KR20230167245A/ko unknown
-
2023
- 2023-04-06 US US18/296,481 patent/US20230389402A1/en active Pending
- 2023-05-30 CN CN202310628751.7A patent/CN117156890A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230167245A (ko) | 2023-12-08 |
US20230389402A1 (en) | 2023-11-30 |
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