CN117147586A - 一种cof树脂区异物检测方法 - Google Patents

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汪文坚
杨雪松
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    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined

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Abstract

本发明公开了一种COF树脂区异物检测方法，包括：（1）光源调整：chip B站light值调至880±50，chip站light值归0，调整光圈值，获取最佳光圈值；调整chip站辨识度，获取最佳辨识度；调整chip站light值，获取最佳chip站light值；调整chip站取像线值，获取最佳取像线值；增加侧光源，侧光源强度与chip B站light值相同，调整侧光源与竖直方向的倾斜角度，获得最佳倾斜角度；（2）利用调整好的光源进行树脂区异物检测。通过对参数优化并与侧光源结合，能有效检测中脂区、过渡区的异物。

Description

一种COF树脂区异物检测方法
技术领域
本发明属于视觉检测技术，具体涉及一种COF树脂区异物检测方法。
背景技术
COF产品的树脂区包括厚脂区、中脂区、薄脂区，树脂为环氧树脂，由于厚脂区光线无法通过，所有企业对于该部分均不要求检测，而对于薄脂区、中脂区以及薄脂区与中脂区之间的过渡区和中脂区与厚脂区之间的过渡区均要求检测以剔除不良品。
现有的检测方式主要采用由田新技股份有限公司生产的自动光学检查机（reelto Reel Cof Chip）用于检测，该机台包括chip B 站出光口、位于chip B 站出光口下方的正光光源、位于chip B 站出光口上方的Chip 站 CCD 取像模块，对于该机台，其采用正光光源，使用时标准参数：chip B 站light值为880，chip 站 light值为0，光圈值5.6，chip站取像线值为7.28，chip 站辨识度为-9，CCD Gain取值3。
该检测参数对薄脂区能够进行有效检测，但对中脂区及过渡区检测效果差，具体参考图1-3所示。
发明内容
本发明设计了一种COF树脂区异物检测方法，通过对参数优化并与侧光源结合，能有效检测中脂区、过渡区的异物。
本发明公开的技术方案如下：一种COF树脂区异物检测方法，包括，
（1）光源调整：
chip B站light值调至880±50，chip 站 light值归0，调整光圈值，获取最佳光圈值；
调整chip 站辨识度，获取最佳辨识度；
调整chip 站 light值，获取最佳chip 站 light值；
调整chip 站取像线值，获取最佳取像线值；
增加侧光源，侧光源强度与chip B站light值相同，调整侧光源与竖直方向的倾斜角度，获得最佳倾斜角度；
（2）利用调整好的光源进行树脂区异物检测。
在上述方案的基础上，作为优选，最佳光圈值为4.7。
在上述方案的基础上，作为优选，最佳辨识度为5.981。
在上述方案的基础上，作为优选，最佳chip 站 light值为50。
在上述方案的基础上，作为优选，最佳取像线值为8.24。
在上述方案的基础上，作为优选，侧光源与竖直方向的最佳角度为40度。
在上述方案的基础上，作为优选，还包括CCD Gain参数调整，CCD Gain参数由标准3修改为4.1。
在上述方案的基础上，作为优选，利用光学检查机进行检测，光学检查机包括chipB 站出光口、位于chip B 站出光口下方的正光光源、位于chip B 站出光口上方的Chip 站CCD 取像模块，在所述正光光源外侧固定安装侧光源，侧光源与树脂方向呈30-45度角射出chip B 站出光口。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
通过对参数优化并与侧光源结合，能有效检测中脂区、过渡区的异物。从而剔除不良品。
附图说明
图1是标准参数下样品一的Defect图片；
图2是标准参数下样品二的Defect图片；
图3是标准参数下样品三的Defect图片；
图4是本发明检测参数下样品一的Defect图片；
图5是本发明检测参数下样品二的Defect图片；
图6是本发明检测参数下样品三的Defect图片；
图7是本发明检测方法中CCD Gain参数调整前后的Defect对比图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
一种COF树脂区异物检测方法，包括，
光源调整：
chip B站light值调至880±50，chip 站 light值归0，调整光圈值，获取最佳光圈值；在本发明中，优选将光圈值调整至4.7，以使胶区可辨识，此时，芯片背面轻微模糊，胶区可见，轻微模糊，线路区偏黑，Defect基本不可辨识。
调整chip 站辨识度，获取最佳辨识度；在本发明人中，优先将辨识度调整至5.981，以使线路区可辨识，此时，芯片背面轻微模糊，胶区可见，轻微模糊，线路依稀可辨识，Defect基本不可辨识。
调整chip 站 light值，获取最佳chip 站 light值；本发明中通过逐渐增加light值，如15、50、100并对比，light值15时，芯片背面轻微模糊，胶区可见，轻微模糊，线路依稀可辨识，Defect基本不可辨识，胶区亮度略有提高；light值50时，芯片背面轻微模糊，胶区可见，轻微模糊，线路依稀可辨识，Defect勉强可辨识，胶区亮度有提高；light值100时，芯片背面轻微模糊，胶区可见，轻微模糊，线路下过黑无法辨识，Defect勉强可辨识，胶区亮度提高明显。因此，优选 light值50。
增加侧光源，侧光源强度与chip B站light值相同，调整侧光源与竖直方向的倾斜角度，倾斜角度为40度；芯片背面边缘轮廓及字迹清晰可见，胶区单边模糊可见，线路纹理清晰，Defect可辨识，胶区亮度明显。
调整chip 站取像线值，获取最佳取像线值；在本发明中，取像线值7.75、8.24，采用7.75时，芯片背面边缘轮廓及字迹清晰可见，胶区单边明显可见，线路纹理清晰，Defect可辨识，胶区亮度明显。采用8.24时，芯片背面边缘轮廓及字迹清晰可见，胶区双边明显可见，线路纹理清晰，Defect可辨识，胶区亮度明显。
利用调整好的光源进行树脂区异物检测。样品1-3的Defect图片参考图4-6。
为了更清晰的看清树脂区线条轮廓及Defect图片，进一步完善本发明，对CCDGain参数进行调整，CCD Gain参数由标准3修改为4.1，调整前后如图7所示。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不托离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种COF树脂区异物检测方法，其特征在于，包括，
（1）光源调整：
chip B站light值调至880±50，chip 站 light值归0，调整光圈值，获取最佳光圈值；
调整chip 站辨识度，获取最佳辨识度；
调整chip 站 light值，获取最佳chip 站 light值；
调整chip 站取像线值，获取最佳取像线值；
增加侧光源，侧光源强度与chip B站light值相同，调整侧光源与竖直方向的倾斜角度，获得最佳倾斜角度；
（2）利用调整好的光源进行树脂区异物检测。
2.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，其特征在于，最佳光圈值为4.7。
3.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，其特征在于，最佳辨识度为5.981。
4.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，其特征在于，最佳chip 站 light值为50。
5.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，其特征在于，最佳取像线值为8.24。
6.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，其特征在于，侧光源与竖直方向的最佳角度为40度。
7.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，其特征在于，还包括CCD Gain参数调整，CCD Gain参数由标准3修改为4.1。
8.如权利要求1所述的COF树脂区异物检测方法，利用光学检查机进行检测，光学检查机包括chip B 站出光口、位于chip B 站出光口下方的正光光源、位于chip B 站出光口上方的Chip 站 CCD 取像模块，其特征在于，在所述正光光源外侧固定安装侧光源，侧光源与树脂方向呈30-45度角射出chip B 站出光口。
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