CN117080230A - 图像传感器 - Google Patents

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CN117080230A
CN117080230A CN202310535413.9A CN202310535413A CN117080230A CN 117080230 A CN117080230 A CN 117080230A CN 202310535413 A CN202310535413 A CN 202310535413A CN 117080230 A CN117080230 A CN 117080230A
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CN
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region
conductive pattern
passivation layer
image sensor
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朴知修
罗承柱
郑会敏
郑熙根
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Samsung Electronics Co Ltd
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    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract

公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；导电图案，所述导电图案设置在所述钝化层上；以及粘合层，所述粘合层沉积在所述钝化层和所述导电图案上，其中，所述导电图案包括：第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，其中，所述倾斜区域的第一顶面从所述第一平坦区域的第二顶面弯曲，其中，所述第一顶面相对于所述第二顶面具有恒定斜度。

Description

图像传感器
技术领域
本公开涉及图像传感器。
背景技术
图像传感器是将光信息转换成电信号的半导体元件。图像传感器可以包括基于电荷耦合器件(CCD)的图像传感器和基于互补金属氧化物半导体(CMOS)的图像传感器。
图像传感器可以设置在具有保护图像传感器的结构的封装件中，并且同时，使得光入射在图像传感器的光接收表面或感测区域上。
发明内容
根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，其中导电图案被以倾斜方式蚀刻以改进沉积在所述导电图案上的材料的台阶覆盖。
根据本发明构思的一些方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；导电图案，所述导电图案设置在所述钝化层上；以及粘合层，所述粘合层沉积在所述钝化层和所述导电图案上，其中，所述导电图案包括：第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，其中，所述倾斜区域的第一顶面从所述第一平坦区域的第二顶面弯曲，其中，所述第一顶面相对于所述第二顶面具有恒定斜度。
根据本发明构思的一些方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；导电图案，所述导电图案形成在所述钝化层上；以及粘合层，所述粘合层沿着所述导电图案形成并且形成在所述钝化层上，其中，所述导电图案包括：第一平坦区域，所述第一平坦区域从所述钝化层在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且延伸以便具有第一恒定厚度；以及倾斜区域，其中，所述倾斜区域中的所述导电图案在所述第二方向上自所述钝化层起的厚度随着所述倾斜区域中的所述导电图案在所述第一方向上远离所述第一平坦区域延伸而从所述第一厚度减小。
根据本发明构思的一些方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；沟槽，所述沟槽延伸穿过所述钝化层并且延伸穿过所述衬底的部分；导电图案，所述导电图案沿着所述沟槽的轮廓延伸并且形成在所述钝化层上；焊盘，所述焊盘设置在所述沟槽中并且设置在所述导电图案上；以及粘合层，所述粘合层形成在所述导电图案和所述钝化层上，其中，所述导电图案包括：第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，其中，所述倾斜区域中的所述导电图案的顶面以相对于所述钝化层的顶面的第一角度的第一斜度倾斜，其中，所述第一角度大于0度且小于90度，其中，所述倾斜区域中的所述导电图案的顶面是平坦的。
然而，本公开不限于此，因此，未被提及的其他目的和优点可以基于以下描述被理解，并且可以基于根据本公开的实施例被更清楚地理解。
其他实施例的特定细节被包括在具体描述和附图中。
附图说明
通过参考附图详细地描述本公开的说明性实施例，本公开的上述及其他方面和特征将变得更清楚，在附图中：
图1是根据本公开的示例实施例的图像传感器的框图。
图2是根据本公开的示例实施例的图像传感器的单位像素区域的说明性电路图。
图3是根据本公开的示例实施例的图像传感器的示意平面图。
图4是沿着图3中的线A-A'和B-B'截取的截面图。
图5是图4的R1区域的放大图。
图6是用于图示根据本公开的另一实施例的图像传感器的图。
图7是沿着图3中的线A-A'和C-C'截取的截面图。
图8是图7的R2区域的放大图。
图9是图7的R3区域的放大图。
图10是沿着图3中的线A-A'和D-D'截取的截面图。
图11是图10的R4区域的放大图。
具体实施方式
在下文中，将详细地且清楚地描述本公开的实施例，使得本领域的技术人员容易地执行本公开。在以下描述中，诸如详细部件和结构的特定细节仅仅被提供来帮助全面地理解本公开的实施例。为了图示的简单和清楚，附图中的元件不一定按比例绘制。不同附图中的相同的附图标记表示相同或类似的元件，因此执行类似的功能。此外，为了描述的简单，省略了公知步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，阐述了许多特定细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，应理解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开。在其他情况下，尚未详细地描述公知方法、过程、部件和电路，以免不必要地使本公开的各方面模糊。在下面进一步说明和描述各种实施例的示例。应理解，本文的描述不旨在将权利要求限于所描述的特定实施例。相反，它旨在涵盖如可以被包括在如由所附权利要求所限定的本公开的精神和范围内的替代方案、修改和等同形式。
在附图中图示的示例实施例中，元件的诸如形状、尺寸、比率、角度、编号等的特性是说明性的，并且本公开不限于此。在本文中相同的附图标记指相同的元件。此外，为了描述的简单，省略了公知步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，阐述了许多特定细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，应理解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开。在其他情况下，尚未详细地描述公知方法、过程、部件和电路，以免不必要地使本公开的各方面模糊。
本文所用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本公开。如本文所用，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式。应进一步理解，术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”当用在本说明书中时，指定存在所陈述的特征、整数、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分。如本文所用，术语“和/或”包括相关列举的项目中的一个或更多个项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一者”的表述当在元件的列表之前时，可以修饰元件的整个列表，而可能不修饰列表的个别的元件。当提及“C到D”时，除非另外指定，否则这意指C(内含)到D(内含)。
应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或截面，但是这些元件、部件、区域、层和/或截面不应当受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或截面和另一元件、部件、区域、层或截面区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，下述第一元件、部件、区域、层或截面能够被称为第二元件、部件、区域、层或截面。
另外，也应理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”或“之下”时，第一元件可以直接设置在第二元件上或之下，或者可以间接设置在第二元件上或之下同时第三元件或层设置在第一元件或层与第二元件或层之间。应理解，当一个元件或层被称为“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接位于另一元件或层上，连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。另外，也应理解，当一个元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
此外，如本文所用，当一层、膜、区域、板等设置“在”另一层、膜、区域、板等“上”或“的顶部”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者与后者之间设置再一层、膜、区域、板等。如本文所用，当一层、膜、区域、板等直接设置“在”另一层、膜、区域、板等“上”或“的顶部”时，前者直接接触后者，并且在前者与后者之间未设置再一层、膜、区域、板等。此外，如本文所用，当一层、膜、区域、板等设置“在”另一层、膜、区域、板等“下面”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者与后者之间设置再一层、膜、区域、板等。如本文所用，当一层、膜、区域、板等直接设置“在”另一层、膜、区域、板等“下面”或“下方”时，前者直接接触后者，并且在前者与后者之间未设置再一层、膜、区域、板等。
除非另外定义，否则本文所用的包括技术术语和科学术语的所有术语都具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。应进一步理解，诸如常用词典中定义的那些的术语应当被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不在理想化或过于正式的意义上进行解释。
在一个示例中，当可以不同地实现特定实施例时，特定框中指定的功能或操作可以按与流程图中指定的顺序不同的顺序发生。例如，实际上可以同时执行两个连续的框。依据相关功能或操作，可以按相反顺序执行各框。
在时间关系(例如，两个事件之间的时间先决关系，诸如“在……之后”、“继……之后”、“在……之前”等)的描述中，除非未指示“在……之后直接”、“随后直接”或“在……之前直接”，否则可以在其间发生另一事件。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或完全地彼此组合，并且可以在技术上彼此相关联或者互操作。实施例可以被彼此独立地实现并且可以被以关联关系一起实现。
为了说明的容易，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等来如各图所图示的那样描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应理解，除了各图中描绘的定向之外，空间相对术语也旨在包含装置在使用中或在操作中的不同定向。例如，当附图中的装置被翻过来时，被描述为“在”其他元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件然后将被定向“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下面”和“在……下方”可以包含在……上方和在……下面两者的定向。装置可以被以其他方式定向，例如旋转90度或在其他定向下，并且本文所用的空间相对描述符应当被相应地解释。
图1是根据本公开的示例实施例的图像传感器的框图。
参考图1，根据本公开的一些实施例的图像传感器1包括有源像素传感器阵列10、定时生成器20、行译码器30、行驱动器40、相关双采样器(CDS)50、模数转换器(ADC)60、锁存器70和列译码器80。
有源像素传感器阵列10包括分别包括光电转换元件并二维地布置的多个单位像素。多个单位像素可以执行将光学图像转换成电输出信号的功能。
有源像素传感器阵列10可以在从行驱动器40接收到诸如行选择信号、重置信号和电荷转移信号的多个驱动信号时被驱动。此外，可以通过垂直信号线来将转换后的电输出信号提供给相关双采样器50。
定时生成器20可以向行译码器30和列译码器80提供定时信号和控制信号。
行驱动器40可以基于来自行译码器30的译码结果来向有源像素传感器阵列10提供用于驱动多个单位像素的多个驱动信号。一般而言，当单位像素以矩阵形式布置时，可以在行基础上提供驱动信号。
相关双采样器50可以通过垂直信号线来接收来自有源像素传感器阵列10的输出信号，并且对所接收到的信号进行保持和采样。也就是说，CDS 50可以对输出信号的特定噪声电平和信号电平执行双采样，并且可以输出和噪声电平与信号电平之间的差相对应的差电平。
模数转换器60可以将与差电平相对应的模拟信号转换成数字信号并且输出该数字信号。
锁存器70可以锁存数字信号，并且可以基于来自列译码器80的译码结果将锁存信号顺序地输出到图像信号处理单元(即，图像处理器)。
图2是根据本公开的示例实施例的图像传感器的单位像素区域的说明性电路图。
参考图2，像素P布置在矩阵列中以构成有源像素传感器阵列10。每个像素P包括光电转换元件11、浮动扩散(FD)区域13、电荷转移元件15、驱动元件17、重置元件18和选择元件19。作为示例，可以基于第i行中的像素P(i,j)、P(i,j+1)、P(i,j+2)、P(i,j+3)、...来描述这些元件的结构和功能。
光电转换元件11可以吸收入射光并且累积与光的量相对应的电荷。光电转换元件11可以被体现为光电二极管、光电晶体管、光电门、钉扎(pinned)光电二极管或它们的组合。在附图中图示了光电转换元件11被体现为光电二极管的示例。
光电转换元件11可以耦接到将已累积的电荷转移到FD区域13的电荷转移元件15。
FD区域13指将电荷转换成电压的区域。例如，因为FD区域具有寄生电容，所以FD区域将电荷累积在FD区域中。
根据示例实施例，驱动元件17可以是源极跟随器放大器，其可以在接收到光电转换元件11中累积的电荷时放大FD区域13的电位变化并且将放大后的变化输出到输出线Vout。
根据示例实施例，重置元件18可以定期地重置FD区域13。重置元件18可以被体现为通过经由施加预定义偏压(即，重置信号)的重置线RX(i)提供的偏压所驱动的一个MOS晶体管。
当重置元件18基于经由重置线RX(i)提供的偏压被接通时，提供给重置元件18的漏极的预定义电位(例如，电源电压VDD)可以被转移到FD区域13。
根据示例实施例，选择元件19可以执行选择要在行基础上读取的像素P的功能。选择元件19可以被体现为通过经由行选择线SEL(i)提供的偏压(即，行选择信号)所驱动的一个MOS晶体管。
当选择元件19基于经由行选择线SEL(i)提供的偏压被接通时，提供给选择元件19的漏极的预定义电位(例如，电源电压VDD)可以被输送到驱动元件17的漏极区域。
用于对电荷转移元件15施加偏压的转移线TX(i)、用于对重置元件18施加偏压的重置线RX(i)、和用于对选择元件19施加偏压的行选择线SEL(i)可以以基本上平行方式向彼此延伸并且可以沿列方向布置。
图3是根据本公开的示例实施例的图像传感器的示意平面图。
参考图3，根据本公开的示例实施例的图像传感器1可以包括第一区域I、第二区域II、第三区域III和第四区域IV。
根据示例实施例，第一区域I和第二区域II可以构成传感器阵列区域。在由第一方向DR1和与第一方向DR1垂直的第二方向DR2限定的平面内，第二区域II可以围绕第一区域I。
第一区域I可以是包括用于生成与来自外部的光的波长相对应的有源信号的有源像素的有源像素传感器区域。第二区域II可以是用于阻挡来自外部的光以生成光学黑色信号(optical black signal)的光学黑色传感器区域。
根据示例实施例，第四区域IV可以是焊盘区域。设置在第四区域IV中的多个焊盘180可以向外部装置发送电信号和从外部装置接收电信号。在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面内，第四区域IV可以围绕第二区域II。
根据示例实施例，第三区域Ⅲ可以是连接区域。第三区域Ⅲ可以电连接到逻辑电路区域。第三区域Ⅲ可以设置在作为光学黑色传感器区域的第二区域Ⅱ与作为焊盘区域的第四区域Ⅳ之间。
图4是沿着图3中的线A-A'和B-B'截取的截面图。
参考图4，根据本公开的示例实施例的图像传感器1可以包括第一衬底100、第一绝缘层101、第二绝缘层102、第一栅极结构105、第二栅极结构106、第一布线结构110、第二布线结构120、第二衬底130、光电转换元件PD、第一元件隔离层135、第二元件隔离层140、沟槽阻挡层141、钝化层150、第一滤色器151、第二滤色器152、网格图案155、微透镜157、透明层159、第一导电图案161和粘合层171。
第一衬底100可以由例如块状硅(bulk silicon)或绝缘体上硅(SOI)制成。第一衬底100可以被体现为硅衬底，或者可以包括除硅以外的材料。例如，第一衬底100可以由锗硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓制成。或者，第一衬底100可以包括基底衬底和形成在基底衬底上的外延层。
第一绝缘层101可以设置在第一衬底100上。第一绝缘层101可以被设置为覆盖设置在第一衬底100上的第一栅极结构105。第一绝缘层101可以包括例如以下中的至少一种：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、低介电常数材料和它们的组合。
第一布线结构110可以设置在第一绝缘层101上。第一布线结构110可以包括第一层间绝缘膜112和设置在第一层间绝缘膜112内部的多个第一布线层111。
第一布线层111可以包括例如铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)等。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第一布线层111可以包括一种或更多种其他材料或各种材料的组合。
第一层间绝缘膜112可以包括例如以下中的至少一种：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、低介电常数材料或它们的组合。
第二布线结构120可以设置在第一布线结构110上。第二布线结构120可以包括第二层间绝缘膜122和设置在第二层间绝缘膜122内部的多个第二布线层121。
第二布线层121可以包括例如铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)等。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第二布线层121可以包括一种或更多种其他材料或各种材料的组合。
第二层间绝缘膜122可以包括例如以下中的至少一种：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、低介电常数材料或它们的组合。
第二绝缘层102可以设置在第二布线结构120上。第二绝缘层102可以被设置为覆盖设置在第二衬底130的底面103a上的多个第二栅极结构106。第二栅极结构106可以作为例如电荷转移元件的栅极、重置元件的栅极、或驱动元件的栅极。
第二绝缘层102可以包括例如以下中的至少一种：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、低介电常数材料或它们的组合。
第二衬底130可以设置在第二绝缘层102上。第二衬底130可以由例如块状硅或绝缘体上硅(SOI)制成。第二衬底130可以被体现为硅衬底，或者可以包括除硅以外的材料，例如，锗硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。或者，第二衬底130可以包括基底衬底和形成在基底衬底上的外延层。
为了描述的方便，描述了第二衬底130包括作为有源像素传感器区域的第一区域I的示例。
光电转换元件PD可以设置在第二衬底130中。光电转换元件PD可以设置在第一区域I中并且可以设置在第二衬底130中。此外，光电转换元件PD可以设置在第二区域II中并且可以设置在第二衬底130中。
光电转换元件PD可以被体现为例如光电二极管。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，光电转换元件PD可以是与光电二极管不同的元件。可以在第二衬底130中设置多个光电转换元件PD。光电转换元件PD可以经由第一元件隔离层135和第二元件隔离层140彼此隔离。
第一元件隔离层135可以设置在第一沟槽T1中。第一元件隔离层135的底面可以与第二绝缘层102接触。
第一元件隔离层135可以包括例如以下中的至少一种：氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)、氮氧化硅(SiON)和氮碳氧化硅(SiOCN)。
可以在第一沟槽T1上和在多个光电转换元件PD中的相邻光电转换元件PD之间形成第二沟槽T2。第二沟槽T2可以从第二衬底130的底面130a延伸到第二衬底130中并且在第三方向DR3上延伸。第二沟槽T2可以延伸到第二衬底130的顶面130b。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第一沟槽T1和/或第二沟槽T2可以具有不同配置或不同结构。
第二沟槽T2在第一方向DR1上的尺寸可以小于第一沟槽T1在第一方向DR1上的尺寸。
第二元件隔离层140可以设置在第二沟槽T2中。第二元件隔离层140可以包括与第一元件隔离层135的材料不同的材料。第二元件隔离层140可以包括具有极好的间隙填充性能的材料，例如，多晶硅(poly-Si)。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第二元件隔离层140可以包括一种或更多种其他材料或它们的组合。
可以在第二沟槽T2中并沿着第二沟槽T2的侧壁设置沟槽阻挡层141。具体地，沟槽阻挡层141可以设置在第二沟槽T2中并设置在第二元件隔离层140的侧壁与第二衬底130之间以及设置在第二元件隔离层140与第一元件隔离层135之间。尽管在图4中图示了沟槽阻挡层141共形地形成在第二沟槽T2中，但是本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，可以以不同方式形成沟槽阻挡层141。
沟槽阻挡层141可以包括与钝化层150的材料相同的材料，例如，高介电常数绝缘材料。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，沟槽阻挡层141可以包括与钝化层150的材料不同的材料。
钝化层150可以设置在第二衬底130的顶面130b上。钝化层150可以包括例如高介电常数绝缘材料。此外，钝化层150可以包括无定形晶体结构。更具体地，构成钝化层150的高介电常数绝缘材料的至少一部分可以具有无定形晶体结构。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，钝化层150可以具有不同结构。
尽管在图4中图示了钝化层150被体现为一个层，但是本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，钝化层150还可以包括平坦化层和抗反射层。在这种情况下，平坦化层可以包括例如氧化硅基材料、氮化硅基材料、树脂或它们的组合中的至少一种。抗反射层可以包括高介电常数材料，例如，氧化铪(HfO2)。然而，本公开的精神不限于此。
第一滤色器151可以设置在第二衬底130的作为有源像素传感器区域的第一区域I上。第一滤色器151未设置在第二衬底130的作为光学黑色传感器区域的第二区域Ⅱ上。
第一滤色器151可以设置在钝化层150上。每个第一滤色器151可以被以对应方式定位到每个单位像素。例如，第一滤色器151可以二维地(例如，以矩阵方式)布置在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面内。
第一滤色器151可以依据单位像素的颜色包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。此外，第一滤色器151可以包括黄色滤色器、品红滤色器和青色滤色器，并且还可以包括白色滤色器。
网格图案155可以以网格形状形成并且形成在第二衬底130的顶面130b上以便围绕每一个单位像素。例如，网格图案155可以设置在第一滤色器151之间并且设置在钝化层150上。网格图案155可以反射斜入射在第二衬底130上的入射光，以向光电转换元件PD提供更大量的入射光。
微透镜157可以设置在第二衬底130的作为有源像素传感器区域的第一区域I上。微透镜157未设置在第二衬底130的作为光学黑色传感器区域的第二区域Ⅱ上。
微透镜157可以设置在第一滤色器151上。微透镜157可以被以对应方式设置到每个单位像素。例如，一个微透镜157可以设置在一个第一滤色器151上。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，可以以不同方式布置微透镜157。微透镜157可以二维地(例如，以矩阵方式)布置在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面内。
微透镜157具有凸形状并且可以具有预定义曲率半径。因此，微透镜157可以将入射光聚焦在光电转换元件PD上。
微透镜157可以包括例如无机材料或诸如光敏树脂的有机材料。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，微透镜157可以包括材料的组合。
根据示例实施例，可以在第二衬底130的作为光学黑色传感器区域的第二区域II上设置第一导电图案161。第一导电图案161可以设置在钝化层150上。
第一导电图案161可以包括金属。例如，第一导电图案161可以包括钛(Ti)或钨(W)中的至少一种。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第一导电图案161可以包括一种或更多种其他材料或它们的组合。
在这方面，第一导电图案161沉积在钝化层150上，然后经历蚀刻工艺。此时，可以以倾斜方式蚀刻第一导电图案161以便如在第一放大区域R1中一样具有倾斜形状。
因此，可以改进在第一导电图案161上形成的粘合层171的台阶覆盖(stepcoverage)。
将根据示例实施例参考图5详细地描述第一放大区域R1。
参考图4和图5，第一导电图案161包括平坦区域R_flat2的部分，平坦区域R_flat2的部分被形成为在第三方向DR3上具有自钝化层150起均匀的第一厚度Th1a。
此外，第一导电图案161包括倾斜区域R_Slope。倾斜区域R_Slope中的第一导电图案161在第三方向DR3上自钝化层150起的厚度随着第一导电图案161在第一方向DR1上远离平坦区域R_flat2延伸而从第一厚度Th1a减小。
在平坦区域R_flat2中，第一导电图案161可以包括第一导电部分161P1。第一导电部分161P1可以包括第一导电顶面161US1。
在倾斜区域R_Slope中，第一导电图案161可以包括第二导电部分161P2。第二导电部分161P2可以连接到第一导电部分161P1。第二导电部分161P2可以包括第二导电顶面161US2。
也就是说，倾斜区域R_Slope中的第一导电图案161的部分在第三方向DR3上自钝化层150起的厚度(例如，厚度Th2b)的值小于第一厚度Th1a的值。具体地，第一导电图案161的倾斜区域R_Slope的厚度可以随着第一导电图案161的倾斜区域R_Slope在第一方向DR1上远离平坦区域R_flat2延伸而减小。第二导电顶面161US2的基于钝化层150的高度可以随着第二导电顶面161US2远离第一导电部分161P1延伸而从第一导电顶面161US1的基于钝化层150的高度逐渐变得越来越小。
第二导电顶面161US2可以具有倾斜形状。第二导电顶面161US2可以以倾斜方式从第一导电顶面161US1朝向钝化层150的顶面150US延伸。例如，第二导电顶面161US2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角(intersection angle)β1。第二导电顶面161US2可以以第一交角β1与钝化层150的顶面150US相交。第二导电顶面161US2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1的恒定斜度(slope)。第一交角β1可以大于0度且小于90度。第二导电顶面161US2可以是平坦的。
换句话说，平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的点可以被定义为第一点P1。也就是说，平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界从第一点P1在第三方向DR3上延伸。
在这方面，倾斜区域R_Slope中的第一导电图案161的部分可以具有相对于平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界斜度为第一角度α1的倾斜形状。
第一角度α1可以指在第三方向DR3与第二导电顶面161US2之间限定的角度。第一角度α1可以包括第二导电顶面161US2相对于第三方向DR3的倾斜角(inclination)。也就是说，第二导电部分161P2可以以相对于第三方向DR3的第一角度α1倾斜。第一角度α1可以大于0度且小于90度。
因此，可以改进形成在第一导电图案161上的粘合层171的台阶覆盖。
也就是说，形成在第一导电图案161上的粘合层171在与第一导电图案161垂直的方向上自第一导电图案161起的厚度Th1、Th2和Th3可以彼此相等。然而，本公开不限于此，并且形成在第一导电图案161上的粘合层171在与第一导电图案161垂直的方向上自第一导电图案161起的厚度Th1、Th2和Th3可以彼此不同。然而，在倾斜区域R_Slope中，粘合层171可以共形地形成在第一导电图案161上，使得粘合层171未被暴露，从而改进其台阶覆盖。
粘合层171可以沿着钝化层150和第一导电图案161延伸。粘合层171可以包括第一延伸部分(extension)171P1、第二延伸部分171P3和弯曲部分171P2。
第一延伸部分171P1可以在第一方向DR1上延伸。第一延伸部分171P1可以设置在第一导电部分161P1上。第一延伸部分171P1可以沿着第一导电部分161P1延伸。
第二延伸部分171P3可以在第一方向DR1上延伸。第二延伸部分171P3可以设置在钝化层150上。第二延伸部分171P3可以沿着钝化层150延伸。
弯曲部分171P2可以设置在第二导电部分161P2上。弯曲部分171P2可以沿着第二导电部分161P2延伸。弯曲部分171P2可以设置在第一延伸部分171P1与第二延伸部分171P3之间。弯曲部分171P2可以连接到第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3。弯曲部分171P2可以从第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3弯曲。弯曲部分171P2相对于第一延伸部分171P1可以具有恒定斜度。弯曲部分171P2相对于第二延伸部分171P3可以具有恒定斜度。
弯曲部分171P2可以在与第一方向DR1相交的方向上延伸。例如，弯曲部分171P2可以在与第一方向DR1和第三方向DR3相交的方向上延伸。
弯曲部分171P2可以以第二角度α2的倾斜角从平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界延伸。第二角度α2可以指在第三方向DR3与弯曲部分的顶面171US2之间限定的角度。第二角度α2可以包括弯曲部分的顶面171US2相对于第三方向DR3倾斜的角度。也就是说，弯曲部分171P2可以以相对于第三方向DR3的第二角度α2倾斜。第二角度α2可以大于0度且小于90度。
第二角度α2可以等于第一角度α1。然而，实施例不限于此。例如，第二角度α2可以与第一角度α1不同。
在与第二方向DR2垂直的截面图中，弯曲部分171P2可以具有倾斜形状。例如，弯曲部分171P2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1。弯曲部分171P2可以以相对于钝化层150的第一交角β1倾斜。第一交角β1可以大于0度且小于90度。
第一延伸部分171P1可以具有第一顶面171US1。弯曲部分171P2可以具有第二顶面171US2。第二延伸部分171P3可以具有第三顶面171US3。
第一顶面171US1的基于钝化层150的顶面150US的高度和第三顶面171US3的基于钝化层150的顶面150US的高度可以彼此不同。例如，基于钝化层150的顶面150US，第三顶面171US3可以被定位在比第一顶面171US1的垂直高度更高的垂直高度。
第二顶面171US2可以是平坦的。第二顶面171US2可以相对于第一顶面171US1和第三顶面171US3倾斜。例如，第二顶面171US2相对于第一顶面171US1可以具有大于90度且小于180度的角度。或者，第二顶面171US2可以以大于0度且小于90度的角度与第一顶面171US1相交。第二顶面171US2可以以非直角与第一顶面171US1相交。
第二顶面171US2相对于第三顶面171US3可以具有大于90度且小于180度的角度。或者，第二顶面171US2可以以大于0度且小于90度的角度与第三顶面171US3相交。第二顶面171US2可以以非直角与第三顶面171US3相交。
第二顶面171US2可以以第二角度α2的斜度从平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界延伸。第二顶面171US2可以具有相对于第三方向DR3的第二角度α2的斜度。
粘合层171的厚度可以是恒定的。第一延伸部分171P1可以具有第一厚度Th1。第一厚度Th1可以指第一导电顶面161US1与第一顶面171US1之间的距离。弯曲部分171P2可以具有第二厚度Th2。第二厚度Th2可以指第二导电顶面161US2与第二顶面171US2之间的距离。第二延伸部分171P3可以具有第三厚度Th3。第三厚度Th3可以指钝化层150的顶面150US与第三顶面171US3之间的距离。第一厚度Th1、第二厚度Th2和第三厚度Th3可以彼此相等。然而，实施例不限于此。例如，第一厚度Th1、第二厚度Th2和第三厚度Th3可以彼此不同。
由于第一导电图案161的第二导电顶面161US2具有倾斜形状，所以弯曲部分171P2可以沿着第一导电图案161并在其上共形地延伸。粘合层171的第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3可以不彼此断开，而是可以经由弯曲部分171P2彼此稳定地连接。
图6是用于图示根据本公开的另一实施例的图像传感器的图。为了描述的方便，将在下面阐述其与如上面参考图4和图5所阐述的描述的差异。
参考图6，在倾斜区域R_Slope中，第一导电图案161可以包括第二导电部分161P2和第三导电部分161P3。随着第一导电图案161远离平坦区域R_flat2延伸，倾斜区域R_Slope中的第一导电图案161的厚度可以减小。第一导电图案161的基于钝化层150的顶面150US的厚度可以随着第一导电图案161在第一方向DR1上远离第一导电部分161P1延伸而从第一导电部分161P1的厚度Th1a逐渐减小。
第二导电部分161P2可以具有第二导电顶面161US2。第三导电部分161P3可以具有第三导电顶面161US3。
第二导电顶面161US2相对于第一导电顶面161US1可以具有恒定斜度。第二导电顶面161US2可以从第一导电顶面161US1弯曲。例如，第二导电顶面161US2可以具有相对于第三方向DR3的第一角度α1的斜度。第一角度α1可以大于0度且小于90度。第二导电顶面161US2可以包括平坦面。
第三导电顶面161US3相对于钝化层150的顶面150US可以具有恒定斜度。第三导电顶面161US3可以从钝化层150的顶面150US弯曲。第三导电顶面161US3相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1。第三导电顶面161US3可以以相对于第一方向DR1的第一交角β1的恒定斜度延伸。
第三导电顶面161US3可以以第一交角β1与钝化层150的顶面150US相交。
第一交角β1可以大于0度且小于90度。
第三导电顶面161US3可以从第二导电顶面161US2弯曲。例如，第三导电顶面161US3可以具有相对于第三方向DR3的第三角度α3的斜度。第三角度α3可以大于0度且小于90度。第三导电顶面161US3可以包括平坦面。
在倾斜区域R_Slope中，粘合层171可以包括第一弯曲部分171P2a和第二弯曲部分171P2b。
第一弯曲部分171P2a可以设置在第二导电部分161P2上。第一弯曲部分171P2a可以沿着第二导电部分161P2延伸。第一弯曲部分171P2a可以从第一延伸部分171P1弯曲。第一弯曲部分171P2a可以设置在第一延伸部分171P1与第二弯曲部分171P2b之间。第一弯曲部分171P2a相对于第一延伸部分171P1可以具有恒定斜度。例如，第一弯曲部分171P2a可以以相对于第三方向DR3的第二角度α2倾斜。第二角度α2可以大于0度且小于90度。第二角度α2可以等于第一角度α1。然而，实施例不限于此。例如，第二角度α2可以与第一角度α1不同。
第二弯曲部分171P2b可以设置在第三导电部分161P3上。第二弯曲部分171P2b可以沿着第三导电部分161P3延伸。第二弯曲部分171P2b可以从第二延伸部分171P3弯曲。第二弯曲部分171P2b可以设置在第二延伸部分171P3与第一弯曲部分171P2a之间。第二弯曲部分171P2b相对于第二延伸部分171P3可以具有恒定斜度。例如，第二弯曲部分171P2b可以以相对于第三方向DR3的第四角度α4倾斜。第四角度α4可以大于0度且小于90度。第四角度α4可以等于第三角度α3。然而，实施例不限于此。例如，第四角度α4可以与第三角度α3不同。
图7是沿着图3中的线A-A'和C-C'截取的截面图。为了参考，在有关图7的描述中，省略了与上面参考图4描述的内容重复的内容，并且以下描述集中于其之间的差异。
参考图7，以下描述基于第三区域III。第三区域III包括第二导电图案162、低折射率层172和光刻胶173。
为了描述的方便，第二衬底130被定义为包括第三区域Ⅲ作为将有源像素传感器区域彼此连接的连接区域。然而，在第二衬底130的第三区域Ⅲ内部未设置光电转换元件PD。
参考图7，第二导电图案162可以延伸穿过层间绝缘膜112的部分并且电连接到布线层111。也就是说，第二导电图案162可以延伸穿过布线结构120、绝缘层102、衬底130和钝化层150并且在第三方向DR3上延伸。
可以在第二衬底130的第三区域III中形成连接沟槽CT。连接沟槽CT可以在第三方向DR3上延伸穿过钝化层150、第二衬底130、第二绝缘层102和第二布线结构120。连接沟槽CT可以延伸到第一布线结构110中。
连接沟槽CT可以延伸到第一布线层111中。连接沟槽CT可以暴露第二布线层121的至少一部分。连接沟槽CT的底面可以具有台阶。
第二导电图案162可以沿着连接沟槽CT的侧壁和底面设置。可以例如共形地形成第二导电图案162。第二导电图案162的至少一部分可以延伸到钝化层150的顶面上。
第二导电图案162可以包括金属。例如，第一导电图案161可以包括钛(Ti)或钨(W)中的至少一种。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第一导电图案161可以包括一种或更多种其他材料或它们的组合。
根据实施例，低折射率层172可以设置在粘合层171上并且设置在连接沟槽CT中。低折射率层172可以填充连接沟槽CT。低折射率层172可以包括例如氧化物、氮化物或氮氧化物中的至少一种。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，低折射率层172可以包括一种或更多种其他材料。
光刻胶173可以设置在低折射率层172上。光刻胶173的一部分可以被设置为从粘合层171的顶面突出。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，可以省略光刻胶173。
第二滤色器152可以设置在第二衬底130的作为光学黑色传感器区域的第二区域II上并且设置在第二衬底130的作为连接区域的第三区域III上。
第二滤色器152可以设置在粘合层171上。
第二滤色器152可以与例如粘合层171的顶面接触。例如，第二滤色器152的顶面的垂直高度可以高于第一滤色器151的顶面的水平高度。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第二滤色器152的顶面的垂直高度可以不高于第一滤色器151的顶面的垂直高度。第二滤色器152可以包括例如蓝色滤色器。
透明层159可以设置在粘合层171和第二滤色器152上。根据示例实施例，透明层159可以被设置为位于第二滤色器152的整体上。透明层159可以被设置为覆盖例如第二滤色器152的整体。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，透明层159可以被设置为覆盖第二滤色器152的至少一部分。
第二导电图案162在第一方向DR1上延伸并且包括形成在钝化层150上的部分。
粘合层171可以形成在第二导电图案162上并且沿着第二导电图案162共形地形成。
此外，粘合层171在第一方向DR1上延伸并且包括形成在钝化层150上的部分。
在这方面，第二导电图案162沉积在钝化层150上，然后经历蚀刻工艺。在这方面，第二导电图案162被以倾斜方式蚀刻以便如在第二放大区域R2和第三放大区域R3中一样具有倾斜形状。
因此，可以改进形成在第二导电图案162上的粘合层171的台阶覆盖。
将参考图8和图9对此进行详细的描述。
图8是图7的R2区域的放大图。图9是图7的R3区域的放大图。
为了参考，因为图9的R3区域相对于图8的R2区域具有对称形状，所以以下描述可以适用于R2区域和R3区域两者。
参考图7至图9，第二导电图案162包括平坦区域R_flat2的部分，平坦区域R_flat2的部分被形成为在第三方向DR3上具有自钝化层150起均匀的第一厚度Th1a。
此外，第二导电图案162包括倾斜区域R_Slope。倾斜区域R_Slope中的第二导电图案162在第三方向DR3上自钝化层150起的厚度随着第二导电图案162在第一方向DR1上远离平坦区域R_flat2延伸而从第一厚度Th1a减小。
也就是说，倾斜区域R_Slope中的第二导电图案162的部分在第三方向DR3上自钝化层150起的厚度(例如，厚度Th2b)的值小于第一厚度Th1a的值。
在平坦区域R_flat2中，第二导电图案162可以包括第四导电部分162P1。第四导电部分162P1可以包括第四导电顶面162US1。
在倾斜区域R_Slope中，第二导电图案162可以包括第五导电部分162P2。第五导电部分162P2可以连接到第四导电部分162P1。第五导电部分162P2可以包括第五导电顶面162US2。
倾斜区域R_Slope中的第二导电图案162的厚度可以随着第二导电图案162在第一方向DR1上远离平坦区域R_flat2延伸而减小。第五导电顶面162US2的基于钝化层150的高度可以随着第五导电顶面162US2远离第四导电部分162P1延伸而从第四导电顶面162US1的基于钝化层150的高度逐渐变得越来越小。
换句话说，平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的点可以被定义为第一点P1。也就是说，平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界从第一点P1在第三方向DR3上延伸。
在这方面，倾斜区域R_Slope中的第二导电图案162的部分可以具有相对于平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界斜度为第一角度α1的倾斜形状。
第一角度α1可以指在第三方向DR3与第五导电顶面162US2之间限定的角度。第一角度α1可以包括第五导电顶面162US2相对于第三方向DR3倾斜的角度。也就是说，第五导电部分162P2可以以相对于第三方向DR3的第一角度α1倾斜。第一角度α1可以大于0度且小于90度。
第五导电顶面162US2可以具有倾斜形状。第五导电顶面162US2可以以倾斜方式从第四导电顶面162US1延伸到钝化层150的顶面150US。例如，第五导电顶面162US2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1。第五导电顶面162US2可以以第一交角β1与钝化层150的顶面150US相交。第五导电顶面162US2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1的恒定斜度。第一交角β1可以大于0度且小于90度。第五导电顶面162US2可以包括平坦面。
因此，可以改进形成在第二导电图案162上的粘合层171的台阶覆盖。
在倾斜区域R_Slope中，粘合层171可以共形地形成在第二导电图案162上，使得粘合层171未被暴露，从而改进其台阶覆盖。
粘合层171可以沿着钝化层150和第二导电图案162延伸。粘合层171可以包括第一延伸部分171P1、第二延伸部分171P3和弯曲部分171P2。
弯曲部分171P2可以设置在第五导电部分162P2上。弯曲部分171P2可以沿着第五导电部分162P2延伸。弯曲部分171P2可以设置在第一延伸部分171P1与第二延伸部分171P3之间。弯曲部分171P2可以连接到第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3。弯曲部分171P2可以从第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3弯曲。弯曲部分171P2相对于第一延伸部分171P1可以具有恒定斜度。弯曲部分171P2相对于第二延伸部分171P3可以具有恒定斜度。
弯曲部分171P2可以以第二角度α2的斜度从平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界延伸。第二角度α2可以指在第三方向DR3与弯曲部分的顶面171US2之间限定的角度。第二角度α2可以包括弯曲部分的顶面171US2相对于第三方向DR3倾斜的角度。也就是说，弯曲部分171P2可以以相对于第三方向DR3的第二角度α2倾斜。第二角度α2可以大于0度且小于90度。第二角度α2可以等于第一角度α1。然而，实施例不限于此。例如，第二角度α2可以与第一角度α1不同。
在与第二方向DR2垂直的截面图中，弯曲部分171P2可以具有倾斜形状。例如，弯曲部分171P2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1。弯曲部分171P2可以以相对于钝化层150的第一交角β1倾斜。第一交角β1可以大于0度且小于90度。
图10是沿着图3中的线A-A'和D-D'截取的截面图。
为了参考，在关于图10的描述中，省略了与如上面参考图4和图7描述的内容重复的内容，并且以下描述集中于其之间的差异。
参考图10，第四区域IV包括第三导电图案163和焊盘180。
为了描述的方便，第二衬底130被定义为包括第四区域IV作为焊盘区域。然而，在第二衬底130的第四区域IV内部未设置光电转换元件PD。
可以在第二衬底130的作为焊盘区域的第四区域IV中形成焊盘沟槽PT。焊盘沟槽PT可以在第三方向DR3上延伸穿过钝化层150并且延伸到第二衬底130中。
第三导电图案163可以沿着焊盘沟槽PT的侧壁和底面设置。可以例如共形地形成第三导电图案163。第三导电图案163的至少一部分可以延伸到钝化层150的顶面上。
第三导电图案163可以包括金属。例如，第三导电图案163可以包括钛(Ti)或钨(W)中的至少一种。然而，本公开不限于此，因此，根据另一示例实施例，第三导电图案163可以包括一种或更多种其他材料或它们的组合。
如上面参考图10描述的第一滤色器151未设置在第二衬底130的作为焊盘区域的第四区域IV上。
如上面参考图10描述的透明层159未设置在焊盘180上。透明层159可以包括例如使光从其中透射过的材料。
焊盘180可以填充焊盘沟槽PT并且可以设置在第三导电图案163上。焊盘180可以包括导电材料。
粘合层171可以不与焊盘180垂直地交叠。粘合层171可以未设置在焊盘沟槽PT中。
在这方面，第三导电图案163沉积在钝化层150上，然后经历蚀刻工艺。在这方面，第三导电图案163被以倾斜方式蚀刻以便如在第四放大区域R4中一样具有倾斜形状。
因此，可以改进形成在第三导电图案163上的粘合层171的台阶覆盖。
将参考图11对此进行详细的描述。
图11是图10的R4区域的放大图。
参考图10和图11，第三导电图案163包括平坦区域R_flat2的部分，平坦区域R_flat2的部分被形成为在第三方向DR3上具有自钝化层150起均匀的第一厚度Th1a。
此外，第三导电图案163包括倾斜区域R_Slope的其在第三方向DR3上自钝化层150起的厚度随着第三导电图案163的部分沿着与第一方向DR1相反的方向延伸而从第一厚度Th1a减小的部分。
也就是说，倾斜区域R_Slope中的第三导电图案163的部分在第三方向DR3上自钝化层150起的厚度(例如，厚度Th2b)的值小于第一厚度Th1a的值。
在平坦区域R_flat2中，第三导电图案163可以包括第六导电部分163P1。第六导电部分163P1可以包括第六导电顶面163US1。
在倾斜区域R_Slope中，第三导电图案163可以包括第七导电部分163P2。第七导电部分163P2可以连接到第六导电部分163P1。第七导电部分163P2可以包括第七导电顶面163US2。
倾斜区域R_Slope中的第三导电图案163的厚度可以随着第三导电图案163在第一方向DR1上远离平坦区域R_flat2延伸而减小。第七导电顶面163US2的基于钝化层150的高度可以随着第七导电顶面163US2远离第六导电部分163P1延伸而从第六导电顶面163US1的基于钝化层150的高度逐渐变得越来越小。
换句话说，平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的点可以被定义为第一点P1。也就是说，平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界从第一点P1在第三方向DR3上延伸。
在这方面，倾斜区域R_Slope中的第三导电图案163的部分可以具有相对于平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界斜度为第一角度α1的倾斜形状。因此，可以改进形成在第三导电图案163上的粘合层171的台阶覆盖。
第一角度α1可以指在第三方向DR3与第七导电顶面163US2之间限定的角度。第一角度α1可以包括第七导电顶面163US2相对于第三方向DR3倾斜的角度。也就是说，第七导电部分163P2可以以相对于第三方向DR3的第一角度α1倾斜。第一角度α1可以大于0度且小于90度。
第七导电顶面163US2可以具有倾斜形状。第七导电顶面163US2可以以相对于钝化层150的顶面150US的第一交角β1从第六导电顶面163US1延伸到钝化层150的顶面150US。第七导电顶面163US2可以以第一交角β1与钝化层150的顶面150US相交。第七导电顶面163US2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1的恒定斜度。第一交角β1可以大于0度且小于90度。第七导电顶面163US2可以包括平坦面。
在倾斜区域R_Slope中，粘合层171可以共形地形成在第三导电图案163上，使得粘合层171未被暴露，从而改进其台阶覆盖。
粘合层171可以沿着钝化层150和第三导电图案163延伸。粘合层171可以包括第一延伸部分171P1、第二延伸部分171P3和弯曲部分171P2。
弯曲部分171P2可以设置在第七导电部分163P2上。弯曲部分171P2可以沿着第七导电部分163P2延伸。弯曲部分171P2可以设置在第一延伸部分171P1与第二延伸部分171P3之间。弯曲部分171P2可以连接到第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3。弯曲部分171P2可以从第一延伸部分171P1和第二延伸部分171P3弯曲。弯曲部分171P2相对于第一延伸部分171P1可以具有恒定斜度。弯曲部分171P2相对于第二延伸部分171P3可以具有恒定斜度。
例如，弯曲部分171P2可以在与第一方向DR1和第三方向DR3相交的方向上延伸。
弯曲部分171P2可以以第二角度α2的倾斜方式从平坦区域R_flat2和倾斜区域R_Slope彼此相遇的边界延伸。第二角度α2可以指在第三方向DR3与弯曲部分的顶面171US2之间限定的角度。第二角度α2可以包括弯曲部分的顶面171US2相对于第三方向DR3倾斜的角度。也就是说，弯曲部分171P2可以以相对于第三方向DR3的第二角度α2倾斜。第二角度α2可以大于0度且小于90度。第二角度α2可以等于第一角度α1。然而，实施例不限于此。例如，第二角度α2可以与第一角度α1不同。
在与第二方向DR2垂直的截面图中，弯曲部分171P2可以具有倾斜形状。例如，弯曲部分171P2相对于钝化层150的顶面150US可以具有第一交角β1。弯曲部分171P2可以以相对于钝化层150的第一交角β1倾斜。第一交角β1可以大于0度且小于90度。
尽管已经在上面参考附图描述了本公开的实施例，但是本领域的普通技术人员应理解，本公开不限于此，并且可以在不背离其技术思想或特征的情况下以许多不同的形式实现本公开。因此，应当理解，本文阐述的实施例在所有方面仅仅是示例，而不是限制性的。

Claims (20)

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；
钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；
导电图案，所述导电图案设置在所述钝化层上；以及
粘合层，所述粘合层沉积在所述钝化层和所述导电图案上，
其中，所述导电图案包括：
第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及
倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，
其中，所述倾斜区域的第一顶面从所述第一平坦区域的第二顶面弯曲，
其中，所述第一顶面相对于所述第二顶面具有恒定斜度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一顶面具有相对于与所述第一方向垂直的第二方向的第一角度的斜度，
其中，所述第一角度大于0度且小于90度。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述粘合层包括：
第一部分，所述第一部分沿着所述第一平坦区域的所述第二顶面延伸；以及
第二部分，所述第二部分沿着所述倾斜区域的所述第一顶面延伸，
其中，所述第二部分的第三顶面相对于所述第一部分的第四顶面具有恒定斜度。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第三顶面具有相对于与所述第一方向垂直的第二方向的第二角度的斜度，
其中，所述第二角度大于0度且小于90度。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一顶面具有相对于与所述第一方向垂直的第二方向的第一角度的斜度，
其中，所述第三顶面具有相对于所述第二方向的第二角度的斜度，
其中，所述第一角度和所述第二角度彼此相等。
6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述粘合层还包括第三部分，所述第三部分连接到所述第二部分并且直接接触所述钝化层的顶面，
其中，所述第三顶面相对于所述第三部分的第五顶面具有恒定斜度。
7.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一部分的基于所述第二顶面的第一厚度等于所述第二部分的基于所述第一顶面的第二厚度。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一顶面与所述钝化层的顶面相交。
9.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；
钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；
导电图案，所述导电图案形成在所述钝化层上；以及
粘合层，所述粘合层沿着所述导电图案形成并且形成在所述钝化层上，
其中，所述导电图案包括：
第一平坦区域，所述第一平坦区域从所述钝化层在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且延伸以便具有第一恒定厚度；以及
倾斜区域，其中，所述倾斜区域中的所述导电图案在所述第二方向上自所述钝化层起的厚度随着所述倾斜区域中的所述导电图案在所述第一方向上远离所述第一平坦区域延伸而从所述第一厚度减小。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述导电图案的所述倾斜区域包括：
第一部分，所述第一部分与所述第一平坦区域相邻；以及
第二部分，所述第二部分与所述第一部分相邻并且与所述第一平坦区域间隔开，同时所述第一部分介于所述第二部分与所述第一平坦区域之间，
其中，所述第一部分的第一顶面从所述第一平坦区域的顶面弯曲，
其中，所述第二部分的第二顶面从所述第一顶面弯曲以便连接到所述钝化层的所述顶面，
其中，所述第一顶面相对于所述第一平坦区域的所述顶面具有第一斜度，
其中，所述第二顶面相对于所述钝化层的所述顶面具有第二斜度，其中，所述第二斜度与所述第一斜度不同。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一顶面具有相对于所述第二方向的第一角度的斜度，
其中，所述第二顶面具有相对于所述第二方向的第二角度的斜度，
其中，所述第一角度和所述第二角度中的每一者大于0度且小于90度。
12.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述倾斜区域的第三顶面相对于所述钝化层的所述顶面具有大于0度且小于90度的斜度，并且与所述钝化层的所述顶面相交。
13.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述粘合层包括：
第一延伸部分，所述第一延伸部分在所述第一方向上并且沿着所述钝化层的所述顶面延伸；
弯曲部分，所述弯曲部分设置在所述导电图案的所述倾斜区域上并且沿着所述导电图案延伸，其中，所述弯曲部分从所述第一延伸部分弯曲；以及
第二延伸部分，所述第二延伸部分设置在所述导电图案的所述第一平坦区域上并且在所述第一方向上延伸，
其中，所述弯曲部分相对于所述第一延伸部分和所述第二延伸部分中的每一者具有恒定斜度。
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述弯曲部分的顶面是平坦的。
15.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述倾斜区域的顶面是平坦的。
16.根据权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
绝缘层，所述绝缘层设置在衬底下方；
沟槽，所述沟槽延伸穿过所述绝缘层、所述衬底和所述钝化层，其中，所述导电图案和所述粘合层中的每一者沿着所述沟槽的轮廓延伸；以及
低折射率层，所述低折射率层填充所述沟槽的整体以便被所述粘合层围绕；以及
光刻胶，所述光刻胶设置在所述低折射率层的顶面上。
17.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
衬底；
钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；
沟槽，所述沟槽延伸穿过所述钝化层并且延伸穿过所述衬底的部分；
导电图案，所述导电图案沿着所述沟槽的轮廓延伸并且形成在所述钝化层上；
焊盘，所述焊盘设置在所述沟槽中并且设置在所述导电图案上；以及
粘合层，所述粘合层形成在所述导电图案和所述钝化层上，
其中，所述导电图案包括：
第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及
倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，其中，所述倾斜区域中的所述导电图案的顶面以相对于所述钝化层的顶面的第一角度的第一斜度倾斜，
其中，所述第一角度大于0度且小于90度，
其中，所述倾斜区域中的所述导电图案的顶面是平坦的。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述粘合层与所述焊盘不交叠。
19.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述粘合层包括：
第一延伸部分，所述第一延伸部分沿着所述钝化层的所述顶面并且在所述第一方向上延伸；
弯曲部分，所述弯曲部分设置在所述导电图案的所述倾斜区域上并且沿着所述导电图案延伸，其中，所述弯曲部分从所述第一延伸部分弯曲；以及
第二延伸部分，所述第二延伸部分设置在所述导电图案的所述第一平坦区域上并且在所述第一方向上延伸，其中，所述第二延伸部分连接到所述弯曲部分，
其中，所述弯曲部分的顶面相对于所述钝化层的所述顶面具有第二角度的斜度，
其中，所述第二角度大于0度且小于90度。
20.根据权利要求19所述的图像传感器，其中，包括所述倾斜区域的所述导电图案的端部被所述粘合层的所述弯曲部分和所述第一延伸部分围绕。
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