CN117057168B - 声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备，涉及声表面波谐振器横向模式仿真技术领域。该声表面波谐振器横向模式仿真方法包括步骤：获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；根据传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；将第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真。本发明的声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备能够准确仿真出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，以此提高设计声表面波滤波器时的仿真精度。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波谐振器横向模式仿真技术领域，具体而言，涉及一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备。
背景技术
现有技术中，一般会利用COM模型（Coupling of Modes）对声表面波谐振器进行仿真测试，COM模型假设声表面波谐振器中仅存在左向波和右向波，通过模拟左右向波在传播过程中的激发/耦合效应来模拟声表面波谐振器的谐振效应，然而，对于搭载有例如TC-SAW/TF-SAW等高性能声表面波器件的声表面波谐振器而言，这种高性能声表面波器件往往存在较强的横向模式，而传统的COM模型并不能准确表征出该横向模式，从而导致基于传统的COM模型设计出的声表面波滤波器通带产生凹坑，造成性能的严重下降。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备，能够准确仿真出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，以此提高设计声表面波滤波器时的仿真精度。
第一方面，本发明提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真方法，包括以下步骤：
S1.获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
S2.根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
S3.根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
S4.根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
S5.将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用所述声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真。
本发明的声表面波谐振器横向模式仿真方法，将各阶横向模式耦合到第二导纳中，使输入第二导纳得到的声表面波谐振器横向模式仿真模型能够准确表征出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，有利于保证基于声表面波谐振器横向模式仿真模型所设计出的声表面波谐振器拥有较好的性能。
进一步的，步骤S1中的具体步骤包括：
S11.根据以下公式计算所述传播声速：
；
其中，为第n阶横向模式的传播声速，/>为第一拟合参数，/>为横向模式对应的阶数，/>为第二拟合参数，/>为声表面波谐振器的相对膜厚。
引入了与色散特性相关的拟合参数，以此综合考虑了其色散特性，可以更加准确地计算出各阶横向模式的传播声速。
进一步的，步骤S2中的具体步骤包括：
S21.根据以下公式计算所述谐振频率：
；
其中，为第n阶横向模式的谐振频率，/>为所述声表面波谐振器的孔径，/>为所述声表面波谐振器的基模频率。
配合声表面波谐振器的导纳曲线图使用可以计算出各阶横向模式的传播声速，计算过程简单且便捷，运算量相对较少。
进一步的，步骤S3中的具体步骤包括：
S31.根据以下公式计算所述第一导纳：
；
；
；
；
其中，为第n阶横向模式的第一导纳，/>为第n阶横向模式的第一导纳的实部，/>为第n阶横向模式的第一导纳的虚部，/>为第三拟合参数，/>为中间变量，/>为第四拟合参数，/>为预设的频率区间中的频率值。
进一步的，步骤S4中的具体步骤包括：
S41.根据以下公式计算所述第二导纳：
；
；
基于现有的COM模型优化出eCOM模型，eCOM模型所采用的第二导纳中考虑到横向模式的影响，进而能够准确表征出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度。
第二方面，本发明提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真装置，包括：
第一获取模块，用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
第二获取模块，用于根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
第三获取模块，用于根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
第四获取模块，用于根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
输入模块，用于将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中。
本发明提供的声表面波谐振器横向模式仿真装置可以准确表征出各阶横向模式，避免所设计出的声表面波滤波器通带产生凹坑，达到提高声表面波滤波器性能的效果。
进一步的，第一获取模块在用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速的时候执行：
S11.根据以下公式计算所述传播声速：
；
其中，为第n阶横向模式的传播声速，/>为第一拟合参数，/>为横向模式对应的阶数，/>为第二拟合参数，/>为声表面波谐振器的相对膜厚。
进一步的，第二获取模块在用于根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率的时候执行：
S21.根据以下公式计算所述谐振频率：
；
其中，为第n阶横向模式的谐振频率，/>为所述声表面波谐振器的孔径，/>为所述声表面波谐振器的基模频率。
第三方面，本发明提供一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述声表面波谐振器横向模式仿真方法中的步骤。
第四方面，本发明提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述声表面波谐振器横向模式仿真方法中的步骤。
由上可知，本发明提供的声表面波谐振器横向模式仿真方法，在传统的COM模型基础上，根据横向模式的谐振频率与声表面波谐振器孔径之间的关系，得到各阶横向模式的谐振频率，并由此获得第二导纳，相比于基于传统COM模型设计的声表面波谐振器的导纳，第二导纳中考虑了各阶横向模式的影响，使得本发明输入第二导纳得到的声表面波谐振器横向模式仿真模型能够准确表征出声表面波谐振器中的横向模式，有利于提高设计声表面波滤波器时的仿真精度，适用于搭载有例如TC-SAW/TF-SAW等高性能声表面波器件的声表面波谐振器，能够保证基于声表面波谐振器横向模式仿真模型所设计出的声表面波谐振器拥有较好的性能。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明实施例了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本发明实施例提供的声表面波谐振器横向模式仿真方法的一种流程图。
图2为本发明实施例中声表面波谐振器孔径方向位移场分布图。
图3为本发明实施例中声表面波谐振器的导纳曲线图。
图4为现有技术中的COM模型对搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的仿真曲线和搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的实测曲线的对比图。
图5为本发明的eCOM模型对搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的仿真曲线和搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的实测曲线的对比图。
图6为本发明实施例提供的声表面波谐振器横向模式仿真装置的一种结构示意图。
图7为本发明实施例提供的电子设备的结构示意图。
标号说明：
100、第一获取模块；200、第二获取模块；300、第三获取模块；400、第四获取模块；500、输入模块；13、电子设备；1301、处理器；1302、存储器；1303、通信总线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
参考附图1，图1是声表面波谐振器横向模式仿真方法的流程图。该声表面波谐振器横向模式仿真方法，包括以下步骤：
S1.获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
S2.根据传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
S3.根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
S4.根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
S5.将第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型（即现有的COM模型）中后利用声表面波谐振器横向模式仿真模型（即本发明的eCOM模型）进行仿真（即基于现有的COM模型优化出eCOM模型）。
实际应用时，参考附图2，附图2为声表面波谐振器孔径方向位移场分布图（其中，S1横向模式表示为第1阶横向模式的对称模式，A2横向模式表示为第2阶横向模式的反对称模式，S3横向模式表示为第3阶横向模式的对称模式，需要说明的是，对称模式形容的是横向模式的振型，此为公知常识，在此不再赘述），附图2揭示了对于搭载有例如TC-SAW/TF-SAW等高性能声表面波器件的声表面波谐振器，其各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向以驻波的形式存在，由于横向模式为主模式的寄生模式，横向模式的谐振频率与声表面波谐振器的孔径存在较强的关联，尽管可以通过加权、倾斜和Piston等方法对其加以抑制，但当声表面波滤波器中不同声表面波谐振器的孔径在一个较大范围内变化时，往往会出现横向模式寄生在声表面波谐振器的反谐振频率处，引起反谐振峰出现劈裂，对此本实施例通过获取孔径方向的传播声速，以此求出不同孔径下各阶横向模式的谐振频率，进而将各阶横向模式耦合到导纳中，最后将导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型（以下简称仿真模型）中使用，由于导纳中考虑了各阶横向模式的影响，因此该仿真模型具备表征出各阶横向模式的功能，可以准确仿真出声表面波谐振器中各阶横向模式的谐振频率及强度，能够确保设计得到的声表面波谐振器拥有较好性能，进而提高声表面波滤波器的仿真准确度。
在某些实施例中，步骤S2中的具体步骤包括：
S21.根据以下公式计算谐振频率：
（公式1）；
其中，为第n阶横向模式的谐振频率，/>为声表面波谐振器的孔径，/>为声表面波谐振器的基模频率。
本实施例中，声表面波谐振器的基模频率可以通过搜索声表面波谐振器导纳的最大值对应的频率得到。
在某些实施例中，参考附图3，附图3为声表面波谐振器的导纳曲线图，根据声表面波谐振器的导纳曲线图（导纳曲线图是第二导纳输入到仿真模型前，基于仿真模型原本的导纳，即下文中的第三导纳得到的）可以根据上述公式1计算得到各阶横向模式的传播声速，例如，从导纳曲线图中可以获得m1点处对应的频率，m2点对应的频率（第2阶横向模式的谐振频率），孔径/>,则根据上述公式1可以计算得到第2阶横向模式的传播声速/>。此外，m3为第3阶横向模式的谐振频率，m4为第4阶横向模式的谐振频率。
在某些优选的实施例中，步骤S1中的具体步骤包括：
S11.根据以下公式计算传播声速：
（公式2）；
其中，为第n阶横向模式的传播声速，/>为第一拟合参数，/>为横向模式对应的阶数，/>为第二拟合参数，/>为声表面波谐振器的相对膜厚。
实际应用时，传播声速具有色散特性，若仅采用上述实施例中的公式1计算获得各阶横向模式的传播声速，则并没有考虑其色散特性，进一步的，本实施例中，公式2中引入了与色散特性相关的拟合参数，以此综合考虑了其色散特性，可以更加准确地计算出各阶横向模式的传播声速，具体的，第一拟合参数取值例如为98.7，第二拟合参数取值例如为1413。
需要说明的是，第一拟合参数和第二拟合参数可以通过实验得到，具体的，例如通过搜索各阶横向模式谐振频率与声表面波谐振器的基模频率之间的差值得到各阶横向模式的谐振频率，根据公式1计算出各阶横向模式的传播声速并作为数据样本，提取出与色散特性相关的声速参数，最后将声速参数拟合得到上述第一拟合参数和第二拟合参数，提取过程和拟合过程均为现有技术，在此不再赘述。
还需要说明的是，公式1除了用于提取声速参数外，还用于在仿真过程中用于计算各阶横向模式的谐振频率，各阶横向模式的谐振频率在仿真过程中并不再通过搜索各阶横向模式谐振频率与声表面波谐振器的基模频率之间的差值得到（因为声表面波谐振器的导纳曲线图是第二导纳输入到的仿真模型后才得到）。
在某些实施例中，步骤S3中的具体步骤包括：
S31.根据以下公式计算第一导纳：
；
；
；
；
其中，为第n阶横向模式的第一导纳，/>为第n阶横向模式的第一导纳的实部，/>为第n阶横向模式的第一导纳的虚部，/>为第三拟合参数，/>为中间变量，/>为第四拟合参数，/>为预设的频率区间中的频率值。
本实施例中，第三拟合参数和第四拟合参数均可以通过实验得到，且第三拟合参数与声表面波谐振器的孔径呈反比，第四拟合参数与横向模式对应的阶数呈反比。
在某些实施例中，步骤S4中的具体步骤包括：
S41.根据以下公式计算第二导纳：
；
其中，为第n阶横向模式的第二导纳，/>为在不考虑横向模式下仿真得到的声表面波谐振器的第三导纳。
现有技术中的COM模型仅利用第三导纳进行仿真，缺乏考虑横向模式，因此该COM模型无法准确表征出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，而本实施例基于此优化出eCOM模型，其所采用的第二导纳中考虑到横向模式的影响，进而能够准确表征出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度，有利于保证基于声表面波谐振器横向模式仿真模型所设计出的声表面波谐振器拥有较好的性能，避免所设计出的声表面波滤波器通带产生凹坑，达到提高声表面波滤波器的仿真精度的效果。
参考附图4，附图4为现有技术中的COM模型对搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的仿真曲线和搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的实测曲线的对比图；
参考附图5，附图5为本发明的eCOM模型对搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的仿真曲线和搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器的实测曲线的对比图；
对比附图4和附图5，可以得出本发明的eCOM模型可以准确仿真出搭载有TF-SAW高性能声表面波器件的声表面波谐振器中谐振频率和反谐振频率之间寄生的横向模式。
请参照图6，图6是本发明一些实施例中的一种声表面波谐振器横向模式仿真装置，该声表面波谐振器横向模式仿真装置以计算机程序的形式集成在后端控制设备中，包括：
第一获取模块100，用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
第二获取模块200，用于根据传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
第三获取模块300，用于根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
第四获取模块400，用于根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
输入模块500，用于将第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中。
在某些实施例中，第一获取模块100在用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速的时候执行：
S11.根据以下公式计算传播声速：
；
其中，为第n阶横向模式的传播声速，/>为第一拟合参数，/>为横向模式对应的阶数，/>为第二拟合参数，/>为声表面波谐振器的相对膜厚。
在某些实施例中，第二获取模块200在用于根据传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率的时候执行：
S21.根据以下公式计算谐振频率：
；
其中，为第n阶横向模式的谐振频率，/>为声表面波谐振器的孔径，/>为声表面波谐振器的基模频率。
在某些实施例中，第三获取模块300在用于根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳的时候执行：
S31.根据以下公式计算第一导纳：
；
；
；
；
其中，为第n阶横向模式的第一导纳，/>为第n阶横向模式的第一导纳的实部，/>为第n阶横向模式的第一导纳的虚部，/>为第三拟合参数，/>为中间变量，/>为第四拟合参数，/>为预设的频率区间中的频率值。
在某些实施例中，第四获取模块400在用于根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳的时候执行：
S41.根据以下公式计算第二导纳：
；
其中，为第n阶横向模式的第二导纳，/>为在不考虑横向模式下仿真得到的声表面波谐振器的第三导纳。
请参照图7，图7为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本发明提供一种电子设备13，包括：处理器1301和存储器1302，处理器1301和存储器1302通过通信总线1303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器1302存储有处理器1301可执行的计算机可读取指令，当电子设备运行时，处理器1301执行该计算机可读取指令，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的声表面波谐振器横向模式仿真方法，以实现以下功能：获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；根据传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；将第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真。
本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的声表面波谐振器横向模式仿真方法，以实现以下功能：获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；根据传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；将第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真。
其中，计算机可读存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
在本发明所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
S2.根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
S3.根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
S4.根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
S5.将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用所述声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真；
步骤S3中的具体步骤包括：
S31.根据以下公式计算所述第一导纳：
；
；
；
；
其中，为第n阶横向模式的第一导纳，/>为第n阶横向模式的第一导纳的实部，为第n阶横向模式的第一导纳的虚部，/>为第三拟合参数，/>为中间变量，/>为第四拟合参数，/>为预设的频率区间中的频率值, />为第n阶横向模式的谐振频率；
步骤S4中的具体步骤包括：
S41.根据以下公式计算所述第二导纳：
；
其中，为第n阶横向模式的第二导纳，/>为在不考虑横向模式下仿真得到的所述声表面波谐振器的第三导纳。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，步骤S1中的具体步骤包括：
S11.根据以下公式计算所述传播声速：
；
其中，为第n阶横向模式的传播声速，/>为第一拟合参数，/>为横向模式对应的阶数，为第二拟合参数，/>为声表面波谐振器的相对膜厚。
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器横向模式仿真方法，其特征在于，步骤S2中的具体步骤包括：
S21.根据以下公式计算所述谐振频率：
；
其中，为第n阶横向模式的谐振频率，/>为所述声表面波谐振器的孔径，/>为所述声表面波谐振器的基模频率。
4.一种声表面波谐振器横向模式仿真装置，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速；
第二获取模块，用于根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率；
第三获取模块，用于根据所述谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳；
第四获取模块，用于根据所述第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳；
输入模块，用于将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中；
第三获取模块在用于根据谐振频率，获取各阶横向模式的第一导纳的时候执行：
S31.根据以下公式计算第一导纳：
；
；
；
；
其中，为第n阶横向模式的第一导纳，/>为第n阶横向模式的第一导纳的实部，为第n阶横向模式的第一导纳的虚部，/>为第三拟合参数，/>为中间变量，/>为第四拟合参数，/>为预设的频率区间中的频率值, />为第n阶横向模式的谐振频率；
第四获取模块在用于根据第一导纳，获取各阶横向模式的第二导纳的时候执行：
S41.根据以下公式计算第二导纳：
；
其中，为第n阶横向模式的第二导纳，/>为在不考虑横向模式下仿真得到的声表面波谐振器的第三导纳。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器横向模式仿真装置，其特征在于，第一获取模块在用于获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速的时候执行：
S11.根据以下公式计算所述传播声速：
；
其中，为第n阶横向模式的传播声速，/>为第一拟合参数，/>为横向模式对应的阶数，为第二拟合参数，/>为声表面波谐振器的相对膜厚。
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器横向模式仿真装置，其特征在于，第二获取模块在用于根据所述传播声速，获取各阶横向模式的谐振频率的时候执行：
S21.根据以下公式计算所述谐振频率：
；
其中，为第n阶横向模式的谐振频率，/>为所述声表面波谐振器的孔径，/>为所述声表面波谐振器的基模频率。
7.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-3任一项所述声表面波谐振器横向模式仿真方法中的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-3任一项所述声表面波谐振器横向模式仿真方法中的步骤。
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