CN116973630A - 一种多层填充洞穴电阻率反演方法、装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种多层填充洞穴电阻率反演方法、装置、计算机可读存储介质和电子设备。该方法包括：根据洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型；若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
Description
技术领域
本发明涉及油气地震勘探技术领域，尤其涉及一种适用于碳酸盐岩水平井的多层填充洞穴电阻率反演方法、装置、计算机可读存储介质和电子设备。
背景技术
碳酸盐岩缝洞型油气储层在油气资源勘探中占有重要地位，其中大型孔洞为工业油流提供了主要的储集空间，因此，对孔洞的测井识别和评价对于分析流体来源及储量计算具有重要意义。电性特征是评价洞穴充填情况的重要指标，利用双侧向测井资料表征洞穴充填物真实的电性特征对洞穴充填情况的准确评价具有重要的作用。
以往对于应用测井资料识别洞穴及其充填物、评价洞穴的充填程度开展了大量研究：田飞等(2012)用岩心和成像测井资料标定常规测井信息，优选出5个洞穴敏感参数和3个裂缝敏感参数，建立了塔河油田小型缝洞归一化加权识别函数，并利用密度-泥质含量和深侧向-泥质含量交会图版识别出了洞穴充填物类型；赵军等(2011,2013)通过分析不同充填程度、不同充填物的洞穴在常规测井曲线、电成像和阵列声波图像上的响应特征，以交会图分析法来识别洞穴充填物的性质；范宜仁等(2014)基于有限元素法，采用边界局部加密技术，实现对球形、椭球形洞穴的精确剖分与双侧向测井响应快速数值模拟，分析不同洞穴尺寸、填充类型及不同填充程度条件下双侧向测井响应特征；苏俊磊等(2015)利用泥质含量-浅侧向电阻率交会图识别洞穴充填物性质，利用无铀伽马对洞穴型储层充填程度进行定量计算。王晓畅等(2018)利用三维有限元素法对不同洞穴尺寸、基岩和洞穴充填物条件下的双侧向测井响应进行数值模拟，以此为依据总结了建立了洞穴充填物电阻率计算方法；葛新民等(2019)利用等比例缩小仪器通过实验研究了洞穴地层双侧向测井响应特征。谢关宝等(2020)基于有限元法，采用数值模拟方法分析了井径、钻井液电阻率、基岩电阻率、洞穴半径、洞穴填充物及洞穴与井壁的距离等因素对双侧向测井响应的影响。
电性是研究洞穴的重要物理属性，以往的研究均直接应用双侧向测井响应来表征电性特征，但双侧向测井响应受多种因素的影响，不能真实反映洞穴的电性，影响了洞穴测井识别和评价的准确性，对于洞穴电性的定量表征却鲜有文献报道。且当前越来越多的利用水平井技术钻探，水平井过洞穴的响应特征模拟和定量表征鲜有报道。
发明内容
针对上述问题，本发明的实施例提供了一种适用于碳酸盐岩水平井的多层填充洞穴电阻率反演方法、装置、计算机可读存储介质和电子设备。
第一方面，本发明实施例提供了一种多层填充洞穴电阻率反演方法，包括以下步骤：
S100，根据目标洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型，其中，所述填充类型包括单一填充和双层填充；
S200，利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面；
S300，若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；
S400，若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，其中，将所述目标洞穴的上基岩和洞穴上层浅侧向电阻率作为第一层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第一层单一填充洞穴的填充物电阻率，将所述目标洞穴的下基岩和洞穴下层浅侧向电阻率作为第二层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第二层单一填充洞穴的填充物电阻率；将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
根据本发明的实施例，上述通过计算过井眼单一/双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演的步骤，包括：
若反演结果与洞穴模型的模拟结果之间的误差不满足预设的误差条件，则调整洞穴电阻率初始值，重新反演所述目标洞穴的电阻率；否则输出所述目标洞穴的电阻率的反演结果。
根据本发明的实施例，上述过井眼单一填充洞穴模型的参数包括洞穴半径，基岩电阻率和洞穴电阻率；上述过井眼双层填充洞穴模型的参数包括洞穴半径，洞穴双层填充物电阻率、基岩电阻率和相对倾角。
根据本发明的实施例，上述调整洞穴电阻率初始值，重新反演所述目标洞穴的电阻率的步骤，包括：
调整洞穴电阻率初始值，利用非线性最小二乘法重新反演所述目标洞穴的电阻率。
根据本发明的实施例，上述利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面的步骤，包括：
利用所述目标洞穴的深、浅双侧向电阻率曲线以及自然伽马曲线识别所述目标洞穴的洞穴边界，确定所述目标洞穴的发育尺寸。
根据本发明的实施例，上述利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面的步骤，包括：
利用所述目标洞穴的三孔隙度测井曲线判断所述目标洞穴的填充类型和填充物界面。
根据本发明的实施例，在利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面的步骤之前，上述方法还包括以下步骤：
对所述目标洞穴的测井曲线进行井眼环境校正。
第二方面，本发明实施例还提供一种多层填充洞穴电阻率反演装置，其包括：
洞穴模型建立模块，用于根据目标洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型，其中，所述填充类型包括单一填充和双层填充；
填充类型识别模块，用于利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面；
单一模型计算模块，用于若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；
双层模型计算模块，用于若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，其中，将所述目标洞穴的上基岩和洞穴上层浅侧向电阻率作为第一层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第一层单一填充洞穴的填充物电阻率，将所述目标洞穴的下基岩和洞穴下层浅侧向电阻率作为第二层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第二层单一填充洞穴的填充物电阻率；将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
第三方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被被处理器执行时，实现如前第一方面所述的一种碳酸盐岩水平井多层填充洞穴电阻率反演方法。
第四方面，本发明实施例提供了一种电子设备，其包括：
处理器；
用于存储所述处理器可执行指令的存储器；
其中，所述处理器被配置为执行所述指令，以实现如前第一方面所述的一种碳酸盐岩水平井多层填充洞穴电阻率反演方法。
与现有技术相比，本发明的上述技术方案具有如下有益效果：
本发明的实施例提供了一种适用于碳酸盐岩水平井的多层填充洞穴电阻率反演方法，该方法克服了传统的直接利用双侧向电阻率评价洞穴地层参数精度低的缺陷，基于非线性最小二乘反演技术，消除了地层基岩与井斜角等影响，大大提升了洞穴电阻率的精度，尤其对碳酸盐岩孔洞型储层精细评价具有重要意义。该方法的理论依据强，精度较高，易操作。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1显示了本发明实施例的一种多层填充洞穴电阻率反演方法的步骤流程图；
图2显示了本发明实施例的单一填充洞穴模型示意图；
图3显示了本发明实施例的双层填充洞穴模型示意图；
图4显示了本发明实施例的双层填充洞穴双侧向电阻率响应图；
图5显示了本发明实施例的双层填充洞穴等效模型电阻率反演结果图；
图6显示了本发明实施例的修正的双层填充洞穴电阻率反演结果图。
图7显示了本发明实施例的电子设备的组成结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
如前所述，碳酸盐岩缝洞型油气储层在油气资源勘探中占有重要地位，其中大型孔洞为工业油流提供了主要的储集空间，因此，对孔洞的测井识别和评价对于分析流体来源及储量计算具有重要意义。电性是研究洞穴的重要物理属性，新型测井仪器如FMI、DSI的应用在很大程度上提高了缝洞解释的精度，但由于探测范围较浅，并且一些老井没有进行新技术测井的条件，这类测井新技术的应用受到了一些限制。双侧向测井具有较强的电流聚焦能力，探测范围较大，对地层异常体敏感，是识别和评价孔洞的首选工具。尽管双侧向测井能够定性识别洞穴，然而，受洞穴尺寸、基岩电阻率以及井斜角等影响，通常无法为洞穴地层定量评价提供洞穴内介质准确的电阻率信息。如何获取洞穴准确的电性特征对于洞穴的评价具有非常重要意义，为此，本发提出一种适用于碳酸盐储层水平井条件过井眼洞穴的电阻率校正方法。
该方法主要包括以下步骤：
根据目标洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型，其中，所述填充类型包括单一填充和双层填充；
利用目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面；
若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；
若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，其中，将所述目标洞穴的上基岩和洞穴上层浅侧向电阻率作为第一层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第一层单一填充洞穴的填充物电阻率，将所述目标洞穴的下基岩和洞穴下层浅侧向电阻率作为第二层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第二层单一填充洞穴的填充物电阻率；将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
其中，通过计算过井眼单一/双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，包括：
若反演结果与洞穴模型的模拟结果之间的误差不满足预设的误差条件，则调整洞穴电阻率初始值，重新反演所述目标洞穴的电阻率；否则输出所述目标洞穴的电阻率的反演结果。
下面结合实例详细说明该方法的实现过程。
结合图1所示，本实施例提供的一种适用于碳酸盐岩储层水平井过井眼多层填充洞穴地层真电阻率反演方法，包括如下步骤：
s1.对输入的测井曲线进行井眼环境校正，以消除井眼对测井响应的影响。
s2.获取区块地质结构信息，如层厚、电阻率及地层倾斜等，假设洞穴分布在厚层均质碳酸盐岩中，建立如图2和图3所示的单一填充洞穴模型和等比例双层填充洞穴模型，其中，单一填充洞穴模型参数包括洞穴半径，基岩电阻率和洞穴电阻率，双层填充洞穴模型参数包括洞穴半径，洞穴双层填充物电阻率、基岩电阻率和相对倾角。
s3.根据双侧向测井曲线的幅度差和边界处深、浅侧向电阻率突然变化，以及自然伽马曲线高值确定洞穴发育位置以及洞穴边界，提取洞穴发育尺寸，并结合三孔隙度测井曲线判断洞穴填充类型和填充物界面，若洞穴基本不扩径，自然伽马与去铀伽马均为高值且重叠性好，三孔隙度曲线显示储层储集性能较差，一般洞穴被完全充填，则执行步骤s4；若洞穴出现严重扩径，深浅电阻率出现正幅度差，密度测井明显偏低，中子孔隙度较大，通常为半充填洞穴，则执行步骤s7。
s4.提取基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为反演初始值，基于三维有限元算法计算过井眼单一填充洞穴双侧向测井响应。
s5.采用非线性最小二乘法反演洞穴电阻率，若实测资料与模拟结果的拟合差在容许精度误差范围内，执行步骤s10，否则执行步骤s6。
s6.对于洞穴中心浅侧向视电阻率RLLs，调整洞穴电阻率初始值分别为RLLs/2，RLLs/5，RLLs/10，分别执行步骤s5，选取模拟结果最好的洞穴电阻率作为计算结果输出。
s7.将洞穴不同填充层等效为两个相邻的单一填充洞穴，提取对应的浅侧向视电阻率作为初始值分别执行步骤s4至s6，将反演的两个洞穴电阻率分别记为R1和R2。
s8.令R1和R2分别作洞穴双层填充物电阻率的初始值，结合其他洞穴参数初始值计算过井眼双层填充洞穴双侧向测井响应。
s9.采用非线性最小二乘法对双层填充洞穴电阻率进行校正，具体校正过程与s5类似。
s10.输出洞穴电阻率。
在步骤s5和步骤s9中，非线性阻尼最小二乘算法具体为：
基于L2范数将反演问题用数学形式表示为如(1)式的非线性最小二乘优化目标函数：
公式(1)中，S(m)为双侧向测井正演响应向量，m为待反演参数向量，dobs为实测双侧向测井数据，||S(m)-dobs||2为实测数据与正演响应向量之差的L2范数；m为极小解的必要条件为C(m)在m处的梯度为0；
将(1)式反演目标函数进行二阶Taylor展开，如(2)式：
令有
[JT(m)(S(m)-dobs)]＝[JT(m)·J(m)]·Δm (3)
公式(3)中，J(m)为雅克比矩阵，则待反演参数可由(4)式进行迭代求解：
在具体实施时，上述的洞穴填充类型的确定方法为：
完全填充洞穴基本不扩径，自然伽马与去铀伽马均为高值且重叠性好，三孔隙度曲线显示储层储集性能较差；半充填洞穴出现严重扩径，深浅电阻率出现正幅度差，密度测井明显偏低，中子孔隙度较大。
在具体实施时，上述步骤s4和s8中，洞穴地层双侧向测井响应可以通过三维有限元素法进行正演模拟。
如图4至图6所示，下面以半径为2m的两层填充洞穴模型对应的双侧向测井响应与对该洞穴模型进行电阻率校正后的结果进行对比分析，以验证本发明上述方法的有效性。
在图4中，仪器自下而上穿过洞穴，基岩电阻率为500Ω.m，洞穴下层填充物电阻率为2Ω.m，洞穴上层填充物电阻率为20Ω.m，井眼直径为8in、泥浆电阻率为2.0Ω·m，与地层法向的相对倾角为0度。红线为深侧向视电阻率曲线，黑线为浅侧向视电阻率曲线，蓝线为原始双层填充洞穴模型电阻率。在图5和图6中，黑线为原始双层填充洞穴模型电阻率，红线代表反演得到的校正后的电阻率。其中图5为将洞穴两层等效为单一填充洞穴校正的结果，图6为将图5中校正的电阻率作为初始值进行双层填充洞穴模型的非线性最小二乘迭代反演的结果。
实验证明，反演的电阻率与洞穴模型值一致性较好，验证了反演算法的准确性和可靠性。
由本发明提出的上述洞穴地层电阻率反演方法，是一种适用于碳酸盐储层水平井条件过井眼洞穴的电阻率校正方法，该方法消除了地层基岩与井斜角等影响，大大提升了洞穴电阻率的精度，对碳酸盐岩孔洞型储层精细评价具有重要意义。
实施例二
下述为本发明装置实施例，可以用于执行本发明方法实施例。对于本发明装置实施例中未披露的细节，请参照本发明方法实施例。
本实施例提供一种多层填充洞穴电阻率反演装置，其特征在于，包括：
洞穴模型建立模块，用于根据目标洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型，其中，所述填充类型包括单一填充和双层填充；
填充类型识别模块，用于利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面；
单一模型计算模块，用于若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；
双层模型计算模块，用于若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，其中，将所述目标洞穴的上基岩和洞穴上层浅侧向电阻率作为第一层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第一层单一填充洞穴的填充物电阻率，将所述目标洞穴的下基岩和洞穴下层浅侧向电阻率作为第二层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第二层单一填充洞穴的填充物电阻率；将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
实施例三
本实施例提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时，实现如上述实施例所述的一种多层填充洞穴电阻率反演方法的各个步骤。
应当说明的是，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。当然，还有其他方式的可读存储介质，例如量子存储器、石墨烯存储器等等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
实施例四
图7是本发明的一个实施例电子设备的结构示意图。如图7所示，在硬件层面，该电子设备包括处理器，可选地还包括内部总线、网络接口、存储器。其中，存储器可能包含内存，例如高速随机存取存储器(Random-Access Memory，RAM)，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少1个磁盘存储器等。当然，该电子设备还可能包括其他业务所需要的硬件。
处理器、网络接口和存储器可以通过内部总线相互连接，该内部总线可以是ISA(Industry Standard Architecture，工业标准体系结构)总线、PCI(PeripheralComponentInterconnect，外设部件互连标准)总线或EISA(Extended IndustryStandardArchitecture，扩展工业标准结构)总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用线段表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
存储器，用于存放程序。具体地，程序可以包括程序代码，所述程序代码包括计算机操作指令。存储器可以包括内存和非易失性存储器，并向处理器提供指令和数据。处理器从非易失性存储器中读取对应的计算机程序到内存中然后运行。处理器执行存储器所存放的程序，以执行前述一种碳酸盐岩水平井多层填充洞穴电阻率反演方法中的全部步骤。
上述设备提到的通信总线可以是外设部件互连标准(Peripheral ComponentInterconnect，PCI)总线或扩展工业标准结构(Extended Industry StandardArchitecture，EISA)总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。
总线包括硬件、软件或两者，用于将上述部件彼此耦接在一起。举例来说，总线可包括加速图形端口(AGP)或其他图形总线、增强工业标准架构(EISA)总线、前端总线(FSB)、超传输(HT)互连、工业标准架构(ISA)总线、无限带宽互连、低引脚数(LPC)总线、存储器总线、微信道架构(MCA)总线、外围组件互连(PCI)总线、PCI-Express(PCI-X)总线、串行高级技术附件(SATA)总线、视频电子标准协会局部(VLB)总线或其他合适的总线或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，总线可包括一个或多个总线。尽管本发明实施例描述和示出了特定的总线，但本发明考虑任何合适的总线或互连。
存储器可以包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，也可以包括非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。
存储器可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制，存储器可包括硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、软盘驱动器、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，存储器可包括可移除或不可移除(或固定)的介质。在特定实施例中，存储器是非易失性固态存储器。在特定实施例中，存储器包括只读存储器(ROM)。在合适的情况下，该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、电可改写ROM(EAROM)或闪存或者两个或更多个以上这些的组合。
上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(Network Processor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessing，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
应当说明的是，本领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本发明的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
上述实施例阐明的装置、设备、系统、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。一种典型的实现设备为计算机。具体的，计算机例如可以为个人计算机、膝上型计算机、车载人机交互设备、蜂窝电话、相机电话、智能电话、个人数字助理、媒体播放器、导航设备、电子邮件设备、游戏控制台、平板计算机、可穿戴设备或者这些设备中的任何设备的组合。
虽然本发明提供了如实施例或流程图所述的方法操作步骤，但基于常规或者无创造性的手段可以包括更多或者更少的操作步骤。实施例中列举的步骤顺序仅仅为众多步骤执行顺序中的一种方式，不代表唯一的执行顺序。在实际中的装置或终端产品执行时，可以按照实施例或者附图所示的方法顺序执行或者并行执行(例如并行处理器或者多线程处理的环境，甚至为分布式数据处理环境)。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备及可读存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100，根据目标洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型，其中，所述填充类型包括单一填充和双层填充；
S200，利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面；
S300，若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；
S400，若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，其中，将所述目标洞穴的上基岩和洞穴上层浅侧向电阻率作为第一层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第一层单一填充洞穴的填充物电阻率，将所述目标洞穴的下基岩和洞穴下层浅侧向电阻率作为第二层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第二层单一填充洞穴的填充物电阻率；将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
2.如权利要求1所述的多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，通过计算过井眼单一/双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，包括：
若反演结果与洞穴模型的模拟结果之间的误差不满足预设的误差条件，则调整洞穴电阻率初始值，重新反演所述目标洞穴的电阻率；否则输出所述目标洞穴的电阻率的反演结果。
3.如权利要求2所述的多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，
所述过井眼单一填充洞穴模型的参数包括洞穴半径，基岩电阻率和洞穴电阻率；
所述过井眼双层填充洞穴模型的参数包括洞穴半径，洞穴双层填充物电阻率、基岩电阻率和相对倾角。
4.如权利要求2所述的多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，调整洞穴电阻率初始值，重新反演所述目标洞穴的电阻率，包括：
调整洞穴电阻率初始值，利用非线性最小二乘法重新反演所述目标洞穴的电阻率。
5.如权利要求1所述的多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面，包括：
利用所述目标洞穴的深、浅双侧向电阻率曲线以及自然伽马曲线识别所述目标洞穴的洞穴边界，确定所述目标洞穴的发育尺寸。
6.如权利要求1所述的多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面，包括：
利用所述目标洞穴的三孔隙度测井曲线判断所述目标洞穴的填充类型和填充物界面。
7.如权利要求1所述的多层填充洞穴电阻率反演方法，其特征在于，在利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面之前，还包括以下步骤：
对所述目标洞穴的测井曲线进行井眼环境校正。
8.一种多层填充洞穴电阻率反演装置，其特征在于，包括：
洞穴模型建立模块，用于根据目标洞穴所在区域的区块地质结构信息，建立不同填充类型的洞穴模型，其中，所述填充类型包括单一填充和双层填充；
填充类型识别模块，用于利用所述目标洞穴的测井曲线识别所述目标洞穴的位置和尺寸，以及所述目标洞穴的填充类型和填充物界面；
单一模型计算模块，用于若所述目标洞穴为单一填充洞穴，则将所述目标洞穴的基岩和洞穴中心浅侧向电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率；
双层模型计算模块，用于若所述目标洞穴为双层填充洞穴，则将所述目标洞穴等效为相邻的第一层和第二层单一填充洞穴，其中，将所述目标洞穴的上基岩和洞穴上层浅侧向电阻率作为第一层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第一层单一填充洞穴的填充物电阻率，将所述目标洞穴的下基岩和洞穴下层浅侧向电阻率作为第二层单一填充洞穴的电阻率初始值，通过计算过井眼单一填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得第二层单一填充洞穴的填充物电阻率；将第一层和第二层单一填充洞穴的填充物电阻率作为电阻率初始值，通过计算过井眼双层填充洞穴模型双侧向测井响应完成反演，获得所述目标洞穴的电阻率。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时，实现如权利要求1至7中任一项所述的一种多层填充洞穴电阻率反演方法。
10.一种电子设备，其包括：
处理器；
用于存储所述处理器可执行指令的存储器；
其中，所述处理器被配置为执行所述指令，以实现如权利要求1至7中任一项所述的一种多层填充洞穴电阻率反演方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117523035A (zh) * | 2024-01-05 | 2024-02-06 | 中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司 | 水平井剖面中曲线变密填充方法、装置、设备及存储介质 |
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2022
- 2022-04-02 CN CN202210351137.6A patent/CN116973630A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN117523035B (zh) * | 2024-01-05 | 2024-03-26 | 中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司 | 水平井剖面中曲线变密填充方法、装置、设备及存储介质 |
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